JP3529272B2 - 薄箔用アルミニウム箔地及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、食品及びその他の
包装、フィルムコンデンサ、ラベル又はたばこ等に使用
される箔、特に箔厚が１５μｍ以下の極薄のアルミニウ
ム箔用途に使用されるピンホール特性が優れたアルミニ
ウム箔地に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄箔用のアルミニウム又はアルミ
ニウム合金は、箔地材料としては、ＪＩＳ１Ｎ３０等の
純アルミニウム、８０７９合金又は８０２１合金等が使
用されている。なお、以下、純アルミニウム及びアルミ
ニウム合金を総称してアルミニウムという。アルミニウ
ム箔地は、一般的に、これらのアルミニウム鋳塊に均質
化処理、熱間圧延、冷間圧延及び中間焼鈍を施し、ま
た、必要に応じてその後、冷間圧延を施すことにより製
造されている。

【０００３】そして、得られたアルミニウム箔地に箔圧
延及び最終焼鈍を行うことによりアルミニウム箔が得ら
れる。ところで、５．５乃至７μｍのアルミニウム箔が
実用化されているが、箔需要は６乃至７μｍが大半であ
り、同じ厚さのアルミニウム箔は箔圧延での互換性の点
によりＪＩＳ１Ｎ３０を使用したいとの要望が強い。一
般的に、箔厚の減少に伴う問題点としては、ピンホール
が著しく増加し、箔が本来有するべき性能である光、気
体及び液体等に対するバリアー性が低下すると共に、ピ
ンホールによる圧延中の箔切れが生じ易いことが知られ
ている。

【０００４】薄箔の仕上箔圧延は通常重合圧延により行
われ、ピンホールはマット面うねりの最大のところがブ
ライト面オイルピット等と連結して生ずることが知られ
ている。また、ピンホールはオイルピット面等の表面欠
陥と比べて、主にマット粗度に支配されることも知られ
ている。更に、オイルピットは圧延条件（リダクション
・バックテンション）に主に支配され、マット面は結晶
粒の自由変形により形成されると考えられ、箔地により
支配される要因が大きい（特公平３−６０５６２号公
報、軽金属学会第７０回予行集３３，３４，３５）。

【０００５】そこで、マット面粗度を低減させるべく、
Ｆｅ含有量の増加や均質化処理以降の製造条件変更によ
りＦｅ固溶度を減少させ、結晶粒を微細化することによ
り加工硬化を抑制できる箔として特開昭６３−２６３２
２号公報等に開示されている。また、他の元素を添加す
るものも知られていて、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ及びＣｒの
添加により結晶粒の微細化及び加工硬化の抑制を発現す
ることができる箔として特開昭６３−２８２２２８号公
報、特開昭６３−２８２２４４号公報及び特開平８−３
３６４４号公報等に開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒを添加するアルミニウム箔地では前述
のような互換性のメリットがない。また、ＪＩＳ１Ｎ３
０相当の組成（Ｆｅ含有量のない場合）では、均質化処
理以降の製造条件変更により析出促進を行っても、箔厚
が６乃至７μｍのアルミニウム箔を得る箔圧延において
は、大きな加工硬化の抑制効果を得られないばかりか、
工程変更によっては結晶粒が逆に大きくなってしまうこ
ともあり、ピンホールの発生量の増加及び圧延中に箔切
れの頻発を生じ易い等の問題があった。

【０００７】本発明はかかる問題に鑑みてなされたもの
であり、ＪＩＳ１Ｎ３０相当の組成であっても、箔圧延
及びピンホール特性を損なうことなく、箔を薄箔化でき
るアルミニウム箔地及びその製造方法を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願第１発明に係る薄箔
用アルミニウム箔は、Ｆｅ：０．３乃至１．０重量％、
Ｓｉ：０．１５重量％未満を含有し、残部がＡｌ及び不
可避的不純物からなり、粒径が０．１乃至０．８μｍの
金属間化合物の平均粒子間距離が０．７乃至２．５μｍ
であると共に、７７Ｋにおける比抵抗値が３．１乃至
３．４ｎΩ・ｍであることを特徴とする。

【０００９】本願第２発明に係る薄箔用アルミニウム箔
の製造方法は、Ｆｅ：０．３乃至１．０重量％、Ｓｉ：
０．１５重量％未満を含有し、残部がＡｌ及び不可避的
不純物である組成のアルミニウム合金の溶湯を、凝固時
の冷却速度を０．３乃至３．０℃／ｓｅｃで半連続鋳造
し、面削した後、４００乃至６２０℃の温度範囲で均質
化処理を施し、終了温度が２００乃至２６０℃の温度範
囲となるように仕上熱間圧延し、前記仕上熱間圧延終了
後に圧延率５０％以上の冷間圧延を行い、３００乃至４
５０℃で２時間以上の中間焼鈍を施し、更に冷間圧延を
することにより、粒径が０．１乃至０．８μｍの金属間
化合物の平均粒子間距離が０．７乃至２．５μｍである
と共に、７７Ｋにおける比抵抗値が３．１乃至３．４ｎ
Ω・ｍであるアルミニウム箔地を製作することを特徴と
する。

【００１０】本発明においては、前記アルミニウム合金
に添加するＣｕの添加量が０．００２重量％以下である
と共に、Ｔｉの添加量も０．００３重量％以下であるこ
とが好ましい。

【００１１】また、本発明においては、鋳造凝固時の冷
却速度、均質化処理条件、仕上熱間圧延、冷間圧延率及
び中間焼鈍条件の制御により平均粒子間距離の適正化を
図ることにより、箔圧延性に優れ、箔圧延後、ピンホー
ルの発生数が少ないアルミニウム箔地を得ることができ
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明者等らは、これまでのアル
ミニウム箔及び箔地に関する研究から、ピンホールを少
なくすることは、マット面粗度を低くすること、即ち、
仕上箔圧延時の変形ブロックを微小化することが必要で
あることを見出した。更には、マット面は結晶粒サイズ
のみではなく、転位セルサイズの自由変形によっても形
成されることも見出した。また、ピンホールを少なくす
るには、加工硬化を抑制することが有効であることは知
られているが、これは、転位整理によるサブグレイン化
により達成されることも究明した。

【００１３】そこで、前述の特性を発現するアルミニウ
ム箔地を開発するため、鋭意研究を重ねた結果、粒径が
０．１乃至０．８μｍの金属間化合物の平均粒子間距離
を転位セルサイズに調整することが有効であることを見
出した。また、ＪＩＳ１Ｎ３０組成の場合には、この平
均粒子間距離の適正化は、従来行われてきた均質化処理
以降の製造条件変更のみでは、調整困難であり、鍛造条
件の適正化と均質化処理以降の箔地製造条件を組合せて
制御することにより、その目的が達成されることを見出
した。本発明はこの知見に基づいてなされたものであ
る。

【００１４】即ち、本発明においては、Ｆｅ：０．３乃
至１．０重量％、Ｓｉ：０．１５重量％未満を含有し、
残部がＡｌ及び不可避的不純物である組成のアルミニウ
ム合金の溶湯を、凝固時の冷却速度を０．３乃至３．０
℃／ｓｅｃで半連続鋳造し、面削した後、４００乃至６
２０℃の温度範囲で均質化処理を施し、終了温度が２０
０乃至２６０℃の温度範囲となるように仕上熱間圧延
し、前記仕上熱間圧延終了後に圧延率５０％以上の冷間
圧延を行い、３００乃至４５０℃で２時間の中間焼鈍を
施し、更に冷間圧延をすることにより、粒径が０．１乃
至０．８μｍの金属間化合物の平均粒子間距離が０．７
乃至２．５μｍであると共に、７７Ｋにおける比抵抗値
が３．１乃至３．４ｎΩ・ｍであるアルミニウム箔地を
製作する。

【００１５】以下、本発明におけるアルミニウム箔地の
成分限定理由について説明する。

【００１６】Ｆｅ：０．３乃至１．０重量％ Ｆｅは、アルミニウムへの固溶度が小さく、アルミニウ
ム中において他の元素と結合してＡｌ−Ｆｅ系の金属間
化合物を生成する元素である。また、このＡｌ−Ｆｅ系
の金属間化合物は、再結晶の核として作用するために、
Ｆｅ添加は結晶粒の微細化に効果がある。Ｆｅ含有量が
０．３重量％未満の場合では、鋳造時に晶出する金属間
化合物の数が不十分であり、結晶粒を微細化する効果を
得にくい。一方、Ｆｅ含有量が１．０重量％を超える場
合には、Ａｌ−Ｆｅ系の金属間化合物の数が多く形成さ
れるので、結晶粒の微細化効果は大きいが、箔圧延時の
変形抵抗が増大するため、圧延性が極端に低下する。従
って、Ｆｅ含有量は０．３乃至１．０重量％とする。

【００１７】Ｓｉ：０．１５重量％未満 Ｓｉは、地金中の不可避的不純物の１つである。Ｓｉ
は、粗大なＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間化合物を生成し易
く、ピンホールが増大する原因となるため、少ない方が
良い。このため、Ｓｉ含有量は０．１５重量％未満であ
ることが望ましい。

【００１８】粒径が０．１乃至０．８μｍの金属間化合
物の平均粒子間距離：０．７乃至２．５μｍ 粒径が０．１乃至０．８μｍの金属間化合物は、主に析
出物であり、均質化処理、熱間圧延及び中間焼鈍にて生
成する。これらの金属間化合物の分布は、箔圧延中の転
位蓄積及び整理に作用するために、その後の重合圧延に
おけるセルオーダーの変形ブロックサイズに影響を及ぼ
す。変形ブロックサイズの金属間化合物の平均粒子間距
離が０．７μｍ未満の場合には、重合圧延前パスでピン
止めとなり、即ち、転位蓄積が過多となり、後の重合圧
延にて複数の転位セル単位での変形ブロックとなるため
に、マット面が粗くなり、ピンホールが多発する。一
方、変形ブロックサイズの金属間化合物の平均粒子間距
離が２．５μｍを超える場合には、重合圧延前パスでの
転位整理は容易となり、単一セルでの変形ブロックとな
るが、粗大セルが形成され易いために、マット面が粗く
なり、ピンホールが多発する。従って、粒径が０．１乃
至０．８μｍの金属間化合物の平均粒子間距離は０．７
乃至２．５μｍとする。

【００１９】７７Ｋにおける比抵抗値：３．１乃至３．
４ｎΩ・ｍ ７７Ｋにおける比抵抗値は、不純物の固溶量に対応し、
箔圧延時の加工硬化挙動と軟質強度に影響する。７７Ｋ
における比抵抗値が３．１ｎΩ・ｍ未満の場合には、余
りに転位整理が容易になりすぎ、上がり前々での転位整
理が上がり前での転位蓄積を生じ、後の重合圧延にて複
数の転位セル単位での変形ブロックになるために、マッ
ト面が粗くなり、ピンホールが多発する。一方、７７Ｋ
における比抵抗値が３．４ｎΩ・ｍを超える場合には、
高い軟質強度は得られるが、重合圧延前パスで充分に転
位が整理されず、複数セルでの変形ブロックとなるため
に、マット面が粗くなり、ピンホールの多発する。従っ
て、７７Ｋにおける比抵抗値は３．１乃至３．４ｎΩ・
ｍとする。

【００２０】Ｃｕ：０．０２重量％以下 Ｃｕは、アルミニウム中に固溶する元素であり、固溶硬
化によるＯ材強度の向上に有効であり、必要に応じて添
加しても良い。Ｃｕ含有量が０．００５重量％未満の場
合には、固溶硬化が不十分であり、Ｏ材強度を向上する
強度を得にくい。一方、Ｃｕ含有量が０．０２重量％を
超える場合には、固溶硬化の程度が大きすぎ、箔圧延時
の変形抵抗が増大するため、圧延性が極端に低下する。
従って、Ｃｕは、０．０２重量％以下であれば、必要に
応じて添加しても良い。

【００２１】Ｔｉ：０．０３重量％以下 Ｔｉは、Ａｌ−Ｔｉ又はＡｌ−Ｔｉ−Ｂ母合金として添
加され、鋳塊組織を微細化するために使用される。箔圧
延後に筋模様が問題となる場合には、０．０３重量％以
下の範囲で添加しても良いが、添加しないで羽毛状晶と
した方が鋳塊で晶出する金属間化合物が微細になるた
め、筋模様に支障がなければＴｉは少ない方が好まし
い。従ってＴｉは、０．０３重量％以下であれば、必要
に応じて添加しても良い。

【００２２】不可避的不純物 アルミニウムに含有する前記以外の不可避的不純物とし
ては、Ｍｎ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｖ，Ｚｒ，Ｂｉ，Ｓ
ｎ，Ｉｎ，Ｐｂ等が挙げられるが、ＪＩＳ１１００及Ｊ
ＩＳ１Ｎ３０程度の含有範囲であれば本発明の目的を損
なうものではない。

【００２３】次に、本発明におけるアルミニウム箔地の
製造方法における条件処理の限定理由について説明す
る。

【００２４】凝固時の冷却速度：０．３乃至３．０℃／
ｓｅｃ 前述のように、箔として優れたピンホール特性を発現す
るためには、箔地で粒径が０．１乃至０．８μｍの金属
間化合物の平均粒子間距離を適性化する必要がある。こ
の平均粒子間距離の適性化は、従来行われてきた均質化
処理以降の製造条件の変更のみでは調整困難であり、鋳
造条件の適正化と均質化処理以降の箔地製造条件を組み
合わせて制御することにより、その目的は達成される。
即ち、凝固時の冷却速度を適正化することは平均粒子間
距離を適正化することとなり、ピンホールの低減に寄与
する。

【００２５】凝固時の冷却速度が３．０℃／ｓｅｃを超
えた場合には、造塊されたスラブは、その後の均質化処
理、熱間圧延処理及び中間焼鈍により、過飽和固溶した
Ｆｅが微細析出物として排出され、粒径が０．３μｍ以
下の析出物数を極端に増加させ、粒径が０．１乃至０．
８μｍの金属間化合物の平均粒子間距離が狭くなり、ピ
ンホールの多発を招く。一方、０．３℃／ｓｅｃ未満の
場合には、グラススクリーン内で浮遊晶を生じるため、
圧延用スラブとして造塊することは困難となる。従っ
て、凝固時の冷却速度は０．３乃至３．０℃／ｓｅｃと
する。好ましくは、凝固時の冷却速度は０．３乃至２．
４℃／ｓｅｃである。

【００２６】均質化処理：４００乃至６２０℃ 本発明の組成及び造塊条件のスラブを面削した後、均質
化処理を施す。この均質化処理は、固溶及び析出調整を
目的として行われ、粒径が０．１乃至０．８μｍの金属
間化合物の平均粒子間距離を適正化する重要な処理であ
り、ピンホールの低減に寄与する。均質化処理温度が４
００℃未満の場合には、固溶元素の析出による析出数が
不十分となり、平均粒子間距離を広くするため、ピンホ
ールの多発を招く。なお、長時間の焼鈍を行う場合には
均質化処理温度が４００℃未満でも固溶元素が充分に析
出するが、生産効率が悪くなるために好ましくない。一
方、均質化処理温度が６２０℃を超える場合には、固溶
元素の析出による析出数が不十分となり、平均粒子間距
離を広くするため、ピンホールの多発を招く。従って、
均質化処理温度は、４００乃至６２０℃とする。この均
質化処理時間は特に規定するものではないが、２時間以
上行うことが好ましい。

【００２７】圧延率：５０％以上、中間焼鈍：３００乃
至４５０℃ 前述の均質化処理の後、熱間圧延し、次に冷間圧延を施
し、更に中間焼鈍する。この焼鈍は固溶元素の析出及び
再結晶を目的として行われるものであるが、前述の平均
粒子間距離は、中間焼鈍温度及び仕上げ熱間圧延終了後
の冷間圧延における圧延率に影響される。この冷間圧延
率が５０％未満又は中間焼鈍温度が３００℃未満の場合
には、固溶元素の析出による析出数が不十分となり、平
均粒子間距離を広くすると共に、比抵抗値の上昇を招く
ことになる。このためにピンホールの多発を招く。一
方、中間焼鈍温度が４５０℃を超える場合でも、固溶元
素の析出による析出数が不十分となり、平均粒子間距離
を広くすると共に、比抵抗値の上昇を招くことになる。
このためにピンホールの多発を招く。従って、中間焼鈍
温度は３００乃至４５０℃とする。この中間焼鈍時間は
特に規定するものではないが、２時間以上行うことが好
ましい。なお、中間焼鈍温度が３２０℃未満の場合で
は、比抵抗値の著しい低下を生じるために、ピンホール
の多発を招く。よって、中間焼鈍温度は、好ましくは３
２０乃至４５０℃とする。

【００２８】仕上熱間圧延終了温度：２００乃至２６０
℃ 箔地の固溶度（比抵抗値）調整には、仕上熱間圧延終了
温度の管理が有効である。仕上熱間圧延終了温度が２０
０℃未満の場合には、箔地として必要なコイル形状が得
られず、箔圧延での圧延性に劣る。一方、仕上熱間圧延
終了温度が２６０℃を超える場合には、比抵抗値の低下
を招き、ピンホールが多発する。従って、仕上熱間圧延
終了温度を２００乃至２６０℃の範囲で終了する必要が
ある。

【００２９】

【実施例】以下、本発明に係るアルミニウム箔地につい
てその比較例と比較して具体的に説明する。

【００３０】第１実施例 下記表１に示す組成を有するアルミニウム溶湯を下記表
２に示す凝固時の冷却速度で半連続鋳造し、スラブを面
削した後、５５０℃の温度で５時間の均質化処理を行
い、その直後に熱間圧延を開始し、２４０℃で熱間圧延
を終了し、板厚５ｍｍのアルミニウム板を得た。その
後、圧延率８６％で冷間圧延を行い、得た板を３７５℃
の温度で４時間の中間焼鈍を行った。更に、冷間圧延し
て、厚さが０．３ｍｍのアルミニウム箔地を製作した。

【００３１】得られたアルミニウム箔地を、箔圧延して
厚さが６μｍのアルミニウム箔を作製し、箔圧延時にお
ける圧延性について評価した。その結果、圧延時におい
て円滑に圧延できた場合を○（良好）、同一圧延条件に
おいて、薄肉化が困難であるか、強度不足により圧延速
度を速くできない又は板厚分布等の平面性制御が困難等
のトラブルが発生する傾向が強かった場合を×（不良）
とした。なお、造塊時に浮遊晶の発生により、圧延用と
してスラブが取れなかったものも×（不良）とした。

【００３２】また、前述のアルミニウム箔地を箔圧延
し、常法に従い最終焼鈍を施した厚さ６μｍのアルミニ
ウム箔を、幅が１５ｍｍ、有効長さが１００ｍｍの短冊
状に形成して試験片を製作した。この試験片をインスト
ロン式の引張試験機により引張強さを測定し、これをＯ
材の強度とした。Ｏ材の強度は、６０ＭＰａ未満が劣
り、６０乃至７５ＭＰａが優れ、７５ＭＰａを超えるも
のが特に優れることを示す。

【００３３】更に、厚さが６μｍのアルミニウム箔につ
いて、ピンホール検知機により１ｍ ^２ 当たりのピンホー
ル数（直径５μｍ以上のもの）を測定した。ピンホール
は１００個／ｍ^２以下が優れる。

【００３４】なお、下記表２に示す凝固時の冷却速度、
平均粒子間距離及び比抵抗値は以下に示す方法で測定し
た。

【００３５】凝固時の冷却速度は、造塊後の鋳塊により
湯底側の定常部を採取し、次に長辺面中央部の表皮より
１００ｍｍの位置より小片を採取し、更に電解研磨の後
に交線法と二次枝法にてＤＡＳを測定することにより算
出した。詳細には、軽金属学会の研究報告書No.２０
「アルミニウムのデントライトアームスペーシングと冷
却速度の測定法」に記載の方法にて行い、交線法と二次
枝法との測定値補正は数式１に示される経験式を使用し
た。凝固時の冷却速度の算出については、Ｆｅ量が０．
６５重量％以下の場合は数式２を用い、Ｆｅ量が０．６
５重量％を超える場合は数式３を用いて算出する。

【００３６】

【数１】ｄｒ＝１．４９×ｄｓ ｄｒ：交線法によるＤＡＳ、ｄｓ：二次枝法によるＤＡ
Ｓ

【００３７】

【数２】 ｄｓ＝３３．４×Ｃ^-0.33 Ｃ：凝固時の冷却速度

【００３８】

【数３】ｄｓ＝７７×Ｃ^-0.42 Ｃ：凝固時の冷却速度

【００３９】平均粒子間距離は、粒径が０．１乃至０．
８μｍの金属間化合物の平均粒子間距離である。この平
均粒子間距離は、透過型電子顕微鏡と画像処理装置を使
用して測定した。即ち、アルミニウム箔地より７．５ｍ
ｍ角の小片を採取し、厚さ０．１ｍｍに研磨後、直径３
ｍｍの円盤状に打ち抜いた。これを温度３５０℃、時間
５分の条件で転位除去処理を行い、次に、ジェット研磨
により厚さが５μｍの観察サンプルを作製した。これら
を倍率１００００倍にて析出物の観察をし、総面積が３
５１２μｍ²になる視野数の写真を撮影した。また、こ
の観察の際に、フリンジ法により観察点の厚さも測定す
ることにより、観察体積を算出した。更に、この観察体
積と画像処理によりカウントした粒径が０．１乃至０．
８μｍの総金属間化合物の数とにより平均粒子間距離を
算出した。

【００４０】比抵抗値は、箔地より幅５ｍｍ、長さ１２
０ｍｍの小片を採取し、これを温度３５０℃、時間５分
の歪取り焼鈍の後に、ブリッジ回路法で常温と液体窒素
中で測定した抵抗値によりマティーセンの式を使用して
７７Ｋにおける比抵抗値を算出した。

【００４１】上述の方法により測定及び評価した圧延
性、ピンホール数、Ｏ材強度、凝固時の冷却速度、平均
粒子間距離及び比抵抗値を下記表２にまとめて示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】

【表２】

【００４４】上記表２に示すように、実施例のNo.１乃
至６は、良好な圧延性を得た。また、ピンホール数及び
Ｏ材強度に関しても実施例No.１乃至６は、好ましい値
であり、全体に亘って良好なアルミニウム箔を得ること
ができた。

【００４５】一方、比較例No.２０は、ピンホール数及
びＯ材強度は良好であるものの、過剰なＦｅの添加によ
り圧延性が低下した。比較例No.２１は、圧延性は、良
好であったが、Ｆｅの添加不足により結晶粒を微細にす
ることができないために、ピンホール数及びＯ材強度が
実施例に比べて劣った。比較例２２及び２４は、圧延性
及びＯ材強度は良好であったが、比較例No.２２は過剰
なＳｉの添加により、比較例No.２４は過剰なＴｉの添
加により、多量のピンホールが発生した。比較例No.２
３は、Ｏ材強度は良好なものの、過剰なＣｕの添加によ
り、圧延性及びピンホール特性が実施例と比較して劣っ
た。

【００４６】比較例２６、２８、３０及び３２は、圧延
性及びＯ材強度は良好であるものの、鋳造凝固時の冷却
速度が請求項に規定された範囲よりも速すぎ、平均粒子
間距離が狭くなったために、マット面が粗くなり、極め
て多量のピンホールが発生した。比較例２５、２７、２
９及び３１は、鋳造凝固時の冷却速度が請求項に規定さ
れた範囲よりも遅すぎ、グラススクリーン内で浮遊晶を
生じたために、圧延用スラブが製作できなかったもので
ある。比較例No.３３は、請求項で規定した範囲よりも
比抵抗値が低いためにピンホールが多発すると共に、Ｏ
材強度も低くなった。比較例No.３４は、請求項で規定
した範囲よりも比抵抗値が高いためにピンホールの発生
量が実施例と比較して多かった。

【００４７】第２実施例 表１及び表２に示す実施例No.１、４及び６と組成及び
凝固時の冷却速度がそれぞれ同じ鋳塊について、面削し
た後、表３に示す条件で均質化処理を施し、その直後に
仕上熱間圧延を開始し表３に示す温度で仕上熱間圧延を
終了し、板厚５ｍｍのアルミニウム板を得た。その後、
表３に示す条件で冷間圧延及び中間焼鈍を施し、冷間圧
延して、厚さ０．３ｍｍのアルミニウム箔地を製作し
た。得られたアルミニウム箔地を箔圧延し、厚さが６μ
ｍのアルミニウム箔を製作した。

【００４８】前述の第１実施例と同様の方法で測定及び
評価した圧延性、ピンホール数、Ｏ材強度、平均粒子間
距離及び比抵抗値を下記表４に示す。

【００４９】

【表３】

【００５０】

【表４】

【００５１】表４に示すように、本実施例の実施例No.
７乃至１２については、良好な圧延性を得た。また、ピ
ンホール数及びＯ材強度についても同様に実施例No.７
乃至１２については、好ましい値であり、全体にわたっ
て良好な箔を得ることができた。

【００５２】一方、比較例No.３５乃至４６は、圧延性
については良好であった。しかしながら、比較例No.３
５乃至４６においては、均質化処理温度、仕上熱間圧延
終了温度又は中間焼鈍処理温度若しくは圧延率が請求項
で規定した範囲から外れているために、平均粒子間距離
が広くなった。よって、マット面が粗くなり、ピンホー
ルが多発した。また、比較例No.４７は、仕上熱間圧延
終了温度が請求項に規定する範囲よりも低いために、良
好なコイル形状が得られなかった。よって、圧延性に劣
ると共に、ピンホールが多発した。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、鋳
造凝固時の冷却速度、均質化処理条件、仕上熱間圧延終
了温度、冷間圧延率及び中間焼鈍条件の制御により平均
粒子間距離の適正化を図ることにより、箔圧延性に優
れ、箔圧延後、ピンホールの発生数が少ないアルミニウ
ム箔地を得ることができる。

【００５４】更に、本発明によれば、比抵抗値を管理す
ることにより、箔圧延性に優れ、箔圧延後のピンホール
の発生数が少ないと共に、Ｏ材強度にも優れるアルミニ
ウム箔地を得ることができる。

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−257459（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−333644（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−25781（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−293931（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−337043（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−64754（ＪＰ，Ａ) 三木功，Ａｌ−Ｆｅ合金の凝固時にお ける鉄の挙度，軽金属，日本，軽金属学 会，1975年 １月，Ｖｏｌ．25，Ｎｏ. １，ｐ．１−９ (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C22C 21/00 - 21/18 C22F 1/04 - 1/057

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ：０．３乃至１．０重量％、Ｓｉ：
   ０．１５重量％未満を含有し、残部がＡｌ及び不可避的
   不純物からなり、粒径が０．１乃至０．８μｍの金属間
   化合物の平均粒子間距離が０．７乃至２．５μｍである
   と共に、７７Ｋにおける比抵抗値が３．１乃至３．４ｎ
   Ω・ｍであることを特徴とする薄箔用アルミニウム箔
   地。
2. 【請求項２】 Ｃｕの含有量が０．０２重量％以下であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の薄箔用アルミニウ
   ム箔地。
3. 【請求項３】 Ｔｉの含有量が０．０３重量％以下であ
   ることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄箔用アル
   ミニウム箔地。
4. 【請求項４】 Ｆｅ：０．３乃至１．０重量％、Ｓｉ：
   ０．１５重量％未満を含有し、残部がＡｌ及び不可避的
   不純物である組成のアルミニウム合金の溶湯を、凝固時
   の冷却速度を０．３乃至３．０℃／ｓｅｃで半連続鋳造
   し、面削した後、４００乃至６２０℃の温度範囲で均質
   化処理を施し、終了温度が２００乃至２６０℃の温度範
   囲となるように仕上熱間圧延し、前記仕上熱間圧延終了
   後に圧延率５０％以上の冷間圧延を行い、３００乃至４
   ５０℃で２時間以上の中間焼鈍を施し、更に冷間圧延を
   することにより、粒径が０．１乃至０．８μｍの金属間
   化合物の平均粒子間距離が０．７乃至２．５μｍである
   と共に、７７Ｋにおける比抵抗値が３．１乃至３．４ｎ
   Ω・ｍであるアルミニウム箔地を製作することを特徴と
   する薄箔用アルミニウム箔地の製造方法。
5. 【請求項５】 前記アルミニウム合金に添加するＣｕの
   添加量が０．０２重量％以下であることを特徴とする請
   求項４に記載の薄箔用アルミニウム箔地の製造方法。
6. 【請求項６】 前記アルミニウム合金に添加するＴｉの
   添加量が０．０３重量％以下であることを特徴とする請
   求項４又は５に記載の薄箔用アルミニウム箔地の製造方
   法。