JP3533471B2 - 高分子分散型液晶表示素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は高分子分散型液晶表示素
子に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】最近、液晶表示素子として、高分子分散
型の液晶表示素子が注目されている。この高分子分散型
液晶表示素子は、電極を形成した一対の基板間に、高分
子層中に液晶を分散させた液晶／高分子複合膜を設けた
ものである。 【０００３】上記高分子分散型液晶表示素子の液晶／高
分子複合膜には、大別して、スポンジのような断面をも
つようにポリマー化した高分子層の各空隙部にそれぞれ
液晶が閉じ込められた構造のものと、液晶をマイクロカ
プセル化してこの液晶カプセルを高分子層中に分散させ
た構造のものとがあり、いずれの複合膜にも、誘電異方
性が正のネマティック液晶が用いられている。 【０００４】この高分子分散型液晶表示素子は、上記液
晶／高分子複合膜に電界を印加して表示駆動されるもの
で、前記複合膜中の液晶の分子は、無電界状態ではラン
ダムな方向を向いており、電界を印加すると、液晶分子
が電界の印加方向に一様に配列する。そして、液晶の光
屈折率は、液晶分子の配列状態によって異なるため、前
記複合膜中の液晶は、無電界状態と電界印加状態とで異
なる屈折率を示す。 【０００５】一方、上記複合膜は、電界印加状態におけ
る液晶の屈折率と高分子層の屈折率とがほぼ等しくなる
ような液晶物質と高分子材料とで構成されており、した
がって、無電界状態（液晶分子がランダムな方向を向い
ている状態）では、高分子層と液晶との屈折率が異な
り、液晶表示素子に入射した光が前記複合膜において散
乱されて、表示が白濁した暗状態になる。 【０００６】また、両基板の電極間に電圧を印加する
と、前記複合膜中の液晶の分子が、電界の印加方向、つ
まり基板面に対してほぼ垂直な方向に一様に立上り配列
し、液晶の屈折率が高分子層の屈折率とほぼ等しくなる
ため、入射光がほとんど散乱されることなく複合膜を透
過し、この非散乱透過光により明状態が表示される。 【０００７】すなわち、上記高分子分散型液晶表示素子
は、液晶／高分子複合膜での光の散乱と透過とを利用し
て暗状態と明状態とを表示するものであり、この高分子
分散型液晶表示素子は、偏光板を用いずに明暗を表示で
きるため、一般に用いられているＴＮ型の液晶表示素子
のような偏光板での光吸収による光量ロスがなく、した
がって、ＴＮ型の液晶表示素子に比べて格段に画面が明
るいという特長をもっている。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の高分子
分散型液晶表示素子は、高デューティで時分割駆動する
ことが難しいという問題をもっていた。これは、液晶／
高分子複合膜に用いられているネマティック液晶の応答
性によるもので、ネマティック液晶は電界の印加に対す
る応答速度が遅いため、液晶分子がランダムな配列状態
から立上り配列するまでに時間がかかる。 【０００９】また、電界印加状態から無電界状態にした
ときは、液晶分子の向きを電界で制御できないため、液
晶分子は自然にランダムな方向を向く状態に戻るしかな
く、したがって、液晶分子が立上り配列状態からランダ
ムな配列状態になるまでの時間は、液晶分子が立上り配
列するのに要する時間よりもかなり長くなる。 【００１０】このため、従来の高分子分散型液晶表示素
子は、暗状態から明状態および明状態から暗状態への表
示の切換えを高速で行なわせることができず、したがっ
て、高デューティで時分割駆動することは難しい。 【００１１】本発明は、暗状態から明状態および明状態
から暗状態への表示の切換えを高速で行なわせることが
できる、高デューティでの時分割駆動が可能な高分子分
散型液晶表示素子を提供することを目的としたものであ
る。 【００１２】 【課題を解決するための手段】本発明の高分子分散型液
晶表示素子は、電極を形成した一対の基板間に、高分子
層中にスメクティック層構造をなす強誘電性または反強
誘電性液晶を前記スメクティック層構造の法線が前記基
板に垂直な方向に対し所定の傾きで一様に傾いた状態に
配向させた複数の液晶部を形成して分散され、且つ前記
液晶部への電界の印加により、前記液晶部の液晶分子が
前記層構造の法線に対して一方の方向に一様に傾いた方
向へ配列して前記液晶部の屈折率が変化する液晶／高分
子複合膜を設けたことを特徴とするものである。 【００１３】 【作用】すなわち、本発明の高分子分散型液晶表示素子
は、液晶／高分子複合膜の液晶に、スメクティック層構
造をなす強誘電性または反強誘電性液晶を用いたもので
あり、この強誘電性または反強誘電性液晶は、無電界状
態では、液晶分子が前記スメクティック層構造の法線に
沿って前記法線に対する傾き方向が層ごとに順次ずれた
螺旋状に配列しており、前記層構造の法線に対して交差
する方向の電界を印加すると、印加電界の極性に応じ
て、前記法線に対し一方向に一様に傾いた状態に配列す
る。 【００１４】なお、前記複合膜中の各液晶部の液晶は、
前記層構造の法線が基板面に垂直な方向に対し所定の傾
き角で傾いた状態で配向されているため、両基板の電極
間への電圧の印加により複合膜に印加される電界は前記
層構造の法線に対して斜めに作用し、その電界によって
液晶分子が一様に傾いた状態に配列する。 【００１５】そして、この液晶表示素子では、前記複合
膜中の各液晶部の強誘電性液晶の分子が、無電界状態で
は前記層構造の法線に沿って螺旋状に配列し、電界を印
加すると前記法線に対し一方向に一様に傾いた状態に配
列するため、この液晶分子の配列状態の変化により、液
晶部全体での液晶の光屈折率が変化する。なお、前記複
合膜に印加する電界は、液晶分子を前記基板面に垂直な
方向に対する角度が大きくなる方向に傾けて配向させる
極性の電界だけとする。 【００１６】このため、上記複合膜を、無電界状態また
は電界印加状態のいずれかにおける液晶の屈折率と高分
子層の屈折率とがほぼ等しくなるような液晶物質と高分
子材料とで構成しておけば、前記複合膜への電界の印加
を制御することにより、この複合膜での光の散乱と透過
とを利用して暗状態と明状態とを表示することができ
る。 【００１７】また、上記強誘電性または反強誘電性液晶
は、電界に対する応答性が良いため、しきい値電圧以上
の電界を印加すると、液晶分子が螺旋状の配列状態から
速やかに一様な配列状態になるし、また、無電界状態で
は液晶分子が液晶固有の螺旋ピッチでねじれた状態に配
列するため、電界印加状態から無電界状態にしたとき
も、液晶分子が一様な配列状態から速やかに元の螺旋状
配列状態に戻る。 【００１８】したがって、本発明の高分子分散型液晶表
示素子によれば、暗状態から明状態および明状態から暗
状態への表示の切換えを高速で行なわせることができる
から、高デューティでの時分割駆動が可能である。 【００１９】 【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は、本発明の第１の実施例による高分子分散
型液晶表示素子の原理構成を模式的に示した図である。
なお、この実施例の液晶表示素子は、液晶／高分子複合
膜の液晶に強誘電性液晶を用いたものである。 【００２０】この高分子分散型液晶表示素子は、透明電
極３、４を形成した一対の透明基板１，２間に液晶／高
分子複合膜１０を設けたものであり、前記複合膜１０
は、高分子層１１中に、スメクティック層構造をもつ強
誘電性液晶１２を分散させた構成となっている。 【００２１】この液晶／高分子複合膜１０は、光重合相
分離法と呼ばれる方法で形成されたものである。この光
重合相分離法は、対向配置した一対の基板１，２間に、
光によって重合反応する高分子材料と液晶１２との混合
溶液を充填し、この混合溶液に紫外線を照射して前記高
分子材料を光重合させる方法であり、前記混合溶液に紫
外線を照射すると、モノマーあるいはオリゴマーの状態
にある高分子材料が、その二重結合が解けることによっ
てラジカル化し、隣り合う分子のラジカルが互いに結合
し合うラジカル重合反応により高分子となるとともに、
この高分子材料のポリマー化により液晶１２が相分離し
て、高分子層１１中に液晶１２を分散させた複合膜１０
が形成される。 【００２２】なお、この光重合相分離法で形成された液
晶／高分子複合膜１０は、ポリマー化した高分子層１１
がスポンジのような断面をもっており、この高分子層１
１の各隙間部にそれぞれ液晶１２が閉じ込められている
ため、複合膜１０中の各液晶部（液晶１２が閉じ込めら
れた部分）Ａは、複雑な形状をもっているが、図１で
は、前記液晶部Ａを単純な形状に図示している。 【００２３】また、上記複合膜１０中の各液晶部Ａの強
誘電性液晶１２は、スメクティック層構造の法線（以
下、層構造法線という）Ｏが基板１，２面に垂直な方向
（以下、基板法線という）Ｈに対し所定の傾き角θで傾
いた状態で配向されている。 【００２４】この基板法線Ｈに対する前記層構造法線Ｏ
の傾き角θは、層構造法線Ｏに対する液晶分子１２ａの
傾き角より十分小さい角度であり、したがって、層構造
法線Ｏは、基板法線Ｈに対して僅かに傾いているだけで
ある。 【００２５】このように強誘電性液晶１２を配向させる
には、上記液晶／高分子複合膜１０を形成した後、前記
強誘電性液晶１２が等方性相を示す温度に加熱し、その
状態で基板１，２面に垂直な方向に対し所定角度傾いた
方向に電界を印加して、この電界印加状態を保ちながら
前記液晶１２を強誘電性相を示す温度に降下させる再配
向処理を行なえばよく、この再配向処理により、前記複
合膜１０の全ての液晶部Ａの強誘電性液晶１２が、基板
法線Ｈに対し上記傾き角θだけ傾いた方向に層構造法線
Ｏが揃ったスメクティック層構造をもって配向する。 【００２６】すなわち、上記高分子分散型液晶表示素子
は、液晶／高分子複合膜１０の液晶に、スメクティック
層構造をなす強誘電性液晶１２を用いたものであり、こ
の強誘電性液晶１２は、無電界状態では、液晶分子１２
ａが図１に示したように、層構造法線Ｏに沿ってこの法
線Ｏに対する傾き方向が層ごとに順次ずれた螺旋状に配
列しており、層構造法線Ｏに対して交差する方向の電界
を印加すると、印加電界の極性に応じて、前記法線Ｏに
対し一方向に一様に傾いた状態に配列する。 【００２７】なお、前記複合膜１０中の各液晶部Ａの液
晶１２は、前記層構造法線Ｏが基板法線Ｈに対し上述し
た傾き角θで傾いた状態で配向されているため、両基板
１，２の電極３，４間への電圧の印加により複合膜１０
に印加される電界は前記層構造法線Ｏに対して斜めに作
用し、その電界によって液晶分子１２ａが一様に傾いた
状態に配列する。 【００２８】また、上記液晶／高分子複合膜１０の高分
子層１１の隙間部の内幅は、強誘電性液晶１２の螺旋ピ
ッチより十分大きく、したがって、前記高分子層１１の
隙間部に閉じ込められた液晶１２の分子１２ａは、高分
子層１１で拘束されることなく配列状態を変える。 【００２９】そして、この液晶表示素子では、前記複合
膜１０中の各液晶部Ａの強誘電性液晶１２の分子１２ａ
が、無電界状態では層構造法線Ｏに沿って螺旋状に配列
し、電界を印加すると前記法線Ｏに対し一方向に一様に
傾いた状態に配列するため、この液晶分子１２ａの配列
状態の変化により、液晶部Ａ全体での液晶１２の光屈折
率が変化する。 【００３０】この液晶表示素子の表示駆動において、前
記複合膜１０に印加する電界は、液晶分子１２ａを基板
面法線Ｈに対する角度が大きくなる方向に傾けて配向さ
せる極性の電界だけとする。図１において、Ｌは、複合
膜１０に上記極性の電界を印加したときの液晶分子１２
ａの配列方向を示している。 【００３１】なお、仮に、上記複合膜１０に逆極性の電
界を印加すると、液晶分子１２ａは層構造法線Ｏに対し
て、図１に示した電界印加時の液晶分子配列方向Ｌとは
反対方向に配列しようとするが、液晶分子１２ａの向き
が基板法線Ｈと平行になるまで変化すると、液晶分子１
２ａの自発分極の向きが印加電界の方向と直交して、液
晶分子１２ａに電界による回転ベクトルが作用しなくな
るため、その以上は液晶分子１２ａの配向状態は変化し
ない。 【００３２】そして、上記液晶表示素子においては、無
電界状態と上述した極性の電界の印加とによって液晶／
高分子複合膜１０の液晶１２の光屈折率が変化するた
め、前記複合膜１０を、無電界状態または電界印加状態
のいずれかにおける液晶１２の屈折率と高分子層１１の
屈折率とがほぼ等しくなるような液晶物質と高分子材料
とで構成しておけば、前記複合膜１０への電界の印加を
制御することにより、この複合膜１０での光の散乱と透
過とを利用して暗状態と明状態とを表示することができ
る。 【００３３】すなわち、無電界状態における液晶部Ａ全
体での液晶１２の屈折率をｎ₁ 、電界印加状態における
液晶部Ａ全体での液晶１２の屈折率をｎ₂ とし、高分子
層１１の屈折率ｎ₀ とすると、例えばｎ₁ ＝ｎ₀ であれ
ば、無電界状態では、光が複合膜１０をほとんど散乱さ
れずに透過して表示が明状態になり、両基板１，２の電
極３，４間への電圧印加により前記複合膜１０に一方の
極性または逆極性の電界を印加すると、液晶１２と高分
子層１１との屈折率の違いによって光が散乱され、表示
が暗状態になる。 【００３４】また、ｎ₂ ＝ｎ₀ であれば、無電界状態の
ときに、液晶１２と高分子層１１との屈折率の違いによ
って光が散乱されて表示が暗状態になり、複合膜１０に
一方の極性または逆極性の電界を印加すると、光が複合
膜１０をほとんど散乱されずに透過して、表示が明状態
になる。 【００３５】また、上記強誘電性液晶１２は、電界に対
する応答性が良いため、しきい値電圧以上の電界を印加
すると、液晶分子１２ａが螺旋状の配列状態から速やか
に一様な配列状態に配列するし、また、無電界状態では
液晶分子１２ａが液晶固有の螺旋ピッチでねじれた状態
に配列するため、電界印加状態から無電界状態にしたと
きも、液晶分子１２ａが一様な配列状態から速やかに元
の螺旋状配列状態に戻る。 【００３６】したがって、上記高分子分散型液晶表示素
子によれば、暗状態から明状態および明状態から暗状態
への表示の切換えを高速で行なわせることができるか
ら、高デューティでの時分割駆動が可能である。 【００３７】図２は、上記第１の実施例をアクティブマ
トリックス液晶素子に適用した具体例を示す液晶素子の
一部分の断面図である。なお、このアクティブマトリッ
クス液晶素子は、その裏面に反射板３２を配置した反射
型のものである。 【００３８】図２において、下側の基板２１は液晶素子
の裏面側基板、上側の基板２２は表面側基板である。こ
れら基板２１，２２はガラス板等からなる透明基板であ
り、裏面側基板２１には、行方向および列方向に配列さ
れた複数の透明な画素電極２３と、これら各画素電極２
３にそれぞれ対応する複数の能動素子２４とが配設さ
れ、表面側基板２２には、そのほぼ全面にわたって、上
記裏面側基板２１の全ての画素電極２３が対向する透明
な対向電極３０が設けられている。 【００３９】上記能動素子２４は例えばＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）であり、このＴＦＴ２４は、裏面側基板２
１面に形成されたゲート電極２５と、このゲート電極２
５を覆うゲート絶縁膜２６と、前記ゲート絶縁膜２６の
上に前記ゲート電極２５と対向させて形成されたａ−Ｓ
i （アモルファスシリコン）等からなる半導体膜２７
と、この半導体膜２７の両側部の上に形成されたソース
電極２８およびドレイン電極２９とで構成されている。 【００４０】なお、図示しないが、裏面側基板２１に
は、上記ＴＦＴ２４にゲート信号を供給するゲートライ
ン（アドレスライン）と、前記ＴＦＴ２４に画像データ
に応じたデータ信号を供給するデータラインとが配線さ
れており、ＴＦＴ２４のゲート電極２５は前記ゲートラ
インに一体に形成され、ドレイン電極２９は前記データ
ラインにつながっている。 【００４１】さらに、上記裏面側基板２１には、この裏
面側基板２１に配設する各画素電極２３にそれぞれ対応
させて、光が当ると蛍光を発する蛍光体膜３１が設けら
れている。この蛍光体膜３１は、透明な樹脂基材に微細
な粒状の蛍光物質を点在状態で混入させたものである。 【００４２】なお、この実施例では、上記蛍光体膜３１
として、異なる色の蛍光を発する複数の蛍光体膜、例え
ば、赤の蛍光を発する蛍光体膜と、緑の蛍光を発する蛍
光体膜と、青の蛍光を発する蛍光体膜とを用い、これら
蛍光体膜を各画素電極２３に対応させて交互に設けてい
る。 【００４３】上記蛍光体膜３１は裏面側基板２１面に形
成されており、上記ＴＦＴ２４のゲート絶縁膜２６で覆
われている。このゲート絶縁膜２６は、Ｓi Ｎ（窒化シ
リコン）等からなる透明膜であり、画素電極２３は、前
記ゲート絶縁膜２６の上に設けられ、その一端部におい
て対応するＴＦＴ２４のソース電極２８に接続されてい
る。 【００４４】そして、上記裏面側基板２１と表面側基板
２２とは、その外周縁部において図示しない枠状のシー
ル材を介して接合されており、これら基板２１，２２間
の前記シール材で囲まれた領域に、上述した液晶／高分
子複合膜１０が設けられている。 【００４５】なお、この液晶表示素子は、一対の基板２
１，２２をその外周縁部において図示しないシール材を
介して接合した後、この両基板２１，２２間に、前記シ
ール材の一部を欠落させて形成しておいた注入口から、
光によって重合反応する高分子材料と強誘電性液晶との
混合溶液を真空注入法により注入充填し、上述した光重
合相分離法によって液晶／高分子複合膜１０を形成した
後、裏面側基板２１の外面（裏面）に反射板３２を接着
して完成される。 【００４６】なお、この反射板３２は、樹脂フィルムか
らなるベースシート３３の表面に反射膜３４を被着させ
たものであり、この反射膜３４は、例えば表面を粗面化
したＡl （アルミニウム）反射膜である。 【００４７】すなわち、上記アクティブマトリックス液
晶表示素子は、上述した液晶／高分子複合膜１０での光
の散乱と透過とを利用して表示するものであり、この複
合膜１０は液晶に強誘電性液晶１２を用いたものである
ため、暗状態から明状態および明状態から暗状態への表
示の切換えを高速で行なわせることができるから、高デ
ューティでの時分割駆動が可能である。 【００４８】また、このアクティブマトリックス液晶表
示素子においては、その裏面側基板１１に、光を受けて
蛍光を発する蛍光体膜３１を各画素電極２３にそれぞれ
対応させて設けているため、この蛍光体膜３１が発する
蛍光によって出射光がより明るくなるから、画面が明る
くかつコントラストの高いカラー画像を表示することが
できる。 【００４９】すなわち、この液晶表示素子では、明表示
が、液晶／高分子複合膜１０を透過して素子の裏面の反
射板３２で反射された光によって表示されるが、前記複
合膜１０を透過した光のうちのある程度の光は、裏面側
基板１１に設けた蛍光体膜３１を通る際にその膜中の蛍
光物質に吸収されて蛍光を発生させるため、反射板３２
で反射された光と蛍光体膜３１が発する蛍光とが上記複
合膜１０を再び透過して表面側に出射する。 【００５０】このため、上記液晶表示素子の明表示は、
前記蛍光体膜３１が発する蛍光の色に着色された表示で
あるし、また、前記蛍光体膜３１中の蛍光物質は、可視
光だけでなく、可視光帯域外の波長光によっても蛍光を
発するため、蛍光体膜３１から発せられる蛍光は高輝度
の光であるから、画面が明るくかつコントラストの高い
カラー画像が得られる。 【００５１】なお、図２に示したアクティブマトリック
ス液晶表示素子では、裏面側基板２１の外面に反射板３
２を設けているが、この反射板３２に代えて、裏面側基
板２１の内面側に反射膜を設けてもよい。 【００５２】図３は上述した第１の実施例をアクティブ
マトリックス液晶素子に適用した他の具体例を示す液晶
素子の一部分の断面図である。このアクティブマトリッ
クス液晶素子は、裏面側基板２１に設ける画素電極２３
を、表面を粗面化したＡl 膜等で形成して、この画素電
極２３に反射膜を兼ねさせ、この画素電極２３の上に蛍
光体膜３１を設けたものであり、その他の構成は図２に
示した液晶表示素子と同じである。 【００５３】また、本発明は、反射型のものに限らず、
透過型の液晶素子にも適用することができるし、一方の
基板に表示パターンに対応するセグメント電極を設け、
他方に基板にコモン電極を設けたセグメント表示型の液
晶素子にも適用することができる。 【００５４】さらに、上記第１の実施例では、液晶／高
分子複合膜１０の液晶に強誘電性液晶１２を用いている
が、この液晶は反強誘電性液晶でもよい。図４は、本発
明の第２の実施例による高分子分散型液晶表示素子の原
理構成を模式的に示した図であり、この実施例の液晶表
示素子は、液晶／高分子複合膜１０の液晶に反強誘電性
液晶１３を用いたものである。 【００５５】なお、この実施例は、前記複合膜１０の液
晶に反強誘電性液晶１３を用いたものであるが、その他
の構成は図１に示した第１の実施例と同じであるから、
重複する説明は図に同符号を付して省略する。 【００５６】この実施例の液晶表示素子においても、無
電界状態では、反強誘電性液晶１３の分子１３ａがスメ
クティック層構造の法線Ｏに沿って前記法線Ｏに対する
傾き方向が層ごとに順次ずれた螺旋状に配列しており、
層構造法線Ｏに対して交差する方向の電界を印加する
と、印加電界の極性に応じて、前記法線Ｏに対し一方向
に一様に傾いた状態に配列する。 【００５７】なお、この実施例でも、複合膜１０中の各
液晶部Ａの反強誘電性液晶１３は、層構造法線Ｏが基板
法線Ｈに対し所定の傾き角θで傾いた状態で配向されて
おり、したがって、両基板１，２の電極３，４間への電
圧の印加により複合膜１０に印加される電界は層構造法
線Ｏに対して斜めに作用し、その電界によって液晶分子
１３ａが一様に傾いた状態に配列する。 【００５８】そして、この液晶表示素子においても、前
記複合膜１０中の各液晶部Ａの反強誘電性液晶１３の分
子１３ａが、無電界状態では層構造法線Ｏに沿って螺旋
状に配列し、電界を印加すると前記法線Ｏに対し一方向
に一様に傾いた状態に配列するため、この液晶分子１３
ａの配列状態の変化により、液晶部Ａ全体での液晶１３
の光屈折率が変化する。なお、この実施例でも、複合膜
１０に印加する電界は、液晶分子１３ａを基板法線Ｈに
対する角度が大きくなる方向に傾けて配向させる極性の
電界だけとする。 【００５９】このため、上記複合膜１０を、無電界状態
または電界印加状態のいずれかにおける液晶１３の屈折
率と高分子層１１の屈折率とがほぼ等しくなるような液
晶物質と高分子材料とで構成しておけば、前記複合膜１
０への電界の印加を制御することにより、この複合膜１
０での光の散乱と透過とを利用して暗状態と明状態とを
表示することができる。 【００６０】そして、この実施例の液晶表示素子におい
ても、上記反強誘電性液晶１３の電界に対する応答性が
良いため、しきい値電圧以上の電界を印加すると、液晶
分子１３ａが螺旋状の配列状態から速やかに一様な配列
状態になるし、また、無電界状態では液晶分子１３ａが
液晶固有の螺旋ピッチでねじれた状態に配列するため、
電界印加状態から無電界状態にしたときも、液晶分子１
３ａが一様な配列状態から速やかに元の螺旋状配列状態
に戻る。 【００６１】したがって、この実施例の高分子分散型液
晶表示素子も、暗状態から明状態および明状態から暗状
態への表示の切換えを高速で行なわせることができるか
ら、高デューティでの時分割駆動が可能である。 【００６２】なお、上述した第１の実施例および第２の
実施例の高分子分散型液晶表示素子における液晶／高分
子複合膜１０は、光重合相分離法で形成されたものであ
るが、この複合膜１０は、液晶をマイクロカプセル化し
てこの液晶カプセルを高分子層中に分散させた構造のも
のでもよい。 【００６３】 【発明の効果】本発明の高分子分散型液晶表示素子は、
電極を形成した一対の基板間に、高分子層中にスメクテ
ィック層構造をなす強誘電性または反強誘電性液晶を前
記スメクティック層構造の法線が前記基板に垂直な方向
に対し所定の傾きで一様に傾いた状態に配向させた複数
の液晶部を形成して分散され、且つ前記液晶部への電界
の印加により、前記液晶部の液晶分子が前記層構造の法
線に対して一方の方向に一様に傾いた方向へ配列して前
記液晶部の屈折率が変化する液晶／高分子複合膜を設け
たものであるから、暗状態から明状態および明状態から
暗状態への表示の切換えを高速で行なわせることがで
き、したがって、高デューティでの時分割駆動が可能で
ある。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第１の実施例による高分子分散型液晶
表示素子の原理構成を模式的に示した図。 【図２】本発明の第１の実施例をアクティブマトリック
ス液晶素子に適用した具体例を示す液晶素子の一部分の
断面図。 【図３】本発明の第１の実施例をアクティブマトリック
ス液晶素子に適用した他の具体例を示す液晶素子の一部
分の断面図。 【図４】本発明の第２の実施例による高分子分散型液晶
表示素子の原理構成を模式的に示した図。 【符号の説明】 １，２…基板 ３，４…電極 １０…液晶／高分子複合膜 １１…高分子層 Ａ…液晶部 １２…強誘電性液晶 １２ａ…液性分子 １３…反強誘電性液晶 １３ａ…液性分子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−142713（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−145636（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−36299（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−248924（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−122913（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−140717（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−210094（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−307170（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−160812（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−289372（ＪＰ，Ａ) 特表 昭63−501512（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/13 - 1/141

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】電極を形成した一対の基板間に、高分子層
   中にスメクティック層構造をなす強誘電性または反強誘
   電性液晶を前記スメクティック層の法線が前記基板に垂
   直な方向に対し所定の傾きで一様に傾いた状態に配向さ
   せた複数の液晶部を形成して分散され、且つ前記液晶部
   への電界の印加により、前記液晶部の液晶分子が前記層
   構造の法線に対して一方の方向に一様に傾いた方向へ配
   列して前記液晶部の屈折率が変化する液晶／高分子複合
   膜を設けたことを特徴とする高分子分散型液晶表示素
   子。