JPH0629818A - 近接スイッチ - Google Patents
近接スイッチInfo
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- JPH0629818A JPH0629818A JP20734992A JP20734992A JPH0629818A JP H0629818 A JPH0629818 A JP H0629818A JP 20734992 A JP20734992 A JP 20734992A JP 20734992 A JP20734992 A JP 20734992A JP H0629818 A JPH0629818 A JP H0629818A
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- Japan
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- circuit
- output
- filter
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 金属体の近傍を高速で検出できるようにする
こと。 【構成】 一定周波数で一定振幅の発振回路1を設け
る。この発振回路1の出力をフィルタ回路2に与える。
フィルタ回路2にはフィルタの要素として検出コイルL
が含まれている。物体の近接により検出コイルのインダ
クタンス,抵抗が変化するため、フィルタの特性も変化
する。従ってフィルタを通過する出力の変化を電圧比較
器3によって検出する。この出力が連続するときに出力
遅延回路4から物体検出信号を出力するようにしてい
る。
こと。 【構成】 一定周波数で一定振幅の発振回路1を設け
る。この発振回路1の出力をフィルタ回路2に与える。
フィルタ回路2にはフィルタの要素として検出コイルL
が含まれている。物体の近接により検出コイルのインダ
クタンス,抵抗が変化するため、フィルタの特性も変化
する。従ってフィルタを通過する出力の変化を電圧比較
器3によって検出する。この出力が連続するときに出力
遅延回路4から物体検出信号を出力するようにしてい
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は応答性の高い近接スイッ
チに関するものである。
チに関するものである。
【0002】
【従来の技術】通常高周波発振型近接スイッチは、発振
コイルを含む発振回路によって一定の周波数で発振して
おり、金属物体が接近すれば渦電流損によって検出コイ
ルのコンダクタンスが変化する。従って発振回路の発振
レベルが低下し、又は発振が停止するので、発振レベル
の変化を検出することによって物体の近接を検出してい
る。このような検出方法では、渦電流損が多く発生する
鉄等の磁性体金属は良好な感度で検出することができ
る。
コイルを含む発振回路によって一定の周波数で発振して
おり、金属物体が接近すれば渦電流損によって検出コイ
ルのコンダクタンスが変化する。従って発振回路の発振
レベルが低下し、又は発振が停止するので、発振レベル
の変化を検出することによって物体の近接を検出してい
る。このような検出方法では、渦電流損が多く発生する
鉄等の磁性体金属は良好な感度で検出することができ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の近接スイッチでは、渦電流損が少ない非磁性体
金属の検出距離が短いという欠点があった。又発振の停
止,開始を検出する場合には応答速度が遅く、高速で通
過する物体を検知することができないという欠点があっ
た。
な従来の近接スイッチでは、渦電流損が少ない非磁性体
金属の検出距離が短いという欠点があった。又発振の停
止,開始を検出する場合には応答速度が遅く、高速で通
過する物体を検知することができないという欠点があっ
た。
【0004】本願の請求項1の発明はこのような従来の
近接スイッチの問題点に鑑みてなされたものであって、
応答速度の速い近接スイッチを提供することを目的とす
る。本願の請求項2の発明はこの課題に加えて、磁性
体,非磁性体にかかわらず金属体を検出できるようにす
ることを技術的課題とする。更に本願の請求項3の発明
は、近接スイッチの応答速度を速くすることに加えて、
非磁性体金属を検出できるようにすることを技術的課題
とする。
近接スイッチの問題点に鑑みてなされたものであって、
応答速度の速い近接スイッチを提供することを目的とす
る。本願の請求項2の発明はこの課題に加えて、磁性
体,非磁性体にかかわらず金属体を検出できるようにす
ることを技術的課題とする。更に本願の請求項3の発明
は、近接スイッチの応答速度を速くすることに加えて、
非磁性体金属を検出できるようにすることを技術的課題
とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本願の請求項1の発明
は、一定の周波数で一定振幅を有する発振回路と、発振
回路の出力が与えられ、一要素として検出コイルを含む
フィルタ回路と、フィルタ回路の出力の振幅変化を所定
の閾値で弁別する比較回路と、比較回路の出力が発振回
路の発振周期で連続する際に物体検知信号を出力する出
力遅延回路と、を具備することを特徴とするものであ
る。
は、一定の周波数で一定振幅を有する発振回路と、発振
回路の出力が与えられ、一要素として検出コイルを含む
フィルタ回路と、フィルタ回路の出力の振幅変化を所定
の閾値で弁別する比較回路と、比較回路の出力が発振回
路の発振周期で連続する際に物体検知信号を出力する出
力遅延回路と、を具備することを特徴とするものであ
る。
【0006】又本願の請求項2の発明では、発振回路は
正弦波発振回路であり、フィルタ回路は入力端と接地端
間にコンデンサ、該コンデンサと並列に検出コイル及び
コンデンサの直列回路が接続されたπ型のバンドパスフ
ィルタであり、発振回路の発振周波数を、共振回路の共
振周波数のピーク値と、該共振周波数より低く共振によ
り出力レベルが上昇する周波数との間に設定したことを
特徴とするものである。
正弦波発振回路であり、フィルタ回路は入力端と接地端
間にコンデンサ、該コンデンサと並列に検出コイル及び
コンデンサの直列回路が接続されたπ型のバンドパスフ
ィルタであり、発振回路の発振周波数を、共振回路の共
振周波数のピーク値と、該共振周波数より低く共振によ
り出力レベルが上昇する周波数との間に設定したことを
特徴とするものである。
【0007】更に本願の請求項3の発明では、発振回路
は正弦波発振回路であり、フィルタ回路は入力端と接地
端間にコンデンサ、該コンデンサと並列に検出コイル及
びコンデンサの直列回路が接続されたπ型のバンドパス
フィルタであり、該π型バンドパスフィルタの共振周波
数を検出コイルに非磁性体金属が接近したときの共振周
波数と実質的に一致させたことを特徴とするものであ
る。
は正弦波発振回路であり、フィルタ回路は入力端と接地
端間にコンデンサ、該コンデンサと並列に検出コイル及
びコンデンサの直列回路が接続されたπ型のバンドパス
フィルタであり、該π型バンドパスフィルタの共振周波
数を検出コイルに非磁性体金属が接近したときの共振周
波数と実質的に一致させたことを特徴とするものであ
る。
【0008】
【作用】このような特徴を有する発明によれば、発振回
路では一定の振幅で一定周波数で発振しており、その出
力がフィルタ回路に与えられる。フィルタ回路には検出
コイルがフィルタの一要素となっており、物体の近接に
伴って検出コイルのインダクタンスと抵抗値が変化す
る。従ってフィルタの特性が変化することとなり、この
フィルタの変化を比較器及び出力弁別回路によって検出
している。こうすれば磁性体又は非磁性体の金属体の近
接を検知することができる。
路では一定の振幅で一定周波数で発振しており、その出
力がフィルタ回路に与えられる。フィルタ回路には検出
コイルがフィルタの一要素となっており、物体の近接に
伴って検出コイルのインダクタンスと抵抗値が変化す
る。従ってフィルタの特性が変化することとなり、この
フィルタの変化を比較器及び出力弁別回路によって検出
している。こうすれば磁性体又は非磁性体の金属体の近
接を検知することができる。
【0009】
【実施例】図1は本発明の第1実施例による近接スイッ
チの全体構成を示すブロック図である。本図において基
準波発振回路1は検出コイルを有することなく一定の周
波数及び一定振幅で発振する発振回路である。この発振
回路は周波数を安定化するために水晶発振器を用いても
よく、後述するように正弦波発振回路や方形波発振回路
を用いる。この基準波発振回路1の出力はフィルタ回路
2に与えられる。フィルタ回路2は図示のように検出コ
イルLをフィルタ要素として含むフィルタである。この
フィルタ回路2はバンドパスフィルタであってもよく、
又ローパスフィルタ又はハイパスフィルタであってもよ
いが、発振周波数に近い周波数で振幅が変化するフィル
タとする。検出コイルLは近接スイッチの例えば前面に
設けられ、物体Fの近接に伴ってその特性が変化するよ
うに構成されている。このフィルタ回路2の出力は電圧
比較器3に与えられる。電圧比較器3は所定の閾値で入
力信号を弁別するものである。電圧比較器3は例えば所
定の閾値レベルを越える信号又は閾値レベル以下の信号
を検出するものとし、その出力は出力遅延回路4に与え
られる。出力遅延回路4はノイズを除去するために用い
られ、電圧比較器3から発振周波数の発振周期で連続し
て出力が検出される場合に、その出力に基づいて物体検
知信号を出力するものである。この物体検知信号は出力
回路5を介して外部に出力される。
チの全体構成を示すブロック図である。本図において基
準波発振回路1は検出コイルを有することなく一定の周
波数及び一定振幅で発振する発振回路である。この発振
回路は周波数を安定化するために水晶発振器を用いても
よく、後述するように正弦波発振回路や方形波発振回路
を用いる。この基準波発振回路1の出力はフィルタ回路
2に与えられる。フィルタ回路2は図示のように検出コ
イルLをフィルタ要素として含むフィルタである。この
フィルタ回路2はバンドパスフィルタであってもよく、
又ローパスフィルタ又はハイパスフィルタであってもよ
いが、発振周波数に近い周波数で振幅が変化するフィル
タとする。検出コイルLは近接スイッチの例えば前面に
設けられ、物体Fの近接に伴ってその特性が変化するよ
うに構成されている。このフィルタ回路2の出力は電圧
比較器3に与えられる。電圧比較器3は所定の閾値で入
力信号を弁別するものである。電圧比較器3は例えば所
定の閾値レベルを越える信号又は閾値レベル以下の信号
を検出するものとし、その出力は出力遅延回路4に与え
られる。出力遅延回路4はノイズを除去するために用い
られ、電圧比較器3から発振周波数の発振周期で連続し
て出力が検出される場合に、その出力に基づいて物体検
知信号を出力するものである。この物体検知信号は出力
回路5を介して外部に出力される。
【0010】図2は本発明の基準波発振回路,フィルタ
回路及び電圧比較器をより具体化した第2実施例を示す
回路図である。本図において基準波発振回路1は図示の
ように水晶を用いた正弦波発振回路11とする。この発
振回路は一定の発振周波数、一定振幅の信号を出力する
正弦波発振回路であって、その出力は抵抗R1を介して
コンデンサC1の一端に与えられる。コンデンサC1,
検出コイルL及びコンデンサC2はπ型のバンドパスフ
ィルタ12を構成しており、その出力端は抵抗R2を介
して接地され、更に電圧比較器、例えばコンパレータ1
3に接続される。
回路及び電圧比較器をより具体化した第2実施例を示す
回路図である。本図において基準波発振回路1は図示の
ように水晶を用いた正弦波発振回路11とする。この発
振回路は一定の発振周波数、一定振幅の信号を出力する
正弦波発振回路であって、その出力は抵抗R1を介して
コンデンサC1の一端に与えられる。コンデンサC1,
検出コイルL及びコンデンサC2はπ型のバンドパスフ
ィルタ12を構成しており、その出力端は抵抗R2を介
して接地され、更に電圧比較器、例えばコンパレータ1
3に接続される。
【0011】図3(a)は検出コイルLの等価回路であ
って、そのインダクタンスをL1、その直流抵抗をr1
としている。そして検出コイルLに物体が接近したとき
には、物体を等価的にコイルL2と直流抵抗r2で示す
ことができる。ここで相互インダクタンスをMとすれ
ば、検出コイルの両端から見たインピーダンスZは次の
式(1)で示される。
って、そのインダクタンスをL1、その直流抵抗をr1
としている。そして検出コイルLに物体が接近したとき
には、物体を等価的にコイルL2と直流抵抗r2で示す
ことができる。ここで相互インダクタンスをMとすれ
ば、検出コイルの両端から見たインピーダンスZは次の
式(1)で示される。
【数1】 従って式1を便宜上Rx,Lxの記号を用いて実数部,
虚数部に分けて表すと、コイルの両端は等価的には図3
(b)のように示されることとなる。従ってこの等価回
路を用いれば、図2に示すπ型フィルタ12は、図3
(c)のように示される。
虚数部に分けて表すと、コイルの両端は等価的には図3
(b)のように示されることとなる。従ってこの等価回
路を用いれば、図2に示すπ型フィルタ12は、図3
(c)のように示される。
【0012】図4(a)は近接スイッチから物体Fまで
の距離dに対する抵抗Rx、図4(b)は距離dに対す
るインダクタンスLxの変化を示すグラフであり、実線
は磁性体金属(鉄)、破線は非磁性体金属(アルミニウ
ム)についての曲線である。本図に示すように抵抗値及
びインダクタンスはいずれも指数関数的に変化してお
り、その係数のみが相違している。
の距離dに対する抵抗Rx、図4(b)は距離dに対す
るインダクタンスLxの変化を示すグラフであり、実線
は磁性体金属(鉄)、破線は非磁性体金属(アルミニウ
ム)についての曲線である。本図に示すように抵抗値及
びインダクタンスはいずれも指数関数的に変化してお
り、その係数のみが相違している。
【0013】次に前述したπ型フィルタ12の周波数振
幅特性を図5に示す。本図において、曲線Aは物体が接
近しない状態での周波数振幅特性である。さて検出コイ
ルLに非磁性金属であるアルミニウムが例えば距離d1
に近接すると、図4(b)に示すようにインダクタンス
Lxが大きく低下するが、抵抗Rx(Al)はあまり変
化しない。そのためπ型フィルタ12の振幅周波数特性
は図5の曲線Bに示すように変化する。一方検出コイル
Lに磁性金属、例えば鉄が距離d1に接近すると、図4
(a)に示すように抵抗Rxが大幅に上昇しインダクタ
ンスLxはわずかに低下するのみである。そのためπ型
フィルタ12の特性は図5の曲線Cで示すように変化す
る。
幅特性を図5に示す。本図において、曲線Aは物体が接
近しない状態での周波数振幅特性である。さて検出コイ
ルLに非磁性金属であるアルミニウムが例えば距離d1
に近接すると、図4(b)に示すようにインダクタンス
Lxが大きく低下するが、抵抗Rx(Al)はあまり変
化しない。そのためπ型フィルタ12の振幅周波数特性
は図5の曲線Bに示すように変化する。一方検出コイル
Lに磁性金属、例えば鉄が距離d1に接近すると、図4
(a)に示すように抵抗Rxが大幅に上昇しインダクタ
ンスLxはわずかに低下するのみである。そのためπ型
フィルタ12の特性は図5の曲線Cで示すように変化す
る。
【0014】ここで正弦波発振回路11の発振周波数
を、元の周波数振幅特性Aのピーク値にほぼ等しい発振
周波数f1となるように設定しておくものとする。こうす
れば磁性金属、非磁性金属のいずれの金属体が接近して
も振幅が低下する。従ってこの振幅低下をコンパレータ
13によって検出することができる。この場合には例え
ば破線で示す位置を閾値Vth1 に設定しておくことによ
って、磁性体及び非磁性体のいずれの金属をも検出する
ことができる。ここでは周波数をf1と設定しているが、
この周波数は図示のfa のように、バンドパスフィルタ
の共振周波数のピーク値と、この共振周波数より低く共
振により出力レベルが上昇する周波数との間に設定する
ことができる。
を、元の周波数振幅特性Aのピーク値にほぼ等しい発振
周波数f1となるように設定しておくものとする。こうす
れば磁性金属、非磁性金属のいずれの金属体が接近して
も振幅が低下する。従ってこの振幅低下をコンパレータ
13によって検出することができる。この場合には例え
ば破線で示す位置を閾値Vth1 に設定しておくことによ
って、磁性体及び非磁性体のいずれの金属をも検出する
ことができる。ここでは周波数をf1と設定しているが、
この周波数は図示のfa のように、バンドパスフィルタ
の共振周波数のピーク値と、この共振周波数より低く共
振により出力レベルが上昇する周波数との間に設定する
ことができる。
【0015】又この正弦波発振回路11の発振周波数を
図5に示すf2に、即ち非磁性金属が接近したときのピー
ク値にほぼ等しい周波数に設定しておく。そうすれば磁
性金属が接近しても周波数f2での振幅はほとんど変化し
ないが、アルミニウム等の非磁性金属が接近すれば振幅
が上昇する。従ってコンパレータ13は図示した閾値V
th2 を越えたときに出力を出すものとしておけば、非磁
性金属の接近を検出することができ、非磁性体専用の近
接スイッチが実現できる。
図5に示すf2に、即ち非磁性金属が接近したときのピー
ク値にほぼ等しい周波数に設定しておく。そうすれば磁
性金属が接近しても周波数f2での振幅はほとんど変化し
ないが、アルミニウム等の非磁性金属が接近すれば振幅
が上昇する。従ってコンパレータ13は図示した閾値V
th2 を越えたときに出力を出すものとしておけば、非磁
性金属の接近を検出することができ、非磁性体専用の近
接スイッチが実現できる。
【0016】又出力遅延回路4は例えば積分回路とその
出力を所定の閾値で弁別する弁別回路として構成しても
よく、後述するようにシフトレジスタを用いて構成して
もよい。
出力を所定の閾値で弁別する弁別回路として構成しても
よく、後述するようにシフトレジスタを用いて構成して
もよい。
【0017】次に本発明の第3実施例について説明す
る。本実施例では図6に示すように基準波発振回路を水
晶を用いた方形波発振回路21としたものである。又電
圧比較器3をコンパレータ13によって構成し、その出
力を出力遅延回路22に与えている。出力遅延回路22
は図示のように複数の縦続されたD型フリップフロップ
23a,23b・・・23dを有している。これらのD
型フリップフロップ23a〜23dのQ出力は夫々アン
ド回路24に、Qバー出力はアンド回路25に与えられ
る。アンド回路24,25はこれらの論理積出力を夫々
RSフリップフロップ26のセット入力端及びリセット
入力端に与えるものである。RSフリップフロップ26
の出力は出力回路27を介して物体検知信号として出力
される。
る。本実施例では図6に示すように基準波発振回路を水
晶を用いた方形波発振回路21としたものである。又電
圧比較器3をコンパレータ13によって構成し、その出
力を出力遅延回路22に与えている。出力遅延回路22
は図示のように複数の縦続されたD型フリップフロップ
23a,23b・・・23dを有している。これらのD
型フリップフロップ23a〜23dのQ出力は夫々アン
ド回路24に、Qバー出力はアンド回路25に与えられ
る。アンド回路24,25はこれらの論理積出力を夫々
RSフリップフロップ26のセット入力端及びリセット
入力端に与えるものである。RSフリップフロップ26
の出力は出力回路27を介して物体検知信号として出力
される。
【0018】次に本実施例の動作について説明する。ま
ず前述したようにπ型フィルタ12は所定の周波数でピ
ーク値を有している。従って方形波発振回路21の発振
周波数が図7(a)に示すようにこのピーク周波数より
低ければ、その方形波の出力に対応して図7(b)に示
すような残響振動が生じる。そこで図7(c)に示すよ
うに方形波発振回路21の基本周波数をこのπ型フィル
タ12の共振周波数よりわずかに高い周波数としておけ
ば、方形波発振回路21の出力に対してπ型フィルタ1
2より図7(d)に示す出力が得られる。
ず前述したようにπ型フィルタ12は所定の周波数でピ
ーク値を有している。従って方形波発振回路21の発振
周波数が図7(a)に示すようにこのピーク周波数より
低ければ、その方形波の出力に対応して図7(b)に示
すような残響振動が生じる。そこで図7(c)に示すよ
うに方形波発振回路21の基本周波数をこのπ型フィル
タ12の共振周波数よりわずかに高い周波数としておけ
ば、方形波発振回路21の出力に対してπ型フィルタ1
2より図7(d)に示す出力が得られる。
【0019】ここで期間T1は検出コイルLに物体が接
近しない状態でのπ型フィルタ12の出力であり、期間
T2は非磁性体金属が接近したときのπ型フィルタ12
の出力を示している。非磁性体の金属が接近しインダク
タンスLが低下すれば共振周波数は上昇するため、出力
レベルも上昇する。従ってπ型フィルタ12の出力のピ
ーク値付近で図7(e)に示すようにコンパレータ13
の閾値Vthを越えることとなる。そして出力遅延回路2
2に縦続されたD型フリップフロップ数、この場合には
4つのD型フリップフロップのパルス数だけコンパレー
タ13より連続して出力が得られれば、図7(f)に示
すようにアンド回路24の論理積が成立してフリップフ
ロップ26がセットされ、物体検知信号が出力される。
又連続して4パルスLレベルが続けばアンド回路25に
よる論理積条件が成立しフリップフロップ26がリセッ
トされるため、物体検知信号が停止することとなる。こ
のようにして非磁性体の金属体を検出することができ
る。又方形波発振回路21の発振周波数を他の周波数に
すれば、磁性体及び非磁性体の金属も検出することが可
能となる。
近しない状態でのπ型フィルタ12の出力であり、期間
T2は非磁性体金属が接近したときのπ型フィルタ12
の出力を示している。非磁性体の金属が接近しインダク
タンスLが低下すれば共振周波数は上昇するため、出力
レベルも上昇する。従ってπ型フィルタ12の出力のピ
ーク値付近で図7(e)に示すようにコンパレータ13
の閾値Vthを越えることとなる。そして出力遅延回路2
2に縦続されたD型フリップフロップ数、この場合には
4つのD型フリップフロップのパルス数だけコンパレー
タ13より連続して出力が得られれば、図7(f)に示
すようにアンド回路24の論理積が成立してフリップフ
ロップ26がセットされ、物体検知信号が出力される。
又連続して4パルスLレベルが続けばアンド回路25に
よる論理積条件が成立しフリップフロップ26がリセッ
トされるため、物体検知信号が停止することとなる。こ
のようにして非磁性体の金属体を検出することができ
る。又方形波発振回路21の発振周波数を他の周波数に
すれば、磁性体及び非磁性体の金属も検出することが可
能となる。
【0020】尚前述した実施例において、コンパレータ
は演算増幅器を用いて任意の閾値を設定できるようにし
ているが、CMOS型のインバータを縦続接続してコン
パレータとすることもできる。この場合には閾値がほぼ
電源の1/2のレベルに固定されるため、通常の発振出
力は電源の1/2以下とする必要がある。このために発
振回路21の発振周波数を共振周波数より高くなるよう
にしておけば、π型フィルタの出力レベルが低下するこ
ととなる。
は演算増幅器を用いて任意の閾値を設定できるようにし
ているが、CMOS型のインバータを縦続接続してコン
パレータとすることもできる。この場合には閾値がほぼ
電源の1/2のレベルに固定されるため、通常の発振出
力は電源の1/2以下とする必要がある。このために発
振回路21の発振周波数を共振周波数より高くなるよう
にしておけば、π型フィルタの出力レベルが低下するこ
ととなる。
【0021】尚前述した各実施例ではフィルタ回路とし
てπ型のフィルタを用いて構成しているが、本発明はπ
型フィルタに限らずL型等のローパスフィルタ,ハイパ
スフィルタ等、コイルを用いた種々のフィルタを用いて
構成することが可能である。
てπ型のフィルタを用いて構成しているが、本発明はπ
型フィルタに限らずL型等のローパスフィルタ,ハイパ
スフィルタ等、コイルを用いた種々のフィルタを用いて
構成することが可能である。
【0022】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本願の請求項
1〜4の発明によれば、検出コイルLを発振回路とは分
離している。従って発振回路の発振周波数や振幅レベル
を高い精度で一定に保つことができ、近接スイッチ毎の
ばらつきを少なくすることができる。又検出コイルを要
素とするフィルタを用いているため、わずかのパルス
数、原理的には1つのパルス数で物体の有無を判別する
ことができる。従って近接スイッチの応答性を大幅に向
上することができるという効果が得られる。
1〜4の発明によれば、検出コイルLを発振回路とは分
離している。従って発振回路の発振周波数や振幅レベル
を高い精度で一定に保つことができ、近接スイッチ毎の
ばらつきを少なくすることができる。又検出コイルを要
素とするフィルタを用いているため、わずかのパルス
数、原理的には1つのパルス数で物体の有無を判別する
ことができる。従って近接スイッチの応答性を大幅に向
上することができるという効果が得られる。
【0023】又本願の請求項2の発明によれば、発振回
路の発振周波数を適宜選択するとによって磁性体及び非
磁性体のいずれの金属をも検出することができる。更に
請求項3の発明では、非磁性体の金属のみを検出するこ
とができるという効果も得られる。
路の発振周波数を適宜選択するとによって磁性体及び非
磁性体のいずれの金属をも検出することができる。更に
請求項3の発明では、非磁性体の金属のみを検出するこ
とができるという効果も得られる。
【図1】本発明の第1実施例による近接スイッチの基本
的な構成を示すブロック図である。
的な構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第2実施例による近接スイッチの主要
部の詳細な構成を示す回路図である。
部の詳細な構成を示す回路図である。
【図3】(a)は本実施例のフィルタの検出コイルと検
出物体の等価回路、(b)はこれを含めた等価回路、
(c)はπ型フィルタの等価回路である。
出物体の等価回路、(b)はこれを含めた等価回路、
(c)はπ型フィルタの等価回路である。
【図4】(a)は距離に対するRxの値、(b)は距離
に対するLxの変化を示すグラフである。
に対するLxの変化を示すグラフである。
【図5】本実施例のπ型フィルタの周波数特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図6】本発明の第3実施例による近接スイッチの主要
部の詳細な構成を示す回路図である。
部の詳細な構成を示す回路図である。
【図7】本発明の第3実施例の発振出力とπ型フィルタ
の出力を示すタイムチャートである。
の出力を示すタイムチャートである。
1 基準波発振回路 2 フィルタ回路 3 電圧比較器 4,22 出力遅延回路 5,27 出力回路 11 正弦波発振回路 12 π型フィルタ 13 コンパレータ 21 方形波発振回路
Claims (4)
- 【請求項1】 一定の周波数で一定振幅を有する発振回
路と、 前記発振回路の出力が与えられ、一要素として検出コイ
ルを含むフィルタ回路と、 前記フィルタ回路の出力の振幅変化を所定の閾値で弁別
する比較回路と、 前記比較回路の出力が前記発振回路の発振周期で連続す
る際に物体検知信号を出力する出力遅延回路と、を具備
することを特徴とする近接スイッチ。 - 【請求項2】 前記発振回路は正弦波発振回路であり、
前記フィルタ回路は入力端と接地端間にコンデンサ、該
コンデンサと並列に検出コイル及びコンデンサの直列回
路が接続されたπ型のバンドパスフィルタであり、前記
発振回路の発振周波数を、前記共振回路の共振周波数の
ピーク値と、該共振周波数より低く共振により出力レベ
ルが上昇する周波数との間に設定したことを特徴とする
請求項1記載の近接スイッチ。 - 【請求項3】 前記発振回路は正弦波発振回路であり、
前記フィルタ回路は入力端と接地端間にコンデンサ、該
コンデンサと並列に検出コイル及びコンデンサの直列回
路が接続されたπ型のバンドパスフィルタであり、該π
型バンドパスフィルタの共振周波数を前記検出コイルに
非磁性体金属が接近したときの共振周波数と実質的に一
致させたことを特徴とする請求項1記載の近接スイッ
チ。 - 【請求項4】 前記発振回路は、方形波を発振する方形
波発振回路であることを特徴とする請求項1記載の近接
スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20734992A JPH0629818A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 近接スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20734992A JPH0629818A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 近接スイッチ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0629818A true JPH0629818A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16538270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20734992A Pending JPH0629818A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | 近接スイッチ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0629818A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6665503B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-12-16 | Ricoh Company, Ltd. | Permeability detection apparatus, image forming apparatus or digital copier using the same, toner concentration detection apparatus, and electric conductivity detection apparatus |
JP2017130897A (ja) * | 2016-01-22 | 2017-07-27 | オムロン株式会社 | 近接スイッチ |
JP2018077215A (ja) * | 2016-11-07 | 2018-05-17 | オムロン株式会社 | 検出回路及びスイッチ構造 |
CN109917468A (zh) * | 2017-12-13 | 2019-06-21 | 中惠创智(深圳)无线供电技术有限公司 | 检测金属异物的系统、无线发射机及无线供电系统 |
KR102133344B1 (ko) * | 2019-02-27 | 2020-07-13 | 주식회사 한영넉스 | 근접센서 스마트 제작 시스템 및 방법 |
JP2021110549A (ja) * | 2020-01-06 | 2021-08-02 | オムロン株式会社 | 近接センサ |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP20734992A patent/JPH0629818A/ja active Pending
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