JPH0262035A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0262035A JPH0262035A JP21253988A JP21253988A JPH0262035A JP H0262035 A JPH0262035 A JP H0262035A JP 21253988 A JP21253988 A JP 21253988A JP 21253988 A JP21253988 A JP 21253988A JP H0262035 A JPH0262035 A JP H0262035A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にその集積回路の電極配
線構造に関するものである。
線構造に関するものである。
シリコンを用いた半導体集積回路の配線は主にアルミニ
ウムが使用されてきた。しかし、その高密度化とともに
、配線の幅も狭くなシ、流れる電流密度の増加によるエ
レクトロマイグレーション、層間絶縁膜の応力によるス
トレスマイグレーションによる断線が問題になっている
。このマイグレーションは金属の機械的強度、および金
属の再結晶化温度と関係があシ、これを解決する方法と
しては一般的に機械的熱的に強く再結晶化温度の高い材
料を使用することが行われる。例えばアルミニウムへの
銅の添加は最も広く行われている。また、高融点金属で
あるタングステンは極めてマイグレーション耐性がある
ことが知られ、更に過酷な条件での配線として提案され
ている。
ウムが使用されてきた。しかし、その高密度化とともに
、配線の幅も狭くなシ、流れる電流密度の増加によるエ
レクトロマイグレーション、層間絶縁膜の応力によるス
トレスマイグレーションによる断線が問題になっている
。このマイグレーションは金属の機械的強度、および金
属の再結晶化温度と関係があシ、これを解決する方法と
しては一般的に機械的熱的に強く再結晶化温度の高い材
料を使用することが行われる。例えばアルミニウムへの
銅の添加は最も広く行われている。また、高融点金属で
あるタングステンは極めてマイグレーション耐性がある
ことが知られ、更に過酷な条件での配線として提案され
ている。
一方、銅は電気抵抗が低くマイグレーション耐性の高い
ことで有利な材料として検討されている。
ことで有利な材料として検討されている。
また、銅の合金としてはベリラム(B・)を添加したも
のが、タンゲステン並の極めて高いマイグレーション耐
性を持っている。
のが、タンゲステン並の極めて高いマイグレーション耐
性を持っている。
しかし、銅を添加したアルミニウムはエレクトロマイク
レージョン、ストレスマイグレーション双方に対して成
る程度の効果を持つが、今後のさらにパターン寸法の縮
小とともに限界がでてくる。
レージョン、ストレスマイグレーション双方に対して成
る程度の効果を持つが、今後のさらにパターン寸法の縮
小とともに限界がでてくる。
タングステンは電気抵抗が高く今後の集積回路における
設計の自由度をさまたげる。純銅では0.5μmを切る
微細な配線においては再結晶化温度が200℃と比較的
低いため、層間絶縁膜形成などの熱処理時に機械的強度
が弱くなり、更に耐マイグレーシヨン性金高める必要が
ある。Bs添加の銅ではアルミニウムよりも抵抗が高く
なることで、銅の低抵抗の性質を得ることができない問
題がある0 本発明は以上の点に蹟み、かかる問題点を解決するため
になされたもので、その目的は、低抵抗でかつマイグレ
ーションに対する耐性の高い銅合金を電極配線に用いる
ことにより、高密度の牛導体集棟回路の高信頼性、高速
化を可能にした半導体装置を提供することにある。
設計の自由度をさまたげる。純銅では0.5μmを切る
微細な配線においては再結晶化温度が200℃と比較的
低いため、層間絶縁膜形成などの熱処理時に機械的強度
が弱くなり、更に耐マイグレーシヨン性金高める必要が
ある。Bs添加の銅ではアルミニウムよりも抵抗が高く
なることで、銅の低抵抗の性質を得ることができない問
題がある0 本発明は以上の点に蹟み、かかる問題点を解決するため
になされたもので、その目的は、低抵抗でかつマイグレ
ーションに対する耐性の高い銅合金を電極配線に用いる
ことにより、高密度の牛導体集棟回路の高信頼性、高速
化を可能にした半導体装置を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置は、半
導体菓子間の電極配線に、銀、ジルコニウム、カドミウ
ム及びクロムのうちいずれか1つを姉加した銅合金を用
いることを特徴とするものである。
導体菓子間の電極配線に、銀、ジルコニウム、カドミウ
ム及びクロムのうちいずれか1つを姉加した銅合金を用
いることを特徴とするものである。
したがって、本発明によれば、銀添加した銅合金1次は
ジルコニウム添加した銅合金またはカドミウム添加また
はクロム添加した鋼合金は、銅個有の抵抗率を保ちなが
ら、熱的2機械的強度を保つ性質を持つ配線を実現でき
る。
ジルコニウム添加した銅合金またはカドミウム添加また
はクロム添加した鋼合金は、銅個有の抵抗率を保ちなが
ら、熱的2機械的強度を保つ性質を持つ配線を実現でき
る。
実施例1゜
図に本発明による銀添加鋼つまりCu Ag合金を用い
た配線構造の一実施例を示す。この実施例は、半導体素
子を含むシリコン(Sl)基板1の上に酸化シリコンな
どの絶縁膜2を形成し、その絶縁膜2の素子コンタクト
用n 領域部6に対応してコンタクトホール7をリアク
ティブイオンエツチングで開孔したのち、チタンナイト
ライドでバリア層3を形成し、その上にスノくツタリン
グまたは同時蒸着でCuAg合金換4を配線層として形
成する。次いで、リアクティブイオンエツチングまたは
スパッタリングでこれを加工したのち、酸化シリコンな
どの絶縁膜5をノくツシベーション膜として堆積して形
成したものでおる。
た配線構造の一実施例を示す。この実施例は、半導体素
子を含むシリコン(Sl)基板1の上に酸化シリコンな
どの絶縁膜2を形成し、その絶縁膜2の素子コンタクト
用n 領域部6に対応してコンタクトホール7をリアク
ティブイオンエツチングで開孔したのち、チタンナイト
ライドでバリア層3を形成し、その上にスノくツタリン
グまたは同時蒸着でCuAg合金換4を配線層として形
成する。次いで、リアクティブイオンエツチングまたは
スパッタリングでこれを加工したのち、酸化シリコンな
どの絶縁膜5をノくツシベーション膜として堆積して形
成したものでおる。
ここにおいて、本発明者らの行なった実験結果によると
、鋼に微量の銀を添加したCuAg合金は添加量0.0
5%から6%で再結晶化温度は純銅の200℃に対し3
50から400℃に上昇し、弓張力強度は純銅の200
から300MPaに比べ、500から1000MPaを
示し、タングステンの引張シ強度1500MPaとそん
しよくの無い強さを示した。さらに、パッシベーション
膜がl11mの配線に与える応力400 paよシ強く
、十分なストレスマイグレーション耐性を持っているこ
とが確認された。この時、抵抗は最も高くて2.2μΩ
am程度と極めて低抵抗であった。
、鋼に微量の銀を添加したCuAg合金は添加量0.0
5%から6%で再結晶化温度は純銅の200℃に対し3
50から400℃に上昇し、弓張力強度は純銅の200
から300MPaに比べ、500から1000MPaを
示し、タングステンの引張シ強度1500MPaとそん
しよくの無い強さを示した。さらに、パッシベーション
膜がl11mの配線に与える応力400 paよシ強く
、十分なストレスマイグレーション耐性を持っているこ
とが確認された。この時、抵抗は最も高くて2.2μΩ
am程度と極めて低抵抗であった。
実施例2゜
本実施例は、上記実施例1と同様の配線構造において、
配線層として銅に微量のジルコニウム(Zr)を添加し
たCuZr合金膜を用い次ものである。この実施例によ
ると、銅にジルコニウムを添加したCuZr合金は添加
量0.05%から1%で再結晶温度は500℃から60
0℃にも達し、引張シ強度もsooMpa程度が得られ
た。この時、抵抗も2.2μΩam以下の低抵抗であっ
た。
配線層として銅に微量のジルコニウム(Zr)を添加し
たCuZr合金膜を用い次ものである。この実施例によ
ると、銅にジルコニウムを添加したCuZr合金は添加
量0.05%から1%で再結晶温度は500℃から60
0℃にも達し、引張シ強度もsooMpa程度が得られ
た。この時、抵抗も2.2μΩam以下の低抵抗であっ
た。
実施例3゜
本実施例は、上記実施例1と同様の配線構造において、
配mFflJとして、通常のスパッタ法で銅にカドミウ
ム(Cd)を微量に添加して形成したCuCd合金膜を
用いたものである。この実施例によると、銅にカドミニ
ウムを添加したCuCd合金は添加量0.05%から1
%で再結晶化温度は350℃から400℃に上昇し、引
張り強度は500MPaから800MPaになp1抵抗
もCuZr合金と同等であった。
配mFflJとして、通常のスパッタ法で銅にカドミウ
ム(Cd)を微量に添加して形成したCuCd合金膜を
用いたものである。この実施例によると、銅にカドミニ
ウムを添加したCuCd合金は添加量0.05%から1
%で再結晶化温度は350℃から400℃に上昇し、引
張り強度は500MPaから800MPaになp1抵抗
もCuZr合金と同等であった。
実施例4゜
本実施例が上記実施例1と異なる点は、配線層として銅
に微量のクロム(Cr)を添加したC uCr合金膜を
用いたことである。本実施例においても銅にクロムを添
加し九CuCr合金は添加量0.5チから1%で再結晶
化温度は400〜500℃程度が得られ、また、引張シ
強度及び抵抗もCuZr合金と同等の結果が得られた。
に微量のクロム(Cr)を添加したC uCr合金膜を
用いたことである。本実施例においても銅にクロムを添
加し九CuCr合金は添加量0.5チから1%で再結晶
化温度は400〜500℃程度が得られ、また、引張シ
強度及び抵抗もCuZr合金と同等の結果が得られた。
以上説明したように、本発明の半導体装置は、電極配線
に、銅に微量の銀またはジルコニウムまたはカドミウム
またはクロムを添加した銅合金を用いることによシ、銅
・と同程度に低抵抗でストレスマイグレーション、エレ
クトロマイグレーションに対しての耐性を持つ配線を実
現でき、高密度の午導体集積回路の高信頼性、高速化に
寄与できる効果がある。
に、銅に微量の銀またはジルコニウムまたはカドミウム
またはクロムを添加した銅合金を用いることによシ、銅
・と同程度に低抵抗でストレスマイグレーション、エレ
クトロマイグレーションに対しての耐性を持つ配線を実
現でき、高密度の午導体集積回路の高信頼性、高速化に
寄与できる効果がある。
図は本発明の一実施例による配線構造を示す断面図であ
る。 1・・・・シリコン基板、2・・・・絶縁膜、311・
・・バリア層、4・・・・CuAg合金、5・l・・絶
縁膜、6・・・・素子コンタクト用n+領域部、T・・
・番コンタクトホール。 特許出願人 日本電信電話株式会社
る。 1・・・・シリコン基板、2・・・・絶縁膜、311・
・・バリア層、4・・・・CuAg合金、5・l・・絶
縁膜、6・・・・素子コンタクト用n+領域部、T・・
・番コンタクトホール。 特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- 半導体素子間の電極配線に、銀、ジルコニウム、カドミ
ウム及びクロムのうちいずれか1つを添加した銅合金を
用いることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21253988A JPH0262035A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21253988A JPH0262035A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0262035A true JPH0262035A (ja) | 1990-03-01 |
Family
ID=16624349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21253988A Pending JPH0262035A (ja) | 1988-08-29 | 1988-08-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0262035A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100385227B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2003-05-27 | 삼성전자주식회사 | 구리 다층 배선을 가지는 반도체 장치 및 그 형성방법 |
JP2005158930A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7304384B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-12-04 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Semiconductor device with a barrier film which contains manganese |
US7507659B2 (en) | 2006-11-13 | 2009-03-24 | Fujitsu Microelectronics Limited | Fabrication process of a semiconductor device |
US7638829B2 (en) | 2005-09-09 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capacitor of dynamic random access memory and method of manufacturing the capacitor |
US7755192B2 (en) | 2008-03-25 | 2010-07-13 | Tohoku University | Copper interconnection structure, barrier layer including carbon and hydrogen |
US7935624B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-05-03 | Fujitsu Semiconductor Limited | Fabrication method of semiconductor device having a barrier layer containing Mn |
US8415798B2 (en) | 2008-02-27 | 2013-04-09 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having a conductor buried in an opening |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5943570A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-10 | Hitachi Ltd | 薄膜配線 |
-
1988
- 1988-08-29 JP JP21253988A patent/JPH0262035A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5943570A (ja) * | 1982-09-06 | 1984-03-10 | Hitachi Ltd | 薄膜配線 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100385227B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2003-05-27 | 삼성전자주식회사 | 구리 다층 배선을 가지는 반도체 장치 및 그 형성방법 |
JP2005158930A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US7304384B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-12-04 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Semiconductor device with a barrier film which contains manganese |
US8133813B2 (en) | 2004-02-27 | 2012-03-13 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Semiconductor device with a barrier film |
US7943517B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-05-17 | Semiconductor Technology Academic Research Center | Semiconductor device with a barrier film |
US7786523B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capacitor of dynamic random access memory and method of manufacturing the capacitor |
US7638829B2 (en) | 2005-09-09 | 2009-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Capacitor of dynamic random access memory and method of manufacturing the capacitor |
US7935624B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-05-03 | Fujitsu Semiconductor Limited | Fabrication method of semiconductor device having a barrier layer containing Mn |
US7507659B2 (en) | 2006-11-13 | 2009-03-24 | Fujitsu Microelectronics Limited | Fabrication process of a semiconductor device |
US8415798B2 (en) | 2008-02-27 | 2013-04-09 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device having a conductor buried in an opening |
US8551879B2 (en) | 2008-02-27 | 2013-10-08 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US7755192B2 (en) | 2008-03-25 | 2010-07-13 | Tohoku University | Copper interconnection structure, barrier layer including carbon and hydrogen |
US8163649B2 (en) | 2008-03-25 | 2012-04-24 | Advanced Interconnect Materials, Llc | Copper interconnection structure, semiconductor device, and method for forming copper interconnection structure |
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