JP3507104B2 - 光記録媒体の製造方法、スパッタリング方法及びスパッタリングターゲット - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はスパッタリング法を用い
てなる光記録媒体の製造方法及び無機誘電体膜の成膜方
法に関し、更に本発明はスパッタリングターゲットに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスクあるいは光磁気ディス
クなど、レーザー光を用いて情報の記録読み出しを行う
大容量の光記録媒体が広く利用されている。

【０００３】そして光磁気ディスクの場合例えば図２に
示す様に基板２１上に記録層２２として、無機誘電体膜
２３、光磁気記録膜２４及び無機誘電体膜２５の積層膜
が形成されてなり該記録層上に樹脂保護層２６が積層さ
れてなる様な構成が知られている。

【０００４】そして該記録層２２中の無機誘電体膜２３
及び２５は光磁気記録膜２４の腐食を防止する為の保護
膜及びカー効果エンハンスメントの為の干渉膜として機
能するものであって具体的には例えばＳｉＮｘの薄膜や
ＳｉＯｘの薄膜が一般に用いられている。

【０００５】そして該誘電体膜を成膜する方法としては
従来Ａｒガス雰囲気中において基板上に形成しようとす
る誘電体膜とほぼ同一組成の誘電体をターゲットとし
て、高周波放電によりスパッタリングを行う方法が用い
られていた。

【０００６】しかし、この様な誘電体をターゲットに用
いた、高周波スパッタリング法は基板に熱がかかりやす
いため、基板のそりが生じたり、膜密着性が悪くなるな
どの問題が生じやすい。さらに、生産性を向上させるた
めに薄膜形成速度を速くしようとする場合には、この問
題はさらに顕著になる。

【０００７】このような問題に対して、誘電体膜を構成
する元素のうち金属あるいは半金属元素をターゲット材
料とし、それにＡｒガス雰囲気中で直流電位を印加して
スパッタリングし、残りの元素を反応ガスとして減圧し
たチャンバーに供給して各々を反応させ基板上に誘電体
膜を形成する、いわゆる直流反応性スパッタリング法が
用いられるようになった。

【０００８】即ち例えば無機誘電体膜としてＳｉＮｘを
直流反応性スパッタリング法で成膜する場合、ターゲッ
トにＳｉを用い、反応ガスにＮ₂ガスやＮＨ₃ガスを用い
ることによって成膜することができるものである。

【０００９】そしてこの直流反応性スパッタリング方法
は、高周波スパッタリング法に比べて高い薄膜形成速度
が得られると共に低温状態で前記基板に薄膜を成膜する
ことができるので生産性に優れた方法である。

【００１０】しかしこの様な直流電源を用いたスパッタ
リング法の問題点として異常放電、即ちスパッタリング
工程中の安定な放電形態（グロー放電）とは異なる放電
形態であるアーク放電が発生し易いことが挙げられる。

【００１１】即ちスパッタリング工程中に於て、異常放
電が発生するとスパークを発生して放電が不安定となり
基板上に成膜される薄膜の膜厚や膜質が不均一となった
り異常放電の発生に伴ってターゲット表面の熔融物質の
塊が飛散して基板上の誘電体膜に欠陥を生じさせること
があり、かかる欠陥はひいては光磁気記録媒体の欠陥の
原因となることから、異常放電は高品質な光磁気記録媒
体を製造するうえで大きな問題となっているものであ
る。

【００１２】そしてこの異常放電という問題を解決する
手段として例えば特開平３−１２６８６７号公報には異
常放電の発生の原因が、直流反応性スパッタリング装置
として一般的に用いられている直流マグネトロンスパッ
タ装置（永久磁石がターゲット裏面に配置されてなり、
ターゲット表面に直交磁界を生じさせることによって電
界と磁界とが直交するターゲットの局部（エロージョン
領域）に放電を集中させて、ターゲット表面のスパッタ
エッチング速度を向上させることのできる直流マグネト
ロン電極を用いたマグネトロンスパッタ装置）を用いた
時のＳｉターゲット表面に生じるスパッタエッチングが
進行しない領域（非エロージョン領域）に形成される絶
縁性のＳｉ系無機誘電体の絶縁破壊によるものであると
して、ターゲットの非エロージョン領域をスパッタリン
グ工程に於て形成される化合物膜が導電性を有する様な
材料（例えばＴｉ）で形成して、スパッタリング工程に
於ける絶縁破壊を防止しうる様に構成したスパッタリン
グターゲットを用いてスパッタリングを行なう方法が開
示されている。

【００１３】又この他にターゲットの非エロージョン領
域を絶縁破壊の生じない様な厚い絶縁膜で被覆したり更
にはターゲット裏面のマグネットを移動させることによ
って非エロージョン領域自体を無くすことも異常放電を
防止する手段として提案されている。そしてかかる対策
は、異常放電の発生頻度を低減し、光記録媒体の不良品
発生率を低下させるうえで有効な技術であるが生産性を
向上させるために例えばインラインスパッタリング装置
等を用いて、長時間同一のターゲットを連続してスパッ
タしたり、高速成膜のためにターゲットに投入するパワ
ー密度を上げた場合に於ける異常放電の抑制効果は十分
でなく、そのためこのような場合にも異常放電の発生頻
度をより一層低減させることのできる手段が要求されて
いる。

【００１４】

【発明が解決しようとしている課題】本発明は上記問題
点に鑑みてなされたものであって記録層に欠陥の少な
い、高品質な光記録媒体を生産性良く製造することので
きる方法を提供することを目的とするものである。

【００１５】又本発明は異常放電の発生頻度を抑え、高
品質な無機誘電体膜を生産性良く成膜出来るスパッタリ
ング方法を提供することを他の目的とするものである。

【００１６】又本発明は長時間の直流スパッタや高パワ
ー密度で直流スパッタした場合にも異常放電の発生頻度
を有効に抑えることのできるスパッタリングターゲット
を提供することを更に他の目的とするものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】そして本発明者は上記目
的に対して種々検討を行なった結果、長時間直流反応性
スパッタリングを行なった時に、従来はスパッタリング
工程に於ては不活性ガス（Ａｒ等）によるスパッタエッ
チングが生じる為絶縁性の無機誘電体は形成されないも
のと考えられていたターゲットのスパッタ領域（エロー
ジョン領域）にも絶縁性の無機誘電体が形成され、この
エロージョン領域の無機誘電体が異常放電をもたらすと
いう知見に基づき本発明に至ったものである。そこで本
発明の一実施態様にかかるスパッタリング方法は、金属
元素および半金属元素の少なくとも一方を含むターゲッ
ト元素を含む薄膜を形成する為のスパッタリング方法で
あって、ダイアモンド結晶構造を有する、ターゲット元
素の単結晶からなるスパッタリングターゲットを用意す
る工程；および該スパッタリングターゲットを反応性ガ
ス雰囲気下でＤＣスパッタし、無機誘電体薄膜を形成す
る工程、を有し、該スパッタリングターゲットは、該ダ
イヤモンド結晶構造のミラー指数（１，０，０）によっ
て示される格子面から構成されるスパッタ面を有してい
ることを特徴とするものである。また本発明の一実施態
様にかかる光記録媒体の製造方法は、例えば基板上に光
記録膜および半金属元素を含む無機誘電体膜とを含む光
記録媒体の製造方法であって、基板上に該光記録膜を製
膜する工程；および該無機誘電体膜を製膜する工程、を
有し、該無機誘電体膜を製膜する工程が、上記のスパッ
タリング方法によって行われることを特徴とするもので
ある。また本発明の一実施態様にかかるスパッタリング
ターゲットは、金属元素もしくは半金族元素のダイヤモ
ンド型単結晶構造からなる、反応性ガス雰囲気下でのＤ
Ｃスパッタリング方法において用いられるスパッタリン
グターゲットであって、該ダイヤモンド型単結晶構造の
ミラー指数（１、０、０）によって示される格子面から
実質的に構成されてなるスパッタ面を有することを特徴
とするものである。

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【００２４】次に本発明について図面を用いて詳細に説
明する。

【００２５】図１は本発明に係る図２に示した様な光記
録媒体の製造方法の一実施態様に適用されるインライン
型の記録層成膜用スパッタ装置の概略平面図であり、１
１は基板投入室、１２は脱気室、１３及び１５は無機誘
電体膜２３及び２５の成膜室、１４は光磁気記録膜２４
の成膜室そして１６は記録層２２の成膜された基板の取
出室である。そして各室の間には不図示の開閉可能な扉
が設けられてなる共に、基板２１を担持する基板ホルダ
ー１７が基板投入室１１から基板取出室１６まで順次移
動可能に形成されている。

【００２６】そして光記録媒体用基板２１は基板投入室
１１から基板取出室１６に向かって搬送されると共にに
各々の室で基板２１の脱気、無機誘電体膜２３の形成、
光記録膜２４の形成及び無機誘電体膜２５の形成を順次
行なうことによって基板２１上に記録層２２を備えた光
記録媒体が形成されるものである。

【００２７】そして図３は図１の成膜装置の無機誘電体
膜２３又は２５の成膜が行なわれる成膜室１３又は１５
の基板搬送方向に直交する方向の概略断面図であり、同
図３に示した様に成膜室１３又は１５のチャンバー３１
内には、該チャンバー底部に配置したカソード電極とな
る例えば銅製のバッキングプレート３２上にターゲット
３３が設けられている。

【００２８】又該バッキングプレート３２には直流電源
３５が接続されてなり該ターゲットに所定のスパッタリ
ングパワーを与えられるように構成されている。

【００２９】そして該ターゲット３３の上方には、スパ
ッタリングによって膜が形成される基板２１がアノード
電極を兼ねた基板ホルダー１７に保持されて、該基板２
１が該ターゲット３３と対向するように配置されてい
る。永久磁石３６は、円筒状の中心磁極（Ｓ極）と、円
冠状の外周磁極（Ｎ極）を有する円板状に形成されてな
り、そして又該永久磁石３４は、該永久磁石３４によっ
てターゲット３３の該基板２１に対向する面、即ちスパ
ッタ面３３′に発生させられる直交磁界と、該バッキン
グプレート３２及び該基板ホルダー１７による電界とが
ほぼ直交し、該スパッタ面のエロージョンが進行する領
域が該スパッタ面の全面となって非エロージョン領域が
形成されないように不図示の手段によって移動可能な様
に構成され、又直流電源にはスパッタリング工程中のタ
ーゲット３３に流れる電流及び印加電圧の変化を記録す
るレコーダー３６が接続されている。

【００３０】そしてこの様に構成された成膜装置を用い
て例えばＳｉＮｘ膜を成膜する場合ターゲット３３とし
てＳｉを用いて真空ポンプ３７でチャンバー３１内を真
空排気した後、該チャンバー３１内に導入管３８−１か
ら放電ガスとして例えばアルコンガスを導入し、導入管
３８−２から反応性ガスとしてＮ₂やＮＨ₃ガス或いはそ
の混合ガスを導入して、且つ該ターゲットにスパッタパ
ワーを印加することによって該ターゲットのスパッタ面
がスパッタされそれによって生じたＳｉ原子が反応性ガ
スと反応して基板１４上にＳｉＮｘ膜を成膜することが
できる。

【００３１】そして本発明の第１の特徴事項は、該ター
ゲット３３として、該無機誘電体の成膜ステップを経た
後にもスパッタ面３３′のエロージョン領域に無機誘電
体が形成されることのない様に構成されてなるスパッタ
リングターゲットを用いる点にある。そしてこのような
構成によって長時間スパッタリングを行なったり高パワ
ー密度を印加してスパッタリングを行なった場合にも異
常放電の発生頻度を有効に減少させることができ高品質
の無機誘電体膜を生産性良く成膜できる。

【００３２】上記の構成に係るスパッタリングターゲッ
トとしては、例えばＳｉ結晶を含有するターゲットの場
合反応性ガス起源の原子やイオン或いはラジカルが単位
格子内部に混入することを許容する空隙を有さない格子
面をスパッタ面３３′と略一致させること、具体的に
は、例えば反応性ガスとして、光記録媒体の記録層中の
機能性膜として、好適に用いられるＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ
やＳｉＣ等の誘電体薄膜を反応性スパッタ法で成膜する
際に一般的に用いられるＮ₂ガス、ＮＨ₃ガス、Ｏ₂ガ
ス、Ｃ₂Ｈ₂ガス等を用いる場合、該Ｓｉターゲットのス
パッタ面３３′がＳｉ結晶の、ミラー指数（１、０、
０）で示される格子面と略一致する様に構成することに
よってスパッタリング工程に於けるターゲットのエロー
ジョン領域への無機誘電体の形成を防止できる。

【００３３】即ち、Ｓｉは図４で示されるダイヤモンド
型結晶構造を有するものであってこの結晶構造の単位格
子のミラー指数（１、０、０）、（１、１、０）及び
（１、１、１）で示される格子面は図５〜図７の通りで
ある。

【００３４】但し図５〜図７に於て円５１はＳｉ原子を
示し、又その大きさはＳｉ原子半径（共有結合半径＝
１．１７Å）と単位格子の長さ（ａ＝５．４３０１）Å
の比率と等しくなるように描かれている。

【００３５】そして図６からミラー指数（１、１、０）
で示される格子面はＳｉ原子間に約１．６Åφの単位格
子内部に連通してなる空隙６１を有していることが分
る。

【００３６】一方前記したＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＣ
等のＳｉ系誘電体膜の成膜に一般的に用いられるＮ₂ガ
スやＮＨ₃ガス、Ｏ₂ガス更にはＣ₂Ｈ₂ガスの場合、これ
らの反応性ガスに由来し、ターゲットのスパッタ面に絶
縁性の誘電体を形成可能な原子や、イオンとしては例え
ばＮ、Ｎ⁵⁺、Ｃ、Ｃ⁴⁺、Ｏ等が考えられるがこれらの大
きさは例えばＮで１．０６Å程度、Ｎ⁵⁺で０．５Å程
度、Ｃで１．５４Å程度、Ｃ⁴⁺で約０．１２Å程度、Ｏ
で１．３２Å程度であるからＳｉ結晶のミラー指数
（１、１、０）の格子面は反応性ガスとして上記した様
なガスを用いた場合これらの反応性ガス起源のイオンや
原子を格子間原子として取り込んでしまう様な空隙を有
するものである。

【００３７】これに対してミラー指数（１、０、０）及
び（１、１、１）の格子面はＳｉ原子が空隙を作ること
なく互いに近接してなり上記した様な反応ガス起源のイ
オンや原子、ラジカルをスパッタリング工程に於いて格
子間原子として取り込んでしまう様な空隙を有していな
いことが図５及び図７から分る。そして本発明に於てＳ
ｉターゲットのスパッタ面３３′をミラー指数（１、
０、０）で示される格子面と一致させた場合、長時間の
連続スパッタや高パワー密度でのスパッタを行なった場
合にも異常放電の発生頻度を大幅に減少させることがで
き、そして光記録媒体の不良品発生率についても有効に
抑制することができ好ましいものである。

【００３８】なお、かかるスパッタリングターゲットの
構成によって上述の効果が得られる理由としては長時間
の連続スパッタや高パワー密度でのスパッタを行なった
場合のスパッタ面への反応ガス起源の原子やイオン、ラ
ジカルの衝突によってもこれらがターゲットを構成する
原子間に取り込まれ、それによってターゲットのスパッ
タ面に絶縁性の無機誘電体が形成されるということがな
く、この無機誘電体による絶縁破壊を防止できるためと
考えられる。

【００３９】ところで本実施態様に於てＳｉターゲット
としてはスパッタ面を上記したミラー指数（１、０、
０）の格子面に統一でき、スパッタ面に空隙６１が存在
する確率を実質的に無くすことが容易である事から単結
晶とすることが好ましい。

【００４０】更に上記した本発明の実施態様に於てはタ
ーゲット材料にＳｉを用いて説明したが、ミラー指数
（１、０、０）の格子面をスパッタ面とすることが好ま
しい元素としては、Ｓｉに限定されずＳｉと同様のダイ
ヤモンド型結晶構造を有し、前出の種々の反応性ガスの
存在下で直流反応性スパッタを行なうことによって光記
録媒体の機能性膜として有効な絶縁性の誘電体薄膜を形
成可能な元素であるＧｅ（ゲルマニウム）やＳｎ（ス
ズ）等も用いることができる。

【００４１】又本発明に於て、ターゲットを構成する元
素としてはダイヤモンド型結晶構造を採る元素に限らず
直流反応性スパッタリングによって光記録媒体の機能性
膜として有効な絶縁性の誘電体薄膜を形成しうる元素で
あれば用いることができるが、特に反応性ガスとの関係
に於てスパッタに用いる反応性ガス起源の原子やイオン
が単位格子内に混入しうる空隙を有する格子面と、反応
性ガス起源の原子やイオンのうち最も小さいものが混入
する空隙を有さない格子面とを備えた結晶構造を示すよ
うな元素に対して本発明は特に有効に作用するものであ
る。

【００４２】次に本発明に於ける無機誘電体膜の成膜方
法について更に説明すると、無機誘電体膜の成膜条件は
該無機誘電体膜が光記録膜の保護膜として機能しうる緻
密さ及び／又は干渉層として機能しうる光学特性を有す
るように適宜選択されるものであって、該無機誘電体膜
に担持させる機能及び該無機誘電体に用いる材料によっ
て成膜条件は変化し一概に決定されるものでないが、例
えば光記録膜としてＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の光磁気記録膜
の保護膜兼干渉膜としてＳｉＮｘ膜を反応性ガスにＮ₂
を用いて成膜する場合ＳｉＮｘの膜が０〜３０Ｋｇｆ／
ｃｍ²の圧縮応力を示し、且つ２．０〜２．３程度の屈
折率を示す様な成膜条件に設定することが好ましく具体
的には放電パワーとして１〜１０Ｗ／ｃｍ²放電ガス
と、反応性ガスの全圧力として０．１〜０．８ｐａ、放
電ガスと反応性ガスの混合比として全ガスに対する反応
性ガスの体積比で１０〜５０％の範囲で成膜することで
ＳｉＮｘ膜に上記の特性を担持させることが可能であ
る。

【００４３】又本発明に於ける無機誘電体膜の厚さは記
録層の構成と無機誘電体膜の特性に応じて決定されるも
のであるが、例えば図２に示した様に光記録膜を挟持す
る様に２層の無機誘電体膜が配置されてなる構成に於て
は記録の保護及び信号再生時のカー回転角のエンハンス
の為に基板と光記録膜の間の無機誘電体膜の膜厚を１０
０〜１５００Å程度、光記録膜上の無機誘電体膜の膜厚
を１００〜１０００Å程度の範囲とすることが好まし
い。

【００４４】次に本発明に係る第２の特徴事項は、図８
（ａ）及び図８（ａ）のターゲット３３の円８０の内部
の拡大断面図である図８（ｂ）に示した様にスパッタリ
ングターゲット３３のスパッタ面３３′に隣接してなる
稜角部８１の面取りを施す点にある。

【００４５】そしてそれによってスパッタリング時のタ
ーゲット端部への電荷の集中を抑えることができ、例え
ばターゲット端部とプラズマ空間との間での異常放電の
発生頻度を低減させることができるため好ましいもので
ある。

【００４６】そして本発明に於てターゲットの面取りを
行なう場合、該ターゲットの中心を通り且つスパッタ面
３３′に直交する切断面に於ける該ターゲットの断面形
状として該ターゲットの厚さを“ｈ”、面取りによって
形成されてなる面８２の長さを“ａ”そして面取りによ
って形成されてなる面８２が該ターゲットのスパッタ面
３３′に対してなす角度をθとしたときａｓｉｎθ／ｈ
が０．２〜０．８、特に０．３〜０．７とすること、そ
してまた角度θを２０°〜６０°、特に４０°〜５０°
更には４３°〜４７°とすることは異常放電の原因とな
るスパッタリング工程に於けるターゲットへのクラック
の発生を有効に防止することができ、且つターゲットの
スパッタリング効率も殆んど低下せず好ましいものであ
る。なお、面取り部の形状を上記した様に制御すること
でターゲットへのクラックの発生を防止できる理由につ
いては明らかでないが、以下の作用によるものと考えら
れる。

【００４７】即ち、ターゲットはスパッタリング工程中
に於てはスパッタリング面が加熱される一方でスパッタ
リング面と反対側の面は、バッキングプレートに接して
冷却されることからターゲットのスパッタリング面側に
圧縮応力が加わり、バッキングプレートに接する面の側
には引張応力が加わることになり、ターゲット内部には
スパッタリング面に対しほぼ４５°の方向で剪断応力が
発生する。そしてこの剪断応力がターゲットの稜角部に
集中することによってターゲットにクラックが生じるも
のと考えられる。ここで本発明に係るスパッタリングタ
ーゲットのスパッタ面３３′に対してスパッタリングを
行なった場合、上記剪断応力の集中を面取り部によって
緩和させることができるためターゲットへのヒビや割れ
の発生を防止できるものと考えられる。

【００４８】又本発明に於て、図８に示す様にターゲッ
トの稜角部を面取りした後、更に図９に示す様に該面取
りによって新たに形成されてなる面９０に隣接する稜角
部９１及び９２の面取り、所謂、糸面取りを施すことは
異常放電の発生を更に低減させるうえで好ましいもので
ある。

【００４９】更に又本発明のターゲットの面取りの他の
実施態様として、図１０に示す通り稜角部が曲面となる
ような面取り処理を行なってもよい。

【００５０】この場合、曲面の曲率半径ｒとして、ｈ／
１０≦ｒ≦ｈ、特にｈ／５≦ｒ≦ｈ／２とすることは異
常放電の発生及びターゲットへのクラックの発生を抑え
られ且つターゲットのスパッタリング効率も殆んど低下
させることがないため好ましい。

【００５１】ところで上記した面取りの処理を有効に適
用することのできるスパッタリングターゲットとして
は、直流スパッタリングの可能な導電性を有するターゲ
ットであれば何ら制限なく用いることができ、例えばＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｔ
ａ、Ｐｔ、Ｔｂ、Ｇａ、Ｎｄ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｉｒなどの金属ターゲッ
トやＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃなどの非（半）金属で
あって必要に応じてＢ（ボロン）やＰ（リン）等をドー
プして導電性を調整したターゲットなどを用いることが
できる。そして又面取りの処理を施したスパッタリング
ターゲットは直流反応性スパッタリング法に限らず通常
の直流スパッタリング法に用いた場合にも異常放電の防
止効果を達成できるものである。

【００５２】又本発明の第２の特徴事項の構成を第１の
特徴事項の構成を有するスパッタリングターゲットに適
用した場合、第１の特徴事項の構成によって得られる異
常放電の防止効果を越えるより優れた異常放電の防止効
果を達成することができる。

【００５３】次に本発明の第１の特徴事項及び／又は第
２の特徴事項に係るスパッタリングターゲットとして例
えばＳｉやＧｅ等の、単体では直流スパッタに必要な導
電性を有していない様な絶縁性の材料で構成されてなる
スパッタリングターゲットの場合、Ｂ（ホウ素）やＰ
（リン）等の導電性材料を添加することによりスパッタ
面の導電化を図る必要が有るが、この時該ターゲットの
比抵抗率を０．０１Ω・ｃｍ以下、特に０．００１Ω・
ｃｍ以下となるように該導電性材料をドーピングするこ
とによってスパッタ面の電荷蓄積が軽減され、異常放電
の発生をより一層防止することができるため好ましいも
のである。

【００５４】又上記絶縁性スパッタリングターゲットに
導電性材料のドーピングによって担持させる導電性とし
ては１０^-5Ω・ｃｍ以上、特に１０^-4Ω・ｃｍ以上とす
ることが好ましい。即ちこれによって成膜する無機誘電
体薄膜中への導電性材料の混入を実質的に防止すること
ができるものである。

【００５５】更に本発明に於て、図３に示す通りスパッ
タリング装置内のスパッタリングターゲットを載置する
為のバッキングプレート３２及び該バッキングプレート
３２上に載置されてなるスパッタリングターゲット３３
の少なくとも一方の形状及び寸法を該ターゲット３３の
側面と該バッキングプレート３２の側面とが一致するよ
うに形成する事は好ましいものである。

【００５６】即ち、バッキングプレート及びスパッタリ
ングターゲットの側面が一致するように形成することに
よって、異常放電の原因となる電荷集中をもたらすスパ
ッタリングターゲットのスパッタ面と反対側の面に隣接
する稜角部（図１１の１０１、１０２）を見かけ上無く
することができ、それによってスパッタリングターゲッ
トへのクラックの発生をより一層抑制することができる
ものである。

【００５７】なお、バッキングプレート及びスパッタリ
ングターゲットの少なくとも一方の形状及び寸法を上記
の関係を満たすように形成することによって、該ターゲ
ットへのクラックの発生を更に良好に抑えられる理由は
図１１に示す様にスパッタリングターゲット１０３がバ
ッキングプレート１００より出っ張っている場合、スパ
ッタリングターゲットのバッキングプレートと接触して
いる部分と接触していない部分とで冷却の程度に差が生
じ、このとき該ターゲットのスパッタ面（１０３′）に
平行な方向に生じる温度勾配によって熱応力が発生し、
この応力がスパッタリングターゲットにクラックを生じ
させる原因の１つと考えられ、上記した本願発明の構成
によればスパッタリングターゲットのターゲット面に平
行な方向に温度勾配を生じさせることがないことからス
パッタリングターゲットへのクラックの発生を抑制でき
るものと考えられる。

【００５８】次に、本発明の光記録媒体の製造方法に於
て、前記した本発明の特徴事項に係る無機誘電体膜の成
膜ステップ以外の構成については何ら制限されるもので
なく、例えば無機誘電体膜の成膜ステップと光記録膜の
成膜ステップとの順番は所定の記録層の構成に従って順
次成膜を行なえばよい。

【００５９】又、光記録膜の成膜ステップについては光
記録膜に用いる材料の特性に適した公知の成膜方法を用
いればよく、具体的には例えば蒸着、スパッタリング、
湿式塗布等を用いることができる。

【００６０】そして又本発明に於て光記録膜としては、
光ビームの照射によって情報の記録・再生の可能な光記
録膜であれば特に制限無く用いることができるが、無機
誘電体膜との組み合わせによって光記録膜の保護及び／
又は光記録膜からの再生信号のエンハンスメントを図る
事が好ましい。Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、
Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ−ＣｒやＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ等の
光磁気記録膜やスピロピラン等のフォトンモードで記録
のなされる光記録膜は無機誘電体膜中に欠陥の無い事が
特に厳しく要求されるため本発明の光記録媒体の製造方
法を一層有効に作用させることができるという点で好ま
しい材料である。

【００６１】又、本発明の光記録媒体の製造方法によっ
て得られる基板上に記録層を有してなる光記録媒体の該
記録層上には必要に応じて反射層及び／又は保護層を設
けてもよい。この場合反射層の材料としてはＡｕやＡｌ
等を用いることができ、又その形成方法としては蒸着法
やスパッタリング法等が挙げられる。又保護層は例えば
光硬化性樹脂を該記録層上に所定の厚さ（例えば１０〜
３０μｍ）となるように塗布した後光照射を行なって硬
化せしめたり、予め所定の厚さに成形されてなる樹脂シ
ート（例えばポリカーボネート樹脂シートやポリエステ
ル樹脂シート等）を接着剤や粘着剤等で記録層上に貼着
させることによって形成できる。

【００６２】ところで本発明に於て「反応性ガス起源の
原子やイオン或いはラジカルが単位格子内部に混入する
ことを許容する空隙を有さない格子面をスパッタ面と略
一致させる」とは該スパッタ面がその格子面と完全に一
致してなる場合だけでなく、該スパッタ面が該特定の格
子面の特徴である反応性ガス起源の原子、イオン、ラジ
カルの単位格子内への混入を許容する空隙を有さないと
いう特徴を失わない範囲でずれて一致しているばあいを
も包含するものである。

【００６３】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
する。

【００６４】（実施例１）直径１３０ｍｍφ、厚さ１．
２ｍｍで一方の表面に幅０．６μｍ、ピッチ１．６μ
ｍ、深さ８００Åのスパイラル状のトラック溝を有する
ポリカーボネート製の基板の、トラック溝が形成された
側の表面に第１誘電体膜として厚さ９００ÅのＳｉＮ
膜、光記録膜として厚さ１０００ÅのＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
の非晶質光磁気記録膜、第２誘電体層として厚さ７００
ÅのＳｉＮ膜が順次積層された記録層を有する光磁気デ
ィスクを以下の方法で作成した。

【００６５】即ち先ず図１に示すインライン型の記録層
成膜用のスパッタリング装置を用意した。

【００６６】そして該成膜装置に於て第１及び第２のＳ
ｉＮ膜の成膜室のチャンバー内には各々４個（合計８
個）のターゲット載置面の直径が２０ｃｍのバッキング
プレートを配置した。そして各々のバッキングプレート
には直流電流を接続し、又各々の直流電源には異常放電
発生時に電源保護のために一時給電を停止し、再度通電
を開始する機能（アークカット機能）を付加し、更にア
ークカットの発生を記録するレコーダーを接続した。

【００６７】又、各バッキングプレートの裏面には図３
に示すように永久磁石を配置し、該永久磁石はターゲッ
トのスパッタ面全面がエロージョン領域となる様にスパ
ッタリング工程中に移動可能な構成とした。そして各々
のバッキングプレート上には、直径２０ｃｍφ、厚さ３
ｍｍのＳｉ単結晶ターゲットを装着した。なおここで用
いたターゲットはＢ（ボロン）のドーピングによってス
パッタ面の比抵抗を１０^-3Ω・ｃｍに調整すると共にス
パッタ面がＳｉ単結晶のミラー指数（１、０、０）で示
される格子面と一致させたものとした。

【００６８】次に上記した構成のＳｉＮ膜の成膜室を有
するインライン型のスパッタ装置の基板投入室に図１４
に示した様に、８枚のディスク基板２１を取り付けた基
板ホルダー１７を投入し、次いで脱気室に基板を搬送し
て脱気した後第１のＳｉＮ膜成膜室に基板を搬送し第１
のＳｉＮ膜の成膜を行なった。

【００６９】ＳｉＮ膜の成膜条件としてはチャンバー内
部を１×１０^-5Ｐａまで真空排気した後、Ａｒガス及び
Ｎ₂ ガスをチャンバー内に導入しＡｒガスとＮ₂ ガスの
混合ガスの圧力を０．２Ｐａ（但し混合ガス中のＮ₂ ガ
スの割合は３０ｖｏｌ％）とした雰囲気中でターゲット
の単位面積（１ｃｍ² ）当りの放電パワーを５．７Ｗと
してスパッタを行ないＳｉＮ膜の成膜速度が約２６０Å
／分となる様に調整した。

【００７０】なおＳｉＮ成膜室において、ディスク基板
とターゲット間の距離は１２０ｍｍとした。従って第１
誘電体膜の成膜に要した時間は約３分であった。

【００７１】第１のＳｉＮ膜の成膜終了後、基板を光記
録膜成膜室に搬送しＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録膜の成
膜を行なった。

【００７２】なおＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜の成膜は、異常放
電の生じないＲＦスパッタリング法で行なった。なお、
スパッタリングターゲットとしては直径２０ｃｍ、厚さ
３ｍｍのＴｂ₂₃Ｆｅ₇₀Ｃｏ₇ の合金ターゲットを４個用
い、又ＲＦスパッタリングの条件としてはチャンバー内
部を１×１０^-5Ｐａまで真空排気した後、Ａｒガスを導
入しＡｒガスの圧力を０．１Ｐａ、ＲＦパワー５．６Ｗ
／ｃｍ² としてスパッタを行なった。

【００７３】Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜の成膜が終了後、該基
板を第２のＳｉＮ膜の成膜室に搬送し、第１のＳｉＮ膜
の成膜条件と同一の条件でＳｉＮ膜を成膜した。従って
第２のＳｉＮ膜の成膜時間は約２．７分であった。上記
の手順に従って８枚のディスク基板を保持した基板ホル
ダー１２０枚を連続的に該インライン型の成膜装置に投
入して成膜を行ない合計９６０枚の光磁気ディスクを作
製した。従って第１のＳｉＮ膜の成膜室中のＳｉターゲ
ット１枚当りの放電時間の合計は６時間であって第２の
ＳｉＮ膜の成膜室中のＳｉターゲット１枚当りの放電時
間の合計は５．４時間であった。

【００７４】そして第１及び第２のＳｉＮ膜の成膜工程
中に於るＳｉターゲットの積算放電時間が１時間毎の異
常放電の発生回数を計測した。

【００７５】その結果、第１及び第２のＳｉＮ膜の成膜
工程に於て、異常放電の発生は図１２に示すように殆ど
認められなかった。又本実施例によって作成した９６０
枚の磁気ディスクについて光学顕微鏡を用いて記録層の
状態を観察し、５０μｍφ以上のピンホール欠陥が１個
以上有れば不良品として不良品発生率を算出した。その
結果本実施例に於る不良品発生率は約０．５％であっ
た。

【００７６】更に第１のＳｉＮ膜の成膜に用いた４枚の
Ｓｉターゲットのスパッタ面をＸ線マクロアナライザー
（商品名：ＪＳＭ−Ｔ２００；日本電子データム（株）
社製）を用いてＸ線で走査してスパッタ面の元素分析を
行なったところ、スパッタ面へのＳｉＮの形成は認めら
れなかった。

【００７７】（参考例１） 実施例１に於て用いたＳｉターゲットに代えてＳｉ単結
晶で構成され、スパッタ面がミラー指数（１、１、１）
面と一致し、且つスパッタ面の比抵抗を０．００１Ω・
ｃｍとした。

【００７８】直径２０ｃｍ、厚さ３ｍｍのＳｉターゲッ
トを用いた以外は実施例１と同様にして光磁気ディスク
を作製した。

【００７９】その結果、第１及び第２のＳｉＮ膜の成膜
工程に於て異常放電は図１２に示すように殆ど発生せず
又、光磁気ディスクの不良品発生率も約０．５％であっ
た。

【００８０】更に第１のＳｉＮ膜の作成に用いた４枚の
Ｓｉターゲットのスパッタ面を実施例１と同様にして観
察したところスパッタ面にＳｉＮは形成されていなかっ
た。

【００８１】（比較例１）実施例１に於てＳｉターゲッ
トを、Ｓｉ単結晶で構成され、スパッタ面がミラー指数
（１、１、０）の格子面と一致し、且つスパッタ面の比
抵抗が０．００１Ω・ｃｍとした直径２０ｃｍ、厚さ３
ｍｍのＳｉターゲットを用いた以外は実施例１と同様に
して光磁気ディスクを作成した。その結果として第１の
ＳｉＮ膜の成膜に用いた４枚のＳｉターゲットについて
積算放電時間が１時間毎の異常放電の発生回数の平均値
（異常放電発生頻度）のグラフを図１２に示す。図１２
から明らかな様に比較例１に於てはターゲットの積算放
電時間が増加すると共に異常放電の発生回数も著しく増
加し、例えば積算放電時間５時間〜６時間の１時間に発
生した異常放電は１８０回に達した。そこでこの傾向は
第２のＳｉＮ膜の成膜工程に於ても殆ど同様であった。
又比較例１で得られた光磁気ディスクの不良品発生率は
約９１％であった。

【００８２】又第１のＳｉＮ膜の成膜に用いたＳｉター
ゲットについて実施例１と同様にして観察したところ、
スパッタ面にＳｉＮが点在しているのが認められた。

【００８３】（比較例２）実施例１に於て、Ｓｉターゲ
ットを、粒界サイズが１０〜１５ｍｍの多結晶Ｓｉであ
って、スパッタ面の比抵抗を０．００１Ω・ｃｍとし
た。直径２０ｃｍ、厚さ３ｍｍのＳｉターゲットを用い
た以外は実施例１と同様にして光磁気ディスクを作製し
た。

【００８４】その結果として、第１のＳｉＮ膜の成膜に
用いた４枚のＳｉターゲットについて積算放電時間が１
時間毎の異常放電の発生回数の平均値（異常放電の発生
頻度）を図１２に示す。そして図１２から明らかな様に
比較例２に於ても積算放電時間が増化すると共に異常放
電の発生回数も増加し、例えば積算放電時間が５時間〜
６時間の１時間に６０回の異常放電が発生した。又この
傾向は第２のＳｉＮ膜の成膜工程に於ても殆ど同様であ
った。

【００８５】そして又比較例２で得られた光磁気ディス
クの不良品発生率は約８０％であった。

【００８６】更に第１のＳｉＮ膜の成膜に用いたＳｉタ
ーゲットについて実施例１と同様にして観察したところ
スパッタ面にＳｉＮが点在しているのが認められた。

【００８７】（実施例２） 直径１３０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍで一方の表面に幅
０．６μｍ、ピッチ１．６μｍ、深さ８００Åのスパイ
ラル状のトラック溝を有するポリカーボネート製の基板
のトラック溝が形成された側の表面に第１誘電体膜とし
て厚さ１０５０ÅのＳｉＮ膜、光記録膜として厚さ５０
０ÅのＴｂ-Ｆｅ-Ｃｏの非晶質光磁気記録膜、第２誘電
体層として厚さ４５０ÅのＳｉＮ膜が順次積層された記
録層を有する光磁気ディスクを以下の方法で作成した。

【００８８】即ち先ず図１に示すインライン型の記録層
成膜用のスパッタリング装置を用意した。

【００８９】そして該成膜装置に於て第１及び第２のＳ
ｉＮ膜の成膜室のチャンバー内には各々４個（合計８
個）のターゲット載置面の直径が１３．３ｃｍのバッキ
ングプレートを配置した。そして各々のバッキングプレ
ートには直流電流を接続し、又各々の直流電源には異常
放電発生時に電源保護のために一時給電を停止し、再度
通電を開始する機能（アークカット機能）を付加し更に
アークカットの発生を記録するレコーダーを接続した。

【００９０】又、各バッキングプレートの裏面には図３
に示すように永久磁石を配置し、該永久磁石はターゲッ
トのスパッタ面全面がエロージョン領域となる様にスパ
ッタリング工程中に移動可能な構成とした。そして各々
のバッキングプレート上には、直径１３．３ｃｍφ、厚
さ３ｍｍのＳｉ単結晶ターゲットを装着した。なおここ
で用いたターゲットはＢ（ボロン）のドーピングによっ
てスパッタ面の比抵抗を１０^-3Ω・ｃｍに調整すると共
にスパッタ面がＳｉ単結晶のミラー指数（１、０、０）
で示される格子面と一致させたものとし、更にスパッタ
面に隣接する稜角部を図８（ｂ）に於てθ＝４５°、ａ
ｓｉｎθ／ｈ＝１／３となる様に面取りした構成とし
た。

【００９１】次に上記した構成のＳｉＮ膜の成膜室を有
するインライン型スパッタ装置の基板投入室に、８枚の
ディスク基板を取り付けた基板ホルダーを投入し、次い
で脱気室に基板を搬送して脱気した後、第１のＳｉＮ膜
成膜室に基板を搬送し、第１のＳｉＮ膜の成膜を行なっ
た。

【００９２】ＳｉＮの成膜条件としては、チャンバー内
部を１×１０^-5Ｐａまで真空排気した後、Ａｒガス及び
Ｎ₂ ガスをチャンバー内に導入し、ＡｒガスとＮ₂ ガス
の混合ガスの圧力を０．２Ｐａ（但し混合ガス中のＮ₂
ガスの割合は３０ｖｏｌ％）とした雰囲気中で、ターゲ
ットの単位面積（１ｃｍ² ）当りの放電パワーを６．５
Ｗとしてスパッタを行ないＳｉＮ膜の成膜速度が３００
Å／分となる様に調整した。

【００９３】なおＳｉＮ成膜室に於て、ディスク基板と
ターゲット間の距離は１２０ｍｍとした。

【００９４】従って第１誘電体膜の成膜に要した時間は
３．５分であった。

【００９５】第１のＳｉＮ膜の成膜終了後、基板を光記
録膜成膜室に搬送し、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録膜の
成膜を行なった。

【００９６】なおＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜の成膜は、異常放
電の生じないＲＦスパッタリング法で行なった。なお、
スパッタリングターゲットとしては直径２０ｃｍ、厚さ
３ｍｍのＴｂ₂₃Ｆｅ₇₀Ｃｏ₇ の合金ターゲットを用い、
又ＲＦスパッタリングの条件としてはチャンバー内部を
１×１０^-5Ｐａまで真空排気した後、Ａｒガスを導入
し、Ａｒガスの圧力を０．１Ｐａ、ＲＦパワー５．６Ｗ
／ｃｍ² としてスパッタを行なった。

【００９７】Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜の成膜が終了後、該基
板を第２のＳｉＮ膜の成膜室に搬送し、第１のＳｉＮ膜
の成膜条件と同一の条件でＳｉＮ膜を成膜した。従って
第２のＳｉＮ膜の成膜時間は１．５分であった。上記の
手順に従って８枚のディスク基板を保持した基板ホルダ
ー１２０枚を連続的に該インライン型の成膜装置に投入
して成膜を行ない、合計９６０枚の光磁気ディスクを作
製した。従って第１のＳｉＮ膜の成膜中のＳｉターゲッ
ト１枚当りの放電時間の合計は７時間であって、第２の
ＳｉＮ膜の成膜室中のＳｉターゲット１枚当りの放電時
間の合計は３時間であった。そして第１及び第２のＳｉ
Ｎ膜の成膜工程中に於る異常放電の発生頻度を計測し
た。そして第１のＳｉＮ膜の成膜工程に於る異常放電の
発生頻度を図１３に示す。図１３から分る様に実施例３
に於て第１のＳｉＮの成膜工程に於て異常放電の発生は
殆どなく、これは第２のＳｉＮ膜の成膜工程に於ても同
様であった。

【００９８】又第１のＳｉＮ膜の成膜に用いたＳｉター
ゲットについてターゲットの割れやヒビの発生状態を目
視で観察した。

【００９９】更に、本実施例によって作製した９６０枚
の光磁気ディスクについて光学顕微鏡を用いて記録層の
状態を観察し、４０μｍφ以上のピンホール欠陥が１個
以上有れば不良品として不良品発生率を算出した。

【０１００】その結果を表１に示す。但し表１に示した
異常放電の発生頻度は第１及び第２のＳｉＮ膜の成膜を
通して計測される発生頻度のうちその値が最大となる第
１のＳｉＮ膜の成膜に用いた４枚のターゲットの積算放
電時間６時間〜７時間の１時間に発生した異常放電の発
生回数をターゲットの枚数、即ち４で割って平均化した
値である。

【０１０１】（実施例３〜８） スパッタリングターゲットとしてＳｉ単結晶で構成する
と共にスパッタ面をミラー指数（１、０、０）で示され
る格子面と一致させ、更に面取りの処理の有無、直径及
びスパッタ面の比抵抗を表１に示す様に変化させたスパ
ッタリングターゲットを用意し、各々のスパッタリング
ターゲットを用いて実施例３と同様にして光磁気ディス
クを作成した。但し実施例３〜５に用いたターゲットの
面取りは実施例２に用いたターゲットと同じ形状とし
た。

【０１０２】そして各実施例３〜８に於る異常放電の発
生頻度、ターゲットへの割れやヒビの発生状態及びディ
スクの不良品発生率について実施例２と同様にして評価
した。その結果を表１に示す。

【０１０３】

【表１】

【０１０４】（実施例９） 直径１３０ｍｍφ、厚さ１．２ｍｍで一方の表面に幅
０．６μｍ、ピッチ１．６μｍ、深さ８００Åのスパイ
ラル状のトラック溝を有するポリカーボネート製の基板
の、トラック溝が形成された側の表面に第１誘電体膜と
して厚さ９００ÅのＧｅＯ膜、光記録膜として厚さ１０
００ÅのＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏの非晶質光磁気記録膜、第２
誘電体層として厚さ７００ÅのＧｅＯ膜が順次積層され
た記録層を有する光磁気ディスクを以下の方法で作成し
た。

【０１０５】即ち先ず図１に示すインライン型の記録層
成膜用のスパッタリング装置を用意した。

【０１０６】そして該成膜装置において第１及び第２の
ＧｅＯ膜の成膜室のチャンバー内には各々４個（合計８
個）のターゲット載置面の直径が２０ｃｍのバッキング
プレートを配置した。そして各々のバッキングプレート
には直流電流を接続し、又各々の直流電源には異常放電
発生時に電源保護のために一時給電を停止し、再度通電
を開始する機能（アークカット機能）を付加し、更にア
ークカットの発生を記録するレコーダーを接続した。

【０１０７】又各バッキングプレートの裏面には図３に
示すように永久磁石を配置し、該永久磁石はターゲット
のスパッタ面全面がエロージョン領域となる様にスパッ
タリング工程中に移動可能な構成とした。

【０１０８】そして各々のバッキングプレート上には、
直径２０ｃｍφ、厚さ３ｍｍのＧｅ単結晶ターゲットを
装着した。なおここで用いたターゲットはＢ（ボロン）
のドーピングによってスパッタ面の比抵抗を１０^-3Ω・
ｃｍに調整すると共にスパッタ面がＧｅ単結晶のミラー
指数（１、０、０）で示される格子面と一致させたもの
とした。

【０１０９】次に上記した構成のＧｅＯ膜の成膜室を有
するインライン型スパッタ装置の基板投入室に、８枚の
ディスク基板を取り付けた基板ホルダーを投入し、次い
で脱気室に基板を搬送して脱気した後、第１のＧｅＯ膜
成膜室に基板を搬送し第１のＧｅＯ膜の成膜を行なっ
た。

【０１１０】ＧｅＯの成膜条件としては、チャンバー内
部を１×１０^-5Ｐａまで真空排気した後、Ａｒガス及び
Ｏ₂ ガスをチャンバー内に導入し、ＡｒガスとＯ₂ ガス
の混合ガスの圧力を０．２Ｐａ（但し混合ガス中のＯ₂
ガスの割合は２３ｖｏｌ％）とした雰囲気中で、ターゲ
ットの単位面積（１ｃｍ² ）当りの放電パワーを４．１
Ｗとしてスパッタを行ないＧｅＯ膜の成膜速度が１７０
Å／分となる様に調整した。

【０１１１】なおＧｅＯ成膜室に於て、ディスク基板と
ターゲット間の距離は１２０ｍｍとした。

【０１１２】従って第１誘電体膜の成膜に要した時間は
約５．３分であった。

【０１１３】第１のＧｅＯ膜の成膜終了後、基板を光記
録膜成膜室に搬送し、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ光磁気記録膜の
成膜を行なった。

【０１１４】なお、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜の成膜は異常放
電の生じないＲＦスパッタリング法で行なった。なお、
スパッタリングターゲットとしては直径２０ｃｍ、厚さ
３ｍｍのＴｂ₂₃Ｆｅ₇₀Ｃｏ₇ の合金ターゲットを用い、
又ＲＦスパッタリングの条件としてはチャンバー内部を
１×１０^-5Ｐａまで真空排気した後、Ａｒガスを導入
し、Ａｒガスの圧力を０．１Ｐａ、ＲＦパワー５．６Ｗ
／ｃｍ² としてスパッタを行なった。

【０１１５】Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ膜の成膜が終了後、該基
板を第２のＧｅＯ膜の成膜室に搬送し、第１のＧｅＯ膜
の成膜条件と同一の条件でＧｅＯ膜を成膜した。従って
第２のＧｅＯ膜の成膜時間は４．１分であった。

【０１１６】上記の手順に従って８枚のディスク基板を
保持した基板ホルダー１２０枚を連続的に該インライン
型の成膜装置に投入して成膜を行ない、合計９６０枚の
光磁気ディスクを作製した。従って第１のＧｅＯ膜の成
膜室中のＧｅターゲット１枚当りの放電時間の合計は１
０．６時間であって、第２のＧｅＯ膜の成膜室中のＧｅ
ターゲット１枚当りの放電時間の合計は８．２時間であ
った。

【０１１７】そして、第１及び第２のＧｅＯ膜の成膜工
程中に於るＧｅターゲットの積算放電時間が１時間毎の
異常放電の発生回数を計測した。

【０１１８】その結果、第１及び第２のＧｅＯ膜の成膜
工程に於て、異常放電の発生は殆ど認められなかた。
又、本実施例によって作成した８６０枚の光磁気ディス
クについて光学顕微鏡を用いて記録層の状態を観察し、
５０μｍφ以上のピンホール欠陥が１個以上有れば不良
品として不良品発生率を算出した。その結果本実施例に
於る不良品発生率は約１．５％であった。

【０１１９】更に第１のＧｅＯ膜の成膜に用いた４枚の
Ｇｅターゲットのスパッタ面を実施例１と同様にして観
察したところ、スパッタ面にＧｅＯは形成されていなか
った。

【０１２０】（実施例１０） 実施例１に於て、光記録膜の形成ステップを下記式
（Ｉ）で示される構造のスピロピラン化合物を厚さ２０
０ｎｍに蒸着するステップに代えた以外は実施例１と同
様にして光ディスクを作成した。

【０１２１】

【外１】

【０１２２】なお、本実施例によって得られる結果は実
施例１と同様であって、２層のＳｉＮ膜で挟持されたス
ピロピラン膜で構成された光記録層に欠陥の無い高品質
な光記録媒体を生産性良く製造することができた。

【０１２３】なお、前記した本発明の実施例及び比較例
に於て用いたＳｉ単結晶及びＧｅ単結晶のスパッタリン
グターゲットのスパッタ面の格子面はＸ線回折装置（商
品名：ＲＡＤ−３Ｂ；理学電機（株）社製）を用いたＸ
線回折分析によって特定したものである。具体的には、
上記Ｘ線回折装置のＸ線発生装置の対陰極（ターゲッ
ト）にＣｕを用い、この時に発生するＸ線のうちＫα線
をＸ線源として、該Ｘ線をスパッタリングターゲットの
スパッタ面に入射角が２θ＝２０°〜１２０°となる様
に変化させて入射せしめてＸ線回折ピークを測定・記録
し、その結果を既知物質のＸ線回折ピークの位置と結晶
の格子面との対照データ（ＪＣＰＤＳ ＰＤＦ…Ｊｏｉ
ｎｔ Ｃｏｍｍｉｔｅｅ ｏｎ Ｐｏｗｄｅｒ Ｄｉｆ
ｆｒａｃｔｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｐｏｗｄｅｒ
Ｄａｔａ Ｆｉｌｅ）と照合することによって特定し
た。

【０１２４】

【発明の効果】以上説明した様に本発明は、直流反応性
スパッタリング法によって無機誘電体膜を形成する場合
に、不活性ガスによるスパッタエッチングが生じる為に
無機誘電体膜が形成されることはないと考えられている
スパッタリングターゲットのスパッタ面のエロージョン
領域にも絶縁性の無機誘電体が形成され、このエロージ
ョン領域の無機誘電体が異常放電をもたらすという新た
な知見に基づくものであり、本発明によれば直流反応性
スパッタリングによって無機誘電体薄膜を有する記録層
を備えた光記録媒体を製造する際に同一のターゲットを
用いた長時間のスパッタリング及び／又は高パワー密度
でのスパッタリングを行なった場合にも異常放電の発生
頻度を大幅に減少させることができ、高品質な光記録媒
体を生産性良く製造することができる。

【０１２５】又、本発明によれば直流反応性スパッタリ
ングを含む直流スパッタリング法によって薄膜を形成す
る際に、同一のターゲットに対して長時間のスパッタリ
ング及び／又は高パワー密度でのスパッタリングを行な
った場合の異常放電の発生の原因となるターゲットのヒ
ビや割れを有効に抑えられるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の製造方法に用いるイ
ンライン型の記録層成膜装置の概略平面図。

【図２】一般的な光磁気記録媒体の概略断面図。

【図３】図１の記録層成膜装置の無機誘電体膜成膜室の
概略断面図。

【図４】ダイヤモンド型結晶構造の該略図。

【図５】ダイヤモンド型結晶構造を有するＳｉ結晶のミ
ラー指数（１、０、０）で示される格子面に於る断面
図。

【図６】ダイヤモンド型結晶構造を有するＳｉ結晶のミ
ラー指数（１、１、０）で示される格子面に於る断面
図。

【図７】ダイヤモンド型結晶構造を有するＳｉ結晶のミ
ラー指数（１、１、１）で示される格子面に於る断面
図。

【図８】本発明に係る他の光記録媒体の製造方法の説明
図。 （ａ）本発明に係る他の光記録媒体の製造方法に用いる
無機誘電体膜成膜室の概略断面図。 （ｂ）図８（ａ）のスパッタリングターゲットの拡大断
面図。

【図９】本発明に係るスパッタリングターゲットの他の
実施態様の拡大断面図。

【図１０】本発明に係るスパッタリングターゲットの更
に他の実施態様の拡大断面図。

【図１１】スパッタリングターゲット及びバッキングプ
レートのサイズに関する説明図。

【図１２】本発明の実施例１、２及び比較例１、２の異
常放電の発生頻度を示すグラフ。

【図１３】本発明の実施例３〜９の異常放電発生頻度を
示すグラフ。

【図１４】本発明の実施例１の説明図。

【符号の説明】

１１ 基板投入室 １２ 脱気室 １３、１５ 無機誘電体膜の成膜室 １４ 光磁気記録膜の成膜室 １６ 基板取出室 １７ 基板ホルダー ２１ 光記録媒体用基板 ２２ 記録層 ２３ 第１の無機誘電体膜 ２４ 光磁気記録膜 ２５ 第２の無機誘電体膜 ２６ 樹脂保護層 ３１ チャンバー ３２ バッキングプレート ３３ ターゲット ３４ 永久磁石 ３５ 直流電源 ３６ レコーダー ３７ 真空ポンプ ５１ Ｓｉ原子 ６１ 空隙 ８１、９１、９２、１０１、１０２ 稜角部 ８２、９０ 面取りによって形成された面 １００ バッキングプレート １０３ ターゲット

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属元素および半金属元素の少なくとも
   一方を含むターゲット元素を含む薄膜を形成する為のス
   パッタリング方法であって、 ダイアモンド結晶構造を有する、ターゲット元素の単結
   晶からなるスパッタリングターゲットを用意する工程；
   および 該スパッタリングターゲットを反応性ガス雰囲気下でＤ
   Ｃスパッタし、無機誘電体薄膜を形成する工程、を有
   し、 該スパッタリングターゲットは、該ダイヤモンド結晶構
   造のミラー指数（１，０，０）によって示される格子面
   から構成されるスパッタ面を有していることを特徴とす
   るスパッタリング方法。
2. 【請求項２】 該半金属元素が少なくともシリコンおよ
   びゲルマニウムの少なくとも一方である請求項１記載の
   スパッタリング方法。
3. 【請求項３】 該反応性ガスが少なくとも窒素、酸素、
   アンモニアおよびエチレンから選ばれる少なくとも１つ
   である請求項１または２に記載のスパッタリング方法。
4. 【請求項４】 該スパッタ面が、導電性付与材料をドー
   プすることによって導電性が付与されている請求項１〜
   ３の何れかに記載のスパッタリング方法。
5. 【請求項５】 該スパッタ面の抵抗値が最大で０．０１
   Ω・ｃｍである請求項４記載のスパッタリング方法。
6. 【請求項６】 該導電性付与材料がボロンおよびリンの
   少なくとも一方である請求項４または５記載のスパッタ
   リング方法。
7. 【請求項７】 該スパッタリングターゲットが該スパッ
   タ面に隣接する稜角部が面取りされている請求項１〜６
   の何れかに記載のスパッタリング方法。
8. 【請求項８】 該面取りが、該スパッタリングターゲッ
   トの中心を通り、且つ該スパッタ面に直交する切断面に
   於ける断面形状が、該スパッタリングターゲットの厚さ
   をｈ、面取りによって形成される面の長さをａ、面取り
   によって形成される面が該スパッタ面に対してなす角度
   をθとしたときに、（ａ×sinθ/ h）が下記の関係を満
   たす請求項７記載のスパッタリング方法。 ０．２≦ （ａ×sinθ/ h ）≦０．８
9. 【請求項９】 上記（ａ×sinθ/ h ）が下記の関係を
   満たす請求項８記載のスパッタリング方法。 ０．３≦ （ａ×sinθ/ h ）≦０．７
10. 【請求項１０】 基板上に光記録膜および半金属元素を
    含む無機誘電体膜とを含む光記録媒体の製造方法であっ
    て、 基板上に該光記録膜を製膜する工程；および 該無機誘電体膜を製膜する工程、を有し、 該無機誘電体膜を製膜する工程が、請求項１〜９の何れ
    かのスパッタ方法によって行われることを特徴とする光
    記録媒体の製造方法。
11. 【請求項１１】 金属元素もしくは半金属元素のダイヤ
    モンド型単結晶構造からなる、反応性ガス雰囲気下での
    ＤＣスパッタリング方法において用いられるスパッタリ
    ングターゲットであって、該ダイヤモンド型単結晶構造
    のミラー指数（１，０，０）によって示される格子面か
    ら実質的に構成されてなるスパッタ面を有することを特
    徴とするスパッタリングターゲット。
12. 【請求項１２】 該半金属元素がシリコンおよびゲルマ
    ニウムの少なくとも一方である請求項１１記載のスパッ
    タリングターゲット。