JP3505813B2 - 走査型露光装置及び走査露光方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マスクと基板とを移動
させつつマスクの像を基板上に転写する走査型の露光装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の走査型の露光装置としては、例え
ば特公昭53-25790号公報に開示されているものが知られ
ている。特公昭53-25790号公報に開示される露光装置
は、マスクの中間像を形成する第１の映像レンズと、第
１の映像レンズによる中間像をウェハ上に再結像する第
２の映像レンズとを有するものであり、ウェハ上にはマ
スクの等倍の正立像が形成される。ここで、マスクとウ
ェハとは移動テーブル上に載置されており、露光時には
移動テーブルを駆動して、マスクとウェハとを第１及び
第２の映像レンズに対して移動させる。これにより、マ
スク上のパターンは順次ウェハ上に転写される。

【０００３】また、特公昭53-25790号公報の露光装置で
は、走査方向への移動による走査露光の後に、走査直交
方向に沿ってマスクとウェハとを移動させ、再び走査露
光を行う、所謂ラスタスキャンによる走査露光を行なっ
ており、大面積の露光を達成している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特公昭
53-25790号公報の露光装置では、マスクからの光がウェ
ハに達するまでに２組の光学系を通過するため、光学系
自体の縦収差による影響が２倍になる問題点がある。ま
た、光学系自体のメリジオナル方向の横収差の対称成分
は、２組の光学系を通過することによって打ち消される
が、サジタル方向において２倍の横収差が発生する問題
点が生じる。このように、特公昭53-25790号公報の露光
装置では、マスク上のパターンがウェハ上に結像する際
に２倍の収差の影響を受けて、像が劣化するという問題
点がある。

【０００５】また、１組の光学系を用いて走査露光を行
う露光装置もあるが、このような走査型の露光装置にお
いては、露光領域の拡大化を図るためには、投影光学系
自体を大型化することが考えられる。しかしながら、単
に投影光学系を比例拡大すれば、この投影光学系から発
生する収差も拡大する問題点がある。また、製造上の制
約があるために、投影光学系自体の大型化にも限界があ
る。

【０００６】従って、あるサイズ以上の露光を行うため
には、例えば米国特許第４，８１４，８３０号に開示さ
れる露光装置のように、マスクを交換しつつ走査露光を
行う必要がある。このようにマスク交換しつつ走査露光
を行う際には、スループットの低下が非常に大きいとい
う問題点がある。そこで、本発明は、大面積を露光可能
であり、スループットの低下を招くことなく、マスクの
良好な像を基板上に転写することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明による走査型露光装置は、以下の構成を有
する。本発明による走査型露光装置は、例えば図１に示
す如く、マスク（Ｍ）と基板（Ｐ）とを走査方向（Ｙ方
向）に沿って移動させつつマスク（Ｍ）上のパターンを
基板（Ｐ）上に投影する走査型露光装置であって、マス
ク（Ｍ）上にて第１の視野（１０ａ）を有し、第１の視
野（１０ａ）内のマスクの等倍の倒立像を基板（Ｐ）上
に形成する第１の投影光学系（１ａ〜４ａ）と、マスク
（Ｍ）上にて第１の視野（１０ａ）とは異なる第２の視
野（１０ｂ）を有し、第２の視野（１０ｂ）内のマスク
の等倍の倒立像を基板（Ｐ）上に形成する第２の投影光
学系（１ｂ〜４ｂ）とを有するように構成される。そし
て、第１及び第２の投影光学系（１ａ〜４ａ，１ｂ〜４
ｂ）は、少なくとも像側テレセントリック光学系である
ように構成される。また、上述の目的を達成するため
に、本発明による走査露光方法は、マスクと基板とを走
査方向に沿って移動させつつ前記マスク上のパターンを
前記基板上に投影する走査露光方法であって、前記マス
ク上にて第１の視野を有する第１の投影光学系を用い
て、前記第１の視野内の前記マスクの等倍の倒立像を前
記基板上に形成する第１工程と、前記マスク上にて前記
第１の視野とは異なる第２の視野を有する第２の投影光
学系を用いて、前記第２の視野内の前記マスクの等倍の
倒立像を前記基板上に形成する第２工程とを備え、前記
第１及び第２の投影光学系は、少なくとも像側テレセン
トリック光学系である。

【０００８】なお、本発明における等倍の倒立像とは、
走査方向または走査直交方向（走査方向とは直交し、か
つマスクまたは基板の面に沿った方向）の何れか一方の
横倍率が−１倍であり、他方の横倍率が＋１倍となる像
のことを指す。

【０００９】

【作用】上述の構成の如き本発明によれば、マスクの像
を基板上に形成する際に、マスクからの光が基板上に達
するまでに１組の光学系のみを通過する。また、本発明
では、第１及び第２の投影光学系により、投影光学系自
体を大型化することなく、全体としての露光領域を拡大
できるため、投影光学系自体の収差を極めて少なく抑え
ることができる。従って、本発明では、露光領域の拡大
化を図っているにもかかわらず、投影光学系による収差
の影響を極めて少なくでき、良好にマスク上のパターン
を基板上に転写することが可能となる。

【００１０】さらに、本発明では、露光領域の拡大化を
図っているため、マスク交換の必要がなく、スループッ
トの向上を図ることができる。また、本発明において
は、例えば図１に示す如く、第１の視野（１０ａ）の走
査方向とは直交する走査直交方向（Ｘ方向）の端部と、
第２の視野（１０ｂ）の走査直交方向（Ｘ方向）の端部
とは、走査直交方向（Ｘ方向）にて互いに重ね合せられ
るように配置されることが好ましい。

【００１１】また、本発明においては、例えば図１に示
す如く、第１及び第２の投影光学系（１ａ〜４ａ，１ｂ
〜４ｂ）は、マスク（Ｍ）からの光を走査直交方向（Ｘ
方向）に沿って偏向させる第１の光路偏向部材（３ａ，
３ｂ）と、走査直交方向（Ｘ方向）に沿った光軸を有す
る反射鏡（２ａ，２ｂ）を持つ光学系（１ａ，２ａ、１
ｂ，２ｂ）と、光学系を介した第１の光路偏向部材から
の光を基板（Ｐ）へ向けて偏向させる第２の光路偏向部
材（４ａ，４ｂ）とをそれぞれ有するように構成される
ことが好ましい。

【００１２】この構成により、走査方向（Ｙ方向）にお
ける横倍率が−１倍となり、かつ走査直交方向（Ｘ方
向）における横倍率が＋１倍となるマスク（Ｍ）の等倍
の倒立像を基板（Ｐ）上に形成することができる。従っ
て、走査直交方向（Ｘ方向）に露光領域を拡大する際に
は、走査露光動作（走査方向へ移動させつつ露光を行う
動作）の間において、ステップ動作（マスク（Ｍ）と基
板（Ｐ）とを走査直交方向（Ｘ方向）において移動させ
る動作）をマスク（Ｍ）と基板（Ｐ）とで同方向とする
ことができるため、マスク（Ｍ）及び基板（Ｐ）を移動
させる機構を簡略化することができる。

【００１３】また、本発明においては、例えば図７に示
す如く、第１及び第２の投影光学系（３０ａ〜３６ａ，
３０ｂ〜３９ｂ）は、走査方向（Ｙ方向）に沿った光軸
を持つ反射鏡（３０ａ，３１ａ、３０ｂ，３１ｂ）を有
する光学系をそれぞれ備え、第１の投影光学系（３０ａ
〜３６ａ）は、マスク（Ｍ）からの光を走査方向（Ｙ方
向）を横切る方向に沿って移送して光学系（３０ａ，３
１ａ）へ導く第１の光束移送部材（３２ａ，３４ａ，３
５ａ）と、光学系（３０ａ，３１ａ）からの光を走査方
向（Ｙ方向）を横切る方向に沿って移送して基板（Ｐ）
上へ導く第２の光束移送部材（３３ａ，３４ａ，３６
ａ）とを有し、第２の投影光学系（３０ｂ〜３２ｂ）
は、マスク（Ｍ）からの光を走査方向（Ｙ方向）に沿っ
て偏向させる第１の光路偏向部材（３７ａ，３８ａ）
と、光学系（３０ａ，３１ｂ）の反射鏡を介した光を基
板（Ｐ）へ向けて偏向させる第２の光路偏向部材（３７
ａ，３９ａ）とを有するように構成されることが好まし
い。

【００１４】この構成により、走査方向（Ｙ方向）にお
ける横倍率が＋１倍となり、かつ走査直交方向（Ｘ方
向）における横倍率が−１倍となるマスク（Ｍ）の等倍
の倒立像を基板（Ｐ）上に形成することができる。従っ
て、マスク（Ｍ）と基板（Ｐ）との走査露光時において
は、マスク（Ｍ）の移動方向と、基板（Ｐ）の移動方向
とをそれぞれ同方向とすることができるため、マスク
（Ｍ）及び基板（Ｐ）を移動させる機構を簡略化するこ
とができる。この構成において、２組の投影光学系の視
野がマスク（Ｍ）のパターン形成面の全てを包含する構
成とすれば、１回の走査露光動作によってマスク（Ｍ）
のパターンの全てを基板（Ｐ）上に転写することがで
き、スループットの大幅なる向上を達成できる。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例を
説明する。図１は第１実施例の走査型露光装置の概略を
示す斜視図であり、図２は第１実施例における露光の状
態を示す平面図である。なお、図１では、走査方向をＸ
軸とし、マスクのパターン面内における走査方向と直交
する方向（走査直交方向）をＹ軸とし、マスクのパター
ン面の法線方向をＺ軸としている。また、図２では、図
１と同じ座標系を採用している。

【００１６】図１において、所定の回路パターンが設け
られたマスクＭと、ガラス基板上にフォトレジストが塗
布されたプレートＰ（基板）とは、それぞれ図示なきマ
スクステージ及びプレートステージ上に載置されてい
る。これらのマスクステージとプレートステージとは、
図中Ｙ方向に沿って独立に移動可能に設けられている。
また、図１では、マスクステージ及びプレートステージ
を一体的に支持してマスクＭ及びプレートＰを±Ｘ方向
に沿って一体的に移動させるキャリッジも図示省略して
いる。

【００１７】また、図示なきプレートステージ上には、
干渉計システムの計測鏡としてのＬ字形状の反射鏡１０
１が設けられており、この反射鏡１０１、ビームスプリ
ッタ１００ａ〜１００ｄ及びレーザ光源１０２から干渉
計システムが構成されている。なお、図１では、反射鏡
１０１にて反射された後に各ビームスプリッタ１００
ａ，１００ｂ，１００ｄ，１００ｅを透過する反射光を
受光するディテクタは図示省略している。また、図１で
は、図示省略しているが、このような干渉計システムは
マスクステージ側にも設けられている。

【００１８】図１において、マスクＭとプレートＰとの
間には、Ｘ方向に沿った光軸を有する正屈折力のレンズ
群１ａと、このレンズ群１ａの前側焦点位置に配置され
た平面反射鏡２ａと、光路を９０°折曲げる偏向プリズ
ム３ａ，４ａとを有する投影光学系２０ａが配置されて
いる。また、、この投影光学系２０ａと同様の構成を持
つ投影光学系２０ｂは、正屈折力を持つレンズ群１ｂ
と、このレンズ群１ｂの前側焦点位置に配置された平面
反射鏡２ｂと、光路を９０°折曲げる偏向プリズム３
ｂ，４ｂとを有し、レンズ群１ｂ及び平面反射鏡２ｂの
光軸がレンズ群１ａ及び平面反射鏡２ａの光軸と共軸と
なるように、マスクＭとプレートＰとの間に配置されて
いる。

【００１９】上述の構成により、投影光学系２０ａ，２
０ｂは、両側（マスクＭ側及びプレートＰ側）テレセン
トリック光学系となる。なお、偏向プリズム３ａは、そ
の反射面がＸＹ平面に対して４５°の傾きを持ち、ＸＺ
平面に対して９０°の傾きを持つように設けられる。ま
た、偏向プリズム４ａは、その反射面が偏向プリズム３
ａの反射面に対して直交するように設けられる。これら
の偏向プリズム３ａ，４ａにより、レンズ群１ａ及び平
面反射鏡２ａから構成される光学系の視野がＺ方向を軸
として分割されることになる。ここで、偏向プリズム３
ａにて分割される視野は、マスクＭ上における視野であ
る視野領域１０ａとなる。また、偏向プリズム４ａにて
分割される視野は、プレートＰ上の露光領域１１ａとな
る。

【００２０】この投影光学系２０ａと同様に、投影光学
系２０ｂは、マスクＭ上における視野である視野領域１
０ｂを有する。これらの視野領域１０ａ，１０ｂは、マ
スクＭを照明する照明光学系によって照明される領域に
より規定される。ここで、レンズ群１ａ及び平面反射鏡
２ａから構成される光学系の所定の像高における主光線
（この光学系における瞳面である平面反射鏡２ａにおい
て光軸と交わる光線）が偏向プリズム３ａにて折曲げら
れてマスクＭに達する点と、レンズ群１ｂ及び平面反射
鏡２ｂから構成される光学系の上記所定の像高における
主光線（この光学系における瞳面である平面反射鏡２ｂ
において光軸と交わる光線）が偏向プリズム３ｂにて折
曲げられてマスクＭに達する点とは、マスクＭ上におい
てＸ方向及びＹ方向の位置がそれぞれ異なる。

【００２１】次に、この投影光学系２０ａの光路につい
て図１を参照して説明する。図１において、例えばｇ線
（λ= 436nm)などの所定の波長の露光光を供給する図示
なき照明光学系は、マスクＭ上の視野領域１０ａを均一
に照明する。このマスクＭ上の視野領域１０ａからの光
は、図中−Ｚ方向に沿って進行し、偏向プリズム３ａに
よってその光路が９０°偏向される。偏向プリズム３ａ
からの光は、図中−Ｘ方向に沿って進行し、レンズ群１
ａを通過した後に、平面反射鏡２ａにて反射され、再び
レンズ群１ａを通過して、図中＋Ｘ方向に沿って進行す
る。レンズ群１ａからの光は、偏向プリズム４ａによっ
てその光路が９０°偏向され、図中−Ｚ方向に沿って進
行してプレートＰ上に達する。

【００２２】また、投影光学系２０ｂの光路に関して
は、投影光学系２０ａの光路とほぼ同様であるためここ
では説明を省略する。ここで、投影光学系２０ａは、視
野領域１０ａ内のマスクＭの等倍の倒立像をプレートＰ
上の露光領域１１ａ内に形成する。本実施例において
は、露光領域内に形成される像は、Ｘ方向における横倍
率が＋１倍、Ｙ方向における横倍率が−１倍となる。

【００２３】すなわち、露光領域１１ａ内に形成される
マスクＭの像は、Ｚ方向から見た場合において、投影光
学系２０ａのレンズ群１ａ及び平面反射鏡２ａの光軸に
対して視野領域１０ａ内のマスクＭと線対称の関係にあ
る。この関係を図２(a),(b)に示す。図２(a) はマスク
Ｍ上のパターン形成領域のＸＹ平面図であり、図２(b)
は図２(a) に示すマスクＭのパターンがプレートＰ上に
転写された状態を示すＸＹ平面図である。なお、図２
(a) においては、マスクＭが投影光学系２０ａ，２０ｂ
（図２では不図示）に対して−Ｙ方向に走査された後の
状態を示し、図２(b) においては、プレートＰが２０
ａ，２０ｂ（図２では不図示）に対して＋Ｙ方向に走査
された後の状態を示す。

【００２４】図２(a) に示すマスクＭ上の領域Ｍａは、
投影光学系２０ｂの視野領域１０ｂにより走査される。
この結果、領域Ｍａ内のパターンは、投影光学系２０ｂ
の露光領域１１ｂの走査により図２(b) に示すプレート
Ｐ上の領域Ｐａに転写される。また、図２(a) に示すマ
スクＭ上の領域Ｍｂは、投影光学系２０ａの視野領域１
０ａと投影光学系２０ｂの視野領域１０ｂとにより走査
される。これにより、領域Ｍｂ内のパターンは、投影光
学系２０ａの露光領域１１ａと投影光学系２０ｂの露光
領域１１ｂとの走査により図２(b) に示すプレートＰ上
の領域Ｐｂに転写される。そして、図２(a) に示すマス
クＭ上の領域Ｍｃは、投影光学系２０ｂの視野領域１０
ｂにより走査される。これより、領域Ｍｃ内のパターン
は、投影光学系２０ｂの露光領域１１ｂの走査により図
２(b) に示すプレートＰ上の領域Ｐｃに転写される。同
様に、図２(a) に示すマスクＭ上の領域Ｍｄは、投影光
学系２０ｂの視野領域１０ｂによって走査される。この
領域Ｍｄ内のパターンは、投影光学系２０ｂの露光領域
１１ｂの走査により図２(b) に示すプレートＰ上の領域
Ｐｄに転写される。

【００２５】このように、走査露光によりプレートＰ上
に転写されるマスクＭ上のパターンは、マスクＭ上のパ
ターンをＸ軸を中心として１８０°回転させたものとな
り、Ｘ方向における左右の関係は何ら変わりない。従っ
て、プレートＰ上の領域Ｐａ〜Ｐｄに対する走査露光が
終了した後には、マスクＭとプレートＰとを一体に＋Ｘ
方向へ移動させれば良い。

【００２６】ここで、例えば図２(a),(b) に示す視野領
域１０ａと視野領域１０ｂとが重なり合う領域Ｍｂまた
は露光領域１１ａと露光領域１１ｂとが重なり合う領域
Ｐｂ（オーバーラップ領域Ｐｂ）においては、視野領域
１０ａ，１０ｂまたは露光領域１１ａ，１１ｂのＹ方向
における幅の和が常に一定となっている。なお、視野領
域１０ａ，１０ｂまたは露光領域１１ａ，１１ｂのＹ方
向における幅は、マスクＭ上の領域Ｍａ，Ｍｃまたはプ
レートＰ上の領域Ｐａ，Ｐｃにおいても一定である。

【００２７】また、本実施例では、投影光学系２０ａ，
２０ｂ内に視野絞りを配置できないため、図示なき照明
光学系中のマスクＭと共役な位置に所定形状の開口部を
持つ視野絞りを配置することによって、マスクＭ上に所
定形状の照明領域を形成しており、この照明領域がマス
クＭ上の視野領域１０ａ，１０ｂを規定している。さ
て、図１に戻って、具体的な露光動作について簡単に説
明すると、まず、図示なきアライメント光学系を用い
て、マスクＭとプレートＰとの位置合せを行う。次に、
不図示の照明光学系によりマスクＭを照明しつつ、図示
なきマスクステージによってマスクＭを＋Ｙ方向へ移動
させると共に、図示なきプレートステージによってプレ
ートＰを−Ｙ方向へ移動させる。このとき、上述の干渉
計システムを用いて、マスクステージ及びプレートステ
ージの位置、速度を検出する。なお、本実施例では、投
影光学系２０ａ，２０ｂが等倍であるため、マスクステ
ージ及びプレートステージの制御は、速度が同じであ
り、方向が逆となるように制御すれば良い。これによ
り、プレートＰ上において露光領域１１ａ，１１ｂが走
査する領域に対する走査露光が完了する。

【００２８】その後、マスクステージとプレートステー
ジとを一体に支持する図示なきキャリッジを＋Ｘ方向へ
移動させる、いわゆるステップ動作を行う。このステッ
プ動作の際には、前述の走査露光の際に視野領域１０ａ
で走査された領域と、次の露光動作において視野領域１
０ｂにより走査される領域とのＹ方向における幅の和が
一定となるように、マスクＭとプレートＰとを移動させ
る。これにより、露光領域１１ａ，１１ｂにより走査露
光されるプレートＰへの露光量はＸ方向に関して常に一
定とすることができる。

【００２９】このステップ動作の終了後、図示なき照明
光学系によりマスクＭを照明しつつ、不図示のマスクス
テージによってマスクＭを−Ｙ方向へ移動させると共
に、不図示のプレートステージによってプレートＰを＋
Ｙ方向へ移動させる。この動作により、プレートＰ上に
おいて、露光領域１１ａ，１１ｂが走査する領域に対す
る走査露光が完了する。このように、本実施例では、所
謂ラスタースキャンによりマスクＭの像をプレートＰ上
に順次転写している。

【００３０】尚、本実施例においては、照明領域を台形
状に規定することによって、投影光学系２０ａ，２０ｂ
の視野領域１０ａ，１０ｂ及び露光領域１１ａ，１１ｂ
を台形状としているが、照明光学系中の視野絞りとして
は台形状の開口部を持つものには限られず、例えば、円
弧形状、三角形状、六角形状などであっても良い。ま
た、本実施例においては、図示なきマスクステージと図
示なきプレートステージとを一体に支持する不図示のキ
ャリッジを設けているが、その代わりに、マスクステー
ジとプレートステージとを図１中においてＸＹ平面内に
沿って可動に設ける構成であっても良い。

【００３１】また、本実施例では、図示なきマスクステ
ージと図示なきプレートステージとはＹ方向において可
動となるように構成しているが、マスクＭとプレートＰ
とのアライメントのためにＸＹ方向において可動として
も良い。このとき、マスクステージ及びプレートステー
ジがステップ動作には何ら寄与しないため、Ｘ方向にお
けるマスクステージ及びプレートステージのストローク
（移動可能な距離）は微小量であっても良い。

【００３２】また、上述の第１実施例の走査型露光装置
では、第１の投影光学系２０ａの露光領域１１ａの＋Ｘ
方向における端部と、第２の投影光学系２０ｂの−Ｘ方
向における端部とを重ね合わせるように露光を行なって
いるが、露光領域１１ａ，１１ｂの±Ｘ方向における端
部同士をそれぞれ重ね合わせなくとも良い。以下、図３
を参照して本発明による第２実施例を説明する。図３は
第２実施例の走査型露光装置を概略的に示す斜視図であ
る。なお、図３では、図１と同一のＸＹＺ座標系を採用
している。

【００３３】図３において、第１の投影光学系としての
投影光学系２０ａの構成は、図１の投影光学系２０ａの
偏向プリズム３ａ，４ａの配置を入れ換えた構成であ
り、光学的には同一のものであるため、ここでは説明を
省略する。また、第２の投影光学系としての投影光学系
２０ｂの構成は、図１の投影光学系２０ｂと同一のもの
であるため、ここでは説明を省略する。

【００３４】これらの投影光学系２０ａ，２０ｂは、マ
スクＭ上において、視野領域１０ａ，１０ｂを有し、こ
の視野領域１０ａ，１０ｂ内のマスクＭの等倍の倒立像
をプレートＰ上に形成する。ここで、プレートＰ上に形
成されるマスクＭの等倍の倒立像は、Ｘ方向における横
倍率が＋１、Ｙ方向における横倍率が−１倍のものとな
る。

【００３５】また、各投影光学系２０ａ，２０ｂは、各
々の視野領域１０ａ，１０ｂが走査直交方向（Ｘ方向）
において互いに離間するように設けられており、Ｘ方向
において互いに離間した露光領域１１ａ，１１ｂ内にマ
スクＭの等倍の倒立像を形成する。図３を参照して、本
実施例による露光動作について簡単に説明する。

【００３６】まず、第１実施例と同様に、図示なきアラ
イメント光学系によりマスクＭとプレートＰとの位置合
わせを行う。このとき、マスクＭとプレートＰとは、投
影光学系２０ａの視野領域１０ａの−Ｘ方向の端部と、
マスクＭのパターン形成面の−Ｘ方向における端部とが
一致するように、投影光学系２０ａ，２０ｂに対して位
置合せされる。なお、ここで言う視野領域１０ａの−Ｘ
方向における端部とは、視野領域１０ａ中でＹ方向の幅
が一定となる領域のうち、最も−Ｘ方向側に位置する部
分を指す。

【００３７】次に、第１実施例と同様に、不図示の照明
光学系によりマスクＭを照明しつつ、図示なきマスクス
テージによってマスクＭを＋Ｙ方向へ移動させると共
に、図示なきプレートステージによってプレートＰを−
Ｙ方向へ移動させる。これにより、プレートＰ上は、投
影光学系２０ａ，２０ｂの各露光領域１１ａ，１１ｂに
より走査露光される。

【００３８】その後、マスクステージとプレートステー
ジとを一体に−Ｘ方向に移動させる動作（ステップ動
作）を行う。このとき、上記の第１回目の走査露光時
に、露光領域１１ａ，１１ｂによって走査露光されなか
った領域（露光領域１１ａ，１１ｂの間の領域）と、露
光領域１１ａのＹ方向において幅が一定となる領域とが
Ｘ方向において重なるように、マスクＭとプレートＰと
を移動させる。

【００３９】上記ステップ動作の後に、不図示の照明光
学系によりマスクＭを照明しつつ、図示なきマスクステ
ージによってマスクＭを−Ｙ方向へ移動させると共に、
図示なきプレートステージによってプレートＰを＋Ｙ方
向へ移動させる。この動作により、２回目の走査露光が
完了する。なお、本実施例においては、１回目の走査露
光の際に露光領域１１ａ，１１ｂのＹ方向で幅が変化す
る領域と、２回目の走査露光の際に露光領域１１ａ，１
１ｂのＹ方向で幅が変化する領域とは、Ｘ方向において
それぞれ一致しており、かつこれらの領域のＹ方向の幅
の和が一定となっている。これにより、プレートＰ上に
は均一な露光量のもとでマスクＭのパターンが転写され
る。

【００４０】また、２回目の走査露光時の視野領域１０
ｂの＋Ｘ方向における端部は、マスクＭのパターン形成
面の＋Ｘ方向における端部と一致している。なお、ここ
で言う視野領域１０ｂの＋Ｘ方向における端部とは、視
野領域１０ｂ中でＹ方向の幅が一定となる領域のうち、
最も＋Ｘ方向側に位置する部分を指す。従って、本実施
例では、２回の走査露光によりマスクＭのパターンをプ
レートＰ上に転写できる。

【００４１】本実施例において、マスクＭのパターン形
成面のＸ方向の長さが異なる場合には、投影光学系２０
ａ，２０ｂのＸ方向における間隔を調整する、または走
査露光の回数を調整すれば良い。次に、図４を参照して
マスクＭのパターン形成面ＰＡのサイズと、各投影光学
系の間隔と、走査回数との関係について説明する。図４
は第２実施例の走査型露光装置による走査方法の一例を
示す平面図であり、図４では図２と同一のＸＹ座標系を
採用している。

【００４２】図４において、マスクＭには、所定のパタ
ーンが描かれた例えばクロムからなるパターン形成面Ｐ
Ａが設けられており、このパターン形成面ＰＡの周囲に
は、露光光を遮光する遮光帯ＬＳＴがクロム等の蒸着に
より形成されている。図４では、第１回目の走査露光時
における投影光学系２０ａ，２０ｂの視野である視野領
域１０ａ₁ ，１０ｂ₁ と、第２回目の走査露光時におけ
る投影光学系２０ａ，２０ｂの視野である視野領域１０
ａ₂ ，１０ｂ₂ と、第３回目の走査露光時における投影
光学系２０ａ，２０ｂの視野である視野領域１０ａ₃ ，
１０ｂ₃ と、第４回目の走査露光時における投影光学系
２０ａ，２０ｂの視野である視野領域１０ａ₄ ，１０ｂ
₄ と、マスクＭとを重ねて表示している。

【００４３】ここで、第１回目の走査露光の際には、マ
スクＭに対して視野領域１０ａ₁ が−Ｙ方向に移動する
ことによってマスクＭ上の領域Ｍｄ〜Ｍｆが走査され、
マスクＭに対して視野領域１０ｂ₁ が−Ｙ方向に移動す
ることによりマスクＭ上の領域Ｍａ，Ｍｂが走査され
る。また、第２回目の走査露光の際には、マスクＭに対
して視野領域１０ａ₂ が＋Ｙ方向に移動することにより
マスクＭ上の領域Ｍｆ〜Ｍｈが走査され、マスクＭに対
して視野領域１０ｂ₂ が＋Ｙ方向に移動することにより
マスクＭ上の領域Ｍｂ〜Ｍｄが走査される。そして、第
３回目の走査露光時には、マスクＭに対して視野領域１
０ａ₃ が−Ｙ方向に移動することによりマスクＭ上の領
域Ｍｌ〜Ｍｎが走査され、マスクＭに対して視野領域１
０ｂ₃ が−Ｙ方向に移動することによりマスクＭ上の領
域Ｍｈ〜Ｍｊが走査される。最後に、第４回目の走査露
光時には、マスクＭに対して視野領域１０ａ₄ が−Ｙ方
向に移動することによりマスクＭ上の領域Ｍｎ，Ｍｏが
走査され、マスクＭに対して視野領域１０ｂ₄ が−Ｙ方
向に移動することによりマスクＭ上の領域Ｍｊ〜Ｍｌが
走査される。

【００４４】ここで、視野領域１０ａ₁ 〜１０ａ₄ ，１
０ｂ₁ 〜１０ｂ₄ においてＹ方向の幅が一定の部分（非
オーバーラップ領域）により走査される領域は、マスク
Ｍ上の領域Ｍａ，Ｍｃ，Ｍｅ，Ｍｇ，Ｍｉ，Ｍｋ，Ｍ
ｍ，Ｍｏであり、視野領域１０ａ₁ 〜１０ａ₄ ，１０ｂ
₁ 〜１０ｂ₄ においてＹ方向の幅が変化している部分
（オーバーラップ領域）により走査される領域は、マス
クＭ上の領域Ｍｂ，Ｍｄ，Ｍｆ，Ｍｈ，Ｍｊ，Ｍｌ，Ｍ
ｎである。このとき、領域Ｍｂ，Ｍｄ，Ｍｆ，Ｍｈ，Ｍ
ｊ，Ｍｌ，Ｍｎは、視野領域１０ａ₁ 〜１０ａ₄ ，１０
ｂ₁ 〜１０ｂ₄ のうちの２つの視野領域によって２回走
査される。

【００４５】さて、視野領域１０ａ₁ 〜１０ａ₄ ，１０
ｂ₁ 〜１０ｂ₄ の中でＹ方向の幅が一定の部分のＸ方向
の長さをＸ_A とし、視野領域１０ａ₁ 〜１０ａ₄ ，１０
ｂ₁〜１０ｂ₄ の中でＹ方向の幅が変化している部分の
Ｘ方向の長さをＸ_B とする。また、マスクＭ上のパター
ン形成面ＰＡのＸ方向の長さをＸ_M とする。このとき、
パターン形成面ＰＡのＸ方向の長さをＸ_M と、視野領域
１０ａ₁ 〜１０ａ₄ ，１０ｂ₁ 〜１０ｂ₄ の非オーバー
ラップ領域の長さＸ_A と、視野領域１０ａ₁ 〜１０
ａ₄ ，１０ｂ₁ 〜１０ｂ₄ のオーバーラップ領域の長さ
Ｘ_B とは、以下の（１）式に示す関係にある。

【００４６】

【数１】 Ｘ_M ＝４Ｘ_A ＋３Ｘ_B ‥‥（１） 上記（１）式は、２組の投影光学系２０ａ，２０ｂによ
り２回の走査露光を行う際に、最も効率良く走査露光を
実現できるものである。ここで、２組の投影光学系２０
ａ，２０ｂによりＮ回の走査露光を行う際には、上記
（１）式は、下記の（２）式の如く書き換えられる。

【００４７】

【数２】 Ｘ_M ＝２ＮＸ_A ＋（２Ｎ−１）Ｘ_B ‥‥（２） 上記（１）〜（２）式は、プレートＰ上の露光領域に関
しても成立する。ここで、上記（１）〜（２）式により
マスクＭのパターン形成面ＰＡのＸ方向の長さが決まれ
ば、複数の視野領域または露光領域の配置が一義的に定
まる。そして、複数の投影光学系のＸ方向における間隔
は、これらの視野領域または露光領域の配置により決定
すれば良い。なお、上記（１）〜（２）式の関係を満足
しない場合には、走査露光の回数が無駄に増えるため好
ましくない。

【００４８】上述の第１及び第２実施例においては、投
影光学系２０ａ，２０ｂ中の平面反射鏡２ａ，２ｂの代
わりに、凹面反射鏡を適用することも可能であり、この
ときには、凹面反射鏡にて屈折力を負担することができ
るため、正屈折力のレンズ群１ａ，１ｂのレンズ構成を
簡略化することができる。このような光学系について
は、例えば米国特許第２，７４２，８１７号に開示され
ている。

【００４９】また、第１及び第２実施例において、投影
光学系２０ａ，２０ｂ中の偏向プリズム３ａ，３ｂ、４
ａ，４ｂの代わりに、平面反射鏡を適用しても良い。さ
らに、第１及び第２実施例における投影光学系２０ａ，
２０ｂをダイソン型光学系としても良い。この場合に
は、例えば投影光学系２０ａについてのみ説明すると、
投影光学系２０ａ中の偏向プリズム３ａ，４ａのレンズ
群１ａ側の面（−Ｘ方向側の面）に平凸レンズ成分もし
くは平凸レンズ成分を含む数枚のレンズ成分を設け、こ
の平凸レンズ成分の凸面側に凹面反射鏡を設ければ良
い。このようなダイソン型光学系としては、例えば米国
特許第４，１０３，９８９号に開示されている。

【００５０】なお、上記第１及び第２実施例において
は、図示なき照明光学系によって照明される領域である
複数の視野領域のうち、±Ｘ方向において最も端部に位
置する視野領域の±Ｘ方向の端部をマスクＭのパターン
形成面の輪郭に合わせるように構成しても良い。次に、
投影光学系として凸面鏡及び凹面鏡から構成されるオフ
ナー型光学系を適用した第３実施例を図５を参照して説
明する。図５は第３実施例による走査型露光装置を概略
的に示す斜視図である。なお、図５においては、図１と
同様の機能を有する部材には同じ符号を付してあり、図
１と同じＸＹＺ座標系を採用している。

【００５１】図５において、マスクＭとプレートＰと
は、図１の第１実施例と同様に、それぞれ図示なきマス
クステージ及びプレートステージ上に載置されている。
また、オフナー型光学系である投影光学系２１ａは、光
路を９０°偏向させる光路折曲げミラー２４ａ，２５ａ
と、凹面鏡３０ａと、凸面鏡３１ａとを有し、投影光学
系２１ｂは、光路を９０°偏向させる光路折曲げミラー
２４ｂ，２５ｂと、凹面鏡３０ｂと、凸面鏡３１ｂとを
有する。ここで、本実施例においては、凹面鏡３０ａ，
３０ｂと凸面鏡３１ａ，３１ｂとの光軸は、互いに共軸
となるように配置されている。このようなオフナー型光
学系に関しては、例えば米国特許第３，７４８，０１５
号に開示されている。

【００５２】また、本実施例では、光路折曲げミラー２
４ａは、その反射面がＹＺ平面に対して４５°の傾きで
あり、ＸＺ平面に対して４５°の傾きであるように設け
られる。また、光路折曲げミラー２５ａは、その反射面
が光路折曲げミラー２４ａの反射面と直交するように設
けられる。ここで、投影光学系２１ｂの光路折曲げミラ
ー２４ｂは、その反射面が投影光学系２１ａの光路折曲
げミラー２５ａの反射面と平行となるように設けられ、
光路折曲げミラー２５ｂは、その反射面が投影光学系２
１ａの光路折曲げミラー２４ａの反射面と平行となるよ
うに設けられる。

【００５３】さて、各投影光学系２１ａ，２１ｂは、マ
スクＭ上において円弧形状の視野である視野領域１２
ａ，１２ｂをそれぞれ有する。この視野領域１２ａ，１
２ｂは図示なき照明光学系によって均一に照明される領
域である照明領域により規定される。次に、図５を参照
して投影光学系２１ａの光路について説明する。なお、
投影光学系２１ｂの光路については投影光学系２１ａの
光路とほぼ等しいため、ここでは説明を省略する。

【００５４】図５において、図示なき照明光学系からの
露光光によりマスクＭ上の視野領域２１ａが均一に照明
され、この視野領域からの光は、図中−Ｚ方向に沿って
進行し、図中−Ｘ方向に沿って進行するように光路折曲
げミラー２４ａの反射面にて反射される。光路折曲げミ
ラー２４ａを介した光は、凹面鏡３０ａにて反射された
後、凸面鏡３１ａにて反射され、再び凹面鏡３０ａにて
反射されて図中＋Ｘ方向に沿って進行する。凹面鏡３０
ａからの光は、光路折曲げミラー２５ａの反射面にて反
射され、図中−Ｚ方向に沿って進行し、プレートＰ上の
露光領域１３ａに達する。これにより、プレートＰ上の
露光領域１３ａには、投影光学系２１ａによって、視野
領域１２ａ内のマスクＭの等倍の倒立像が形成される。
この露光領域１３ａ内には、Ｘ方向における横倍率が＋
１となり、かつＹ方向における横倍率が−１となる等倍
の倒立像が形成される。

【００５５】同様に、プレートＰ上の露光領域１３ｂ上
には、投影光学系２１ｂによって、Ｘ方向における横倍
率が＋１となり、かつＹ方向における横倍率が−１とな
る等倍の倒立像が形成される。次に図６を参照して本実
施例における視野領域１２ａ，１２ｂについて説明す
る。図６は、マスクＭ上の視野領域１２ａ，１２ｂの配
置を示す平面図であり、図４と同様のＸＹ座標系を採用
している。

【００５６】図６において、マスクＭ上には、所定のパ
ターンが描かれた例えばクロムからなるパターン形成面
ＰＡが設けられており、このパターン形成面ＰＡの周囲
には、露光光を遮光する遮光帯ＬＳＴがクロム等の蒸着
により形成されている。ここで、視野領域１２ａ，１２
ｂは、Ｙ方向において互いに異なる中心を持つ２つの部
分円を輪郭に持つ円弧の領域と、三角形状の領域とから
なる。そして、視野領域１２ａの三角形状の領域と視野
領域１２ｂの三角形状の領域とはＸ方向において互いに
重なるように設けられている。これにより、視野領域１
２ａ，１２ｂのＹ方向の幅（スリット幅）の和は、Ｘ方
向のいずれの位置においても常に一定となる。従って、
本実施例では、露光領域１３ａ，１３ｂのＹ方向の幅の
和がＸ方向のいずれの位置においても常に一定である。

【００５７】また、本実施例において、視野領域１２ａ
の−Ｘ方向における端部とマスクＭ上のパターン形成面
ＰＡの−Ｘ方向における端部とが一致し、かつ視野領域
１２ｂの＋Ｘ方向における端部とマスクＭ上のパターン
形成面ＰＡの＋Ｘ方向における端部とが一致している。
従って、１回の走査露光により、マスクＭ上のパターン
形成面ＰＡの全てをプレートＰ上に転写できる。

【００５８】なお、本実施例では、オフナー型光学系を
採用しているため、簡単な光学系でありながら、Ｘ方向
において十分に長い視野を得ることができる。従って、
投影光学系が２組であっても、ステージのステップ動作
の回数を少なくすることが可能であり、かつ大きな露光
領域を達成できる。但し、オフナー型光学系自身の非点
収差の発生により、視野領域１２ａ，１２ｂのＹ方向の
幅（スリット幅）を十分に広くとることができないが、
例えば米国特許第４，２９３，１８６号に開示される光
学系や、特開昭５２−５５４４号公報に開示される光学
系を適用することにより、スリット幅を十分に広げるこ
とができ、スループットの向上を図れる。

【００５９】次に、図７を参照して本発明による第４実
施例を説明する。図７は、第４実施例による走査型露光
装置を概略的に示す斜視図である。図７では、図１と同
様に、走査方向をＸ軸とし、マスクのパターン面内にお
ける走査方向と直交する方向（走査直交方向）をＹ軸と
し、マスクのパターン面の法線方向をＺ軸とする座標系
を採用している。

【００６０】図７において、所定の回路パターンが設け
られたマスクＭと、ガラス基板上にフォトレジストが塗
布されたプレートＰ（基板）とは、それぞれ図示なきマ
スクステージ及びプレートステージ上に載置されてい
る。これらのマスクステージとプレートステージとは、
図中ＸＹ方向に沿って独立に移動可能に設けられてい
る。また、図１では、マスクステージ及びプレートステ
ージを一体的に支持してマスクＭ及びプレートＰをＹＸ
方向に沿って一体的に移動させるキャリッジも図示省略
している。

【００６１】また、図示なきプレートステージ上には、
前述の第１乃至第３実施例と同様に、反射鏡１０１、ビ
ームスプリッタ１００ａ〜１００ｄ及びレーザ光源１０
２から構成される干渉計システムが設けられている。図
７において、マスクＭとプレートＰとの間には、Ｙ方向
に光軸を持つ凹面鏡３０ａ及び凸面鏡３１ａと、光路を
９０°偏向させる光路折曲げミラー３２ａ，３３ａと、
互いに直交する反射面３５ａ，３６ａを持つ台形ミラー
３４ａとを有する投影光学系２２ａが配置されると共
に、この投影光学系２２ａの凹面鏡３０ａ及び凸面鏡３
１ａの光軸と共軸に配置された凹面鏡３０ｂ及び凸面鏡
３１ｂと、互いに直交する反射面３８ｂ，３９ｂを持つ
台形ミラー３７ｂとを有する投影光学系２３ｂが配置さ
れている。

【００６２】ここで、光路折曲げミラー３２ａは、その
反射面がＸＹ平面に対して４５°の傾きであり、かつＸ
Ｚ平面に対して９０°の傾きとなるように設けられてい
る。また、光路折曲げミラー３３ａは、その反射面が光
路折曲げミラー３２ａの反射面と平行となるように設け
られている。投影光学系２２ａの台形ミラー３４ａは、
その反射面３５ａがＹＺ平面に対して４５°の傾きとな
り、かつＸＹ平面に対して直交するように設けられてい
る。また、投影光学系２３ｂの台形ミラー３７ｂは、そ
の反射面３８ｂがＸＹ平面に対して４５°の傾きとな
り、かつＹＺ平面に対して直交するように設けられてい
る。言い換えると、台形ミラー３４ａの反射面３５ａ，
３６ａと、台形ミラー３７ｂの反射面３８ｂ，３９ｂと
は、Ｙ方向を軸として９０°回転させ、Ｚ方向を軸とし
て１８０°回転させた関係にある。

【００６３】投影光学系２２ａは、マスクＭ上において
円弧形状の視野領域１２ａを有し、投影光学系２３ｂ
は、マスクＭ上において円弧形状の視野領域１２ｂを有
する。これらの視野領域１２ａ，１２ｂは、図示なき照
明光学系によって照明される領域によって規定される。
なお、本実施例におけるマスクＭ上における視野領域１
２ａ，１２ｂの配置に関しては、視野領域の円弧の凸面
の向きがＹ方向において逆である点を除いて、図６に示
す第３実施例における視野領域の配置とほぼ同じである
ため、ここでは説明を省略する。

【００６４】次に、投影光学系２２ａの光路について説
明する。図５において、図示なき照明光学系により照明
された視野領域１２ａ内のマスクＭからの光は、図中−
Ｚ方向に沿って進行し、光路折曲げミラー３２ａにて反
射され、図中−Ｘ方向に光路を曲げられる。光路折曲げ
ミラー３２ａからの光は、台形ミラー３４ａの反射面３
５ａにて反射されて、図中−Ｙ方向に沿って進行する。
この台形ミラー３４ａからの光は、凹面鏡３０ａ、凸面
鏡３１ａ、凹面鏡３０ａの順に反射されて、＋Ｙ方向に
沿って進行し、台形ミラー３４ａへ向かう。凹面鏡３０
ａからの光は、台形ミラー３４ａの反射面３６ａにて反
射され、図中−Ｘ方向に偏向されて、光路折曲げミラー
３３ａに達する。台形ミラー３４ａからの光は、光路折
曲げミラー３３ａにて反射されて、図中−Ｚ方向に沿っ
て進行し、プレートＰ上の露光領域１３ａに達する。

【００６５】プレートＰ上の露光領域１３ａ上には、マ
スクＭの視野領域１２ａ内の等倍の倒立像が形成され
る。なお、この等倍の倒立像の横倍率は、Ｘ方向におい
て−１倍、Ｙ方向において＋１倍となる。また、視野領
域１２ａと露光領域１３ａとの位置関係は、Ｘ方向にお
いて互いに異なるものとなる。このとき、視野領域１２
ａと露光領域１３ａとのＸ方向の間隔は、光路折曲げミ
ラー３２ａ，３３ａのＸ方向における間隔に対応する。

【００６６】投影光学系２３ｂの光路について以下に説
明する。図５において、図示なき照明光学系にて照明さ
れたマスクＭ上の視野領域１２ｂからの光は、図中−Ｚ
方向に沿って進行し、台形ミラー３７ａの反射面３８ａ
にて反射され、図中＋Ｙ方向に沿って凹面鏡３０ａへ向
かう。この台形ミラー３７ａからの光は、凹面鏡３０
ａ、凸面鏡３１ａ、凹面鏡３０ａの順に反射された後、
図中−Ｙ方向に沿って進行し、台形ミラー３７ａへ向か
う。この凹面鏡３０ａからの光は、台形ミラー３７ａの
反射面３９ａにて反射されて、図中−Ｚ方向に沿って進
行し、プレートＰ上の露光領域１３ｂに達する。

【００６７】プレートＰ上の露光領域１３ｂ上には、横
倍率がＸ方向において−１倍、Ｙ方向において＋１倍と
なるマスクＭの視野領域１２ｂ内の像、すなわち等倍の
倒立像が形成される。また、視野領域１２ｂと露光領域
１３ｂとの位置関係は、ＸＹ平面内において一致するも
のとなる。従って、本実施例においては、マスクＭ上の
パターンは、Ｚ方向側から見た場合に、投影光学系２２
ａ，２３ｂの光軸（各凹面鏡、各凸面鏡の光軸）を軸と
した対称的な像としてプレートＰ上に転写される。

【００６８】このように、本実施例では、プレートＰ上
に形成されるマスクＭのパターン像の横倍率がＹ方向に
おいて＋１倍となるため、各投影光学系２２ａ，２３ｂ
に対してマスクＭとプレートＰとを一体にＹ方向に沿っ
て移動させることにより、走査露光を実現できる。さら
に、本実施例では、投影光学系２２ａ，２３ｂの視野領
域１２ａ，１２ｂがマスクＭのパターン形成面の全てを
包含しているため、１回の走査露光により、マスクＭの
パターンをプレートＰ上に転写できる。

【００６９】このように、本実施例では、露光時に走査
直交方向への移動動作（ステップ動作）を行う必要がな
いため、マスクステージ及びプレートステージの構成の
簡略化を達成できると共に、これらのステージの制御を
簡単にできる利点がある。さらに、マスクＭとプレート
Ｐとの同方向の移動により走査露光を達成できるため、
プレートＰ上に転写されるパターン像のＹ方向における
倍率誤差を少なくできる効果もある。

【００７０】なお、本実施例においては、投影光学系２
２ａの凹面鏡３０ａ及び凸面鏡３１ａの光軸と、投影光
学系２３ｂの凹面鏡３０ｂ及び凸面鏡３１ｂの光軸と
は、共軸でなくとも良い。また、上述の第３実施例及び
第４実施例においては、投影光学系としてオフナー型光
学系を適用しているが、その代わりに、第１及び第２実
施例に示す如き反射屈折光学系や、ダイソン型光学系を
適用しても良い。

【００７１】

【発明の効果】以上の通り本発明によれば、スループッ
トを招くことなく、大きな露光領域にて良好にマスクの
像を基板上に転写できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第１実施例の走査型露光装置を概
略的に示す斜視図である。

【図２】第１実施例における露光の状態を示す平面図で
ある。

【図３】本発明による第２実施例の走査型露光装置を概
略的に示す斜視図である。

【図４】第２実施例の走査型露光装置による走査方法の
一例を示す平面図である。

【図５】本発明による第３実施例の走査型露光装置を概
略的に示す斜視図である。

【図６】マスク上の視野領域の配置を示す平面図であ
る。

【図７】本発明による第４実施例の走査型露光装置を概
略的に示す斜視図である。

【符号の説明】

１ａ，１ｂ … レンズ群， ２ａ，２ｂ … 平面反射鏡、 ３ａ，３ｂ、４ａ，４ｂ … 偏向プリズム、 １０ａ，１０ｂ … 視野領域、 １１ａ，１１ｂ … 露光領域、 ２０ａ，２０ｂ … 投影光学系、 Ｍ … マスク、 Ｐ … プレート（基板）、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−179723（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−15266（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−124823（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−83744（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−78310（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−6263（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−283115（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−273000（ＪＰ，Ａ) 実開 平５−81841（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクと基板とを走査方向に沿って移動
   させつつ前記マスク上のパターンを前記基板上に投影す
   る走査型露光装置において、 前記マスク上にて第１の視野を有し、該第１の視野内の
   前記マスクの等倍の倒立像を前記基板上に形成する第１
   の投影光学系と、 前記マスク上にて前記第１の視野とは異なる第２の視野
   を有し、該第２の視野内の前記マスクの等倍の倒立像を
   前記基板上に形成する第２の投影光学系とを有し、 前記第１及び第２の投影光学系は、少なくとも像側テレ
   セントリック光学系であることを特徴とする走査型露光
   装置。
2. 【請求項２】 前記第１の視野の前記走査方向とは直交
   する走査直交方向の端部と、前記第２の視野の前記走査
   直交方向の端部とは、前記走査直交方向にて互いに重ね
   合せられることを特徴とする請求項１に記載の走査型露
   光装置。
3. 【請求項３】 前記第１及び第２の投影光学系は、前記
   マスクからの光を前記走査直交方向に沿って偏向させる
   第１の光路偏向部材と、前記走査直交方向に沿った光軸
   を有する反射鏡を持つ光学系と、該光学系を介した前記
   第１の光路偏向部材からの光を前記基板へ向けて偏向さ
   せる第２の光路偏向部材とをそれぞれ有することを特徴
   とする請求項１または２記載の走査型露光装置。
4. 【請求項４】 前記第１及び第２の投影光学系は、前記
   走査方向に沿った光軸を持つ反射鏡を有する光学系をそ
   れぞれ備え、 前記第１の投影光学系は、前記マスクからの光を前記走
   査方向を横切る方向に沿って移送して前記光学系へ導く
   第１の光束移送部材と、前記光学系からの光を前記走査
   方向を横切る方向に沿って移送して前記基板上へ導く第
   ２の光束移送部材とを有し、 前記第２の投影光学系は、前記マスクからの光を前記走
   査方向に沿って偏向させる第１の光路偏向部材と、前記
   光学系の前記反射鏡を介した光を前記基板へ向けて偏向
   させる第２の光路偏向部材とを有することを特徴とする
   請求項１または２記載の走査型露光装置。
5. 【請求項５】 マスクと基板とを走査方向に沿って移動
   させつつ前記マスク 上のパターンを前記基板上に投影す
   る走査露光方法において、 前記マスク上にて第１の視野を有する第１の投影光学系
   を用いて、前記第１の視野内の前記マスクの等倍の倒立
   像を前記基板上に形成する第１工程と、 前記マスク上にて前記第１の視野とは異なる第２の視野
   を有する第２の投影光学系を用いて、前記第２の視野内
   の前記マスクの等倍の倒立像を前記基板上に形成する第
   ２工程とを備え、 前記第１及び第２の投影光学系は、少なくとも像側テレ
   セントリック光学系であることを特徴とする走査露光方
   法。
6. 【請求項６】 前記第１の視野の前記走査方向とは直交
   する走査直交方向の端部と、前記第２の視野の前記走査
   直交方向の端部とは、前記走査直交方向にて互いに重ね
   合せられることを特徴とする請求項５に記載の走査露光
   方法。
7. 【請求項７】 前記第１及び第２工程は、前記マスクか
   らの光を前記走査直交方向に沿って偏向させる第１光路
   偏向工程と、前記変更された光を前記走査直交方向に沿
   った光軸を有する反射鏡を持つ光学系へ導く工程と、該
   光学系を介した光を光を前記基板へ向けて偏向させる第
   ２光路偏向工程とをそれぞれ備えることを特徴とする請
   求項５または６記載の走査露光方法。
8. 【請求項８】 前記第１及び第２の投影光学系は、前記
   走査方向に沿った光軸を持つ反射鏡を有する光学系をそ
   れぞれ備え、 前記第１工程は、前記マスクからの光を前記走査方向を
   横切る方向に沿って移送して前記光学系へ導く第１光束
   移送工程と、前記光学系からの光を前記走査方向を横切
   る方向に沿って移送して前記基板上へ導く第２光束移送
   工程とを有し、 前記第２工程は、前記マスクからの光を前記走査方向に
   沿って偏向させる第１光路偏向工程と、前記光学系の前
   記反射鏡を介した光を前記基板へ向けて偏向させる第２
   光路偏向工程とを有することを特徴とする請求項５また
   は６記載の走査露光方法。