JP3555137B2 - 双方向dc−dcコンバータ - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は双方向DC−DCコンバータに関し、詳しくは、直流電源回路に使用され、直流電源の電源電圧を、異なった直流電圧に変換する双方向DC−DCコンバータに関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、直流電源回路に使用されるDC−DCコンバータの一例を図7に示し、そのDC−DCコンバータの各スイッチング素子Q〜Qをオンオフさせるゲート信号Vgs〜Vgsのタイミングチャートを図8に示す。
【0003】
図7に示すDC−DCコンバータは、二対の還流ダイオードD〜D付きスイッチング素子Q〜Q(MOS−FET)をフルブリッジ構成で直流電源Eに接続した変換回路部1と、その変換回路部1の出力側に接続されたトランスTrと、そのトランスTrの二次側出力に接続され、二対のダイオードD〜Dからなる整流回路部2と、その整流回路部2の出力側に接続されたLC平滑回路部3とで構成されている。
【0004】
このDC−DCコンバータでは、図8のタイミングチャートで示すように変換回路部1のスイッチング素子Q,QとQ,Qを交互にオンオフさせて交流波形出力を得る。この変換回路部1の交流波形出力をトランスTrにより変成し、そのトランスTrの二次側出力を整流回路部2により整流すると共にLC平滑回路部3により平滑することにより、所望の直流電圧Voを生成する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したDC−DCコンバータのトランス入力側から負荷側を見ると、一般的に誘導性負荷(遅れ負荷)に見え、その場合、スイッチング素子Q〜Qの電圧、つまり、ドレイン−ソース間電圧Vds及びドレイン電流Idは図9に示すような波形となる。図10(a)は図9に示すスイッチング素子Q〜Qのドレイン−ソース間電圧Vds及びドレイン電流Idの各波形を模式的に表したものであり、同図(b)はターンオン時のスイッチング損失Pとターンオフ時のスイッチング損失Pを示す。
【0006】
スイッチング素子Q〜Q(MOS−FET)における損失には、図10(b)に示すようにスイッチング素子Q〜Qのターンオン時に生じるターンオンスイッチング損失Pと、スイッチング素子Q〜Qのターンオフ時に生じるターンオフスイッチング損失Pとがある。スイッチング損失は、スイッチング素子Q〜Qがオンからオフ及びオフからオンに変化する短時間の過渡状態において、ドレイン電流Idが流れながらドレイン−ソース間電圧Vdsが印加されることで発生する。
【0007】
なお、スイッチング損失については、誘導性負荷(遅れ負荷)の場合、ターンオフスイッチング損失Pの方がターンオンスイッチング損失Pよりも大きいのが一般的であり、ターンオンスイッチング損失Pは、回路定数の設定によっては発生しない場合もある。
【0008】
このDC−DCコンバータを小型化しようとする場合、スイッチング周波数を高周波化すれば、トランスTrの小型化が図れることから、スイッチング周波数の高周波化は有効な手段である。しかしながら、スイッチング周波数が高くなると、そのスイッチング周波数に比例するスイッチング損失も増加することになり、スイッチング損失を低減するためには、スイッチング周波数の高周波化は好適な手段とはならない。
【0009】
また、前述したDC−DCコンバータは、トランスTrの図示左側に設けられた変換回路部1を一次側とし、トランスTrの図示右側に設けられた整流回路2を二次側とすることにより、直流電源Eの放電により負荷に電力を一次側から二次側へ供給するものである。そのため、直流電源Eが放電だけでなく充電も可能な鉛電池などの二次電池である場合、一次側から二次側への電力変換だけでなく、直流電源Eを充電するための二次側から一次側への電力変換も存在するが、前記DC−DCコンバータでは、一次側から二次側へ電力変換することしかできないため、二次側から一次側へ電力変換する用途に対応することが困難であった。
【0010】
そこで、本発明は前記問題点に鑑みて提案されたもので、その目的とするところは、スイッチング損失の低減化を図り、一次側から二次側への電力変換だけでなく、二次側から一次側への電力変換も可能にする双方向DC−DCコンバータを提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための技術的手段として、本発明は、フルブリッジ接続された二対の還流ダイオード付きスイッチング素子からなる第一の変換回路部をn群並列に接続し、かつ、フルブリッジ接続された二対の還流ダイオード付きスイッチング素子からなる第二の変換回路部をn群並列に接続すると共に、第一の変換回路部と第二の変換回路部とをトランスを介してそれぞれ接続し、第一の変換回路部とトランスとの間および第二の変換回路部とトランスとの間に直列コンデンサをそれぞれ介挿させ、第一の変換回路部または第二の変換回路部のうち、入力側となるいずれか一方の変換回路部では、n群の各変換回路部で対をなすスイッチング素子のうち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッチング素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと共に、n群の各変換回路部間で対応するスイッチング素子のスイッチング位相を1/2n周期ずらすタイミングでインバータ動作させ、かつ、出力側となる他方の変換回路部では、還流ダイオードにより整流動作させることを特徴とする。
【0012】
まず第一に、本発明では、n群の変換回路部において、各変換回路部で対をなすスイッチング素子のうち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッチング素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと共に、前記各変換回路部間で対応するスイッチング素子のスイッチング位相を1/2n周期ずらすことにより、転流によりスイッチング素子にスイッチング電流が流れながらスイッチング電圧が印加される状態がなくなるのでスイッチング損失が発生することはない。なお、スイッチング素子として、MOS−FET以外に、バイポーラトランジスタやIGBTにも適用可能である。
【0013】
第二に、本発明では、フルブリッジ接続された二対の還流ダイオード付きスイッチング素子からなる第一の変換回路部と第二の変換回路部をトランスを介して接続したことにより、第一の変換回路部と第二の変換回路部が還流ダイオード付きスイッチング素子からなる同一回路構成を具備することから、第一の変換回路部または第二の変換回路部のうち、入力側となるいずれか一方の変換回路部をインバータ動作させ、かつ、出力側となる他方の変換回路部を還流ダイオードにより整流動作させることにより、第一の変換回路部から第二の変換回路への電力変換と、第二の変換回路部から第一の変換回路部への電力変換の両方が可能となり、双方向の電力変換が実現できる。
【0014】
また、前記変換回路部とトランスとの間に直列コンデンサを挿入接続したことにより、変換回路部の出力電圧の平坦部にドループ(傾き)をつけ、立ち上がり部分の高い電圧波形とすることで、転流タイミング時の前後で電圧差を大きくして前述した転流動作を確実に行うことができる。
【0015】
さらに、本発明は、前記第一の変換回路部と第二の変換回路部に異常検出手段をそれぞれ設け、その異常検出手段からの検出信号に基づいてスイッチング素子をオフするゲートブロック信号を第一の変換回路部と第二の変換回路部に選択的に出力する異常判定回路を具備した構成とすることが望ましい。
【0016】
このようにすれば、第一の変換回路部または第二の変換回路部に、過電圧や過電流、過剰温度などの異常が発生した場合でも、その異常事態を異常検出手段により検出して異常判定回路から出力されるゲートブロック信号により第一の変換回路部または第二の変換回路部を停止させることができ、装置の自己保護機能を発揮させることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の実施形態におけるDC−DCコンバータの回路図である。この実施形態のDC−DCコンバータは、同一回路構成からなる第一の変換回路部11,12と第二の変換回路部21,22とからなる。つまり、第一の変換回路部11,12は、二対のスイッチング素子Q11,Q14とQ12,Q13およびQ15,Q18とQ16,Q17(例えば、MOS−FET、バイポーラトランジスタやIGBT)をフルブリッジ接続したものであり、また、第二の変換回路部21,22は、二対のスイッチング素子Q21,Q24とQ22,Q23およびQ25,Q28とQ26,Q27(例えば、MOS−FET、バイポーラトランジスタやIGBT)をフルブリッジ接続したものである。
【0018】
これら第一の変換回路部11,12と第二の変換回路部21,22のすべてのスイッチング素子Q11〜Q18,Q21〜Q28は、逆並列FWD(Free Wheeling Diode:以下、還流ダイオードD11〜D18,D21〜D28と称す)を具備する。この還流ダイオードD11〜D18,D21〜D28は、例えばMOS−FETに逆並列で構造上等価的に存在する素子である。
【0019】
このDC−DCコンバータでは、n群、例えば二群からなる第一の変換回路部11と12を、直流電源、例えば充放電可能な鉛電池などの二次電池Edに対して並列接続すると共に、第一の変換回路部11,12と二次電池Edとの間に第一のLC平滑回路部13と第一のスイッチSdを挿入接続する。前記第一の変換回路部11,12に対してn群、例えば二群からなる第二の変換回路部21と22を二つのトランスTr,Trを介して並列接続する。この第二の変換回路部21,22には前記第一の変換回路部11,12と同様、第二のLC平滑回路部23と第二のスイッチSoを接続する。
【0020】
また、第一の変換回路部11,12とトランスTr,Trとの間には第一の直列コンデンサC11,C12が挿入接続され、同様に、第二の変換回路部21,22とトランスTr,Trとの間にも第二の直列コンデンサC21,C22が挿入接続されている。なお、図1では、第二の変換回路部21,22に直流電源Eoを接続した構成を示しているが、この直流電源Eoは、第二の変換回路部21,22の端子間に直流電圧Voが現出することにより等価的に表したもの、あるいは充放電可能な二次電池など(例えば鉛電池)のいずれかである。
【0021】
このDC−DCコンバータにおいて、まず第一に、第一の変換回路部11,12から第二の変換回路21,22への電力変換による二次電池Edの放電を説明する。この時、第一のスイッチSdをオンすると共に第二のスイッチSoをオフすることにより、第一の変換回路部11,12を入力側としてスイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18にゲート信号Vgs11〜Vgs14,Vgs15〜Vgs18を付与することでインバータ動作させ、かつ、第二の変換回路部21,22を出力側としてスイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18にゲート信号Vgs21〜Vgs24,Vgs25〜Vgs28を付与しないことで還流ダイオードD11〜D14,D15〜D18により整流動作させる。
【0022】
図2はそのDC−DCコンバータの各スイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18をオンオフさせるゲート信号Vgs11〜Vgs14,Vgs15〜Vgs18のタイミングチャートを示す。図2で示すように第一の変換回路部11,12のスイッチング素子Q11,Q14とQ12,Q13およびQ15,Q18とQ16,Q17を交互にオンオフさせて交流波形出力を得る。この第一の変換回路部11,12の交流波形出力をトランスTr,Trを介して第二の変換回路部21,22の還流ダイオードD21〜D24,D25〜D28により整流すると共に第二のLC平滑回路部23により平滑することにより、二次電池Edの放電による所望の直流電圧Voを生成する。
【0023】
二群からなる第一の変換回路部11,12では、図2のタイミングチャートで示すように一方の変換回路部11で対をなすスイッチング素子Q11,Q14のうち、一方のスイッチング素子Q11(スイッチング素子Q12はスイッチング素子Q11の反転)に対して他方のスイッチング素子Q14(スイッチング素子Q13はスイッチング素子Q14の反転)のスイッチング位相を1/3n周期、この実施形態の場合では1/6周期遅らせる。また、変換回路部11と12間で対応するスイッチング素子Q11,Q15について、他方の変換回路部12のスイッチング素子Q15(スイッチング素子Q16はスイッチング素子Q15の反転)のスイッチング位相をスイッチング素子Q11に対して1/2n周期、この実施形態の場合では1/4周期遅らせる。さらに、他方の変換回路部12で対をなすスイッチング素子Q15,Q18のうち、一方のスイッチング素子Q15(スイッチング素子Q16はスイッチング素子Q15の反転)に対して他方のスイッチング素子Q18(スイッチング素子Q17はスイッチング素子Q18の反転)のスイッチング位相を1/6周期遅らせる。
【0024】
図3は第二の変換回路部21,22のそれぞれの出力電圧V,V、トランスTr,Trの一次側電圧、各スイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18のドレイン−ソース間電圧Vdsおよびドレイン電流Idの波形図である。第一の変換回路部11,12のスイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18は、図3に示すようなドレイン−ソース間電圧Vdsおよびドレイン電流Idでもってスイッチング動作する(図4の表参照)。ここで、図4の表は、各スイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18の電流値の変化・推移を示す。負荷に一定電力を供給、つまり定電圧出力のもとで一定電流を供給するため、スイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18からの出力電流の合計は、いずれのタイミングにおいても電流値1puとなる。すなわち、いずれかのタイミングで一方の変換回路部11のスイッチング素子Q11〜Q14からの出力電流が0→1puに変化していれば、他方の変換回路部12のスイッチング素子Q15〜Q18からの出力電流は1→0puに変化している。また、別のタイミングで一方の変換回路部11のスイッチング素子Q11〜Q14からの出力電流が1puであれば、他方の変換回路部12のスイッチング素子Q15〜Q18からの出力電流は0puである。
【0025】
なお、区間t〜tは、0<t≦1/4・T、0≦t<1/4・T、0<t≦1/4・T、0≦t<1/4・T、0<t≦1/4・T、0≦t<1/4・T、0<t≦1/4・T、0≦t<1/4・Tの条件の範囲内で自由に変更可能である。この8つの条件はor条件であるが、t+t+t+t+t+t+t+t=Tを満たすことが必要である。電流が増減する区間t,t,t,tは回路定数により波形が異なるので、実際上、スイッチング損失が発生しない範囲に限られる。
【0026】
各スイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18のスイッチング動作により、トランスTr,Trの一次側電圧(図3の最上段から二番目)にトランスTr,Trの変成比をかけてその絶対値をとったもの、つまり、一次側電圧の波形を零点で折り返したもの(図3の最上段)が、トランスTr,Trの二次側電圧を第二の変換回路部21,22の還流ダイオードD21〜D24,D25〜D28により整流した出力電圧V,Vとして得られる。この第二の変換回路部21,22の出力電圧V,Vを転流により最も電圧値の高いところでトレースすることにより直流電圧Voが生成される。この転流は、図3の矢印で示すタイミングでもって、スイッチング素子Q11,Q14→スイッチング素子Q15,Q18→スイッチング素子Q12,Q13→スイッチング素子Q16,Q17→スイッチング素子Q11,Q14の順で繰り返し行われる。
【0027】
これらスイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18を前述したスイッチング位相をずらしたタイミングでオンオフさせることにより、第二の変換回路部21,22の出力電圧V,Vは、転流によりスイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18にドレイン電流Idが流れながらドレイン−ソース間電圧Vdsが印加される状態がなくなるのでスイッチング損失が発生することはない。また、転流のタイミングを決定するのは、転流のトリガとなっているスイッチング素子Q13,Q14,Q17,Q18であるが、これらのスイッチング素子Q13,Q14,Q17,Q18は、ゲート信号が付与されてターンオンしてもドレイン電流IdがトランスTr,Trの漏れリアクタンスのために転流後瞬時にピーク電流に達するのではなく、電流の立ち上がりが抑制されることから、ターンオンスイッチング損失が発生することはない。
【0028】
また、第一の変換回路部11,12とトランスTr,Trとの間に直列コンデンサC11,C12を挿入接続したことにより、この直列コンデンサC11,C12とトランスTr,Trの漏れリアクタンスによって構成される微分回路でもって、第一の変換回路部11,12の出力電圧の平坦部にドループ(傾き)をつけ、立ち上がり部分の高い電圧波形とすることで、転流タイミング時の前後で電圧差を大きくして転流動作を確実に行う。さらに、スイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18の個体差によるオン抵抗やスイッチング速度のばらつきによって含まれる直流成分をカットしてトランスTr,Trの直流偏励磁を防止することも可能である。
【0029】
このDC−DCコンバータは、第一の変換回路部11,12と第二の変換回路部21,22とが還流ダイオードD11〜D18,D21〜D28付きスイッチング素子Q11〜Q18,Q21〜Q28からなる同一回路構成を具備することから、第二の変換回路部21,22から第一の変換回路部11,12への電力変換により二次電池Edの充電が可能である。この時、第二のスイッチSoをオンすると共に第一のスイッチSdをオフすることにより、第二の変換回路部21,22を入力側としてスイッチング素子Q21〜Q24,Q25〜Q28にゲート信号Vgs21〜Vgs24,Vgs25〜Vgs28を付与することでインバータ動作させ、かつ、第一の変換回路部11,12を出力側としてスイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18にゲート信号Vgs11〜Vgs14,Vgs15〜Vgs18を付与しないことで還流ダイオードD11〜D14,D15〜D18により整流動作させる。
【0030】
つまり、図2のタイミングチャートで示すように第二の変換回路部21,22のスイッチング素子Q21,Q24とQ22,Q23およびQ25,Q28とQ26,Q27を交互にオンオフさせて交流波形出力を得る。この第二の変換回路部21,22の交流波形出力をトランスTr,Trを介して第一の変換回路部11,12の還流ダイオードD11〜D14,D15〜D18により整流すると共に第一のLC平滑回路部13により平滑することにより、直流電源Eoと等価な直流電源Voに基づいて所望の直流電圧Vdを生成して二次電池Edを充電する。
【0031】
二群からなる第二の変換回路部21,22では、第一の変換回路部11,12から第二の変換回路部21,22への電力変換で説明した第一の変換回路部11,12と同様、図2のタイミングチャートに示すようにスイッチング素子Q21〜Q24,Q25〜Q28を前述したようにスイッチング位相をずらしたタイミングでオンオフさせる。これらスイッチング素子Q21〜Q24,Q25〜Q28の位相の相関関係は、第一の変換回路部11,12から第二の変換回路部21,22への電力変換時におけるスイッチング素子Q11〜Q14,Q15〜Q18と同一であるが、第一の変換回路部11,12と第二の変換回路部21,22が同時にスイッチング動作するわけではないので、そのスイッチング周波数は同一周波数である必要はない。
【0032】
これら第二の変換回路部21,22のスイッチング素子Q21〜Q24,Q25〜Q28は、前述した第一の変換回路部11,12から第二の変換回路部21,22への電力変換時における第一の変換回路部11,12と同様、図3に示すようなドレイン−ソース間電圧Vdsおよびドレイン電流Idでもってスイッチング動作する(図4の表参照)ことにより、第一の変換回路部11,12の還流ダイオードD21〜D24,D25〜D28により整流した結果として得られた出力電圧V,Vを転流により最も電圧値の高いところでトレースすることにより直流電圧Vdが生成される。
【0033】
これにより、第二の変換回路部21,22の出力電圧V,Vは、転流によりスイッチング素子Q21〜Q24,Q25〜Q28にドレイン電流Idが流れながらドレイン−ソース間電圧Vdsが印加される状態がなくなるのでスイッチング損失が発生することはない。また、転流のタイミングを決定するのは、転流のトリガとなっているスイッチング素子Q23,Q24,Q27,Q28であるが、これらのスイッチング素子Q23,Q24,Q27,Q28は、ゲート信号が付与されてターンオンしてもドレイン電流IdがトランスTr,Trの漏れリアクタンスのために転流後瞬時にピーク電流に達するのではなく、電流の立ち上がりが抑制されることから、ターンオンスイッチング損失が発生することはない。
【0034】
また、第二の変換回路部21,22とトランスTr,Trとの間に直列コンデンサC21,C22を挿入接続したことにより、第二の変換回路部21,22の出力電圧の平坦部にドループ(傾き)をつけ、立ち上がり部分の高い電圧波形とすることで、転流タイミング時の前後で電圧差を大きくして転流動作を確実に行う。さらに、スイッチング素子Q21〜Q24,Q25〜Q28の個体差によるオン抵抗やスイッチング速度のばらつきによって含まれる直流成分をカットしてトランスTr,Trの直流偏励磁を防止することも可能である。
【0035】
なお、図1の実施形態で第一の変換回路部11,12とトランスTr,Trとの間に挿入接続した直列コンデンサC11,C12、および第二の変換回路部21,22とトランスTr,Trとの間に挿入接続した直列コンデンサC21,C22を二分割して、図5の実施形態のように直列コンデンサC11aとC11b,C12aとC12bを第一の変換回路部11,12とトランスTr,Trとの間に挿入接続し、かつ、直列コンデンサC21aとC21b,C22aとC22bを第二の変換回路部21,22とトランスTr,Trとの間に挿入接続するように構成してもよい。
【0036】
図6は図1の実施形態に保護機能を付加した応用例を示す。なお、この応用例は図2に示す実施形態にも適用可能であるのは勿論である。図6に示すDC−DCコンバータは、第一の変換回路部11,12の直流電源Ed側に異常検出手段である電圧検出部14と電流検出部15を設けると共に、第二の変換回路部21,22の直流電源Eo側に電圧検出部24と電流検出部25を設ける。また、第一の変換回路部11,12と第二の変換回路部21,22の過熱を検出するための異常検出手段である温度センサ31を配設する。これら電圧検出部14,24、電流検出部15,25および温度センサ31により検出信号に基づいてスイッチング素子Q11〜Q18,Q21〜Q28を駆動するためのゲート信号Vgs11〜Vgs18,Vgs21〜Vgs28をブロックするゲートブロック信号を出力する異常判定回路41を具備する。
【0037】
このDC−DCコンバータでは、第一の変換回路部11,12から第二の変換回路部21,22への電力変換時、または第二の変換回路部21,22から第一の変換回路部11,12への電力変換時に、第一の変換回路部11,12および第二の変換回路部21,22の入出力電圧(入出力電流)を電圧検出部14,24(電流検出部15,25)により検出し、その検出信号に基づいて異常判定回路41では、入出力電圧(入出力電流)が予め設定された所定の許容値を超えた場合、ゲートブロック信号を、インバータ動作中に過電圧(過電流)などの異常電圧(異常電流)が発生した第一の変換回路部11,12または第二の変換回路部21,22へ出力し、そのスイッチング素子をオフすることにより第一の変換回路部11,12または第二の変換回路部21,22のインバータ動作を停止させる。なお、ゲートブロック信号により第一の変換回路部11,12または第二の変換回路部21,22を停止させると共に、必要であれば、入力側または出力側の遮断器16,26を開放すればよい。
【0038】
また、第一の変換回路部11,12および第二の変換回路部21,22を構成する還流ダイオードD11〜D18,D21〜D28付きスイッチング素子Q11〜Q18,Q21〜Q28などの温度を温度センサ31により検出し、その検出信号に基づいて異常判定回路41では、その温度が予め設定された所定の許容値を超えた場合、ゲートブロック信号を、インバータ動作中に過剰温度などの異常温度が発生した第一の変換回路部11,12または第二の変換回路部21,22へ出力し、そのスイッチング素子をオフすることにより第一の変換回路部11,12または第二の変換回路部21,22のインバータ動作を停止させる。なお、ゲートブロック信号により第一の変換回路部11,12または第二の変換回路部21,22を停止させると共に、必要であれば、入力側または出力側の遮断器16,26を開放すればよい。
【0039】
【発明の効果】
本発明によれば、n群の変換回路部において、各変換回路部で対をなすスイッチング素子のうち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッチング素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと共に、前記各変換回路部間で対応するスイッチング素子のスイッチング位相を1/2n周期ずらすことにより、転流によりスイッチング素子にスイッチング電流が流れながらスイッチング電圧が印加される状態がなくなるのでスイッチング損失が発生することはない。
【0040】
また、本発明によれば、フルブリッジ接続された二対の還流ダイオード付きスイッチング素子からなる第一の変換回路部と第二の変換回路部をトランスを介して接続したことにより、第一の変換回路部と第二の変換回路部が還流ダイオード付きスイッチング素子からなる同一回路構成を具備することから、第一の変換回路部または第二の変換回路部のうち、入力側となるいずれか一方の変換回路部をインバータ動作させ、かつ、出力側となる他方の変換回路部を還流ダイオードにより整流動作させることにより、第一の変換回路部から第二の変換回路への電力変換と、第二の変換回路部から第一の変換回路部への電力変換の両方が可能となり、双方向の電力変換が実現できる。
【0041】
従って、スイッチング損失の低減化を図り、一次側から二次側への電力変換だけでなく、二次側から一次側への電力変換も可能にする高効率のDC−DCコンバータを提供することができる。
【0042】
さらに、前記第一の変換回路部と第二の変換回路部に異常検出手段をそれぞれ設け、その異常検出手段からの検出信号に基づいてスイッチング素子をオフするゲートブロック信号を第一の変換回路部と第二の変換回路部に選択的に出力する異常判定回路を具備した構成とすれば、装置の自己保護機能を発揮させることができて装置の安全性や信頼性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態における双方向DC−DCコンバータの回路図である。
【図2】図1のDC−DCコンバータの各スイッチング素子をオンオフさせるゲート信号のタイミングチャートである。
【図3】図1の整流動作時の第一または第二の変換回路部の出力電圧、トランスの一次側電圧、各スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧およびドレイン電流の波形図である。
【図4】図3のトランスの一次側電圧波形の1周期における各スイッチング素子のオンオフ状態を示す表である。
【図5】本発明の他の実施形態を示すDC−DCコンバータを示す回路図である。
【図6】図1のDC−DCコンバータに保護機能を付加した応用例を示す回路図である。
【図7】DC−DCコンバータの従来例を示す回路図である。
【図8】図7のDC−DCコンバータの各スイッチング素子をオンオフさせるゲート信号のタイミングチャートである。
【図9】図7の各スイッチング素子のドレイン−ソース間電圧およびドレイン電流の波形図である。
【図10】(a)は図9に示すスイッチング素子のドレイン−ソース間電圧及びドレイン電流の各波形を示す模式図、(b)はターンオン時とターンオフ時のスイッチング損失を示す模式図である。
【符号の説明】
11,12 第一の変換回路部
21,22 第二の変換回路部
14,24 異常検出手段(電圧検出部)
15,25 異常検出手段(電流検出部)
31 異常検出手段(温度センサ)
41 異常判定回路
11,C12 直列コンデンサ
21,C22 直列コンデンサ
Tr,Tr トランス
11〜D14,D15〜D18 還流ダイオード
21〜D24,D25〜D28 還流ダイオード
11〜Q14,Q15〜Q18 スイッチング素子
21〜Q24,Q25〜Q28 スイッチング素子

Claims (2)

  1. フルブリッジ接続された二対の還流ダイオード付きスイッチング素子からなる第一の変換回路部をn群並列に接続し、かつ、フルブリッジ接続された二対の還流ダイオード付きスイッチング素子からなる第二の変換回路部をn群並列に接続すると共に、第一の変換回路部と第二の変換回路部とをトランスを介してそれぞれ接続し、第一の変換回路部とトランスとの間および第二の変換回路部とトランスとの間に直列コンデンサをそれぞれ介挿させ、第一の変換回路部または第二の変換回路部のうち、入力側となるいずれか一方の変換回路部では、n群の各変換回路部で対をなすスイッチング素子のうち、一方のスイッチング素子に対して他方のスイッチング素子のスイッチング位相を1/3n周期ずらすと共に、n群の各変換回路部間で対応するスイッチング素子のスイッチング位相を1/2n周期ずらすタイミングでインバータ動作させ、かつ、出力側となる他方の変換回路部では、還流ダイオードにより整流動作させることを特徴とする双方向DC−DCコンバータ。
  2. 前記第一の変換回路部と第二の変換回路部に異常検出手段をそれぞれ設け、その異常検出手段からの検出信号に基づいてスイッチング素子をオフするゲートブロック信号を第一の変換回路部と第二の変換回路部に選択的に出力する異常判定回路を具備したことを特徴とする請求項に記載の双方向DC−DCコンバータ。
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