JP3537083B2 - ワイヤボンディング装置 - Google Patents

ワイヤボンディング装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボンディングツー
ルとしてのキャピラリの先端から送り出されたワイヤを
用いて第１ボンディング点となる半導体チップ上の電極
と、第２ボンディング点となるリードとを接続するワイ
ヤボンディング装置に関し、特にワイヤボンディング時
の不着検出が可能な不着検出回路を備えたワイヤボンデ
ィング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、金線、アルミニウムなどからなる
ワイヤを用いて第１ボンディング点となる半導体チップ
（ダイオード、ＬＥＤ（発光ダイオード）、トランジス
タなどの個別半導体）上の電極と、第２ボンディング点
となるリードとを接続するワイヤボンディング装置は、
二次元方向に移動可能なＸＹテーブル上に搭載されたボ
ンディングヘッドのリニアモータ若しくはモータ軸に連
結したカムなどにより上下に揺動運動を行うボンディン
グアームの超音波ホーン（図示せず）の先端に取り付け
られたキャピラリから送り出されたワイヤの先端と放電
電極との間に高電圧を印加することにより放電を起こさ
せ、その放電エネルギーによりワイヤの先端を溶融して
キャピラリ内に挿通させたワイヤの先端にボールを形成
する。
【０００３】そしてキャピラリの先端に保持されたボー
ルを第１ボンディング点である半導体チップの電極にボ
ンディングアームの揺動により機械的な加圧力により押
しつけつつ、超音波及び加熱手段を併用して熱圧着を行
い第１ボンディング点に対してワイヤを接続する。
【０００４】ところで、図６（ａ）及び（ｂ）に示すよ
うに、半導体チップ１３は導電性の接着剤１９でリード
フレーム１１上に接着されているが、図６（ａ）で示す
ように、半導体チップ１３が接着された位置は接着され
るべき所定の位置（図６（ａ）の１８で示す点線のチッ
プ位置）に対して接着剤１９の厚み分のずれなどの影響
によりずれた位置に接着される場合がある。このような
半導体チップ１３の位置ずれ量を検出するためワイヤボ
ンディング前に半導体チップ１３をＣＣＤカメラ等で撮
像し、その撮像信号を画像処理して所定の位置（図６
（ａ）の１８で示す位置）からの位置ずれ量を算出して
リードフレーム１１上の半導体チップ１３の電極１２の
位置を検出する。
【０００５】上記のようなボンディング位置のずれ量な
どを求めた後にワイヤボンディングを行う。
【０００６】図７（ａ）乃至（ｄ）は、上記ワイヤボン
ディング装置によるワイヤボンディングを行う工程の説
明図である。
【０００７】図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、キャ
ピラリ２の先端に送り出されたワイヤ１の先端と放電電
極４との間で放電を一定の時間起こさせてワイヤ１の先
端を溶融してボール２０を形成し、キャピラリ２の先端
で保持してキャピラリ２を第１ボンディング点１５なる
半導体チップ１３の電極１２の直上に位置させる。
【０００８】次に図７（ｃ）に示すように、キャピラリ
２を下降させてボール２０を電極１２に押しつけて加圧
を加えると同時にキャピラリ２の先端に対して前記ボン
ディングアームの超音波ホーンを介して超音波振動を印
加して電極にワイヤ１を接続する。
【０００９】続いて図７（ｄ）に示すように、キャピラ
リ２を所定のループコントロールに従って上昇させ、第
２ボンディング点１６となるリード１４方向に移動させ
る。
【００１０】次にキャピラリ２を下降させワイヤ１をリ
ード１４に押しつけて加圧し同時にキャピラリ２の先端
に対して超音波ホーンを介して超音波振動を印加してリ
ード１４に対しワイヤ１を接続する。この後キャピラリ
２を上昇させてあらかじめ設定されたキャピラリ２の上
昇位置でワイヤカットクランプ３を閉じ、リード１４上
のワイヤをカットして一回のボンディング作業が完了す
る。
【００１１】従来のワイヤボンディング装置は、半導体
チップ１３の電極１２にボール２０を押しつぶしてボン
ディングが行われた状態で、ボンディングが確実に成さ
れたか否か、すなわちワイヤが不着状態であるか否かを
不着検出回路によつて判断している。
【００１２】図５は、従来のワイヤボンディング装置に
おける不着検出回路の一例を示したものである。
【００１３】図５において、ボンディングツールとして
のキャピラリ２にはワイヤ１が挿通され、ワイヤ１の先
端は半導体チップ１３にボンディング接続されている。
またワイヤ１の他端側はワイヤカットクランプ３を介し
てワイヤスプール２１に巻かれている。
【００１４】ワイヤが巻かれたワイヤスプール２１のワ
イヤの端（以下スプールワイヤ端と言う）には、直流電
源回路５０の一方の電極端より直流電流が加えられるよ
うに成され、またリードフレーム１１が載置されたボン
ディングステージ１７は、検出抵抗器５１を介して直流
電源回路５０の他端が接続されている。そして前記検出
抵抗器５１の両端は、増幅器５２の入力端に接続されて
おり、この増幅器５２の出力端はレベル弁別器５３に接
続されている。
【００１５】以上の構成において、半導体チップ１３に
対してワイヤ１が正常にボンディングされた場合には、
直流電源回路５０よりスプールワイヤ端２２、ワイヤ
１、半導体チップ１３、ボンディングステージ１７、検
出抵抗器５１から成る直流閉ループが形成される。この
結果、検出抵抗器５１の両端には電圧が発生し、この電
圧は増幅器５２により増幅され、この増幅出力を受ける
レベル弁別器５３によってボンディングが成されたこと
を検知することができる。
【００１６】また半導体チップ１３に対してワイヤ１が
正常にボンディングされなかった場合、すなわち不着状
態の場合には、前記した直流閉ループは形成されず、従
ってレベル弁別器５３は不着状態であると判定する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように構成され
たワイヤボンディング装置においては、ワイヤボンディ
ング前に半導体チップを光学レンズを具備したＣＣＤカ
メラ等で撮像し、その撮像信号を位置検出装置（図示せ
ず）で画像処理し、実際の半導体チップの電極位置を検
出する。
【００１８】図４に示すように、半導体チップ１３が接
着剤１９の厚みによりリードフレーム１１上で高さ方向
に傾いて接着されたときには、同軸照明灯５６による半
導体チップ１３の電極１２からの反射光５７がＣＣＤカ
メラ５４に入らないため電極パターンの撮像信号が得ら
れず、電極の位置を検出することができない場合があ
る。
【００１９】このとき半導体チップ１３よりはみ出した
接着剤１９の一部からの反射光によるＣＣＤカメラ５４
の撮像信号が、図３の５５で示すように、電極パターン
に似てい場合には、似ているパターンの位置を電極位置
と判断し、誤検出のおそれがある。特に、ＬＥＤなどの
半導体チップ１３の電極パターンは、図６（ａ）に示す
ような円、正方形などの単純なパターンのものが多く用
いられており、このような誤検出が多く発生するおそれ
がある。従って、半導体チップ１３の電極位置を誤検出
したときボールは正規のボンディング点（図３に示す半
導体チップ１３上の電極１２）ではなくリードフレーム
１１上の点５５（接着剤１９の一部）にボンディングし
てしまう。
【００２０】前記点５５へのボンディングループの検出
を行うと、図５に示す、従来の不着検出回路では、直流
電源回路５０よりスプールワイヤ端２２、ワイヤ１、半
導体チップ１３、ボンディングステージ１７、検出抵抗
器５１から成る直流閉ループが形成されるため、検出抵
抗器５１の両端には電圧が発生してレベル弁別器５３に
より半導体チップ１３上の電極１２に正常にボンディン
グされたと判断する。
【００２１】上記のように、従来のワイヤボンディング
装置は、リードフレーム１１上にボンディングされると
不着を正常に判断できないという問題を有していた。
【００２２】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
て成されたものであり、ダイオード特性を有する半導体
チップのワイヤボンディングで、正規のボンディング点
（半導体チップの電極）以外をボンディングしたときで
も、確実にボンディングの異常を検出することが可能な
信頼性の高いボンディング装置を提供することを目的と
する。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明によるワイヤボン
ディング装置は、キャピラリの先端から送り出されたワ
イヤの先端を溶融して前記キャピラリの先端にボールを
形成して前記ワイヤを用いて第１ボンディング点となる
半導体チップ上の電極と、第２ボンディング点となるリ
ードとを接続するワイヤボンディング装置において、前
記ワイヤと基準電位点であるフレームを載置するボンデ
ィングステージとの間で閉ループを形成する交流ブリッ
チ回路と、前記交流ブリッチ回路へ交流電圧を印加する
交流発生器と、前記交流ブリッチ回路の平衡又は不平衡
を検出する差動増幅器と、前記差動増幅器からの出力の
絶対値を検出する絶対値変換器と、前記差動増幅器から
の出力周波数の高周波成分を除去するローパスフィルタ
とを有する不着検出回路とを備え、前記不着検出回路
は、前記ワイヤが前記第１ボンディング点（又は第２ボ
ンディング点）にボンディング接続される時にボンディ
ング不着を検出するものである。
【００２４】また、本発明によるワイヤボンディング装
置の前記ローパスフィルタは、半導体チップ上の電極へ
のボール圧着時のワイヤと基準電位点であるボンディン
グステージ間の前記半導体チップのダイオード特性を判
別する信号を出力するものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
るワイヤボンディング装置の実施例を説明する。従来の
装置と同一の構造及び機能を有する部分については要部
のみを説明し、詳細な説明は省略する。なお、従来の装
置と同一の構造及び機能を有する部分には同じ符号を使
用する。
【００２６】図１は、本発明によるワイヤボンディング
装置の不着検出回路の具体的な構成を示す回路図であ
る。
【００２７】図１に示すように、ワイヤスプール２１よ
り繰り出されたワイヤ１は、ワイヤ１の保持、解放が可
能なワイヤカットクランプ３の保持面の間を通り、ワイ
ヤカットクランプ３の直下に位置するキャピラリ２を挿
通している。ワイヤスプール２１のワイヤ１の端である
スプールワイヤ端２２と、フレームとしてのリードフレ
ーム１１を載置する基準電位点であるボンディングステ
ージ１７との間には交流ブリッチ回路５が接続されてい
る。
【００２８】この交流ブリッチ回路５は交流発生器５ａ
を備え、前記交流発生器５ａは所定の周波数で発振する
正弦波発振回路を内蔵している。
【００２９】なお、本発明の交流発生器５ａは、１０キ
ロヘルツの周波数で発振する正弦波発振回路を内蔵して
おり、交流ブリッチ回路５に１０キロヘルツの正弦波の
電圧を出力信号として供給するものである。
【００３０】交流ブリッチ回路５は、交流発生器５ａ
と、交流発生器５ａからの出力信号を受ける可変抵抗器
Ｒ１とコンデンサーＣ１からなる第１直列回路５ｃ１、
交流発生器５ａからの交流信号を受ける固定抵抗Ｒ２
と、スプールワイヤ端２２から基準電位点であるボンデ
ィングステージ１７に至る電気経路を含む第２直列回路
５ｃ２とで閉ループを形成している。
【００３１】また、前記可変抵抗器Ｒ１と、コンデンサ
ーＣ１との間の第１接続点Ｘは、差動増幅器６の一方の
入力端に接続され、前記固定抵抗Ｒ２と前記スプールワ
イヤ端２２との間の第２接続点Ｙが、前記差動増幅器６
の他方の入力端に接続されている。
【００３２】前記固定抵抗Ｒ２とスプールワイヤ端２２
との間には、同軸ケーブル５ｂが外来ノイズの影響を避
けるために接続されている。従って同軸ケーブル５ｂの
芯線と外被との間で発生する同軸ケーブル５ｂの静電容
量Ｃ２が生じ、静電容量Ｃ２が等価的に前記固定抵抗Ｒ
２とボンディングステージ１７間に接続されたことにな
る。
【００３３】前記差動増幅器６は、演算増幅器Ａ１、演
算増幅器Ａ２、抵抗Ｒ３，抵抗Ｒ４，抵抗Ｒ５より構成
される。この差動増幅器６は、前記第１接続点Ｘ、第２
接続点Ｙから両入力端に供給される信号入力の差成分を
検出して出力するものであり、前記差動増幅器６の出力
端には、コンデンサＣ及びトランス７の一次側入力端子
が直列に接続されている。
【００３４】なお、前記コンデンサＣは、差動増幅器６
から出力される直流電圧成分を遮断するためのものであ
る。即ち、コンデンサＣによる交流結合方式により交流
成分のみトランス７へ電流を流すように回路を形成して
いる。
【００３５】トランス７の二次側出力端子は、絶対値変
換器８に接続されており、前記絶対値変換器８は、前記
トランス７より出力さる正極性及び負極性の交流電圧を
正極性の絶対値電圧に変換するものである。そして絶対
値変換器８の出力端には第１レベル弁別器９が接続さ
れ、前記第１レベル弁別器９の出力はボンディング判定
器２６に入力され不着状態を検出するようにしている。
【００３６】ここで、不着とは、前述した正規のボンデ
ィング点１２にボンディングされず、リードフレーム１
１上の点５５にボンディングされた場合や、正規のボン
ディング点１２にワイヤ１が接続されなかったりするこ
とをいう。また、この不着は、半導体チップ１３の電極
１２への不着のみでなく、リードフレーム１１のリード
１４の場合も含む。
【００３７】また、交流ブリッチ回路５の第２接続点Ｙ
に接続された差動増幅器６の演算増幅器Ａ１の出力端子
には、ローパスフィルタ２３が接続されている。
【００３８】前記ローパスフィルタ２３は、低域周波数
（例えば６キロヘルツ以下の周波数）のみの信号を通過
させ、それ以上の周波数の信号を減衰して出力しない回
路である。
【００３９】なお、ローパスフィルタ２３は、インダク
タ、コンデンサなどの受動素子で回路を構成している。
【００４０】ローパスフィルタ２３の出力は、第２レベ
ル弁別器２４に入力される。前記第２レベル弁別器２４
は、ローパスフィルタ２３の出力信号を前もって設定さ
れた基準の信号レベルと比較し、ローパスフィルタ２３
の出力信号が基準の信号レベル以上であれば論理値
“０”の信号を論理積器２５に出力し、ローパスフィル
タ２３の出力信号が基準の信号レベル以下であれば論理
値“１”の信号を論理積器２５に出力する。
【００４１】ボンディング検出切替器２７は第１ボンデ
ィング（チップボンディング）時に論理値“１”の信号
を出力し、第２ボンディング（リードボンディング）時
に論理値“０”の信号を論理積器２５に出力する。
【００４２】論理積器２５は、ボンディング検出切替器
２７の出力信号と第２レベル弁別器２４の出力との論理
積（ＡＮＤ演算）を行い、第１ボンディング（チップボ
ンディング）時には、論理値“１”又は“０”をボンデ
ィング判定器２６に出力し、第２ボンディング（リード
ボンディング）時には、常に論理値“０”をボンディン
グ判定器２６に出力する。
【００４３】ボンディング判定器２６は、第１ボンディ
ング点としての半導体チップ１３上の電極１２又は第２
ボンディング点としてのリードフレーム１１のリード１
４にボンディング接続したとき、不着検出タイミング、
すなわちボンディング装置からの指令により不着検出モ
ードでの検出を行う状態で論理積器２５からの出力信号
を読みとり、異常ボンディングと判断する設定となって
いる。
【００４４】次に、図１に示す不着検出回路を用いて不
着検出を行う場合の作用について説明する。
【００４５】初期設定 図１に示す、不着検出回路を用いて不着検出を行う場合
には、まずワイヤ１と半導体チップ１３とを接続しない
状態において、可変抵抗器Ｒ１の抵抗値を調整して差動
増幅器６における出力が最小値となるように初期設定す
る。
【００４６】この初期設定により、可変抵抗器Ｒ１とコ
ンデンサＣ１及び固定抵抗器Ｒ２と同軸ケーブルの静電
容量Ｃ２から成る交流ブリッジ回路５の平衡状態が設定
される。
【００４７】第１ボンディング点への正常ボンディン
グの検出 初期設定した状態でボンディングを実行すると、同軸ケ
ーブル５ｂの静電容量Ｃ２と並列に、半導体チップ１３
のダイオード特性が接続されることになり、これらが接
続された場合には、前記交流ブリッジ回路５の平衡状態
がくずれ、不平衡状態となる。
【００４８】この交流ブリッジ回路５が不平衡状態とな
った時には、差動増幅器６より出力が発生し、この出力
はトランス７の一次側入力端子に入力してトランス７の
二次側出力端子より絶対値変換器８に出力される。絶対
値変換器８は入力された正極性及び負極性の電圧を正極
性の絶対値電圧に変換する。
【００４９】図２（ａ）は、絶対値変換器８に入力され
る波形Ｖａ１及び絶対値変換器８にから出力される波形
Ｖａ２を示す図である。
【００５０】第１レベル弁別器９により絶対値変換器８
からの出力レベルが弁別され、第１ボンディンタ点にワ
イヤボンディングされたことになる。
【００５１】次に、ボンディング判定器２６は、論理積
器２５から出力される論理値の読みとりを行い、正常ボ
ンディングかどうかを判断する。
【００５２】以下に論理積器２５から出力される論理値
について述べる。
【００５３】半導体チップ１３であるダイオードのアノ
ード側は、基準電位点であるリードフレーム１１を載置
するボンディングステージ１７と同電位であり、ダイオ
ードのカソード側は半導体チップ１３の電極１２上のワ
イヤ１を通して交流ブリッチ回路５の第２接続点Ｙと接
続されている。交流ブリッチ回路５の第２接続点Ｙに
は、ダイオードの整流特性により正極性の電圧が発生す
る。この電圧は差動増幅器６の演算増幅器Ａ１よりロー
パスフィルタ２３に入力される。ローパスフィルタ２３
に入力される電圧波形を図２（ａ）のＶｆ１に示す。ロ
ーパスフィルタ２３に入力された信号は高周波成分が除
かれ、図２（ａ）のＶｆ２に示す波形が出力される。即
ち、ボールが半導体チップ１３の電極１２上に圧着され
ている状態では、ローパスフィルタ２３より直流電圧に
変換された信号が出力される。
【００５４】ローパスフィルタ２３より出力された信号
は第２レベル弁別器２４の基準の信号レベル（図２
（ａ）に示すＶｓ）と比較される。入力された信号は基
準の信号レベル（Ｖｓ）以上なので、第２レベル弁別器
２４は論理値“０”の信号を論理積器２５に出力する。
論理積器２５は、ボンディング切替器２７より出力され
た論理値“１”との論理積を行い、ボンディング判定器
２６へ論理値“０”の信号を出力する。ボンディング判
定器２６は、第１レベル弁別器９及び論理積器２５の出
力値により正常ボンディングと判断する。
【００５５】第１ボンディング点の不着検出 正常ボンディングとは逆に不着状態の場合、すなわちワ
イヤ１が第１ボンディング点に接続されずボンディング
接続されなかったような場合には、第１レベル弁別器９
より出力が発生しないため、第１ボンディンタ点が不着
であることが判明する。
【００５６】誤検出の場合 半導体チップ１３の電極１２の位置検出で誤検出となっ
た場合、すなわち半導体チップ１３の電極１２にはボン
ディング接続されず、リードフレーム１１に接続された
ような場合、リードフレーム１１上にボールがボンディ
ングされるため前記交流ブリッジ回路５の平衡状態がく
ずれ、不平衡状態となり、差動増幅器６より出力が発生
し、この出力は絶対値変換器８に入力され、第１レベル
弁別器９により絶対値変換器８からの出力レベルが弁別
されるため、第１ボンディング点にワイヤボンディング
がされたことになる。
【００５７】図２（ｂ）は、絶対値変換器８に入力され
る波形Ｖａ３及び絶対値変換器８から出力される波形Ｖ
ａ４を示す図である。
【００５８】このような不着の誤検出を防ぐため、本発
明によるローパスフィルタ２３の出力を判定することに
より正常にボンディングされたかどうかを判断する。
【００５９】半導体チップ１３の位置誤検出によりボー
ルがリードフレーム１１上にボンディングされたとき、
スプールワイヤ端２２とボンディングステージ１７との
間はワイヤ１の固有抵抗値と同軸ケーブルの静電容量Ｃ
２との並列接続となる。
【００６０】ローパスフィルタ２３に入力される差動増
幅器からの出力電圧は、図２（ｂ）のＶｆ３に示すよう
に基準電位（ゼロ（Ｖ））を中心に対象な交流信号であ
るため、ローパスフィルタ２３の出力信号（図２（ｂ）
のＶｆ４）は、ほぼゼロ（Ｖ）となり、この信号が第２
レベル弁別器２４に入力され、第２レベル弁別器２４は
ローパスフィルタ２３の出力が、第２レベル弁別器２４
の基準の信号レベル（Ｖｓ）以下なので、論理値“１”
の信号を論理積器２５に出力する。
【００６１】論理積器２５は、ボンディング検出切替器
２７より出力される第１ボンディング論理値“１”の信
号と第２レベル弁別器２４の出力との論理積を行い、ボ
ンディング判定器２６に論理値“１”の信号を出力す
る。ボンディング判定器２６は不着検出タイミングで論
理積器２５からの出力信号を読みとり、論理積器２５の
出力信号が論理値“１”であるため、異常ボンディング
と判断する。
【００６２】第２ボンディング点への正常ボンディン
グの検出 次に、第２ボンディング点での不着検出は、図７（ｄ）
に示すように、第２ボンディング点となるリードフレー
ム１１のリード１４に対してワイヤ１が接続され、かつ
ワイヤカットクランプ３によりワイヤ１が引き上げら
れ、ワイヤの先端がリードフレーム１１のリード１４よ
り切断された状態を検出するものである。
【００６３】第２ボンディング点に確実にボンディング
が行われた場合には、ワイヤ１がリードフレーム１１の
リード１４より切り離されるために、交流ブリッジ回路
５は平衝状態を保ち、第１レベル弁別器９より出力は発
生しない。
【００６４】第２ボンディング点の不着検出 第２ボンディング点が不着の場合、すなわちワイヤ１が
切断されずに接続されたままの場合、前記した同軸ケー
ブル５ｂの静電容量Ｃと並列に半導体チップ１３のダイ
オード成分が挿入されるために、交流ブリッジ回路５は
不平衝状態となり第１レベル弁別器９より出力が発生
し、ボンディング判定器９で第２ボンディング点の不着
を判定する。
【００６５】以上により、ダイオード，ＬＥＤなどのダ
イオード特性を有する半導体チップの位置の誤検出によ
り、リードフレーム上にボンディングした異常ボンディ
ングも確実に検出できるため、正確な不着検出を行なう
ことができる。
【００６６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなとおり、本発明に
よるワイヤボンディング装置によれば、ダイオード特性
を有する半導体チップのワイヤボンディングでの不着検
出を確実に行うことができるため装置の信頼性を高める
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】不着検出回路の回路構成を示す図である。
【図２】（ａ）は、正常ボンディング時の絶対値変換器
の入力及び出力波形、及びローパスフィルタの入力及び
出力波形を示す図。（ｂ）は、誤検出による異常ボンデ
ィング時の絶対値変換器の入力及び出力波形、及びロー
パスフィルタの入力及び出力波形を示す図である。
【図３】リードフレーム上に半導体チップを接着する接
着剤の電極に似たパターンを示す図である。
【図４】リードフレーム上で半導体チップが傾いて接着
された状態を示す図である。
【図５】従来のワイヤボンディング装置における不着検
出回路の一例を示す図である。
【図６】リードフレーム上に半導体チップが接着されて
いる図であり（ａ）はリードフレーム上面より、（ｂ）
は側面からの図である。
【図７】（ａ）乃至（ｄ）はワイヤボンディングの工程
を説明する一部断面を含む図である。
【符号の説明】
１ ワイヤ ２ キャピラリ ３ ワイヤカットクランプ ４ 放電電極 ５ 交流ブリッチ回路 ５ａ 交流発生器 ５ｂ 同軸ケーブル ５ｃ１ 第１直列回路 ５ｃ２ 第２直列回路 Ｘ 第１接続点 Ｙ 第２接続点 ６ 差動増幅器 ７ トランス ８ 絶対値変換器 ９ 第１レベル弁別器 １１ リードフレーム １２ 半導体チップの電極 １３ 半導体チップ １４ リード １５ 第１ボンディング点 １６ 第２ボンディング点 １７ ボンディングステージ １８ 半導体チップの所定の位置 １９ 接着剤 ２０ ボール ２１ ワイヤスプール ２２ スプールワイヤ端 ２３ ローパスフィルタ ２４ 第２レベル弁別器 ２５ 論理積器 ２６ ボンディング判定器 ２７ ボンディング検出切替器 ５０ 直流電源回路 ５１ 検出抵抗器 ５２ 増幅器 ５３ レベル弁別器 ５４ ＣＣＤカメラ ５５ 接着剤のパターン図 ５６ 同軸照明灯
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 301 H01L 21/60 321

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 キャピラリの先端から送り出されたワイ
    ヤの先端を溶融して前記キャピラリの先端にボールを形
    成して前記ワイヤを用いて第１ボンディング点となる半
    導体チップ上の電極と、第２ボンディング点となるリー
    ドとを接続するワイヤボンディング装置において、 前記ワイヤと基準電位点であるフレームを載置するボン
    ディングステージとの間で閉ループを形成する交流ブリ
    ッチ回路と、前記交流ブリッチ回路へ交流電圧を印加す
    る交流発生器と、 前記交流ブリッチ回路の平衡又は不平衡を検出する差動
    増幅器と、前記差動増幅器からの出力の絶対値を検出す
    る絶対値変換器と、前記差動増幅器からの出力周波数の
    高周波成分を除去するローパスフィルタとを有する不着
    検出回路とを備え、 前記不着検出回路は、前記ワイヤが前記第１ボンディン
    グ点（又は第２ボンディング点）にボンディング接続さ
    れる時にボンディング不着を検出することを特徴とする
    ワイヤボンディング装置。
  2. 【請求項２】 前記ローパスフィルタは、半導体チップ
    上の電極へのボール圧着時のワイヤと基準電位点である
    ボンディングステージ間の前記半導体チップのダイオー
    ド特性を判別する信号を出力することを特徴とする請求
    項１に記載のワイヤボンディング装置。
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