JP3515702B2 - 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法並びに電解コンデンサ - Google Patents
電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法並びに電解コンデンサInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電解コンデンサ用電
極箔およびその製造方法並びに電解コンデンサに関す
る。
極箔およびその製造方法並びに電解コンデンサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】アルミニウム電解コンデンサに用いられ
るアルミニウム電極箔は、静電容量の増大を図るため
に、陽極酸化法による酸化皮膜(誘電体)の形成に先立っ
て、アルミニウム箔を酸性水溶液中で陽極溶解等により
表面を粗面化（エッチング）して、表面積を拡大するこ
とが広く行なわれてきたが、溶解により箔強度が低下す
るという問題がありこの方法には限界があった。
るアルミニウム電極箔は、静電容量の増大を図るため
に、陽極酸化法による酸化皮膜(誘電体)の形成に先立っ
て、アルミニウム箔を酸性水溶液中で陽極溶解等により
表面を粗面化（エッチング）して、表面積を拡大するこ
とが広く行なわれてきたが、溶解により箔強度が低下す
るという問題がありこの方法には限界があった。
【０００３】そこで、アルミニウム箔の表面に形成され
る誘電体の誘電率を向上させることにより、静電容量の
増大を図ることが種々試みられている。例えば、蒸着法
やゾルゲル法などで誘電体皮膜をアルミニウム箔上に形
成することが提案されている。
る誘電体の誘電率を向上させることにより、静電容量の
増大を図ることが種々試みられている。例えば、蒸着法
やゾルゲル法などで誘電体皮膜をアルミニウム箔上に形
成することが提案されている。
【０００４】ゾルゲル法としては、酸化皮膜を有するア
ルミニウム箔上に酸化チタン皮膜や、酸化アルミニウム
と酸化チタンとの混合物皮膜や、チタン酸バリウム皮膜
などを形成する方法（特開平３−４５１２号公報、従来
例１）や、アルミニウム金属の表面に有機金属塩（チタ
ニウムテトラブトキシド）の溶液を塗布し、熱分解して
金属酸化物（酸化チタン）とし、その後陽極酸化法によ
り酸化皮膜（酸化アルミニウム）を形成して、酸化アル
ミニウムより比誘電率の高い複合誘電体皮膜を形成する
方法が提案されている（特開平５−３１５１９７号公
報、従来例２）。
ルミニウム箔上に酸化チタン皮膜や、酸化アルミニウム
と酸化チタンとの混合物皮膜や、チタン酸バリウム皮膜
などを形成する方法（特開平３−４５１２号公報、従来
例１）や、アルミニウム金属の表面に有機金属塩（チタ
ニウムテトラブトキシド）の溶液を塗布し、熱分解して
金属酸化物（酸化チタン）とし、その後陽極酸化法によ
り酸化皮膜（酸化アルミニウム）を形成して、酸化アル
ミニウムより比誘電率の高い複合誘電体皮膜を形成する
方法が提案されている（特開平５−３１５１９７号公
報、従来例２）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来例１では、酸化チ
タン皮膜を形成する場合はチタンテトラブトキシドとエ
チルアルコールとを混合し、また酸化アルミニウムと酸
化チタンとの混合物皮膜を形成する場合はチタンテトラ
ブトキシドとアルミニウムトリセカンダリイブトキシド
とエチルアルコールとを混合し、さらにチタン酸バリウ
ム皮膜を形成する場合にはチタンテトラブトキシドとバ
リウムアルコキシドとエチルアルコールとを混合してス
プレー液とし、これを箔に塗布後、焼成している。また
従来例２でもチタニウムテトラブトキシドをｎ−へキサ
ンに溶解して塗布している。
タン皮膜を形成する場合はチタンテトラブトキシドとエ
チルアルコールとを混合し、また酸化アルミニウムと酸
化チタンとの混合物皮膜を形成する場合はチタンテトラ
ブトキシドとアルミニウムトリセカンダリイブトキシド
とエチルアルコールとを混合し、さらにチタン酸バリウ
ム皮膜を形成する場合にはチタンテトラブトキシドとバ
リウムアルコキシドとエチルアルコールとを混合してス
プレー液とし、これを箔に塗布後、焼成している。また
従来例２でもチタニウムテトラブトキシドをｎ−へキサ
ンに溶解して塗布している。
【０００６】しかしながら、チタンテトラブトキシド
（チタニウムテトラブトキシド）のような有機金属塩は
空気中の水分で加水分解しやくすく取扱いが非常に難し
い。また溶媒として大量の有機溶媒を使用していること
から、安全性に問題があり、製造工程は密閉された空間
で行なう必要があった。また使用後の有機溶媒の回収の
為の装置も必要となる。
（チタニウムテトラブトキシド）のような有機金属塩は
空気中の水分で加水分解しやくすく取扱いが非常に難し
い。また溶媒として大量の有機溶媒を使用していること
から、安全性に問題があり、製造工程は密閉された空間
で行なう必要があった。また使用後の有機溶媒の回収の
為の装置も必要となる。
【０００７】本発明は、大きな静電容量を得ることがで
き、毒性がなく安全で、使用後の溶媒の回収装置なども
必要ない電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法並
びにこの電極箔を用いた電解コンデンサを提供すること
を目的としている。
き、毒性がなく安全で、使用後の溶媒の回収装置なども
必要ない電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法並
びにこの電極箔を用いた電解コンデンサを提供すること
を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の電解コンデンサ
用電極箔の製造方法は、チタン−オキシカルボン酸錯体
塩水溶液をアルミニウム箔に付着させた後、焼成するこ
とにより、アルミニウム箔の表面にチタン酸化物皮膜を
形成させる工程を有することを特徴とする。
用電極箔の製造方法は、チタン−オキシカルボン酸錯体
塩水溶液をアルミニウム箔に付着させた後、焼成するこ
とにより、アルミニウム箔の表面にチタン酸化物皮膜を
形成させる工程を有することを特徴とする。
【０００９】また本発明の電解コンデンサ用電極箔は、
チタン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液をアルミニウム
箔に付着させた後、焼成することにより得られたチタン
酸化物皮膜を有することを特徴とする。
チタン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液をアルミニウム
箔に付着させた後、焼成することにより得られたチタン
酸化物皮膜を有することを特徴とする。
【００１０】さらに本発明の電解コンデンサは、チタン
−オキシカルボン酸錯体塩水溶液をアルミニウム箔に付
着させた後、焼成することにより得られたチタン酸化物
皮膜を有するアルミニウム電極箔を使用していることを
特徴とする。
−オキシカルボン酸錯体塩水溶液をアルミニウム箔に付
着させた後、焼成することにより得られたチタン酸化物
皮膜を有するアルミニウム電極箔を使用していることを
特徴とする。
【００１１】アルミニウム箔には電解コンデンサ用電極
箔用のアルミニウム箔が使用され、同箔には予めエッチ
ングが施されていてもよい。
箔用のアルミニウム箔が使用され、同箔には予めエッチ
ングが施されていてもよい。
【００１２】チタン−オキシカルボン酸錯体としては、
チタン−クエン酸錯体が好ましいが、酒石酸、乳酸など
の他のオキシカルボン酸であってもよい。またチタン−
オキシカルボン酸錯体塩としては、チタン−オキシカル
ボン酸錯体アンモニウム塩が好ましい。チタン−オキシ
カルボン酸錯体塩は、水に安定に溶けて毒性もない。チ
タン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液の濃度は０．５〜
１０重量％が好ましい。０．５重量％未満では皮膜がま
ばらに生成しやすく、また１０重量％を超えると皮膜に
亀裂が入りやすくなり好ましくない。
チタン−クエン酸錯体が好ましいが、酒石酸、乳酸など
の他のオキシカルボン酸であってもよい。またチタン−
オキシカルボン酸錯体塩としては、チタン−オキシカル
ボン酸錯体アンモニウム塩が好ましい。チタン−オキシ
カルボン酸錯体塩は、水に安定に溶けて毒性もない。チ
タン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液の濃度は０．５〜
１０重量％が好ましい。０．５重量％未満では皮膜がま
ばらに生成しやすく、また１０重量％を超えると皮膜に
亀裂が入りやすくなり好ましくない。
【００１３】アルミニウム箔へのチタン−オキシカルボ
ン酸錯体塩の付着方法としては、アルミニウム箔をチタ
ン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液に浸漬したり、ある
いは同水溶液を噴霧または塗布したりして行われる。
ン酸錯体塩の付着方法としては、アルミニウム箔をチタ
ン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液に浸漬したり、ある
いは同水溶液を噴霧または塗布したりして行われる。
【００１４】その後、アルミニウム箔を焼成するが、焼
成温度はアルミニウムの融点（６６０℃）以下が好まし
く、特に４００〜６６０℃がよい。４００℃未満ではル
チル型の酸化チタンが生成しにくく、また６６０℃を超
えると基材のアルミニウムが融解してしまうので好まし
くない。焼成すると、アルミニウム箔の表面にルチル型
の酸化チタンを多く含むチタン酸化物皮膜が形成され
る。チタン酸化物皮膜を形成する工程は複数回繰り返し
てもよい。
成温度はアルミニウムの融点（６６０℃）以下が好まし
く、特に４００〜６６０℃がよい。４００℃未満ではル
チル型の酸化チタンが生成しにくく、また６６０℃を超
えると基材のアルミニウムが融解してしまうので好まし
くない。焼成すると、アルミニウム箔の表面にルチル型
の酸化チタンを多く含むチタン酸化物皮膜が形成され
る。チタン酸化物皮膜を形成する工程は複数回繰り返し
てもよい。
【００１５】本発明においては、チタン酸化物皮膜を形
成した後、アルミニウム箔を化成液中で陽極酸化して、
酸化アルミニウム皮膜をさらに形成し、複合誘電体膜と
するのが好ましい。化成液としては例えばアジピン酸塩
（アジピン酸アンモニウムなど）やホウ酸塩（ホウ酸ア
ンモニウムなど）を含む従来から化成液として使用され
ている水溶液が使用できる。
成した後、アルミニウム箔を化成液中で陽極酸化して、
酸化アルミニウム皮膜をさらに形成し、複合誘電体膜と
するのが好ましい。化成液としては例えばアジピン酸塩
（アジピン酸アンモニウムなど）やホウ酸塩（ホウ酸ア
ンモニウムなど）を含む従来から化成液として使用され
ている水溶液が使用できる。
【００１６】
【００１７】[実施例１]チタン−クエン酸錯体アンモニ
ウム塩（フルウチ化学株式会社製「ＴＡＳ・ＦＩＮ
Ｅ」）の３重量％水溶液に、エッチングされたアルミニ
ウム箔（厚さ９０μｍ）を浸漬した後、引き上げて８０
℃で５分間放置乾燥して水およびアンモニアを概ね蒸発
させた。その後、アルミニウム箔を５８０℃で２分間加
熱焼成した。このアルミニウム箔をさらにアジピン酸ア
ンモニウムを有する水溶液（化成液）中で、８０Ｖで陽
極酸化してアルミニウム電極箔を作った。
ウム塩（フルウチ化学株式会社製「ＴＡＳ・ＦＩＮ
Ｅ」）の３重量％水溶液に、エッチングされたアルミニ
ウム箔（厚さ９０μｍ）を浸漬した後、引き上げて８０
℃で５分間放置乾燥して水およびアンモニアを概ね蒸発
させた。その後、アルミニウム箔を５８０℃で２分間加
熱焼成した。このアルミニウム箔をさらにアジピン酸ア
ンモニウムを有する水溶液（化成液）中で、８０Ｖで陽
極酸化してアルミニウム電極箔を作った。
【００１８】[比較例１]実施例１と同じエッチングされ
たアルミニウム箔（厚さ９０μｍ）を、チタン−クエン
酸錯体アンモニウム塩水溶液に浸漬したり焼成すること
なく、単にアジピン酸アンモニウムを有する水溶液（化
成液）中で、８０Ｖで陽極酸化してアルミニウム電極箔
を作った。
たアルミニウム箔（厚さ９０μｍ）を、チタン−クエン
酸錯体アンモニウム塩水溶液に浸漬したり焼成すること
なく、単にアジピン酸アンモニウムを有する水溶液（化
成液）中で、８０Ｖで陽極酸化してアルミニウム電極箔
を作った。
【００１９】[実施例２]チタン−クエン酸錯体アンモニ
ウム塩（フルウチ化学株式会社製「ＴＡＳ・ＦＩＮ
Ｅ」）の３重量％水溶液に、エッチングされていないア
ルミニウム箔（厚さ１００μｍ）を浸漬した後、引き上
げて８０℃で５分間放置乾燥して水およびアンモニアを
概ね蒸発させた。その後、アルミニウム箔を５８０℃で
２分間加熱焼成した。このアルミニウム箔をさらにホウ
酸およびホウ酸アンモニウムを有する水溶液（化成液）
中で、５００Ｖで陽極酸化してアルミニウム電極箔を作
った。
ウム塩（フルウチ化学株式会社製「ＴＡＳ・ＦＩＮ
Ｅ」）の３重量％水溶液に、エッチングされていないア
ルミニウム箔（厚さ１００μｍ）を浸漬した後、引き上
げて８０℃で５分間放置乾燥して水およびアンモニアを
概ね蒸発させた。その後、アルミニウム箔を５８０℃で
２分間加熱焼成した。このアルミニウム箔をさらにホウ
酸およびホウ酸アンモニウムを有する水溶液（化成液）
中で、５００Ｖで陽極酸化してアルミニウム電極箔を作
った。
【００２０】[比較例２]実施例２で用いたエッチングさ
れていないアルミニウム箔（厚さ１００μｍ）を、チタ
ン−クエン酸錯体アンモニウム塩水溶液に浸漬したり焼
成することなく、単にホウ酸およびホウ酸アンモニウム
を有する水溶液（化成液）中で、５００Ｖで陽極酸化し
てアルミニウム電極箔を作った。
れていないアルミニウム箔（厚さ１００μｍ）を、チタ
ン−クエン酸錯体アンモニウム塩水溶液に浸漬したり焼
成することなく、単にホウ酸およびホウ酸アンモニウム
を有する水溶液（化成液）中で、５００Ｖで陽極酸化し
てアルミニウム電極箔を作った。
【００２１】[比較例３]実施例１と同じエッチングされ
たアルミニウム箔（厚さ９０μｍ）を、ｎ−へキサンに
チタンテトラブトキシドを１８重量％溶解した溶液に浸
漬し、引き上げ乾燥した後、３００℃で加熱した（チタ
ンテトラブトキシドは熱分解されて酸化チタンとな
る）。次に酸化チタンで被覆されたアルミニウム箔を、
アジピン酸アンモニウムの水溶液からなる化成液に入れ
８０Ｖで陽極酸化してアルミニウム電極箔を作った。
たアルミニウム箔（厚さ９０μｍ）を、ｎ−へキサンに
チタンテトラブトキシドを１８重量％溶解した溶液に浸
漬し、引き上げ乾燥した後、３００℃で加熱した（チタ
ンテトラブトキシドは熱分解されて酸化チタンとな
る）。次に酸化チタンで被覆されたアルミニウム箔を、
アジピン酸アンモニウムの水溶液からなる化成液に入れ
８０Ｖで陽極酸化してアルミニウム電極箔を作った。
【００２２】次に実施例１、２および比較例１〜３のア
ルミニウム電極箔の静電容量（μＦ／ｃｍ２ ）を測定
したところ、表１のような結果を得た。
ルミニウム電極箔の静電容量（μＦ／ｃｍ２ ）を測定
したところ、表１のような結果を得た。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１から、実施例１（本発明品）と比較例
１（対照品）および実施例２（本発明品）と比較例２
（対照品）とをそれぞれ比較すると、本発明のアルミニ
ウム電極箔の静電容量は３．７５〜４倍になるのに対
し、比較例３（従来品）は比較例１（対照品）と比較す
ると静電容量の倍率は１．５５倍にすぎない。
１（対照品）および実施例２（本発明品）と比較例２
（対照品）とをそれぞれ比較すると、本発明のアルミニ
ウム電極箔の静電容量は３．７５〜４倍になるのに対
し、比較例３（従来品）は比較例１（対照品）と比較す
ると静電容量の倍率は１．５５倍にすぎない。
【００２５】次に実施例１、比較例１および比較例３の
アルミニウム電極箔を用いて下記の実施例３、比較例
４、５のようにアルミニウム電解コンデンサを作成し
た。
アルミニウム電極箔を用いて下記の実施例３、比較例
４、５のようにアルミニウム電解コンデンサを作成し
た。
【００２６】[実施例３]陽極箔として実施例１のアルミ
ニウム箔（厚さ９０μｍ、幅１７ｍｍ、長さ２９０ｍ
ｍ）を使用し、陰極箔としてエッチングされたアルミニ
ウム箔（厚さ４０μｍ、幅１７ｍｍ、長さ３２０ｍｍ）
を使用し、これら両アルミニウム箔を、マニラ麻紙から
なるセパレータを介在させて巻回し、これに電解液（組
成：γ−プチロラクトン７５重量％、フタル酸トリエチ
ルアミン２３重量％、水２重量％）を含浸させた。これ
を有底円筒状のアルミニウムケースに入れ開口部をゴム
封口体で封口してＪＩＳ０４形のアルミニウム電解コン
デンサ（定格電圧２５Ｖ、製品サイズ：高さ２５ｍｍ、
直径１３ｍｍ）を作成した。
ニウム箔（厚さ９０μｍ、幅１７ｍｍ、長さ２９０ｍ
ｍ）を使用し、陰極箔としてエッチングされたアルミニ
ウム箔（厚さ４０μｍ、幅１７ｍｍ、長さ３２０ｍｍ）
を使用し、これら両アルミニウム箔を、マニラ麻紙から
なるセパレータを介在させて巻回し、これに電解液（組
成：γ−プチロラクトン７５重量％、フタル酸トリエチ
ルアミン２３重量％、水２重量％）を含浸させた。これ
を有底円筒状のアルミニウムケースに入れ開口部をゴム
封口体で封口してＪＩＳ０４形のアルミニウム電解コン
デンサ（定格電圧２５Ｖ、製品サイズ：高さ２５ｍｍ、
直径１３ｍｍ）を作成した。
【００２７】[比較例４]陽極箔として比較例１のアルミ
ニウム箔を使用した以外は、実施例３と同様にしてＪＩ
Ｓ０４形のアルミニウム電解コンデンサ（定格電圧２５
Ｖ、製品サイズ：高さ２５ｍｍ、直径１３ｍｍ）を作成
した。
ニウム箔を使用した以外は、実施例３と同様にしてＪＩ
Ｓ０４形のアルミニウム電解コンデンサ（定格電圧２５
Ｖ、製品サイズ：高さ２５ｍｍ、直径１３ｍｍ）を作成
した。
【００２８】[比較例５]陽極箔として比較例３のアルミ
ニウム箔を使用した以外は、実施例３と同様にしてＪＩ
Ｓ０４形のアルミニウム電解コンデンサ（定格電圧２５
Ｖ、製品サイズ：高さ２５ｍｍ、直径１３ｍｍ）を作成
した。
ニウム箔を使用した以外は、実施例３と同様にしてＪＩ
Ｓ０４形のアルミニウム電解コンデンサ（定格電圧２５
Ｖ、製品サイズ：高さ２５ｍｍ、直径１３ｍｍ）を作成
した。
【００２９】実施例３、比較例４、５のアルミニウム電
解コンデンサの静電容量（μＦ）を室温（２０℃）、周
波数１２０Ｈｚで測定したところ表２のような結果が得
られた。
解コンデンサの静電容量（μＦ）を室温（２０℃）、周
波数１２０Ｈｚで測定したところ表２のような結果が得
られた。
【００３０】
【表２】
【００３１】この結果から実施例３のアルミニウム電解
コンデンサは、比較例４、５のアルミニウム電解コンデ
ンサに比べて静電容量の増大化を図かることができた。
コンデンサは、比較例４、５のアルミニウム電解コンデ
ンサに比べて静電容量の増大化を図かることができた。
【００３２】
【発明の効果】本発明では、チタン−オキシカルボン酸
錯体塩水溶液をアルミニウム箔に付着させた後、焼成す
ることにより得られたチタン酸化物皮膜は、アルミニウ
ム酸化物より誘電率が高く大きな静電容量の電解コンデ
ンサ用電極箔を得ることができるので電解コンデンサを
小形化できる。
錯体塩水溶液をアルミニウム箔に付着させた後、焼成す
ることにより得られたチタン酸化物皮膜は、アルミニウ
ム酸化物より誘電率が高く大きな静電容量の電解コンデ
ンサ用電極箔を得ることができるので電解コンデンサを
小形化できる。
【００３３】またチタン−オキシカルボン酸錯体塩は、
水に安定に溶けて毒性もないので、安全に操業でき、ま
た有機溶媒などを使用しないので、製造に際して閉鎖空
間や回収装置なども必要ない。さらに本発明の方法は蒸
着法などに比べて大量生産に適する。
水に安定に溶けて毒性もないので、安全に操業でき、ま
た有機溶媒などを使用しないので、製造に際して閉鎖空
間や回収装置なども必要ない。さらに本発明の方法は蒸
着法などに比べて大量生産に適する。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 安達 和幸
神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号
エルナ−株式会社内
(72)発明者 岩野 直人
神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号
エルナ−株式会社内
(72)発明者 羽賀 昇
神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号
エルナ−株式会社内
(56)参考文献 特開 昭60−60709（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−42519（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−65219（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 9/055
Claims (15)
- 【請求項１】チタン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液を
アルミニウム箔に付着させた後、焼成することにより、
アルミニウム箔の表面にチタン酸化物皮膜を形成させる
工程を有することを特徴とする電解コンデンサ用電極箔
の製造方法。 - 【請求項２】チタン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液の
濃度が０．５〜１０重量％である請求項１記載の電解コ
ンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項３】チタン−オキシカルボン酸錯体塩がチタン
−オキシカルボン酸錯体アンモニウム塩である請求項１
または２に記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項４】チタン−オキシカルボン酸錯体塩がチタン
−クエン酸錯体塩である請求項１〜３のいずれか一つに
記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項５】焼成温度が４００〜６６０℃である請求項
１に記載の電解コンデンサ用電極箔の製造方法。 - 【請求項６】チタン酸化物皮膜を形成した後、アルミニ
ウム箔を化成液中で陽極酸化して、酸化アルミニウム皮
膜をさらに形成する請求項１に記載の電解コンデンサ用
電極箔の製造方法。 - 【請求項７】アルミニウム箔に予めエッチングが施され
ている請求項１に記載の電解コンデンサ用電極箔の製造
方法。 - 【請求項８】チタン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液を
アルミニウム箔に付着させた後、焼成することにより得
られたチタン酸化物皮膜を有する電解コンデンサ用電極
箔。 - 【請求項９】チタン−クエン酸錯体アンモニウム塩水溶
液をアルミニウム箔に付着させた後、焼成することによ
り得られたチタン酸化物皮膜を有する電解コンデンサ用
電極箔。 - 【請求項１０】アルミニウム箔にエッチングが施されて
いる請求項８または９に記載の電解コンデンサ用電極
箔。 - 【請求項１１】チタン酸化物皮膜と酸化アルミニウム皮
膜が形成されている請求項８または９に記載の電解コン
デンサ用電極箔。 - 【請求項１２】チタン−オキシカルボン酸錯体塩水溶液
をアルミニウム箔に付着させた後、焼成することにより
得られたチタン酸化物皮膜を有するアルミニウム電極箔
を使用してなる電解コンデンサ。 - 【請求項１３】チタン−クエン酸錯体アンモニウム塩水
溶液をアルミニウム箔に付着させた後、焼成することに
より得られたチタン酸化物皮膜を有するアルミニウム電
極箔を使用してなる電解コンデンサ。 - 【請求項１４】アルミニウム箔にエッチングが施されて
いるアルミニウム電極箔を使用してなる請求項１２また
は１３に記載の電解コンデンサ。 - 【請求項１５】チタン酸化物皮膜と酸化アルミニウム皮
膜が形成されているアルミニウム電極箔を使用してなる
請求項１２または１３に記載の電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09221399A JP3515702B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法並びに電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09221399A JP3515702B2 (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 電解コンデンサ用電極箔およびその製造方法並びに電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000286164A JP2000286164A (ja) | 2000-10-13 |
| JP3515702B2 true JP3515702B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=14048174
Family Applications (1)
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