JPH07104275A - アクティブマトリックス液晶表示素子 - Google Patents
アクティブマトリックス液晶表示素子Info
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- JPH07104275A JPH07104275A JP5249110A JP24911093A JPH07104275A JP H07104275 A JPH07104275 A JP H07104275A JP 5249110 A JP5249110 A JP 5249110A JP 24911093 A JP24911093 A JP 24911093A JP H07104275 A JPH07104275 A JP H07104275A
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- Japan
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- liquid crystal
- counter electrode
- light
- film
- surface side
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】反射型のものでありながら、非常に明るい画面
を得ることができるアクティブマトリックス液晶表示素
子を提供する。 【構成】透明画素電極3とTFT4とを配設した透明な
表面側基板1と、対向電極10を設けた裏面側基板2と
の間に、高分子層中に液晶を分散させた液晶/高分子複
合膜20を設け、かつ、前記裏面側基板2の対向電極1
0は、光を反射させる金属膜で形成するとともに、この
対向電極10の上に蛍光体膜11を設けた。
を得ることができるアクティブマトリックス液晶表示素
子を提供する。 【構成】透明画素電極3とTFT4とを配設した透明な
表面側基板1と、対向電極10を設けた裏面側基板2と
の間に、高分子層中に液晶を分散させた液晶/高分子複
合膜20を設け、かつ、前記裏面側基板2の対向電極1
0は、光を反射させる金属膜で形成するとともに、この
対向電極10の上に蛍光体膜11を設けた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリックス
液晶表示素子に関するものである。
液晶表示素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、アクティブマトリックス液晶表示
素子としては、TN型のものが利用されている。このT
N型のアクティブマトリックス液晶表示素子は、複数の
透明画素電極とこれら各画素電極にそれぞれ対応する複
数の能動素子とを配設した透明基板と、前記画素電極が
対向する透明な対向電極を設けた透明基板とを、その電
極形成面を互いに対向させて配置し、この両基板間にネ
マティック液晶の層を設けるとともに、前記両基板の外
面側にそれぞれ偏光板を配置したものである。
素子としては、TN型のものが利用されている。このT
N型のアクティブマトリックス液晶表示素子は、複数の
透明画素電極とこれら各画素電極にそれぞれ対応する複
数の能動素子とを配設した透明基板と、前記画素電極が
対向する透明な対向電極を設けた透明基板とを、その電
極形成面を互いに対向させて配置し、この両基板間にネ
マティック液晶の層を設けるとともに、前記両基板の外
面側にそれぞれ偏光板を配置したものである。
【0003】なお、前記両基板の電極形成面上にはそれ
ぞれ液晶分子の配列方向を規制する配向膜が設けられて
おり、液晶の分子は両基板間においてほぼ90°のツイ
スト角でツイスト配向されている。また、両基板の外面
側にそれぞれ配置された一対の偏光板は、その透過軸を
互いにほぼ平行にして設けられている。
ぞれ液晶分子の配列方向を規制する配向膜が設けられて
おり、液晶の分子は両基板間においてほぼ90°のツイ
スト角でツイスト配向されている。また、両基板の外面
側にそれぞれ配置された一対の偏光板は、その透過軸を
互いにほぼ平行にして設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記TN型の
アクティブマトリックス液晶表示素子は、外部からの入
射光が一方の偏光板により直線偏光されて液晶層に入射
し、液晶層を通った光のうち、画素電極と対向電極との
間への電界の印加により液晶分子が立上り配向した領域
を通った光が他方の偏光板を透過して出射するため、偏
光板での光吸収による光量ロスが大きく、したがって画
面が暗いという問題をもっている。
アクティブマトリックス液晶表示素子は、外部からの入
射光が一方の偏光板により直線偏光されて液晶層に入射
し、液晶層を通った光のうち、画素電極と対向電極との
間への電界の印加により液晶分子が立上り配向した領域
を通った光が他方の偏光板を透過して出射するため、偏
光板での光吸収による光量ロスが大きく、したがって画
面が暗いという問題をもっている。
【0005】これは特に、裏面側に反射板を配置した反
射型の液晶表示素子において顕著であり、反射型素子
は、自然光または室内照明光を利用して表示するもので
あるし、また素子の表面側から入射し裏面側の反射板で
反射されて表面側に出射する光が一対の偏光板を2度ず
つ通るため、光量ロスがかなり大きくなって、画面が極
端に暗くなる。本発明は、反射型のものでありながら、
非常に明るい画面を得ることができるアクティブマトリ
ックス液晶表示素子を提供することを目的としたもので
ある。
射型の液晶表示素子において顕著であり、反射型素子
は、自然光または室内照明光を利用して表示するもので
あるし、また素子の表面側から入射し裏面側の反射板で
反射されて表面側に出射する光が一対の偏光板を2度ず
つ通るため、光量ロスがかなり大きくなって、画面が極
端に暗くなる。本発明は、反射型のものでありながら、
非常に明るい画面を得ることができるアクティブマトリ
ックス液晶表示素子を提供することを目的としたもので
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックス液晶表示素子は、複数の透明画素電極とこれら
各画素電極にそれぞれ対応する複数の能動素子とを配設
した透明な表面側基板と、前記画素電極が対向する対向
電極を設けた裏面側基板とを、その電極形成面を互いに
対向させて配置し、この両基板間に高分子層中に液晶を
分散させた液晶/高分子複合膜を設けてなり、かつ、前
記裏面側基板の対向電極は、光を反射させる金属膜で形
成するとともに、この対向電極の上に蛍光体膜を設けた
ことを特徴とするものである。
リックス液晶表示素子は、複数の透明画素電極とこれら
各画素電極にそれぞれ対応する複数の能動素子とを配設
した透明な表面側基板と、前記画素電極が対向する対向
電極を設けた裏面側基板とを、その電極形成面を互いに
対向させて配置し、この両基板間に高分子層中に液晶を
分散させた液晶/高分子複合膜を設けてなり、かつ、前
記裏面側基板の対向電極は、光を反射させる金属膜で形
成するとともに、この対向電極の上に蛍光体膜を設けた
ことを特徴とするものである。
【0007】
【作用】すなわち、本発明のアクティブマトリックス液
晶表示素子は、液晶/高分子複合膜での光の散乱と透過
とを利用して表示するものであり、この複合膜の高分子
層中に分散している液晶の分子は、電界が印加されてい
ない状態では様々な方向を向いており、この状態では、
液晶表示素子の表面側から入射した光が前記複合膜にお
いて散乱され、表示が暗状態になる。また、画素電極と
対向電極との間に電界を印加すると、液晶分子が立上り
配向するため、表面側からの入射光がほとんど散乱され
ることなく複合膜を透過し、この透過光が裏面側基板の
金属膜からなる対向電極で反射されて、表示が明状態に
なる。
晶表示素子は、液晶/高分子複合膜での光の散乱と透過
とを利用して表示するものであり、この複合膜の高分子
層中に分散している液晶の分子は、電界が印加されてい
ない状態では様々な方向を向いており、この状態では、
液晶表示素子の表面側から入射した光が前記複合膜にお
いて散乱され、表示が暗状態になる。また、画素電極と
対向電極との間に電界を印加すると、液晶分子が立上り
配向するため、表面側からの入射光がほとんど散乱され
ることなく複合膜を透過し、この透過光が裏面側基板の
金属膜からなる対向電極で反射されて、表示が明状態に
なる。
【0008】このため、この液晶表示素子は、TN型の
液晶表示素子に必要不可欠な偏光板が不要であり、した
がって偏光板での光吸収による光量ロスが無い。しか
も、この液晶表示素子においては、上記対向電極の上
に、光が当ると蛍光を発する蛍光体膜を設けているた
め、前記対向電極で反射される光が前記蛍光体膜を通っ
てこの蛍光体膜に蛍光を発生させるから、その蛍光によ
って明表示がより明るくなる。
液晶表示素子に必要不可欠な偏光板が不要であり、した
がって偏光板での光吸収による光量ロスが無い。しか
も、この液晶表示素子においては、上記対向電極の上
に、光が当ると蛍光を発する蛍光体膜を設けているた
め、前記対向電極で反射される光が前記蛍光体膜を通っ
てこの蛍光体膜に蛍光を発生させるから、その蛍光によ
って明表示がより明るくなる。
【0009】このように、本発明の液晶表示素子は、T
N型素子のような偏光板での光吸収による光量ロスが無
く、しかも蛍光体膜が発する蛍光によって明表示がより
明るくなるため、反射型のものでありながら、非常に明
るい画面を得ることができる。
N型素子のような偏光板での光吸収による光量ロスが無
く、しかも蛍光体膜が発する蛍光によって明表示がより
明るくなるため、反射型のものでありながら、非常に明
るい画面を得ることができる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図1はアクティブマトリックス液晶表示素子の
一部分の断面図であり、図において上側の基板1は表面
側基板、下側の基板2は裏面側基板である。
明する。図1はアクティブマトリックス液晶表示素子の
一部分の断面図であり、図において上側の基板1は表面
側基板、下側の基板2は裏面側基板である。
【0011】上記表面側基板1は、ガラス板等からなる
透明な絶縁性基板であり、この表面側基板1の上には、
行方向および列方向に配列された複数の透明な画素電極
3と、これら各画素電極3にそれぞれ対応する複数の能
動素子4とが配設されている。
透明な絶縁性基板であり、この表面側基板1の上には、
行方向および列方向に配列された複数の透明な画素電極
3と、これら各画素電極3にそれぞれ対応する複数の能
動素子4とが配設されている。
【0012】上記能動素子4は例えばTFT(薄膜トラ
ンジスタ)であり、このTFT4は、基板1上に形成さ
れたゲート電極5と、このゲート電極5を覆うゲート絶
縁膜6と、前記ゲート絶縁膜6の上に前記ゲート電極5
と対向させて形成されたa−Si (アモルファスシリコ
ン)等からなる半導体膜7と、この半導体膜7の両側部
の上に形成されたソース電極8およびドレイン電極9と
で構成されている。
ンジスタ)であり、このTFT4は、基板1上に形成さ
れたゲート電極5と、このゲート電極5を覆うゲート絶
縁膜6と、前記ゲート絶縁膜6の上に前記ゲート電極5
と対向させて形成されたa−Si (アモルファスシリコ
ン)等からなる半導体膜7と、この半導体膜7の両側部
の上に形成されたソース電極8およびドレイン電極9と
で構成されている。
【0013】なお、図示しないが、表面側基板1の上に
は、上記TFT4にゲート信号を供給するゲートライン
(アドレスライン)と、前記TFT4に画像データに応
じたデータ信号を供給するデータラインとが配線されて
おり、TFT4のゲート電極5は前記ゲートラインに一
体に形成され、ドレイン電極9は前記データラインにつ
ながっている。
は、上記TFT4にゲート信号を供給するゲートライン
(アドレスライン)と、前記TFT4に画像データに応
じたデータ信号を供給するデータラインとが配線されて
おり、TFT4のゲート電極5は前記ゲートラインに一
体に形成され、ドレイン電極9は前記データラインにつ
ながっている。
【0014】また、上記TFT4のゲート絶縁膜6は、
Si N(窒化シリコン)等からなる透明絶縁膜であり、
画素電極3は前記ゲート絶縁膜6の上に形成され、その
一端部において対応するTFT4のソース電極8に接続
されている。
Si N(窒化シリコン)等からなる透明絶縁膜であり、
画素電極3は前記ゲート絶縁膜6の上に形成され、その
一端部において対応するTFT4のソース電極8に接続
されている。
【0015】一方、上記裏面側基板2は、ガラス板等か
らなる絶縁性基板(ただし、透明である必要はない)で
あり、この裏面側基板2には、そのほぼ全面にわたっ
て、上記表面側基板1の全ての画素電極3に対向する対
向電極10が設けられている。この対向電極10は、A
l (アルミニウム)等の光反射率の高い金属膜からなっ
ており、液晶表示素子の表面側から入射した光を反射さ
せる反射膜を兼ねている。
らなる絶縁性基板(ただし、透明である必要はない)で
あり、この裏面側基板2には、そのほぼ全面にわたっ
て、上記表面側基板1の全ての画素電極3に対向する対
向電極10が設けられている。この対向電極10は、A
l (アルミニウム)等の光反射率の高い金属膜からなっ
ており、液晶表示素子の表面側から入射した光を反射さ
せる反射膜を兼ねている。
【0016】また、上記対向電極10の上には、光が当
ると蛍光を発する蛍光体膜11が設けられている。この
蛍光体膜11は、透明な樹脂基材に粒状の蛍光物質を点
在状態で混入させたものである。なお、この実施例で
は、蛍光体膜11として、異なる色の蛍光を発する複数
の蛍光体膜、例えば、赤の蛍光を発する蛍光体膜と、緑
の蛍光を発する蛍光体膜と、青の蛍光を発する蛍光体膜
とを用い、これら蛍光体膜を、表面側基板1の各画素電
極3にそれぞれ対向させて、交互に並べて配設してい
る。
ると蛍光を発する蛍光体膜11が設けられている。この
蛍光体膜11は、透明な樹脂基材に粒状の蛍光物質を点
在状態で混入させたものである。なお、この実施例で
は、蛍光体膜11として、異なる色の蛍光を発する複数
の蛍光体膜、例えば、赤の蛍光を発する蛍光体膜と、緑
の蛍光を発する蛍光体膜と、青の蛍光を発する蛍光体膜
とを用い、これら蛍光体膜を、表面側基板1の各画素電
極3にそれぞれ対向させて、交互に並べて配設してい
る。
【0017】そして、上記表面側基板1と裏面側基板2
とは、その外周縁部において図示しない枠状のシール材
を介して接合されており、これら基板1,2間の前記シ
ール材で囲まれた領域に、液晶/高分子複合膜20が設
けられている。
とは、その外周縁部において図示しない枠状のシール材
を介して接合されており、これら基板1,2間の前記シ
ール材で囲まれた領域に、液晶/高分子複合膜20が設
けられている。
【0018】この液晶/高分子複合膜20は、高分子層
中に液晶を分散させたものであり、この複合膜20は、
スポンジのような断面をもつようにポリマー化した高分
子層21の各空隙部にそれぞれ液晶が閉じ込められた構
造をなしている。図1において、22は複合膜20中の
液晶部(液晶が閉じ込められた部分)である。
中に液晶を分散させたものであり、この複合膜20は、
スポンジのような断面をもつようにポリマー化した高分
子層21の各空隙部にそれぞれ液晶が閉じ込められた構
造をなしている。図1において、22は複合膜20中の
液晶部(液晶が閉じ込められた部分)である。
【0019】なお、この実施例では、前記液晶に誘電異
方性が正のネマティック液晶を用い、この液晶中に黒色
系の二色性染料を混入させている。図2は上記複合膜2
0の1つの液晶部22の無電界状態と電界印加状態にお
ける拡大断面図であり、図において、Aは液晶の分子を
示し、Bは前記二色性染料の分子を示している。
方性が正のネマティック液晶を用い、この液晶中に黒色
系の二色性染料を混入させている。図2は上記複合膜2
0の1つの液晶部22の無電界状態と電界印加状態にお
ける拡大断面図であり、図において、Aは液晶の分子を
示し、Bは前記二色性染料の分子を示している。
【0020】上記液晶表示素子は、例えば、一対の基板
1,2をシール材を介して接合した後、この両基板1,
2間に、前記シール材の一部を欠落させて形成しておい
た注入口から、光によって重合反応する高分子材料と二
色性染料を添加した液晶との混合溶液を真空注入法によ
り注入充填し、この充填溶液に、透明基板である表面側
基板1側から紫外線を照射して前記高分子材料を光重合
させる方法で製造することができる。なお、前記注入口
は、溶液の充填後か、あるいは高分子の光重合後に封止
する。
1,2をシール材を介して接合した後、この両基板1,
2間に、前記シール材の一部を欠落させて形成しておい
た注入口から、光によって重合反応する高分子材料と二
色性染料を添加した液晶との混合溶液を真空注入法によ
り注入充填し、この充填溶液に、透明基板である表面側
基板1側から紫外線を照射して前記高分子材料を光重合
させる方法で製造することができる。なお、前記注入口
は、溶液の充填後か、あるいは高分子の光重合後に封止
する。
【0021】このように、基板1,2間に充填した上記
混合溶液に紫外線を照射すると、モノマーあるいはオリ
ゴマーの状態にある高分子材料が、その二重結合が解け
ることによってラジカル化し、隣り合う分子のラジカル
が互いに結合し合うラジカル重合反応により高分子とな
って、この高分子材料のポリマー化により液晶が相分離
する。
混合溶液に紫外線を照射すると、モノマーあるいはオリ
ゴマーの状態にある高分子材料が、その二重結合が解け
ることによってラジカル化し、隣り合う分子のラジカル
が互いに結合し合うラジカル重合反応により高分子とな
って、この高分子材料のポリマー化により液晶が相分離
する。
【0022】このため、ポリマー化した高分子層21は
スポンジのような断面をもち、この高分子層21の各隙
間部にそれぞれ液晶が閉じ込められて、上述した構造の
液晶/高分子複合膜20が形成される。なお、この複合
膜20の形成方法は、光重合相分離法と呼ばれる方法で
ある。
スポンジのような断面をもち、この高分子層21の各隙
間部にそれぞれ液晶が閉じ込められて、上述した構造の
液晶/高分子複合膜20が形成される。なお、この複合
膜20の形成方法は、光重合相分離法と呼ばれる方法で
ある。
【0023】上記アクティブマトリックス液晶表示素子
は、液晶/高分子複合膜20での光の散乱と透過とを利
用して表示するものであり、この複合膜20の高分子2
1層中に分散している液晶部22の液晶の分子Aは、電
界が印加されていない状態では図2の(a)のように様
々な方向を向いており、同様に二色性染料の分子Bも様
々な方向を向いているため、この無電界状態では、液晶
表示素子の表面側から入射した光が、前記複合膜20を
通る際に、その液晶部22と高分子層21との界面およ
び液晶部22の液晶の光散乱作用により散乱されるとと
もに、この散乱光の大部分が二色性染料によって吸収さ
れる。
は、液晶/高分子複合膜20での光の散乱と透過とを利
用して表示するものであり、この複合膜20の高分子2
1層中に分散している液晶部22の液晶の分子Aは、電
界が印加されていない状態では図2の(a)のように様
々な方向を向いており、同様に二色性染料の分子Bも様
々な方向を向いているため、この無電界状態では、液晶
表示素子の表面側から入射した光が、前記複合膜20を
通る際に、その液晶部22と高分子層21との界面およ
び液晶部22の液晶の光散乱作用により散乱されるとと
もに、この散乱光の大部分が二色性染料によって吸収さ
れる。
【0024】このため、無電界状態では、上記複合膜2
0を通って裏面側基板2上の蛍光体膜11およびその下
の反射膜を兼ねる対向電極10に達する光量は極く僅か
であり、したがって、前記蛍光体膜11が発する蛍光量
および対向電極10からの反射光量が少ないし、また、
これらの光は前記複合膜20を再び通る際に上述したよ
うに散乱および吸収されるから、表面側に出射する光が
ほとんど無く、表示がほぼ黒の暗状態になる。
0を通って裏面側基板2上の蛍光体膜11およびその下
の反射膜を兼ねる対向電極10に達する光量は極く僅か
であり、したがって、前記蛍光体膜11が発する蛍光量
および対向電極10からの反射光量が少ないし、また、
これらの光は前記複合膜20を再び通る際に上述したよ
うに散乱および吸収されるから、表面側に出射する光が
ほとんど無く、表示がほぼ黒の暗状態になる。
【0025】また、両基板1,2の画素電極3と対向電
極12との間に電界を印加すると、図2の(b)のよう
に、上記複合膜20の液晶部22の液晶の分子Aが基板
1,2面に対してほぼ垂直になるように一様に立上り配
向し、それに連れて二色性染料の分子Bも立上り配向す
るため、この電界印加状態では、液晶表示素子の表面側
から入射した光が、複合膜20での光散乱作用をほとん
ど受けることなく、また二色性染料による吸収もほとん
ど受けずに複合膜20を透過する。
極12との間に電界を印加すると、図2の(b)のよう
に、上記複合膜20の液晶部22の液晶の分子Aが基板
1,2面に対してほぼ垂直になるように一様に立上り配
向し、それに連れて二色性染料の分子Bも立上り配向す
るため、この電界印加状態では、液晶表示素子の表面側
から入射した光が、複合膜20での光散乱作用をほとん
ど受けることなく、また二色性染料による吸収もほとん
ど受けずに複合膜20を透過する。
【0026】このため、電界印加状態では、入射光が上
記複合膜20を通って裏面側基板2上の蛍光体膜11に
達するとともに、この蛍光体膜11を通ってその下の反
射膜を兼ねる対向電極10にも達する。
記複合膜20を通って裏面側基板2上の蛍光体膜11に
達するとともに、この蛍光体膜11を通ってその下の反
射膜を兼ねる対向電極10にも達する。
【0027】そして、対向電極10に達した光は、この
対向電極10で反射され、蛍光体膜11に達した光はこ
の蛍光体膜11に蛍光を発生させるため、対向電極10
で反射された光と蛍光体膜11が発する蛍光とが上記複
合膜20を再び透過して表面側に出射し、表示が明状態
になる。この表示の色は、蛍光体膜11が発する蛍光の
色に対応し、蛍光体膜11中の蛍光物質量が多いほど色
度が高くなる。
対向電極10で反射され、蛍光体膜11に達した光はこ
の蛍光体膜11に蛍光を発生させるため、対向電極10
で反射された光と蛍光体膜11が発する蛍光とが上記複
合膜20を再び透過して表面側に出射し、表示が明状態
になる。この表示の色は、蛍光体膜11が発する蛍光の
色に対応し、蛍光体膜11中の蛍光物質量が多いほど色
度が高くなる。
【0028】なお、対向電極10で反射された光は、再
び蛍光体膜11を通って複合膜20に入るため、この反
射光のうちのある程度の光が蛍光体膜11中において蛍
光物質に当るが、この蛍光物質に当った光は前記蛍光物
質に蛍光を発生させるエネルギーとなる。また、前記蛍
光物質は、可視光だけでなく、可視光帯域外の波長光に
よっても蛍光を発するため、蛍光体膜11から発せられ
る蛍光は高輝度の光であり、したがって、上述した暗表
示と前記明表示との明暗比が大きい、高コントラストの
表示が得られる。
び蛍光体膜11を通って複合膜20に入るため、この反
射光のうちのある程度の光が蛍光体膜11中において蛍
光物質に当るが、この蛍光物質に当った光は前記蛍光物
質に蛍光を発生させるエネルギーとなる。また、前記蛍
光物質は、可視光だけでなく、可視光帯域外の波長光に
よっても蛍光を発するため、蛍光体膜11から発せられ
る蛍光は高輝度の光であり、したがって、上述した暗表
示と前記明表示との明暗比が大きい、高コントラストの
表示が得られる。
【0029】すなわち、上記液晶表示素子は、液晶/高
分子複合膜20での光の散乱と透過とを利用して表示す
るものであり、そのためTN型の液晶表示素子に必要不
可欠な偏光板が不要であるから、偏光板での光吸収によ
る光量ロスが無い。
分子複合膜20での光の散乱と透過とを利用して表示す
るものであり、そのためTN型の液晶表示素子に必要不
可欠な偏光板が不要であるから、偏光板での光吸収によ
る光量ロスが無い。
【0030】しかも、この液晶表示素子においては、裏
面側基板2に設けた対向電極10を反射膜を兼ねる電極
とし、この対向電極10の上に、光が当ると蛍光を発す
る蛍光体膜11を設けているため、前記対向電極10で
反射される光が蛍光体膜11を通ってこの蛍光体膜11
に蛍光を発生させるから、その蛍光によって明表示がよ
り明るくなる。
面側基板2に設けた対向電極10を反射膜を兼ねる電極
とし、この対向電極10の上に、光が当ると蛍光を発す
る蛍光体膜11を設けているため、前記対向電極10で
反射される光が蛍光体膜11を通ってこの蛍光体膜11
に蛍光を発生させるから、その蛍光によって明表示がよ
り明るくなる。
【0031】このように、上記液晶表示素子は、TN型
素子のような偏光板での光吸収による光量ロスが無く、
しかも蛍光体膜11が発する蛍光によって出射光がより
明るくなるため、TN型のものに比べて、非常に明るい
画面を得ることができる。
素子のような偏光板での光吸収による光量ロスが無く、
しかも蛍光体膜11が発する蛍光によって出射光がより
明るくなるため、TN型のものに比べて、非常に明るい
画面を得ることができる。
【0032】なお、上記実施例では、液晶/高分子複合
膜20の液晶にネマティック液晶を用いているが、この
液晶はコレステリック液晶であってもよく、このコレス
テリック液晶は、無電界状態での分子配列構造が螺旋構
造をもっているため、光散乱性が高いから、暗表示をよ
り暗くして、表示のコントラストをさらに高くすること
ができる。
膜20の液晶にネマティック液晶を用いているが、この
液晶はコレステリック液晶であってもよく、このコレス
テリック液晶は、無電界状態での分子配列構造が螺旋構
造をもっているため、光散乱性が高いから、暗表示をよ
り暗くして、表示のコントラストをさらに高くすること
ができる。
【0033】さらに、上記実施例では、液晶/高分子複
合膜20を、液晶中に二色性染料を混入したものとして
いるが、この複合膜20は、液晶中に二色性染料を混入
していないものでもよく、その場合でも、無電界状態で
の光の散乱と、電界印加状態における光の透過とによる
表示を行なうことができる。また、能動素子は、TFT
に限らずMIM等でもよい。
合膜20を、液晶中に二色性染料を混入したものとして
いるが、この複合膜20は、液晶中に二色性染料を混入
していないものでもよく、その場合でも、無電界状態で
の光の散乱と、電界印加状態における光の透過とによる
表示を行なうことができる。また、能動素子は、TFT
に限らずMIM等でもよい。
【0034】
【発明の効果】本発明のアクティブマトリックス液晶表
示素子は、複数の透明画素電極とこれら各画素電極にそ
れぞれ対応する複数の能動素子とを配設した透明な表面
側基板と、前記画素電極が対向する対向電極を設けた裏
面側基板とを、その電極形成面を互いに対向させて配置
し、この両基板間に高分子層中に液晶を分散させた液晶
/高分子複合膜を設けてなり、かつ、前記裏面側基板の
対向電極は、光を反射させる金属膜で形成するととも
に、この対向電極の上に蛍光体膜を設けたものであるか
ら、反射型のものでありながら、非常に明るい画面を得
ることができる。
示素子は、複数の透明画素電極とこれら各画素電極にそ
れぞれ対応する複数の能動素子とを配設した透明な表面
側基板と、前記画素電極が対向する対向電極を設けた裏
面側基板とを、その電極形成面を互いに対向させて配置
し、この両基板間に高分子層中に液晶を分散させた液晶
/高分子複合膜を設けてなり、かつ、前記裏面側基板の
対向電極は、光を反射させる金属膜で形成するととも
に、この対向電極の上に蛍光体膜を設けたものであるか
ら、反射型のものでありながら、非常に明るい画面を得
ることができる。
【図1】本発明の一実施例を示す液晶表示素子の一部分
の断面図。
の断面図。
【図2】液晶/高分子複合膜の1つの液晶部の無電界状
態と電界印加状態における拡大断面図。
態と電界印加状態における拡大断面図。
1…表面側基板 2…裏面側基板 3…画素電極 4…能動素子(TFT) 10…対向電極(反射膜) 11…螢光体膜 20…液晶/高分子複合膜 21…高分子層 22…液晶部 A…液晶分子 B…二色性染料の分子
Claims (1)
- 【請求項1】複数の透明画素電極とこれら各画素電極に
それぞれ対応する複数の能動素子とを配設した透明な表
面側基板と、前記画素電極が対向する対向電極を設けた
裏面側基板とを、その電極形成面を互いに対向させて配
置し、この両基板間に高分子層中に液晶を分散させた液
晶/高分子複合膜を設けてなり、かつ、前記裏面側基板
の対向電極は、光を反射させる金属膜で形成するととも
に、この対向電極の上に蛍光体膜を設けたことを特徴と
するアクティブマトリックス液晶表示素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5249110A JPH07104275A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
US08/317,230 US5629783A (en) | 1993-10-05 | 1994-10-03 | Active matrix polymer dispersed liquid crystal display device with flourescent film |
DE69427109T DE69427109T2 (de) | 1993-10-05 | 1994-10-05 | Flüssigkristallanzeigegerät mit aktiver Matrix |
EP94115662A EP0646830B1 (en) | 1993-10-05 | 1994-10-05 | Active matrix liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5249110A JPH07104275A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07104275A true JPH07104275A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17188106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5249110A Pending JPH07104275A (ja) | 1993-10-05 | 1993-10-05 | アクティブマトリックス液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07104275A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0837354A2 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Pixel electrode substrate for reflection type liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus using the same and display apparatus using such liquid crystal apparatus |
KR100710971B1 (ko) * | 2003-04-01 | 2007-04-24 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치 및 전자 기기 |
CN100364121C (zh) * | 2004-09-10 | 2008-01-23 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
-
1993
- 1993-10-05 JP JP5249110A patent/JPH07104275A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0837354A2 (en) * | 1996-10-18 | 1998-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Pixel electrode substrate for reflection type liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus using the same and display apparatus using such liquid crystal apparatus |
EP0837354A3 (en) * | 1996-10-18 | 1999-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Pixel electrode substrate for reflection type liquid crystal apparatus, liquid crystal apparatus using the same and display apparatus using such liquid crystal apparatus |
US6166792A (en) * | 1996-10-18 | 2000-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Reflective LCD having reflectivity characteristics between electrodes and reflector |
KR100710971B1 (ko) * | 2003-04-01 | 2007-04-24 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치 및 전자 기기 |
CN100364121C (zh) * | 2004-09-10 | 2008-01-23 | 晶元光电股份有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
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