JP3520700B2 - 光センサの製造方法 - Google Patents
光センサの製造方法Info
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- JP3520700B2 JP3520700B2 JP32442896A JP32442896A JP3520700B2 JP 3520700 B2 JP3520700 B2 JP 3520700B2 JP 32442896 A JP32442896 A JP 32442896A JP 32442896 A JP32442896 A JP 32442896A JP 3520700 B2 JP3520700 B2 JP 3520700B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光センサの製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光センサは車の空調制御や照明装
置の制御に用いられている。そして、小型で部品点数を
減らす方法として、受光素子（フォトダイオード等）と
トランジスタ等の信号処理回路を一つのチップ上に形成
した光センサＩＣがある。このセンサにおいては、外来
光の影響による回路素子の誤動作を防ぐために、回路素
子上に遮光部材を設置する必要がある。そのためには、
図２９に示すように、回路部（ＮＰＮトランジスタ）７
０を遮光膜７１にて覆うことが行われている（例えば、
「オプト・デバイス応用ノウハウ、谷善平編著、ＣＱ出
版社、改訂第１版、５６頁」）。つまり、図３０に示す
ように、回路の配線材（第１のメタル層）７２を配置し
た後、図３１に示すように、配線材（第１のメタル層）
７２の上に絶縁膜７３を形成し、図２９に示すように、
その上の所定領域に遮光膜としての第２のメタル層７１
を配置する。
置の制御に用いられている。そして、小型で部品点数を
減らす方法として、受光素子（フォトダイオード等）と
トランジスタ等の信号処理回路を一つのチップ上に形成
した光センサＩＣがある。このセンサにおいては、外来
光の影響による回路素子の誤動作を防ぐために、回路素
子上に遮光部材を設置する必要がある。そのためには、
図２９に示すように、回路部（ＮＰＮトランジスタ）７
０を遮光膜７１にて覆うことが行われている（例えば、
「オプト・デバイス応用ノウハウ、谷善平編著、ＣＱ出
版社、改訂第１版、５６頁」）。つまり、図３０に示す
ように、回路の配線材（第１のメタル層）７２を配置し
た後、図３１に示すように、配線材（第１のメタル層）
７２の上に絶縁膜７３を形成し、図２９に示すように、
その上の所定領域に遮光膜としての第２のメタル層７１
を配置する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、絶縁膜７３
は第１のメタル層７２を形成した後において形成される
ため、絶縁膜としてＳｉＯ2 膜を使用すべく熱酸化工程
を使うことができずＣＶＤによるＳｉＯ2 膜等の低温デ
ポ膜を用いることになる。ＣＶＤによるＳｉＯ2膜は、
熱酸化膜に比べて膜厚のバラツキが大きく、絶縁膜厚の
バラツキによって光の透過率が変わり、受光特性が大き
くばらついてしまう。又、良好な絶縁性を得るために
は、例えば１μｍ程度の膜である必要があり、層間絶縁
膜７３の膜厚バラツキが１割程度有る場合、１０００Å
の膜厚バラツキが生じ、これによっても光の透過率が変
わり受光特性が大きくばらついてしまう。
は第１のメタル層７２を形成した後において形成される
ため、絶縁膜としてＳｉＯ2 膜を使用すべく熱酸化工程
を使うことができずＣＶＤによるＳｉＯ2 膜等の低温デ
ポ膜を用いることになる。ＣＶＤによるＳｉＯ2膜は、
熱酸化膜に比べて膜厚のバラツキが大きく、絶縁膜厚の
バラツキによって光の透過率が変わり、受光特性が大き
くばらついてしまう。又、良好な絶縁性を得るために
は、例えば１μｍ程度の膜である必要があり、層間絶縁
膜７３の膜厚バラツキが１割程度有る場合、１０００Å
の膜厚バラツキが生じ、これによっても光の透過率が変
わり受光特性が大きくばらついてしまう。
【０００４】さらに、回路部７０の上に配置される層間
絶縁膜７３がフォトトランジスタの受光部の上にも配置
されているので、受光部の上の絶縁膜としても厚くなら
ざるを得なかった。そのために、フォトトランジスタの
受光部に至る光の量が少なくなってしまい、感度が悪化
してしまう。
絶縁膜７３がフォトトランジスタの受光部の上にも配置
されているので、受光部の上の絶縁膜としても厚くなら
ざるを得なかった。そのために、フォトトランジスタの
受光部に至る光の量が少なくなってしまい、感度が悪化
してしまう。
【０００５】これに対し、特開昭６３−１１６４５８号
公報では受光素子上の絶縁膜を単一の膜とすることが開
示されている。この公報においては受光素子部上の絶縁
膜の上に堆積される層間絶縁膜や保護膜を受光素子部上
の絶縁膜（酸化膜）とは異なるエッチング液にてエッチ
ングされる膜（例えばポリイミド膜）とすることによ
り、受光素子上の層間絶縁膜や保護膜をエッチングする
際にも受光素子上の絶縁膜を残すことができることが開
示されている。
公報では受光素子上の絶縁膜を単一の膜とすることが開
示されている。この公報においては受光素子部上の絶縁
膜の上に堆積される層間絶縁膜や保護膜を受光素子部上
の絶縁膜（酸化膜）とは異なるエッチング液にてエッチ
ングされる膜（例えばポリイミド膜）とすることによ
り、受光素子上の層間絶縁膜や保護膜をエッチングする
際にも受光素子上の絶縁膜を残すことができることが開
示されている。
【０００６】しかしながら、層間絶縁膜は通常、シリコ
ン酸化膜（ＳｉＯ2 ）や、Ｂ（ボロン）、Ｐ（リン）が
含まれたＢＰＳＧ（Boron-Phospho-Silicate Glass）や
ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）等の不純物の含まれ
た酸化膜を用いるため、このような層間絶縁膜を用いる
ときは受光素子上の酸化膜とのエッチング選択比が得ら
れず、層間絶縁膜をエッチングする際に受光素子上の酸
化膜もエッチングされてしまう。従って、上記公報では
層間絶縁膜や保護膜が受光素子上の酸化膜とエッチング
選択比の得られる材料に限定されてしまい、設計の自由
度が狭くなってしまうという問題がある。
ン酸化膜（ＳｉＯ2 ）や、Ｂ（ボロン）、Ｐ（リン）が
含まれたＢＰＳＧ（Boron-Phospho-Silicate Glass）や
ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glass）等の不純物の含まれ
た酸化膜を用いるため、このような層間絶縁膜を用いる
ときは受光素子上の酸化膜とのエッチング選択比が得ら
れず、層間絶縁膜をエッチングする際に受光素子上の酸
化膜もエッチングされてしまう。従って、上記公報では
層間絶縁膜や保護膜が受光素子上の酸化膜とエッチング
選択比の得られる材料に限定されてしまい、設計の自由
度が狭くなってしまうという問題がある。
【０００７】そこで、この発明の目的は、光電変換部
（フォトダイオード等）の特性や感度等の向上を図るこ
とができるとともに設計の自由度の大きい光センサの製
造方法を提供することにある。
（フォトダイオード等）の特性や感度等の向上を図るこ
とができるとともに設計の自由度の大きい光センサの製
造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
よれば、第１工程により、半導体基板に光電変換部と回
路部とが形成されるとともに、光電変換部の受光部の上
にのみ第１の絶縁膜が形成され、更に半導体基板の上に
レーザトリム調整用薄膜抵抗素子が配置され、第２工程
により、半導体基板の上に、第１の絶縁膜とは異種材料
である第１の金属膜が堆積されるとともに、当該金属膜
がパターニングされて回路部における配線および受光部
の上の保護膜として残される。そして、第３工程によ
り、第１の金属膜の上を含む半導体基板上及び前記レー
ザトリム調整用薄膜抵抗素子上に第２の絶縁膜が堆積さ
れ、第４工程により、受光部上における第２の絶縁膜が
除去され、第５工程により、第２の絶縁膜の上を含む半
導体基板上に第２の金属膜が堆積される。さらに、第８
工程により、受光部上における第２の金属膜がエッチン
グ除去され、第９工程により、受光部上における第１の
金属膜がエッチング除去される。
よれば、第１工程により、半導体基板に光電変換部と回
路部とが形成されるとともに、光電変換部の受光部の上
にのみ第１の絶縁膜が形成され、更に半導体基板の上に
レーザトリム調整用薄膜抵抗素子が配置され、第２工程
により、半導体基板の上に、第１の絶縁膜とは異種材料
である第１の金属膜が堆積されるとともに、当該金属膜
がパターニングされて回路部における配線および受光部
の上の保護膜として残される。そして、第３工程によ
り、第１の金属膜の上を含む半導体基板上及び前記レー
ザトリム調整用薄膜抵抗素子上に第２の絶縁膜が堆積さ
れ、第４工程により、受光部上における第２の絶縁膜が
除去され、第５工程により、第２の絶縁膜の上を含む半
導体基板上に第２の金属膜が堆積される。さらに、第８
工程により、受光部上における第２の金属膜がエッチン
グ除去され、第９工程により、受光部上における第１の
金属膜がエッチング除去される。
【０００９】このように、従来方式においては光電変換
部の受光部の上に層間絶縁膜を配置していたために受光
部の上の絶縁膜の膜厚が厚いものとなってしまっていた
が、本発明においては、受光部の上の層間絶縁膜として
の第２の絶縁膜は除去されるので、受光部の上の絶縁膜
の膜厚が厚くなることが無い。このように光電変換部の
受光部上での絶縁膜の膜厚を薄くでき感度向上を図るこ
とができる。又、第２工程での第１の金属膜を配置する
前において、第１工程により第１の絶縁膜を配置し、第
８，９工程により受光部上においてはこの第１の絶縁膜
のみが残されるので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バラツ
キが抑えられる。このように受光部上の絶縁膜の膜厚バ
ラツキを少ないものにでき、受光特性の向上を図ること
ができる。
部の受光部の上に層間絶縁膜を配置していたために受光
部の上の絶縁膜の膜厚が厚いものとなってしまっていた
が、本発明においては、受光部の上の層間絶縁膜として
の第２の絶縁膜は除去されるので、受光部の上の絶縁膜
の膜厚が厚くなることが無い。このように光電変換部の
受光部上での絶縁膜の膜厚を薄くでき感度向上を図るこ
とができる。又、第２工程での第１の金属膜を配置する
前において、第１工程により第１の絶縁膜を配置し、第
８，９工程により受光部上においてはこの第１の絶縁膜
のみが残されるので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バラツ
キが抑えられる。このように受光部上の絶縁膜の膜厚バ
ラツキを少ないものにでき、受光特性の向上を図ること
ができる。
【００１０】さらに、第４工程において、第１の絶縁膜
はその上に配置した保護膜にて保護された状態で第２の
絶縁膜のエッチングが行われるので、エッチングの際、
第１の絶縁膜がダメージを受けることがない。さらに
は、図２９に示すセンサに対し、光電変換部の受光部上
での絶縁膜の薄膜化を図るべくエッチングを行おうとす
ると、時間管理にて所定の膜厚となったときにエッチン
グを終了することとなるが、このような方法では安定し
た膜厚管理を行うことは困難であるが、本発明において
は、第２工程により第１の絶縁膜とは異種材料である第
１の金属膜が配置されているので、第９工程において、
異種材料による選択エッチングにより第１の絶縁膜のみ
を残すことができ、容易に膜厚管理することができる。
はその上に配置した保護膜にて保護された状態で第２の
絶縁膜のエッチングが行われるので、エッチングの際、
第１の絶縁膜がダメージを受けることがない。さらに
は、図２９に示すセンサに対し、光電変換部の受光部上
での絶縁膜の薄膜化を図るべくエッチングを行おうとす
ると、時間管理にて所定の膜厚となったときにエッチン
グを終了することとなるが、このような方法では安定し
た膜厚管理を行うことは困難であるが、本発明において
は、第２工程により第１の絶縁膜とは異種材料である第
１の金属膜が配置されているので、第９工程において、
異種材料による選択エッチングにより第１の絶縁膜のみ
を残すことができ、容易に膜厚管理することができる。
【００１１】又、第１の絶縁膜上に第１の金属膜による
保護膜が残された状態で受光部上の第２の絶縁膜を除去
できるため、第２の絶縁膜を第１の絶縁膜と同じような
性質の材料を用いることができる。例えば、第１の絶縁
膜および第２の絶縁膜の２つともシリコン酸化膜により
形成することができる。
保護膜が残された状態で受光部上の第２の絶縁膜を除去
できるため、第２の絶縁膜を第１の絶縁膜と同じような
性質の材料を用いることができる。例えば、第１の絶縁
膜および第２の絶縁膜の２つともシリコン酸化膜により
形成することができる。
【００１２】又、請求項１においては、第８工程と第９
工程を連続して行うことができる。即ち、２層の金属膜
を連続して除去することとができる。さらに、第７工程
において、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第３の
絶縁膜、第２の金属膜が順にエッチング除去される。こ
れにより、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第１の
絶縁膜はその上に配置した第２の金属膜にて保護された
状態で第３の絶縁膜のエッチングが行われるので、エッ
チングの際、第１の絶縁膜がエッチングされてしまうこ
とはない。又、第８工程において第２の金属膜のエッチ
ングの際にもレーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第１
の絶縁膜はエッチングされない。これにより、レーザト
リム調整用薄膜抵抗素子のトリミングを安定して行うこ
とができる。このことについて以下に説明する。レーザ
トリム調整用薄膜抵抗素子は波長が１．０４８μｍのＹ
ＬＦレーザや１．０６μｍのＹＡＧレーザを照射してト
リミングを行うものであるが、トリミングの際にレーザ
トリム調整用薄膜抵抗素子の上下の絶縁膜の膜厚がトリ
ミングに影響するため、絶縁膜の膜厚がばらつくと安定
してトリミングが行えないという問題が生ずる。従っ
て、第３の絶縁膜をエッチング除去する際に第２の絶縁
膜がエッチングされてしまうとレーザトリム調整用薄膜
抵抗素子上の第２の絶縁膜の膜厚がばらつくことになる
ため、第３の絶縁膜をエッチング除去する際に第２の絶
縁膜がエッチングされないようにする必要がある。従っ
て、第７工程にて第３の絶縁膜をエッチングする際には
第２の金属膜の存在により第２の絶縁膜が除去されない
ようにしている。具体的に説明すると、通常第２の絶縁
膜はシリコン酸化膜等の酸化膜であり、第３の絶縁膜は
パッシベーション膜となるシリコン窒化膜であり、この
シリコン窒化膜は通常ＣＦ 4 ガスを用いたドライエッチ
ングにて除去されるものである。しかしながら、ＣＦ 4
ガスを用いたドライエッチングではシリコン酸化膜もエ
ッチングされてしまうため、第２の金属膜が存在しない
状態で第３の絶縁膜をエッチング除去すると第２の絶縁
膜もエッチングされてしまうことになる。従って、第３
の絶縁膜をエッチングする際に第２の絶縁膜の耐エッチ
ング膜として第２の金属膜を利用することにより、エッ
チングの際、第２の絶縁膜がエッチングされることを防
止する。つまり、第２の金属膜により第２の絶縁膜と第
３の絶縁膜とをエッチングに対して異質な材料を用いる
ことなく、同質な材料とすることができる。請求項２に
記載の発明によれば、第１工程により、半導体基板に光
電変換部と回路部とが形成されるとともに、光電変換部
の受光部の上にのみ第１の絶縁膜が形成され、第２工程
により、半導体基板の上に、第１の絶縁膜とは異種材料
である第１の金属膜が堆積されるとともに、当該金属膜
がパターニングされて回路部における配線および受光部
の上の保護膜として残される。そして、第３工程によ
り、第１の金属膜の上を含む半導体基板上に第２の絶縁
膜が堆積され、第４工程により、第２の絶縁膜の上に第
２の金属膜が堆積される。さらに、第５工程により、受
光部上における第２の金属膜がエッチング除去され、第
６工程により、受光部上における第２の絶縁膜および第
１の金属膜がエッチング除去される。
工程を連続して行うことができる。即ち、２層の金属膜
を連続して除去することとができる。さらに、第７工程
において、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第３の
絶縁膜、第２の金属膜が順にエッチング除去される。こ
れにより、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第１の
絶縁膜はその上に配置した第２の金属膜にて保護された
状態で第３の絶縁膜のエッチングが行われるので、エッ
チングの際、第１の絶縁膜がエッチングされてしまうこ
とはない。又、第８工程において第２の金属膜のエッチ
ングの際にもレーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第１
の絶縁膜はエッチングされない。これにより、レーザト
リム調整用薄膜抵抗素子のトリミングを安定して行うこ
とができる。このことについて以下に説明する。レーザ
トリム調整用薄膜抵抗素子は波長が１．０４８μｍのＹ
ＬＦレーザや１．０６μｍのＹＡＧレーザを照射してト
リミングを行うものであるが、トリミングの際にレーザ
トリム調整用薄膜抵抗素子の上下の絶縁膜の膜厚がトリ
ミングに影響するため、絶縁膜の膜厚がばらつくと安定
してトリミングが行えないという問題が生ずる。従っ
て、第３の絶縁膜をエッチング除去する際に第２の絶縁
膜がエッチングされてしまうとレーザトリム調整用薄膜
抵抗素子上の第２の絶縁膜の膜厚がばらつくことになる
ため、第３の絶縁膜をエッチング除去する際に第２の絶
縁膜がエッチングされないようにする必要がある。従っ
て、第７工程にて第３の絶縁膜をエッチングする際には
第２の金属膜の存在により第２の絶縁膜が除去されない
ようにしている。具体的に説明すると、通常第２の絶縁
膜はシリコン酸化膜等の酸化膜であり、第３の絶縁膜は
パッシベーション膜となるシリコン窒化膜であり、この
シリコン窒化膜は通常ＣＦ 4 ガスを用いたドライエッチ
ングにて除去されるものである。しかしながら、ＣＦ 4
ガスを用いたドライエッチングではシリコン酸化膜もエ
ッチングされてしまうため、第２の金属膜が存在しない
状態で第３の絶縁膜をエッチング除去すると第２の絶縁
膜もエッチングされてしまうことになる。従って、第３
の絶縁膜をエッチングする際に第２の絶縁膜の耐エッチ
ング膜として第２の金属膜を利用することにより、エッ
チングの際、第２の絶縁膜がエッチングされることを防
止する。つまり、第２の金属膜により第２の絶縁膜と第
３の絶縁膜とをエッチングに対して異質な材料を用いる
ことなく、同質な材料とすることができる。請求項２に
記載の発明によれば、第１工程により、半導体基板に光
電変換部と回路部とが形成されるとともに、光電変換部
の受光部の上にのみ第１の絶縁膜が形成され、第２工程
により、半導体基板の上に、第１の絶縁膜とは異種材料
である第１の金属膜が堆積されるとともに、当該金属膜
がパターニングされて回路部における配線および受光部
の上の保護膜として残される。そして、第３工程によ
り、第１の金属膜の上を含む半導体基板上に第２の絶縁
膜が堆積され、第４工程により、第２の絶縁膜の上に第
２の金属膜が堆積される。さらに、第５工程により、受
光部上における第２の金属膜がエッチング除去され、第
６工程により、受光部上における第２の絶縁膜および第
１の金属膜がエッチング除去される。
【００１３】このように、従来方式においては光電変換
部の受光部の上に層間絶縁膜を配置していたために受光
部の上の絶縁膜の膜厚が厚いものとなってしまっていた
が、本発明においては、受光部の上の層間絶縁膜として
の第２の絶縁膜は除去されるので、受光部の上の絶縁膜
の膜厚が厚くなることが無い。このように光電変換部の
受光部上での絶縁膜の膜厚を薄くでき感度向上を図るこ
とができる。又、第２工程での第１の金属膜を配置する
前において、第１工程により第１の絶縁膜を配置し、第
５，６工程により受光部上においてはこの第１の絶縁膜
のみが残されるので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バラツ
キが抑えられる。このように受光部上の絶縁膜の膜厚バ
ラツキを少ないものにでき、受光特性の向上を図ること
ができる。
部の受光部の上に層間絶縁膜を配置していたために受光
部の上の絶縁膜の膜厚が厚いものとなってしまっていた
が、本発明においては、受光部の上の層間絶縁膜として
の第２の絶縁膜は除去されるので、受光部の上の絶縁膜
の膜厚が厚くなることが無い。このように光電変換部の
受光部上での絶縁膜の膜厚を薄くでき感度向上を図るこ
とができる。又、第２工程での第１の金属膜を配置する
前において、第１工程により第１の絶縁膜を配置し、第
５，６工程により受光部上においてはこの第１の絶縁膜
のみが残されるので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バラツ
キが抑えられる。このように受光部上の絶縁膜の膜厚バ
ラツキを少ないものにでき、受光特性の向上を図ること
ができる。
【００１４】さらに、第６工程において、第１の絶縁膜
はその上に配置した保護膜にて保護された状態で第２の
絶縁膜のエッチングが行われるので、エッチングの際、
第１の絶縁膜がダメージを受けることがない。さらに
は、図２９に示すセンサに対し、光電変換部の受光部上
での絶縁膜の薄膜化を図るべくエッチングを行おうとす
ると、時間管理にて所定の膜厚となったときにエッチン
グを終了することとなるが、このような方法では安定し
た膜厚管理を行うことは困難であるが、本発明において
は、第２工程により第１の絶縁膜とは異種材料である第
１の金属膜が配置されているので、第６工程において、
異種材料による選択エッチングにより第１の絶縁膜のみ
を残すことができ、容易に膜厚管理することができる。
はその上に配置した保護膜にて保護された状態で第２の
絶縁膜のエッチングが行われるので、エッチングの際、
第１の絶縁膜がダメージを受けることがない。さらに
は、図２９に示すセンサに対し、光電変換部の受光部上
での絶縁膜の薄膜化を図るべくエッチングを行おうとす
ると、時間管理にて所定の膜厚となったときにエッチン
グを終了することとなるが、このような方法では安定し
た膜厚管理を行うことは困難であるが、本発明において
は、第２工程により第１の絶縁膜とは異種材料である第
１の金属膜が配置されているので、第６工程において、
異種材料による選択エッチングにより第１の絶縁膜のみ
を残すことができ、容易に膜厚管理することができる。
【００１５】即ち、請求項２の製造方法においても請求
項１の製造方法と同様の効果を得ることができる。
項１の製造方法と同様の効果を得ることができる。
【００１６】
【００１７】請求項３に記載の発明によれば、請求項１
に記載の光センサの製造方法における第８工程において
受光部上における第２の金属膜と、レーザトリム調整用
薄膜抵抗素子の上における第２の金属膜とが同時にエッ
チング除去される。よって、その製造は容易なものとな
る。
に記載の光センサの製造方法における第８工程において
受光部上における第２の金属膜と、レーザトリム調整用
薄膜抵抗素子の上における第２の金属膜とが同時にエッ
チング除去される。よって、その製造は容易なものとな
る。
【００１８】請求項４に記載の発明によれば、第１工程
により、半導体基板に光電変換部と回路部とが形成され
るとともに、光電変換部の受光部の上にのみ第１の絶縁
膜が形成され、更に前記半導体基板の上にレーザトリム
調整用薄膜抵抗素子が配置され、第２工程により、半導
体基板の上に、第１の絶縁膜とは異種材料である第１の
金属膜が堆積されるとともに、当該金属膜がパターニン
グされて回路部における配線および受光部の上の保護膜
として残される。そして、第３工程により、第１の金属
膜の上を含む半導体基板上に第２の絶縁膜が堆積され、
第４工程により、第２の絶縁膜の上に第２の金属膜が堆
積される。さらに、第５工程により、受光部上における
第２の金属膜がエッチング除去される。第６工程によ
り、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第２の金属膜
が除去されずに残されるとともに、第２の金属膜上に第
３の絶縁膜が堆積される。第７工程により、受光部上の
第３の絶縁膜と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の
第３の絶縁膜が除去される。第８工程により、受光部上
における第２の絶縁膜および第１の金属膜がエッチング
除去されるとともに、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子
上の前記第２の金属膜が除去される。即ち、本発明にお
いてはレーザトリム調整用薄膜抵抗素子上に第２の金属
膜が残っていると良好なトリミングができないため、こ
れを除去する必要があるが、第６工程ではあえてレーザ
トリム調整用薄膜抵抗素子上の第２の金属膜を除去せず
に残すものである。これは請求項１の発明のところで説
明したことと同様の効果をねらったものである。
により、半導体基板に光電変換部と回路部とが形成され
るとともに、光電変換部の受光部の上にのみ第１の絶縁
膜が形成され、更に前記半導体基板の上にレーザトリム
調整用薄膜抵抗素子が配置され、第２工程により、半導
体基板の上に、第１の絶縁膜とは異種材料である第１の
金属膜が堆積されるとともに、当該金属膜がパターニン
グされて回路部における配線および受光部の上の保護膜
として残される。そして、第３工程により、第１の金属
膜の上を含む半導体基板上に第２の絶縁膜が堆積され、
第４工程により、第２の絶縁膜の上に第２の金属膜が堆
積される。さらに、第５工程により、受光部上における
第２の金属膜がエッチング除去される。第６工程によ
り、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の第２の金属膜
が除去されずに残されるとともに、第２の金属膜上に第
３の絶縁膜が堆積される。第７工程により、受光部上の
第３の絶縁膜と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の
第３の絶縁膜が除去される。第８工程により、受光部上
における第２の絶縁膜および第１の金属膜がエッチング
除去されるとともに、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子
上の前記第２の金属膜が除去される。即ち、本発明にお
いてはレーザトリム調整用薄膜抵抗素子上に第２の金属
膜が残っていると良好なトリミングができないため、こ
れを除去する必要があるが、第６工程ではあえてレーザ
トリム調整用薄膜抵抗素子上の第２の金属膜を除去せず
に残すものである。これは請求項１の発明のところで説
明したことと同様の効果をねらったものである。
【００１９】請求項５に記載の発明によれば、請求項４
に記載の光センサの製造方法における第８工程におい
て、受光部上における第１の金属膜と、レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子の上における第２の金属膜とが同時に
エッチング除去される。よって、その製造は容易なもの
となる。
に記載の光センサの製造方法における第８工程におい
て、受光部上における第１の金属膜と、レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子の上における第２の金属膜とが同時に
エッチング除去される。よって、その製造は容易なもの
となる。
【００２０】請求項６に記載の発明によれば、第１の絶
縁膜として熱酸化膜を用いると、受光部上に熱酸化膜が
配置され、成膜時の膜厚バラツキをＣＶＤによる膜より
も小さくできる。
縁膜として熱酸化膜を用いると、受光部上に熱酸化膜が
配置され、成膜時の膜厚バラツキをＣＶＤによる膜より
も小さくできる。
【００２１】請求項７に記載の発明によれば、第１の金
属膜と第２の金属膜として、同一のエッチング手段（例
えば、同一のエッチング液を用いたり、同一のドライエ
ッチング種を用いる等）にてエッチングできる材料を用
いると、エッチングが容易となる。
属膜と第２の金属膜として、同一のエッチング手段（例
えば、同一のエッチング液を用いたり、同一のドライエ
ッチング種を用いる等）にてエッチングできる材料を用
いると、エッチングが容易となる。
【００２２】請求項８に記載の発明によれば、第１の金
属膜と第２の金属膜とを同一金属より形成すると、エッ
チングが容易となる。
属膜と第２の金属膜とを同一金属より形成すると、エッ
チングが容易となる。
【００２３】
（第１の実施の形態）以下、この発明の第１の実施の形
態を図面に従って説明する。
態を図面に従って説明する。
【００２４】図１には光センサの平面図を示し、図２に
は図１のII−II断面図を示す。半導体基板としてのシリ
コン基板１は、Ｐ+ 型シリコン基板１ａとその上に形成
されたＮ- 型エピタキシャル層１ｂからなる。シリコン
基板１の中央部には、Ｐ+ 型領域２により分離された光
電変換部としてのフォトダイオード部３が形成されてい
る。このフォトダイオード部３において、Ｎ- 型エピタ
キシャル層１ｂの表層部には受光部となるＰ+ 型領域４
が形成され、Ｐ+ 型領域４内での周辺部にはＰ+ 型領域
５が形成されている。又、フォトダイオード部３におい
て、Ｎ-型エピタキシャル層１ｂでのＰ+ 型領域４の周
囲には、Ｎ+ 型領域６が環状に形成されている。
は図１のII−II断面図を示す。半導体基板としてのシリ
コン基板１は、Ｐ+ 型シリコン基板１ａとその上に形成
されたＮ- 型エピタキシャル層１ｂからなる。シリコン
基板１の中央部には、Ｐ+ 型領域２により分離された光
電変換部としてのフォトダイオード部３が形成されてい
る。このフォトダイオード部３において、Ｎ- 型エピタ
キシャル層１ｂの表層部には受光部となるＰ+ 型領域４
が形成され、Ｐ+ 型領域４内での周辺部にはＰ+ 型領域
５が形成されている。又、フォトダイオード部３におい
て、Ｎ-型エピタキシャル層１ｂでのＰ+ 型領域４の周
囲には、Ｎ+ 型領域６が環状に形成されている。
【００２５】シリコン基板１におけるフォトダイオード
部３の周囲には、信号処理回路部７が形成されている。
信号処理回路部７には多数の半導体デバイスが形成さ
れ、これらデバイスにより信号増幅回路およびＡ／Ｄ変
換回路が構成されている。図２においてはＰＮＰバイポ
ーラトランジスタ８とＮＰＮバイポーラトランジスタ９
を示す。つまり、Ｐ+ 型シリコン基板１ａとＮ- 型エピ
タキシャル層１ｂとの境界部においてＮ+ 型埋め込み層
１０ａが形成され、Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂの表層
部においてＰ+ 型領域１１，１２およびＮ+ 型領域１３
が形成されている。又、Ｐ+ 型シリコン基板１ａとＮ-
型エピタキシャル層１ｂとの境界部においてＮ+ 型埋め
込み層１０ｂが形成され、Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂ
の表層部においてＰ+ 型領域１４が形成されるととも
に、Ｐ+ 型領域１４内およびＮ- 型エピタキシャル層１
ｂにはＮ+ 型領域１５，１６が形成されている。
部３の周囲には、信号処理回路部７が形成されている。
信号処理回路部７には多数の半導体デバイスが形成さ
れ、これらデバイスにより信号増幅回路およびＡ／Ｄ変
換回路が構成されている。図２においてはＰＮＰバイポ
ーラトランジスタ８とＮＰＮバイポーラトランジスタ９
を示す。つまり、Ｐ+ 型シリコン基板１ａとＮ- 型エピ
タキシャル層１ｂとの境界部においてＮ+ 型埋め込み層
１０ａが形成され、Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂの表層
部においてＰ+ 型領域１１，１２およびＮ+ 型領域１３
が形成されている。又、Ｐ+ 型シリコン基板１ａとＮ-
型エピタキシャル層１ｂとの境界部においてＮ+ 型埋め
込み層１０ｂが形成され、Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂ
の表層部においてＰ+ 型領域１４が形成されるととも
に、Ｐ+ 型領域１４内およびＮ- 型エピタキシャル層１
ｂにはＮ+ 型領域１５，１６が形成されている。
【００２６】シリコン基板１の上面にはシリコン酸化膜
１７ａが形成されている。フォトダイオード部３におい
てはシリコン酸化膜１７ａが開口しており、この領域に
薄いシリコン酸化膜１７ｂが形成されている。第１の絶
縁膜としてのシリコン酸化膜１７ｂは熱酸化膜が用いら
れ、膜厚は１０００〜３０００Åであり、より具体的に
は１１００Åとなっている。又、フォトダイオード部３
においてはシリコン酸化膜１７ａに開口部１８，１９が
形成され、この開口部１８，１９を通してアルミ配線２
０，２１が延設されている。アルミ配線２０はＮ+ 型領
域６と電気的に接続され、アルミ配線２１はＰ+ 型領域
５と電気的に接続されている。アルミ配線２０，２１は
アルミ薄膜を所望の形状にパターニングすることにより
形成したものである。
１７ａが形成されている。フォトダイオード部３におい
てはシリコン酸化膜１７ａが開口しており、この領域に
薄いシリコン酸化膜１７ｂが形成されている。第１の絶
縁膜としてのシリコン酸化膜１７ｂは熱酸化膜が用いら
れ、膜厚は１０００〜３０００Åであり、より具体的に
は１１００Åとなっている。又、フォトダイオード部３
においてはシリコン酸化膜１７ａに開口部１８，１９が
形成され、この開口部１８，１９を通してアルミ配線２
０，２１が延設されている。アルミ配線２０はＮ+ 型領
域６と電気的に接続され、アルミ配線２１はＰ+ 型領域
５と電気的に接続されている。アルミ配線２０，２１は
アルミ薄膜を所望の形状にパターニングすることにより
形成したものである。
【００２７】さらに、信号処理回路部７においてシリコ
ン酸化膜１７ａに開口部２２，２３，２４，２５，２
６，２７が形成され、この開口部２２，２３，２４，２
５，２６，２７を通してアルミ配線２８，２９，３０，
３１，３２，３３が延設されている。アルミ配線２８は
Ｎ+ 型領域１３と、アルミ配線２９はＰ+ 型領域１１
と、アルミ配線３０はＰ+ 型領域１２と、アルミ配線３
１はＮ+ 型領域１５と、アルミ配線３２はＮ+ 型領域１
６と、アルミ配線３３はＰ+ 型領域１４とそれぞれ電気
的に接続されている。アルミ配線２８〜３３はアルミ薄
膜を所望の形状にパターニングすることにより形成した
ものである。
ン酸化膜１７ａに開口部２２，２３，２４，２５，２
６，２７が形成され、この開口部２２，２３，２４，２
５，２６，２７を通してアルミ配線２８，２９，３０，
３１，３２，３３が延設されている。アルミ配線２８は
Ｎ+ 型領域１３と、アルミ配線２９はＰ+ 型領域１１
と、アルミ配線３０はＰ+ 型領域１２と、アルミ配線３
１はＮ+ 型領域１５と、アルミ配線３２はＮ+ 型領域１
６と、アルミ配線３３はＰ+ 型領域１４とそれぞれ電気
的に接続されている。アルミ配線２８〜３３はアルミ薄
膜を所望の形状にパターニングすることにより形成した
ものである。
【００２８】アルミ配線２０，２１，２８〜３３の上に
は第２の絶縁膜としての層間絶縁膜３４が形成されてい
る。この層間絶縁膜３４はシリコン酸化膜とシリコン窒
化膜の積層体よりなり、信号処理回路部７上の保護膜と
しても機能する。フォトダイオード部３においては層間
絶縁膜３４が開口している。又、信号処理回路部７にお
ける層間絶縁膜３４の上には遮光膜としてのアルミ薄膜
３５が形成されている。
は第２の絶縁膜としての層間絶縁膜３４が形成されてい
る。この層間絶縁膜３４はシリコン酸化膜とシリコン窒
化膜の積層体よりなり、信号処理回路部７上の保護膜と
しても機能する。フォトダイオード部３においては層間
絶縁膜３４が開口している。又、信号処理回路部７にお
ける層間絶縁膜３４の上には遮光膜としてのアルミ薄膜
３５が形成されている。
【００２９】そして、外部からフォトダイオード部３の
受光部に向けて光が入射した時には、その光は薄いシリ
コン酸化膜１７ｂを通過してＰ+ 型領域４に至る。Ｎ-
型エピタキシャル層１ｂとＰ+ 型領域４とのＰＮ接合近
傍に光が入ると、電子−正孔対が発生する。発生した少
数キャリア、即ち、Ｐ+ 型領域４で発生した電子および
Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂで発生した正孔が両領域で
互いに逆向きに移動する。このとき、Ｎ- 型エピタキシ
ャル層１ｂからＰ+ 型領域４へ向かう電流が流れる。こ
の光電流は入射光量に比例している。この光電流はアル
ミ配線２０，２１を通して信号処理回路部７に送られ
る。信号処理回路部７において光電流が増幅されるとと
もにデジタル変換される。この信号は、図１におけるパ
ッド３６を介して外部に出力される。
受光部に向けて光が入射した時には、その光は薄いシリ
コン酸化膜１７ｂを通過してＰ+ 型領域４に至る。Ｎ-
型エピタキシャル層１ｂとＰ+ 型領域４とのＰＮ接合近
傍に光が入ると、電子−正孔対が発生する。発生した少
数キャリア、即ち、Ｐ+ 型領域４で発生した電子および
Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂで発生した正孔が両領域で
互いに逆向きに移動する。このとき、Ｎ- 型エピタキシ
ャル層１ｂからＰ+ 型領域４へ向かう電流が流れる。こ
の光電流は入射光量に比例している。この光電流はアル
ミ配線２０，２１を通して信号処理回路部７に送られ
る。信号処理回路部７において光電流が増幅されるとと
もにデジタル変換される。この信号は、図１におけるパ
ッド３６を介して外部に出力される。
【００３０】次に、このように構成した光センサの製造
方法を、図３〜図１２を用いて説明する。図３に示すよ
うに、エピタキシャル成長させたシリコン基板１に対し
通常のＩＣ製造に用いられる拡散法等によってトランジ
スタ、拡散抵抗等の素子を形成する。より詳しくは、Ｐ
+ 型シリコン基板１ａの上にＮ- 型エピタキシャル層１
ｂを成長する。この時、Ｎ+ 型埋め込み層１０ａ，１０
ｂおよび埋め込み側のＰ+型領域２を同時に形成する。
そして、Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂの上面からのイオ
ン注入と熱処理により、Ｐ+ 型領域５、Ｎ+ 型領域６、
Ｐ+ 型領域１１，１２、Ｎ+ 型領域１３、Ｐ+ 型領域１
４、Ｎ+ 型領域１５，１６、および素子分離のためのＰ
+ 型領域２を形成する。
方法を、図３〜図１２を用いて説明する。図３に示すよ
うに、エピタキシャル成長させたシリコン基板１に対し
通常のＩＣ製造に用いられる拡散法等によってトランジ
スタ、拡散抵抗等の素子を形成する。より詳しくは、Ｐ
+ 型シリコン基板１ａの上にＮ- 型エピタキシャル層１
ｂを成長する。この時、Ｎ+ 型埋め込み層１０ａ，１０
ｂおよび埋め込み側のＰ+型領域２を同時に形成する。
そして、Ｎ- 型エピタキシャル層１ｂの上面からのイオ
ン注入と熱処理により、Ｐ+ 型領域５、Ｎ+ 型領域６、
Ｐ+ 型領域１１，１２、Ｎ+ 型領域１３、Ｐ+ 型領域１
４、Ｎ+ 型領域１５，１６、および素子分離のためのＰ
+ 型領域２を形成する。
【００３１】その後、シリコン基板１の上面に熱酸化に
よるシリコン酸化膜（熱酸化膜）１７ａを形成する。さ
らに、図４に示すように、シリコン酸化膜１７ａに対し
受光部となる領域をフォトエッチングによって選択的に
除去して開口部３７を形成する。そして、図５に示すよ
うに、シリコン基板１の上面の開口部３７に厚さ１１０
０Åの熱酸化によるシリコン酸化膜（熱酸化膜）１７ｂ
を形成する。その後、イオンインプランテーションおよ
び拡散処理によりＰ+ 型領域４を形成する。
よるシリコン酸化膜（熱酸化膜）１７ａを形成する。さ
らに、図４に示すように、シリコン酸化膜１７ａに対し
受光部となる領域をフォトエッチングによって選択的に
除去して開口部３７を形成する。そして、図５に示すよ
うに、シリコン基板１の上面の開口部３７に厚さ１１０
０Åの熱酸化によるシリコン酸化膜（熱酸化膜）１７ｂ
を形成する。その後、イオンインプランテーションおよ
び拡散処理によりＰ+ 型領域４を形成する。
【００３２】これにより、シリコン基板１にフォトダイ
オード部３と信号処理回路部７とが形成されるととも
に、フォトダイオード部３の受光部の上にシリコン酸化
膜１７ｂが形成される。
オード部３と信号処理回路部７とが形成されるととも
に、フォトダイオード部３の受光部の上にシリコン酸化
膜１７ｂが形成される。
【００３３】引き続き、図６に示すように、シリコン酸
化膜１７ａの所定領域１８，１９，２２〜２７をエッチ
ングにより開口させる。そして、図７に示すように、シ
リコン酸化膜１７ａ，１７ｂの上に、第１の金属膜であ
るアルミ薄膜３８を堆積（成膜）し、図８に示すよう
に、アルミ薄膜３８に対しフォトエッチング（例えばリ
ン酸系のエッチング液を用いたウェットエッチング）に
よりパターニングしてアルミ配線２０，２１，２８〜３
３、図１に示すパッド３６を形成する。この時、フォト
ダイオード部３の受光部上におけるアルミ薄膜３８はエ
ッチングせずに残しておく。この受光部上に残した、保
護膜となるアルミ薄膜を図８では符号３９にて示す。
化膜１７ａの所定領域１８，１９，２２〜２７をエッチ
ングにより開口させる。そして、図７に示すように、シ
リコン酸化膜１７ａ，１７ｂの上に、第１の金属膜であ
るアルミ薄膜３８を堆積（成膜）し、図８に示すよう
に、アルミ薄膜３８に対しフォトエッチング（例えばリ
ン酸系のエッチング液を用いたウェットエッチング）に
よりパターニングしてアルミ配線２０，２１，２８〜３
３、図１に示すパッド３６を形成する。この時、フォト
ダイオード部３の受光部上におけるアルミ薄膜３８はエ
ッチングせずに残しておく。この受光部上に残した、保
護膜となるアルミ薄膜を図８では符号３９にて示す。
【００３４】その後、図９に示すように、アルミ薄膜
（２０，２１，２８〜３３，３９）の上を含むシリコン
基板１の上に層間絶縁膜３４を堆積する。より詳しく
は、４００ｎｍのシリコン酸化膜と５００ｎｍのシリコ
ン窒化膜をＣＶＤ法によって形成する。さらに、図１０
に示すように、フォトエッチングによりフォトダイオー
ド部３の受光部上の層間絶縁膜３４（シリコン窒化膜と
シリコン酸化膜）を取り除き開口部４０を形成する。
尚、シリコン窒化膜は、例えばＣＦ4 ガスを用いたドラ
イエッチングで除去し、シリコン酸化膜は、ＨＦ系のエ
ッチング液を用いたウェットエッチングで除去する。
（２０，２１，２８〜３３，３９）の上を含むシリコン
基板１の上に層間絶縁膜３４を堆積する。より詳しく
は、４００ｎｍのシリコン酸化膜と５００ｎｍのシリコ
ン窒化膜をＣＶＤ法によって形成する。さらに、図１０
に示すように、フォトエッチングによりフォトダイオー
ド部３の受光部上の層間絶縁膜３４（シリコン窒化膜と
シリコン酸化膜）を取り除き開口部４０を形成する。
尚、シリコン窒化膜は、例えばＣＦ4 ガスを用いたドラ
イエッチングで除去し、シリコン酸化膜は、ＨＦ系のエ
ッチング液を用いたウェットエッチングで除去する。
【００３５】次に、図１１に示すように、層間絶縁膜３
４の上を含めたシリコン基板１上に遮光膜となる第２の
金属膜であるアルミ薄膜４１を堆積（成膜）し、図１２
に示すように、エッチング液としてリン酸系溶液を用い
て、信号処理回路部７上におけるアルミ薄膜４１を遮光
膜として残したままフォトダイオード部３の受光部上の
アルミ薄膜４１をエッチング除去する。さらに連続して
エッチング液としてリン酸系溶液を用いて、図２に示す
ように、フォトダイオード部３の受光部上のアルミ薄膜
３９をエッチング除去する。
４の上を含めたシリコン基板１上に遮光膜となる第２の
金属膜であるアルミ薄膜４１を堆積（成膜）し、図１２
に示すように、エッチング液としてリン酸系溶液を用い
て、信号処理回路部７上におけるアルミ薄膜４１を遮光
膜として残したままフォトダイオード部３の受光部上の
アルミ薄膜４１をエッチング除去する。さらに連続して
エッチング液としてリン酸系溶液を用いて、図２に示す
ように、フォトダイオード部３の受光部上のアルミ薄膜
３９をエッチング除去する。
【００３６】尚、図１２に示すアルミ薄膜４１上に形成
されているＲは、アルミ薄膜４１，３９をエッチングす
る際に、図１に示すパッド（第１の金属膜により形成さ
れている）がエッチングされるのを防止するための耐エ
ッチング膜であり、例えば、フォトレジストが挙げられ
る。耐エッチング膜Ｒは図１１に示すようにアルミ薄膜
４１，３９をエッチングする前に形成される。
されているＲは、アルミ薄膜４１，３９をエッチングす
る際に、図１に示すパッド（第１の金属膜により形成さ
れている）がエッチングされるのを防止するための耐エ
ッチング膜であり、例えば、フォトレジストが挙げられ
る。耐エッチング膜Ｒは図１１に示すようにアルミ薄膜
４１，３９をエッチングする前に形成される。
【００３７】このようにして、フォトダイオード部３の
受光部上におけるシリコン酸化膜１７ｂの上の全ての膜
がエッチング除去される。このように本実施の形態で
は、下記（イ）〜（ニ）の特徴を有する。 （イ）従来方式においては光電変換部の受光部の上に層
間絶縁膜を配置していたために受光部の上の絶縁膜の膜
厚が厚いものとなってしまっていたが、本実施の形態に
おいては、受光部の上の層間絶縁膜３４は除去されるの
で、光電変換部の受光部の上の絶縁膜の膜厚が厚くなる
ことが無く、受光部上での絶縁膜の膜厚を薄くでき感度
向上を図ることができる。又、図７のアルミ薄膜３８を
配置する前において、図５のシリコン酸化膜１７ｂを配
置し、フォトダイオード部３の受光部上においては図２
に示すようにこのシリコン酸化膜１７ｂのみが残される
ので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バラツキが抑えられ
る。このように受光部上の絶縁膜の膜厚バラツキを少な
いものにでき、受光特性の向上を図ることができる。
受光部上におけるシリコン酸化膜１７ｂの上の全ての膜
がエッチング除去される。このように本実施の形態で
は、下記（イ）〜（ニ）の特徴を有する。 （イ）従来方式においては光電変換部の受光部の上に層
間絶縁膜を配置していたために受光部の上の絶縁膜の膜
厚が厚いものとなってしまっていたが、本実施の形態に
おいては、受光部の上の層間絶縁膜３４は除去されるの
で、光電変換部の受光部の上の絶縁膜の膜厚が厚くなる
ことが無く、受光部上での絶縁膜の膜厚を薄くでき感度
向上を図ることができる。又、図７のアルミ薄膜３８を
配置する前において、図５のシリコン酸化膜１７ｂを配
置し、フォトダイオード部３の受光部上においては図２
に示すようにこのシリコン酸化膜１７ｂのみが残される
ので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バラツキが抑えられ
る。このように受光部上の絶縁膜の膜厚バラツキを少な
いものにでき、受光特性の向上を図ることができる。
【００３８】さらに、図１０に示すようにシリコン酸化
膜１７ｂはその上に配置した（保護膜としての）アルミ
薄膜３９にて保護された状態で層間絶縁膜３４のエッチ
ングが行われるので、シリコン酸化膜１７ｂがダメージ
を受けることがない。さらには、図２９に示すセンサに
対し、光電変換部の受光部上での絶縁膜の薄膜化を図る
べくエッチングを行おうとすると、時間管理にて所定の
膜厚となったときにエッチングを終了することとなる
が、このような方法では安定した膜厚管理を行うことは
困難であるが、本実施の形態においては、図１２に示す
ようにシリコン酸化膜１７ｂとは異種材料であるアルミ
薄膜３９が配置されているので、図２に示すように異種
材料による選択エッチングによりシリコン酸化膜１７ｂ
のみを残すことができ、容易に膜厚管理することができ
る。
膜１７ｂはその上に配置した（保護膜としての）アルミ
薄膜３９にて保護された状態で層間絶縁膜３４のエッチ
ングが行われるので、シリコン酸化膜１７ｂがダメージ
を受けることがない。さらには、図２９に示すセンサに
対し、光電変換部の受光部上での絶縁膜の薄膜化を図る
べくエッチングを行おうとすると、時間管理にて所定の
膜厚となったときにエッチングを終了することとなる
が、このような方法では安定した膜厚管理を行うことは
困難であるが、本実施の形態においては、図１２に示す
ようにシリコン酸化膜１７ｂとは異種材料であるアルミ
薄膜３９が配置されているので、図２に示すように異種
材料による選択エッチングによりシリコン酸化膜１７ｂ
のみを残すことができ、容易に膜厚管理することができ
る。
【００３９】又、アルミ薄膜３９がその上の層間絶縁膜
３４をエッチング除去する際にシリコン酸化膜１７ｂが
エッチングされることを防止する耐エッチング膜として
働くため、層間絶縁膜３４をシリコン酸化膜１７ｂとの
エッチング選択比のない材料、すなわちエッチングに対
して同質の材料を用いることができる。従って、層間絶
縁膜として従来から用いられているシリコン酸化膜、Ｂ
ＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜等を用いることができるというメリ
ットがある。
３４をエッチング除去する際にシリコン酸化膜１７ｂが
エッチングされることを防止する耐エッチング膜として
働くため、層間絶縁膜３４をシリコン酸化膜１７ｂとの
エッチング選択比のない材料、すなわちエッチングに対
して同質の材料を用いることができる。従って、層間絶
縁膜として従来から用いられているシリコン酸化膜、Ｂ
ＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜等を用いることができるというメリ
ットがある。
【００４０】又、図１１，１２，２に示すように、アル
ミ薄膜４１，３９を連続して除去することとができる。 （ロ）第１の絶縁膜として熱酸化膜１７ｂを用いている
ので、フォトダイオード部３の受光部上に熱酸化膜が配
置され、成膜時の膜厚バラツキをＣＶＤによる膜よりも
小さくできる。 （ハ）第１の金属膜と第２の金属膜として、同一のエッ
チング手段（同一のエッチング液）にてエッチングでき
る材料を用いているので、エッチングが容易となる。 （ニ）第１の金属膜と第２の金属膜とを同一金属である
アルミにより形成しているので、エッチングが容易とな
る。
ミ薄膜４１，３９を連続して除去することとができる。 （ロ）第１の絶縁膜として熱酸化膜１７ｂを用いている
ので、フォトダイオード部３の受光部上に熱酸化膜が配
置され、成膜時の膜厚バラツキをＣＶＤによる膜よりも
小さくできる。 （ハ）第１の金属膜と第２の金属膜として、同一のエッ
チング手段（同一のエッチング液）にてエッチングでき
る材料を用いているので、エッチングが容易となる。 （ニ）第１の金属膜と第２の金属膜とを同一金属である
アルミにより形成しているので、エッチングが容易とな
る。
【００４１】又、図２に示す本実施形態の構造的な特徴
点としては、フォトダイオード部３において第１の金属
膜であるアルミ薄膜３９と第２の金属膜であるアルミ薄
膜４１とが接続され（図１２参照）、フォトダイオード
部３上のアルミ薄膜３９が一部残され除去された状態
（図２参照）において、アルミ薄膜３９とアルミ薄膜４
１との接続部が残されている点にある。このような構成
とすることで、フォトダイオード部３において層間絶縁
膜３４がアルミ薄膜３９とアルミ薄膜４１との間に露出
してしまうことはなく、アルミ薄膜３９とアルミ薄膜４
１との間から入射する光が信号処理回路７側へ進入する
ことを防ぐことができる。
点としては、フォトダイオード部３において第１の金属
膜であるアルミ薄膜３９と第２の金属膜であるアルミ薄
膜４１とが接続され（図１２参照）、フォトダイオード
部３上のアルミ薄膜３９が一部残され除去された状態
（図２参照）において、アルミ薄膜３９とアルミ薄膜４
１との接続部が残されている点にある。このような構成
とすることで、フォトダイオード部３において層間絶縁
膜３４がアルミ薄膜３９とアルミ薄膜４１との間に露出
してしまうことはなく、アルミ薄膜３９とアルミ薄膜４
１との間から入射する光が信号処理回路７側へ進入する
ことを防ぐことができる。
【００４２】即ち、光センサに入射する光（例えば太陽
光）は必ずしもフォトダイオード部３に垂直に入射する
ものではなく斜めからも入射する。このとき、フォトダ
イオード部３においてアルミ薄膜３９とアルミ薄膜４１
との間に層間絶縁膜３４が露出していると、この層間絶
縁膜３４から光が信号処理回路７へ進入してしまい、信
号処理回路７において光電流の発生による誤動作が生じ
てしまう。上述した本実施形態の構造はこのような不具
合を防ぐようにしたものである。 （第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
光）は必ずしもフォトダイオード部３に垂直に入射する
ものではなく斜めからも入射する。このとき、フォトダ
イオード部３においてアルミ薄膜３９とアルミ薄膜４１
との間に層間絶縁膜３４が露出していると、この層間絶
縁膜３４から光が信号処理回路７へ進入してしまい、信
号処理回路７において光電流の発生による誤動作が生じ
てしまう。上述した本実施形態の構造はこのような不具
合を防ぐようにしたものである。 （第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４３】図３から図９までの製造工程は、第１の実
施の形態と同じである。その後、図１３に示すように、
アルミ薄膜４２を堆積する。さらに、図１４に示すよう
に、アルミ薄膜４２に対しパターンエッチングを行い、
遮光膜として信号処理回路部７上に残したままフォトダ
イオード部３の受光部上におけるアルミ薄膜４２を除去
する。そして、図１５に示すように、フォトダイオード
部３の受光部上における層間絶縁膜３４及びアルミ薄膜
４２を順にエッチング除去する。
施の形態と同じである。その後、図１３に示すように、
アルミ薄膜４２を堆積する。さらに、図１４に示すよう
に、アルミ薄膜４２に対しパターンエッチングを行い、
遮光膜として信号処理回路部７上に残したままフォトダ
イオード部３の受光部上におけるアルミ薄膜４２を除去
する。そして、図１５に示すように、フォトダイオード
部３の受光部上における層間絶縁膜３４及びアルミ薄膜
４２を順にエッチング除去する。
【００４４】尚、図１５に示すＲは図１２に示すＲと同
様の耐エッチング膜である。このようにして光センサＩ
Ｃが製造される。このように本実施の形態においてもフ
ォトダイオード部３の受光部の上の層間絶縁膜３４は除
去されるので、受光部の上の絶縁膜の膜厚が厚くなるこ
とが無く、フォトダイオード部３の受光部上での絶縁膜
の膜厚を薄くでき感度向上を図ることができる。又、受
光部上においては図１５に示すようにシリコン酸化膜１
７ｂのみが残されるので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バ
ラツキが抑えられ、受光部上の絶縁膜の膜厚バラツキを
少ないものにでき、受光特性の向上を図ることができ
る。
様の耐エッチング膜である。このようにして光センサＩ
Ｃが製造される。このように本実施の形態においてもフ
ォトダイオード部３の受光部の上の層間絶縁膜３４は除
去されるので、受光部の上の絶縁膜の膜厚が厚くなるこ
とが無く、フォトダイオード部３の受光部上での絶縁膜
の膜厚を薄くでき感度向上を図ることができる。又、受
光部上においては図１５に示すようにシリコン酸化膜１
７ｂのみが残されるので、受光部を覆う絶縁膜の膜厚バ
ラツキが抑えられ、受光部上の絶縁膜の膜厚バラツキを
少ないものにでき、受光特性の向上を図ることができ
る。
【００４５】さらに、図１４に示すようにシリコン酸化
膜１７ｂはその上に配置した（保護膜としての）アルミ
薄膜３９にて保護された状態で層間絶縁膜３４のエッチ
ングが行われるので、シリコン酸化膜１７ｂがダメージ
を受けることがない。さらには、図１４に示すようにシ
リコン酸化膜１７ｂとは異種材料であるアルミ薄膜３９
が配置されているので、図１５に示すように異種材料に
よる選択エッチングによりシリコン酸化膜１７ｂのみを
残すことができ、容易に膜厚管理することができる。
膜１７ｂはその上に配置した（保護膜としての）アルミ
薄膜３９にて保護された状態で層間絶縁膜３４のエッチ
ングが行われるので、シリコン酸化膜１７ｂがダメージ
を受けることがない。さらには、図１４に示すようにシ
リコン酸化膜１７ｂとは異種材料であるアルミ薄膜３９
が配置されているので、図１５に示すように異種材料に
よる選択エッチングによりシリコン酸化膜１７ｂのみを
残すことができ、容易に膜厚管理することができる。
【００４６】つまり、第１実施形態と同様の効果を得る
ことができる。又、第１実施形態と第２実施形態とを比
較すると、第１実施形態ではアルミ薄膜４１，３９を連
続的にエッチング除去できるが、エッチングの際にアル
ミ薄膜４１がエッチングされ、その後アルミ薄膜３９が
エッチングされることになるため、アルミ薄膜３９のエ
ッチングの際にアルミ薄膜４１のサイドエッチングが進
行し、遮光膜としてのパターンがばらつくことがあり好
ましくないという問題がある。一方、第２実施形態にお
いてはアルミ薄膜４２とアルミ薄膜３９のエッチング工
程が異なるため、アルミ薄膜３９のエッチング時にはア
ルミ薄膜４２は耐エッチング膜Ｒにより保護され、サイ
ドエッチングが進行することなく設計通りの遮光膜パタ
ーン形状が得られるというメリットがある。 （第３の実施の形態）次に、第３の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
ことができる。又、第１実施形態と第２実施形態とを比
較すると、第１実施形態ではアルミ薄膜４１，３９を連
続的にエッチング除去できるが、エッチングの際にアル
ミ薄膜４１がエッチングされ、その後アルミ薄膜３９が
エッチングされることになるため、アルミ薄膜３９のエ
ッチングの際にアルミ薄膜４１のサイドエッチングが進
行し、遮光膜としてのパターンがばらつくことがあり好
ましくないという問題がある。一方、第２実施形態にお
いてはアルミ薄膜４２とアルミ薄膜３９のエッチング工
程が異なるため、アルミ薄膜３９のエッチング時にはア
ルミ薄膜４２は耐エッチング膜Ｒにより保護され、サイ
ドエッチングが進行することなく設計通りの遮光膜パタ
ーン形状が得られるというメリットがある。 （第３の実施の形態）次に、第３の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００４７】図１６には本実施形態での光センサの平面
図を示し、図１７には図１６のXVII−XVII断面図を示
す。本光センサにおいてはレーザトリム調整用薄膜抵抗
素子５１を有している。つまり、図１７のレーザトリム
調整用抵抗素子部５０においてシリコン基板１上（シリ
コン酸化膜１７ａ上）にＣｒＳｉあるいはＣｒＳｉＮよ
りなるレーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１が配置さ
れ、同素子５１は図１６に示すように長方形状をなして
いる。レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１の一端部に
はアルミ配線５２が接続されるとともに他端部にはアル
ミ配線５３が接続されている。レーザトリム調整用薄膜
抵抗素子５１の上には層間絶縁膜３４が配置されている
が、アルミ薄膜３５は形成されていない。又、シリコン
基板１上には表面保護膜（シリコン窒化膜）５４が配置
されているが、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１の
上には表面保護膜５４は形成されていない。レーザトリ
ム調整用薄膜抵抗素子５１はその一部がレーザトリミン
グされている（図１６において示す凹部４９）。
図を示し、図１７には図１６のXVII−XVII断面図を示
す。本光センサにおいてはレーザトリム調整用薄膜抵抗
素子５１を有している。つまり、図１７のレーザトリム
調整用抵抗素子部５０においてシリコン基板１上（シリ
コン酸化膜１７ａ上）にＣｒＳｉあるいはＣｒＳｉＮよ
りなるレーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１が配置さ
れ、同素子５１は図１６に示すように長方形状をなして
いる。レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１の一端部に
はアルミ配線５２が接続されるとともに他端部にはアル
ミ配線５３が接続されている。レーザトリム調整用薄膜
抵抗素子５１の上には層間絶縁膜３４が配置されている
が、アルミ薄膜３５は形成されていない。又、シリコン
基板１上には表面保護膜（シリコン窒化膜）５４が配置
されているが、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１の
上には表面保護膜５４は形成されていない。レーザトリ
ム調整用薄膜抵抗素子５１はその一部がレーザトリミン
グされている（図１６において示す凹部４９）。
【００４８】尚、図１７のレーザトリム調整用抵抗素子
部５０はＰ+ 型領域２により分離されている。又、信号
処理回路部７においてはＮＰＮバイポーラトランジスタ
９と拡散抵抗５５とが形成され、拡散抵抗５５はＰ+ 型
領域５６に対しアルミ配線５７，５８が接続されてい
る。
部５０はＰ+ 型領域２により分離されている。又、信号
処理回路部７においてはＮＰＮバイポーラトランジスタ
９と拡散抵抗５５とが形成され、拡散抵抗５５はＰ+ 型
領域５６に対しアルミ配線５７，５８が接続されてい
る。
【００４９】次に、このように構成した光センサの製造
方法を、図１８〜図２４を用いて説明する。図１８に示
すように、シリコン基板１上に通常のＩＣ製造に用いら
れる拡散等によりトランジスタ、拡散抵抗とするための
領域１４，１５，１６，５６を形成するとともにシリコ
ン基板１上にシリコン酸化膜１７ａを形成する。その
後、図１９に示すように、受光部となる領域の上のシリ
コン酸化膜１７ａをフォトエッチングによって選択的に
除去し、１１００Åの熱酸化膜１７ｂを形成する。そし
て、イオンインプランテーンョン・拡散により、受光素
子として用いるフォトダイオードのＰ+ 型領域４を形成
する。その後、図２０に示すように、Ｃｒ−Ｓｉ薄膜を
スパッタ法により成膜し、所定の形状にフォトエッチン
グし、薄膜抵抗素子５１を形成する。この時、エッチン
グはドライエッチングによって行っている。
方法を、図１８〜図２４を用いて説明する。図１８に示
すように、シリコン基板１上に通常のＩＣ製造に用いら
れる拡散等によりトランジスタ、拡散抵抗とするための
領域１４，１５，１６，５６を形成するとともにシリコ
ン基板１上にシリコン酸化膜１７ａを形成する。その
後、図１９に示すように、受光部となる領域の上のシリ
コン酸化膜１７ａをフォトエッチングによって選択的に
除去し、１１００Åの熱酸化膜１７ｂを形成する。そし
て、イオンインプランテーンョン・拡散により、受光素
子として用いるフォトダイオードのＰ+ 型領域４を形成
する。その後、図２０に示すように、Ｃｒ−Ｓｉ薄膜を
スパッタ法により成膜し、所定の形状にフォトエッチン
グし、薄膜抵抗素子５１を形成する。この時、エッチン
グはドライエッチングによって行っている。
【００５０】さらに、図２１に示すように、厚さ１．１
μｍのアルミ薄膜（第１の金属膜）を成膜し、これをフ
ォトエッチングすることによってアルミ配線５２，５
３，３１，３２，３３，５７，５８を形成する。この
時、受光部での熱酸化膜１７ｂ上のアルミ薄膜５９はエ
ッチングせずに残しておく。その後、図２２に示すよう
に、４００ｎｍのシリコン酸化膜と５００ｎｍのシリコ
ン窒化膜とからなる層間絶縁膜３４をＣＶＤ法によって
形成する。さらに、受光部上の層間絶縁膜３４を除去す
る。
μｍのアルミ薄膜（第１の金属膜）を成膜し、これをフ
ォトエッチングすることによってアルミ配線５２，５
３，３１，３２，３３，５７，５８を形成する。この
時、受光部での熱酸化膜１７ｂ上のアルミ薄膜５９はエ
ッチングせずに残しておく。その後、図２２に示すよう
に、４００ｎｍのシリコン酸化膜と５００ｎｍのシリコ
ン窒化膜とからなる層間絶縁膜３４をＣＶＤ法によって
形成する。さらに、受光部上の層間絶縁膜３４を除去す
る。
【００５１】引き続き、図２３に示すように、遮光膜と
なるアルミ薄膜（第２の金属膜）４１を厚さ１．１μｍ
成膜し、遮光膜のパターンにフォトエッチングする。こ
の時、レーザトリム調整用の薄膜抵抗素子５１上はアル
ミ薄膜４１は残しておく。
なるアルミ薄膜（第２の金属膜）４１を厚さ１．１μｍ
成膜し、遮光膜のパターンにフォトエッチングする。こ
の時、レーザトリム調整用の薄膜抵抗素子５１上はアル
ミ薄膜４１は残しておく。
【００５２】そして、図２４に示すように、シリコン窒
化膜よりなる表面保護膜５４をＣＶＤ法によって５００
ｎｍ成膜し、フォトエッチングによって、受光部上の表
面保護膜５４、パッド電極上の表面保護膜５４と層間絶
縁膜３４、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１の上の
表面保護膜５４をドライエッチングによって除去する。
化膜よりなる表面保護膜５４をＣＶＤ法によって５００
ｎｍ成膜し、フォトエッチングによって、受光部上の表
面保護膜５４、パッド電極上の表面保護膜５４と層間絶
縁膜３４、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１の上の
表面保護膜５４をドライエッチングによって除去する。
【００５３】その後、図１７に示すように、受光部上の
アルミ薄膜４１，５９を除去するとともに、レーザトリ
ム調整用薄膜抵抗素子５１の上のアルミ薄膜４１をフォ
トエッチングによって同時に取り去る。
アルミ薄膜４１，５９を除去するとともに、レーザトリ
ム調整用薄膜抵抗素子５１の上のアルミ薄膜４１をフォ
トエッチングによって同時に取り去る。
【００５４】その後、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子
５１に対し、レーザトリミングを行って図１６の凹部４
９を形成する。このトリミングの際に、レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子５１の上にはアルミ薄膜３５および表
面保護膜５４が無いので、トリミングの際のエネルギー
のプロセスウィンドウが狭くなることなく良好なトリム
性が得られることになる（精密なるトリミングを行うこ
とができる）。
５１に対し、レーザトリミングを行って図１６の凹部４
９を形成する。このトリミングの際に、レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子５１の上にはアルミ薄膜３５および表
面保護膜５４が無いので、トリミングの際のエネルギー
のプロセスウィンドウが狭くなることなく良好なトリム
性が得られることになる（精密なるトリミングを行うこ
とができる）。
【００５５】このように本実施形態においては、下記の
特徴を有している。 （イ）図２４，１７に示すように、レーザトリム調整用
薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４１を除去す
るので、その後のレーザトリミングにおいて、レーザト
リム調整用薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４
１が無くなった状態で容易にトリミングを行うことがで
きる。
特徴を有している。 （イ）図２４，１７に示すように、レーザトリム調整用
薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４１を除去す
るので、その後のレーザトリミングにおいて、レーザト
リム調整用薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４
１が無くなった状態で容易にトリミングを行うことがで
きる。
【００５６】そして、本実施形態では表面保護膜５４を
除去する際にレーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１上に
アルミ薄膜４１が残されているため、表面保護膜５４の
ドライエッチング時にレーザトリム調整用薄膜抵抗素子
５１上の層間絶縁膜３４がエッチングされることを防止
できる。これにより層間絶縁膜３４のエッチングによる
膜厚変動が抑制され、トリミングを安定して行うことが
できる。 （ロ）図２４，１７に示すように、受光部上におけるア
ルミ薄膜４１，５９と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素
子５１の上におけるアルミ薄膜４１とを同時にエッチン
グ除去するので、製造は容易なものとなる。つまり、レ
ーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１上におけるアルミ薄
膜４１の除去を受光部上のアルミ薄膜５９の除去と同時
に行うことができ、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５
１上におけるアルミ薄膜４１を除去する工程を別途設け
る必要はない。 （第４の実施の形態）次に、第４の実施の形態を、第２
及び第３の実施の形態との相違点を中心に説明する。
除去する際にレーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１上に
アルミ薄膜４１が残されているため、表面保護膜５４の
ドライエッチング時にレーザトリム調整用薄膜抵抗素子
５１上の層間絶縁膜３４がエッチングされることを防止
できる。これにより層間絶縁膜３４のエッチングによる
膜厚変動が抑制され、トリミングを安定して行うことが
できる。 （ロ）図２４，１７に示すように、受光部上におけるア
ルミ薄膜４１，５９と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素
子５１の上におけるアルミ薄膜４１とを同時にエッチン
グ除去するので、製造は容易なものとなる。つまり、レ
ーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１上におけるアルミ薄
膜４１の除去を受光部上のアルミ薄膜５９の除去と同時
に行うことができ、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５
１上におけるアルミ薄膜４１を除去する工程を別途設け
る必要はない。 （第４の実施の形態）次に、第４の実施の形態を、第２
及び第３の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００５７】本実施形態においても図１６に示したよう
にレーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１を有している。
そして、製造工程は第２の実施の形態と類似した工程を
とっている。
にレーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１を有している。
そして、製造工程は第２の実施の形態と類似した工程を
とっている。
【００５８】以下、光センサの製造方法を、図２５〜図
２８を用いて説明する。図１８から図２１までの製造工
程は、第３の実施の形態と同じである。その後、図２５
に示すように、４００ｎｍのシリコン酸化膜と５００ｎ
ｍのシリコン窒化膜とからなる層間絶縁膜３４をＣＶＤ
法によって形成する。ここで、受光部上には層間絶縁膜
３４を残している。
２８を用いて説明する。図１８から図２１までの製造工
程は、第３の実施の形態と同じである。その後、図２５
に示すように、４００ｎｍのシリコン酸化膜と５００ｎ
ｍのシリコン窒化膜とからなる層間絶縁膜３４をＣＶＤ
法によって形成する。ここで、受光部上には層間絶縁膜
３４を残している。
【００５９】引き続き、図２６に示すように、遮光膜と
なるアルミ薄膜４１を厚さ１．１μｍ成膜し、遮光膜の
パターンにフォトエッチングする。この時、レーザトリ
ム調整用の薄膜抵抗素子５１の上はアルミ薄膜４１を残
しておく。
なるアルミ薄膜４１を厚さ１．１μｍ成膜し、遮光膜の
パターンにフォトエッチングする。この時、レーザトリ
ム調整用の薄膜抵抗素子５１の上はアルミ薄膜４１を残
しておく。
【００６０】そして、図２７に示すように、シリコン窒
化膜よりなる表面保護膜５４をＣＶＤ法によって５００
ｎｍ成膜し、フォトエッチングによって、受光部上の表
面保護膜５４と層間絶縁膜３４、パッド電極上の表面保
護膜５４と層間絶縁膜３４、レーザトリム調整用薄膜抵
抗素子５１の上の表面保護膜５４をドライエッチングに
よって除去する。
化膜よりなる表面保護膜５４をＣＶＤ法によって５００
ｎｍ成膜し、フォトエッチングによって、受光部上の表
面保護膜５４と層間絶縁膜３４、パッド電極上の表面保
護膜５４と層間絶縁膜３４、レーザトリム調整用薄膜抵
抗素子５１の上の表面保護膜５４をドライエッチングに
よって除去する。
【００６１】その後、図２８に示すように、受光部上の
アルミ薄膜５９と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５
１の上のアルミ薄膜４１をフォトエッチングによって同
時に取り去る。
アルミ薄膜５９と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５
１の上のアルミ薄膜４１をフォトエッチングによって同
時に取り去る。
【００６２】その後、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子
５１に対し、レーザトリミングを行って図１６の凹部４
９を形成する。このトリミングの際に、レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子５１の上にはアルミ薄膜３５および表
面保護膜５４が無いので、プロセスウィンドウが狭くな
ることなく良好なトリム性が得られる。
５１に対し、レーザトリミングを行って図１６の凹部４
９を形成する。このトリミングの際に、レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子５１の上にはアルミ薄膜３５および表
面保護膜５４が無いので、プロセスウィンドウが狭くな
ることなく良好なトリム性が得られる。
【００６３】このように本実施形態においては、下記の
特徴を有している。 （イ）図２７，２８に示すように、レーザトリム調整用
薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４１を除去す
るので、その後のレーザトリミングにおいて、レーザト
リム調整用薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４
１が無くなった状態で容易にトリミングを行うことがで
きる。 （ロ）図２７，２８に示すように、受光部上におけるア
ルミ薄膜５９と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１
の上におけるアルミ薄膜４１とを同時にエッチング除去
するので、製造は容易なものとなる。即ち、本実施形態
においても第３実施形態と同様の効果が得られる。
特徴を有している。 （イ）図２７，２８に示すように、レーザトリム調整用
薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４１を除去す
るので、その後のレーザトリミングにおいて、レーザト
リム調整用薄膜抵抗素子５１の上におけるアルミ薄膜４
１が無くなった状態で容易にトリミングを行うことがで
きる。 （ロ）図２７，２８に示すように、受光部上におけるア
ルミ薄膜５９と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子５１
の上におけるアルミ薄膜４１とを同時にエッチング除去
するので、製造は容易なものとなる。即ち、本実施形態
においても第３実施形態と同様の効果が得られる。
【００６４】この他の例を以下、説明する。光電変換部
の受光部を覆う絶縁膜として、熱酸化膜の他にも、窒化
膜（シリコン窒化膜）を用いてもよい。窒化膜を用いて
もＣＶＤ法によるＳｉＯ2 膜に比べ膜厚のバラツキを小
さくできる。あるいは、受光部を覆う絶縁膜として、熱
酸化膜と窒化膜との積層体を用いてもよい。
の受光部を覆う絶縁膜として、熱酸化膜の他にも、窒化
膜（シリコン窒化膜）を用いてもよい。窒化膜を用いて
もＣＶＤ法によるＳｉＯ2 膜に比べ膜厚のバラツキを小
さくできる。あるいは、受光部を覆う絶縁膜として、熱
酸化膜と窒化膜との積層体を用いてもよい。
【００６５】又、第１の金属膜は、アルミ薄膜の他にも
回路の配線材料として用いることのできる材料であれば
他の材料でもよい。さらに、第２の金属膜は、アルミの
他にも他の材料でもよい。ただし、第１の金属膜と第２
の金属膜に同一金属を用いれば、一度のエッチング工程
で受光部上の第１の金属膜と第２の金属膜を同時に除去
可能である。又、第１の金属膜と第２の金属膜とは同一
の金属でなくても、同時にエッチング可能な金属であれ
ばよい。
回路の配線材料として用いることのできる材料であれば
他の材料でもよい。さらに、第２の金属膜は、アルミの
他にも他の材料でもよい。ただし、第１の金属膜と第２
の金属膜に同一金属を用いれば、一度のエッチング工程
で受光部上の第１の金属膜と第２の金属膜を同時に除去
可能である。又、第１の金属膜と第２の金属膜とは同一
の金属でなくても、同時にエッチング可能な金属であれ
ばよい。
【００６６】さらには、層間絶縁膜３４の材料、厚さ、
形成方法は、良好な絶縁特性が得られるものであれば、
他のものでもかまわない。又、光電変換部の受光部上に
シリコン酸化膜１７ｂのみ残すためのエッチングはウェ
ットエッチングの他にもドライエッチングにて行っても
よい。この場合において、第１の金属膜と第２の金属膜
として、同一のエッチング手段（同一のドライエッチン
グ種）にてエッチングできる材料を用いていると、エッ
チングが容易となる。
形成方法は、良好な絶縁特性が得られるものであれば、
他のものでもかまわない。又、光電変換部の受光部上に
シリコン酸化膜１７ｂのみ残すためのエッチングはウェ
ットエッチングの他にもドライエッチングにて行っても
よい。この場合において、第１の金属膜と第２の金属膜
として、同一のエッチング手段（同一のドライエッチン
グ種）にてエッチングできる材料を用いていると、エッ
チングが容易となる。
【００６７】又、第１，第２の実施形態においても第
３，第４の実施形態のような表面保護膜５４を用いるよ
うにしてもよい。
３，第４の実施形態のような表面保護膜５４を用いるよ
うにしてもよい。
【図１】 第１の実施の形態における光センサの平面
図。
図。
【図２】 図１のII−II断面図。
【図３】 第１の実施の形態における光センサの製造工
程を説明するための断面図。
程を説明するための断面図。
【図４】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図５】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図６】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図７】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図８】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図９】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図１０】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図１１】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図１２】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図１３】 第２の実施の形態における光センサの製造
工程を説明するための断面図。
工程を説明するための断面図。
【図１４】 第２の実施の形態における光センサの製造
工程を説明するための断面図。
工程を説明するための断面図。
【図１５】 第２の実施の形態における光センサの製造
工程を説明するための断面図。
工程を説明するための断面図。
【図１６】 第３の実施の形態における光センサの平面
図。
図。
【図１７】 図１のXVII−XVII断面図。
【図１８】 第３の実施の形態における光センサの製造
工程を説明するための断面図。
工程を説明するための断面図。
【図１９】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２０】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２１】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２２】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２３】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２４】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２５】 第４の実施の形態における光センサの製造
工程を説明するための断面図。
工程を説明するための断面図。
【図２６】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２７】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２８】 光センサの製造工程を説明するための断面
図。
図。
【図２９】 従来の光センサの断面図。
【図３０】 従来の光センサの製造工程を説明するため
の断面図。
の断面図。
【図３１】 従来の光センサの製造工程を説明するため
の断面図。
の断面図。
【符号の説明】
１…半導体基板としてのシリコン基板、３…光電変換部
としてのフォトダイオード部、７…信号処理回路部、１
７ｂ…第１の絶縁膜としてのシリコン酸化膜、２８〜３
３…アルミ配線、３４…第２の絶縁膜としての層間絶縁
膜、３８…第１の金属膜としてのアルミ薄膜、４１…第
２の金属膜としてのアルミ薄膜、５１…レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子、５９…第１の金属膜としてのアルミ
薄膜
としてのフォトダイオード部、７…信号処理回路部、１
７ｂ…第１の絶縁膜としてのシリコン酸化膜、２８〜３
３…アルミ配線、３４…第２の絶縁膜としての層間絶縁
膜、３８…第１の金属膜としてのアルミ薄膜、４１…第
２の金属膜としてのアルミ薄膜、５１…レーザトリム調
整用薄膜抵抗素子、５９…第１の金属膜としてのアルミ
薄膜
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フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−314812（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−183561（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−273082（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 27/14
H01L 31/10
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板に光電変換部と回路部とを形
成するとともに、前記光電変換部の受光部の上にのみ第
１の絶縁膜を形成し、更に前記半導体基板の上にレーザ
トリム調整用薄膜抵抗素子を配置する第１工程と、 前記半導体基板の上に、前記第１の絶縁膜とは異種材料
である第１の金属膜を堆積するとともに、当該金属膜を
パターニングして回路部における配線および受光部の上
の保護膜として残す第２工程と、 前記第１の金属膜の上を含む半導体基板上及び前記レー
ザトリム調整用薄膜抵抗素子上に第２の絶縁膜を堆積す
る第３工程と、 前記受光部上における前記第２の絶縁膜を除去する第４
工程と、 前記第２の絶縁膜の上を含む半導体基板上に第２の金属
膜を堆積する第５工程と、前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜を堆積する第６工程
と、 前記受光部上の前記第３の絶縁膜と、前記レーザトリム
調整用薄膜抵抗素子上の前記第３の絶縁膜を除去する第
７工程と、 前記受光部上における前記第２の金属膜をエッチング除
去するとともに、前記レーザトリム調整用薄膜抵抗素子
上の前記第２の金属膜を除去する第８工程と、 前記受光部上における前記第１の金属膜をエッチング除
去する第９工程と を備えたことを特徴とする光センサの製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板に光電変換部と回路部とを形
成するとともに、前記光電変換部の受光部の上にのみ第
１の絶縁膜を形成する第１工程と、 前記半導体基板の上に、前記第１の絶縁膜とは異種材料
である第１の金属膜を堆積するとともに、当該金属膜を
パターニングして回路部における配線および受光部の上
の保護膜として残す第２工程と、 前記第１の金属膜の上を含む半導体基板上に第２の絶縁
膜を堆積する第３工程と、 前記第２の絶縁膜の上に第２の金属膜を堆積する第４工
程と、 前記受光部上における前記第２の金属膜をエッチング除
去する第５工程と、 前記受光部上における前記第２の絶縁膜および前記第１
の金属膜をエッチング除去する第６工程とを備えたこと
を特徴とする光センサの製造方法。 - 【請求項３】 前記第８工程は、前記受光部上における
第２の金属膜と、レーザトリム調整用薄膜抵抗素子の上
における第２の金属膜とを同時にエッチング除去するも
のである請求項１に記載の光センサの製造方法。 - 【請求項４】半導体基板に光電変換部と回路部とを形成
するとともに、前記光電変換部の受光部の上にのみ第１
の絶縁膜を形成し、更に前記半導体基板の上にレーザト
リム調整用薄膜抵抗素子を配置する第１工程と、 前記半導体基板の上に、前記第１の絶縁膜とは異種材料
である第１の金属膜を堆積するとともに、当該金属膜を
パターニングして回路部における配線および受光部の上
の保護膜として残す第２工程と、 前記第１の金属膜の上を含む半導体基板上及び前記レー
ザトリム調整用薄膜抵抗素子上に第２の絶縁膜を堆積す
る第３工程と、 前記第２の絶縁膜の上に第２の金属膜を堆積する第４工
程と、 前記受光部上における前記第２の金属膜をエッチング除
去する第５工程と、 前記レーザトリム調整用薄膜抵抗素子上の前記第２の金
属膜を除去せずに残すとともに、前記第２の金属膜上に
第３の絶縁膜を堆積する第６工程と、 前記受光部上の前記第３の絶縁膜と、前記レーザトリム
調整用薄膜抵抗素子上の前記第３の絶縁膜を除去する第
７工程と、 前記受光部上における前記第２の絶縁膜および前記第１
の金属膜をエッチング除去するとともに、前記レーザト
リム調整用薄膜抵抗素子上の前記第２の金属膜を除去す
る第８工程とを備えたことを特徴とする 光センサの製造
方法。 - 【請求項５】 前記第８工程は、前記受光部上における
第１の金属膜と、前記レーザトリム調整用薄膜抵抗素子
の上における第２の金属膜とを同時にエッチング除去す
るものである請求項４に記載の光センサの製造方法。 - 【請求項６】 前記第１の絶縁膜として、熱酸化膜を用
いた請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の光セン
サの製造方法。 - 【請求項７】 第１の金属膜と第２の金属膜として、同
一のエッチング手段にてエッチングできる材料を用いた
請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の光センサの
製造方法。 - 【請求項８】 第１の金属膜と第２の金属膜とが同一金
属よりなる請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の
光センサの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32442896A JP3520700B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-12-04 | 光センサの製造方法 |
| US08/800,325 US5779918A (en) | 1996-02-14 | 1997-02-14 | Method for manufacturing a photo-sensor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-26985 | 1996-02-14 | ||
| JP2698596 | 1996-02-14 | ||
| JP32442896A JP3520700B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-12-04 | 光センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283730A JPH09283730A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3520700B2 true JP3520700B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=26364852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32442896A Expired - Fee Related JP3520700B2 (ja) | 1996-02-14 | 1996-12-04 | 光センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3520700B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3370298B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2003-01-27 | シャープ株式会社 | 回路内蔵受光素子 |
| JP4961232B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2012-06-27 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5022795B2 (ja) * | 2007-07-09 | 2012-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体受光素子およびその製造方法 |
| JP5231145B2 (ja) * | 2008-09-17 | 2013-07-10 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 照度センサおよびその製造方法 |
| JP7232679B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2023-03-03 | ローム株式会社 | 電子部品 |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP32442896A patent/JP3520700B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09283730A (ja) | 1997-10-31 |
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