JP3498094B2 - 半導体チップ内の回路配線または電極の形成方法 - Google Patents
半導体チップ内の回路配線または電極の形成方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ内の回路
配線または電極の材料が銅又は銅合金である半導体チッ
プ内の回路配線または電極の形成方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子の回路配線や電極材料
には、アルミニウム合金が用いられてきた。近年、半導
体素子の高集積化に伴い、配線パタ−ンの微細化が進行
し、配線幅として０．５μｍ以下が要求されてきてい
る。しかし、配線断面積の減少に伴い、配線遅延時間の
増加による回路応答速度の低下、および発熱量の増加や
電流密度の増加によるエレクトロマイグレ−ションの進
行による配線寿命の低下等の問題が懸念されている。こ
の問題を回避するために、特開昭６１−２９４８３８号
公報、特開昭６３−２４８５３８号公報又は特開昭６２
−２９０１５０号公報に記載のように、アルミニウム系
配線材料よりも電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイ
グレ−ション性に優れた銅あるいは銅合金を用いた配線
材料が開発されている。すなわち、銅はアルミニウムに
比べ、電気抵抗が３分の２、融点が４００℃以上高く、
またエレクトロマイグレ−ションの進行による配線寿命
も１０倍以上優れているので、半導体装置を形成した場
合、その高速応答性および信頼性向上が図れる。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、銅は耐酸化性
および耐食性の点で、銅合金では電気伝導性の点で問題
がある。すなわち、銅はアルミニウムに比べ、その表面
に生成する酸化皮膜の保護性が低いため、高温酸化を受
けやすく、また酸性溶液中では腐食しやすい。配線材料
はその製造工程において高温ガス雰囲気や硝フッ酸溶液
のような酸化性水溶液環境に曝されたり、組立後の検査
工程において耐湿信頼性が試験されるので、高い耐食性
が要求される。 【０００４】また耐酸化性および耐食性の向上を図った
銅合金では、合金化元素の添加量の増加に伴って電気伝
導性が低下するといった問題点がある。したがって、配
線材料としての電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイ
グレ−ション性を満足し、さらに耐酸化性および耐食性
の向上を図ることが重要な技術課題である。 【０００５】本発明の目的は、電気伝導性、耐熱性、耐
エレクトロマイグレ−ション性および、耐酸化性や耐食
性に優れた配線材料を用いることにより、高速応答性と
信頼性に優れた半導体チップ内の回路配線または電極の
形成方法を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体膜と銅又は銅合金とのオ−ミック
コンタクト用の金属膜と、銅又は銅合金に対するバリア
金属と、銅又は銅合金とを順次重ねて形成する工程と、
前記各膜上にホトレジストにより回路を描写し、その描
写パターンに従ってドライエッチングする工程と、ドラ
イエッチング後に露出した銅又は銅合金表面上に選択的
にその銅又は銅合金よりも高い耐食性を有する銅の化合
物を形成する工程と、ホトレジストを除去する工程と、
ホトレジスト除去後に露出した銅又は銅合金表面上に選
択的にその銅又は銅合金よりも高い耐食性を有する銅の
化合物を形成する工程と、を有することを特徴とする半
導体チップ内の回路配線または電極の形成方法を採用し
たものである。 【０００７】 【作用】本発明によれば、電気伝導性、耐熱性、耐エレ
クトロマイグレ−ション性に優れた銅配線表面上に、耐
酸化性や耐食性に優れた銅の化合物を形成することによ
り、銅の持つ電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイグ
レ−ション性と銅の化合物の持つ耐酸化性や耐食性を兼
ね備えた配線材料が得られる。 【０００８】形成される銅の化合物としては、例えば銅
−チタン、銅−ニッケル、銅−銀のような高耐食性の合
金、あるいは銅の窒化物等があり、その厚さは耐食性が
保たれるならば極力薄い方が良い。なぜならば、これら
の化合物は銅に比べて電気伝導率が低いため、厚くなる
と高速応答性が劣化するからである。このようなことか
ら銅の化合物の厚さとしては０．００１〜０．１μｍが
好ましい。 【０００９】添加元素の添加量は、その上限はその合金
の電気的及び機械的特性により規定され、その下限は酸
化抑制効果が現れるようにすることから規定される。そ
こで各元素の添加量は以下の範囲がよい。金属元素の含
有量は、重量％にして、Ａｇ；０．２〜５０％，Ｂｅ；
０．０５〜１０％，Ｃｒ；０．０５〜５０％，Ｎｉ；
０．２〜５０％，Ｐｄ；０．１〜５０％，Ｐｔ；０．１
〜５０％である。 【００１０】Ｃｕ−金属元素合金は、表面に生成する酸
化物皮膜の保護作用により酸化を抑制する。すなわち、
金属表面は酸化を抑制するに必要な最低限の量だけの酸
化物で覆われている。一方、表面に生成したＣｕ−Ｎ及
びＣｕ−Ｐは、それ自体が酸化に対して安定な化合物で
あり、この化合物により酸素と金属とが隔絶されている
ので金属の酸化が進行しない。 【００１１】銅の化合物は、真空蒸着法、スパッタ法、
イオンプレ−ティング法、イオンクラスタビ−ム法、プ
ラズマ反応法、化学的気相成長法等のような物理的ある
いは化学的な方法により形成される。 【００１２】 【実施例】図１に本発明を施した半導体装置の断面図を
示す。本発明により、銅配線１の表面は耐食性の高い銅
−ニッケル合金２で覆われているので、その後のプロセ
スにおいても銅配線１の腐食は抑制される。図におい
て、３は二酸化ケイ素、４はシリコンウエハ、５はオー
ミックコンタクトを取るための金属層、６はバリア金属
を示す。図２は、ＣｕにＮｉを添加した場合のニツケル
濃度に対する銅配線の相対酸化量をプロットした図であ
る。図２から、０．２重量％以上のＮｉを添加すると酸
化抑制効果が現れることがわかる。形成された銅−ニッ
ケル合金２は極めて薄いため、電気的特性、あるいは熱
的特性は銅配線１の特性と同等である。本発明により耐
食信頼性に優れて、銅と同様の電気伝導性、耐熱性、耐
エレクトロマイグレ−ション性を有する半導体装置を提
供することができる。 【００１３】図３に、本発明を施した各種の銅配線の酸
素プラズマによる酸化試験の結果を示す。本発明を施し
た銅配線を一定時間酸素プラズマ中に曝し、酸化させ
る。酸化量は試験後の酸化銅の量を電気化学的方法によ
り定量化した。本発明の処理を施さない銅配線（Ｃｕ）
の酸化量に比べ、銀、鉄、ニッケル、亜鉛又はジルコニ
ウム合金を形成した銅配線（Ｃｕ−１Ａｇ、Ｃｕ−１Ｆ
ｅ、Ｃｕ−１Ｎｉ、Ｃｕ−１Ｚｎ、Ｃｕ−１Ｚｒ）、ま
たは窒化銅を形成した銅配線（Ｃｕ−Ｎ）の方が５０％
以下に低減していることがわかる。これより本発明を施
した銅配線が、従来の銅配線に比べて高い耐酸化性を有
することが明らかになった。 【００１４】尚、図３の中にＣｕ−１Ａｌ合金（特開昭
６２−２９０１５０号公報）の相対酸化量を示したが、
この図からＣｕ−１Ａｌ合金はＣｕの６０％程度であっ
て５０％を超えており、酸化抑制効果としては充分とは
言えないことがわかる。合金化による耐酸化性の向上に
は２つの手法がある。 貴金属等の酸化されにくい金
属を添加する（Ａｇ）。 酸化されやすい金属を添加
し、保護性の酸化皮膜を表面に形成させ合金を保護する
（Ｎｉ等）。ＡｌはＣｕよりも酸素との親和性が高く、
さらに酸化物自体の酸化抑制効果は高い。しかしＣｕ合
金中におけるＡｌの移動速度が小さいために、Ｃｕ合金
表面に保護性の酸化物が形成するのに充分な量のＡｌが
移動しないので、充分な酸化抑制効果が得られないもの
と思われる。 【００１５】図４に本発明による銅配線表面への窒化銅
の形成方法を示す。二酸化ケイ素３の形成されたシリコ
ンウエハ４上に、オ−ミックコンタクトを取るための金
属５および銅とケイ素との拡散を防ぐためのバリア金属
６を介して銅配線１がホトレジスト７のパタ−ンに従っ
てドライエッチングにより形成されている（ａ）。通常
は、酸素プラズマによりホトレジスト７を酸化し除去す
る。しかし、この時配線側面は銅が露出しているため、
銅も同時に酸化されてしまい、配線の信頼性は著しく低
下する。 【００１６】そこで、減圧下の反応容器内に窒素ガスを
導入し、マイクロ波により窒素プラズマを生成させ、こ
の窒素プラズマと銅を選択的に反応させることにより、
配線側面に窒化銅（Ｃｕ−Ｎ）２１を形成する（ｂ）。
ここで形成された窒化銅２１は耐酸化性に優れているの
で、後の酸素プラズマによりホトレジストを炭化し除去
するプロセス（ｃ）においても露出している銅配線は酸
化されない。さらに、ホトレジストを除去した後、銅が
露出した配線の上部と窒素プラズマと選択的に反応させ
ることにより、配線上部に窒化銅２２を形成する
（ｄ）。 【００１７】以上の工程により銅配線１の表面は耐酸化
性に優れる窒化銅２１，２２で覆われているために、そ
の後のプロセスにおける銅配線の腐食は抑制される。ま
た形成された窒化銅の厚さは２〜３ｎｍであるので、電
気的特性、あるいは熱的特性に影響を与えない。本実施
例により配線をパタ−ンニングする工程およびその後の
工程における銅の酸化を抑制し、耐酸化性に優れた配線
を形成する手段を提供できる。 【００１８】 図５に参考例である銅配線表面への銅の
化合物の形成方法を示す。二酸化ケイ素３の形成された
シリコンウエハ４上に、オ−ミックコンタクトを取るた
めの金属５および銅とケイ素との拡散を防ぐためのバリ
ア金属６を介して銅配線１が形成されている（ａ）。こ
の配線が形成されているシリコンウエハ上全面に、銅−
ニッケル合金２３をスパッタ法により堆積させる
（ｂ）。そして、ホトレジスト７により配線パタ−ン描
写（ｃ）後、塩素−アンモニア−窒素系ガスでエッチン
グすることにより配線を形成する（ｄ）。これにより銅
配線は耐食性に優れる銅−ニッケル合金２３で被覆され
るので、その後のプロセスにおいて銅配線は腐食されな
い。本参考例により耐食性の優れ、銅と同様の電気伝導
性、耐熱性、耐エレクトロマイグレ−ション性を有する
化合物を形成する方法を提供できる。 【００１９】 図６に他の参考例による銅配線表面への
銅の化合物の形成方法を示す。二酸化ケイ素３の形成さ
れたシリコンウエハ４上に、オ−ミックコンタクトを取
るための金属５および銅とケイ素との拡散を防ぐための
バリア金属６を介いて銅配線１が形成されている
（ａ）。この銅配線上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）
により銅−銀合金２４を形成する（ｂ）。ここで形成さ
れた銅−銀合金２４は耐酸化性に優れているので、その
後のプロセスにおいても銅配線は酸化されない。また形
成された銅−銀合金の厚さは２〜３ｎｍであるので、電
気的特性、あるいは熱的特性に影響を与えない。本参考
例により耐酸化性の優れ、銅と同様の電気伝導性、耐熱
性、耐エレクトロマイグレ−ション性を有する化合物を
形成する方法を提供できる。 【００２０】 【発明の効果】本発明によれば、銅配線の酸化、あるい
は腐食を抑制し、しかも銅の持つ優れた電気的特性や熱
的特性を維持できるので、耐酸化性あるいは耐食性さら
に、電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイグレ−ショ
ン性に優れた銅配線を有する信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。
配線または電極の材料が銅又は銅合金である半導体チッ
プ内の回路配線または電極の形成方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体素子の回路配線や電極材料
には、アルミニウム合金が用いられてきた。近年、半導
体素子の高集積化に伴い、配線パタ−ンの微細化が進行
し、配線幅として０．５μｍ以下が要求されてきてい
る。しかし、配線断面積の減少に伴い、配線遅延時間の
増加による回路応答速度の低下、および発熱量の増加や
電流密度の増加によるエレクトロマイグレ−ションの進
行による配線寿命の低下等の問題が懸念されている。こ
の問題を回避するために、特開昭６１−２９４８３８号
公報、特開昭６３−２４８５３８号公報又は特開昭６２
−２９０１５０号公報に記載のように、アルミニウム系
配線材料よりも電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイ
グレ−ション性に優れた銅あるいは銅合金を用いた配線
材料が開発されている。すなわち、銅はアルミニウムに
比べ、電気抵抗が３分の２、融点が４００℃以上高く、
またエレクトロマイグレ−ションの進行による配線寿命
も１０倍以上優れているので、半導体装置を形成した場
合、その高速応答性および信頼性向上が図れる。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、銅は耐酸化性
および耐食性の点で、銅合金では電気伝導性の点で問題
がある。すなわち、銅はアルミニウムに比べ、その表面
に生成する酸化皮膜の保護性が低いため、高温酸化を受
けやすく、また酸性溶液中では腐食しやすい。配線材料
はその製造工程において高温ガス雰囲気や硝フッ酸溶液
のような酸化性水溶液環境に曝されたり、組立後の検査
工程において耐湿信頼性が試験されるので、高い耐食性
が要求される。 【０００４】また耐酸化性および耐食性の向上を図った
銅合金では、合金化元素の添加量の増加に伴って電気伝
導性が低下するといった問題点がある。したがって、配
線材料としての電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイ
グレ−ション性を満足し、さらに耐酸化性および耐食性
の向上を図ることが重要な技術課題である。 【０００５】本発明の目的は、電気伝導性、耐熱性、耐
エレクトロマイグレ−ション性および、耐酸化性や耐食
性に優れた配線材料を用いることにより、高速応答性と
信頼性に優れた半導体チップ内の回路配線または電極の
形成方法を提供することにある。 【０００６】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体膜と銅又は銅合金とのオ−ミック
コンタクト用の金属膜と、銅又は銅合金に対するバリア
金属と、銅又は銅合金とを順次重ねて形成する工程と、
前記各膜上にホトレジストにより回路を描写し、その描
写パターンに従ってドライエッチングする工程と、ドラ
イエッチング後に露出した銅又は銅合金表面上に選択的
にその銅又は銅合金よりも高い耐食性を有する銅の化合
物を形成する工程と、ホトレジストを除去する工程と、
ホトレジスト除去後に露出した銅又は銅合金表面上に選
択的にその銅又は銅合金よりも高い耐食性を有する銅の
化合物を形成する工程と、を有することを特徴とする半
導体チップ内の回路配線または電極の形成方法を採用し
たものである。 【０００７】 【作用】本発明によれば、電気伝導性、耐熱性、耐エレ
クトロマイグレ−ション性に優れた銅配線表面上に、耐
酸化性や耐食性に優れた銅の化合物を形成することによ
り、銅の持つ電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイグ
レ−ション性と銅の化合物の持つ耐酸化性や耐食性を兼
ね備えた配線材料が得られる。 【０００８】形成される銅の化合物としては、例えば銅
−チタン、銅−ニッケル、銅−銀のような高耐食性の合
金、あるいは銅の窒化物等があり、その厚さは耐食性が
保たれるならば極力薄い方が良い。なぜならば、これら
の化合物は銅に比べて電気伝導率が低いため、厚くなる
と高速応答性が劣化するからである。このようなことか
ら銅の化合物の厚さとしては０．００１〜０．１μｍが
好ましい。 【０００９】添加元素の添加量は、その上限はその合金
の電気的及び機械的特性により規定され、その下限は酸
化抑制効果が現れるようにすることから規定される。そ
こで各元素の添加量は以下の範囲がよい。金属元素の含
有量は、重量％にして、Ａｇ；０．２〜５０％，Ｂｅ；
０．０５〜１０％，Ｃｒ；０．０５〜５０％，Ｎｉ；
０．２〜５０％，Ｐｄ；０．１〜５０％，Ｐｔ；０．１
〜５０％である。 【００１０】Ｃｕ−金属元素合金は、表面に生成する酸
化物皮膜の保護作用により酸化を抑制する。すなわち、
金属表面は酸化を抑制するに必要な最低限の量だけの酸
化物で覆われている。一方、表面に生成したＣｕ−Ｎ及
びＣｕ−Ｐは、それ自体が酸化に対して安定な化合物で
あり、この化合物により酸素と金属とが隔絶されている
ので金属の酸化が進行しない。 【００１１】銅の化合物は、真空蒸着法、スパッタ法、
イオンプレ−ティング法、イオンクラスタビ−ム法、プ
ラズマ反応法、化学的気相成長法等のような物理的ある
いは化学的な方法により形成される。 【００１２】 【実施例】図１に本発明を施した半導体装置の断面図を
示す。本発明により、銅配線１の表面は耐食性の高い銅
−ニッケル合金２で覆われているので、その後のプロセ
スにおいても銅配線１の腐食は抑制される。図におい
て、３は二酸化ケイ素、４はシリコンウエハ、５はオー
ミックコンタクトを取るための金属層、６はバリア金属
を示す。図２は、ＣｕにＮｉを添加した場合のニツケル
濃度に対する銅配線の相対酸化量をプロットした図であ
る。図２から、０．２重量％以上のＮｉを添加すると酸
化抑制効果が現れることがわかる。形成された銅−ニッ
ケル合金２は極めて薄いため、電気的特性、あるいは熱
的特性は銅配線１の特性と同等である。本発明により耐
食信頼性に優れて、銅と同様の電気伝導性、耐熱性、耐
エレクトロマイグレ−ション性を有する半導体装置を提
供することができる。 【００１３】図３に、本発明を施した各種の銅配線の酸
素プラズマによる酸化試験の結果を示す。本発明を施し
た銅配線を一定時間酸素プラズマ中に曝し、酸化させ
る。酸化量は試験後の酸化銅の量を電気化学的方法によ
り定量化した。本発明の処理を施さない銅配線（Ｃｕ）
の酸化量に比べ、銀、鉄、ニッケル、亜鉛又はジルコニ
ウム合金を形成した銅配線（Ｃｕ−１Ａｇ、Ｃｕ−１Ｆ
ｅ、Ｃｕ−１Ｎｉ、Ｃｕ−１Ｚｎ、Ｃｕ−１Ｚｒ）、ま
たは窒化銅を形成した銅配線（Ｃｕ−Ｎ）の方が５０％
以下に低減していることがわかる。これより本発明を施
した銅配線が、従来の銅配線に比べて高い耐酸化性を有
することが明らかになった。 【００１４】尚、図３の中にＣｕ−１Ａｌ合金（特開昭
６２−２９０１５０号公報）の相対酸化量を示したが、
この図からＣｕ−１Ａｌ合金はＣｕの６０％程度であっ
て５０％を超えており、酸化抑制効果としては充分とは
言えないことがわかる。合金化による耐酸化性の向上に
は２つの手法がある。 貴金属等の酸化されにくい金
属を添加する（Ａｇ）。 酸化されやすい金属を添加
し、保護性の酸化皮膜を表面に形成させ合金を保護する
（Ｎｉ等）。ＡｌはＣｕよりも酸素との親和性が高く、
さらに酸化物自体の酸化抑制効果は高い。しかしＣｕ合
金中におけるＡｌの移動速度が小さいために、Ｃｕ合金
表面に保護性の酸化物が形成するのに充分な量のＡｌが
移動しないので、充分な酸化抑制効果が得られないもの
と思われる。 【００１５】図４に本発明による銅配線表面への窒化銅
の形成方法を示す。二酸化ケイ素３の形成されたシリコ
ンウエハ４上に、オ−ミックコンタクトを取るための金
属５および銅とケイ素との拡散を防ぐためのバリア金属
６を介して銅配線１がホトレジスト７のパタ−ンに従っ
てドライエッチングにより形成されている（ａ）。通常
は、酸素プラズマによりホトレジスト７を酸化し除去す
る。しかし、この時配線側面は銅が露出しているため、
銅も同時に酸化されてしまい、配線の信頼性は著しく低
下する。 【００１６】そこで、減圧下の反応容器内に窒素ガスを
導入し、マイクロ波により窒素プラズマを生成させ、こ
の窒素プラズマと銅を選択的に反応させることにより、
配線側面に窒化銅（Ｃｕ−Ｎ）２１を形成する（ｂ）。
ここで形成された窒化銅２１は耐酸化性に優れているの
で、後の酸素プラズマによりホトレジストを炭化し除去
するプロセス（ｃ）においても露出している銅配線は酸
化されない。さらに、ホトレジストを除去した後、銅が
露出した配線の上部と窒素プラズマと選択的に反応させ
ることにより、配線上部に窒化銅２２を形成する
（ｄ）。 【００１７】以上の工程により銅配線１の表面は耐酸化
性に優れる窒化銅２１，２２で覆われているために、そ
の後のプロセスにおける銅配線の腐食は抑制される。ま
た形成された窒化銅の厚さは２〜３ｎｍであるので、電
気的特性、あるいは熱的特性に影響を与えない。本実施
例により配線をパタ−ンニングする工程およびその後の
工程における銅の酸化を抑制し、耐酸化性に優れた配線
を形成する手段を提供できる。 【００１８】 図５に参考例である銅配線表面への銅の
化合物の形成方法を示す。二酸化ケイ素３の形成された
シリコンウエハ４上に、オ−ミックコンタクトを取るた
めの金属５および銅とケイ素との拡散を防ぐためのバリ
ア金属６を介して銅配線１が形成されている（ａ）。こ
の配線が形成されているシリコンウエハ上全面に、銅−
ニッケル合金２３をスパッタ法により堆積させる
（ｂ）。そして、ホトレジスト７により配線パタ−ン描
写（ｃ）後、塩素−アンモニア−窒素系ガスでエッチン
グすることにより配線を形成する（ｄ）。これにより銅
配線は耐食性に優れる銅−ニッケル合金２３で被覆され
るので、その後のプロセスにおいて銅配線は腐食されな
い。本参考例により耐食性の優れ、銅と同様の電気伝導
性、耐熱性、耐エレクトロマイグレ−ション性を有する
化合物を形成する方法を提供できる。 【００１９】 図６に他の参考例による銅配線表面への
銅の化合物の形成方法を示す。二酸化ケイ素３の形成さ
れたシリコンウエハ４上に、オ−ミックコンタクトを取
るための金属５および銅とケイ素との拡散を防ぐための
バリア金属６を介いて銅配線１が形成されている
（ａ）。この銅配線上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）
により銅−銀合金２４を形成する（ｂ）。ここで形成さ
れた銅−銀合金２４は耐酸化性に優れているので、その
後のプロセスにおいても銅配線は酸化されない。また形
成された銅−銀合金の厚さは２〜３ｎｍであるので、電
気的特性、あるいは熱的特性に影響を与えない。本参考
例により耐酸化性の優れ、銅と同様の電気伝導性、耐熱
性、耐エレクトロマイグレ−ション性を有する化合物を
形成する方法を提供できる。 【００２０】 【発明の効果】本発明によれば、銅配線の酸化、あるい
は腐食を抑制し、しかも銅の持つ優れた電気的特性や熱
的特性を維持できるので、耐酸化性あるいは耐食性さら
に、電気伝導性、耐熱性、耐エレクトロマイグレ−ショ
ン性に優れた銅配線を有する信頼性の高い半導体装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の一実施例の構造を示
した要部断面図である。 【図２】本発明を施した銅配線の酸化量に及ぼすニッケ
ル添加量の影響を示した図である。 【図３】本発明を施した銅配線の酸化量を比較した図で
ある。 【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例による銅配線
の形成方法を示す図である。 【図５】（ａ）〜（ｄ）は参考例の形成方法を示す図で
ある。 【図６】（ａ）及び（ｂ）は他の参考例の形成方法を示
す図である。
した要部断面図である。 【図２】本発明を施した銅配線の酸化量に及ぼすニッケ
ル添加量の影響を示した図である。 【図３】本発明を施した銅配線の酸化量を比較した図で
ある。 【図４】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例による銅配線
の形成方法を示す図である。 【図５】（ａ）〜（ｄ）は参考例の形成方法を示す図で
ある。 【図６】（ａ）及び（ｂ）は他の参考例の形成方法を示
す図である。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−192527（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−350938（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−125447（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/28 - 21/288
H01L 21/3205 - 21/3213
H01L 21/768
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体膜と銅又は銅合金とのオ−ミック
コンタクト用の金属膜と、銅又は銅合金に対するバリア
金属と、銅又は銅合金とを順次重ねて形成する工程と、
前記各膜上にホトレジストにより回路を描写し、その描
写パターンに従ってドライエッチングする工程と、ドラ
イエッチング後に露出した銅又は銅合金表面上に選択的
にその銅又は銅合金よりも高い耐食性を有する銅の化合
物を形成する工程と、ホトレジストを除去する工程と、
ホトレジスト除去後に露出した銅又は銅合金表面上に選
択的にその銅又は銅合金よりも高い耐食性を有する銅の
化合物を形成する工程と、を有することを特徴とする半
導体チップ内の回路配線または電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001159041A JP3498094B2 (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 半導体チップ内の回路配線または電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001159041A JP3498094B2 (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 半導体チップ内の回路配線または電極の形成方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002033324A JP2002033324A (ja) | 2002-01-31 |
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Family
ID=19002683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2001159041A Expired - Lifetime JP3498094B2 (ja) | 2001-05-28 | 2001-05-28 | 半導体チップ内の回路配線または電極の形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498094B2 (ja) |
-
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- 2001-05-28 JP JP2001159041A patent/JP3498094B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002033324A (ja) | 2002-01-31 |
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