JP3505961B2 - 近接センサ - Google Patents
近接センサInfo
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- JP3505961B2 JP3505961B2 JP17147997A JP17147997A JP3505961B2 JP 3505961 B2 JP3505961 B2 JP 3505961B2 JP 17147997 A JP17147997 A JP 17147997A JP 17147997 A JP17147997 A JP 17147997A JP 3505961 B2 JP3505961 B2 JP 3505961B2
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- Electronic Switches (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発振周波数の変化を
検出することによって金属体の近接を検出する高周波発
振型の近接センサに関するものである。
検出することによって金属体の近接を検出する高周波発
振型の近接センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】金属体を検出するために物体の接近によ
って発振周波数の変化を検出する発振回路を用い、発振
周波数の変化が所定値を越えたときに検出信号を出力す
る近接センサが用いられている。図４は特公平６-26311
号公報に示されている近接センサを示すブロック図であ
る。本図において、発振回路１０１は検出コイルＬと可
変容量ダイオードＣｖを含む共振回路１０２の共振周波
数によって発振するものである。この発振周波数は可変
容量ダイオードＣｖに与える直流電位を可変抵抗器によ
って変化させ、一定の周波数範囲で調整できるように構
成されている。そして発振回路１０１の発振出力を増幅
器１０３によって増幅し、増幅出力をセラミックフィル
タ１０４に入力する。セラミックフィルタ１０４は発振
周波数を含む通過領域を有するバンドパスフィルタであ
り、セラミックフィルタ１０４を通過した出力を増幅器
１５を介してコンパレータ１０６に入力する。図５はセ
ラミックフィルタ１０４の通過特性を示すグラフであ
り、発振回路１０１の発振周波数を可変容量ダイオード
Ｃｖに加える電圧を調整してこの通過特性の周波数が急
激に変化する位置、例えば周波数ｆa に設定する。そし
てコンパレータ１０６には所定の減衰レベルを閾値Ｔｈ
として設定しておく。そして閾値Ｔｈによって増幅出力
を弁別する。物体の接近により発振周波数がセラミック
フィルタ１０４の通過周波数から逸脱して例えば周波数
ｆb となると、増幅器１０５の出力レベルが低下するた
め、コンパレータ１０６によって検出することができ
る。
って発振周波数の変化を検出する発振回路を用い、発振
周波数の変化が所定値を越えたときに検出信号を出力す
る近接センサが用いられている。図４は特公平６-26311
号公報に示されている近接センサを示すブロック図であ
る。本図において、発振回路１０１は検出コイルＬと可
変容量ダイオードＣｖを含む共振回路１０２の共振周波
数によって発振するものである。この発振周波数は可変
容量ダイオードＣｖに与える直流電位を可変抵抗器によ
って変化させ、一定の周波数範囲で調整できるように構
成されている。そして発振回路１０１の発振出力を増幅
器１０３によって増幅し、増幅出力をセラミックフィル
タ１０４に入力する。セラミックフィルタ１０４は発振
周波数を含む通過領域を有するバンドパスフィルタであ
り、セラミックフィルタ１０４を通過した出力を増幅器
１５を介してコンパレータ１０６に入力する。図５はセ
ラミックフィルタ１０４の通過特性を示すグラフであ
り、発振回路１０１の発振周波数を可変容量ダイオード
Ｃｖに加える電圧を調整してこの通過特性の周波数が急
激に変化する位置、例えば周波数ｆa に設定する。そし
てコンパレータ１０６には所定の減衰レベルを閾値Ｔｈ
として設定しておく。そして閾値Ｔｈによって増幅出力
を弁別する。物体の接近により発振周波数がセラミック
フィルタ１０４の通過周波数から逸脱して例えば周波数
ｆb となると、増幅器１０５の出力レベルが低下するた
め、コンパレータ１０６によって検出することができ
る。
【０００３】又発振周波数を周波数カウンタによって計
測し、発振周波数の変化を検出して物体の有無を識別す
るようにした近接センサも用いられている。図６はこの
近接センサの一例を示すブロック図である。この近接セ
ンサは発振回路１１０の出力を分周回路１１１によって
分周し、基準クロック発生器１１２によって生成された
基準クロックをゲート信号として分周信号をゲート回路
１１３を介してカウンタ１１４によって計数する。そし
てカウンタ１１４の計数値をデジタルコンパレータ１１
５によって弁別して比較出力をシフトレジスタ１１６に
与える。シフトレジスタ１１６により一定の判別結果が
連続するときに物体の有無を示す検知信号をラッチ回路
１１７に保持し、出力回路より出力する。こうすれば発
振周波数の変化から物体の有無を判別することができ
る。
測し、発振周波数の変化を検出して物体の有無を識別す
るようにした近接センサも用いられている。図６はこの
近接センサの一例を示すブロック図である。この近接セ
ンサは発振回路１１０の出力を分周回路１１１によって
分周し、基準クロック発生器１１２によって生成された
基準クロックをゲート信号として分周信号をゲート回路
１１３を介してカウンタ１１４によって計数する。そし
てカウンタ１１４の計数値をデジタルコンパレータ１１
５によって弁別して比較出力をシフトレジスタ１１６に
与える。シフトレジスタ１１６により一定の判別結果が
連続するときに物体の有無を示す検知信号をラッチ回路
１１７に保持し、出力回路より出力する。こうすれば発
振周波数の変化から物体の有無を判別することができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来のバンドパスフィルタを用いた近接センサでは、
次のような問題点があった。
な従来のバンドパスフィルタを用いた近接センサでは、
次のような問題点があった。
【０００５】（１）検出物体の接近による発振周波数の
変化が発振周波数に対して小さく、検出距離が遠ざかる
につれて変化率も急激に小さくなる。例えば図７に示す
ように発振周波数を４５５ＫＨｚ、検出体をアルミニウ
ムとすると、検出距離が５mm程度を検出するための発振
周波数の変化は０．３％程度を検出する必要がある。そ
のためセラミックフィルタを用いて検出するためには、
例えば図５に示すように発振周波数ｆa を物体の接近に
よって急激に変化する点に設定するなどの微妙な調整が
必要となる。又セラミックフィルタの出力変化も微小な
ものとなるため、検出が不安定になるという欠点があっ
た。
変化が発振周波数に対して小さく、検出距離が遠ざかる
につれて変化率も急激に小さくなる。例えば図７に示す
ように発振周波数を４５５ＫＨｚ、検出体をアルミニウ
ムとすると、検出距離が５mm程度を検出するための発振
周波数の変化は０．３％程度を検出する必要がある。そ
のためセラミックフィルタを用いて検出するためには、
例えば図５に示すように発振周波数ｆa を物体の接近に
よって急激に変化する点に設定するなどの微妙な調整が
必要となる。又セラミックフィルタの出力変化も微小な
ものとなるため、検出が不安定になるという欠点があっ
た。
【０００６】（２）又発振周波数をセラミックフィルタ
の中心周波数付近とするために発振回路の発振周波数を
設定する必要がある。図８はある発振回路の発振周波数
と周囲温度に対する動作距離の変化を示すグラフであ
る。発振回路は部品やコイル等によって温度に対して動
作距離が変化するが、発振周波数によって変化の程度が
異なる。図８に示すように発振回路毎に温度特性のよい
周波数が存在するが、発振周波数をセラミックフィルタ
の中心周波数に合わせる必要があるため、温度特性のよ
い発振周波数を選択することができないという欠点があ
った。
の中心周波数付近とするために発振回路の発振周波数を
設定する必要がある。図８はある発振回路の発振周波数
と周囲温度に対する動作距離の変化を示すグラフであ
る。発振回路は部品やコイル等によって温度に対して動
作距離が変化するが、発振周波数によって変化の程度が
異なる。図８に示すように発振回路毎に温度特性のよい
周波数が存在するが、発振周波数をセラミックフィルタ
の中心周波数に合わせる必要があるため、温度特性のよ
い発振周波数を選択することができないという欠点があ
った。
【０００７】（３）従来の近接センサでは発振周波数は
セラミックフィルタの特性によって決定される。そのた
め可変容量ダイオードの静電容量を変えることによっ
て、セラミックフィルタの通過周波数の範囲内で発振周
波数を微調整して感度調整を行っている。そしてセンサ
の小型化のためコイルを小さくするとコイルのインダク
タンスが小さくなり、コンデンサの値を大きくする必要
がある。そのため可変容量ダイオードによる発振周波数
の可変範囲が小さくなってしまい、検出コイルのばらつ
きを調整しきれなくなることがある。又共振コンデンサ
の容量を小さくして発振周波数の可変範囲を大きくする
と、大きなインダクタンスが必要となり、検出コイルが
大型化し、センサの小型化が難しくなるという欠点があ
った。
セラミックフィルタの特性によって決定される。そのた
め可変容量ダイオードの静電容量を変えることによっ
て、セラミックフィルタの通過周波数の範囲内で発振周
波数を微調整して感度調整を行っている。そしてセンサ
の小型化のためコイルを小さくするとコイルのインダク
タンスが小さくなり、コンデンサの値を大きくする必要
がある。そのため可変容量ダイオードによる発振周波数
の可変範囲が小さくなってしまい、検出コイルのばらつ
きを調整しきれなくなることがある。又共振コンデンサ
の容量を小さくして発振周波数の可変範囲を大きくする
と、大きなインダクタンスが必要となり、検出コイルが
大型化し、センサの小型化が難しくなるという欠点があ
った。
【０００８】（４）図９は磁性体金属及び非磁性体金属
を一定の距離に接近させた状態でのコイルのインピーダ
ンスｚの特性、即ちインダクタンス分と抵抗の変化分を
示すグラフである。このグラフから示されるように低い
周波数では磁性体と非磁性体が接近したときのインダク
タンスの変化は大きく異なっているが、周波数を高くす
ればこれらの曲線が近づいていき、磁性体と非磁性体と
にかかわらず検出物体を検出することができる、いわゆ
るオールメタル特性が得られる。図１０（ａ）は周波数
が６４５ＫＨｚ、図１０（ｂ）は周波数が１４７３ＫＨ
ｚにおける磁性体Ａ１，Ａ２と非磁性体Ｂ１，Ｂ２の距
離に対する発振周波数の変化率を示すグラフである。こ
の図からも明らかなように、発振周波数が約１．５ＭＨ
ｚでは、磁性金属と非磁性金属の周波数の変化がほぼ一
致し、オールメタル特性が得られる。しかし前述したよ
うに発振周波数がセラミックフィルタの中心周波数、例
えば４５５ＫＨｚに固定されてしまうと、オールメタル
特性を得ることができる発振周波数が選択できなくなる
という欠点があった。このような問題点はバンドパスフ
ィルタの周波数特性に依存して発振回路の発振周波数が
決定されてしまうことに基づくものであり、セラミック
フィルタに限らず、その他の電気的に構成されたフィル
タ回路でも同様に生じる。
を一定の距離に接近させた状態でのコイルのインピーダ
ンスｚの特性、即ちインダクタンス分と抵抗の変化分を
示すグラフである。このグラフから示されるように低い
周波数では磁性体と非磁性体が接近したときのインダク
タンスの変化は大きく異なっているが、周波数を高くす
ればこれらの曲線が近づいていき、磁性体と非磁性体と
にかかわらず検出物体を検出することができる、いわゆ
るオールメタル特性が得られる。図１０（ａ）は周波数
が６４５ＫＨｚ、図１０（ｂ）は周波数が１４７３ＫＨ
ｚにおける磁性体Ａ１，Ａ２と非磁性体Ｂ１，Ｂ２の距
離に対する発振周波数の変化率を示すグラフである。こ
の図からも明らかなように、発振周波数が約１．５ＭＨ
ｚでは、磁性金属と非磁性金属の周波数の変化がほぼ一
致し、オールメタル特性が得られる。しかし前述したよ
うに発振周波数がセラミックフィルタの中心周波数、例
えば４５５ＫＨｚに固定されてしまうと、オールメタル
特性を得ることができる発振周波数が選択できなくなる
という欠点があった。このような問題点はバンドパスフ
ィルタの周波数特性に依存して発振回路の発振周波数が
決定されてしまうことに基づくものであり、セラミック
フィルタに限らず、その他の電気的に構成されたフィル
タ回路でも同様に生じる。
【０００９】本発明はこのような従来の問題点に着目し
てなされたものであって、後段の周波数弁別回路に影響
されず、発振周波数を任意に設定できるようにすること
を目的とする。
てなされたものであって、後段の周波数弁別回路に影響
されず、発振周波数を任意に設定できるようにすること
を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、検出物体の接近によって発振周波数が変化する発振
回路と、一定の局部発振周波数で発振する局部発振回路
と、前記発振回路の発振周波数を局部発振回路の発振出
力によって周波数変換する周波数変換回路と、前記周波
数変換回路で変換された後の信号の物体の接近に伴う周
波数変化を検出する周波数弁別回路と、を有し、前記周
波数弁別回路の出力に基づいて物体の接近を検出するこ
とを特徴とするものである。
は、検出物体の接近によって発振周波数が変化する発振
回路と、一定の局部発振周波数で発振する局部発振回路
と、前記発振回路の発振周波数を局部発振回路の発振出
力によって周波数変換する周波数変換回路と、前記周波
数変換回路で変換された後の信号の物体の接近に伴う周
波数変化を検出する周波数弁別回路と、を有し、前記周
波数弁別回路の出力に基づいて物体の接近を検出するこ
とを特徴とするものである。
【００１１】本願の請求項２の発明は、請求項１の近接
センサにおいて、前記発振回路の発振周波数を前記周波
数弁別回路で弁別可能な周波数より高くするようにした
ことを特徴とするものである。
センサにおいて、前記発振回路の発振周波数を前記周波
数弁別回路で弁別可能な周波数より高くするようにした
ことを特徴とするものである。
【００１２】本願の請求項３の発明は、請求項１の近接
センサにおいて、前記周波数変換回路は、局部発振回路
と発振回路の出力を乗算する掛算器によって構成される
ことを特徴とするものである。
センサにおいて、前記周波数変換回路は、局部発振回路
と発振回路の出力を乗算する掛算器によって構成される
ことを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の第１の実施の形態
による近接センサの構成を示す回路図である。本図にお
いて発振回路１は検出コイルＬ１が接続され、ほぼ一定
の周波数ｆinで発振する発振回路であり、物体が検出コ
イルＬ１に接近することによって発振周波数が変化す
る。発振回路１の出力は掛算器２に与えられる。掛算器
２の他方の入力端には局部発振回路３が接続されてい
る。局部発振回路３は例えば水晶発振器等の安定した一
定の局部発振周波数ｆosc で発振する局部発振回路であ
る。以下の説明では発振回路１の周波数ｆinが局部発振
周波数ｆosc より高いものとするが、ｆosc をｆinより
高くしてもよい。掛算器２は発振回路１と局部発振回路
３の信号を乗算することにより、和及び差の周波数（ｆ
in＋ｆosc ）及び（ｆin−ｆosc ）を出力するものであ
り、その出力はローパスフィルタ（ＬＰＦ）４を介して
周波数弁別回路５に与えられる。周波数弁別回路５は周
波数の変化分を検出するものであり、その出力は比較回
路６に与えられる。比較回路６は所定の閾値によって周
波数弁別回路５の出力を弁別するものであり、比較出力
は出力回路７を介して検知信号として外部に出力され
る。
による近接センサの構成を示す回路図である。本図にお
いて発振回路１は検出コイルＬ１が接続され、ほぼ一定
の周波数ｆinで発振する発振回路であり、物体が検出コ
イルＬ１に接近することによって発振周波数が変化す
る。発振回路１の出力は掛算器２に与えられる。掛算器
２の他方の入力端には局部発振回路３が接続されてい
る。局部発振回路３は例えば水晶発振器等の安定した一
定の局部発振周波数ｆosc で発振する局部発振回路であ
る。以下の説明では発振回路１の周波数ｆinが局部発振
周波数ｆosc より高いものとするが、ｆosc をｆinより
高くしてもよい。掛算器２は発振回路１と局部発振回路
３の信号を乗算することにより、和及び差の周波数（ｆ
in＋ｆosc ）及び（ｆin−ｆosc ）を出力するものであ
り、その出力はローパスフィルタ（ＬＰＦ）４を介して
周波数弁別回路５に与えられる。周波数弁別回路５は周
波数の変化分を検出するものであり、その出力は比較回
路６に与えられる。比較回路６は所定の閾値によって周
波数弁別回路５の出力を弁別するものであり、比較出力
は出力回路７を介して検知信号として外部に出力され
る。
【００１４】次のこの実施の形態による近接センサの動
作について説明する。発振回路１の出力を次式で表す。 Ａsin （２πｆinｔ） 又局部発振回路の出力を次式で示す。 Ｂsin （２πｆosc ｔ） この場合には、掛算器２の出力は次式で示される。
作について説明する。発振回路１の出力を次式で表す。 Ａsin （２πｆinｔ） 又局部発振回路の出力を次式で示す。 Ｂsin （２πｆosc ｔ） この場合には、掛算器２の出力は次式で示される。
【数１】
従ってｆin±ｆosc の周波数成分が掛算器２から得られ
る。そしてローパスフィルタ４によって高周波成分を除
去することによって、ｆin−ｆosc の周波数成分の信号
を取り出すことができる。例えば発振回路１の周波数ｆ
inを３ＭＨｚ、局部発振回路３の発振周波数を２．５５
ＭＨｚとすると、ローパスフィルタ４の出力にはその差
の周波数４５０ＫＨｚが得られることとなる。そしてこ
の差の周波数は検出コイルＬ１に物体が接近するに従っ
て高い周波数となる。
る。そしてローパスフィルタ４によって高周波成分を除
去することによって、ｆin−ｆosc の周波数成分の信号
を取り出すことができる。例えば発振回路１の周波数ｆ
inを３ＭＨｚ、局部発振回路３の発振周波数を２．５５
ＭＨｚとすると、ローパスフィルタ４の出力にはその差
の周波数４５０ＫＨｚが得られることとなる。そしてこ
の差の周波数は検出コイルＬ１に物体が接近するに従っ
て高い周波数となる。
【００１５】従来例のように発振回路の発振周波数をそ
のまま４５０ＫＨｚとしたときに検知物体の接近による
発振周波数の変化率を例えば１％とすると、物体の近接
時には発振周波数は４５４．５ＫＨｚであり、周波数変
化分は４．５ＫＨｚとなる。一方の実施の形態のように
発振周波数ｆinを３ＭＨｚとすると、周波数変化率は同
一なので物体の接近時には３．０３ＭＨｚ、即ち周波数
変化分は３０ＫＨｚとなる。従って周波数弁別回路５に
入力される発振周波数は物体がないときに４５０ＫＨ
ｚ、物体検出時に４８０ＫＨｚとなり、周波数変換後の
変化率は６．７％となる。このように周波数変化率が大
きくなるため、周波数弁別回路５の構成が容易となり、
物体を確実に検出するとこができる。又周波数変化率が
大きいためより従来例では不可能であった遠方の金属物
体も検出することができる。更に発振回路１の発振周波
数は周波数弁別回路５で弁別可能な周波数にとらわれ
ず、任意の周波数に設定できる。従って発振周波数を前
述したように温度特性がよい発振周波数や、オールメタ
ル特性を得やすい高い周波数に設定することが可能とな
る。
のまま４５０ＫＨｚとしたときに検知物体の接近による
発振周波数の変化率を例えば１％とすると、物体の近接
時には発振周波数は４５４．５ＫＨｚであり、周波数変
化分は４．５ＫＨｚとなる。一方の実施の形態のように
発振周波数ｆinを３ＭＨｚとすると、周波数変化率は同
一なので物体の接近時には３．０３ＭＨｚ、即ち周波数
変化分は３０ＫＨｚとなる。従って周波数弁別回路５に
入力される発振周波数は物体がないときに４５０ＫＨ
ｚ、物体検出時に４８０ＫＨｚとなり、周波数変換後の
変化率は６．７％となる。このように周波数変化率が大
きくなるため、周波数弁別回路５の構成が容易となり、
物体を確実に検出するとこができる。又周波数変化率が
大きいためより従来例では不可能であった遠方の金属物
体も検出することができる。更に発振回路１の発振周波
数は周波数弁別回路５で弁別可能な周波数にとらわれ
ず、任意の周波数に設定できる。従って発振周波数を前
述したように温度特性がよい発振周波数や、オールメタ
ル特性を得やすい高い周波数に設定することが可能とな
る。
【００１６】次に本発明の他の実施の形態について説明
する。図２は本発明の第２の実施の形態による近接セン
サの構成を示すブロック図である。この実施の形態では
周波数弁別回路５としてセラミックフィルタを用いて構
成したものである。この実施の形態では発振回路１の出
力を増幅器１１によって増幅し、掛算器２に与える。そ
して増幅出力と局部発振回路３の出力とを掛算器２によ
って掛算し、ローパスフィルタ４によって低周波成分の
みを取り出す。そしてローパスフィルタ４の出力を増幅
器１２を介してセラミックフィルタ１３に導く。セラミ
ックフィルタ１３は物体が接近していない状態での発振
周波数ｆinと局部発振回路３の局部発振周波数ｆosc の
差の周波数（ｆin−ｆosc ）を通過周波数とするバンド
パスフィルタである。セラミックフィルタ１３の出力は
増幅器１４を介してコンパレータ１５に与えられる。コ
ンパレータ１５は所定の閾値で増幅出力を弁別すること
によって物体の有無を識別するものであり、その出力は
積分回路１６を介して出力回路７に与えられる。
する。図２は本発明の第２の実施の形態による近接セン
サの構成を示すブロック図である。この実施の形態では
周波数弁別回路５としてセラミックフィルタを用いて構
成したものである。この実施の形態では発振回路１の出
力を増幅器１１によって増幅し、掛算器２に与える。そ
して増幅出力と局部発振回路３の出力とを掛算器２によ
って掛算し、ローパスフィルタ４によって低周波成分の
みを取り出す。そしてローパスフィルタ４の出力を増幅
器１２を介してセラミックフィルタ１３に導く。セラミ
ックフィルタ１３は物体が接近していない状態での発振
周波数ｆinと局部発振回路３の局部発振周波数ｆosc の
差の周波数（ｆin−ｆosc ）を通過周波数とするバンド
パスフィルタである。セラミックフィルタ１３の出力は
増幅器１４を介してコンパレータ１５に与えられる。コ
ンパレータ１５は所定の閾値で増幅出力を弁別すること
によって物体の有無を識別するものであり、その出力は
積分回路１６を介して出力回路７に与えられる。
【００１７】この実施の形態においても物体が接近して
いない状態での発振周波数ｆinと局部発振周波数ｆosc
との差をセラミックフィルタ１３の通過域の周波数に設
定しておく。こうすれば物体が接近して発振周波数が変
化すると、前述したように周波数の変化の割合が大きく
なるため、容易に物体を検出することができる。又発振
回路１の発振周波数を温度特性のよい発振周波数やオー
ルメタル特性を得やすい高い周波数に設定することも可
能となる。
いない状態での発振周波数ｆinと局部発振周波数ｆosc
との差をセラミックフィルタ１３の通過域の周波数に設
定しておく。こうすれば物体が接近して発振周波数が変
化すると、前述したように周波数の変化の割合が大きく
なるため、容易に物体を検出することができる。又発振
回路１の発振周波数を温度特性のよい発振周波数やオー
ルメタル特性を得やすい高い周波数に設定することも可
能となる。
【００１８】図３は本発明の第３の実施の形態による近
接センサの構成を示すブロック図である。この実施の形
態ではローパスフィルタ４の出力を波形整形回路２１に
よって整形してゲート回路２２に導く。ゲート回路２２
にはタイミング回路２４から局部発振回路３の分周出力
であるゲート信号が供給されており、ゲートが開放して
いる間に波形整形されたパルス数をカウンタ２３によっ
て計数する。カウンタ２３の計数値はデジタルコンパレ
ータ２５によって弁別され、カウンタ２３には周期的に
タイミング回路２４よりリセット信号が与えられる。デ
ジタルコンパレータ２５には基準値設定回路２６より基
準値が設定されており、所定周波数を越える発振周波数
の変化があれば物体検知信号を出力する。シフトレジス
タ２７はデジタルコンパレータ２５の比較結果が数周期
間連続するかどうかを識別するものであり、その論理積
の出力を判別結果としてラッチ回路２８に与える。ラッ
チ回路２８は所定の判別結果を示す信号を保持してお
り、出力回路７より物体の有無を出力するものである。
この場合にも発振周波数を任意に選択することができ
る。又この実施の形態ではゲート回路２２，カウンタ２
３，タイミング回路２４，デジタルコンパレータ２５，
シフトレジスタ２７，基準値設定回路２６をハードウェ
アで実現しているが、マイクロコンピュータによって実
現することもできる。この場合は基準値設定時のティー
チングをマイクロコンピュータを用いて容易に行うこと
ができる。
接センサの構成を示すブロック図である。この実施の形
態ではローパスフィルタ４の出力を波形整形回路２１に
よって整形してゲート回路２２に導く。ゲート回路２２
にはタイミング回路２４から局部発振回路３の分周出力
であるゲート信号が供給されており、ゲートが開放して
いる間に波形整形されたパルス数をカウンタ２３によっ
て計数する。カウンタ２３の計数値はデジタルコンパレ
ータ２５によって弁別され、カウンタ２３には周期的に
タイミング回路２４よりリセット信号が与えられる。デ
ジタルコンパレータ２５には基準値設定回路２６より基
準値が設定されており、所定周波数を越える発振周波数
の変化があれば物体検知信号を出力する。シフトレジス
タ２７はデジタルコンパレータ２５の比較結果が数周期
間連続するかどうかを識別するものであり、その論理積
の出力を判別結果としてラッチ回路２８に与える。ラッ
チ回路２８は所定の判別結果を示す信号を保持してお
り、出力回路７より物体の有無を出力するものである。
この場合にも発振周波数を任意に選択することができ
る。又この実施の形態ではゲート回路２２，カウンタ２
３，タイミング回路２４，デジタルコンパレータ２５，
シフトレジスタ２７，基準値設定回路２６をハードウェ
アで実現しているが、マイクロコンピュータによって実
現することもできる。この場合は基準値設定時のティー
チングをマイクロコンピュータを用いて容易に行うこと
ができる。
【００１９】又この実施の形態では周波数変換を行うた
めに掛算器を用いているが、ダブルバランスドミクサ等
の周波数を乗算する機能があれば他の種々の回路を用い
ることができる。
めに掛算器を用いているが、ダブルバランスドミクサ等
の周波数を乗算する機能があれば他の種々の回路を用い
ることができる。
【００２０】又この実施の形態では発振回路と局部発振
回路の周波数差をローパスフィルタ４によって検出する
ようにしているが、その和の周波数をハイパスフィルタ
によって検出して周波数を識別するようにしてもよい。
この場合には局部発振周波数を選択することによって発
振周波数を弁別可能な周波数よりも低くすることができ
る。発振周波数を低くすれば図９，図１０に示すように
磁性体と非磁性体とで周波数の変化率が大きく異なるた
め、金属の材質判別等が可能となる。
回路の周波数差をローパスフィルタ４によって検出する
ようにしているが、その和の周波数をハイパスフィルタ
によって検出して周波数を識別するようにしてもよい。
この場合には局部発振周波数を選択することによって発
振周波数を弁別可能な周波数よりも低くすることができ
る。発振周波数を低くすれば図９，図１０に示すように
磁性体と非磁性体とで周波数の変化率が大きく異なるた
め、金属の材質判別等が可能となる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本願の請求項
１〜３の発明によれば、高周波発振型の近接センサの発
振周波数が周波数弁別回路で弁別可能な周波数に限定さ
れることがなくなり、任意の発振周波数を選択すること
ができる。従って温度特性のよい発振周波数やオールメ
タル特性を有する発振周波数等、任意に選択することが
可能となる。又請求項２の発明では、このような効果に
加えて、発振周波数を周波数弁別回路で弁別可能な周波
数より高くするようにしているため、物体の近接に伴う
周波数の変化率を大きくすることができ、物体の検出精
度を向上させることができる。又長距離の物体に対して
も十分検出が可能になるという効果が得られる。更に弁
別する周波数帯域を任意に選定できるため、セラミック
フィルタ以外の任意のフィルタを用いることができ、装
置の小型化や低価格化も可能となる。
１〜３の発明によれば、高周波発振型の近接センサの発
振周波数が周波数弁別回路で弁別可能な周波数に限定さ
れることがなくなり、任意の発振周波数を選択すること
ができる。従って温度特性のよい発振周波数やオールメ
タル特性を有する発振周波数等、任意に選択することが
可能となる。又請求項２の発明では、このような効果に
加えて、発振周波数を周波数弁別回路で弁別可能な周波
数より高くするようにしているため、物体の近接に伴う
周波数の変化率を大きくすることができ、物体の検出精
度を向上させることができる。又長距離の物体に対して
も十分検出が可能になるという効果が得られる。更に弁
別する周波数帯域を任意に選定できるため、セラミック
フィルタ以外の任意のフィルタを用いることができ、装
置の小型化や低価格化も可能となる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による近接センサの
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態による近接センサの
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態による近接センサの
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図４】第１の従来例による近接センサの一例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図５】従来の近接センサに用いられるセラミックフィ
ルタの特性を示す図である。
ルタの特性を示す図である。
【図６】第２の従来例による近接センサの構成を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
【図７】従来の近接センサの発振周波数の距離に対する
発振周波数の変化を示すグラフである。
発振周波数の変化を示すグラフである。
【図８】従来の近接センサの周囲温度に対する動作距離
の変化を示すグラフである。
の変化を示すグラフである。
【図９】磁性体金属と非磁性体金属を一定の距離に接近
させた状態でのコイルのインピーダンス特性を示すグラ
フである。
させた状態でのコイルのインピーダンス特性を示すグラ
フである。
【図１０】（ａ）は６４５ＫＨｚ、（ｂ）は１４７３Ｋ
Ｈｚにおける磁性体と非磁性体の距離に対する発振周波
数の変化率を示すグラフである。
Ｈｚにおける磁性体と非磁性体の距離に対する発振周波
数の変化率を示すグラフである。
１ 発振回路
２ 掛算器
３ 局部発振回路
４ ローパスフィルタ
５ 周波数弁別回路
６ 比較回路
７ 出力回路
１１，１２，１４ 増幅器
１３ セラミックフィルタ
１５ コンパレータ
１６ 積分回路
２１ 波形整形回路
２２ ゲート回路
２３ カウンタ
２４ タイミング回路
２５ デジタルコンパレータ
２６ 基準値設定回路
２７ シフトレジスタ
２８ ラッチ回路
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−37620（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−22104（ＪＰ，Ａ)
特開 昭55−133716（ＪＰ，Ａ)
特開 昭53−50476（ＪＰ，Ａ)
実開 昭63−8361（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03K 17/00
H01H 36/00
G01V 3/10
Claims (3)
- 【請求項１】 検出物体の接近によって発振周波数が変
化する発振回路と、 一定の局部発振周波数で発振する局部発振回路と、 前記発振回路の発振周波数を局部発振回路の発振出力に
よって周波数変換する周波数変換回路と、 前記周波数変換回路で変換された後の信号の物体の接近
に伴う周波数変化を検出する周波数弁別回路と、を有
し、 前記周波数弁別回路の出力に基づいて物体の接近を検出
することを特徴とする近接センサ。 - 【請求項２】 前記発振回路の発振周波数を前記周波数
弁別回路で弁別可能な周波数より高くするようにしたこ
とを特徴とする請求項１記載の近接センサ。 - 【請求項３】 前記周波数変換回路は、局部発振回路と
発振回路の出力を乗算する掛算器によって構成されるも
のであることを特徴とする請求項１記載の近接センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17147997A JP3505961B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 近接センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17147997A JP3505961B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 近接センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117515A JPH1117515A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3505961B2 true JP3505961B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=15923876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17147997A Expired - Fee Related JP3505961B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 近接センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3505961B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009079897A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | センサ装置及び表示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9971056B2 (en) | 2013-09-19 | 2018-05-15 | Kyushu Institute Of Technology | Proximity sensor |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP17147997A patent/JP3505961B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009079897A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | センサ装置及び表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1117515A (ja) | 1999-01-22 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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