JP3547678B2 - ディスク状対象物のエッチング処理装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ディスク状対象物(特にウェーハ)を接触すること無く受け入れるための手段と、該手段に対して垂直に配置され、かつディスク状対象物をその周囲の位置にて制限する少なくとも2つの案内部材とを有する、ディスク状対象物のエッチング処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば、上記の装置は、欧州特許第611 274号公開公報から知られている。
【0003】
ここで、ウェーハは、前記手段の対応する支持部上に接触することなく(エアクッションにて)位置づけられ、かつ処理の間回転される。ベルヌイの原理に従って作動するこのようなウェーハ処理のための装置は、原則として、その価値が認められてきた。接触の無い装置でのウェーハの「支持」は、該手段に面するウェーハの下側面が処理中に損傷されることを防止している。
【0004】
欧州特許第611 274号公開公報によれば、ウェーハは、せいぜい偏心担持されて、側方向案内部材(しばしば、ピンと称される)に接触するくらいである。
【0005】
特に、エッチング処理においては、エッチング液が周縁領域で下側面(特に前記ピンの領域)に流れてしまうことが明らかである。結果として、ウェーハの下側面も、ピンの領域にてエッチングされた部分(いわゆるピンマーク)を有している。
【0006】
ウェーハ処理中の若干の時間の間に、個々のピンがウェーハ端部から徐々に取り外される(退く)との問題点は、日本国特許第 9−107023号公開公報にて述べられ、かつ解決されている。しかしながら、このような手段は、装置及び制御技術に対して高額な導入費用が必要となる。さらに、ウェーハを案内するために実際必要となるよりも多くのピンが側方向に備えられなければならないといった欠点があり、そのため、たとえ一つまたは二つ以上のピンが退いても、ウェーハは依然正確な位置に留まっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
この点で、本発明の目的は、公開された日本国特許文献にて記載された問題点、及び更なる点において上述した問題点を解決することである。特に、ポイントとなるところは、側方の案内部材の領域において下側面に見られるエッチングされたエリアを避ける点にある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、エッチング液あるいは他の処理媒体がウェーハ端部を介して(とりわけウェーハのための案内部材の領域にて)ウェーハの下側面に到達することを特定の(追加の)ガス流れにより防止するための考察から始まっている。
【0009】
次に、最も一般的な実施形態において、本発明は、冒頭で記載したタイプの部材を提案している。ここで、少なくとも一つのノズル手段が各案内部材と関連しており、このノズルを介して、ガス状処理媒体が各案内部材に直接隣接するディスク状対象物の下側面に対して供給されてもよい。
【0010】
換言すれば、各案内部材は分離ノズルと関連しており、このノズルを介して圧縮されたガスが下方から関連する案内部材の領域に向けて噴出される。このようにして、処理流体が前記領域に到達する前に処理流体が吹き飛ばされて、ウェーハの下側面でエッチングされず、かつウェーハの下側面の望ましくない処理を防止できる。
【0011】
関連するガス状処理媒体が関連する案内部材の周囲(少なくとも内側を)を洗浄するというように調整されるならば、ノズル手段の有効性が増大する。この実施形態において、ノズル手段の流出端部は、ウェーハの下方に延在し、かつウェーハ面に対して1°より大きくかつ90°未満の角度で延在することが望ましい。ここで、10°と60°との間の角度が、好都合であることが明らかとなっている。
【0012】
傾けられたエアジェットによって、下側に流れる可能性のある液体が、ウェーハ端部を介してウェーハの下側面に到達する前に、半径方向外側へ確実に吹き飛ばされる。
【0013】
本発明の実施形態は、各ノズル手段が、案内部材により囲まれた想像面部内に配置された少なくとも1つのガス供給チャネルを有していることを提供している。
【0014】
ここで、接触することなくウェーハを案内するように作用しノズル手段の内側に延在している表面は、ベルヌイの原理に従って作動する装置における支持部として構成されている。
【0015】
ノズル手段の形状(特に、関連したガスチャネルの断面形状)は、特に、複数の案内部材(ピン)の構造配置に依存している。筒状ピンにおいて、ガス供給チャネルは環状の断面を有するかまたはスリット形状を有しており、断面積は少なくとも案内部材に隣接したウェーハの下側面の領域に噴流が補助的かつ二次元的に流出するような大きさとされている。複数のガス供給チャネルを個々の部分チャネル内に分配することも可能である。
【0016】
各ノズル手段が、ベルヌイの原理に従って支持部とディスク状対象物との間でガスクッションが形成されている領域から外側に離れた位置に配置されても良い。
【0017】
ノズル手段を介して供給されるガス状処理媒体量が、ディスク状対象物の下側面に流すガス状処理媒体の総量の少なくとも10%でなければならないことが、予備試験において判明している。総量には、装置上のウェーハを接触すること無くかつ少し離れて案内するために必要なガス量分も含まれている。
【0018】
本発明による装置は、案内部材の形状及び数に対して制限していない。よって、例えば、同様に部分的に円形の2つの案内部材を具備することで、原則的に充分である。ここで、ウェーハ端部と接触する特定のラインあるいは表面が必然的に生じる。もし筒状案内部材(ピン)が使用されるならば(その場合には、例えば少なくとも3つの案内部材が設けられなければならない)、この特定のラインあるいは表面は減少しよう。
【0019】
何れの場合においても、欧州特許第611 274号公開公報から知られているように、各案内部材は、ディスク状対象物に対して少なくとも2つの異なる位置に再配置されても良い。
【0020】
本発明による装置において、案内部材の領域における「アンダーエッチング」は、上述したノズル手段により防止される。ウェーハを案内するためのベルヌイ効果を調整するのに、同様な処理媒体を使用できるので、このノズル手段により制御技術についての追加の出費が必要とされない。
【0021】
本発明による教示により、(例えば欧州特許第611 274号公開公報に開示されている如き)周知のデバイスも本発明に従って改装することも可能である。この場合必要なことは、ピン(案内部材)の領域に追加のボアを具備することだけである。このボアを介して、圧縮されたガスがピン及び隣接するウェーハの下側面に噴出される。この圧力は、接触することなくウェーハを案内するためのガス圧力よりも高くても良い。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明による装置の部分断面を概略的に示す実施形態とともに、以下、本発明をより詳細に記載する。
【0023】
ここで、支持部10は、環状ノズル14を有する手段12の構成要素として見ることができる。この環状ノズル14を介して、ガスが矢印P方向に噴出される。このようにして、支持部10(手段12)上に配置されたウェーハ16が支持表面10oから離れて案内されることが確実になされる。実際の「案内」は、座部12から突出された側方ピン18により効果的になる。各ピンは、偏心して案内され、かつ作動位置において、それぞれウェーハ16の対応する端部に点接触あるいは線接触する。
【0024】
ガス供給チャネル20は、ノズル14に隣接する座部12に配置されている。このノズル14は、支持面10oに対して約45°の角度αで延在し、かつチャネル20を介して供給されるガスが関連するピン18及びウェーハ16の下側面16uの隣接部分にそれぞれ噴出されるように、調節されている。換言すれば、チャネル20の中心長手軸線とピン18が、一平面内にある。このようにして、エッチング液がウェーハ16の表面部16uに到達すること、及び望ましくないエッチング(いわゆるピンマーク)が生じることを確実に防止する。
【0025】
図示した実施形態において、チャネル20を介してのガス流れの量は、毎分約2単位体積である。ここで、ノズル14を介してのガス流れの量は、毎分約8単位体積である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の装置の部分断面を概略的に示した図である。
【符号の説明】
12 ディスク対象物を受け入れる手段
16 ディスク対象物
16u 下側面
18 案内部材
20 ノズル手段
Claims (7)
- ディスク状対象物(16)を環状ノズル(14)によって接触すること無く支持するための手段(12)と、該手段(12)に対して垂直に位置付けられ、かつ前記ディスク状対象物(16)の位置をその周縁にて制限する少なくとも2つの案内部材(18)と、を有するディスク状対象物の、特にウェーハのウェットエッチング処理用装置において、
少なくとも1つのノズル手段(20)が前記各案内部材(18)に関連づけられており、前記各ノズル手段を介して、ガスが、前記各案内部材(18)に隣接する前記ディスク状対象物(16)の下側面(16u)に直接導かれ、
前記各ノズル手段(20)は、関連する前記案内部材(18)の周辺が前記ガスにより洗浄されるように調節され、さらに少なくとも前記案内部材(18)の内側が洗浄されるように調節されていることを特徴とするウェットエッチング処理装置。 - 前記各ノズル手段(20)は、前記各案内部材(18)により囲まれる想像面部内に延在するガス供給チャネルを備えることを特徴とする請求項1記載のウェットエッチング処理装置。
- 前記各ノズル手段(20)は、前記ディスク状対象物(16)の面に対して、1゜より大きくかつ90゜未満の角度に調節されることを特徴とする請求項1記載のウェットエッチング処理装置。
- 前記各ノズル手段(20)は、前記ディスク状対象物(16)の面に対して、10゜より大きくかつ60゜未満の角度に調節されることを特徴とする請求項3記載のウェットエッチング処理装置。
- 前記各ノズル手段(20)は、ベルヌイの原理に従って前記手段(12)と前記ディスク対象物(16)との間にガスクッションが形成されている領域から外側に離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項1記載のウェットエッチング処理装置。
- 前記ノズル手段(20)を介して供給されるガスが、前記ディスク状対象物(16)の前記下側面に対して流すガスの総量の少なくとも10%であることを特徴とする請求項1記載のウェットエッチング処理装置。
- 前記各案内部材(18)は、前記ディスク状対象物(16)に対して、少なくとも2つの異なる位置に位置づけられても良いことを特徴とする請求項1記載のウェットエッチング処理装置。
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WO2001027357A1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-04-19 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for executing plural processes on a microelectronic workpiece at a single processing station |
US20050205111A1 (en) * | 1999-10-12 | 2005-09-22 | Ritzdorf Thomas L | Method and apparatus for processing a microfeature workpiece with multiple fluid streams |
ATE257277T1 (de) | 2000-10-31 | 2004-01-15 | Sez Ag | Vorrichtung zur flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen gegenständen |
DE10134988C2 (de) * | 2001-07-18 | 2003-08-07 | Infineon Technologies Ag | Aufnahmeteller für einen Wafer und Wafer-Hebevorrichtung |
US20070110895A1 (en) * | 2005-03-08 | 2007-05-17 | Jason Rye | Single side workpiece processing |
US7938942B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
US8082932B2 (en) * | 2004-03-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
US20060040111A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | Dolechek Kert L | Process chamber and system for thinning a semiconductor workpiece |
US7288489B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-10-30 | Semitool, Inc. | Process for thinning a semiconductor workpiece |
US7193295B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-03-20 | Semitool, Inc. | Process and apparatus for thinning a semiconductor workpiece |
US20060046499A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Dolechek Kert L | Apparatus for use in thinning a semiconductor workpiece |
US7354649B2 (en) | 2004-08-20 | 2008-04-08 | Semitool, Inc. | Semiconductor workpiece |
US8104488B2 (en) * | 2006-02-22 | 2012-01-31 | Applied Materials, Inc. | Single side workpiece processing |
JP5013400B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-08-29 | 国立大学法人東北大学 | 塗布膜コーティング装置 |
US8054299B2 (en) * | 2007-01-08 | 2011-11-08 | Apple Inc. | Digital controller for a true multi-point touch surface useable in a computer system |
KR101419701B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2014-07-21 | 삼성전자주식회사 | 멀티미디어 재생장치에서 멀티 터치를 이용한 재생 제어 방법 |
JP5478604B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-04-23 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | シリコンウェハの端部をエッチングするための方法 |
JP5073621B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-11-14 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造装置 |
KR20110099108A (ko) * | 2008-11-19 | 2011-09-06 | 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크. | 반도체 웨이퍼의 에지를 스트리핑하기 위한 방법 및 시스템 |
DE102009051567A1 (de) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Alexander Borowski | Bernoulli-Düse, Greifervorrichtung mit Bernoulli-Düse und Verfahren zur Herstellung |
US8596623B2 (en) * | 2009-12-18 | 2013-12-03 | Lam Research Ag | Device and process for liquid treatment of a wafer shaped article |
US8853054B2 (en) | 2012-03-06 | 2014-10-07 | Sunedison Semiconductor Limited | Method of manufacturing silicon-on-insulator wafers |
JP5999972B2 (ja) * | 2012-05-10 | 2016-09-28 | 株式会社ディスコ | 保持テーブル |
US9748120B2 (en) | 2013-07-01 | 2017-08-29 | Lam Research Ag | Apparatus for liquid treatment of disc-shaped articles and heating system for use in such apparatus |
US10707099B2 (en) | 2013-08-12 | 2020-07-07 | Veeco Instruments Inc. | Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle |
US9929029B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Substrate carrier system |
TWI797121B (zh) | 2017-04-25 | 2023-04-01 | 美商維克儀器公司 | 半導體晶圓製程腔體 |
US20240105496A1 (en) * | 2020-12-16 | 2024-03-28 | Acm Research (Shanghai), Inc. | Substrate supporting apparatus |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5559724A (en) * | 1978-10-27 | 1980-05-06 | Hitachi Ltd | Spinner device |
JPH02277227A (ja) * | 1989-04-19 | 1990-11-13 | Hitachi Ltd | 部品処理装置 |
US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
JP2814167B2 (ja) * | 1992-07-17 | 1998-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
ATE174155T1 (de) * | 1993-02-08 | 1998-12-15 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Träger für scheibenförmige gegenstände |
JPH06340333A (ja) * | 1993-05-31 | 1994-12-13 | Hitachi Ltd | 気流搬送装置 |
US6113702A (en) * | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
JP3292639B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2002-06-17 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 回転保持装置及び方法 |
JPH09107023A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Toshiba Microelectron Corp | 被処理物の回転保持装置 |
JP3440655B2 (ja) * | 1995-10-31 | 2003-08-25 | 株式会社日立製作所 | 試料保持方法、試料回転方法及び試料表面の流体処理方法並びにそれらの装置 |
JPH1092712A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Sharp Corp | 半導体製造装置 |
AT407312B (de) * | 1996-11-20 | 2001-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Rotierbarer träger für kreisrunde, scheibenförmige gegenstände, insbesondere halbleiterwafer oder -substrate |
AT407806B (de) * | 1997-05-23 | 2001-06-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Anordnung zum behandeln wafer-förmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern |
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