JP3519759B2 - 磁気軸受スピンドル - Google Patents
磁気軸受スピンドルInfo
- Publication number
- JP3519759B2 JP3519759B2 JP24450293A JP24450293A JP3519759B2 JP 3519759 B2 JP3519759 B2 JP 3519759B2 JP 24450293 A JP24450293 A JP 24450293A JP 24450293 A JP24450293 A JP 24450293A JP 3519759 B2 JP3519759 B2 JP 3519759B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bearing
- tuning circuit
- magnetic
- gap sensor
- bearing spindle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
- F16C—SHAFTS; FLEXIBLE SHAFTS; ELEMENTS OR CRANKSHAFT MECHANISMS; ROTARY BODIES OTHER THAN GEARING ELEMENTS; BEARINGS
- F16C2360/00—Engines or pumps
- F16C2360/44—Centrifugal pumps
- F16C2360/45—Turbo-molecular pumps
Landscapes
- Magnetic Bearings And Hydrostatic Bearings (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気軸受スピンドル
に関し、特に、半導体産業などで広く用いられるターボ
分子ポンプにおける磁気軸受スピンドルに関する。
に関し、特に、半導体産業などで広く用いられるターボ
分子ポンプにおける磁気軸受スピンドルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のターボ分子ポンプなどで用いられ
る磁気軸受スピンドルは、本体内の磁気軸受によって回
転軸を磁気浮上させ、かつ、本体内のモータによって回
転軸を回転させている。磁気浮上位置の決定のために、
本体内には、回転軸の位置を検出するセンサコイルなど
のギャップセンサが設けられ、その検出出力を信号処理
するための制御部が本体から数ｍ離れて設けられたコン
トロールボックス内に収納されている。ギャップセンサ
と制御部とは、同軸ケーブルなどで接続され、制御部は
ケーブルの容量のばらつきを含みつつ、ギャップセンサ
の検出出力を信号処理していた。
る磁気軸受スピンドルは、本体内の磁気軸受によって回
転軸を磁気浮上させ、かつ、本体内のモータによって回
転軸を回転させている。磁気浮上位置の決定のために、
本体内には、回転軸の位置を検出するセンサコイルなど
のギャップセンサが設けられ、その検出出力を信号処理
するための制御部が本体から数ｍ離れて設けられたコン
トロールボックス内に収納されている。ギャップセンサ
と制御部とは、同軸ケーブルなどで接続され、制御部は
ケーブルの容量のばらつきを含みつつ、ギャップセンサ
の検出出力を信号処理していた。
【０００３】しかしながら、回転軸やセンサコイルにお
ける製造誤差、同軸ケーブルにおける容量などのばらつ
きなどがあり、ギャップセンサの感度特性を一定にする
ことができず、スピンドル本体と制御部とを１対１に対
応させる必要があった、すなわち互換性を得ることがで
きなかった。そこで、制御部である同調回路がスピンド
ル本体に設けられた磁気軸受スピンドルが実開平１−１
４９０１８号公報で提案されている。
ける製造誤差、同軸ケーブルにおける容量などのばらつ
きなどがあり、ギャップセンサの感度特性を一定にする
ことができず、スピンドル本体と制御部とを１対１に対
応させる必要があった、すなわち互換性を得ることがで
きなかった。そこで、制御部である同調回路がスピンド
ル本体に設けられた磁気軸受スピンドルが実開平１−１
４９０１８号公報で提案されている。
【０００４】図４は、その磁気軸受スピンドルの軸方向
断面図である。図４を参照して、ハウジング１内に格納
された回転軸３の最下部には、スラスト方向の支持を行
なうための電磁石を有するスラスト磁気軸受５が設けら
れ、最上部とスラスト磁気軸受５の設けられた部分の少
し上方には、それぞれラジアル方向の支持を行なうため
の電磁石を有するラジアル磁気軸受７，９が設けられ
る。ラジアル磁気軸受７とラジアル磁気軸受９との間に
は、回転軸３を回転させるためのモータ１１が設けられ
る。ラジアル磁気軸受７，９およびスラスト磁気軸受５
のステータである電磁石は、それぞれハウジング１に取
付けられており、ラジアル磁気軸受７，９の電磁石と回
転軸３との間を検出するラジアル方向用ギャップセンサ
１３，１５がラジアル磁気軸受７，９のそれぞれに近接
して設けられる。スラスト方向に関しては、スラスト方
向用ギャップセンサ１７が、回転軸３の最下端に設けら
れる。
断面図である。図４を参照して、ハウジング１内に格納
された回転軸３の最下部には、スラスト方向の支持を行
なうための電磁石を有するスラスト磁気軸受５が設けら
れ、最上部とスラスト磁気軸受５の設けられた部分の少
し上方には、それぞれラジアル方向の支持を行なうため
の電磁石を有するラジアル磁気軸受７，９が設けられ
る。ラジアル磁気軸受７とラジアル磁気軸受９との間に
は、回転軸３を回転させるためのモータ１１が設けられ
る。ラジアル磁気軸受７，９およびスラスト磁気軸受５
のステータである電磁石は、それぞれハウジング１に取
付けられており、ラジアル磁気軸受７，９の電磁石と回
転軸３との間を検出するラジアル方向用ギャップセンサ
１３，１５がラジアル磁気軸受７，９のそれぞれに近接
して設けられる。スラスト方向に関しては、スラスト方
向用ギャップセンサ１７が、回転軸３の最下端に設けら
れる。
【０００５】ハウジング１の底板１９の上方に設けられ
た空間２０では、ラジアル方向用ギャップセンサ１３，
１５およびスラスト方向用ギャップセンサ１７の同調回
路である制御部２１が設けられ、ここで信号処理された
各ギャップセンサに応じた電気信号がコントロールボッ
クスに送られ、各々の電磁石が制御される磁気軸受が形
成されている。これらの磁気軸受が何らかの原因によっ
て制御を行なうことができなくなった場合のために、非
常用の転がり軸受２５，２６が回転軸３の上部および下
部にそれぞれ設けられる。
た空間２０では、ラジアル方向用ギャップセンサ１３，
１５およびスラスト方向用ギャップセンサ１７の同調回
路である制御部２１が設けられ、ここで信号処理された
各ギャップセンサに応じた電気信号がコントロールボッ
クスに送られ、各々の電磁石が制御される磁気軸受が形
成されている。これらの磁気軸受が何らかの原因によっ
て制御を行なうことができなくなった場合のために、非
常用の転がり軸受２５，２６が回転軸３の上部および下
部にそれぞれ設けられる。
【０００６】次に、動作について説明する。回転軸３を
所望の位置で非接触保持するために、ラジアル方向用ギ
ャップセンサ１３，１５およびスラスト方向用ギャップ
センサ１７によって、回転軸部３のラジアルおよびスラ
スト方向における位置が検出され、互換性を得るために
設けられた制御部２１で検出出力が信号処理され、これ
により、ラジアル磁気軸受７，９およびスラスト磁気軸
受５の制御が行なわれる。このような制御が行なわれた
状態で、回転軸３を回転させるモータ１１が駆動するこ
とにより、回転軸３は回転する。
所望の位置で非接触保持するために、ラジアル方向用ギ
ャップセンサ１３，１５およびスラスト方向用ギャップ
センサ１７によって、回転軸部３のラジアルおよびスラ
スト方向における位置が検出され、互換性を得るために
設けられた制御部２１で検出出力が信号処理され、これ
により、ラジアル磁気軸受７，９およびスラスト磁気軸
受５の制御が行なわれる。このような制御が行なわれた
状態で、回転軸３を回転させるモータ１１が駆動するこ
とにより、回転軸３は回転する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ターボ分子
ポンプ用のスピンドルは内部が高真空状態で運転され
る。ところが、真空中での放熱は行なわれにくく、その
ため磁気軸受の電磁石コイルや駆動用モータからの熱
は、内部に蓄積され、使用条件によっては内部温度が１
００℃以上になる場合がある。また、真空度を上げるた
めに、ベーキングが行なわれる場合があるが、その場合
には、さらに内部温度は上昇する。
ポンプ用のスピンドルは内部が高真空状態で運転され
る。ところが、真空中での放熱は行なわれにくく、その
ため磁気軸受の電磁石コイルや駆動用モータからの熱
は、内部に蓄積され、使用条件によっては内部温度が１
００℃以上になる場合がある。また、真空度を上げるた
めに、ベーキングが行なわれる場合があるが、その場合
には、さらに内部温度は上昇する。
【０００８】一方、ギャップセンサを制御する制御部に
おける回路には、半導体が不可欠に用いられているが、
温度に対する限界値は８０℃程度と熱に弱いという欠点
がある。
おける回路には、半導体が不可欠に用いられているが、
温度に対する限界値は８０℃程度と熱に弱いという欠点
がある。
【０００９】ゆえに、この発明は、上記のような問題を
解決し、ギャップセンサの検出出力に応じて磁気軸受を
制御する制御部の半導体に、外部からの熱をできるだけ
与えず、また、半導体自身から発生する熱を効率よく放
熱することにより、半導体の熱による破損を防ぐことの
できるような磁気軸受スピンドルを提供することであ
る。
解決し、ギャップセンサの検出出力に応じて磁気軸受を
制御する制御部の半導体に、外部からの熱をできるだけ
与えず、また、半導体自身から発生する熱を効率よく放
熱することにより、半導体の熱による破損を防ぐことの
できるような磁気軸受スピンドルを提供することであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第 1 の発明は、真空ハウ
ジング内に格納された、回転軸を軸支するための磁気軸
受、回転軸を回転駆動するモータ、回転軸の浮上位置を
検出するためのギャップセンサ、前記ギャップセンサか
ら出力される浮上位置に対応した電圧を検波して出力す
る同調回路、を含む磁気軸受スピンドルにおいて、真空
ハウジングはモータより遠い側に底蓋を有し、同調回路
は金属ケースに収められるとともに熱伝導性樹脂でモー
ルドされ、金属ケースが底蓋に固定されることを特徴と
する。
ジング内に格納された、回転軸を軸支するための磁気軸
受、回転軸を回転駆動するモータ、回転軸の浮上位置を
検出するためのギャップセンサ、前記ギャップセンサか
ら出力される浮上位置に対応した電圧を検波して出力す
る同調回路、を含む磁気軸受スピンドルにおいて、真空
ハウジングはモータより遠い側に底蓋を有し、同調回路
は金属ケースに収められるとともに熱伝導性樹脂でモー
ルドされ、金属ケースが底蓋に固定されることを特徴と
する。
【００１１】第２の発明は、真空ハウジング内に格納さ
れた、回転軸を軸支するための磁気軸受、回転軸を回転
駆動するモータ、回転軸の浮上位置を検出するためのギ
ャップセンサ、ギャップセンサから出力される浮上位置
に対応した電圧を検波して出力する同調回路、を含む磁
気軸受スピンドルにおいて、真空ハウジングは前記モー
タより遠い側にあって内面に凹部を備える底蓋を有し、
同調回路は前記凹部に配置されるともに熱伝導性樹脂で
モールドされることを特徴とする。第１、第２の発明に
おいて、前記熱伝導性樹脂は高熱伝導性型エポキシ樹脂
であることが好ましい。
れた、回転軸を軸支するための磁気軸受、回転軸を回転
駆動するモータ、回転軸の浮上位置を検出するためのギ
ャップセンサ、ギャップセンサから出力される浮上位置
に対応した電圧を検波して出力する同調回路、を含む磁
気軸受スピンドルにおいて、真空ハウジングは前記モー
タより遠い側にあって内面に凹部を備える底蓋を有し、
同調回路は前記凹部に配置されるともに熱伝導性樹脂で
モールドされることを特徴とする。第１、第２の発明に
おいて、前記熱伝導性樹脂は高熱伝導性型エポキシ樹脂
であることが好ましい。
【００１２】
【作用】この発明に係る磁気軸受スピンドルは、真空ハ
ウジング内に格納された同調回路を、金属ケースに収め
て熱伝導性樹脂でモールドするとともにモータより遠い
側の真空ハウジング底蓋に固定するか、あるいはモータ
より遠い側の真空ハウジング底蓋の凹部に配置するとも
に熱伝導性樹脂でモールドすることにより、同調回路に
対する熱による影響を抑えることができる。
ウジング内に格納された同調回路を、金属ケースに収め
て熱伝導性樹脂でモールドするとともにモータより遠い
側の真空ハウジング底蓋に固定するか、あるいはモータ
より遠い側の真空ハウジング底蓋の凹部に配置するとも
に熱伝導性樹脂でモールドすることにより、同調回路に
対する熱による影響を抑えることができる。
【００１３】
【実施例】図１は、この発明の一実施例による磁気軸受
スピンドルの軸方向断面図であり、図２は、図１のギャ
ップセンサの同調回路を有する制御部を説明するための
図であり、特に、図２（ａ）は、制御部の斜視図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ｂラインに沿う断
面図である。
スピンドルの軸方向断面図であり、図２は、図１のギャ
ップセンサの同調回路を有する制御部を説明するための
図であり、特に、図２（ａ）は、制御部の斜視図であ
り、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ｂラインに沿う断
面図である。
【００１４】図１を参照して、図４に示した従来例と異
なる部分についてのみ説明する。まず、この実施例に示
す磁気軸受スピンドルは、比較的大きなターボ分子ポン
プに使用するものである。ハウジング１は、スピンドル
ハウジング２７と、下部ハウジング３０と、底蓋２９と
を含む。スピンドルハウジング２７には、回転軸３に対
向するように、スラスト磁気軸受５，ラジアル磁気軸受
７，９およびモータ１１のステータ，ラジアル方向用ギ
ャップセンサ１３，１５，スラスト方向用ギャップセン
サ１７および非常用の転がり軸受２５，２６が取付けら
れている。スピンドルハウジング２７、底蓋２９および
下部ハウジング３０との間にはかなり大きな空間３１が
設けられており、その空間には、図２（ａ）に示すよう
なギャップセンサの同調回路を有する長方形状の制御部
３３が底蓋２９側に固定されて設けられる。さらに、図
２（ｂ）に示すように、制御部３３は、基板３５に取付
けられた同調回路の半導体素子３６が熱伝導性のよい金
属ケース３７に収納され、その隙間がたとえば高熱伝導
性型エポキシ樹脂のような熱伝導性の高い樹脂３８でモ
ールドされたものである。
なる部分についてのみ説明する。まず、この実施例に示
す磁気軸受スピンドルは、比較的大きなターボ分子ポン
プに使用するものである。ハウジング１は、スピンドル
ハウジング２７と、下部ハウジング３０と、底蓋２９と
を含む。スピンドルハウジング２７には、回転軸３に対
向するように、スラスト磁気軸受５，ラジアル磁気軸受
７，９およびモータ１１のステータ，ラジアル方向用ギ
ャップセンサ１３，１５，スラスト方向用ギャップセン
サ１７および非常用の転がり軸受２５，２６が取付けら
れている。スピンドルハウジング２７、底蓋２９および
下部ハウジング３０との間にはかなり大きな空間３１が
設けられており、その空間には、図２（ａ）に示すよう
なギャップセンサの同調回路を有する長方形状の制御部
３３が底蓋２９側に固定されて設けられる。さらに、図
２（ｂ）に示すように、制御部３３は、基板３５に取付
けられた同調回路の半導体素子３６が熱伝導性のよい金
属ケース３７に収納され、その隙間がたとえば高熱伝導
性型エポキシ樹脂のような熱伝導性の高い樹脂３８でモ
ールドされたものである。
【００１５】次に、動作について説明する。図４の従来
例で示したように、回転軸３を回転させるためには、ス
ラスト磁気軸受５、ラジアル磁気軸受７，９が制御さ
れ、モータ１１が駆動する必要がある。これによって、
それぞれの電磁石コイルやモータステータから熱が発生
し、特に、回転軸３の近傍は発熱源的な役割を担うこと
になる。そして、その熱は外気側へ伝わっていくため、
温度分布は、高いほうから、スピンドルハウジング２
７、下部ハウジング３０、底蓋２９の順になる。したが
って、制御部３３は、温度分布の低いところに設けられ
ているため、発熱源からの熱があまり与えられず、ま
た、外気に接しているため放熱特性もよいので、同調回
路で用いられる半導体素子３６の破損が防がれることに
なる。また、制御部３３自体も動作することにより、同
調回路の半導体素子３６から熱が発生することになる
が、図２（ｂ）に示すように熱伝導特性のよい樹脂３８
や金属ケース３７によって、外部へ熱が放出されること
になる。さらに、図示していない冷却ファンや水冷装置
をハウジング１の外側に簡単に取付けることができるた
め、同調回路の半導体素子３６に与える熱をさらに減ら
すことは容易に行なわれる。
例で示したように、回転軸３を回転させるためには、ス
ラスト磁気軸受５、ラジアル磁気軸受７，９が制御さ
れ、モータ１１が駆動する必要がある。これによって、
それぞれの電磁石コイルやモータステータから熱が発生
し、特に、回転軸３の近傍は発熱源的な役割を担うこと
になる。そして、その熱は外気側へ伝わっていくため、
温度分布は、高いほうから、スピンドルハウジング２
７、下部ハウジング３０、底蓋２９の順になる。したが
って、制御部３３は、温度分布の低いところに設けられ
ているため、発熱源からの熱があまり与えられず、ま
た、外気に接しているため放熱特性もよいので、同調回
路で用いられる半導体素子３６の破損が防がれることに
なる。また、制御部３３自体も動作することにより、同
調回路の半導体素子３６から熱が発生することになる
が、図２（ｂ）に示すように熱伝導特性のよい樹脂３８
や金属ケース３７によって、外部へ熱が放出されること
になる。さらに、図示していない冷却ファンや水冷装置
をハウジング１の外側に簡単に取付けることができるた
め、同調回路の半導体素子３６に与える熱をさらに減ら
すことは容易に行なわれる。
【００１６】図３は、この発明の他の実施例による磁気
軸受スピンドルの軸方向断面図である。
軸受スピンドルの軸方向断面図である。
【００１７】図３を参照して、図２に示した実施例では
可能であった空間を設けることのできない磁気軸受スピ
ンドルについて図１に示した実施例と異なる部分につい
て説明する。
可能であった空間を設けることのできない磁気軸受スピ
ンドルについて図１に示した実施例と異なる部分につい
て説明する。
【００１８】ハウジング１は、図１のスピンドルハウジ
ング２７と下部ハウジング３０とが一体となったハウジ
ング４０と、底蓋２９を含む。ハウジング４０には、ス
ラスト磁気軸受５、ラジアル磁気軸受７，９のステータ
などが設けられており、ハウジング４０と底蓋２９との
間で囲まれる空間４１は、図１に示した空間３１に比べ
て小スペースのものである。したがって、その空間４１
にギャップセンサの同調回路を有する制御部３３を設け
ることができないため、底蓋２９を加工して凹部を作
り、半導体素子３６が取付けられた基板３５で蓋をし、
その隙間に熱伝導性の高いの樹脂３８を充填する。な
お、図において底蓋２９における凹部の加工位置は限定
されるものではない。
ング２７と下部ハウジング３０とが一体となったハウジ
ング４０と、底蓋２９を含む。ハウジング４０には、ス
ラスト磁気軸受５、ラジアル磁気軸受７，９のステータ
などが設けられており、ハウジング４０と底蓋２９との
間で囲まれる空間４１は、図１に示した空間３１に比べ
て小スペースのものである。したがって、その空間４１
にギャップセンサの同調回路を有する制御部３３を設け
ることができないため、底蓋２９を加工して凹部を作
り、半導体素子３６が取付けられた基板３５で蓋をし、
その隙間に熱伝導性の高いの樹脂３８を充填する。な
お、図において底蓋２９における凹部の加工位置は限定
されるものではない。
【００１９】これにより、この実施例においても、回転
軸３の近傍で発生する熱による熱分布の低い部分、すな
わち外気に近い底蓋２９に制御部３３を設けることによ
り、熱による同調回路の半導体素子３６の破損を防ぐこ
とができる。また、充填された熱伝導性の高い樹脂３８
で同調回路の半導体素子３６がモールドされることによ
り、同調回路の半導体素子３６から発生する熱を外部へ
放熱することもできる。
軸３の近傍で発生する熱による熱分布の低い部分、すな
わち外気に近い底蓋２９に制御部３３を設けることによ
り、熱による同調回路の半導体素子３６の破損を防ぐこ
とができる。また、充填された熱伝導性の高い樹脂３８
で同調回路の半導体素子３６がモールドされることによ
り、同調回路の半導体素子３６から発生する熱を外部へ
放熱することもできる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、真空
ハウジング内に格納された同調回路を含む磁気軸受スピ
ンドルにおいて、同調回路に対する外部からの熱の影響
を少なくでき、また、同調回路の発熱を外部に放熱する
ことができる。これにより、同調回路を構成する半導体
素子の温度が許容値以内に抑えられるため、磁気軸受を
制御する信頼性が向上する。
ハウジング内に格納された同調回路を含む磁気軸受スピ
ンドルにおいて、同調回路に対する外部からの熱の影響
を少なくでき、また、同調回路の発熱を外部に放熱する
ことができる。これにより、同調回路を構成する半導体
素子の温度が許容値以内に抑えられるため、磁気軸受を
制御する信頼性が向上する。
【図１】この発明の一実施例による磁気軸受スピンドル
の軸方向断面図である。
の軸方向断面図である。
【図２】図１のギャップセンサの同調回路を有する制御
部を説明するための図である。
部を説明するための図である。
【図３】この発明の他の実施例による磁気軸受スピンド
ルの軸方向断面図である。
ルの軸方向断面図である。
【図４】従来の磁気軸受スピンドルの軸方向断面図であ
る。
る。
１，４０ ハウジング
３ 回転軸
５ スラスト磁気軸受
７，９ ラジアル磁気軸受
１３，１５ ラジアル方向用ギャップセンサ
１７ スラスト方向用ギャップセンサ
２７ スピンドルハウジング
２９ 底蓋
３０ 下部ハウジング
３１，４１ 空間
３３ 制御部
３６ 半導体素子
３８ 樹脂
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
F16C 32/00 - 32/06
Claims (3)
- 【請求項１】 真空ハウジング内に格納された、回転軸
を軸支するための磁気軸受、前記回転軸を回転駆動する
モータ、前記回転軸の浮上位置を検出するためのギャッ
プセンサ、前記ギャップセンサから出力される浮上位置
に対応した電圧を検波して出力する同調回路、を含む磁
気軸受スピンドルにおいて、前記真空ハウジングは前記モータより遠い側に底蓋を有
し、 前記同調回路は金属ケースに収められるとともに熱
伝導性樹脂でモールドされ、前記金属ケースが前記底蓋
に固定されることを特徴とする磁気軸受スピンドル。 - 【請求項２】 真空ハウジング内に格納された、回転軸
を軸支するための磁気軸受、前記回転軸を回転駆動する
モータ、前記回転軸の浮上位置を検出するためのギャッ
プセンサ、前記ギャップセンサから出力される浮上位置
に対応した電圧を検波して出力する同調回路、を含む磁
気軸受スピンドルにおいて、前記真空ハウジングは前記モータより遠い側にあって内
面に凹部を備える底蓋を有し、 前記同調回路は前記凹部
に配置されるともに熱伝導性樹脂でモールドされること
を特徴とする磁気軸受スピンドル。 - 【請求項３】 前記熱伝導性樹脂は高熱伝導性型エポキ
シ樹脂であることを特徴とする請求項１または２に記載
の磁気軸受スピンドル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24450293A JP3519759B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 磁気軸受スピンドル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24450293A JP3519759B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 磁気軸受スピンドル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07103234A JPH07103234A (ja) | 1995-04-18 |
| JP3519759B2 true JP3519759B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=17119633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24450293A Expired - Lifetime JP3519759B2 (ja) | 1993-09-30 | 1993-09-30 | 磁気軸受スピンドル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3519759B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2861142B1 (fr) * | 2003-10-16 | 2006-02-03 | Mecanique Magnetique Sa | Pompe a vide turbo moleculaire |
| JP4594689B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-12-08 | エドワーズ株式会社 | 真空ポンプ |
| JP2006242069A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Shimadzu Corp | ターボ分子ポンプ |
| JP6102222B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-03-29 | 株式会社島津製作所 | 真空ポンプ |
-
1993
- 1993-09-30 JP JP24450293A patent/JP3519759B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
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| JPH07103234A (ja) | 1995-04-18 |
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