JP3543530B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体圧力センサに係り、詳しくは、シリコン基板の一部領域に薄肉のダイヤフラムを有する半導体圧力センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコン基板の一部領域にダイヤフラムを有する半導体圧力センサが特開平4−119672号公報に開示されている。これは、ダイヤフラム(センシング部)の形状を四角形状から八角形状にすることでオフセット電圧(基準圧力下での出力値)の温度特性(一次成分)の改善を図るものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このオフセット電圧の温度特性(一次成分)は温度補償回路により容易に補償可能なものであり、センサ特性上、最も問題となるのは温度特性の非直線性(二次成分)である。又、センサの実使用範囲は−30℃程度から100℃或いは120℃程度に及び、温度特性の非直線性については室温より高温側のみならず低温側も考慮する必要がある。近年、低温域から高温域まで高精度(例えば1%FS;1%フルスケール出力)の半導体圧力センサが必要となってきているが、低温域に対し温度特性の非直線性(二次成分)に起因する精度劣化が発生し精度向上に対し改善の余地がある。
【0004】
これらのことを図14(オフセット電圧の温度依存性)を例として説明すると、図14の縦軸は室温25℃を基準(オフセット電圧;0mV)とした時の各温度でのオフセット電圧である。この図よりオフセット電圧には温度依存性があり、それは直線(一次成分のみ)ではなく、曲がり(二次成分)を有していることが分かる。この曲がり分(二次成分)を次のように定義する。室温のオフセットと高温側の最高温度(図14では100℃)および低温側の最低温度(図14では−30℃程度)のオフセットの3点で考える。つまり、25℃でのオフセット値P25と、100℃でのオフセット値P100 と、−30℃でのオフセット値P-30 との関係において、P25とP100 を結ぶ直線(図14では破線にて示す)より外挿される−30℃における値P-30 ’と、前述のオフセット値P-30 との差ΔPが温度特性に関する二次成分とする。この曲がり分が、精度上大きな劣化の原因となるので、この二次成分をより少なくすることが望まれている。
【0005】
尚、図14においては25℃でのセンサ出力値(P25)から測定を始め、−30℃→100℃→25℃の経路で測定を行ったものであり、この経路において測定値にヒステリシスが存在しているので、測定線は2本存在している。
【0006】
そこで、この発明の目的は、−30℃程度の低温域から120℃程度の高温域にわたってオフセット電圧の温度特性の非直線性(二次成分)である曲がり分を抑止することを可能としたダイヤフラムを有する半導体圧力センサを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明によれば、凹部の底部と、基板表面に対し約35°の(111)面の側壁との交点により形成されるダイヤフラムの2つの辺の間隔を、L1とし、
凹部の底部と、基板表面に対し45°の(100)面の側壁との交点により形成されるダイヤフラムの辺の長さを、L2としたとき、
0.65<L2/L1<1
を満足させることにより、温度が変わったときの出力が直線的に変わり、曲がり(二次成分)を「0」に近づけることができる。
【0008】
請求項2に記載の発明によれば、0.7≦L2/L1≦0.9を満足させることにより、温度特性の直線性をより確実に確保することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に従って説明する。
図1には半導体圧力センサの全体構成を示す。図1において、左上にはセンサチップの平面図を示し、その右側にA−A断面を、下側にB−B断面を、さらにその下側にC−C断面を示す。
【0010】
図1において、センサチップとして表面が(110)面のシリコン基板1が用いられており、シリコン基板1の中央部には凹部1aが形成されている。この凹部1aの底部により薄肉のダイヤフラム2が形成されている。ダイヤフラム2は八角形をなし、8つの辺3〜10を有する。つまり、例えば図1の場合、<100>軸に平行な辺3,7と、<110>軸に平行な辺5,9と、<111>軸に平行な辺6,10と、<111>軸に直交する辺4,8とを有する。又、図2に示すように、この凹部1aは、8つの側壁S1〜S8を有する。即ち、基板表面に対し垂直なる(111)面よりなる4つの側壁S2,S4,S6,S8と、基板表面に対し約35°の(111)面よりなる2つの側壁S1,S5と、基板表面に対し45°の(100)面よりなる2つの側壁S3,S7とを有する。
【0011】
ここで、図2に示すように、凹部1aの底部と、基板表面に対し約35°の(111)面の側壁S1,S5との交点により形成されるダイヤフラムの2つの辺3,7の間隔を、「L1」とする。又、凹部2の底部と、基板表面に対し45°の(100)面の側壁S3,S7との交点により形成されるダイヤフラムの辺5,9の長さを、「L2」とする。
【0012】
この場合において、0.65<L2/L1<1を満足している。ただし、L1とL2の単位は等しい。
図1に示すように、ダイヤフラム2の中央部には不純物拡散層よりなる歪みゲージ(ピエゾ抵抗素子)11a,11cが<110>軸方向に所定の間隔を隔てて形成されている。又、ダイヤフラム2の外周部には不純物拡散層よりなる歪みゲージ(ピエゾ抵抗素子)11b,11dが<100>軸方向に所定の間隔を隔てて形成されている。図1の平面図において左右に配置した歪みゲージ11b,11dをサイドゲージと呼び、歪みゲージ(サイドケージ)11b,11dの中心位置はダイヤフラム2の中心と一致している。この4つの歪みゲージ11a〜11dは電気的にはフルブリッジ接続されている。
【0013】
シリコン基板1はガラス台座14の上に接合されている。ガラス台座14の中央部には圧力導入孔15が形成され、この圧力導入孔15を通してダイヤフラム2に圧力が印加される。そして、歪みゲージ11a〜11dによるフルブリッジ回路の出力は温度補償回路にて温度補償される。つまり、フルブリッジ回路の出力の温度特性の一次成分が補償される。
【0014】
本構成においては、センサチップの形状は次のようである。シリコン基板1(チップ)の厚さが300μmで、ダイヤフラム2の縦横の寸法は1.3×1.4(L1=1.3)mmであり、シリコン基板1の縦横の寸法(チップサイズ)は(2.7〜3.3)×(2.7〜3.3)mmであり、歪みゲージ11a〜11dの縦横の大きさは160×320μm〜224×406μmである。ダイヤフラム2の厚みは11〜15μmである。又、図1の平面図において左右に配置した歪みゲージ(サイドケージ)11b,11dは、両サイドゲージの中心位置(ダイヤフラム2の中心)から両サイドにそれぞれ579±25μm(図1でdで示す距離)だけ離間している。
【0015】
次に、このようなダイヤフラム2を有するシリコン基板1の製造工程を説明する。
まず、図3に示すように、平板状のシリコン基板1を用意し、イオン注入等によりシリコン基板1の表層部における所定の位置に歪みゲージ(不純物拡散層)11a〜11dを形成する。そして、シリコン基板1における不純物を拡散した面とは反対の面(図では下面)にシリコン窒化膜16を形成する。さらに、図4に示すように、シリコン窒化膜16の表面にパターンマスク17を配置する。このパターンマスク17は図5に示すように、所望の形状の開口部18が形成されている。そして、図6に示すように、このマスク17を用いてシリコン窒化膜16をエッチングしてシリコン窒化膜16に所望の形状の開口部19を形成する。
【0016】
さらに、図7に示すように、シリコン窒化膜16をマスクとしてKOH等の異方性エッチング液を用いてシリコン基板1をエッチングして凹部1aを形成する。これにより、薄肉のダイヤフラム2が形成される。このとき、図5におけるd1,d2,d3,d4の寸法を所定値とすることでダイヤフラム2の八角形状におけるL2/L1を0.65〜1.0に制御することが可能となる。尚、シリコン窒化膜16の代わりにシリコン酸化膜を用いてもよい。
【0017】
図8にはオフセット電圧(センサ出力)の温度特性の非直線性に関する試作評価結果を示す。図8において黒抜きの丸が試作評価結果である。
図8において横軸にはL2/L1をとり、縦軸には出力値をとっている。尚、図8の縦軸は、オフセット電圧の代わりに圧力相当値で表示した。又、温度範囲は低温側(−30〜25℃)と高温側(25〜100℃)であり、オフセット電圧における温度特性の非直線性値を示す指標として(図の縦軸)として次のものを用いた。
【0018】
つまり、まず、図9に示すように25℃の出力値V25と、100℃の出力値V100 とを求め、さらに、−30℃の出力値V-30 を求める。そして、このV25とV100 を外挿した直線上における−30℃での出力V-30 ’と実測値V-30 との差ΔV-30 を求める。このΔV-30 (より詳しくは圧力に変換した値)を図8の縦軸にとっている。
【0019】
評価に用いたサンプルは図10に示すように実装したものを用いた。センサチップの形状は前述のものである。又、台座14はガラスを用いており、その厚さは2.5mmである。又、台座14は半田24を用いて金属プレート25に接着されており、これを樹脂ケース(PBT)26に形成された凹部27内に配置し、接着剤28,29を用いて接着している。尚、接着剤28,29としてはフロロシリコン系接着剤が用いられる。又、金属プレート25は42アロイ製で、縦横の寸法は4×4mmで、厚さは0.8mmである。
【0020】
又、シリコン基板(シリコンチップ)1の表面の金属配線パッドと樹脂ケース26上にリードフレーム30とが金属細線31にてワイヤボンディングされている。さらに、汚染保護のため、ゲル32がチップ表面およびリードフレーム30のワイヤボンディング部に塗布されている。
【0021】
図8より、L2/L1=0.65〜1.0の範囲内で、圧力センサとしての要求仕様である1%FSを満足する。1%FSを図8では許容範囲ΔVPER として示す。
【0022】
図8(出力値ΔV-30 のL2/L1依存性を示す図)において、L2/L1=0.46と小さな値をとると出力値ΔV-30 が大きくなってしまうが、L2/L1が「0.46」よりも大きくなると出力値ΔV-30 が小さくなっていき、L2/L1が「0.7」以上の領域において出力値ΔV-30 が、ΔV-30 =0に接近することが分かる。このようになる理由は次のようであると推測される。
【0023】
図1に示すように八角形ダイヤフラム2の形状としてL2/L1が大きい場合と、図11に示すように八角形ダイヤフラム2の形状としてL2/L1が小さい場合とを比較すると、L1の値が一定の場合、図1の八角形ダイヤフラム2の辺4,6,8,10に比べ図11の八角形ダイヤフラム2の辺4,6,8,10の方が歪みゲージ11a〜11dに接近することになる。従って、L2/L1が小さい場合には、八角形ダイヤフラム2の辺4,6,8,10が歪みゲージ11a〜11dに近いために辺4,6,8,10の付近で発生する熱応力が歪みゲージ11a〜11dに影響を及ぼし、フルブリッジ構成用抵抗である歪みゲージ11a〜11dに加わる熱応力のバランスを悪化させている。このようにして、八角形ダイヤフラム2の辺4,6,8,10で発生する熱応力による歪みゲージ11a〜11dに加わる応力が雰囲気温度(低温、室温、高温)により異なるため、出力値ΔV-30 、即ち、オフセットの温度特性の非直線性が劣化する。換言すれば、L2/L1を大きくすれば八角形ダイヤフラム2の辺4,6,8,10による熱応力の影響を少なくすることができ歪みゲージ11a〜11dに加わる熱応力をバランス良く保つことができることになる。
【0024】
尚、図8において、L2/L1>0.7の領域において出力値ΔV-30 が「0」に最も近くなるが「0」とならないのは、シリコン基板1の表面を覆う保護膜(図示略)やガラス台座14等の構造物の影響を受けるためと推測される。つまり、シリコン基板1と異種材料である他の構造物との接合あるいは接着部において両者の熱膨張率の差による熱応力が発生し、この応力が歪みゲージ11a〜11dに伝わる。この際、歪みゲージ11a〜11dの受ける熱応力のバランスを悪化させる。そのために、L2/L1を最適化しても出力値ΔV-30 が「0」にならないものと推測される。
【0025】
図8においてL2/L1=1、即ち、四角形ダイヤフラムの場合には出力値ΔV-30 のプロット点のバラツキが大きくなっている。このバラツキを図8においてMにて示す。L2/L1=1のとき出力値ΔV-30 のバラツキが大きくなる理由は次のようであると推測される。
【0026】
図12には、L2/L1=1、即ち、四角形ダイヤフラム2としたときのシリコン基板1を示し、(a)は基板1を裏面から見た図であり、(b)はF−F線での断面図である。尚、ハッチングを付した領域50は、基板1の厚肉部からダイヤフラム2の薄肉部に向かう斜面部(テーパ面)であることを示す。図12(a)において、四角形ダイヤフラム2での辺3と辺5との交点(四角形の第1の角)には辺(垂直面)40が位置し、四角形ダイヤフラム2での辺5と辺7との交点(四角形の第2の角)には辺(垂直面)41が位置し、四角形ダイヤフラム2での辺7と辺9との交点(四角形の第3の角)には辺(垂直面)42が位置し、さらに、四角形ダイヤフラム2での辺9と辺3との交点(四角形の第4の角)には辺(垂直面)43が位置すべきところを製造誤差により辺(垂直面)43’が位置してしまっている。すると、図12(b)に示すように、四角形ダイヤフラム2での第4の角部以外の角部においては、基板1の表面に垂直なるダイヤフラム端部となるのに対し、四角形ダイヤフラム2での第4の角部ではテーパ面50となり、この角部から外れた箇所に垂直面43’が位置する形状となってしまう。つまり、L2/L1=1の場合には、四角形ダイヤフラム2の角部において薄肉部に垂直な面ができる時と、テーパ面50による面ができる時とが存在し、熱応力の影響度合いが異なる。
【0027】
即ち、実際の加工では製造バラツキがあるために、図12の辺(垂直面)40,41,42,43の位置がチップウェハ或いはロットによりズレたり、辺40,41,42,43の相対位置関係がズレたりする。図13には、辺(垂直面)41は角(図中、符号60にて示す箇所)に一致しているが、他の辺40,42,43が角からズレてしまった場合を示す。
【0028】
このような製造誤差の存在により、前述したように出力値ΔV-30 は歪みゲージ11a〜11dに加わる熱応力のバランスにより成り立っており、図12や図13に示すような状態ではバランスを同じように保つことができなくなり、図8のMにて示すバラツキが大きくなるものと考えられる。
【0029】
これらの点を考慮して、図8から、L2/L1の範囲として、0.65<L2/L1<1が好ましい範囲となる。又、図8において、L2/L1の値が0.7〜0.9の範囲においてプロット点が許容範囲ΔVPER 内にある。よって、0.7≦L2/L1≦0.9がより好ましい範囲である。さらに、0.7≦L2/L1≦0.8が更に好ましい範囲である。
【0030】
このように本実施の形態は、下記の特徴を有する。
(イ)図2に示すように、凹部1aの底部と、基板表面に対し約35°の(111)面の側壁S1,S5との交点により形成されるダイヤフラムの2つの辺3,7の間隔を、L1とし、
凹部1aの底部と、基板表面に対し45°の(100)面の側壁S3,S7との交点により形成されるダイヤフラムの辺5,9の長さを、L2としたとき、
0.65<L2/L1<1
を満足させることにより、温度が変わったときの出力が直線的に変わり、曲がり(二次成分)を「0」に近づけることができる。
【0031】
このようにして、オフセット電圧の温度特性の非直線性(二次成分)の改善を−30℃程度の低温域から100℃或いは120℃程度の高温域にわたり行い、ダイヤフラムの最適化を行うことができることとなる。
(ロ)図8から分かるように、0.8≦L2/L1≦0.9を満足させることにより、更に温度特性の直線性をより確実に確保することができる。
【0032】
これまで説明してきた実施形態の他にも、以下のように実施してもよい。
上述した例においては、ダイヤフラム2に4つの歪みゲージ11a〜11dを配置し、フルブリッジ接続したが、他にも、ダイヤフラム2に2つの歪みゲージを配置し、ハーフブリッジ接続してもよい。
【0033】
さらに、ダイヤフラム2における比L2/L1が0.65〜1.0の範囲であればよく、ダイヤフラム2の大きさや厚さ、シリコン基板1の厚さ、チップサイズは任意の大きさに設定できる。
【0034】
又、圧力検知のための歪みゲージ11a〜11dも同様に大きさ、形状、濃度等は任意の値であり、電気的に接続されていればよい。
台座14はガラス以外にもシリコン、或いは、ガラス・シリコン複層構造物等でも可能である。
【0035】
台座14の厚みは2.5mmに対し変更してもよい。
保護膜、メタル配線の有無および種類は問わない。
接着材としては、フロロシリコン系以外に、エポキシ系、シリコン系、フッ素ゴム系の接着材が考えられる。
【0036】
台座14と金属プレート25とは接着剤により接着してもよい。
ゲル32の有無は問わない。
金属プレート25はなくてもよい。この場合、センサチップ/台座と樹脂ケースは接着剤を用いて接着する。
【0037】
ケース26の材質は樹脂(PBTやPPS等)だけでなく、金属、セラミック等でもよい。この場合、接着は半田や接着剤を用いて行う。
上記に示す構造物の形状や材質によりL2/L1の最適値は若干変わることがある。
【0038】
尚、温度範囲によりL2/L1の最適値は若干変わることがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】発明の実施の形態における半導体圧力センサの全体構成図。
【図2】半導体圧力センサのセンサチップを裏面から見た図。
【図3】製造工程を説明するための断面図。
【図4】製造工程を説明するための断面図。
【図5】製造工程を説明するためのマスクの平面図。
【図6】製造工程を説明するための断面図。
【図7】製造工程を説明するための断面図。
【図8】測定結果を示す図。
【図9】測定方法を説明するための図。
【図10】サンプルを示す断面図
【図11】出力特性を説明するための基板の構成図。
【図12】出力特性を説明するための基板の構成図。
【図13】出力特性を説明するための基板の構成図。
【図14】温度特性の非直線性を説明するための説明図。
【符号の説明】
1…シリコン基板、1a…凹部、2…ダイヤフラム、3〜10…辺、S1〜S8…側壁
Claims (2)
- 表面が(110)面のシリコン基板に凹部が形成され、その凹部の側壁として、当該基板表面に対し垂直なる4つの(111)面と、基板表面に対し約35°の2つの(111)面と、基板表面に対し45°の2つの(100)面とを有し、当該凹部の底部により八角形のダイヤフラムが形成された半導体圧力センサであって、
凹部の底部と、基板表面に対し約35°の(111)面の側壁との交点により形成されるダイヤフラムの2つの辺の間隔を、L1とし、
凹部の底部と、基板表面に対し45°の(100)面の側壁との交点により形成されるダイヤフラムの辺の長さを、L2としたとき、
0.65<L2/L1<1
を満足するようにしたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 0.7≦L2/L1≦0.9を満足させてなる請求項1に記載の半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02156297A JP3543530B2 (ja) | 1996-02-08 | 1997-02-04 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8-22839 | 1996-02-08 | ||
JP2283996 | 1996-02-08 | ||
JP8-344024 | 1996-12-24 | ||
JP34402496 | 1996-12-24 | ||
JP02156297A JP3543530B2 (ja) | 1996-02-08 | 1997-02-04 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10242479A JPH10242479A (ja) | 1998-09-11 |
JP3543530B2 true JP3543530B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=27283473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP02156297A Expired - Fee Related JP3543530B2 (ja) | 1996-02-08 | 1997-02-04 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3543530B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002131161A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-09 | Denso Corp | 半導体圧力センサ |
GB201307773D0 (en) * | 2013-04-30 | 2013-06-12 | Atlantic Inertial Systems Ltd | MEMS sensors |
JP2015184046A (ja) | 2014-03-20 | 2015-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、圧力センサー、高度計、電子機器および移動体 |
-
1997
- 1997-02-04 JP JP02156297A patent/JP3543530B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10242479A (ja) | 1998-09-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040329 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
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