JP3546989B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置の光源等に使用される半導体発光素子及びその製造方法に関し、特に高輝度GaP発光ダイオード及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、屋内・屋外用表示パネル、車載用表示ランプ、信号機等の表示装置に使用される半導体発光素子は輝度が高いほど消費電力が少なくて済むため、高輝度化された半導体発光素子が望まれる。特に屋外での使用には外乱光の影響を受けやすいため、より高輝度化された半導体発光素子が望まれる。
【0003】
この種の半導体発光素子の一例として、GaP発光ダイオードがある。このGaP発光ダイオードには、赤色発光及び緑色発光のものがあるが、高輝度を要求される屋外表示用としてはNドープGaPからなる緑色発光ダイオードが主流である。
【0004】
図8に従来のGaP発光ダイオードの断面構造を示す(従来例1)。この従来例1のGaP発光ダイオードは、n型GaP基板81上に、エピタキシャル成長により、n型GaP層82(キャリア濃度5×1016〜20×1016cm−3)、第1のp型GaP層83(キャリア濃度5×1015〜10×1015cm−3)、及び第2のp型GaP層84(キャリア濃度1×1018〜3×1018cm−3)が順次積層された構造を有し、第2のp型GaP層84の上面にはp型電極85が形成され、n型GaP基板81の下面にはn型電極86が形成されている。
【0005】
この窒素ドープGaP発光ダイオードの高輝度化の手法としては、窒素ドープ量を増加することにより発光の高効率化を図る方法、pn接合近傍の発光領域の結晶性を向上させる方法、エピタキシャル層構造の内部に電流阻止層を形成することにより電流広がりを良くし発光領域を拡大する方法等がある。
【0006】
電流狭窄構造を有する発光ダイオードとして、例えば特開平5−343736号公報に開示されたものが知られている(従来例2)。この従来例2の発光ダイオードは、図9に示すように、n型GaP基板91上に、MOCVD法により、n型In0.5(Ga1−xAlx)0.5Pからなるクラッド層92、n型In0.5(Ga1−yAly)0.5Pからなる活性層93、p型In0.5(Ga1−zAlz)0.5Pからなるクラッド層94が順次成長形成され、このp型クラッド層94上に、略中央部が開口されたn型GaAsからなる電流阻止層95、p型Ga1−uAluAsからなる電流拡散層96が形成された構造を有し、p型電流拡散層96の上面にはp型電極97が形成され、n型GaP基板91の下面にはn型電極98が形成されている。
【0007】
この従来例2の構造では、上記したようにp型クラッド層94上に電流狭窄のための逆導電型のn型電流阻止層95を形成して、発光層を流れる電流を中央部付近に集中させる方法がとられている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来例1のGaP発光ダイオードにおいて、窒素ドープ量を増加することにより発光の高効率化を図る方法をとる場合には、発光効率の増加と同時に光吸収量の増加が起こるという問題が生じる。こうした問題に対し、キャリア濃度を減少させたり、吸収層となるエピタキシャル層を削除するなどの対策が取られるが、こうした処置をすることにより、結晶中の発光領域での電流広がりが悪くなり電極下部付近での発光が生じ、電極が光を遮蔽して外部への光取出効率を低下させるといった別の問題が生じる。
【0009】
上記した従来例2の電流狭窄構造を有する発光ダイオードによる場合には、p型に対してn型、n型に対してp型というように、下層の導電型と逆の関係となる逆導電型の成長層を電流阻止層として形成する必要がある。このような電流阻止層は、先に電流阻止層となる結晶を成長させた後エッチング処理をして開口部を形成し、再びその上に結晶を成長させる方法を取る。このため、再び結晶成長を行う際の熱的な作用により、電流阻止層のドーパントが拡散して、電流阻止層が電流阻止機能を失う可能性が非常に高くなるといった問題が生じる。
【0010】
また、発光ダイオード形成後においても、通電中におけるドーパントの拡散やマイグレーションにより、電流阻止層が電流阻止機能を失うおそれがある。
【0011】
更には、逆導電型の電流阻止層を液相成長によって形成するためには、pn接合を形成するエピタキシャル成長後、電流阻止層となるエピタキシャル成長を行い、エッチング処理後に電流阻止層を埋め込むためのエピタキシャル成長を行う必要があるため、合計3回のエピタキシャル成長が必要となり、製造工程の工程数が増加して製造時間が長くなるため、発光ダイオードの製造原価が高くなるといった問題が生じる。
【0012】
本発明は、こうした従来技術の課題を解決するものであり、電流狭窄構造又は電流拡散構造を有する半導体発光素子において、電流狭窄又は電流拡散の機能が結晶成長を行う際の熱やマイグレーション等の影響により、機能低下することが少なく、半導体発光素子を高輝度化することができ、かつ、製造工程が簡素で製造時間の短縮、製造原価の低減を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体発光素子は、凹部が形成された第1のGaP層と、該凹部とはめあい形状をなす凸部が形成されて該第1のGaP層上に積層されており、該第1のGaP層とは電気伝導度の異なる同一の導電型からなる窒素ドープの第2のGaP層と、前記第1のGaP層とは異なる導電型であって、該第1のGaP層が積層された第3のGaP層と、該第3のGaP層が積層された基板と、前記第2のGaP層上において、前記第1のGaP層の前記凹部を避けた領域に対応する位置に設けられた第1電極と、前記基板における第3のGaP層とは反対側に設けられた第2電極とを備え、前記第1のGaP層のキャリア濃度が前記第2のGaP層のキャリア濃度より低くなっており、該凸部が該凹部とはめあわされるように重畳されて電流狭窄構造が形成されていることを特徴とする。
また、本発明の半導体発光素子は、凸部が形成された第1のGaP層と、該凸部とはめあい形状をなす凹部が形成されて該第1のGaP層上に積層されており、該第1のGaP層とは電気伝導度の異なる同一の導電型からなる窒素ドープの第2のGaP層と、前記第1のGaP層とは異なる導電型であって、該第1のGaP層が積層された第3のGaP層と、該第3のGaP層が積層された基板と、前記第2のGaP層上において、前記第1のGaP層の凸部領域に対応する位置に設けられた第1電極と、前記基板における前記第3のGaP層とは反対側に設けられた第2電極とを備え、前記第1のGaP層のキャリア濃度が前記第2のGaP層のキャリア濃度より高くなっており、該凹部が該凸部とはめあわされるように重畳されて電流拡散構造が形成されていることを特徴とする。
前記凹部が前記第1のGaP層の中央部に配置されて、該第1のGaP層の中央部付近に発光部が形成されている。
前記凸部が前記第1のGaP層の中央部に配置されて、前記第1のGaP層の両端部付近に発光部が形成されている。
本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上に第1導電型GaP層をエピタキシャル成長させる工程と、該第1導電型GaP層上に第1の第2導電型GaP層をバックグラウンドキャリア濃度の液相エピタキシャル成長により形成する工程と、該第1の第2導電型GaP層上にエッチング処理により凹部を形成する工程と、該凹部が形成された第1の第2導電型GaP層上に電気伝導度の異なる窒素ドープの第2の第2導電型GaP層を、第2導電型ドーパントをドープして該第2の第2導電型GaP層のキャリア濃度が該第1の第2導電型GaP層のキャリア濃度より高くなるように、液相エピタキシャル成長により形成する工程とを包含する。
また、本発明の半導体発光素子の製造方法は、基板上に第1導電型GaP層をエピタキシャル成長させる工程と、該第1導電型GaP層上に第1の第2導電型GaP層をバックグラウンドキャリア濃度の液相エピタキシャル成長により形成する工程と、該第1の第2導電型GaP層上にエッチング処理により凸部を形成する工程と、該凸部が形成された第1の第2導電型GaP層上に電気伝導度の異なる窒素ドープの第2の第2導電型GaP層を、第2導電型ドーパントをドープして該第2の第2導電型GaP層のキャリア濃度が該第1の第2導電型GaP層のキャリア濃度より低くなるように、液相エピタキシャル成長により形成する工程とを包含する。
【0022】
以下に、本発明の作用について説明する。
【0023】
上記構成によれば、凹部が形成された第1の半導体層と、この凹部とはめあい形状をなす凸部が形成された第2の半導体層とが、電気伝導度の異なる同一の導電型からなる。これらの凹部と凸部とが合わさるように第1の半導体層及び第2の半導体層が重畳されることにより、凹部と凸部の接合部とその接合部以外部分の層とで電気伝導度に差が生じ、電流狭窄又は電流拡散の機能が得られる。
【0024】
また、電流狭窄構造及び電流拡散構造を構成する第1の半導体層及び第2の半導体層が同一の導電型であるため、各層をエピタキシャル成長する際の熱に起因するドーパントの拡散やマイグレーション等による影響を受けることが少なくなるので、電流狭窄及び電流拡散の機能低下の発生を抑制することが可能となる。
【0025】
電流狭窄構造を有する場合に、第2の半導体層上部に形成される電極を、第1の半導体層の凹部を避けた領域に対応する位置に設ける構成、例えば図5に示す構成にすると、矢印CFで電流が注入される方向を示しているように、電極5から注入されたホールは第1の半導体層3と第2の半導体層4の電気伝導度の違いから中央部に狭窄され高密度になって注入される。これにより、ドーパントの形成するエネルギーレベルを介して電子との再結合により半導体発光素子の中央部付近が発光する。その結果、図6の発光強度分布図の強度曲線Iaで示すように、電極5に遮られることなく光を効率よく外部に取り出し、半導体発光素子を高輝度化することが可能となる。
【0026】
電流拡散構造を有する場合に、第1の半導体層上部に形成される電極を、第2の半導体層の凸部領域に対応する位置に設ける構成、例えば図7に示す構成にすると、矢印CF’で電流が注入される方向を示しているように、電極5’から注入されたホールは第1の半導体層4’と第2の半導体層3’の電気伝導度の違いから両端部付近に拡散され高密度になって注入される。これにより、ドーパントの形成するエネルギーレベルを介して電子との再結合により半導体発光素子の両端部付近が発光する。
【0027】
電流狭窄構造を有する場合に、第1の半導体層のキャリア濃度を第2の半導体層のキャリア濃度より低くし、又電流拡散構造を有する場合に、第1の半導体層のキャリア濃度を第2の半導体層のキャリア濃度より高くすることにより、第1の半導体層及び第2の半導体層の電気伝導度に所望の差が生じるので、それぞれの構造により電流狭窄又は電流拡散の機能が得られる。
【0028】
上記第1の半導体層及び第2の半導体層をGaPとする場合にあっても、キャリア濃度を低くした状態で電流狭窄又は電流拡散の機能が得られるので、結晶品位を向上させ光の透過性を向上させると共に、電流の集中又は拡がりを良くし光の取出効率を向上させて半導体発光素子を高輝度化することが可能となる。
【0029】
更には、電流狭窄構造及び電流拡散構造が電気伝導度の異なる同一の導電型である第1の半導体層と第2の半導体層の2層で構成されるため、2回のエピタキシャル成長で電流狭窄構造又は電流拡散構造を形成することが可能となるので、製造工程が簡素で製造時間の短縮、製造原価の低減を図ることが可能となる。
【0030】
例えば、上記第1の半導体層を液相エピタキシャル成長によりバックグラウンドのキャリア濃度で形成し、上記第2の半導体層を液相エピタキシャル成長によりドーパントをドープして形成すると、第1の半導体層のキャリア濃度が、第2の半導体層のキャリア濃度より低くなり、同一の導電型である第1の半導体層及び第2の半導体層の電気伝導度に所望の差が生じるので、それぞれの構造により電流狭窄又は電流拡散の機能が得られる。
【0031】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。
【0032】
図1に示すように、本発明の半導体発光素子は、n型GaP基板1上に、n型GaP層2、凹部Vが形成された第1のp型GaP層3、及び凸部Vが形成された第2のp型GaP層4が順次積層された構造を有し、第2のp型GaP層4の上面にはp型電極5が形成され、n型GaP基板1の下面にはn型電極6が形成されている。
【0033】
より詳しくは、第1のp型GaP層3及び第2のp型GaP層4が、電気伝導度の異なる同一の導電型であるp型からなり、しかも第1のp型GaP層3の凹部Vと第2のp型GaP層4の凸部Vとがはめあい形状をなしている。これらの凹部Vと凸部Vとが合わさるように、第1のp型GaP層3及び第2のp型GaP層4が重畳されて電流狭窄構造をなしている。
【0034】
第2のp型GaP層4の上部に形成されるp型電極5は、第1のp型GaP層3の凹部Vを避けた領域に対応する位置に設けられている。また、第1のp型GaP層3の略中央部に凹部Vを配置して発光部を中央部付近としている。
【0035】
ここで、第1のp型GaP層3及び第2のp型GaP層4の電気伝導度を異ならせるのに、第1のp型GaP層3のキャリア濃度を第2のp型GaP層4のキャリア濃度より低くしており、具体的には、第1のp型GaP層3のキャリア濃度を、5×1015〜10×1015cm−3の範囲とし、第2のp型GaP層4のキャリア濃度を、1×1018〜3×1018cm−3の範囲としている。
【0036】
この電流狭窄構造を有する半導体発光素子では、凹部Vが形成された第1のp型GaP層3と、この凹部Vとはめあい形状をなす凸部Vが形成された第2のp型GaP層4とが、電気伝導度の異なる同一の導電型のp型からなる。これらの凹部Vと凸部Vとが合わさるように第1のp型GaP層3及び第2のp型GaP層4が重畳されることにより、凹部Vと凸部Vの接合部とその接合部以外部分の層とで電気伝導度に差が生じ、電流狭窄の機能が得られる。
【0037】
また、電流狭窄構造を構成する第1のp型GaP層3及び第2のp型GaP層4が同一の導電型のp型であるため、各層をエピタキシャル成長する際の熱に起因するドーパントの拡散やマイグレーション等による影響を受けることが少なくなるので、電流狭窄の機能低下の発生を抑制することができる。
【0038】
図5に示すように、第2のp型GaP層4の上部に形成されるp型電極5を、第1のp型GaP層3の凹部Vを避けた領域に対応する位置に設けると、矢印CFで電流が注入される方向を示しているように、p型電極5から注入されたホールは第1のp型GaP層3と第2のp型GaP層4の電気伝導度の違いから中央部に狭窄され高密度になって注入される。これにより、ドーパントの形成するエネルギーレベルを介して電子との再結合により半導体発光素子の中央部付近が発光する。即ち、図6の強度曲線Iaで示すような発光強度分布となり、p型電極5に遮られることなく光を効率よく外部に取り出し、半導体発光素子を高輝度化することができる。
【0039】
次に、本発明の電流狭窄構造を持つ半導体発光素子の製造方法を図2〜図4を用いて以下に具体的に説明する。
【0040】
図3の第1の液相エピタキシャル成長の温度ダイヤグラムに示すように、まず、1000℃に加熱したGaP溶液中にn型GaP基板1を浸し(図2(A)、図3のa工程参照)、時間t2より溶液を0.5℃/minの速度で徐冷を開始しGaP溶液の温度が900℃となる時間t3まで徐冷を続けることにより、n型GaP基板1上にn型GaP層2をエピタキシャル成長させる(図2(B)、図3のb工程参照)。この時、キャリアガスとして水素ガス(H2)を使用し流量4.0L(リットル)/minで供給し、n型ドーパントとしてシリコン(Si)を用いる。このn型GaP層2のキャリア濃度は、5×1016〜20×1016cm-3である。
【0041】
次に、GaP溶液の温度が900℃となる時間t3より水素ガスと共にアンモニアガス(NH3)を導入し、n型ドーパントであるSiをアンモニアガスと反応させることによりエピタキシャル成長層内へのSiの取り込みをなくし、エピタキシャル成長のバックグラウンドキャリア濃度となるように溶液の温度を900℃にて30min保持する(図3のc工程参照)。
【0042】
次に、時間t4よりアンモニアガスの供給を止め、キャリアガスを水素ガスのみとし流量4.0L(リットル)/minで供給し、再びGaP溶液を0.5℃/minの速度で850℃まで徐冷し、バックグラウンドキャリア濃度による第1のp型GaP層3をエピタキシャル成長させる(図2(C)、図3のd工程参照)。この第1のp型GaP層3のキャリア濃度は、5×1015〜10×1015cm−3である。
【0043】
上記の方法により形成されたエピタキシャル層3、3’は、エピタキシャル成長の最終段階でバックグラウンドキャリアの導電型が反転するため、その反転層3’をエッチングにより除去する(図2(C)参照)。
【0044】
反転層3’を除去した第1のp型GaP層3の表面にSiO2膜7を形成し、直径120μmの円形パターンニングを行なった後(図2(D)参照)、第1のP型GaP層3をエッチングすることにより凹部Vを形成し、その後SiO2膜を除去する(図2(E)参照)。
【0045】
次に、図4の第2の液相エピタキシャル成長の温度ダイヤグラムに示すように、まず、上記のGaP基板を900℃に加熱したGaP溶液中に浸し(図2(E)、図4のe工程参照)、時間t7よりGaP溶液を0.5℃/minの速度で徐冷を開始しGaP溶液の温度が850℃となる時間t8まで徐冷を続けることにより、第1のP型GaP層3上に第2のp型GaP層4をエピタキシャル成長させる(図2(F)、図4のf工程参照)。この時、キャリアガスとして水素ガスを使用し流量4L(リットル)/minで供給し、同時にアンモニアガスを供給して窒素ドープを行ない、p型ドーパントとして亜鉛(Zn)を使用する。この第2のp型GaP層4のキャリア濃度は、1×1018〜3×1018cm-3である。以上によりエピタキシャル成長工程を終了する。
次に上記の方法によって作製した第1のp型GaP層3の凹部Vを避けた領域に対応する位置における第2のp型GaP層4上にp型電極5を形成し、n型GaP基板1の下面にn型電極6を形成した後、p型電極5を形成しない部分が中心となるよう0.28mm×0.28mm角にチップ分割を行ない半導体発光素子とする(図2(G)参照)。
【0046】
その結果、この半導体発光素子では、従来方法によって作製されたGaP発光ダイオードと比較して約1.2倍の光度が得られた。
【0047】
上述したように、電流狭窄構造が電気伝導度の異なる同一の導電型の第1のp型GaP層3と第2のp型GaP層4の2層で構成されるため、2回のエピタキシャル成長で電流狭窄構造を形成することができ、製造工程が簡素で製造時間の短縮、製造原価の低減を図ることができる。
【0048】
上記第1のp型GaP層3及び第2のp型GaP層4の電気伝導度を異ならせるのに、例えば第1のp型GaP層3を液相エピタキシャル成長によりバックグラウンドのキャリア濃度で形成し、上記第2のp型GaP層4を液相エピタキシャル成長によりドーパントをドープして形成すると、第1のp型GaP層3のキャリア濃度が、第2のp型GaP層4のキャリア濃度より低くなり、同一の導電型である第1のp型GaP層3及び第2のp型GaP層4の電気伝導度に所望の差が生じるので、この構造により電流狭窄の機能が得られる。
【0049】
ここまでは、電流狭窄構造を有する半導体発光素子について説明してきたが、次に電流拡散構造を持つ半導体発光素子について以下に説明する。
【0050】
図7に示すように、この半導体発光素子は、n型GaP基板1上に、n型GaP層2、凸部V’が形成された第1のp型GaP層3’、及び凹部V’が形成された第2のp型GaP層4’が順次積層された構造を有し、第2のp型GaP層4’の上面にはp型電極5’が形成され、n型GaP基板1の下面にはn型電極6が形成されている。
【0051】
より詳しくは、第1のp型GaP層3’及び第2のp型GaP層4’が、電気伝導度の異なる同一の導電型であるp型からなり、しかも、第1のp型GaP層3’の凸部V’と第2のp型GaP層4’の凹部V’とがはめあい形状をなしている。これらの凸部V’と凹部V’とが合わさるように、第1のp型GaP層3’及び第2のp型GaP層4’が重畳されて電流拡散構造をなしている。
【0052】
第2のp型GaP層4’の上部に形成されるp型電極5’は、第1のp型GaP層3’の凸部V’領域に対応する位置に設けられている。また、第1のp型GaP層3’の略中央部に凸部V’を配置して発光部を両端部付近としている。
【0053】
ここで、第1のp型GaP層3’及び第2のp型GaP層4’の電気伝導度を異ならせるのに、第1のp型GaP層3’のキャリア濃度を第2のp型GaP層4’のキャリア濃度より低くしており、具体的には、第1のp型GaP層3’のキャリア濃度を、5×1015〜10×1015cm−3の範囲とし、第2のp型GaP層4’のキャリア濃度を、1×1018〜3×1018cm−3の範囲としている。
【0054】
この電流拡散構造をとる場合には、例えば図7に矢印CF’で電流が注入される方向を示しているように、p型電極5’から注入されたホールは第1のp型GaP層3’と第2のp型GaP層4’の電気伝導度の違いから両端部付近に拡散して高密度になって注入される。
【0055】
この図7に示す電流拡散構造を持つ半導体発光素子は、図1に示す電流狭窄構造を持つ半導体発光素子に対し、凸部V’が形成された第1のp型GaP層3’、凹部V’が形成された第2のp型GaP層4’、及びp型電極5’の形状が異なる関係にある。
【0056】
従って、この電流拡散構造を持つ半導体発光素子は、図2〜図4を用いて先に説明した電流狭窄構造を持つ半導体発光素子と同様の方法により製造することができる。
【0057】
尚、上記の各実施形態において説明した半導体発光素子を構成する各半導体層及び電極の導電型をp型とn型とで逆の関係としてもよい。
【0058】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体発光素子によれば、凹部が形成された第1の半導体層と、この凹部とはめあい形状をなす凸部が形成された第2の半導体層とが、電気伝導度の異なる同一の導電型からなり、これらの凹部と凸部とが合わさるように第1の半導体層及び第2の半導体層を重畳することにより、凹部と凸部の接合部とその接合部以外部分の層とで電気伝導度に差が生じ、電流狭窄又は電流拡散の機能が得られるので、半導体発光素子を高輝度化することができる。このため、特にGaP発光ダイオードにあっても、窒素のドープ量を増加させることなくキャリア濃度を低くした状態で電流狭窄又は電流拡散の機能が得られるので、結晶品位を向上させ光の透過性を向上させると共に、電流の集中又は拡がりを良くし光の取出効率を向上させることができ、これにより発光量を増加させ、更に発光領域と電極の位置をずらすことにより効率よく外部に光を取り出すことができる。
【0059】
また、電流狭窄構造及び電流拡散構造が電気伝導度の異なる同一の導電型である第1の半導体層と第2の半導体層の2層で構成されるため、2回のエピタキシャル成長で電流狭窄構造又は電流拡散構造を形成することができるので、製造工程が簡素で製造時間の短縮、製造原価の低減を図ることができる。
【0060】
特に、上記第1の半導体層を液相エピタキシャル成長によりバックグラウンドのキャリア濃度で形成し、上記第2の半導体層を液相エピタキシャル成長によりドーパントをドープして形成すると、第1の半導体層のキャリア濃度が、第2の半導体層のキャリア濃度より低くなり、同一の導電型である第1の半導体層及び第2の半導体層の電気伝導度に所望の差が生じるので、それぞれの構造により電流狭窄又は電流拡散の機能を得ることができる。
【0061】
更には、電流狭窄構造及び電流拡散構造を構成する第1の半導体層及び第2の半導体層が同一の導電型であるため、各層をエピタキシャル成長する際の熱に起因するドーパントの拡散やマイグレーション等による影響を受けることが少なくなるので、電流狭窄及び電流拡散の機能低下の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電流狭窄構造を持つ半導体発光素子の断面構造を示す図である。
【図2】本発明の電流狭窄構造を持つ半導体発光素子の製造工程を示す図である。
【図3】
本発明の電流狭窄構造を持つ半導体発光素子の製造工程における第1の液相エピタキシャル成長の温度ダイヤグラムである。
【図4】
本発明の電流狭窄構造を持つ半導体発光素子の製造工程における第2の液相エピタキシャル成長の温度ダイヤグラムである。
【図5】本発明の電流狭窄構造を持つ半導体発光素子における電流狭窄の様子を表す図である。
【図6】本発明の電流狭窄構造を持つ半導体発光素子におけるpn接合付近の発光強度分布を表すグラフである。
【図7】本発明の電流拡散構造を持つ半導体発光素子の断面構造、及び電流拡散の様子を表す図である。
【図8】従来例1のGaP発光ダイオードの断面構造を示す図である。
【図9】従来例2の電流狭窄構造を持つ発光ダイオードの断面構造を示す図である。
【符号の説明】
1 n型GaP基板
2 n型GaP層
3 第1のp型GaP層
4 第2のp型GaP層
5 p型電極
6 n型電極
Claims (6)
- 凹部が形成された第1のGaP層と、
該凹部とはめあい形状をなす凸部が形成されて該第1のGaP層上に積層されており、該第1のGaP層とは電気伝導度の異なる同一の導電型からなる窒素ドープの第2のGaP層と、
前記第1のGaP層とは異なる導電型であって、該第1のGaP層が積層された第3のGaP層と、
該第3のGaP層が積層された基板と、
前記第2のGaP層上において、前記第1のGaP層の前記凹部を避けた領域に対応する位置に設けられた第1電極と、
前記基板における第3のGaP層とは反対側に設けられた第2電極とを備え、
前記第1のGaP層のキャリア濃度が前記第2のGaP層のキャリア濃度より低くなっており、該凸部が該凹部とはめあわされるように重畳されて電流狭窄構造が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 凸部が形成された第1のGaP層と、
該凸部とはめあい形状をなす凹部が形成されて該第1のGaP層上に積層されており、該第1のGaP層とは電気伝導度の異なる同一の導電型からなる窒素ドープの第2のGaP層と、
前記第1のGaP層とは異なる導電型であって、該第1のGaP層が積層された第3のGaP層と、
該第3のGaP層が積層された基板と、
前記第2のGaP層上において、前記第1のGaP層の凸部領域に対応する位置に設けられた第1電極と、
前記基板における前記第3のGaP層とは反対側に設けられた第2電極とを備え、
前記第1のGaP層のキャリア濃度が前記第2のGaP層のキャリア濃度より高くなっており、該凹部が該凸部とはめあわされるように重畳されて電流拡散構造が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記凹部が前記第1のGaP層の中央部に配置されて、該第1のGaP層の中央部付近に発光部が形成されている請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記凸部が前記第1のGaP層の中央部に配置されて、前記第1のGaP層の両端部付近に発光部が形成されている請求項2に記載の半導体発光素子。
- 基板上に第1導電型GaP層をエピタキシャル成長させる工程と、
該第1導電型GaP層上に第1の第2導電型GaP層をバックグラウンドキャリア濃度の液相エピタキシャル成長により形成する工程と、
該第1の第2導電型GaP層上にエッチング処理により凹部を形成する工程と、
該凹部が形成された第1の第2導電型GaP層上に電気伝導度の異なる窒素ドープの第2の第2導電型GaP層を、第2導電型ドーパントをドープして該第2の第2導電型GaP層のキャリア濃度が該第1の第2導電型GaP層のキャリア濃度より高くなるように、液相エピタキシャル成長により形成する工程と
を包含する半導体発光素子の製造方法。 - 基板上に第1導電型GaP層をエピタキシャル成長させる工程と、
該第1導電型GaP層上に第1の第2導電型GaP層をバックグラウンドキャリア濃度の液相エピタキシャル成長により形成する工程と、
該第1の第2導電型GaP層上にエッチング処理により凸部を形成する工程と、
該凸部が形成された第1の第2導電型GaP層上に電気伝導度の異なる窒素ドープの第2の第2導電型GaP層を、第2導電型ドーパントをドープして該第2の第2導電型GaP層のキャリア濃度が該第1の第2導電型GaP層のキャリア濃度より低くなるように、液相エピタキシャル成長により形成する工程と
を包含する半導体発光素子の製造方法。
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