JP3514555B2 - 異物評価装置および異物評価方法 - Google Patents
異物評価装置および異物評価方法Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、異物評価装置および
異物評価方法に関し、より特定的には、半導体ウェハの
表面上に付着した微粒子などの異物の寸法、個数、種別
を計測/分析するための異物評価装置および異物評価方
法に関するものである。
異物評価方法に関し、より特定的には、半導体ウェハの
表面上に付着した微粒子などの異物の寸法、個数、種別
を計測/分析するための異物評価装置および異物評価方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、Layleigh−Deby
e近似などを用いて、光散乱強度の角度分布から半導体
ウエハの表面上の微粒子などの異物の寸法および個数を
調べる異物評価装置は知られている。
e近似などを用いて、光散乱強度の角度分布から半導体
ウエハの表面上の微粒子などの異物の寸法および個数を
調べる異物評価装置は知られている。
【0003】図11は、従来の異物評価装置の一例を概
略的に示す構成図である。図11を参照して、従来の異
物評価装置700では、試料(半導体ウエハ)210を
二次元走査するためのステージ220を有する試料載置
部200が設けられている。また、試料210の表面へ
照射される光ビーム110を発生させるための投光部1
00が設けられている。投光部100と試料載置部20
0との間には、試料210の表面によって散乱された散
乱光を集光するための集光部300が設置されている。
集光部300は、回転楕円面形状を有している。この集
光部300によって集光された散乱光の焦点(F2)に
は、集光された散乱光の総量を測定するための受光部5
00が設置されている。また、投光部100および試料
載置部200を駆動するとともに受光部500からの出
力信号を処理するための計測制御部600が設置されて
いる。
略的に示す構成図である。図11を参照して、従来の異
物評価装置700では、試料(半導体ウエハ)210を
二次元走査するためのステージ220を有する試料載置
部200が設けられている。また、試料210の表面へ
照射される光ビーム110を発生させるための投光部1
00が設けられている。投光部100と試料載置部20
0との間には、試料210の表面によって散乱された散
乱光を集光するための集光部300が設置されている。
集光部300は、回転楕円面形状を有している。この集
光部300によって集光された散乱光の焦点(F2)に
は、集光された散乱光の総量を測定するための受光部5
00が設置されている。また、投光部100および試料
載置部200を駆動するとともに受光部500からの出
力信号を処理するための計測制御部600が設置されて
いる。
【0004】次に、上記の構造を有する従来の異物評価
装置700の動作について説明する。まず、計測制御部
600から投光部100に駆動信号を送る。それによ
り、投光部100から光ビーム110が発生される。光
ビーム110は集光部300に設けられた光ビーム入射
孔310を通過して入射光120となる。入射光120
は、試料210の表面上の異物230に照射される。そ
して、入射光120と試料210とが交差する点が集光
部300の一方の焦点(F1)となっている。入射光1
20の異物230への照射により発生した散乱光を、集
光部300によって他方の焦点(F2)に集める。焦点
(F2)に集められた散乱光が受光部500によって受
光される。これにより、異物230に対応した光散乱強
度量が測定される。その結果、異物230の寸法を計測
することが可能となる。上記のような動作をステージ2
20を移動しながら行なうことによって、試料210の
表面上の異物230を検出し、その寸法および個数を計
測することが可能となる。
装置700の動作について説明する。まず、計測制御部
600から投光部100に駆動信号を送る。それによ
り、投光部100から光ビーム110が発生される。光
ビーム110は集光部300に設けられた光ビーム入射
孔310を通過して入射光120となる。入射光120
は、試料210の表面上の異物230に照射される。そ
して、入射光120と試料210とが交差する点が集光
部300の一方の焦点(F1)となっている。入射光1
20の異物230への照射により発生した散乱光を、集
光部300によって他方の焦点(F2)に集める。焦点
(F2)に集められた散乱光が受光部500によって受
光される。これにより、異物230に対応した光散乱強
度量が測定される。その結果、異物230の寸法を計測
することが可能となる。上記のような動作をステージ2
20を移動しながら行なうことによって、試料210の
表面上の異物230を検出し、その寸法および個数を計
測することが可能となる。
【0005】図12は、試料210の表面上に異物23
0が存在する場合(P)と、試料210の表面上に異物
230が存在しない場合(N)との光散乱強度分布を示
した相関図である。
0が存在する場合(P)と、試料210の表面上に異物
230が存在しない場合(N)との光散乱強度分布を示
した相関図である。
【0006】図12を参照して、光散乱角度θ=0での
光散乱強度をI0 とし、その他の光散乱角度θでの光散
乱強度をIとする。そして、規格化したlog(I/I
0 )を光散乱角度θに応じてプロットしてある。図12
に示されるように、試料210の表面に異物230が存
在する場合(P)の方が、異物230の存在しない場合
(N)よりも光散乱角度θの大きい範囲での散乱光の総
量が大きくなる。それにより、異物230の有無および
その個数を検出することが可能となる。また、光散乱強
度量から異物230の寸法をも知ることが可能となる。
光散乱強度をI0 とし、その他の光散乱角度θでの光散
乱強度をIとする。そして、規格化したlog(I/I
0 )を光散乱角度θに応じてプロットしてある。図12
に示されるように、試料210の表面に異物230が存
在する場合(P)の方が、異物230の存在しない場合
(N)よりも光散乱角度θの大きい範囲での散乱光の総
量が大きくなる。それにより、異物230の有無および
その個数を検出することが可能となる。また、光散乱強
度量から異物230の寸法をも知ることが可能となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の異物評価装置700では、試料210の表面に付
着した異物230の有無,個数および寸法は計測できる
が、その異物230の種別を分析することができないと
いう欠点があった。異物230の寸法が大きい場合に
は、物理分析や化学分析などの手法を用いて、その種別
を分析することは可能である。しかしながら、ますます
パターンの微細化が進展する半導体装置においては、異
物230の寸法が0.1μm以下となる場合が考えら
れ、このような場合には、上記の物理分析などの方法を
適用することはできない。
従来の異物評価装置700では、試料210の表面に付
着した異物230の有無,個数および寸法は計測できる
が、その異物230の種別を分析することができないと
いう欠点があった。異物230の寸法が大きい場合に
は、物理分析や化学分析などの手法を用いて、その種別
を分析することは可能である。しかしながら、ますます
パターンの微細化が進展する半導体装置においては、異
物230の寸法が0.1μm以下となる場合が考えら
れ、このような場合には、上記の物理分析などの方法を
適用することはできない。
【0008】一方、従来から、異物230の種別を分析
する手法に関しては様々なものが提案されている。この
異物230の種別を分析するための装置と、上記のよう
な異物の数や位置座標を検出する装置とを1つのシステ
ム内に設けるという技術が、特開平5−21561号公
報に開示されている。
する手法に関しては様々なものが提案されている。この
異物230の種別を分析するための装置と、上記のよう
な異物の数や位置座標を検出する装置とを1つのシステ
ム内に設けるという技術が、特開平5−21561号公
報に開示されている。
【0009】しかしながら、この特開平5−21561
号公報に開示された装置では、異物の検出を行なう検出
部と、異物の分析を行なう分析部とは、互いに別個の装
置としてシステム内に組込まれている。そのため、試料
210を検出部から分析部へ搬送する必要がある。その
ため、搬送中に異物の位置が移動したり、異物の消失す
るという問題が懸念される。また、検出部から分析部へ
試料210を搬送した後、分析部においてこの試料21
0の位置決めが行なわれる。そのため、検出部において
検出された異物230の位置座標の原点の位置と、分析
部における異物230の位置座標の原点の位置との間に
誤差が生じる可能性が大きいと言える。以上のことよ
り、検出部と分析部とを別個の装置として設けることに
よって、異物230を検出した後、異物230の分析作
業が不正確かつ困難になりやすいという問題点があっ
た。
号公報に開示された装置では、異物の検出を行なう検出
部と、異物の分析を行なう分析部とは、互いに別個の装
置としてシステム内に組込まれている。そのため、試料
210を検出部から分析部へ搬送する必要がある。その
ため、搬送中に異物の位置が移動したり、異物の消失す
るという問題が懸念される。また、検出部から分析部へ
試料210を搬送した後、分析部においてこの試料21
0の位置決めが行なわれる。そのため、検出部において
検出された異物230の位置座標の原点の位置と、分析
部における異物230の位置座標の原点の位置との間に
誤差が生じる可能性が大きいと言える。以上のことよ
り、検出部と分析部とを別個の装置として設けることに
よって、異物230を検出した後、異物230の分析作
業が不正確かつ困難になりやすいという問題点があっ
た。
【0010】この発明は、上記のような課題を解決する
ためになされたものである。この発明の目的は、試料表
面に付着した微小な異物の検出と種別の分析とを正確か
つ容易に行なうことが可能となる異物評価装置を提供す
ることにある。
ためになされたものである。この発明の目的は、試料表
面に付着した微小な異物の検出と種別の分析とを正確か
つ容易に行なうことが可能となる異物評価装置を提供す
ることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】この発明に係る異物評価
装置は、水平方向に延びるガイドと、試料載置部と、測
定部と、分析部とを備える。試料載置部はガイドに固定
され、その上に試料が載置される。測定部は、ガイドに
スライド可能に取付けられ、試料載置部上に移動するこ
とにより異物の数や位置を測定する。分析部は、ガイド
にスライド可能に取付けられ、試料載置部上に移動する
ことにより異物の種別を分析する。
装置は、水平方向に延びるガイドと、試料載置部と、測
定部と、分析部とを備える。試料載置部はガイドに固定
され、その上に試料が載置される。測定部は、ガイドに
スライド可能に取付けられ、試料載置部上に移動するこ
とにより異物の数や位置を測定する。分析部は、ガイド
にスライド可能に取付けられ、試料載置部上に移動する
ことにより異物の種別を分析する。
【0012】この発明に係る異物評価方法は、試料表面
に付着した異物の数、位置および種別を検知するための
異物評価方法であって、下記の各工程を備える。水平方
向に延びるガイドに固定され試料を載置した試料載置部
上に、ガイドに沿って測定部をスライド移動させ、異物
の数や位置を測定する。ガイドに沿って分析部を試料載
置部上にスライド移動させ、異物の種別を分析する。
に付着した異物の数、位置および種別を検知するための
異物評価方法であって、下記の各工程を備える。水平方
向に延びるガイドに固定され試料を載置した試料載置部
上に、ガイドに沿って測定部をスライド移動させ、異物
の数や位置を測定する。ガイドに沿って分析部を試料載
置部上にスライド移動させ、異物の種別を分析する。
【0013】
【作用】この発明に係る異物評価装置によれば、試料載
置部がガイドに固定される。そして、この固定された試
料載置部上に、測定部と分析部とが順次ガイドに沿って
スライド移動することにより、異物の数,位置の測定
と、異物の種別の分析とが行なえる。そのため、特開平
5−21561号公報の場合のように、測定部から分析
部へと試料を搬送する必要がなくなる。そのため、試料
の搬送に起因して生じる、異物の移動や消失あるいは試
料の位置ずれなどの問題点を解消することが可能とな
る。それにより、正確かつ容易に異物の評価を行なうこ
とが可能となる。
置部がガイドに固定される。そして、この固定された試
料載置部上に、測定部と分析部とが順次ガイドに沿って
スライド移動することにより、異物の数,位置の測定
と、異物の種別の分析とが行なえる。そのため、特開平
5−21561号公報の場合のように、測定部から分析
部へと試料を搬送する必要がなくなる。そのため、試料
の搬送に起因して生じる、異物の移動や消失あるいは試
料の位置ずれなどの問題点を解消することが可能とな
る。それにより、正確かつ容易に異物の評価を行なうこ
とが可能となる。
【0014】
【0015】
【実施例】以下、図1〜図10を用いて、この発明に係
る異物評価装置の実施例について説明する。
る異物評価装置の実施例について説明する。
【0016】(第1実施例)まず、図1〜図7を用い
て、この発明の第1の実施例について説明する。図1
は、この発明の第1の実施例における異物評価装置1を
示す斜視図である。
て、この発明の第1の実施例について説明する。図1
は、この発明の第1の実施例における異物評価装置1を
示す斜視図である。
【0017】図1を参照して、本実施例における異物評
価装置1は、投光部10と、試料載置部20と、集光部
30と、記憶部40と、受光部50と、計測制御部60
と、ガイドとなるフレーム(架台)70と、解析部(分
析部)80とを備える。
価装置1は、投光部10と、試料載置部20と、集光部
30と、記憶部40と、受光部50と、計測制御部60
と、ガイドとなるフレーム(架台)70と、解析部(分
析部)80とを備える。
【0018】投光部10は、試料載置部20の上方に設
置され、試料(半導体ウエハ)21の表面へ照射される
光ビーム12を発生させる。試料載置部20は、フレー
ム70に固定され、試料21を二次元走査するためのス
テージ22を有する。試料21とステージ22との間に
は、試料21をXYZの三次元方向に走査/移動の可能
な円筒型圧電素子24が介在している。
置され、試料(半導体ウエハ)21の表面へ照射される
光ビーム12を発生させる。試料載置部20は、フレー
ム70に固定され、試料21を二次元走査するためのス
テージ22を有する。試料21とステージ22との間に
は、試料21をXYZの三次元方向に走査/移動の可能
な円筒型圧電素子24が介在している。
【0019】集光部30は、スライド可能にフレーム7
0に取付けられ、この集光部30の上部は、2つの焦点
F1,F2を有する回転楕円面の一部分によって形成さ
れている。また、集光部30の回転楕円部分はミラーか
らなる内面を有している。さらに、集光部30には、光
ビーム12を通過させるための光ビーム入射孔31が設
けられている。また、集光部30には、集光部30の回
転楕円面がウエハ21上に位置するように集光部30を
移動させる際に、ウエハ21を通過させるための切欠き
部33が設けられている。
0に取付けられ、この集光部30の上部は、2つの焦点
F1,F2を有する回転楕円面の一部分によって形成さ
れている。また、集光部30の回転楕円部分はミラーか
らなる内面を有している。さらに、集光部30には、光
ビーム12を通過させるための光ビーム入射孔31が設
けられている。また、集光部30には、集光部30の回
転楕円面がウエハ21上に位置するように集光部30を
移動させる際に、ウエハ21を通過させるための切欠き
部33が設けられている。
【0020】集光部30の回転楕円面の内面のミラーに
よって反射された散乱光13が集光する焦点F2には、
光散乱強度量を測定するための受光部50が設置されて
いる。投光部10,試料載置部20,受光部50には、
計測制御部60が接続されている。この計測制御部60
は、投光部10と試料載置部20の動作を制御するとと
もに、受光部50からの出力信号を処理する。より具体
的には、計測制御部60は、光ビーム12の動作制御と
光ビーム12の調光制御を行なうとともに、ステージ2
2の送り動作制御をも行なう。さらに、計測制御部60
は、受光部50の動作制御を行なうとともに、受光部5
0の入出力信号の解析によって異物23の検出,寸法お
よび個数の算出を行なう。そして、計測制御部60は、
その算出結果を表示することができる。計測制御部60
には、記憶部40が接続されており、試料21の表面に
おける異物23の位置座標,寸法あるいは個数などの情
報が記憶部40に記憶される。
よって反射された散乱光13が集光する焦点F2には、
光散乱強度量を測定するための受光部50が設置されて
いる。投光部10,試料載置部20,受光部50には、
計測制御部60が接続されている。この計測制御部60
は、投光部10と試料載置部20の動作を制御するとと
もに、受光部50からの出力信号を処理する。より具体
的には、計測制御部60は、光ビーム12の動作制御と
光ビーム12の調光制御を行なうとともに、ステージ2
2の送り動作制御をも行なう。さらに、計測制御部60
は、受光部50の動作制御を行なうとともに、受光部5
0の入出力信号の解析によって異物23の検出,寸法お
よび個数の算出を行なう。そして、計測制御部60は、
その算出結果を表示することができる。計測制御部60
には、記憶部40が接続されており、試料21の表面に
おける異物23の位置座標,寸法あるいは個数などの情
報が記憶部40に記憶される。
【0021】フレーム70は、中空の四角形状を有して
おり、集光部30と解析部80との直線運動案内面とし
ての機能を有する。フレーム70がこのような形状を有
することにより、中空の空間を配線の引出用の空間とし
て使用できる。また、軽量化も可能となる。集光部30
と受光部50とは一体化されており、フレーム70に沿
って、S1方向あるいはS2方向へスライド移動可能で
ある。上記の集光部30と受光部50と計測制御部60
とによって、異物23の数や位置などを測定するための
測定部が構成される。
おり、集光部30と解析部80との直線運動案内面とし
ての機能を有する。フレーム70がこのような形状を有
することにより、中空の空間を配線の引出用の空間とし
て使用できる。また、軽量化も可能となる。集光部30
と受光部50とは一体化されており、フレーム70に沿
って、S1方向あるいはS2方向へスライド移動可能で
ある。上記の集光部30と受光部50と計測制御部60
とによって、異物23の数や位置などを測定するための
測定部が構成される。
【0022】解析部80には、導電性のカンチレバー8
1と、光ビーム12のカンチレバー81による反射光1
4の変位を検出するための光位置検出器82が設けられ
ている。カンチレバー81の先端には、探針83が設け
られている。この解析部80と計測制御部60とによっ
て、異物23の種別の分析が行なえる。
1と、光ビーム12のカンチレバー81による反射光1
4の変位を検出するための光位置検出器82が設けられ
ている。カンチレバー81の先端には、探針83が設け
られている。この解析部80と計測制御部60とによっ
て、異物23の種別の分析が行なえる。
【0023】次に、上記の構造を有する異物評価装置1
の動作について説明する。まず、図1に示される解析部
80をK1方向に移動させる。そして、投光部10から
の光ビーム12が光ビーム入射孔31を通過するような
位置にまで、フレーム70に沿って集光部30と受光部
50とをS1方向へスライド移動させる。このとき、切
欠き部33が設けられることにより、この切欠き部33
を通過して試料21は集光部30下に配置される。そし
て、ステージ22をXY方向に二次元走査し、異物23
を検出した際には、その寸法,個数,位置座標を計測制
御部60によって測定する。そして、このデータが記憶
部40に記憶される。このようにして、試料21の表面
全面にわたって異物23の検出を行なう。
の動作について説明する。まず、図1に示される解析部
80をK1方向に移動させる。そして、投光部10から
の光ビーム12が光ビーム入射孔31を通過するような
位置にまで、フレーム70に沿って集光部30と受光部
50とをS1方向へスライド移動させる。このとき、切
欠き部33が設けられることにより、この切欠き部33
を通過して試料21は集光部30下に配置される。そし
て、ステージ22をXY方向に二次元走査し、異物23
を検出した際には、その寸法,個数,位置座標を計測制
御部60によって測定する。そして、このデータが記憶
部40に記憶される。このようにして、試料21の表面
全面にわたって異物23の検出を行なう。
【0024】上記の異物23の検出作業が終了すれば、
集光部30と受光部50とをS2方向へスライド移動さ
せ、解析部80をK2方向へスライド移動させる。この
とき、投光部10からの光ビーム12がカンチレバー8
1を照射するように、解析部80と投光部10の位置決
めがなされる。
集光部30と受光部50とをS2方向へスライド移動さ
せ、解析部80をK2方向へスライド移動させる。この
とき、投光部10からの光ビーム12がカンチレバー8
1を照射するように、解析部80と投光部10の位置決
めがなされる。
【0025】なお、フレーム70には、集光部30およ
び受光部50と、解析部80とを、ステージ22に対し
て所定の位置に位置決めするためのストッパ機構が設け
られる。より詳しくは、このストッパ機構により、集光
部30および受光部50をS1方向へ移動させた場合で
も、光ビーム12が試料21の所定位置(位置座標の原
点)に照射されるように集光部30および受光部50の
位置決めが行なわれる。また、上記のストッパ機構によ
り、解析部80をK2方向へ移動させた場合においても
同様に、光ビーム12がカンチレバー81に入射する位
置でかつ試料21の所定位置(位置座標の原点)に光ビ
ーム12が照射されるように解析部80の位置決めが行
なわれる。
び受光部50と、解析部80とを、ステージ22に対し
て所定の位置に位置決めするためのストッパ機構が設け
られる。より詳しくは、このストッパ機構により、集光
部30および受光部50をS1方向へ移動させた場合で
も、光ビーム12が試料21の所定位置(位置座標の原
点)に照射されるように集光部30および受光部50の
位置決めが行なわれる。また、上記のストッパ機構によ
り、解析部80をK2方向へ移動させた場合においても
同様に、光ビーム12がカンチレバー81に入射する位
置でかつ試料21の所定位置(位置座標の原点)に光ビ
ーム12が照射されるように解析部80の位置決めが行
なわれる。
【0026】このようなストッパ機構の一例が図7に示
されている。図7は、ストッパ機構26を示す断面図で
ある。図7を参照して、フレーム70の所定位置には、
V溝70aが設けられる。一方、解析部80の所定位置
には、凹部84が設けられ、この凹部84内にスプリン
グ27とボール(金属球)28が設置される。そして、
このボール28がV溝70aに嵌合することにより、解
析部80は、所定位置に位置決めされる。受光部50に
も同様にストッパ機構が設けられる。
されている。図7は、ストッパ機構26を示す断面図で
ある。図7を参照して、フレーム70の所定位置には、
V溝70aが設けられる。一方、解析部80の所定位置
には、凹部84が設けられ、この凹部84内にスプリン
グ27とボール(金属球)28が設置される。そして、
このボール28がV溝70aに嵌合することにより、解
析部80は、所定位置に位置決めされる。受光部50に
も同様にストッパ機構が設けられる。
【0027】次に、既に記憶部40に記憶されている異
物23の位置情報などの情報を計測制御部60によって
読出す。そして、この情報に従って、ステージ22を駆
動し、カンチレバー81の先端に取付けられた導電性の
探針83の直下に異物23を移動させる。そして、円筒
型圧電素子24によって、試料21を上下方向(Z方
向)に移動させる。
物23の位置情報などの情報を計測制御部60によって
読出す。そして、この情報に従って、ステージ22を駆
動し、カンチレバー81の先端に取付けられた導電性の
探針83の直下に異物23を移動させる。そして、円筒
型圧電素子24によって、試料21を上下方向(Z方
向)に移動させる。
【0028】ここで、図6を用いて、円筒型圧電素子2
4の構造について説明する。図6は、円筒型圧電素子2
4を示す斜視図である。図6に示されるように、円筒型
圧電素子24の外周面には、互いに対向する位置に一対
のX電極25aと一対のY電極25bとが形成される。
それにより、XY方向の伸縮も可能となる。また、円筒
型圧電素子24の内表面には、Z電極25cが形成され
る。そして、Z電極25cに所定の電圧を印加すること
により、円筒型圧電素子24を上下方向(Z方向)に変
形させる。それにより、試料21を上方に移動させ、探
針83と異物23とを接触させることが可能となる。
4の構造について説明する。図6は、円筒型圧電素子2
4を示す斜視図である。図6に示されるように、円筒型
圧電素子24の外周面には、互いに対向する位置に一対
のX電極25aと一対のY電極25bとが形成される。
それにより、XY方向の伸縮も可能となる。また、円筒
型圧電素子24の内表面には、Z電極25cが形成され
る。そして、Z電極25cに所定の電圧を印加すること
により、円筒型圧電素子24を上下方向(Z方向)に変
形させる。それにより、試料21を上方に移動させ、探
針83と異物23とを接触させることが可能となる。
【0029】計測制御部60には、導電性のカンチレバ
ー81と試料21との間に直流電圧を印加することので
きる機能が与えられている。そのため、この計測制御部
60から直流電圧を異物23に印加し、この異物23を
帯電させることが可能となる。なお、異物23を帯電さ
せる前に、カンチレバー81が一定の撓みを保持するよ
うに制御する必要がある。
ー81と試料21との間に直流電圧を印加することので
きる機能が与えられている。そのため、この計測制御部
60から直流電圧を異物23に印加し、この異物23を
帯電させることが可能となる。なお、異物23を帯電さ
せる前に、カンチレバー81が一定の撓みを保持するよ
うに制御する必要がある。
【0030】このようにカンチレバー81の撓みが一定
となるように制御するためのフィードバック回路につい
て以下に説明する。円筒型圧電素子24が図6に示され
るような構造を有することにより、ステージ22が静止
した状態であっても、三次元微動走査を行なわせること
が可能となる。そして、この円筒型圧電素子24によっ
て試料21を上方に移動させ、カンチレバー81に光ビ
ーム12を照射し、その反射光を光位置検出器82によ
って受光する。そして、この光位置検出器82からの出
力信号が、計測制御部60へ送られる。この情報を基に
して、カンチレバー81の撓みが一定となるように、計
測制御部60によって円筒型圧電素子24の上下方向
(Z方向)の駆動電圧を制御する。すなわち、光位置検
出器82,円筒型圧電素子24のZ電極25c,計測制
御部60はフィードバック回路を形成しており、このフ
ィードバック回路によってカンチレバー81の撓みが一
定となるように制御することが可能となる。すなわち、
解析部80は、周知の原子間力顕微鏡の動作を行なえる
機能を有していることとなる。
となるように制御するためのフィードバック回路につい
て以下に説明する。円筒型圧電素子24が図6に示され
るような構造を有することにより、ステージ22が静止
した状態であっても、三次元微動走査を行なわせること
が可能となる。そして、この円筒型圧電素子24によっ
て試料21を上方に移動させ、カンチレバー81に光ビ
ーム12を照射し、その反射光を光位置検出器82によ
って受光する。そして、この光位置検出器82からの出
力信号が、計測制御部60へ送られる。この情報を基に
して、カンチレバー81の撓みが一定となるように、計
測制御部60によって円筒型圧電素子24の上下方向
(Z方向)の駆動電圧を制御する。すなわち、光位置検
出器82,円筒型圧電素子24のZ電極25c,計測制
御部60はフィードバック回路を形成しており、このフ
ィードバック回路によってカンチレバー81の撓みが一
定となるように制御することが可能となる。すなわち、
解析部80は、周知の原子間力顕微鏡の動作を行なえる
機能を有していることとなる。
【0031】上記のようなフィードバック動作を行なう
ことによりカンチレバー81の撓みが一定となるように
制御するとともに、円筒型圧電素子24にXYZの三次
元方向の動作を行なわせ、異物23の原子間力顕微鏡像
を取得することも可能である。原子間力顕微鏡像は立体
像であり、周知のように10分の数nmの高解像度で
0.1μm以下の異物23の形状観察および寸法測定が
可能である。
ことによりカンチレバー81の撓みが一定となるように
制御するとともに、円筒型圧電素子24にXYZの三次
元方向の動作を行なわせ、異物23の原子間力顕微鏡像
を取得することも可能である。原子間力顕微鏡像は立体
像であり、周知のように10分の数nmの高解像度で
0.1μm以下の異物23の形状観察および寸法測定が
可能である。
【0032】計測制御部60によって異物23を帯電さ
せた後、探針83と異物23の接触動作を停止し、両者
の間の距離を一定に保つ。すなわち、原子間力顕微鏡像
を取得するような状態で、円筒型圧電素子24によって
試料21を走査する。それにより、探針83と帯電した
異物23との間の静電力の二次元情報が得られる。
せた後、探針83と異物23の接触動作を停止し、両者
の間の距離を一定に保つ。すなわち、原子間力顕微鏡像
を取得するような状態で、円筒型圧電素子24によって
試料21を走査する。それにより、探針83と帯電した
異物23との間の静電力の二次元情報が得られる。
【0033】計測制御部60によって、一定の直流電圧
を一定時間印加して、異物23を接触帯電させた後、上
述の静電力の二次元情報の時間的変化を調べる。すなわ
ち、帯電電荷分布の時間的変化を、解析部80からの入
力データとして計測制御部60が取込み、そのデータを
処理する。それにより、異物23の種別を判断すること
が可能となる。なお、上述のような異物の評価が終了し
た後、解析部80をK1方向へスライド移動させ、試料
21を取出す。
を一定時間印加して、異物23を接触帯電させた後、上
述の静電力の二次元情報の時間的変化を調べる。すなわ
ち、帯電電荷分布の時間的変化を、解析部80からの入
力データとして計測制御部60が取込み、そのデータを
処理する。それにより、異物23の種別を判断すること
が可能となる。なお、上述のような異物の評価が終了し
た後、解析部80をK1方向へスライド移動させ、試料
21を取出す。
【0034】次に、図2〜図5を用いて、本実施例にお
ける解析部80と計測制御部60とによる異物23の種
別判定の動作原理について詳しく説明する。図2〜図5
は、異物23の種別判定を行なうための動作原理を説明
するための模式図である。
ける解析部80と計測制御部60とによる異物23の種
別判定の動作原理について詳しく説明する。図2〜図5
は、異物23の種別判定を行なうための動作原理を説明
するための模式図である。
【0035】まず、図2および図3を用いて、異物23
が絶縁性を有する場合について説明する。図2を参照し
て、計測制御部60によって円筒型圧電素子24のZ電
極25cに所定の電圧を印加し、試料21を押し上げ
る。それにより、異物23と探針83の先端とを接触さ
せる。次に、スイッチSWを閉じ、直流電圧Vcを導電
性のカンチレバー81,探針83を通じて異物23に与
える。それにより、異物23を帯電させる。このときの
電荷量をQで示す。
が絶縁性を有する場合について説明する。図2を参照し
て、計測制御部60によって円筒型圧電素子24のZ電
極25cに所定の電圧を印加し、試料21を押し上げ
る。それにより、異物23と探針83の先端とを接触さ
せる。次に、スイッチSWを閉じ、直流電圧Vcを導電
性のカンチレバー81,探針83を通じて異物23に与
える。それにより、異物23を帯電させる。このときの
電荷量をQで示す。
【0036】なお図2において、試料21は、たとえば
シリコンのような半導体ウエハ211の上に、たとえば
シリコン酸化膜からなる絶縁膜212が形成されたもの
とする。異物23が有機物のような絶縁性のものである
場合には、図2に示されるように、異物23の下部と絶
縁膜212の表面に逆極性の電荷が誘起される。なお、
異物23と探針83の先端が接触しているか否かは、い
わゆるフォース曲線を描かせることによって確認でき
る。
シリコンのような半導体ウエハ211の上に、たとえば
シリコン酸化膜からなる絶縁膜212が形成されたもの
とする。異物23が有機物のような絶縁性のものである
場合には、図2に示されるように、異物23の下部と絶
縁膜212の表面に逆極性の電荷が誘起される。なお、
異物23と探針83の先端が接触しているか否かは、い
わゆるフォース曲線を描かせることによって確認でき
る。
【0037】次に、図3を参照して、スイッチSWを開
き、フィードバック動作を再開する。ここで、異物23
が上述のように帯電しているため、探針83に、異物2
3の電荷と逆極性の電荷が誘起される。それにより、静
電力が働き、探針83が異物23に近づく。それによ
り、探針83と異物23との間隔δ′は、異物23が帯
電していない状態における探針83と異物23との間の
距離δよりも小さくなっている。異物23の周囲では、
探針83と絶縁膜212との間隔はδとなる。
き、フィードバック動作を再開する。ここで、異物23
が上述のように帯電しているため、探針83に、異物2
3の電荷と逆極性の電荷が誘起される。それにより、静
電力が働き、探針83が異物23に近づく。それによ
り、探針83と異物23との間隔δ′は、異物23が帯
電していない状態における探針83と異物23との間の
距離δよりも小さくなっている。異物23の周囲では、
探針83と絶縁膜212との間隔はδとなる。
【0038】次に、図4および図5を用いて、異物23
が導電性を有する場合について説明する。図4を参照し
て、スイッチSWを閉じ、電圧Vcを異物23に印加す
る。それにより、異物23内全体が均一に帯電する。こ
のときの電荷量がQ″で示される。そして、異物23の
直下に位置する絶縁膜212の表面に、電荷量Q″を構
成する電荷と逆極性の電荷が誘起される。なお、この場
合には、異物23の直下だけでなく、異物23の周辺2
3aにおいても、上記の逆極性の電荷は誘起される。
が導電性を有する場合について説明する。図4を参照し
て、スイッチSWを閉じ、電圧Vcを異物23に印加す
る。それにより、異物23内全体が均一に帯電する。こ
のときの電荷量がQ″で示される。そして、異物23の
直下に位置する絶縁膜212の表面に、電荷量Q″を構
成する電荷と逆極性の電荷が誘起される。なお、この場
合には、異物23の直下だけでなく、異物23の周辺2
3aにおいても、上記の逆極性の電荷は誘起される。
【0039】次に、図5を参照して、スイッチSWを開
く。それにより、探針83に異物23と逆極性の電荷が
誘起され、異物23の電荷量はQ′″となる。この場
合、異物23の周囲23aにおいて誘起された電荷の影
響を受け、探針83と異物23との間隔がδ″(>
δ′)となる。
く。それにより、探針83に異物23と逆極性の電荷が
誘起され、異物23の電荷量はQ′″となる。この場
合、異物23の周囲23aにおいて誘起された電荷の影
響を受け、探針83と異物23との間隔がδ″(>
δ′)となる。
【0040】上述のように、同じ寸法,形状の異物23
であっても、導電性を有するか非導電性を有するかによ
って静電力が異なる。また、探針83を、異物23を含
む領域内で三次元的に微走査を行なうことによって静電
力分布を調べることにより、異物23の周辺の誘起電荷
の有無で異物23の導電性がわかる。さらに、スイッチ
SWを開いた状態で、静電力分布の時間的変化を調べる
ことにより、導電性か非導電性かを判断することが可能
となる。以上の原理を用いることによって、上記の本実
施例の解析部80によって異物23の種別の評価を行な
うことが可能となる。
であっても、導電性を有するか非導電性を有するかによ
って静電力が異なる。また、探針83を、異物23を含
む領域内で三次元的に微走査を行なうことによって静電
力分布を調べることにより、異物23の周辺の誘起電荷
の有無で異物23の導電性がわかる。さらに、スイッチ
SWを開いた状態で、静電力分布の時間的変化を調べる
ことにより、導電性か非導電性かを判断することが可能
となる。以上の原理を用いることによって、上記の本実
施例の解析部80によって異物23の種別の評価を行な
うことが可能となる。
【0041】以上説明したように、本実施例によれば、
試料21を搬送することなく、異物の検出とその種別の
分析とを行なうことが可能となる。このように、試料2
1を搬送しないので、異物が位置ずれすることはほとん
どない。また、集光部30あるいは解析部80は、試料
載置部20に対して極めて精度よく位置決めを行なうこ
とが可能である。これらのことより、異物の検出および
種別の分析が確実かつ容易に行なえる。すなわち、信頼
性の高い異物の評価を行なうことが可能である。
試料21を搬送することなく、異物の検出とその種別の
分析とを行なうことが可能となる。このように、試料2
1を搬送しないので、異物が位置ずれすることはほとん
どない。また、集光部30あるいは解析部80は、試料
載置部20に対して極めて精度よく位置決めを行なうこ
とが可能である。これらのことより、異物の検出および
種別の分析が確実かつ容易に行なえる。すなわち、信頼
性の高い異物の評価を行なうことが可能である。
【0042】また、投光部10を、集光部30と解析部
80とに共通のものとすることも可能である。それによ
り、投光部10の光軸合わせが不要となる。このこと
も、精度の高い異物の評価に寄与する。さらに、フレー
ム70を介して集光部30と受光部50と解析部80と
を一体化しているので、従来例に比べ、装置自体も小型
化することが可能となる。
80とに共通のものとすることも可能である。それによ
り、投光部10の光軸合わせが不要となる。このこと
も、精度の高い異物の評価に寄与する。さらに、フレー
ム70を介して集光部30と受光部50と解析部80と
を一体化しているので、従来例に比べ、装置自体も小型
化することが可能となる。
【0043】なお、異物23が導電性を有するか非導電
性を有するかの判定手法としては、次のようなものもあ
る。たとえば、試料21がその表面に絶縁膜212を有
しない場合、図2に示されるように電圧Vcを印加し、
試料21に流れる電流Icの関係、V−I(電圧−電
流)特性を調べることにより、異物23が導電性を有す
るか否かを判定できる。
性を有するかの判定手法としては、次のようなものもあ
る。たとえば、試料21がその表面に絶縁膜212を有
しない場合、図2に示されるように電圧Vcを印加し、
試料21に流れる電流Icの関係、V−I(電圧−電
流)特性を調べることにより、異物23が導電性を有す
るか否かを判定できる。
【0044】また、大きい電圧Vcをパルス的に印加
し、異物23を含む領域でコロナ放電を発生させ、原子
間力顕微鏡像を調べてもよい。異物23が熱的変形を受
けやすい有機物である場合には、電圧Vcの印加前後で
原子間力顕微鏡像に著しい変化が見られる。それによ
り、異物23が有機物であるか否かを判定できる。
し、異物23を含む領域でコロナ放電を発生させ、原子
間力顕微鏡像を調べてもよい。異物23が熱的変形を受
けやすい有機物である場合には、電圧Vcの印加前後で
原子間力顕微鏡像に著しい変化が見られる。それによ
り、異物23が有機物であるか否かを判定できる。
【0045】さらに、図2に示されるように、探針83
を異物23に接触させ、直流電圧を印加する。このと
き、電流Icが大きい場合であれば、トンネル分光によ
る異物23の評価を行なえる。すなわち、試料21に絶
縁膜212がないかもしくは極めて膜厚が小さく異物2
3が導電性の場合、絶縁膜212がなくて非常に厚さの
小さい非導電性の異物23がある場合には、異物23と
探針83に約1nm程度の間隔を持たせても1nA程度
のトンネル電流が流れる場合がある。この場合には、電
流電圧(I/V)変換器Ampの出力を、光位置検出器
82の出力の代わりに用いて、フィードバック動作さ
せ、いわゆる走査型トンネル顕微鏡として作用させるこ
ともできる。そして、異物23の位置座標上で、一時的
にフィードバック動作を停止して、電圧Vcを変化させ
る。この状態で、(dIc/dVc)あるいは(dIc
/dVc)/Vcを測定する。このようなトンネル分光
を行なうことによって、さらに異物23の性質を詳しく
評価することが可能となる。
を異物23に接触させ、直流電圧を印加する。このと
き、電流Icが大きい場合であれば、トンネル分光によ
る異物23の評価を行なえる。すなわち、試料21に絶
縁膜212がないかもしくは極めて膜厚が小さく異物2
3が導電性の場合、絶縁膜212がなくて非常に厚さの
小さい非導電性の異物23がある場合には、異物23と
探針83に約1nm程度の間隔を持たせても1nA程度
のトンネル電流が流れる場合がある。この場合には、電
流電圧(I/V)変換器Ampの出力を、光位置検出器
82の出力の代わりに用いて、フィードバック動作さ
せ、いわゆる走査型トンネル顕微鏡として作用させるこ
ともできる。そして、異物23の位置座標上で、一時的
にフィードバック動作を停止して、電圧Vcを変化させ
る。この状態で、(dIc/dVc)あるいは(dIc
/dVc)/Vcを測定する。このようなトンネル分光
を行なうことによって、さらに異物23の性質を詳しく
評価することが可能となる。
【0046】(第2実施例)次に、図9を用いて、この
発明の第2の実施例について説明する。図9は、この発
明の第2の実施例における異物評価装置1を示す一部切
欠き斜視図である。
発明の第2の実施例について説明する。図9は、この発
明の第2の実施例における異物評価装置1を示す一部切
欠き斜視図である。
【0047】図9を参照して、本実施例における異物評
価装置1では、解析部80が、探針レバー部85と反射
光受光壁部86とに分割されている。より詳しくは、図
9に示されるように、探針レバー部85は、フレーム7
0に跨がるような形で設けられ、カンチレバー81は、
フレーム70の長手方向に延在する。また、反射光受光
壁部86は、集光部30および受光部50の側面に沿う
ように壁状に設けられる。このような構成を有すること
により、図1に示される第1の実施例の場合よりも装置
の剛性を向上させることが可能となる。
価装置1では、解析部80が、探針レバー部85と反射
光受光壁部86とに分割されている。より詳しくは、図
9に示されるように、探針レバー部85は、フレーム7
0に跨がるような形で設けられ、カンチレバー81は、
フレーム70の長手方向に延在する。また、反射光受光
壁部86は、集光部30および受光部50の側面に沿う
ように壁状に設けられる。このような構成を有すること
により、図1に示される第1の実施例の場合よりも装置
の剛性を向上させることが可能となる。
【0048】反射光受光壁部86には、光位置検出器8
2が設けられる。そして、集光部30には、光ビーム1
2の入射孔31の他に、カンチレバー81に照射された
光の反射光14を通過させ、その反射光14を光位置検
出器82へ入射させるための反射光射出孔32が設けら
れる。それ以外の構造に関しては、上記の第1の実施例
と同様である。したがって、説明は省略する。
2が設けられる。そして、集光部30には、光ビーム1
2の入射孔31の他に、カンチレバー81に照射された
光の反射光14を通過させ、その反射光14を光位置検
出器82へ入射させるための反射光射出孔32が設けら
れる。それ以外の構造に関しては、上記の第1の実施例
と同様である。したがって、説明は省略する。
【0049】(第3実施例)次に、図10を用いて、こ
の発明の第3の実施例について説明する。図10は、こ
の発明の第3の実施例における異物評価装置1を示す一
部切欠き斜視図である。
の発明の第3の実施例について説明する。図10は、こ
の発明の第3の実施例における異物評価装置1を示す一
部切欠き斜視図である。
【0050】図10を参照して、本実施例における異物
評価装置1では、フレーム70は、内部空間を規定する
ようにほぼ箱形状を有しており、その底部には底板75
が設けられている。そして、この底板75には、この底
板75に対して垂直方向に立上がる支持棒74が取付け
られる。この支持棒74が、ガイドとしての機能を有す
る。この支持棒74には、軸方向に延びるようにキー溝
76が設けられる。そして、支持棒74には、試料載置
部固定具72が嵌め込まれる。なお、図示されてはいな
いが、試料載置部固定具72にはキーが挿入されてい
る。この試料載置部固定具72は、試料載置部台71に
固定されている。
評価装置1では、フレーム70は、内部空間を規定する
ようにほぼ箱形状を有しており、その底部には底板75
が設けられている。そして、この底板75には、この底
板75に対して垂直方向に立上がる支持棒74が取付け
られる。この支持棒74が、ガイドとしての機能を有す
る。この支持棒74には、軸方向に延びるようにキー溝
76が設けられる。そして、支持棒74には、試料載置
部固定具72が嵌め込まれる。なお、図示されてはいな
いが、試料載置部固定具72にはキーが挿入されてい
る。この試料載置部固定具72は、試料載置部台71に
固定されている。
【0051】そして、試料載置部固定具72には固定具
止めねじ73が設けられている。この固定具止めねじ7
3によって、試料載置部固定具72は支持棒74に対し
て所定位置に固定される。上記のように、試料載置部固
定具72が支持棒74に嵌め込まれることによって、支
持棒74に沿って上下方向に試料載置部固定具72をス
ライド移動させることが可能となる。それにより、この
試料載置部固定具72に固定されている試料載置部台7
1は、支持棒74に沿って上下方向に移動される。試料
載置部20は、試料載置部台71に取付けられているの
で、この試料載置部台71とともに上下方向に移動す
る。
止めねじ73が設けられている。この固定具止めねじ7
3によって、試料載置部固定具72は支持棒74に対し
て所定位置に固定される。上記のように、試料載置部固
定具72が支持棒74に嵌め込まれることによって、支
持棒74に沿って上下方向に試料載置部固定具72をス
ライド移動させることが可能となる。それにより、この
試料載置部固定具72に固定されている試料載置部台7
1は、支持棒74に沿って上下方向に移動される。試料
載置部20は、試料載置部台71に取付けられているの
で、この試料載置部台71とともに上下方向に移動す
る。
【0052】一方、フレーム70の上部には、集光部3
0が取付けられている。また、フレーム70の所定位置
には、受光部50が取付けられる。また、本実施例で
は、図9に示されるように、解析部80は、外箱(想像
線で示される)を有しており、試料載置部20を覆うよ
うに試料載置部台71上に被せられる。なお、この解析
部80の構造に関しては後に詳しく説明する。
0が取付けられている。また、フレーム70の所定位置
には、受光部50が取付けられる。また、本実施例で
は、図9に示されるように、解析部80は、外箱(想像
線で示される)を有しており、試料載置部20を覆うよ
うに試料載置部台71上に被せられる。なお、この解析
部80の構造に関しては後に詳しく説明する。
【0053】次に、図9に示されるような構造を有する
本実施例における異物評価装置1の動作について説明す
る。まず、支持棒74に沿って試料載置部台71ととも
に試料載置部20を押し上げ、固定具止めねじ73によ
って所定位置に固定する。そして、前述の第1の実施例
の場合と同様の方法で異物の有無および位置座標を検出
する。そして、記憶部40にその情報を記憶させる。
本実施例における異物評価装置1の動作について説明す
る。まず、支持棒74に沿って試料載置部台71ととも
に試料載置部20を押し上げ、固定具止めねじ73によ
って所定位置に固定する。そして、前述の第1の実施例
の場合と同様の方法で異物の有無および位置座標を検出
する。そして、記憶部40にその情報を記憶させる。
【0054】次に、固定具止めねじ73を緩め、試料載
置部台71および試料載置部20を下方へ移動させる。
そして、それらを所定の位置で固定具止めねじ73によ
って固定する。その後、解析部80を試料載置部台71
上に被せる。そして、前述の第1の実施例の場合と同様
の方法で異物23の種別を判断する。
置部台71および試料載置部20を下方へ移動させる。
そして、それらを所定の位置で固定具止めねじ73によ
って固定する。その後、解析部80を試料載置部台71
上に被せる。そして、前述の第1の実施例の場合と同様
の方法で異物23の種別を判断する。
【0055】上述のように、本実施例によれば、1つの
装置内において、試料載置部20を上下方向に移動させ
るだけで異物の数,位置および種別を判定することが可
能となる。そのため、異物23の消失,位置ずれはほと
んど生じない。それにより、正確かつ容易に異物23の
評価が行なえる。また、投光部10は図9に示されるよ
うに1つでよい。それにより、投光部10の光軸合わせ
が不要となる。また、集光部30および受光部50と、
解析部80とを上下に配置することにより、上記の第1
および第2の実施例の場合よりもさらに装置を小型化す
ることが可能となる。
装置内において、試料載置部20を上下方向に移動させ
るだけで異物の数,位置および種別を判定することが可
能となる。そのため、異物23の消失,位置ずれはほと
んど生じない。それにより、正確かつ容易に異物23の
評価が行なえる。また、投光部10は図9に示されるよ
うに1つでよい。それにより、投光部10の光軸合わせ
が不要となる。また、集光部30および受光部50と、
解析部80とを上下に配置することにより、上記の第1
および第2の実施例の場合よりもさらに装置を小型化す
ることが可能となる。
【0056】ここで、図10を用いて、解析部80の一
例について説明する。図10を参照して、解析部80
は、たとえば金属製の外箱を有する。このように金属製
の外箱を有することにより、外部からの電磁波を遮蔽す
ることが可能となる。つまり、ノイズに対して強いもの
となる。
例について説明する。図10を参照して、解析部80
は、たとえば金属製の外箱を有する。このように金属製
の外箱を有することにより、外部からの電磁波を遮蔽す
ることが可能となる。つまり、ノイズに対して強いもの
となる。
【0057】また、外箱内には、外箱の対向する側壁の
内表面に沿って一対の立壁が設けられ、この一対の立壁
の底部は、一対の梁80aによって連結されている。そ
して、一方の立壁に光位置検出器82が設けられ、他方
の立壁にカンチレバー81が設けられる。このように、
光位置検出器82とカンチレバー81とがそれぞれ立壁
に設けられることにより、相対的な位置ずれを効果的に
抑制できる。そして、上記の一対の立壁部と梁80aと
によって空洞80bが規定される。この空洞80bの形
状は、試料載置部20と相似形状であり、空洞80bの
寸法は試料載置部20の寸法より少し大きいものであ
る。
内表面に沿って一対の立壁が設けられ、この一対の立壁
の底部は、一対の梁80aによって連結されている。そ
して、一方の立壁に光位置検出器82が設けられ、他方
の立壁にカンチレバー81が設けられる。このように、
光位置検出器82とカンチレバー81とがそれぞれ立壁
に設けられることにより、相対的な位置ずれを効果的に
抑制できる。そして、上記の一対の立壁部と梁80aと
によって空洞80bが規定される。この空洞80bの形
状は、試料載置部20と相似形状であり、空洞80bの
寸法は試料載置部20の寸法より少し大きいものであ
る。
【0058】また、解析部80の外箱は、試料載置部台
71とほぼ同形で、試料載置部台71より少し小さい寸
法を有する。したがって、解析部80の外箱の底面を試
料載置部台71の上面で支え、かつ空洞80b内にステ
ージ22を挿入することが可能となる。なお、解析部8
0の外箱には、投光部10からの光を解析部80内に照
射するための孔部(図示せず)が設けられることが好ま
しい。上記のような構成を有することにより、上記の第
1および第2の実施例の場合と同様に、異物23の種別
の判定を行なうことが可能となる。
71とほぼ同形で、試料載置部台71より少し小さい寸
法を有する。したがって、解析部80の外箱の底面を試
料載置部台71の上面で支え、かつ空洞80b内にステ
ージ22を挿入することが可能となる。なお、解析部8
0の外箱には、投光部10からの光を解析部80内に照
射するための孔部(図示せず)が設けられることが好ま
しい。上記のような構成を有することにより、上記の第
1および第2の実施例の場合と同様に、異物23の種別
の判定を行なうことが可能となる。
【0059】なお、上記の本実施例においては、試料載
置部台71と試料載置部固定具72を切り離した場合に
ついて説明したが、両者は一体化されたものであっても
よい。また、カンチレバー81への入射光として、投光
部10の光ビーム12を用いることを前提として説明し
たが、解析部80の上部、すなわちカンチレバー81の
上側と光位置検出器82の上部とを架橋し、探針83の
上方に位置する架橋箇所へ別の投光部を設けてもよい。
投光部としては、半導体レーザを用いてもよい。
置部台71と試料載置部固定具72を切り離した場合に
ついて説明したが、両者は一体化されたものであっても
よい。また、カンチレバー81への入射光として、投光
部10の光ビーム12を用いることを前提として説明し
たが、解析部80の上部、すなわちカンチレバー81の
上側と光位置検出器82の上部とを架橋し、探針83の
上方に位置する架橋箇所へ別の投光部を設けてもよい。
投光部としては、半導体レーザを用いてもよい。
【0060】また、導電性のカンチレバーは、Si3 N
4 の表面に1.5nm程度の厚みにCrをコーティング
し、さらにその上に厚さ50nm程度のAuをコーティ
ングすることによって得ることができる。また、光位置
検出器は、たとえば、2分割または4分割のシリコンフ
ォトダイオード配置のフォト位置センサを使用すること
も可能である。さらに、カンチレバー81への直流電圧
印加,円筒型圧電素子24のXY二次元走査に関して
は、計測制御部60に含まれているコンピュータとそれ
に接続されたDA変換器を駆動して、それらに電圧を供
給することが可能である。また、異物23を介在させて
カンチレバー81に流れる電流を調べる場合には、AD
変換器を駆動し、コンピュータで読取る。さらに、大き
い供給電源が必要な場合、小さい電流を読取る場合に
は、DA変換器の後、AD変換器の前にオペアンプのよ
うな増幅器を設ければよい。
4 の表面に1.5nm程度の厚みにCrをコーティング
し、さらにその上に厚さ50nm程度のAuをコーティ
ングすることによって得ることができる。また、光位置
検出器は、たとえば、2分割または4分割のシリコンフ
ォトダイオード配置のフォト位置センサを使用すること
も可能である。さらに、カンチレバー81への直流電圧
印加,円筒型圧電素子24のXY二次元走査に関して
は、計測制御部60に含まれているコンピュータとそれ
に接続されたDA変換器を駆動して、それらに電圧を供
給することが可能である。また、異物23を介在させて
カンチレバー81に流れる電流を調べる場合には、AD
変換器を駆動し、コンピュータで読取る。さらに、大き
い供給電源が必要な場合、小さい電流を読取る場合に
は、DA変換器の後、AD変換器の前にオペアンプのよ
うな増幅器を設ければよい。
【0061】なお、今回開示された実施例はすべての点
で例示であって制限的なものではないと考えられるべき
である。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれることが意図される。
で例示であって制限的なものではないと考えられるべき
である。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示さ
れ、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべ
ての変更が含まれることが意図される。
【0062】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、試料を搬送することなく、異物の数や位置の検出お
よび異物の種別の判定を行なうことが可能となる。それ
により、搬送中に起こり得る異物の移動や消失といった
問題を効果的に回避することが可能となる。それによ
り、信頼性の高い異物の評価が行なえるとともに、異物
の評価の作業自体も容易なものとなる。また、測定部と
分析部とを一体化して1つの装置内に組込むことによ
り、装置自体をも小型化できる。
ば、試料を搬送することなく、異物の数や位置の検出お
よび異物の種別の判定を行なうことが可能となる。それ
により、搬送中に起こり得る異物の移動や消失といった
問題を効果的に回避することが可能となる。それによ
り、信頼性の高い異物の評価が行なえるとともに、異物
の評価の作業自体も容易なものとなる。また、測定部と
分析部とを一体化して1つの装置内に組込むことによ
り、装置自体をも小型化できる。
【0063】
【図1】 この発明の第1の実施例における異物評価装
置を示す斜視図である。
置を示す斜視図である。
【図2】 異物が絶縁物である場合の異物の種別の判定
方法の第1工程を示す模式図である。
方法の第1工程を示す模式図である。
【図3】 異物が絶縁物である場合の異物の種別の判定
方法の第2工程を示す模式図である。
方法の第2工程を示す模式図である。
【図4】 異物が導電性を有する場合の異物の種別の判
定方法の第1工程を示す模式図である。
定方法の第1工程を示す模式図である。
【図5】 異物が導電性を有する場合の異物の種別の判
定方法の第2工程を示す模式図である。
定方法の第2工程を示す模式図である。
【図6】 この発明に係る円筒型圧電素子を示す斜視図
である。
である。
【図7】 この発明に係るストッパ機構を示す断面図で
ある。
ある。
【図8】 この発明の第2の実施例における異物評価装
置を示す一部切欠き斜視図である。
置を示す一部切欠き斜視図である。
【図9】 この発明の第3の実施例における異物評価装
置を示す一部切欠き斜視図である。
置を示す一部切欠き斜視図である。
【図10】 この発明の第3の実施例において使用され
る解析部の一例を示す斜視図である。
る解析部の一例を示す斜視図である。
【図11】 従来の異物評価装置の構成を示す構成図で
ある。
ある。
【図12】 試料表面上に異物が存在する場合(P)
と、試料の表面上に異物が存在しない場合(N)との光
散乱強度分布を示す相関図である。
と、試料の表面上に異物が存在しない場合(N)との光
散乱強度分布を示す相関図である。
1 異物評価装置、10 投光部、20 試料載置部、
21 試料、22 ステージ、30 集光部、40 記
憶部、50 受光部、60 計測制御部、70フレー
ム、80 解析部、81 カンチレバー、82 光位置
検出器。
21 試料、22 ステージ、30 集光部、40 記
憶部、50 受光部、60 計測制御部、70フレー
ム、80 解析部、81 カンチレバー、82 光位置
検出器。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 西岡 直
兵庫県伊丹市瑞原四丁目1番地 菱電セ
ミコンダクタシステムエンジニアリング
株式会社内
(56)参考文献 特開 平5−34124(JP,A)
特開 平7−92095(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
G01B 11/00 - 11/30
G01N 21/88
H01L 21/66
Claims (10)
- 【請求項1】 試料表面に付着した異物の数、位置およ
び種別を検知するための異物評価装置であって、 水平方向に延びるガイドと、 前記ガイドに固定され、その上に前記試料が載置される
試料載置部と、 前記ガイドにスライド可能に取付けられ、前記試料載置
部上に移動することにより前記異物の数や位置を測定す
るための測定部と、 前記ガイドにスライド可能に取付けられ、前記試料載置
部上に移動することにより前記異物の種別を分析するた
めの分析部と、を備えた異物評価装置。 - 【請求項2】 前記測定部と前記分析部とは、前記試料
載置部を間に挟むように前記試料載置部の両側にそれぞ
れ配置される、請求項1に記載の異物評価装置。 - 【請求項3】 前記異物評価装置は、さらに、前記試料
載置部の上方に配置され、前記試料載置部上に載置され
た前記試料の表面に光を照射するための、前記測定部と
前記分析部とに対して共通の1つの投光部を備える、請
求項1または2に記載の異物評価装置。 - 【請求項4】 前記測定部は、 ミラーからなる内面を有し、回転楕円面形状を有する集
光部と、 前記集光部に設けられ、前記投光部により発せられた光
を前記集光部下に配置される前記試料に照射するための
孔と、 前記孔を通して前記試料に照射された光の反射光を受光
する受光部とを備え、 前記分析部は、 探針を有するカンチレバーと、 前記投光部からの光が前記カンチレバーに照射されるこ
とにより生じる反射光の変位を検出する光位置検出器と
を備える、請求項3に記載の異物評価装置。 - 【請求項5】 前記集光部には、前記集光部を前記試料
載置部上に移動させる際に、前記試料を通過させるため
の切欠き部が設けられる、請求項4に記載の異物評価装
置。 - 【請求項6】 前記受光部と前記光位置検出器には、前
記受光部と前記光位置検出器により得られた情報を処理
するための計測制御部が接続され、 前記計測制御部には、前記計測制御部で処理されたデー
タを記憶するための記憶部が接続される、請求項4に記
載の異物評価装置。 - 【請求項7】 前記分析部は、前記カンチレバーを含む
探針レバー部と、前記光位置検出器を含む反射光受光壁
部とを有し、 前記反射光受光壁部は、前記光位置検出器が前記集光部
よりも上方に位置するように前記測定部の側部に取付け
られ、 前記集光部には、さらに、前記カンチレバーに照射され
た光の反射光を前記光位置検出器に導くための孔が設け
られ、 前記探針レバー部は、前記ガイドに跨がるように取付け
られ、 前記カンチレバーは、前記ガイドの長手方向に延在す
る、請求項4に記載の異物評価装置。 - 【請求項8】 前記ガイドには、前記測定部および前記
分析部を前記試料載置部に対して一定の位置に位置決め
するためのストッパ機構が設けられる、請求項1に記載
の異物評価装置。 - 【請求項9】 前記ガイドは、中空部を有する四角形状
の枠材からなる、請求項1に記載の異物評価装置。 - 【請求項10】 試料表面に付着した異物の数、位置お
よび種別を検知するための異物評価方法であって、 水平方向に延びるガイドに固定され前記試料を載置した
試料載置部上に、前記ガイドに沿って測定部をスライド
移動させ、前記異物の数や位置を測定する工程と、 前記ガイドに沿って分析部を前記試料載置部上にスライ
ド移動させ、前記異物の種別を分析する工程と、を備え
た異物評価方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17090995A JP3514555B2 (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 異物評価装置および異物評価方法 |
US08/627,655 US5736745A (en) | 1995-07-06 | 1996-04-04 | Contamination evaluating apparatus |
EP96106208A EP0753736A3 (en) | 1995-07-06 | 1996-04-19 | Contamination evaluating apparatus |
KR1019960027012A KR0163274B1 (ko) | 1995-07-06 | 1996-07-04 | 이물평가장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17090995A JP3514555B2 (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 異物評価装置および異物評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0921629A JPH0921629A (ja) | 1997-01-21 |
JP3514555B2 true JP3514555B2 (ja) | 2004-03-31 |
Family
ID=15913594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17090995A Expired - Fee Related JP3514555B2 (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 異物評価装置および異物評価方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5736745A (ja) |
EP (1) | EP0753736A3 (ja) |
JP (1) | JP3514555B2 (ja) |
KR (1) | KR0163274B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100405300B1 (ko) * | 1999-03-04 | 2003-11-12 | 주식회사 엘지화학 | 위치 선정성 및 재부착 특성이 우수한 점착 시트 및 그의 제조방법 |
KR100387502B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-06-18 | 현대자동차주식회사 | 전기 자동차용 병렬 충전 시스템 |
JP3913265B2 (ja) | 2004-08-18 | 2007-05-09 | 三菱電機株式会社 | 反射体の支持機構および投写装置 |
US9488597B2 (en) | 2011-11-30 | 2016-11-08 | Corning Incorporated | Apparatus and methods for determining surface compliance for a glass surface |
US11688623B2 (en) * | 2019-08-21 | 2023-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wafer inspection apparatuses |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4659220A (en) * | 1984-10-22 | 1987-04-21 | International Business Machines Corporation | Optical inspection system for semiconductor wafers |
US4938654A (en) * | 1985-05-17 | 1990-07-03 | Schram Richard R | Automated wafer inspection system |
JPS62173731A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Toshiba Corp | 被検査物の表面検査装置 |
US5233191A (en) * | 1990-04-02 | 1993-08-03 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of inspecting foreign matters during mass production start-up and mass production line in semiconductor production process |
DE69131528T2 (de) * | 1990-05-30 | 2000-05-04 | Hitachi, Ltd. | Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung eines sehr kleinen Bereichs einer Probe |
US5076692A (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-31 | Tencor Instruments | Particle detection on a patterned or bare wafer surface |
JPH0521561A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | 鏡面ウエハの異物検出方法及び装置並びにその分析方法及び装置 |
JP3027241B2 (ja) * | 1991-07-30 | 2000-03-27 | 株式会社堀場製作所 | 異物検査装置 |
US5317153A (en) * | 1991-08-08 | 1994-05-31 | Nikon Corporation | Scanning probe microscope |
US5422724A (en) * | 1992-05-20 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Multiple-scan method for wafer particle analysis |
US5371375A (en) * | 1992-06-24 | 1994-12-06 | Robotic Vision Systems, Inc. | Method for obtaining three-dimensional data from multiple parts or devices in a multi-pocketed tray |
US5517027A (en) * | 1993-06-08 | 1996-05-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for detecting and examining slightly irregular surface states, scanning probe microscope therefor, and method for fabricating a semiconductor device or a liquid crystal display device using these |
US5479252A (en) * | 1993-06-17 | 1995-12-26 | Ultrapointe Corporation | Laser imaging system for inspection and analysis of sub-micron particles |
JPH0792095A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Hitachi Ltd | 欠陥評価装置 |
JP3246811B2 (ja) * | 1993-10-18 | 2002-01-15 | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 | 半導体ウエハ検査装置 |
US5642298A (en) * | 1994-02-16 | 1997-06-24 | Ade Corporation | Wafer testing and self-calibration system |
US5644393A (en) * | 1995-10-19 | 1997-07-01 | Hitachi Electronics Engineering Co., Ltd. | Extraneous substance inspection method and apparatus |
-
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