JP3506468B2 - マルチチップモジュール用配線板 - Google Patents
マルチチップモジュール用配線板Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マルチチップモジュー
ル用配線板に関する。更に詳しくは特定のポリイミド材
料を絶縁層として用いたマルチチップモジュール用配線
板に関する。 【０００２】 【従来の技術】現在配線板としてリジッド型、フレキシ
ブル型のプリント基板が多く用いられている。しかしＬ
ＳＩの高速化の進展により配線板の実装遅延が顕在化す
るに至っており、プリント基板に変わる新たな配線板、
新たな実装方法が期待され始めている。このような要求
に答えるものとしてマルチチップモジュール（以下ＭＣ
Ｍと省略する）の検討が活発化している。このＭＣＭは
高密度配線板に直接半導体素子を搭載することにより、
チップ間の遅延時間を短縮化することができる。ＭＣＭ
は適用先、性能等の相違により主に３つの種類に分類さ
れる。プリント基板を用いた低コストタイプのＭＣＭ−
Ｌ、セラミック基板を用いたＭＣＭ−Ｃ、銅・ポリイミ
ド配線を用いたＭＣＭ−Ｄがある。このうちＭＣＭ−Ｄ
は最も高性能なＭＣＭで、ＬＳＩプロセスを用いて製造
される。このＭＣＭ−Ｄ用基板としてはＬＳＩプロセス
との整合性からシリコン基板が多く用いられている。し
かしながらシリコン基板上にポリイミドを絶縁層として
配線を形成するＭＣＭ−Ｄには、大きな問題があること
が明らかになっている。それは基板のシリコンと絶縁層
のポリイミドの熱膨張率が大きく異なることによる問題
である。現象としてはシリコン基板の反りやシリコン基
板とポリイミドとのはく離になって現れる。特にシリコ
ン基板が大面積になった場合や、ポリイミド層の厚さが
厚くなった時に顕著となる。今後より大面積になるこ
と、及び多層化が予想されるため、これらの問題点を解
決することが望まれている。またマルチチップモジュー
ル用配線板にはその他に信号の伝播速度を速くするため
に絶縁層の誘電率を低くする必要がある。また長期的な
信頼性の観点からは吸水率も小さいことが要求される。
更に当然のことながら耐熱性も要求される。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明者らはかかる実
情にかんがみ、マルチチップモジュール用配線板に要求
されている種々の性能を有するマルチチップモジュール
用配線板を提供することを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明はマルチチップモジュール用配線板に関する発明で
あって、基板と配線間あるいは配線と配線間にポリイミ
ド材料からなる絶縁層を有するマルチチップモジュール
用配線板において、絶縁層が、次式（化１）： 【０００５】 【化１】 で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポリイ
ミド中に７０〜１００mol ％有するポリイミドを主構成
要素とするポリイミド材料で構成されることを特徴とす
る。 【０００６】本発明者らは、上記課題を解決するためマ
ルチチップモジュール用配線板に適用するポリイミド材
料について鋭意検討を行い、本発明を完成するに至っ
た。 【０００７】本発明に用いる基板はシリコン、アルミ
ナ、アルミニウムなど通常ＭＣＭ−Ｄに用いられている
基板を含め、種々の基板が使用できる。 【０００８】また本発明に用いるポリイミドは式（化
１）で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポ
リイミド中に７０〜１００ mol％有するポリイミドであ
ることが必須であるが、これはポリイミド単体、ポリイ
ミド共重合体、ポリイミド混合物でもよい。ポリイミド
共重合体、ポリイミド混合物に使用するポリイミド構成
要素としては種々のものが使用できる。ポリイミド構成
要素をテトラカルボン酸誘導体とジアミンから製造され
るとした時の使用できるテトラカルボン酸誘導体、及び
ジアミンを下記に示す。テトラカルボン酸誘導体の例と
して、ここではテトラカルボン酸そのものを挙げる。 【０００９】（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、
ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、ジ（ヘプタ
フルオロプロピル）ピロメリット酸、ペンタフルオロエ
チルピロメリット酸、ビス｛３，５−ジ（トリフルオロ
メチル）フェノキシ｝ピロメリット酸、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，
３′，３，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、２，３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、
１，４，５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，
４，５，６−テトラカルボキシナフタレン、３，３′，
４，４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、３，
３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、５，５′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキ
シビフェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボ
キシビフェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノ
キシ｝ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカル
ボキシフェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン、
ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス
（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシ
フェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、
２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、２，２−ビス｛４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカ
ルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオ
ロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ジメチルシラン、１，３−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ）オクタフルオロビフェニルなどである。 【００１０】またジアミンとしては、例えば次のものが
挙げられる。ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミ
ノトルエン、２，４−ジアミノキシレン、２，４−ジア
ミノデュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフ
ルオロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキ
シ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロ
フェノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，
３，５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，
２Ｈ−パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パー
フルオロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベン
ゼン、ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノトル
エン、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレン
ジアミン、２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド、
ビス（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジア
ミノテトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ
（ペンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロブチル）ベンゼン、ベンジジン、２，
２′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメチルベンジ
ジン、３，３′−ジメトキシベンジジン、２，２′−ジ
メトキシベンジジン、３，３′，５，５′−テトラメチ
ルベンジジン、３，３′−ジアセチルベンジジン、２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、３，３′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）プロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニリ
ノ）エタン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサ
フルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフ
ルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロ
ペンタン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオ
ロヘプタン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３′，５，５′−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′′−ジアミノ
−ｐ−テルフェニル、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオ
ロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキ
シ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミ
ノフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ−クオーターフェニ
ル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝プロパン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキ
シフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオ
ロプロパン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′
−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフ
ルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、１，５−ジ
アミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス
｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル｝ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテル、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニ
ル）スルフィド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェニル）ジエチルシラン、１，３−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、１，４−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、４，４′−ビス（テトラフルオロアミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル等がある。 【００１１】また本発明のポリイミド材料は、上述した
ポリイミドに有機高分子化合物、無機化合物等でできた
種々の添加材、配合材等を配合しても良い。 【００１２】配線材としては銅、アルミニウム、金、白
金、タングステン、モリブデン、銀など通常の配線材と
して使用されているものが使用できる。 【００１３】 【実施例】以下、実施例により本発明について詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 【００１４】実施例１ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物４．３６ｇ（２
０．０mmol) と２，２′−ビス（トリフルオロメチル）
−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２０．０
mmol) 、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ
ｃ）９７ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で３日間かくはんし、１０wt％のポリアミド酸ＤＭＡｃ
溶液（Ａ）を得た。一方、別の三角フラスコに２，２′
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物８．８８ｇ（２０．０mmol) と２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル６．４０ｇ（２０．０mmol) 、及びＤＭＡ
ｃ６１．１ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室
温で３日間かくはんし、２０wt％のポリアミド酸ＤＭＡ
ｃ溶液（Ｂ）を得た。次に（Ａ）溶液を６．２５ｇ、
（Ｂ）溶液を１．０４ｇを別の三角フラスコに入れ、窒
素下で３日間かくはんしてポリアミド酸混合溶液を得
た。この溶液を直径３インチ、厚さ０．３８mmのシリコ
ンウェハ上にスピンコートし、窒素雰囲気下７０℃で２
時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分間、更に３
５０℃で１時間加熱キュアした。得られたポリイミドフ
ィルムは式（化１）で表される繰り返し単位のポリイミ
ド構成要素をポリイミド中に７５ mol％有するポリイミ
ドフィルムである。このポリイミドフィルムは膜厚が５
μｍで、その時のシリコンウェハの反りは５μｍ以下で
あった。また得られたフィルムの熱膨張率は０．６１×
１０-5、誘電率（１kHz)は３．２、飽和吸水率は０．５
％、１０％重量減少温度は５８６℃であった。このポリ
アミド酸混合溶液を用いて簡単な構成のアルミ配線のマ
ルチチップモジュール用配線板を作製した。作製したマ
ルチチップモジュール用配線板の断面模式図を図１に示
す。シリコンウェハ１上には熱酸化層２が形成されてお
り、アルミ配線３とポリイミド絶縁膜４が交互に形成さ
れ、電極としてはＴｉ−Ｐｄ−Ａｕ５が用いられてい
る。 【００１５】実施例２ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物３．９２ｇ（１
８．０mmol) 、２，２′−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物０．８９ｇ
（２．０mmol) 、２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２
０．０mmol) 、及びＤＭＡｃ９７ｇを加えた。この混合
物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくはんし、ポリアミ
ド酸ＤＭＡｃ溶液を得た。この溶液を直径３インチ、厚
さ０．３８mmのシリコンウェハ上にスピンコートし、窒
素雰囲気下７０℃で２時間、１６０℃で１時間、２５０
℃で３０分間、更に３５０℃で１時間加熱キュアした。
得られたポリイミドフィルムは式（化１）で表される繰
り返し単位のポリイミド構成要素をポリイミド中に９０
mol％有するポリイミドフィルムである。このポリイミ
ドフィルムは膜厚が５μｍで、その時のシリコンウェハ
の反りは５μｍ以下であった。また得られたフィルムの
熱膨張率は０．２２×１０-5、誘電率（１kHz)は３．
２、飽和吸水率は０．６％、１０％重量減少温度は５７
３℃であった。このポリアミド酸溶液を用いて実施例１
と同様にマルチチップモジュール用配線板を作製した。 【００１６】比較例１ 三角フラスコに２，２′−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物８．８８ｇ
（２０．０mmol) 、２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２
０．０mmol) 、及びＤＭＡｃ６１．１ｇを加えた。この
混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくはんし、２０
wt％のポリアミド酸ＤＭＡｃ溶液を得た。この溶液を直
径３インチ、厚さ０．３８mmのシリコンウェハ上にスピ
ンコートし、窒素雰囲気下７０℃で２時間、１６０℃で
１時間、２５０℃で３０分間、更に３５０℃で１時間加
熱キュアした。得られたポリイミドフィルムは式（化
１）で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポ
リイミド中に０ mol％有するポリイミドフィルムであ
る。このポリイミドフィルムの膜厚が５μｍで、その時
のシリコンウェハの反りは２０μｍであった。また得ら
れたフィルムの熱膨張率は８．２×１０-5、誘電率（１
kHz)は２．８、飽和吸水率は０．２％、１０％重量減少
温度は５６９℃であった。このポリアミド酸溶液を用い
て実施例１と同様にマルチチップモジュール用配線板の
作製を試みたが、反りが大きく作製することはできなか
った。 【００１７】比較例２ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物１．５２７ｇ
（７．００mmol％）、２，２′−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物１．
３３３ｇ（３．００mmol) 、２，２′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニル３．２０
ｇ（１０．０mmol) 、及びＤＭＡｃ５４．６ｇを加え
た。この混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくはん
し、ポリアミド酸ＤＭＡｃ溶液を得た。この溶液を直径
３インチ、厚さ０．３８mmのシリコンウェハ上にスピン
コートし、窒素雰囲気下７０℃で２時間、１６０℃で１
時間、２５０℃で３０分間、更に３５０℃で１時間加熱
キュアした。得られたポリイミドフィルムは式（化１）
で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポリイ
ミド中に６０ mol％有するポリイミドフィルムである。
この得られたポリイミドフィルムは膜厚が５μｍで、そ
の時のシリコンウェハの反りは１８μｍであった。また
得られたフィルムの熱膨張率は４．６×１０-5、誘電率
（１kHz)は２．９、飽和吸水率は０．４％、１０％重量
減少温度は５５１℃であった。このポリアミド酸溶液を
用いて実施例１と同様にマルチチップモジュール用配線
板の作製を試みたが、反りが大きく作製することはでき
なかった。 【００１８】比較例３ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物４．３６ｇ（２
０．０mmol％）と３，３′−ジメチル−４，４′−ジア
ミノビフェニル４．２４ｇ（２０．０mmol) 、及びＤＭ
Ａｃ６０ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で３日間かくはんし、ポリアミド酸ＤＭＡｃ溶液を得
た。この溶液を直径３インチ、厚さ０．３８mmのシリコ
ンウェハ上にスピンコートし、窒素雰囲気下７０℃で２
時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分間、更に３
５０℃で１時間加熱キュアした。得られたポリイミドフ
ィルムは膜厚が５μｍで、その時のシリコンウェハの反
りは５μｍ以下であった。また得られたフィルムの熱膨
張率は２．８×１０-6、誘電率（１kHz)は３．５、飽和
吸水率は２．０％、１０％重量減少温度は５８１℃であ
った。このポリアミド酸溶液を用いて実施例１と同様に
マルチチップモジュール用配線板を作製したが、飽和吸
水率が大きく、実用に供することはできなかった。 【００１９】以上実施例を用いて説明したようにポリイ
ミド中に式（化１）で表される繰り返し単位のポリイミ
ド構成要素をポリイミド中に７５ mol％有するポリイミ
ドを用いてマルチチップモジュール配線板を作製できた
が、６０ mol％を有するポリイミドを用いてはマルチチ
ップモジュール配線板を作製できなかった。また本発明
以外の低熱膨張ポリイミドを用いて作製したマルチチッ
プモジュール配線板はポリイミドの飽和吸水率が大きい
という欠点が明らかとなった。 【００２０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明のマルチチ
ップモジュール用配線板は基板の反りが少なく、かつ低
誘電率、低飽和吸水率、優れた耐熱性という特徴を有し
ており、高性能で信頼性の高いＭＣＭを作製できる効果
がある。また本発明の配線板はこれらの特徴を活かして
ＭＣＭ以外にも適用が期待できる。
ル用配線板に関する。更に詳しくは特定のポリイミド材
料を絶縁層として用いたマルチチップモジュール用配線
板に関する。 【０００２】 【従来の技術】現在配線板としてリジッド型、フレキシ
ブル型のプリント基板が多く用いられている。しかしＬ
ＳＩの高速化の進展により配線板の実装遅延が顕在化す
るに至っており、プリント基板に変わる新たな配線板、
新たな実装方法が期待され始めている。このような要求
に答えるものとしてマルチチップモジュール（以下ＭＣ
Ｍと省略する）の検討が活発化している。このＭＣＭは
高密度配線板に直接半導体素子を搭載することにより、
チップ間の遅延時間を短縮化することができる。ＭＣＭ
は適用先、性能等の相違により主に３つの種類に分類さ
れる。プリント基板を用いた低コストタイプのＭＣＭ−
Ｌ、セラミック基板を用いたＭＣＭ−Ｃ、銅・ポリイミ
ド配線を用いたＭＣＭ−Ｄがある。このうちＭＣＭ−Ｄ
は最も高性能なＭＣＭで、ＬＳＩプロセスを用いて製造
される。このＭＣＭ−Ｄ用基板としてはＬＳＩプロセス
との整合性からシリコン基板が多く用いられている。し
かしながらシリコン基板上にポリイミドを絶縁層として
配線を形成するＭＣＭ−Ｄには、大きな問題があること
が明らかになっている。それは基板のシリコンと絶縁層
のポリイミドの熱膨張率が大きく異なることによる問題
である。現象としてはシリコン基板の反りやシリコン基
板とポリイミドとのはく離になって現れる。特にシリコ
ン基板が大面積になった場合や、ポリイミド層の厚さが
厚くなった時に顕著となる。今後より大面積になるこ
と、及び多層化が予想されるため、これらの問題点を解
決することが望まれている。またマルチチップモジュー
ル用配線板にはその他に信号の伝播速度を速くするため
に絶縁層の誘電率を低くする必要がある。また長期的な
信頼性の観点からは吸水率も小さいことが要求される。
更に当然のことながら耐熱性も要求される。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】本発明者らはかかる実
情にかんがみ、マルチチップモジュール用配線板に要求
されている種々の性能を有するマルチチップモジュール
用配線板を提供することを目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】本発明を概説すれば、本
発明はマルチチップモジュール用配線板に関する発明で
あって、基板と配線間あるいは配線と配線間にポリイミ
ド材料からなる絶縁層を有するマルチチップモジュール
用配線板において、絶縁層が、次式（化１）： 【０００５】 【化１】 で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポリイ
ミド中に７０〜１００mol ％有するポリイミドを主構成
要素とするポリイミド材料で構成されることを特徴とす
る。 【０００６】本発明者らは、上記課題を解決するためマ
ルチチップモジュール用配線板に適用するポリイミド材
料について鋭意検討を行い、本発明を完成するに至っ
た。 【０００７】本発明に用いる基板はシリコン、アルミ
ナ、アルミニウムなど通常ＭＣＭ−Ｄに用いられている
基板を含め、種々の基板が使用できる。 【０００８】また本発明に用いるポリイミドは式（化
１）で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポ
リイミド中に７０〜１００ mol％有するポリイミドであ
ることが必須であるが、これはポリイミド単体、ポリイ
ミド共重合体、ポリイミド混合物でもよい。ポリイミド
共重合体、ポリイミド混合物に使用するポリイミド構成
要素としては種々のものが使用できる。ポリイミド構成
要素をテトラカルボン酸誘導体とジアミンから製造され
るとした時の使用できるテトラカルボン酸誘導体、及び
ジアミンを下記に示す。テトラカルボン酸誘導体の例と
して、ここではテトラカルボン酸そのものを挙げる。 【０００９】（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、
ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸、ジ（ヘプタ
フルオロプロピル）ピロメリット酸、ペンタフルオロエ
チルピロメリット酸、ビス｛３，５−ジ（トリフルオロ
メチル）フェノキシ｝ピロメリット酸、２，３，３′，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３′，４，
４′−テトラカルボキシジフェニルエーテル、２，
３′，３，４′−テトラカルボキシジフェニルエーテ
ル、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、２，３，６，７−テトラカルボキシナフタレン、
１，４，５，７−テトラカルボキシナフタレン、１，
４，５，６−テトラカルボキシナフタレン、３，３′，
４，４′−テトラカルボキシジフェニルメタン、３，
３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニルスルホ
ン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プ
ロパン、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、５，５′−ビス（トリフ
ルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキ
シビフェニル、２，２′，５，５′−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−３，３′，４，４′−テトラカルボ
キシビフェニル、５，５′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−３，３′，４，４′−テトラカルボキシジフェニ
ルエーテル、５，５′−ビス（トリフルオロメチル）−
３，３′，４，４′−テトラカルボキシベンゾフェノ
ン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノ
キシ｝ベンゼン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカル
ボキシフェノキシ｝（トリフルオロメチル）ベンゼン、
ビス（ジカルボキシフェノキシ）（トリフルオロメチ
ル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス
（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（ジカルボキシ
フェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼ
ン、３，４，９，１０−テトラカルボキシペリレン、
２，２−ビス｛４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル｝プロパン、ブタンテトラカルボン酸、シ
クロペンタンテトラカルボン酸、２，２−ビス｛４−
（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサ
フルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカ
ルボキシフェノキシ｝ビフェニル、ビス｛（トリフルオ
ロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオ
ロメチル）ビフェニル、ビス｛（トリフルオロメチル）
ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル、ビス
（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチ
ル）ビフェニル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）ジメチルシラン、１，３−ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）テトラメチルジシロキサン、ジフルオロ
ピロメリット酸、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシ
トリフルオロフェノキシ）テトラフルオロベンゼン、
１，４−ビス（３，４−ジカルボキシトリフルオロフェ
ノキシ）オクタフルオロビフェニルなどである。 【００１０】またジアミンとしては、例えば次のものが
挙げられる。ｍ−フェニレンジアミン、２，４−ジアミ
ノトルエン、２，４−ジアミノキシレン、２，４−ジア
ミノデュレン、４−（１Ｈ，１Ｈ，１１Ｈ−エイコサフ
ルオロウンデカノキシ）−１，３−ジアミノベンゼン、
４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−ブタノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフ
ルオロ−１−ヘプタノキシ）−１，３−ジアミノベンゼ
ン、４−（１Ｈ，１Ｈ−パーフルオロ−１−オクタノキ
シ）−１，３−ジアミノベンゼン、４−ペンタフルオロ
フェノキシ−１，３−ジアミノベンゼン、４−（２，
３，５，６−テトラフルオロフェノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（４−フルオロフェノキシ）−
１，３−ジアミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，
２Ｈ−パーフルオロ−１−ヘキサノキシ）−１，３−ジ
アミノベンゼン、４−（１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パー
フルオロ−１−ドデカノキシ）−１，３−ジアミノベン
ゼン、ｐ−フェニレンジアミン、２，５−ジアミノトル
エン、２，３，５，６−テトラメチル−ｐ−フェニレン
ジアミン、２，５−ジアミノベンゾトリフルオライド、
ビス（トリフルオロメチル）フェニレンジアミン、ジア
ミノテトラ（トリフルオロメチル）ベンゼン、ジアミノ
（ペンタフルオロエチル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロヘキシル）ベンゼン、２，５−ジアミノ
（パーフルオロブチル）ベンゼン、ベンジジン、２，
２′−ジメチルベンジジン、３，３′−ジメチルベンジ
ジン、３，３′−ジメトキシベンジジン、２，２′−ジ
メトキシベンジジン、３，３′，５，５′−テトラメチ
ルベンジジン、３，３′−ジアセチルベンジジン、２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、３，３′−
ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノビフ
ェニル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，
４′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノ
ジフェニルスルホン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）プロパン、３，３′−ジメチル−４，４′−ジアミ
ノジフェニルエーテル、３，３′−ジメチル−４，４′
−ジアミノジフェニルメタン、１，２−ビス（アニリ
ノ）エタン、２，２−ビス（ｐ−アミノフェニル）ヘキ
サフルオロプロパン、１，３−ビス（アニリノ）ヘキサ
フルオロプロパン、１，４−ビス（アニリノ）オクタフ
ルオロブタン、１，５−ビス（アニリノ）デカフルオロ
ペンタン、１，７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオ
ロヘプタン、２，２′−ビス（トリフルオロメチル）−
４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ビ
ス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３′，５，５′−テトラキス（トリ
フルオロメチル）−４，４′−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３′−ビス（トリフルオロメチル）−４，
４′−ジアミノベンゾフェノン、４，４′′−ジアミノ
−ｐ−テルフェニル、１，４−ビス（ｐ−アミノフェニ
ル）ベンゼン、ｐ−ビス（４−アミノ−２−トリフルオ
ロメチルフェノキシ）ベンゼン、ビス（アミノフェノキ
シ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン、ビス（アミ
ノフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベン
ゼン、４，４′′′−ジアミノ−ｐ−クオーターフェニ
ル、４，４′−ビス（ｐ−アミノフェノキシ）ビフェニ
ル、２，２−ビス｛４−（ｐ−アミノフェノキシ）フェ
ニル｝プロパン、４，４′−ビス（３−アミノフェノキ
シフェニル）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−
（４−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプ
ロパン、２，２−ビス｛４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル｝ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス｛４
−（２−アミノフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキ
シ）−３，５−ジメチルフェニル｝ヘキサフルオロプロ
パン、２，２−ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）−
３，５−ジトリフルオロメチルフェニル｝ヘキサフルオ
ロプロパン、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４′−ビス
（４−アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）ビ
フェニル、４，４′−ビス（４−アミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４′
−ビス（３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキ
シ）ジフェニルスルホン、２，２−ビス｛４−（４−ア
ミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル｝
ヘキサフルオロプロパン、ビス｛（トリフルオロメチ
ル）アミノフェノキシ｝ビフェニル、ビス〔｛（トリフ
ルオロメチル）アミノフェノキシ｝フェニル〕ヘキサフ
ルオロプロパン、ジアミノアントラキノン、１，５−ジ
アミノナフタレン、２，６−ジアミノナフタレン、ビス
｛２−〔（アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオ
ロイソプロピル｝ベンゼン、ビス（２，３，５，６−テ
トラフルオロ−４−アミノフェニル）エーテル、ビス
（２，３，５，６−テトラフルオロ−４−アミノフェニ
ル）スルフィド、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノ
プロピルジメチルシリル）ベンゼン、ビス（４−アミノ
フェニル）ジエチルシラン、１，３−ジアミノテトラフ
ルオロベンゼン、１，４−ジアミノテトラフルオロベン
ゼン、４，４′−ビス（テトラフルオロアミノフェノキ
シ）オクタフルオロビフェニル等がある。 【００１１】また本発明のポリイミド材料は、上述した
ポリイミドに有機高分子化合物、無機化合物等でできた
種々の添加材、配合材等を配合しても良い。 【００１２】配線材としては銅、アルミニウム、金、白
金、タングステン、モリブデン、銀など通常の配線材と
して使用されているものが使用できる。 【００１３】 【実施例】以下、実施例により本発明について詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。 【００１４】実施例１ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物４．３６ｇ（２
０．０mmol) と２，２′−ビス（トリフルオロメチル）
−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２０．０
mmol) 、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ
ｃ）９７ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で３日間かくはんし、１０wt％のポリアミド酸ＤＭＡｃ
溶液（Ａ）を得た。一方、別の三角フラスコに２，２′
−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン二無水物８．８８ｇ（２０．０mmol) と２，
２′−ビス（トリフルオロメチル）−４，４′−ジアミ
ノビフェニル６．４０ｇ（２０．０mmol) 、及びＤＭＡ
ｃ６１．１ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室
温で３日間かくはんし、２０wt％のポリアミド酸ＤＭＡ
ｃ溶液（Ｂ）を得た。次に（Ａ）溶液を６．２５ｇ、
（Ｂ）溶液を１．０４ｇを別の三角フラスコに入れ、窒
素下で３日間かくはんしてポリアミド酸混合溶液を得
た。この溶液を直径３インチ、厚さ０．３８mmのシリコ
ンウェハ上にスピンコートし、窒素雰囲気下７０℃で２
時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分間、更に３
５０℃で１時間加熱キュアした。得られたポリイミドフ
ィルムは式（化１）で表される繰り返し単位のポリイミ
ド構成要素をポリイミド中に７５ mol％有するポリイミ
ドフィルムである。このポリイミドフィルムは膜厚が５
μｍで、その時のシリコンウェハの反りは５μｍ以下で
あった。また得られたフィルムの熱膨張率は０．６１×
１０-5、誘電率（１kHz)は３．２、飽和吸水率は０．５
％、１０％重量減少温度は５８６℃であった。このポリ
アミド酸混合溶液を用いて簡単な構成のアルミ配線のマ
ルチチップモジュール用配線板を作製した。作製したマ
ルチチップモジュール用配線板の断面模式図を図１に示
す。シリコンウェハ１上には熱酸化層２が形成されてお
り、アルミ配線３とポリイミド絶縁膜４が交互に形成さ
れ、電極としてはＴｉ−Ｐｄ−Ａｕ５が用いられてい
る。 【００１５】実施例２ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物３．９２ｇ（１
８．０mmol) 、２，２′−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物０．８９ｇ
（２．０mmol) 、２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２
０．０mmol) 、及びＤＭＡｃ９７ｇを加えた。この混合
物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくはんし、ポリアミ
ド酸ＤＭＡｃ溶液を得た。この溶液を直径３インチ、厚
さ０．３８mmのシリコンウェハ上にスピンコートし、窒
素雰囲気下７０℃で２時間、１６０℃で１時間、２５０
℃で３０分間、更に３５０℃で１時間加熱キュアした。
得られたポリイミドフィルムは式（化１）で表される繰
り返し単位のポリイミド構成要素をポリイミド中に９０
mol％有するポリイミドフィルムである。このポリイミ
ドフィルムは膜厚が５μｍで、その時のシリコンウェハ
の反りは５μｍ以下であった。また得られたフィルムの
熱膨張率は０．２２×１０-5、誘電率（１kHz)は３．
２、飽和吸水率は０．６％、１０％重量減少温度は５７
３℃であった。このポリアミド酸溶液を用いて実施例１
と同様にマルチチップモジュール用配線板を作製した。 【００１６】比較例１ 三角フラスコに２，２′−ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物８．８８ｇ
（２０．０mmol) 、２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル６．４０ｇ（２
０．０mmol) 、及びＤＭＡｃ６１．１ｇを加えた。この
混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくはんし、２０
wt％のポリアミド酸ＤＭＡｃ溶液を得た。この溶液を直
径３インチ、厚さ０．３８mmのシリコンウェハ上にスピ
ンコートし、窒素雰囲気下７０℃で２時間、１６０℃で
１時間、２５０℃で３０分間、更に３５０℃で１時間加
熱キュアした。得られたポリイミドフィルムは式（化
１）で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポ
リイミド中に０ mol％有するポリイミドフィルムであ
る。このポリイミドフィルムの膜厚が５μｍで、その時
のシリコンウェハの反りは２０μｍであった。また得ら
れたフィルムの熱膨張率は８．２×１０-5、誘電率（１
kHz)は２．８、飽和吸水率は０．２％、１０％重量減少
温度は５６９℃であった。このポリアミド酸溶液を用い
て実施例１と同様にマルチチップモジュール用配線板の
作製を試みたが、反りが大きく作製することはできなか
った。 【００１７】比較例２ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物１．５２７ｇ
（７．００mmol％）、２，２′−ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物１．
３３３ｇ（３．００mmol) 、２，２′−ビス（トリフル
オロメチル）−４，４′−ジアミノビフェニル３．２０
ｇ（１０．０mmol) 、及びＤＭＡｃ５４．６ｇを加え
た。この混合物を窒素雰囲気下、室温で３日間かくはん
し、ポリアミド酸ＤＭＡｃ溶液を得た。この溶液を直径
３インチ、厚さ０．３８mmのシリコンウェハ上にスピン
コートし、窒素雰囲気下７０℃で２時間、１６０℃で１
時間、２５０℃で３０分間、更に３５０℃で１時間加熱
キュアした。得られたポリイミドフィルムは式（化１）
で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポリイ
ミド中に６０ mol％有するポリイミドフィルムである。
この得られたポリイミドフィルムは膜厚が５μｍで、そ
の時のシリコンウェハの反りは１８μｍであった。また
得られたフィルムの熱膨張率は４．６×１０-5、誘電率
（１kHz)は２．９、飽和吸水率は０．４％、１０％重量
減少温度は５５１℃であった。このポリアミド酸溶液を
用いて実施例１と同様にマルチチップモジュール用配線
板の作製を試みたが、反りが大きく作製することはでき
なかった。 【００１８】比較例３ 三角フラスコにピロメリット酸二無水物４．３６ｇ（２
０．０mmol％）と３，３′−ジメチル−４，４′−ジア
ミノビフェニル４．２４ｇ（２０．０mmol) 、及びＤＭ
Ａｃ６０ｇを加えた。この混合物を窒素雰囲気下、室温
で３日間かくはんし、ポリアミド酸ＤＭＡｃ溶液を得
た。この溶液を直径３インチ、厚さ０．３８mmのシリコ
ンウェハ上にスピンコートし、窒素雰囲気下７０℃で２
時間、１６０℃で１時間、２５０℃で３０分間、更に３
５０℃で１時間加熱キュアした。得られたポリイミドフ
ィルムは膜厚が５μｍで、その時のシリコンウェハの反
りは５μｍ以下であった。また得られたフィルムの熱膨
張率は２．８×１０-6、誘電率（１kHz)は３．５、飽和
吸水率は２．０％、１０％重量減少温度は５８１℃であ
った。このポリアミド酸溶液を用いて実施例１と同様に
マルチチップモジュール用配線板を作製したが、飽和吸
水率が大きく、実用に供することはできなかった。 【００１９】以上実施例を用いて説明したようにポリイ
ミド中に式（化１）で表される繰り返し単位のポリイミ
ド構成要素をポリイミド中に７５ mol％有するポリイミ
ドを用いてマルチチップモジュール配線板を作製できた
が、６０ mol％を有するポリイミドを用いてはマルチチ
ップモジュール配線板を作製できなかった。また本発明
以外の低熱膨張ポリイミドを用いて作製したマルチチッ
プモジュール配線板はポリイミドの飽和吸水率が大きい
という欠点が明らかとなった。 【００２０】 【発明の効果】以上説明したように、本発明のマルチチ
ップモジュール用配線板は基板の反りが少なく、かつ低
誘電率、低飽和吸水率、優れた耐熱性という特徴を有し
ており、高性能で信頼性の高いＭＣＭを作製できる効果
がある。また本発明の配線板はこれらの特徴を活かして
ＭＣＭ以外にも適用が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マルチチップモジュール用配線板の断面模式図
である。 【符号の説明】 １：シリコンウェハ、２：熱酸化層、３：アルミ配線、
４：ポリイミド絶縁膜、５：Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｕ
である。 【符号の説明】 １：シリコンウェハ、２：熱酸化層、３：アルミ配線、
４：ポリイミド絶縁膜、５：Ｔｉ−Ｐｄ−Ａｕ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭61−176196（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−214301（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−216035（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 1/00 - 3/46
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板と配線間あるいは配線と配線間にポ
リイミド材料からなる絶縁層を有するマルチチップモジ
ュール用配線板において、絶縁層が、次式（化１）： 【化１】 で表される繰り返し単位のポリイミド構成要素をポリイ
ミド中に７０〜１００mol ％有するポリイミドを主構成
要素とするポリイミド材料で構成されることを特徴とす
るマルチチップモジュール用配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27592193A JP3506468B2 (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | マルチチップモジュール用配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27592193A JP3506468B2 (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | マルチチップモジュール用配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07106724A JPH07106724A (ja) | 1995-04-21 |
| JP3506468B2 true JP3506468B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=17562286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27592193A Expired - Lifetime JP3506468B2 (ja) | 1993-10-08 | 1993-10-08 | マルチチップモジュール用配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3506468B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
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| JP5166233B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-03-21 | 新日鉄住金化学株式会社 | 透明絶縁樹脂層を有する配線基板用積層体 |
| JP5844853B2 (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-20 | 新日鉄住金化学株式会社 | ポリイミドフィルム |
| US11274182B2 (en) | 2017-05-11 | 2022-03-15 | Kaneka Corporation | Poly(amic acid), poly(amic acid) solution, polyimide, polyimide film, layered product, flexible device, and production method for polyimide film |
-
1993
- 1993-10-08 JP JP27592193A patent/JP3506468B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07106724A (ja) | 1995-04-21 |
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Legal Events
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