JP3496862B2 - 新規ケイ素含有高分子化合物およびその調製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ケイ素原子を含有する
新規な高分子化合物、及びこの高分子化合物を三次元架
橋させた化合物、並びにこれらの製造方法、さらにこの
三次元架橋化合物を主成分とするイオン導電性材料に関
する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、有機高分子化合物は電流を流さ
ない電気絶縁性材料と考えられていた。しかしながら、
１９７０年代後半、共役系ポリマーなどに電荷キャリア
ーをドーピングすることによって、有機高分子の導電性
が著しく向上することが見いだされ、新しい導電性材料
として注目を集め、現在でも盛んに研究開発が行われて
いる。特に、近年の電子産業の発展に伴う家電製品の小
型化・軽量化等によって、使用される電池についても同
様な要求が高まっている。現在、導電性材料の主流とな
っている金属材料や無機材料に対し、高い導電性を示す
高分子固体電解質は軽量でしかも加工が容易という理由
などから、将来の電池を構成する材料として期待されて
いる。

【０００３】高い導電特性を示す有機高分子の代表例と
しては、ポリエチレングリコールが挙げられる。ポリエ
チレングリコールは親水性高分子としてよく知られてお
り、無機電解質を容易に溶存させることができる。ま
た、ポリエチレングリコールは、主鎖中の各繰り返し単
位内に不対電子を有するエーテル酸素を有しており、こ
れがリチウムイオンなどのような金属イオンと錯体を形
成し、これによって高濃度のキャリアーを溶存させるこ
とができる。また、ポリエチレングリコール鎖は柔軟性
に富んでいることからも導電性材料として有利である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポリエ
チレングリコールは、低温環境下では結晶化を起こして
キャリアーの泳動が妨げられ、このためその導電性が著
しく低下してしまうといった欠点を有している。言い換
えれば、ポリエチレングリコールの導電性は環境依存性
が大きく、工業材料としての応用は困難である。

【０００５】一方、上述したように高分子の導電性はキ
ャリアーの溶解性、高分子鎖の柔軟性や物理的性質に大
きく影響される。従って、固体電解質を構成する高分子
鎖は無定型で、しかも低いガラス転移温度を有していな
ければならない。無定型で低いガラス転移温度を有する
高分子としてポリジメチルシロキサンが良く知られてい
る。しかしながら、その高い柔軟性及び低いガラス転移
温度により、機械的強度に乏しいので、工業材料として
非常に不利である。

【０００６】したがって、高い導電性を有する有機高分
子材料の創成には高分子鎖の柔軟性と強度を両立させる
といった困難な課題も解決しなければならない。

【０００７】本発明は、このような事情に鑑み、上述し
たような優れた導電特性を維持しつつ、機械的強度も合
わせ持った環境依存性の小さい導電性高分子材料として
使用できる新規な高分子化合物を提供することを課題と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の第１の態
様は、下記構造式（Ａ）または（Ｂ）で示されるオリゴ
オキシアルキレン鎖およびオリゴシロキサン鎖を交互に
有することを特徴とするケイ素含有高分子化合物にあ
る。

【０００９】

【化１５】

【００１０】

【化１６】

【００１１】構造式（Ａ）または（Ｂ）において、Ｒ¹
〜Ｒ^pはそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｑ ¹〜Ｑ ^pはそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アラル
キル基、ハロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリ
ール基からなる群から選択され、また同様に、Ｖ ¹〜Ｖ ^p
はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数
１〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリール基から
なる群から選択される。Ｒ¹〜Ｒ^pはそれぞれ同一でも異
なっていてもよく、Ｑ ¹〜Ｑ ^pはそれぞれ同一でも異なっ
てもよく、また、Ｖ ¹〜Ｖ ^pはそれぞれ同一でも異なって
もよいが、構造式（Ａ）の場合はＲ¹〜Ｒ^p、Ｑ ¹〜Ｑ ^pお
よびＶ ¹〜Ｖ ^pがそれぞれ全て同一で且つｘ¹〜ｘ^pおよび
ｙ¹〜ｙ^pがそれぞれ全て同一である場合は除かれる。ま
た、ｘ¹〜ｘ^pは１〜５０までの整数を表し、ｙ¹〜ｙ^pは
１〜１０までの整数を表し、ｋ¹〜ｋ^pは１〜１００まで
の整数を表す。なお、上付のｐは、構造式（Ａ）の場合
は２〜１００万までの整数を表し、構造式（Ｂ）の場合
は１〜１００万までの整数を表す。

【００１２】本発明の第２の態様は、第１の態様におい
て、前記構造式（Ａ）または（Ｂ）で示されるオリゴオ
キシアルキレン鎖およびオリゴシロキサン鎖を交互に有
する高分子化合物が下記式（Ｃ）または（Ｄ）で示され
ることを特徴とするケイ素含有高分子化合物にある。

【００１３】

【化１７】

【００１４】

【化１８】

【００１５】構造式（Ｃ）または（Ｄ）において、Ｒ¹
〜Ｒⁿはそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アラル
キル基、ハロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリ
ール基からなる群から選択され、また同様に、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿ
はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数
１〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリール基から
なる群から選択される。Ｒ¹〜Ｒⁿはそれぞれ同一でも異
なっていてもよく、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれぞれ同一でも異なっ
てもよく、また、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿはそれぞれ同一でも異なって
もよいが、構造式（Ｃ）の場合はＲ¹〜Ｒⁿ、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿお
よびＶ ¹〜Ｖ ⁿがそれぞれ全て同一で且つｘ¹〜ｘⁿおよび
ｙ¹〜ｙⁿがそれぞれ全て同一である場合は除かれる。ま
た、ｘ¹〜ｘⁿは１〜５０までの整数を表し、ｙ¹〜ｙⁿは
１〜１０までの整数を表し、ｋ¹〜ｋⁿは１〜１００まで
の整数を表し、ｍは１〜１００００までの整数を表す。
なお、上付のｎは、構造式（Ｃ）の場合は２〜１００ま
での整数を表し、構造式（Ｄ）の場合は１〜１００まで
の整数を表す。

【００１６】本発明の第３の態様は、第１または２の態
様のケイ素含有高分子化合物を製造する方法であって、
下記構造式（Ｅ）で表されるオリゴオキシアルキレン化
合物と構造式（Ｆ）で表されるオリゴシロキサン化合物
とを重縮合または重付加反応させることを特徴とするケ
イ素含有高分子化合物の製造方法にある。

【００１７】

【化１９】

【００１８】

【化２０】

【００１９】構造式（Ｅ）および（Ｆ）において、Ｒ¹
〜Ｒⁿはそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アラル
キル基、ハロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリ
ール基からなる群から選択され、また同様に、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿ
はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数
１〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリール基から
なる群から選択される。また、Ａはハロゲン、炭素数１
〜１０のアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アル
コキシル基、イソシアネート基、およびアルキルチオ基
からなる群から選択される。Ｒ¹〜Ｒⁿはそれぞれ同一で
も異なっていてもよく、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれぞれ同一でも異
なってもよく、また、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿはそれぞれ同一でも異な
ってもよいが、Ａとしてイソシアネート基以外が選択さ
れた場合において、Ｒ¹〜Ｒⁿ、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿおよびＶ ¹〜Ｖ ⁿ
がそれぞれ全て同一で且つｘ¹〜ｘⁿおよびｙ¹〜ｙⁿがそ
れぞれ全て同一である場合は除かれる。さらに、ｎは１
〜１０までの整数を表し、ｘ¹〜ｘⁿは１〜５０までの整
数を表し、ｙ¹〜ｙⁿは１〜１０までの整数を表す。

【００２０】本発明の第４の態様は、下記構造式（１）
または（２）で示されるオリゴオキシアルキレン鎖およ
びオリゴシロキサン鎖を交互に有するケイ素含有高分子
化合物を用い、一つの当該ケイ素含有化合物のＳ¹〜Ｓ^p
およびＴ¹〜Ｔ^pのうちの少なくとも一つの置換基と、他
の当該ケイ素含有高分子化合物のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜
Ｔ^pのうちの少なくとも一つの置換基とを化学結合する
ことにより三次元架橋させたことを特徴とする三次元架
橋高分子化合物にある。

【００２１】

【化２１】

【００２２】

【化２２】

【００２３】構造式（１）または（２）において、Ｒ ¹
〜Ｒ ^p はそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭
素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル
基、ハロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリール
基からなる群から選択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p はそ
れぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜
７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０の
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から
選択される。Ｒ ¹ 〜Ｒ ^p はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p はそれぞれ同一でも異なってもよく、
また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p はそれぞれ同一でも異なってもよいが、
構造式（１）の場合はＲ ¹ 〜Ｒ ^p 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p およびＴ ¹ 〜
Ｔ ^p がそれぞれ全て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ^p およびｙ ¹ 〜ｙ ^p
がそれぞれ全て同一である場合は除かれる。また、ｘ ¹
〜ｘ ^p は１〜５０までの整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ^p は１〜１
０までの整数を表し、ｋ ¹ 〜ｋ ^p は１〜１００までの整数
を表す。なお、上付のｐは、構造式（１）の場合は２〜
１００万までの整数を表し、構造式（２）の場合は１〜
１００万までの整数を表す。

【００２４】本発明の第５の態様は、第４の態様におい
て、前記構造式（１）または（２）で示されるオリゴオ
キシアルキレン鎖およびオリゴシロキサン鎖を交互に有
する高分子化合物が下記式（３）または（４）で示され
ることを特徴とする三次元架橋高分子化合物にある。

【００２５】

【化２３】

【００２６】

【化２４】

【００２７】構造式（３）または（４）において、Ｒ ¹
〜Ｒ ⁿ はそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭
素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル
基、ハロゲン化アルキル基、およびハロ ゲン化アリール
基からなる群から選択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそ
れぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜
７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０の
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から
選択される。Ｒ ¹ 〜Ｒ ⁿ はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれぞれ同一でも異なってもよく、
また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそれぞれ同一でも異なってもよいが、
構造式（３）の場合はＲ ¹ 〜Ｒ ⁿ 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ およびＴ ¹ 〜
Ｔ ⁿ がそれぞれ全て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ⁿ およびｙ ¹ 〜ｙ ⁿ
がそれぞれ全て同一である場合は除かれる。また、ｘ ¹
〜ｘ ⁿ は１〜５０までの整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ⁿ は１〜１
０までの整数を表し、ｋ ¹ 〜ｋ ⁿ は１〜１００までの整数
を表し、ｍは１〜１００００までの整数を表す。なお、
上付のｎは、構造式（３）の場合は２〜１００までの整
数を表し、構造式（４）の場合は１〜１００までの整数
を表す。

【００２８】本発明の第６の態様は、第４又は５の態様
において、前記化学結合が、二つ以上の官能基または反
応性部位を有する架橋剤を介して行われることを特徴と
する三次元架橋高分子化合物にある。

【００２９】本発明の第７の態様は、下記構造式（１）
または（２）で示されるオリゴオキシアルキレン鎖およ
びオリゴシロキサン鎖を交互に有するケイ素含有高分子
化合物を用い、一つの当該ケイ素含有化合物のＳ¹〜Ｓ^p
およびＴ¹〜Ｔ^pのうちの少なくとも一つの置換基と、他
の当該ケイ素含有高分子化合物のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜
Ｔ^pのうちの少なくとも一つの置換基とを化学反応させ
ることにより三次元架橋高分子を製造することを特徴と
する三次元架橋高分子化合物の製造方法にある。

【００３０】

【化２５】

【００３１】

【化２６】

【００３２】構造式（１）または（２）において、Ｒ ¹
〜Ｒ ^p はそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭
素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル
基、ハロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリール
基からなる群から選択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p はそ
れぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜
７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０の
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から
選択される。Ｒ ¹ 〜Ｒ ^p はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p はそれぞれ同一でも異なってもよく、
また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p はそれぞれ同一でも異なってもよいが、
構造式（１）の場合はＲ ¹ 〜Ｒ ^p 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p およびＴ ¹ 〜
Ｔ ^p がそれぞれ全て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ^p およびｙ ¹ 〜ｙ ^p
がそれぞれ全て同一である場合は除かれる。また、ｘ ¹
〜ｘ ^p は１〜５０までの整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ^p は１〜１
０までの整数を表し、ｋ ¹ 〜ｋ ^p は１〜１００までの整数
を表す。なお、上付のｐは、構造式（１）の場合は２〜
１００万までの整数を表し、構造式（２）の場合は１〜
１００万までの整数を表す。

【００３３】本発明の第８の態様は、第７の態様におい
て、前記構造式（１）または（２）で示されるオリゴオ
キシアルキレン鎖およびオリゴシロキサン鎖を交互に有
する高分子化合物が下記式（３）または（４）で示され
ることを特徴とする三次元架橋高分子化合物の製造方法
にある 。

【００３４】

【化２７】

【００３５】

【化２８】

【００３６】構造式（３）または（４）において、Ｒ ¹
〜Ｒ ⁿ はそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭
素数 １〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル
基、ハロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリール
基からなる群から選択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそ
れぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜
７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０の
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から
選択される。Ｒ ¹ 〜Ｒ ⁿ はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれぞれ同一でも異なってもよく、
また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそれぞれ同一でも異なってもよいが、
構造式（３）の場合はＲ ¹ 〜Ｒ ⁿ 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ およびＴ ¹ 〜
Ｔ ⁿ がそれぞれ全て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ⁿ およびｙ ¹ 〜ｙ ⁿ
がそれぞれ全て同一である場合は除かれる。また、ｘ ¹
〜ｘ ⁿ は１〜５０までの整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ⁿ は１〜１
０までの整数を表し、ｋ ¹ 〜ｋ ⁿ は１〜１００までの整数
を表し、ｍは１〜１００００までの整数を表す。なお、
上付のｎは、構造式（３）の場合は２〜１００までの整
数を表し、構造式（４）の場合は１〜１００までの整数
を表す。

【００３７】本発明の第９の態様は、第７又は８の態様
において、前記化学反応が、二つ以上の官能基または反
応性部位を有する架橋剤を介して行われることを特徴と
する三次元架橋高分子化合物の製造方法にある。

【００３８】本発明の第１０の態様は、第７〜９の何れ
かの態様において、前記化学反応が、放射線照射および
開始剤の少なくとも一方を用いて行われることを特徴と
する三次元架橋高分子化合物の製造方法にある。

【００３９】本発明の第１１の態様は、第４〜６の何れ
かの態様の三次元架橋高分子化合物を有効成分とするこ
とを特徴とする導電性材料にある。

【００４０】上述したように、高い導電性を有する有機
高分子を設計するためには、その高分子主鎖自体が高い
柔軟性を有し、かつキャリアーである金属イオンを高濃
度で溶存させることができなければならない。また、こ
の主鎖の柔軟性は低温においても維持されなければなら
ない。さらに、工業材料として考えた場合、様々な形態
に加工可能な優れた加工性と機械的強度を合わせ持つよ
うな高分子が望ましい。発明者はここで、金属イオンを
安定に溶存させ、かつ温度に対して大きな影響を受けな
い柔軟性を有する高分子化合物を合成し、これを三次元
架橋させることによって、高い柔軟性と強度を合わせ持
つ新しい導電性有機高分子ゲルを見いだし本発明を完成
した。

【００４１】本発明に係る高分子化合物は、主鎖に金属
イオンと錯形成可能なエーテル酸素を有する親水性のオ
リゴオキシアルキレン鎖、および三次元架橋可能な反応
部位を有し、かつ柔軟性に優れた疎水性のオリゴシロキ
サン鎖を交互に有する新規化合物である。親水性のオリ
ゴオキシアルキレン鎖はポリエチレングリコールに代表
されるポリエーテルと同じ構造を有しているため、金属
イオンを高濃度で安定に溶存させることができる。一
方、疎水性のオリゴシロキサン鎖は低温時の柔軟性に優
れ、オリゴオキシアルキレン鎖の結晶化を防ぐことがで
きる。さらにオリゴシロキサン中のケイ素原子上に導入
された反応部位によって架橋させ、機械的強度を向上さ
せることが可能となり、任意の形態、例えばシート状な
どに成形することが可能である。

【００４２】本発明に係る構造式（Ａ）または（Ｂ）並
びに構造式（Ｃ）または（Ｄ）で示される高分子化合物
は、三次元架橋させることにより、三次元架橋高分子化
合物とすることができるが、この点は、構造式（１）ま
たは（２）並びに構造式（３）または（４）で示される
高分子化合物についても同様である。ここで、構造式
（Ａ）または（Ｂ）並びに構造式（Ｃ）または（Ｄ）で
示される高分子化合物は、構造式（１）または（２）並
びに構造式（３）または（４）で示される高分子化合物
の範囲に含まれるため、構造式（１）または（２）で示
される高分子化合物を代表とし、以下に本発明について
詳細に説明する。

【００４３】（構造式（１）または（２）で示される高
分子化合物の製造）本発明に係る構造式（１）または
（２）に表される高分子化合物は、下記構造式（５）で
表されるオリゴオキシアルキレン化合物と下記構造式
（６）で表されるオリゴシロキサン化合物との重縮合あ
るいは重付加反応で製造することができる。なお、構造
式（５）と構造式（６）は、構造式（Ａ）または（Ｂ）
で表される高分子化合物の製造方法を説明する構造式
（Ｅ）と構造式（Ｆ）に、それぞれ対応する。

【００４４】

【化２９】

【００４５】

【化３０】

【００４６】構造式（５）および（６）において、Ｒ ¹
〜Ｒ ⁿ はそれぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選択され、
Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル
基、炭素数１〜７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭
素数１〜１０のアルキル基、アリール基、アラルキル
基、ハロゲン化アルキル基、およびハロゲン化アリール
基からなる群から選択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそ
れぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜
７のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０の
アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化ア
ルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から
選択される。また、Ａはハロゲン、炭素数１〜１０のア
ルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシル
基、イソシアネート基、およびアルキルチオ基等からな
る群から選択される。Ｒ ¹ 〜Ｒ ⁿ はそれぞれ同一でも異な
っていてもよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれぞれ同一でも異なって
もよく、また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそれぞれ同一でも異なっても
よいが、Ａとしてイソシアネート基以外が選択された場
合において、Ｒ ¹ 〜Ｒ ⁿ 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ およびＴ ¹ 〜Ｔ ⁿ がそれ
ぞれ全て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ⁿ およびｙ ¹ 〜ｙ ⁿ がそれぞれ
全て同一である場合は除かれる。さらに、ｎは１〜１０
までの整数を表し、ｘ ¹ 〜ｘ ⁿ は１〜５０までの整数を表
し、ｙ ¹ 〜ｙ ⁿ は１〜１０までの整数を表す。

【００４７】ここで、構造式（５）で表されるオリゴオ
キシアルキレン化合物の具体例としては、ジエチレング
リコール、トリエチレングリコール、テトラエチレング
リコール、ポリエチレングリコールなどを挙げることが
できる。

【００４８】また、構造式（６）で表されるオリゴシロ
キサン化合物の具体例としては、ジメチルジクロロシラ
ン、ブロモメチルジクロロシラン、ジビニルジクロロシ
ラン、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシラン、１，３
−ビス（ジエチルアミノ）−１，１，３，３−テトラメ
チルジシロキサンなどを挙げることができる。

【００４９】重合反応は構造式（５）で表されるオリゴ
オキシアルキレン化合物と構造式（６）で表されるオリ
ゴシロキサン化合物とを混合させることにより行われ
る。使用されるオリゴオキシアルキレン化合物およびオ
リゴシロキサン化合物は、Ａとしてイソシアネート基以
外が選択された場合、それぞれ少なくとも一種以上含み
且つ両方で３種類以上必要である。重合溶媒は使用して
もしなくてもよい。使用する場合においても重合反応を
妨害しないものであれば特に限定されず、例えば、テト
ラヒドロフラン、ベンゼン、トルエン、ピリジン、ジメ
チルスルホキシド、ジメチルホルムアミドなどを挙げる
ことができる。構造式（６）で表されるオリゴシロキサ
ン化合物において構造式中Ａがハロゲンである場合、活
性水素を持たない三級アミンを上記した反応系に添加し
た方が望ましい。反応条件は、温度は−７８〜１００
℃、好ましくは０〜８０℃、時間は１〜９６時間が望ま
しい。

【００５０】（構造式（１）または（２）で表される高
分子化合物を三次元架橋させた化合物） 構造式（１）または（２）中のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^p
のうち少なくとも一つの置換基が、他の高分子鎖中のＳ
¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^pのうち少なくとも一つの置換基と
化学結合した三次元架橋高分子化合物、あるいは、構造
式（１）または（２）中のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^pのう
ち少なくとも一つの置換基が、二つ以上の官能基や反応
性部位を有する架橋剤を介在して、他の高分子鎖中のＳ
¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^pのうち少なくとも一つの置換基と
化学結合した三次元架橋高分子化合物である。

【００５１】（構造式（１）または（２）で表される高
分子化合物を三次元架橋させた化合物の製造方法） 架橋反応は構造式（１）または（２）で表される高分子
化合物に熱、あるいは光、電子線などの放射線照射によ
って行われる。また、二つ以上の官能基や反応性部位を
有する架橋剤と、熱や放射線照射によってラジカルを発
生させるラジカル発生剤などのような開始剤を混合させ
ることによっても行われる。反応溶媒は使用してもしな
くても良く、使用する場合も架橋反応を妨害しないもの
であれば特に限定されない。反応条件は開始剤の有無、
あるいは使用される開始剤によって異なるが、熱ラジカ
ル発生剤として良く知られているアゾビスイソブチロニ
トリルを使用する場合は、温度が４０〜８０℃、時間は
１２〜４８時間が望ましい。また、光ラジカル発生剤と
して良く知られている２，２−ジメトキシ−２−フェニ
ルアセトフェノンを使用する場合は、１０〜１００００
０ｍＪ／ｃｍ²の紫外・可視光の照射が望ましい。

【００５２】（構造式（１）または（２）で表される高
分子化合物の三次元架橋化合物を有効成分とする導電性
材料） 構造式（１）または（２）で表される高分子化合物の三
次元架橋化合物を有効成分とする導電性材料は過塩素酸
リチウムに代表される無機電解質を混合し、その後上記
した方法によって架橋反応させることによって調製され
る。混合時の溶媒は使用してもしなくても良く、使用す
る場合は無機電解質と構造式（１）または（２）で表さ
れる高分子化合物の両者を溶解し、かつ架橋反応を阻害
しないものを選択する必要がある。例えば、アセトンに
代表されるケトン類、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フランに代表されるエーテル類、酢酸エチルに代表され
るエステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、アセトニトリルに代表される窒素、硫黄原子を
含む極性溶媒が望ましい。

【００５３】無機電解質の混合は上記した架橋反応の後
でも可能である。構造式（１）または（２）で表される
高分子化合物を上記方法にて架橋反応させ、無機電解質
を溶解させた溶媒中に三次元架橋化合物を含浸させるこ
とによって行う。用いられる溶媒は無機電解質を溶解さ
せ、かつ三次元架橋化合物を膨潤させることができる溶
媒であればよく、例えば水、アルコール類、フェノール
類、アセトンに代表されるケトン類、アセトアルデヒド
に代表されるアルデヒド類、ジエチルエーテル、テトラ
ヒドロフランに代表されるエーテル類、ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、アセトニトリルに代表
される窒素、硫黄原子を含む極性溶媒、そしてこれらの
各種混合溶媒が望ましい。

【００５４】なお、本発明に係る導電材料の成形は溶媒
キャスト法や任意の形の注型等公知の方法によって可能
である。

【００５５】

【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明をさら
に詳細に説明するが、これらの実施例は本発明の範囲を
限定するものではない。

【００５６】（実施例１） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
１２．０ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン４．９７ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジビニルシラン０．４５ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量１４．２１ｇ）。

【００５７】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝７８００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．４０であった。

【００５８】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【００５９】

【化３１】

【００６０】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【００６１】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．１（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．０５であった。

【００６２】（実施例２） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
１２．０ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン５．２２ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジビニルシラン０．２２ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量１４．４９ｇ）。

【００６３】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝７６００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．４０であった。

【００６４】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【００６５】

【化３２】

【００６６】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【００６７】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．１（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．０８であった。

【００６８】（実施例３） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
１２．０ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン４．４４ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジビニルシラン０．９０ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量１４．５８ｇ）。

【００６９】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝６３００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．４６であった。

【００７０】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【００７１】

【化３３】

【００７２】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【００７３】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．１２であった。

【００７４】（実施例４） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
１２．０ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン３．９２ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジビニルシラン１．３３ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量１４．４２ｇ）。

【００７５】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝８２００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．４２であった。

【００７６】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【００７７】

【化３４】

【００７８】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【００７９】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．１８であった。

【００８０】（実施例５） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量３００）
１２．０ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン９．９９ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジビニルシラン０．９０ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量１７．０１ｇ）。

【００８１】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝１０７００、重量平均分子量/
数平均分子量=１．９５であった。

【００８２】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【００８３】

【化３５】

【００８４】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【００８５】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．０５であった。

【００８６】（実施例６） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量３００）
１２．０ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン８．８９ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジビニルシラン１．８３ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量１６．９６ｇ）。

【００８７】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝８０００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．７８であった。

【００８８】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【００８９】

【化３６】

【００９０】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【００９１】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．１０であった。

【００９２】（実施例７） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量３００）
１２．０ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン７．７８ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジビニルシラン２．７３ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量１６．９４ｇ）。

【００９３】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝３５００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．４０であった。

【００９４】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【００９５】

【化３７】

【００９６】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【００９７】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．２４であった。

【００９８】（実施例８） 重合装置内にテトラエチレングリコール５．８２ｇ、
１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジエチルアミ
ノジシロキサン６．６８ｇ、ビス（ジエチルアミノ）ジ
ビニルシラン１．４０ｇを入れて６０℃で攪拌させなが
ら４８時間重合させた。その後、副生成物であるジエチ
ルアミンを減圧乾燥することによって除去し、ポリエチ
レングリコール−ジメチルシロキサン交互共重合体を得
た（収量９．４０ｇ）。

【００９９】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝５９００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．５７であった。

【０１００】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【０１０１】

【化３８】

【０１０２】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１０３】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．１４であった。

【０１０４】（実施例９） 重合装置内にトリエチレングリコール６．００ｇ、１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ジエチルアミノジ
シロキサン８．８９ｇ、ビス（ジエチルアミノ）ジビニ
ルシラン１．８１ｇを入れて６０℃で攪拌させながら４
８時間重合させた。その後、副生成物であるジエチルア
ミンを減圧乾燥することによって除去し、ポリエチレン
グリコール−ジメチルシロキサン交互共重合体を得た
（収量１０．７２ｇ）。

【０１０５】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝１０７００、重量平均分子量/
数平均分子量=２．０４であった。

【０１０６】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【０１０７】

【化３９】

【０１０８】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１０９】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．１５であった。

【０１１０】（実施例１０） 重合装置内にジエチレングリコール３．１８ｇ、１，
１，３，３−テトラメチル−１，３−ジエチルアミノジ
シロキサン６．６８ｇ、ビス（ジエチルアミノ）ジビニ
ルシラン１．４０ｇを入れて６０℃で攪拌させながら４
８時間重合させた。その後、副生成物であるジエチルア
ミンを減圧乾燥することによって除去し、ポリエチレン
グリコール−ジメチルシロキサン交互共重合体を得た
（収量６．７７ｇ）。

【０１１１】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝５６００、重量平均分子量/数
平均分子量=２．６２であった。

【０１１２】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【０１１３】

【化４０】

【０１１４】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１１５】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．２（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．１５であった。

【０１１６】（実施例１１） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
３．００ｇ、ポリプロピレングリコール（分子量７０
０）３．５０ｇ、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシラ
ン２．２６ｇを入れて６０℃で攪拌させながら４８時間
重合させた。その後、副生成物であるジエチルアミンを
減圧乾燥することによって除去し、ポリエチレングリコ
ール−ジメチルシロキサン交互共重合体を得た（収量
７．２１ｇ）。

【０１１７】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝９５００、重量平均分子量/数
平均分子量=２．１０であった。

【０１１８】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【０１１９】

【化４１】

【０１２０】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１２１】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
１．３（３６Ｈ，ＣＨ₂−ＣＨ（ＣＨ₃）−Ｏ），３．６
（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．６（２４Ｈ，Ｏ−
ＣＨ₂−ＣＨ₂），４．７（１２Ｈ，ＣＨ₂−ＣＨ−
Ｏ），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂），６．０
（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、¹Ｈ−ＮＭＲの各シ
グナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝１．０１であった。

【０１２２】（実施例１２） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
３．０２ｇ、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチル−
１，５−ジエチルアミノトリシロキサン１．４２ｇ、ビ
ス（ジエチルアミノ）ジビニルシラン０．２２ｇを入れ
て６０℃で攪拌させながら４８時間重合させた。その
後、副生成物であるジエチルアミンを減圧乾燥すること
によって除去し、ポリエチレングリコール−ジメチルシ
ロキサン交互共重合体を得た（収量３．９０ｇ）。

【０１２３】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝８３００、重量平均分子量/ 数
平均分子量=２．０３であった。

【０１２４】この実施例で得られた高分子化合物は次式
で示される。

【０１２５】

【化４２】

【０１２６】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１２７】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．１（１８Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．６（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．６（２４Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．０（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、
¹Ｈ−ＮＭＲの各シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝
０．１８であった。

【０１２８】（実施例１３） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
４．５４ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン１．６６ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ジアリルシラン０．３５ｇを入れて６０℃で
攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副生成物
であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって除去
し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン交互
共重合体を得た（収量５．４４ｇ）。

【０１２９】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝８７００、重量平均分子量/数
平均分子量=１．９５であった。

【０１３０】この実施例で得られた高分子化合物は次式
で示される。

【０１３１】

【化４３】

【０１３２】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１３３】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．１（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），５．５（４Ｈ，ＣＨ₂−Ｓｉ−Ｏ），６．１
（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）また、¹Ｈ−ＮＭＲの各シ
グナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝０．２０であった。

【０１３４】（実施例１４） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
６．０１ｇ、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−
ジエチルアミノジシロキサン２．２１ｇ、ビス（ジエチ
ルアミノ）ビニルフェニルシラン０．５８ｇを入れて６
０℃で攪拌させながら４８時間重合させた。その後、副
生成物であるジエチルアミンを減圧乾燥することによっ
て除去し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサ
ン交互共重合体を得た（収量７．３０ｇ）。

【０１３５】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝１０４００、重量平均分子量/
数平均分子量=２．０１であった。

【０１３６】この実施例で得られた高分子化合物は次式
で示される。

【０１３７】

【化４４】

【０１３８】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１３９】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）δ（ｐｐｍ）：
０．１（１２Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−ＣＨ₃），３．７（５２
Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂
−ＣＨ₂），６．１（６Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂），７．
４（５Ｈ，Ｏ−Ｓｉ−Ｃ₆Ｈ₅）また、¹Ｈ−ＮＭＲの各
シグナルの積分強度比よりｋ²／ｋ¹＝０．２２であっ
た。

【０１４０】（実施例１５） 重合装置内にポリエチレングリコール（分子量６００）
６．００ｇ、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシラン
１．１３ｇ、１，１，３，３，−テトラビニル−１，３
−ジエチルアミノジシロキサン１．６２ｇを入れて８０
℃で撹拌させながら４８時間重合させた。その後、副生
成物であるジエチルアミンを減圧乾燥することによって
除去し、ポリエチレングリコール−ジメチルシロキサン
交互共重合体を得た（収量７．３１ｇ）。

【０１４１】これをゲル・パーミエーション・クロマト
グラフィーで分析したところ、ポリスチレン標準サンプ
ル換算で数平均分子量＝１１０００、重量平均分子量／
数平均分子量＝２．０９であった。

【０１４２】この実施例で得られた高分子化合物は、次
式で示される。

【０１４３】

【化４５】

【０１４４】ここで、¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は次の通り
である。

【０１４５】¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）δ（ｐｐ
ｍ）：３．７（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），３．７
（５２Ｈ，Ｏ−ＣＨ₂−ＣＨ₂），６．１（６Ｈ，Ｓｉ−
ＣＨ＝ＣＨ₂），６．１（１２Ｈ，Ｓｉ−ＣＨ＝ＣＨ₂）

【０１４６】（実施例１６） 実施例１〜１０で得られたオリゴマーのガラス転移温度
をＤＳＣで調べた。ＤＳＣの測定条件は、約２０ｍｇの
オリゴマーを測定装置にセットし、１００℃で３０分間
アニーリングした。その後、サンプルを−１７０℃まで
冷却し、２０℃／分の昇温速度で２００℃まで加熱し
た。この結果は表１に示す。なお、次式には実施例１〜
１０で得られた高分子化合物の一般式を示す。

【０１４７】

【表１】

【０１４８】

【化４６】

【０１４９】表１に示したように、各サンプルのガラス
転移温度は非常に低いことから、オリゴマー主鎖は柔軟
性の優れていることが分かった。また、各サンプルのガ
ラス転移温度はケイ素含有率の増加と共に減少し、この
ことから、各実施例で得られた高分子化合物のガラス転
移温度はケイ素含有量で制御可能であることが分かっ
た。

【０１５０】（実施例１７） 実施例１６で得られたオリゴマーの１０％テトラヒドロ
フラン溶液をシリコンウェハー上にスピンコートし（３
０００ｒｐｍ、３０秒間）、薄膜を形成させ（膜厚；８
００ｎｍ）、電子線照射（加速電圧＝２０ｋＶ，電子線
照射量＝１００μＣ／ｃｍ²）を行った。照射した後、
メタノールでシリコンウェハーを洗浄した。電子線照射
された領域にはオリゴマー膜が残存しており、わずかな
電子線照射量により交互共重合体膜が架橋・不溶化した
ことが確認された。

【０１５１】（実施例１８） 実施例２で得られたオリゴマー０．４０ｇを用いて１０
％テトラヒドロフラン溶液を調製し、これに２，２’−
アゾビス（イソブチロニトリル）とペンタエリスリトー
ルテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）をそれ
ぞれ０．０３３ｇと０．０１６ｇを加えた。

【０１５２】このオリゴマー溶液をテフロン（登録商
標：四フッ化エチレン樹脂）シート上に展開させ、テト
ラヒドロフランを室温下で蒸発させることによって薄膜
を得た。この薄膜を６０℃に保たれた電気炉の中に入れ
２４時間反応させた。得られた薄膜を良溶媒であるテト
ラヒドロフラン中に入れたところ、薄膜は溶解せず、膨
潤したことからゲルの生成を確認した。

【０１５３】（実施例１９） 実施例２で得られたオリゴマー０．４０ｇを用いて１０
％テトラヒドロフラン溶液を調製し、これに過酸化ベン
ゾイルとペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカ
プトプロピオネート）をそれぞれ０．０２４ｇと０．０
１６ｇを加えた。このオリゴマー溶液をテフロンシート
上に展開させ、テトラヒドロフランを室温下で蒸発させ
ることによって薄膜を得た。この薄膜を１００℃に保た
れた電気炉の中に入れ２４時間反応させた。得られた薄
膜を良溶媒であるテトラヒドロフラン中に入れたとこ
ろ、薄膜は溶解せず、膨潤したことからゲルの生成を確
認した。

【０１５４】（実施例２０） 実施例３で得られたオリゴマー２．００ｇ、２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．０１ｇ、ペ
ンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピ
オネート）０．１６ｇをアセトニトリルに溶解させ、オ
リゴマーの２０％アセトニトリル溶液を調製した。

【０１５５】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を３００秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光の照射量は５４０ｍＪ
／ｃｍ²であった。得られた膜を良溶媒であるテトラヒ
ドロフラン中に入れたところ、薄膜は溶解せず、膨潤し
たことからゲルの生成を確認した。

【０１５６】（実施例２１） 実施例２０で行った光架橋反応条件を用いて、実施例３
で得られたオリゴマーのゲル化率と高圧水銀ランプから
の光の照射量との関係を調べた。

【０１５７】実施例３で得られたオリゴマー２．００
ｇ、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン
０．０１ｇ、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メ
ルカプトプロピオネート）０．１６ｇをアセトニトリル
に溶解させ、オリゴマーの２０％アセトニトリル溶液を
調製した。

【０１５８】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を６０〜６００秒間照射させることによ
り、架橋反応を進行させた。その後、得られた架橋膜を
テトラヒドロフランに浸漬し、未反応のオリゴマーを除
去した。ゲル化率はテトラヒドロフラン浸漬前後の架橋
膜の重量変化より算出した。この結果は図１に示す。

【０１５９】図１より、光照射量が１５０ｍＪ／ｃｍ²
でほぼ１００％ゲル化していることが確認された。

【０１６０】（実施例２２） 過塩素酸リチウム０．１７ｇに８ｍｌのアセトニトリル
を加えて溶液を調製し、この溶液に実施例１５で得られ
た架橋膜を浸漬させることによってリチウムイオンをド
ープさせた。浸漬後、架橋膜は室温下で２４時間減圧乾
燥し、導電率測定用サンプルを作成した。

【０１６１】リチウムイオン濃度を過塩素酸リチウムの
アセトニトリル溶液浸漬前後の架橋膜の重量変化によっ
て算出したところ、リチウムイオン濃度はオリゴマー鎖
中のエーテル酸素１ｍｏｌあたり０．３ｍｏｌであっ
た。

【０１６２】（実施例２３） 実施例３で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１ｇ、
ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロ
ピオネート）０．０５ｇ、過塩素酸リチウム０．０７ｇ
を混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマー溶
液を調製した。

【０１６３】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌ当たりのリチウムイオン濃度は０．
０５ｍｏｌとなる。

【０１６４】（実施例２４） 実施例３で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１ｇ、
ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロ
ピオネート）０．０５ｇ、過塩素酸リチウム０．１１ｇ
を混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマー溶
液を調製した。

【０１６５】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌあたりのリチウムイオン濃度は０．
０７５ｍｏｌとなる。

【０１６６】（実施例２５） 実施例４で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１ｇ、
ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロ
ピオネート）０．０７ｇ、過塩素酸リチウム０．０８ｇ
を混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマー溶
液を調製した。

【０１６７】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌ当たりのリチウムイオン濃度は０．
０５ｍｏｌとなる。

【０１６８】（実施例２６） 実施例４で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−ジ
メトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１ｇ、
ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロ
ピオネート）０．０７ｇ、過塩素酸リチウム０．１２ｇ
を混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマー溶
液を調製した。

【０１６９】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌあたりのリチウムイオン濃度は０．
０７５ｍｏｌとなる。

【０１７０】（実施例２７） 実施例２３〜２６で作成したサンプルにおける導電率の
温度依存性について調べた。測定方法は直径１３ｍｍの
電極に作成したゲルを挟み込み、これを電気炉の中に入
れて所定温度まで冷却、あるいは加熱して３０分間保持
し、その後、サンプルの抵抗値を求めた。

【０１７１】図２には各サンプルにおける導電率の温度
依存性を示した。各サンプルの導電率は常温で１０^-4〜
１０^-5Ｓ／ｃｍを示し、高い導電率を示すことが確認さ
れた。また、低温時における導電率も１０^-7〜１０^-8Ｓ
／ｃｍと比較的高い値を示し、低温特性についても優れ
ていることが確認された。

【０１７２】（実施例２８） 実施例１１で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−
ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１
ｇ、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプト
プロピオネート）０．０７ｇ、過塩素酸リチウム０．０
８ｇを混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマ
ー溶液を調製した。

【０１７３】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌあたりのリチウムイオン濃度は０．
０５ｍｏｌとなる。このサンプルの室温下での導電率を
測定したところ２．０×１０^-5Ｓ／ｃｍであった。

【０１７４】（実施例２９） 実施例１１で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−
ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１
ｇ、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプト
プロピオネート）０．０７ｇ、リチウムビス（トリフル
オロメチルスルフォニル）イミド０．２１ｇを混合し、
さらにアセトニトリルを加えてオリゴマー溶液を調製し
た。

【０１７５】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌあたりのリチウムイオン濃度は０．
０５ｍｏｌとなる。このサンプルの室温下での導電率を
測定したところ８．３×１０^-5Ｓ／ｃｍであった。

【０１７６】（実施例３０） 実施例１２で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−
ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１
ｇ、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプト
プロピオネート）０．０７ｇ、過塩素酸リチウム０．０
８ｇを混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマ
ー溶液を調製した。

【０１７７】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌあたりのリチウムイオン濃度は０．
０５ｍｏｌとなる。このサンプルの室温下での導電率を
測定したところ１．３×１０^-5Ｓ／ｃｍであった。

【０１７８】（実施例３１） 実施例１３で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−
ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１
ｇ、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプト
プロピオネート）０．０７ｇ、過塩素酸リチウム０．０
８ｇを混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマ
ー溶液を調製した。

【０１７９】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌあたりのリチウムイオン濃度は０．
０５ｍｏｌとなる。このサンプルの室温下での導電率を
測定したところ１．６×１０^-5Ｓ／ｃｍであった。

【０１８０】（実施例３２） 実施例１４で得られたオリゴマー０．７０ｇに２，２−
ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン０．００１
ｇ、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプト
プロピオネート）０．０７ｇ、過塩素酸リチウム０．０
８ｇを混合し、さらにアセトニトリルを加えてオリゴマ
ー溶液を調製した。

【０１８１】この溶液をテフロン枠をガラス板で挟んだ
型に流し込み、高圧水銀ランプからの光（照度＝１．８
ｍＷ／ｃｍ²）を１８０秒間照射させることにより、架
橋反応を進行させた。この時の光照射量は３２４ｍＪ／
ｃｍ²であった。光架橋反応後、室温下で２４時間減圧
乾燥し、導電率測定用サンプルを作成した。オリゴマー
と過塩素酸リチウムの仕込量から、オリゴマー鎖中のエ
ーテル酸素１ｍｏｌあたりのリチウムイオン濃度は０．
０５ｍｏｌとなる。このサンプルの室温下での導電率を
測定したところ３．６×１０^-5Ｓ／ｃｍであった。

【０１８２】

【発明の効果】本発明に係るケイ素含有高分子化合物は
柔軟性に優れたオリゴオキシアルキレン鎖とオリゴシロ
キサン鎖を交互に有する新規の高分子化合物である。か
かる高分子化合物は、各々のユニットの長さを変えるこ
とによってこの高分子化合物のガラス転移温度を制御す
ることが可能であり、また、ケイ素原子上に反応活性基
を導入させることによって三次元構造を形成させ、機械
的強度を向上させることによって工業材料としての応用
範囲を広げることが可能である。さらに、本発明の高分
子化合物は、オリゴオキシアルキレン鎖はリチウムイオ
ンなどのアルカリ金属イオンを容易に溶解させることが
でき、高分子化合物自体の柔軟性と相まって、低温特性
に優れた新規の導電性材料して好適なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例３で得られたオリゴマー膜にお
けるゲル化率と光照射量との関係を示す図である。

【図２】本発明の実施例２３〜２６のサンプルの導電性
の挙動を示す図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邉 正義 神奈川県横浜市西区老松町30番地３− 401号 (72)発明者 西本 淳 神奈川県横浜市保土ヶ谷区天王町１−16 −１山崎ビル201号 (72)発明者 徳田 隆 神奈川県横浜市鶴見区尻手２丁目３番６ 号 北辰工業株式会社内 (72)発明者 青木 英敏 神奈川県横浜市鶴見区尻手２丁目３番６ 号 北辰工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−280842（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C08G 77/00 - 77/62 C08L 83/00 - 83/16

Claims (11)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記構造式（Ａ）または（Ｂ）で示され
   るオリゴオキシアルキレン鎖およびオリゴシロキサン鎖
   を交互に有することを特徴とするケイ素含有高分子化合
   物。 【化１】 【化２】 構造式（Ａ）または（Ｂ）において、Ｒ¹〜Ｒ^pはそれぞ
   れ水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基および
   アラルキル基からなる群から選択され、Ｑ ¹〜Ｑ ^pはそれ
   ぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜１
   ０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン
   化アルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群
   から選択され、また同様に、Ｖ ¹〜Ｖ ^pはそれぞれ水素、
   水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜１０のアルキ
   ル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル
   基、およびハロゲン化アリール基からなる群から選択さ
   れる。Ｒ¹〜Ｒ^pはそれぞれ同一でも異なっていてもよ
   く、Ｑ ¹〜Ｑ ^pはそれぞれ同一でも異なってもよく、ま
   た、Ｖ ¹〜Ｖ ^pはそれぞれ同一でも異なってもよいが、構
   造式（Ａ）の場合はＲ¹〜Ｒ^p、Ｑ ¹〜Ｑ ^pおよびＶ ¹〜Ｖ ^p
   がそれぞれ全て同一で且つｘ¹〜ｘ^pおよびｙ¹〜ｙ^pがそ
   れぞれ全て同一である場合は除かれる。また、ｘ¹〜ｘ^p
   は１〜５０までの整数を表し、ｙ¹〜ｙ^pは１〜１０まで
   の整数を表し、ｋ¹〜ｋ^pは１〜１００までの整数を表
   す。なお、上付のｐは、構造式（Ａ）の場合は２〜１０
   ０万までの整数を表し、構造式（Ｂ）の場合は１〜１０
   ０万までの整数を表す。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記構造式（Ａ）ま
   たは（Ｂ）で示されるオリゴオキシアルキレン鎖および
   オリゴシロキサン鎖を交互に有する高分子化合物が下記
   式（Ｃ）または（Ｄ）で示されることを特徴とするケイ
   素含有高分子化合物。 【化３】 【化４】 構造式（Ｃ）または（Ｄ）において、Ｒ¹〜Ｒⁿはそれぞ
   れ水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基および
   アラルキル基からなる群から選択され、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれ
   ぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜１
   ０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン
   化アルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群
   から選択され、また同様に、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿはそれぞれ水素、
   水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜１０のアルキ
   ル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル
   基、およびハロゲン化アリール基からなる群から選択さ
   れる。Ｒ¹〜Ｒⁿはそれぞれ同一でも異なっていてもよ
   く、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれぞれ同一でも異なってもよく、ま
   た、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿはそれぞれ同一でも異なってもよいが、構
   造式（Ｃ）の場合はＲ¹〜Ｒⁿ、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿおよびＶ ¹〜Ｖ ⁿ
   がそれぞれ全て同一で且つｘ¹〜ｘⁿおよびｙ¹〜ｙⁿがそ
   れぞれ全て同一である場合は除かれる。また、ｘ¹〜ｘⁿ
   は１〜５０までの整数を表し、ｙ¹〜ｙⁿは１〜１０まで
   の整数を表し、ｋ¹〜ｋⁿは１〜１００までの整数を表
   し、ｍは１〜１００００までの整数を表す。なお、上付
   のｎは、構造式（Ｃ）の場合は２〜１００までの整数を
   表し、構造式（Ｄ）の場合は１〜１００までの整数を表
   す。
3. 【請求項３】 請求項１または２のケイ素含有高分子化
   合物を製造する方法であって、下記構造式（Ｅ）で表さ
   れるオリゴオキシアルキレン化合物と構造式（Ｆ）で表
   されるオリゴシロキサン化合物とを重縮合または重付加
   反応させることを特徴とするケイ素含有高分子化合物の
   製造方法。 【化５】 【化６】 構造式（Ｅ）および（Ｆ）において、Ｒ¹〜Ｒⁿはそれぞ
   れ水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基および
   アラルキル基からなる群から選択され、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれ
   ぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜１
   ０のアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン
   化アルキル基、およびハロゲン化アリール基からなる群
   から選択され、また同様に、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿはそれぞれ水素、
   水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜１０のアルキ
   ル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル
   基、およびハロゲン化アリール基からなる群から選択さ
   れる。また、Ａはハロゲン、炭素数１〜１０のアルキル
   アミノ基、ジアルキルアミノ基、アルコキシル基、イソ
   シアネート基、およびアルキルチオ基からなる群から選
   択される。Ｒ¹〜Ｒⁿはそれぞれ同一でも異なっていても
   よく、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿはそれぞれ同一でも異なってもよく、ま
   た、Ｖ ¹〜Ｖ ⁿはそれぞれ同一でも異なってもよいが、Ａ
   としてイソシアネート基以外が選択された場合におい
   て、Ｒ¹〜Ｒⁿ、Ｑ ¹〜Ｑ ⁿおよびＶ ¹〜Ｖ ⁿがそれぞれ全て
   同一で且つｘ¹〜ｘⁿおよびｙ¹〜ｙⁿがそれぞれ全て同一
   である場合は除かれる。さらに、ｎは１〜１０までの整
   数を表し、ｘ¹〜ｘⁿは１〜５０までの整数を表し、ｙ¹
   〜ｙⁿは１〜１０までの整数を表す。
4. 【請求項４】 下記構造式（１）または（２）で示され
   るオリゴオキシアルキレン鎖およびオリゴシロキサン鎖
   を交互に有するケイ素含有高分子化合物を用い、一つの
   当該ケイ素含有化合物のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^pのうち
   の少なくとも一つの置換基と、他の当該ケイ素含有高分
   子化合物のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^pのうちの少なくとも
   一つの置換基とを化学結合することにより三次元架橋さ
   せたことを特徴とする三次元架橋高分子化合物。 【化７】 【化８】 構造式（１）または（２）において、Ｒ ¹ 〜Ｒ ^p はそれぞ
   れ水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基および
   アラルキル基からなる群から選択され、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p はそれ
   ぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７
   のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のア
   ルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アル
   キル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から選
   択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p はそれぞれ水素、水酸
   基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７のアルコキシル
   基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のアルキル基、アリ
   ール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、および
   ハロゲン化アリール基からなる群から選択される。Ｒ ¹
   〜Ｒ ^p はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ
   ^p はそれぞれ同一でも異なってもよく、また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p
   はそれぞれ同一でも異な ってもよいが、構造式（１）の
   場合はＲ ¹ 〜Ｒ ^p 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p およびＴ ¹ 〜Ｔ ^p がそれぞれ全
   て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ^p およびｙ ¹ 〜ｙ ^p がそれぞれ全て同
   一である場合は除かれる。また、ｘ ¹ 〜ｘ ^p は１〜５０ま
   での整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ^p は１〜１０までの整数を表
   し、ｋ ¹ 〜ｋ ^p は１〜１００までの整数を表す。なお、上
   付のｐは、構造式（１）の場合は２〜１００万までの整
   数を表し、構造式（２）の場合は１〜１００万までの整
   数を表す。
5. 【請求項５】 請求項４において、前記構造式（１）ま
   たは（２）で示されるオリゴオキシアルキレン鎖および
   オリゴシロキサン鎖を交互に有する高分子化合物が下記
   式（３）または（４）で示されることを特徴とする三次
   元架橋高分子化合物。 【化９】 【化１０】 構造式（３）または（４）において、Ｒ ¹ 〜Ｒ ⁿ はそれぞ
   れ水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基および
   アラルキル基からなる群から選択され、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれ
   ぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７
   のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のア
   ルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アル
   キル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から選
   択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそれぞれ水素、水酸
   基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７のアルコキシル
   基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のアルキル基、アリ
   ール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、および
   ハロゲン化アリール基からなる群から選択される。Ｒ ¹
   〜Ｒ ⁿ はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ
   ⁿ はそれぞれ同一でも異なってもよく、また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ
   はそれぞれ同一でも異なってもよいが、構造式（３）の
   場合はＲ ¹ 〜Ｒ ⁿ 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ およびＴ ¹ 〜Ｔ ⁿ がそれぞれ全
   て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ⁿ およびｙ ¹ 〜ｙ ⁿ がそれぞれ全て同
   一である場合は除かれる。また、ｘ ¹ 〜ｘ ⁿ は１〜５０ま
   での整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ⁿ は１〜１０までの整数を表
   し、ｋ ¹ 〜ｋ ⁿ は１〜１００までの整数を表し、ｍは１〜
   １００００までの整数を表す。なお、上付のｎは、構造
   式（３）の場合は２〜１００までの整数を表し、構造式
   （４）の場合は１〜１００までの整数を表す。
6. 【請求項６】 請求項４又は５ において、前記化学結合
   が、二つ以上の官能基または反応性部位を有する架橋剤
   を介して行われることを特徴とする三次元架橋高分子化
   合物。
7. 【請求項７】 下記構造式（１）または（２）で示され
   るオリゴオキシアルキレン鎖およ びオリゴシロキサン鎖
   を交互に有するケイ素含有高分子化合物を用い、 一つの
   当該ケイ素含有化合物のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^pのうち
   の少なくとも一つの置換基と、他の当該ケイ素含有高分
   子化合物のＳ¹〜Ｓ^pおよびＴ¹〜Ｔ^pのうちの少なくとも
   一つの置換基とを化学反応させることにより三次元架橋
   高分子を製造することを特徴とする三次元架橋高分子化
   合物の製造方法。 【化１１】 【化１２】 構造式（１）または（２）において、Ｒ ¹ 〜Ｒ ^p はそれぞ
   れ水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基および
   アラルキル基からなる群から選択され、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p はそれ
   ぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７
   のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のア
   ルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アル
   キル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から選
   択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p はそれぞれ水素、水酸
   基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７のアルコキシル
   基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のアルキル基、アリ
   ール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、および
   ハロゲン化アリール基からなる群から選択される。Ｒ ¹
   〜Ｒ ^p はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ
   ^p はそれぞれ同一でも異なってもよく、また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ^p
   はそれぞれ同一でも異なってもよいが、構造式（１）の
   場合はＲ ¹ 〜Ｒ ^p 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ^p およびＴ ¹ 〜Ｔ ^p がそれぞれ全
   て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ^p およびｙ ¹ 〜ｙ ^p がそれぞれ全て同
   一である場合は除かれる。また、ｘ ¹ 〜ｘ ^p は１〜５０ま
   での整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ^p は１〜１０までの整数を表
   し、ｋ ¹ 〜ｋ ^p は１〜１００までの整数を表す。なお、上
   付のｐは、構造式（１）の場合は２〜１００万までの整
   数を表し、構造式（２）の場合は１〜１００万までの整
   数を表す。
8. 【請求項８】 請求項７において、前記構造式（１）ま
   たは（２）で示されるオリゴオキシアルキレン鎖および
   オリゴシロキサン鎖を交互に有する高分子化合物が下記
   式（３）または（４）で示されることを特徴とする三次
   元架橋高分子化合物の製造方法 。 【化１３】 【化１４】 構造式（３）または（４）において、Ｒ ¹ 〜Ｒ ⁿ はそれぞ
   れ水素、炭素数１〜５のアルキル基、アリール基および
   アラルキル基からなる群から選択され、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ はそれ
   ぞれ水素、水酸基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７
   のアルコキシル基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のア
   ルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アル
   キル基、およびハロゲン化アリール基からなる群から選
   択され、また同様に、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ はそれぞれ水素、水酸
   基、ビニル基、アリル基、炭素数１〜７のアルコキシル
   基、フェノキシ基、炭素数１〜１０のアルキル基、アリ
   ール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、および
   ハロゲン化アリール基からなる群から選択される。Ｒ ¹
   〜Ｒ ⁿ はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｓ ¹ 〜Ｓ
   ⁿ はそれぞれ同一でも異なってもよく、また、Ｔ ¹ 〜Ｔ ⁿ
   はそれぞれ同一でも異なってもよいが、構造式（３）の
   場合はＲ ¹ 〜Ｒ ⁿ 、Ｓ ¹ 〜Ｓ ⁿ およびＴ ¹ 〜Ｔ ⁿ がそれぞれ全
   て同一で且つｘ ¹ 〜ｘ ⁿ およびｙ ¹ 〜ｙ ⁿ がそれぞれ全て同
   一である場合は除かれる。また、ｘ ¹ 〜ｘ ⁿ は１〜５０ま
   での整数を表し、ｙ ¹ 〜ｙ ⁿ は１〜１０までの整数を表
   し、ｋ ¹ 〜ｋ ⁿ は１〜１００までの整数を表し、ｍは１〜
   １００００までの整数を表す。なお、上付のｎは、構造
   式（３）の場合は２〜１００までの整数を表し、構造式
   （４）の場合は１〜１００までの整数を表す。
9. 【請求項９】 請求項７又は８において、 前記化学反応
   が、二つ以上の官能基または反応性部位を有する架橋剤
   を介して行われることを特徴とする三次元架橋高分子化
   合物の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項７〜９の何れかにおいて 、前記
    化学反応が、放射線照射および開始剤の少なくとも一方
    を用いて行われることを特徴とする三次元架橋高分子化
    合物の製造方法。
11. 【請求項１１】 請求項４〜６の何れかの 三次元架橋高
    分子化合物を有効成分とすることを特徴とする導電性材
    料。