JP3496273B2 - Multilayer wiring board, semiconductor device using the same, and method of manufacturing multilayer wiring board - Google Patents

Multilayer wiring board, semiconductor device using the same, and method of manufacturing multilayer wiring board

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JP3496273B2
JP3496273B2 JP15905994A JP15905994A JP3496273B2 JP 3496273 B2 JP3496273 B2 JP 3496273B2 JP 15905994 A JP15905994 A JP 15905994A JP 15905994 A JP15905994 A JP 15905994A JP 3496273 B2 JP3496273 B2 JP 3496273B2
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multilayer wiring
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直也 北村
欣秀 山口
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正之 京井
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    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板とそれを
用いた半導体装置および多層配線基板の製造方法に係
り、コンピュータ、デジタル交換機、無線情報端末等に
使用される高密度な多層配線基板やマルチチップモジュ
ールおよびその基板また半導体パッケージおよびその基
板等に利用され、特に、熱放射特性および高周波特性に
優れた多層配線基板とそれを用いた半導体装置および低
コストで信頼性の高い多層配線基板を製造しうる多層配
線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board, a semiconductor device using the same, and a method for manufacturing a multilayer wiring board, and to a high-density multilayer wiring board used for computers, digital exchanges, wireless information terminals and the like. And a multi-chip module and its substrate, and a semiconductor package and its substrate, and the like. In particular, a multilayer wiring board excellent in heat radiation characteristics and high frequency characteristics, a semiconductor device using the same, and a low-cost and highly reliable multilayer wiring board To a method for manufacturing a multilayer wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の多層プリント配線基板製造法で
は、貫通めっきスルーホールによりプリント基板両面の
接続をとる技術が知られている。
2. Description of the Related Art In the conventional method for manufacturing a multilayer printed wiring board, there is known a technique for connecting both surfaces of the printed board by through-plated through holes.

【0003】また、高密度な多層プリント配線基板の製
造方法として、例えば、特開平4−148590号公報
や特開平1−53497号公報に記載があるように、両
面プリント配線基板の外側に絶縁膜と銅を逐次積層し、
ビアホールで薄膜層間の接続をとるビルドアップ法があ
る。
As a method for manufacturing a high-density multilayer printed wiring board, an insulating film is provided on the outside of a double-sided printed wiring board as described in, for example, Japanese Patent Laid-Open Nos. 4-148590 and 1-53497. And copper are sequentially laminated,
There is a build-up method that connects the thin film layers with via holes.

【0004】一方、LSIからの発熱は、LSIパッケ
ージやベアチップから電気接続用のハンダを通して基板
に逃がすのが一般的であるが、近年、その発熱量の増大
に伴い、LSIパッケージやチップそのものに放熱フィ
ンを取り付けるようになって来た。しかし、この放熱フ
ィンの外形は大きく、高密度実装の観点からは、その大
きさを小さくする必要があり、放熱フィンの高効率化と
ともに基板に効率良く熱を逃がす新たな経路が望まれる
ようになって来た。このような技術に関しては、例え
ば、特開平4−279097号公報、特開平5−343
821号公報、特開平5−304223号公報に記載が
あるようないわゆるサーマルビアを有する多層プリント
配線基板がある。
On the other hand, the heat generated from the LSI is generally released from the LSI package or bare chip to the substrate through solder for electrical connection. In recent years, however, the heat generated by the LSI is radiated to the LSI package or the chip itself. I came to attach fins. However, the outer shape of this heat radiation fin is large, and it is necessary to reduce the size from the viewpoint of high-density mounting. As a result, a new path for efficiently releasing heat to the board is desired along with the efficiency improvement of the heat radiation fin. It has become. Regarding such a technique, for example, JP-A-4-279097 and JP-A-5-343 are available.
There is a multilayer printed wiring board having a so-called thermal via as described in Japanese Patent Laid-Open No. 821 and Japanese Patent Laid-Open No. 5-304223.

【0005】さらに、多層配線基板のパターン設計にお
いては、インピーダンスやクロストーク等の電気的性能
を考慮することが非常に重要となり、高速化、高密度化
が望まれるなかで、特に、高周波回路では、電磁記的な
副作用を抑止することがますます課題になって来てい
る。そこで、信号配線をグランド層に近接させるマイク
ロストリップ線路やストリップ線路による配線設計が行
なわれている。また、特開平2−116190号公報で
は、基板表面に形成した配線の周囲をグランドで被う方
法が開示されている さらに、特開平4−142795号公報では、基板の中
に形成された配線の両側に沿ってグランド導体を設ける
方法が示されている。
Further, in designing the pattern of the multilayer wiring board, it is very important to consider the electrical performance such as impedance and crosstalk, and it is desired to increase the speed and density, especially in a high frequency circuit. , Deterrence of electromagnetic side effects is becoming an increasing challenge. Therefore, wiring design by a microstrip line or a strip line in which the signal wiring is brought close to the ground layer is performed. Further, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2-116190 discloses a method of covering the wiring formed on the surface of the substrate with a ground. Further, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 4-142795 discloses the wiring formed in the substrate. A method of providing a ground conductor along both sides is shown.

【0006】また、従来の高密度な多層プリント配線基
板の製造方法として挙げた特開平4−148590号公
報や特開平1−53497号公報では有機絶縁膜上に無
電解めっきにて、導体形成用の下地導電膜を形成してい
る。
Further, in Japanese Unexamined Patent Publication Nos. 4-148590 and 1-53497 cited as a conventional method for manufacturing a high-density multilayer printed wiring board, a conductor is formed by electroless plating on an organic insulating film. Forming the underlying conductive film.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記従来の多層プリン
ト配線基板の製造方法では、その貫通めっきスルーホー
ルは、多層プリント配線基板製造工程の最終段階で形成
するために、コアとなる両面プリント配線基板のスルー
ホール格子とその外側の配線層間の接続をとるスルーホ
ール格子は、結局、同じ位置で同じ格子ピッチとなる。
In the conventional method for manufacturing a multilayer printed wiring board described above, the through-plated through hole is formed at the final stage of the manufacturing process of the multilayer printed wiring board, so that the double-sided printed wiring board becomes a core. After all, the through-hole grid and the through-hole grid for connecting the wiring layers on the outside of the grid have the same grid pitch at the same position.

【0008】したがって、コアとなる両面プリント配線
基板の表面に配線を形成できない程密にスルーホールを
形成したならば、その外側の導体層にも配線を形成でき
ないことになるという問題点があった逆に、外側の導体
層に配線を形成できるようにスルーホールピッチを決め
ると、それ以上スルーホールピッチは小さくできないと
いう問題点が生ずる。
Therefore, if the through holes are formed so densely that the wiring cannot be formed on the surface of the double-sided printed wiring board, which is the core, the wiring cannot be formed on the outer conductor layer. On the contrary, if the through hole pitch is determined so that the wiring can be formed on the outer conductor layer, the through hole pitch cannot be further reduced.

【0009】また、高密度な多層プリント配線基板の製
造方法である上記の特開平4−148590号公報や特
開平1−53497号公報に記載の技術においては、こ
の方法で薄膜層において高密度な配線およびビアホール
を形成できるというメリットがある。
Further, in the technique described in the above-mentioned JP-A-4-148590 and JP-A-1-53497, which is a method for manufacturing a high-density multilayer printed wiring board, a high density is achieved in the thin film layer by this method. There is an advantage that wiring and via holes can be formed.

【0010】しかしながら、コアとなる両面プリント配
線基板の両面を接続するために、スルーホールを最終段
階で形成するならば、スルーホールの影響で高密度配線
をおこないにくくなることは、上述と同様になり、高密
度配線が形成可能な薄膜層の構成による多層配線基板と
したメリットが激減する。
However, if through holes are formed at the final stage in order to connect both surfaces of the double-sided printed wiring board which becomes the core, it becomes difficult to perform high-density wiring due to the influence of the through holes, as in the above case. Therefore, the merit of using a multilayer wiring board with a thin film layer structure capable of forming high-density wiring is drastically reduced.

【0011】また、逐次積層法でスルーホールランド上
にビアを形成するとスルーホールランドの幅が大きくな
り、その分スルーホールピッチが大きくなる。そして、
ビアが形成する最小格子ピッチはスルーホールピッチと
同じであり、高密度化に限界があるという問題点があっ
た。
Further, when the vias are formed on the through-hole lands by the sequential laminating method, the width of the through-hole lands is increased and the through-hole pitch is increased accordingly. And
The minimum lattice pitch formed by vias is the same as the through hole pitch, and there is a problem in that there is a limit to high density.

【0012】さらに、スルーホールが穴埋めされていな
いために逐次積層層の形成が困難であり、基板の信頼性
も欠けるという問題点もある。
Further, since the through holes are not filled up, it is difficult to form successive laminated layers, and the reliability of the substrate is lacking.

【0013】このように両面を貫通めっきスルーホール
で接続する従来からの多層プリント配線基板は貫通めっ
きスルーホールのために高密度化に限界がある。
As described above, the conventional multilayer printed wiring board in which both surfaces are connected by the through-plated through holes has a limitation in increasing the density because of the through-plated through holes.

【0014】この悪影響は、多ピン狭ピッチLSIパッ
ケージやLSIベアチップを多層プリント配線基板に実
装する場合に顕著に現れ、LSIを基板に接続できても
配線が引き回せない現象が起きる場合があった。
This adverse effect is noticeable when a multi-pin narrow-pitch LSI package or an LSI bare chip is mounted on a multilayer printed wiring board, and sometimes the wiring cannot be routed even if the LSI can be connected to the board. .

【0015】逆に、配線を引き回せる基板にした場合に
は、LSIの端子ピッチと基板のパッドピッチを合わせ
られないという不整合が生じたり、配線のため基板が極
端に多層化しなければならないという不都合が生じるこ
とがあった。
On the other hand, when a substrate on which wiring can be routed is used, a mismatch occurs in that the terminal pitch of the LSI and the pad pitch of the substrate cannot be matched, or the wiring must be extremely multi-layered. Inconvenience may have occurred.

【0016】ところが逆に、基板上の貫通めっきスルー
ホールを穴埋めされていないものにすると、基板に実装
されたLSIベアチップは極薄い封止材料で外界から遮
断されるだけになり、信頼性に欠けるものになるという
問題点が生ずる。
On the contrary, if the through-plated through holes on the board are not filled up, the LSI bare chip mounted on the board is only shielded from the outside by an extremely thin encapsulating material, which lacks reliability. There is a problem that it becomes a thing.

【0017】次に、放熱のための特開平4−27909
7号公報、特開平5−343821号公報、特開平5−
304223号公報に記載の多層プリント配線基板の技
術についていえば、これらの基板はいずれも基板の両側
を貫通するめっきスルーホールを利用したものであり、
サーマルビアのためのみに基板製造の最終段階で貫通め
っきスルーホールを形成することはコスト高になるとい
う問題点があった。
Next, JP-A-4-27909 for heat dissipation
No. 7, JP-A-5-343821, and JP-A-5-343821.
Regarding the technology of the multilayer printed wiring board described in Japanese Patent No. 304223, all of these boards use plated through holes penetrating both sides of the board.
Forming the through-plated through holes at the final stage of manufacturing the substrate only for the thermal via has a problem of high cost.

【0018】次に、高周波回路を意識した特開平2−1
16190号公報に記載の基板表面に形成した配線の周
囲をグランドで被う方法では、配線をグランドで囲うた
めのみに基板製造の最終段階でその構造を製造しなくて
はならず、製造コストがコスト高になるという問題点が
あった。
Next, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-1 considering a high frequency circuit.
In the method of covering the wiring formed on the surface of the substrate with a ground as described in Japanese Patent No. 16190, the structure has to be manufactured at the final stage of manufacturing the substrate only to surround the wiring with the ground, and the manufacturing cost is low. There was a problem that the cost would be high.

【0019】さらに、特開平4−142795号公報に
記載の基板の中に形成された配線の両側に沿ってグラン
ド導体を設ける方法では、そのグランド導体はスルーホ
ール導体であり、遮蔽効果は小さいという問題点があっ
た。
Further, in the method disclosed in JP-A-4-142795, in which the ground conductor is provided along both sides of the wiring formed in the substrate, the ground conductor is a through-hole conductor and the shielding effect is small. There was a problem.

【0020】次に、特開平4−148590号公報や特
開平1−53497号公報に記載の技術についていえ
ば、この方法では、有機絶縁膜表面をクロム硫酸や過マ
ンガン塩で粗化し、そのアンカー効果で下地導電膜を接
着している。しかし、この方法では、充分な接着強度を
確保することが困難であるという問題点があった。
Next, regarding the techniques described in JP-A-4-148590 and JP-A-1-53497, in this method, the surface of the organic insulating film is roughened with chromium sulfate or permanganese salt, and the anchor thereof is used. The underlying conductive film is adhered due to the effect. However, this method has a problem that it is difficult to secure a sufficient adhesive strength.

【0021】また、有機絶縁材料よりも酸化剤に対して
溶解性の高い樹脂フィラーを含有させ、絶縁膜表面のフ
ィラーを酸化剤で除去して、そのアンカー効果で下地導
電膜を接着させる方法では、大きな接着強度は取れる
が、有機絶縁膜よりも酸化され易い有機フィラーはおの
ずと有機絶縁膜材料よりも耐熱性等の物性が劣り、全体
としての絶縁膜物性を落すことになるという問題点が生
ずる。
In addition, in a method in which a resin filler having a higher solubility than an organic insulating material in an oxidizing agent is contained, the filler on the surface of the insulating film is removed by the oxidizing agent, and the underlying conductive film is adhered by its anchor effect. , Although it has a high adhesive strength, the organic filler, which is more easily oxidized than the organic insulating film, is naturally inferior in physical properties such as heat resistance to the organic insulating film material, resulting in a problem that the physical properties of the insulating film as a whole are deteriorated. .

【0022】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたもので、その第一の目的は、コアとな
る両面プリント配線基板の両面の接続をとるための貫通
めっきスルーホールの穴を形成した場合であっても、そ
の外側に形成する絶縁膜と銅の逐次積層形薄膜層におい
て高密度に配線を形成する能力を最大限に引き出す構造
の多層配線基板およびこれを用いた半導体装置を提供す
ることにある。特に、コアとなる両面プリント配線基板
の表面に配線を形成できない程、密にスルーホールを形
成しても、その外側に形成する逐次積層形薄膜層の導体
層に配線を形成できる構造の多層配線基板およびこれを
用いた半導体装置を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art. A first object of the present invention is to provide a through-plated through hole for connecting both sides of a double-sided printed wiring board as a core. Even when holes are formed, a multilayer wiring board having a structure that maximizes the ability to form high-density wiring in an insulating film and a copper thin film layer formed on the outer side thereof and a semiconductor using the same To provide a device. In particular, even if the through holes are so densely formed that the wiring cannot be formed on the surface of the double-sided printed wiring board that will be the core, the wiring can be formed on the conductor layers of the sequentially laminated thin film layers formed on the outer side of the through holes It is to provide a substrate and a semiconductor device using the same.

【0023】また、その第二の目的は、放熱性に優れた
構造の多層配線基板およびこれを用いた半導体装置を提
供することにある。
A second object of the invention is to provide a multilayer wiring board having a structure excellent in heat dissipation and a semiconductor device using the same.

【0024】また、第三の目的は、高周波特性に優れた
多層配線基板およびこれを用いた半導体装置を提供する
ことにある。
A third object is to provide a multilayer wiring board excellent in high frequency characteristics and a semiconductor device using the same.

【0025】さらに、第四の目的は、上記基板を信頼性
良く低コストで製造する方法を提供することにあり、特
に、絶縁膜と下地導電膜の接着強度の優れた多層配線基
板の製造方法を提供することにある。
A fourth object of the present invention is to provide a method for manufacturing the above-mentioned substrate with high reliability and at low cost. In particular, a method for manufacturing a multilayer wiring board having excellent adhesive strength between an insulating film and a base conductive film. To provide.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、コアとなる両面プリント板と、その上または下に形
成される配線層とを有する多層配線基板であって、該コ
アとなる両面プリント板は、格子状に配列されかつ穴埋
めされた貫通めっきスルーホールと、該貫通めっきスル
ーホールが形成する格子の間に配列されかつ該配線層と
接続されるビアと、を有し、該貫通めっきスルーホール
と該ビアとは、該貫通めっきスルーホールの周縁に存在
し、かつその一部が該貫通めっきスルーホールの形成す
る格子の間に配置されたビアの位置まで拡張されたラン
ドにより電気的に接続されているようにしたものであ
る。
In order to achieve the above object, a double-sided printed board as a core and a shape above or below the board are formed.
A multilayer wiring board having a wiring layer formed by
The double-sided printed circuit board, which will be
Through-plated through hole and the through-plated through hole
Are arranged between the grids formed by the holes and the wiring layer
A via to be connected, and the through-plated through hole
And the via exist on the periphery of the through-plated through hole
And part of it forms the through-plated through hole.
Run extended to the position of vias placed between the grids
It is designed to be electrically connected by a cable .

【0027】より詳しくは、上記多層配線基板におい
て、前記コアとなる両面プリント板が、少なくとも4つ
の穴埋めされた貫通めっきスルーホールを有し、それら
4つの穴埋めされた貫通めっきスルーホールの中央位置
の形成する格子の中央位置にまで、前記拡張ランド部を
拡張するようにしたものである。
More specifically, in the above-mentioned multilayer wiring board, the double-sided printed board serving as the core has at least four through-plated through-holes filled with holes, and the four positions of the through-plated through-holes at the central positions are filled. The extended land portion is extended to the central position of the lattice to be formed.

【0028】さらに詳しくは、前記コアとなる両面プリ
ント板の上または下に形成される前記配線層において、
そのビアパッド位置が4つの穴埋めされた貫通めっきス
ルーホールの中心位置、それら中心位置の形成する格子
の中央位置のいずれか一方、または、両者であるように
したものである。
More specifically, in the wiring layer formed on or below the double-sided printed board that serves as the core,
The via pad position is one of the center positions of the four through-plated through holes filled with holes, the center position of the lattice formed by these center positions, or both.

【0029】次に、上記目的を達成するために、本発明
の半導体装置に係る発明の構成は、上記の多層配線基板
の両面の格子上にパッドを設け、前記多層配線基板の片
面のパッド上に1個以上の半導体または半導体パッケー
ジを接続し、前記多層配線基板のもう一方の片面のパッ
ド上に、別の多層配線基板と接続するための導電体を形
成するか、あるいは、前記多層配線基板両面のパッド上
に、各々の片面に1個以上の半導体または半導体パッケ
ージを接続し、前記多層配線基板のいずれかの片面のパ
ッド上に、別の多層配線基板と接続するための導電体を
形成したようにしたものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the structure of the invention relating to the semiconductor device of the present invention is such that pads are provided on the grids on both sides of the above-mentioned multilayer wiring board, and the pads are provided on one side of the multilayer wiring board. One or more semiconductors or semiconductor packages are connected to each other, and a conductor for connecting to another multilayer wiring board is formed on the pad on the other side of the multilayer wiring board, or the multilayer wiring board is formed. One or more semiconductors or semiconductor packages are connected to one surface of each of the pads on both surfaces, and a conductor for connecting to another multilayer wiring board is formed on one of the pads of the multilayer wiring board. It was done in the same way.

【0030】また、本発明の多層配線基板に係る発明の
他の構成は、両面プリント板の穴埋めされた貫通めっき
スルーホールのランドおよび穴埋め部上のスタッドビア
に柱状の銅体を形成して成るようにしたものである。
Another aspect of the invention relating to the multilayer wiring board of the present invention is that the land of the through-plated through-hole filled in the double-sided printed board and the stud via on the filled-up portion are provided with columnar copper bodies. It is formed and formed.

【0031】別に詳しくは、両面プリント板の穴埋めさ
れた貫通めっきスルーホールの複数個を含む領域の表層
銅および穴埋め部上のスタッドビアに柱状の銅体を形成
して成るようにしたものである。
More specifically, in more detail, a columnar copper body is formed on the surface layer copper of a region including a plurality of through-plated through holes filled in the double-sided printed board and the stud via on the filled portion. .

【0032】また、上記目的を達成するために、本発明
の半導体装置に係る発明の他の構成は、上記のいずれか
の多層配線基板において、前記柱状の銅体と半導体また
は半導体パッケージを熱伝導率の良い熱伝導体で接続
し、かつ、穴埋めされた貫通めっきスルーホールを電源
層もしくはグランド層と接続するか、または、前記半導
体もしくは半導体パッケージに接続された銅体と反対側
の柱状の銅体に、別の多層配線基板と接続するための熱
伝導率の良い熱伝導体を形成することのいずれか一方、
または、両者をおこなうようにしたものである。
In order to achieve the above object, another structure of the invention according to the semiconductor device of the present invention is that the pillar-shaped copper body and the semiconductor or semiconductor package are thermally conductive in any one of the above multilayer wiring boards. Connect with a good thermal conductor and connect the through-plated through holes filled up with the power supply layer or the ground layer, or the columnar copper on the side opposite to the copper body connected to the semiconductor or semiconductor package. Either one of forming a thermal conductor with good thermal conductivity for connecting to another multilayer wiring board on the body,
Alternatively, both are performed.

【0033】また、上記目的を達成するために、本発明
の多層配線基板に係る発明の他の構成は、複数の配線
と、該複数の配線を有する領域の配線周囲を被覆する絶
縁層とを有する多層配線基板であって、該絶縁層の少な
くとも3方にグランド層を設け、該配線を複数本一括で
囲むようにしたようにしたものである。
In order to achieve the above object, another structure of the invention relating to the multilayer wiring board of the present invention is to provide a plurality of wirings.
And the insulation around the wiring in the area having the plurality of wirings.
A multilayer wiring board having an edge layer, wherein
A ground layer is provided on at least 3 sides, and multiple wirings
It is the one that was made to surround it .

【0034】さらに、上記目的を達成するために、本発
明の半導体装置に係る発明の他の構成は、上記の多層配
線基板を用いて、複数の電気回路系を構成し、それらを
前記グランド層で相互に分離したようにしたものであ
る。
Further, in order to achieve the above-mentioned object, another structure of the invention according to the semiconductor device of the present invention is to form a plurality of electric circuit systems by using the above-mentioned multilayer wiring board, which are connected to the ground layer. They are separated from each other.

【0035】次に、上記目的を達成するために、本発明
の多層配線基板の製造方法に係る発明の構成は、(1)
両面銅張りプリント板を穴明けし、全面に銅めっきをす
る工程、(2)所望の形状にレジストの抜きパターンを
形成した後、ビア用の銅をめっきし、レジストを剥離す
る工程、(3)所望の形状にレジストの残しパターンを
形成した後、表層銅をパターニングし、レジストを剥離
する工程、(4)前記基板の両面に表面の平坦な金型を
設置し、この基板と金型との間にフィラー含有無溶剤形
流動性高分子前駆体を供給する工程、(5)前記金型と
前記基板との間を排気する工程、(6)前記金型を前記
基板方向へ移動させてフィラー含有無溶剤形流動性高分
子前駆体を前記基板上の銅導体間隙に充填する工程、
(7)前記前駆体に所定の静水圧をかける工程、(8)
静水圧下において前記前駆体を硬化する工程、(9)ビ
ア銅導体表面を露出させる工程、(10)前記ビア銅導
体と接続する下地導電膜を形成する工程、(11)所望
の形状にレジストの抜きパターンを形成した後、配線銅
導体をめっきにより形成する工程、(12)所望の形状
にレジストの抜きパターンを形成した後、ビア銅導体を
めっきにより形成する工程、(13)2層のレジストを
剥離する工程、(14)不要の下地導電膜をエッチング
する工程、を含み、前記(1)ないし(3)の工程をこ
の順におこない、その後に、前記(4)ないし(14)
の工程をこの順に繰り返すことで多層化する多層配線基
板の製造方法(A法)、または、(1)両面銅張りプリ
ント板を穴あけし、全面に銅めっきする工程、(2)所
望の形状にレジストの残しパターンを形成した後、表層
銅をエッチングし、レジストを剥離する工程、(3)前
記基板の両面に表面の平坦な金型を設置し、この基板と
金型との間にフィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆体
を供給する工程、(4)前記金型と前記基板との間を排
気する工程、(5)前記金型を前記基板方向へ移動させ
てフィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆体を前記基板
上の銅導体間隙に充填する工程、(6)前記前駆体に所
定の静水圧をかける工程、(7)静水圧下において前記
前駆体を硬化する工程、(8)表層銅導体表面を露出さ
せる工程、(9)絶縁膜を成膜した後、絶縁膜の所望の
位置にビアホールを形成する工程、(10)ビア銅導体
と配線銅導体をめっきにより形成する工程、を含み、前
記(1)ないし(8)の工程をこの順におこない、その
後に、前記(9)ないし(10)の工程をこの順に繰り
返すことで多層化する多層配線基板の製造方法(B法)
において、前記フィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆
体を加熱溶融させて、精密定量吐出装置にて基板上に供
給するようにしたものである。
Next, in order to achieve the above object, the structure of the invention relating to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention is (1)
A step of forming a hole on a double-sided copper-clad printed board and copper-plating the entire surface, (2) a step of forming a resist removal pattern in a desired shape, then plating copper for vias, and removing the resist; ) A step of forming a residual pattern of the resist in a desired shape, then patterning the surface copper, and peeling the resist, (4) installing a mold having a flat surface on both surfaces of the substrate, and the substrate and the mold. A step of supplying a solvent-free fluid polymer precursor containing a filler between the two, (5) a step of evacuating between the mold and the substrate, (6) a step of moving the mold toward the substrate. Filling a filler-free solvent-free fluid polymer precursor into the copper conductor gap on the substrate,
(7) applying a predetermined hydrostatic pressure to the precursor, (8)
Curing the precursor under hydrostatic pressure, (9) exposing the via copper conductor surface, (10) forming an underlying conductive film connected to the via copper conductor, (11) resist into a desired shape After forming the punching pattern, the wiring copper conductor is formed by plating, (12) After the resist punching pattern is formed in a desired shape, the via copper conductor is formed by plating, (13) Two-layer The steps (1) to (3) are performed in this order, including the step of removing the resist and the step (14) of etching the unnecessary underlying conductive film, and thereafter the steps (4) to (14).
The method of manufacturing a multilayer wiring board (method A) in which the steps are repeated in this order to form a multilayer, or (1) a step of boring a double-sided copper-clad printed board and copper-plating the entire surface, (2) forming a desired shape After forming the residual pattern of the resist, the surface copper is etched and the resist is peeled off. (3) A mold having flat surfaces is provided on both surfaces of the substrate, and a filler is contained between the substrate and the mold. A step of supplying a solventless type fluid polymer precursor, (4) a step of exhausting a space between the mold and the substrate, and (5) a solvent containing filler containing solvent by moving the mold toward the substrate. Filling the gap between the copper conductors on the substrate with a fluid polymer precursor, (6) applying a predetermined hydrostatic pressure to the precursor, (7) curing the precursor under hydrostatic pressure, ( 8) A step of exposing the surface copper conductor surface, (9) After forming the edge film, a step of forming a via hole at a desired position of the insulating film, and a step of forming a via copper conductor and a wiring copper conductor by plating are included. A method for manufacturing a multilayer wiring board (method B) in which the steps are performed in this order, and thereafter the steps (9) to (10) are repeated in this order to form a multilayer
In the above method, the solvent-free fluid polymer precursor containing a filler is melted by heating and supplied onto a substrate by a precision metering device.

【0036】より詳しくは、上記多層配線基板の製造方
法において、前記A法またはB法の銅導体表面を露出さ
せる工程である前記A法−(9)およびB法−(8)に
おいて、フィラーを薬液により分解あるいは溶解し、前
記絶縁膜表面を粗面化するようにしたものである。
More specifically, in the method for manufacturing a multilayer wiring board, a filler is used in the method A- (9) and the method B- (8), which is the step of exposing the copper conductor surface of the method A or the method B. The insulating film is decomposed or dissolved by a chemical solution to roughen the surface of the insulating film.

【0037】さらに詳しくは、前記フィラーがポリイミ
ドで、前記無溶剤形流動性高分子前駆体が、多官能エポ
キシ樹脂とノボラック樹脂の組成物であり、前記薬液
が、 (a)アルカリ性水溶液、 (b)エチレンジアミンとヒドラジンヒドラートの混合
液、 (c)N−メチル−2−ピロリドンまたはハロゲン化フ
ェノールのいずれか一方、または、両者のうちで、前記
(a)ないし(c)のうちから選ばれた1種であるよう
にしたものである。
More specifically, the filler is polyimide, the solvent-free fluid polymer precursor is a composition of a polyfunctional epoxy resin and a novolac resin, and the chemical solution is (a) an alkaline aqueous solution, (b) ) A mixed solution of ethylenediamine and hydrazine hydrate, (c) one of N-methyl-2-pyrrolidone or a halogenated phenol, or both, selected from the above (a) to (c). It is made to be one kind .

【0038】別に詳しくは、前記両面銅張りプリント板
の替わりに、絶縁基板を使うようにしたものである。
More specifically, an insulating substrate is used instead of the double-sided copper-clad printed board.

【0039】さらに詳しくは、上記の多層配線基板の製
造方法において、前記絶縁基板が、プリプレグ材を硬化
した基板であるようにしたものである。
More specifically, in the above method for manufacturing a multilayer wiring board, the insulating board is a board obtained by curing a prepreg material.

【0040】[0040]

【作用】本発明に係る多層配線基板は、両面プリント配
線基板の穴埋めされた貫通めっきスルーホールのランド
を一部拡張した部分に、ビアを形成して、その外側の逐
次積層形薄膜層の配線層との接続をとるようにする。し
たがって、両面プリント配線基板の表面に配線が形成で
きない程、密にスルーホールを形成したとしても、その
外側に形成する逐次積層形薄膜層の導体層に配線を形成
することができる程、高密度な配線が可能になるという
作用がある。
In the multilayer wiring board according to the present invention, a via is formed in a part of the land of the through-plated through hole filled in the double-sided printed wiring board, and the wiring of the sequentially laminated thin film layer outside the via is formed. Try to connect with layers. Therefore, even if the through holes are densely formed so that the wiring cannot be formed on the surface of the double-sided printed wiring board, the wiring can be formed in the conductor layer of the sequentially laminated thin film layer formed on the outer side of the through holes with a high density. This has the effect of enabling various wiring.

【0041】また、4つの穴埋めされた貫通めっきスル
ーホールの中心位置とこれらの穴埋めされた貫通めっき
スルーホールの中心位置が形成する格子の中央位置との
両者に、配線位置を設ければ、配線位置の形成する格子
のピッチをスルーホールの中心位置が形成する格子のピ
ッチに比べて、より小さくできるので、さらに高密度な
配線が可能になる。
If wiring positions are provided at both the center position of the four through-hole plated through holes and the center position of the lattice formed by the center positions of the through-hole plated through holes. Since the pitch of the grid formed by the positions can be made smaller than the pitch of the grid formed by the center position of the through hole, wiring with higher density can be realized.

【0042】このような多層配線基板の構造は、コアと
なる両面プリント配線基板の貫通めっきスルーホールを
穴埋めし、その上に逐次積層形の薄膜層を形成すること
で製造が可能になった。
The structure of such a multilayer wiring board can be manufactured by filling the through-plated through holes of the double-sided printed wiring board to be the core, and forming successively laminated thin film layers thereon.

【0043】さらに、本発明に係る半導体装置では、こ
のような超高密度な多層配線基板の両面の格子上にパッ
ドを設け、前記基板片面のパッド上に1個以上の半導体
または半導体パッケージを接続し、前記基板のもう一方
の片面のパッド上に、別の多層配線基板と接続するため
の導電体を形成するか、あるいは、前記基板両面のパッ
ド上に、各々の片面に1個以上の半導体または半導体パ
ッケージを接続し、前記基板の片面のパッド上に別の多
層配線基板と接続するための導電体を形成している。
Further, in the semiconductor device according to the present invention, pads are provided on the grids on both surfaces of such an ultra-high-density multilayer wiring board, and one or more semiconductors or semiconductor packages are connected to the pads on one surface of the board. Then, a conductor for connecting to another multilayer wiring substrate is formed on the pad on the other side of the substrate, or one or more semiconductors are formed on each side of the pad on both sides of the substrate. Alternatively, a semiconductor package is connected, and a conductor for connecting to another multilayer wiring board is formed on the pad on one surface of the board.

【0044】したがって、従来のプリント配線基板では
困難であったような多ピン狭ピッチLSIパッケージや
LSIベアチップであっても、これを基板に接続し、配
線を引き回すことが可能になり、基板の配線層数も低減
することができるようになった。また、貫通スルーホー
ルが穴埋めされているために、パッケージ内のLSIベ
アチップは外界と絶縁樹脂で遮断されることになり、信
頼性も向上することになった。
Therefore, even a multi-pin narrow-pitch LSI package or an LSI bare chip, which has been difficult with a conventional printed wiring board, can be connected to the board and the wiring can be routed. The number of layers can also be reduced. Further, since the through-holes are filled up, the LSI bare chip inside the package is shielded from the outside by the insulating resin, and the reliability is also improved.

【0045】また、本発明に係る半導体装置では、両面
プリント板の穴埋めされた貫通めっきスルーホールのラ
ンドおよび穴埋め部上、または、両面プリント板の穴埋
めされた貫通めっきスルーホールの複数個を含む領域の
表層銅および穴埋め部上に柱状の銅を形成し、その柱状
の銅と半導体または半導体パッケージを熱伝導率の良い
熱伝導体で接続し、かつ、穴埋めされた貫通めっきスル
ーホールを電源層またはグランド層と接続するか、また
は、半導体または半導体パッケージと反対側の柱状の銅
に別の多層配線基板と接続するための熱伝導率の良い熱
伝導体を形成しするかのいずれか一方、または、両者を
おこなっている。
Further, in the semiconductor device according to the present invention, on the land and the filled portion of the through-plated through hole of the double-sided printed board, or in the region including a plurality of the through-plated through hole of the double-sided printed board. Columnar copper is formed on the surface layer copper and the hole-filled portion, and the columnar copper and the semiconductor or semiconductor package are connected by a heat conductor having a good thermal conductivity, and the through-hole plated through-hole filled with the hole is connected to the power supply layer or Either to connect to the ground layer or to form a heat conductor with good heat conductivity for connecting to another multilayer wiring board on the columnar copper on the side opposite to the semiconductor or semiconductor package, or , Doing both.

【0046】そのため、LSIでの発熱が容易に外部に
伝わることができるため、放熱性に優れているという作
用がある。さらに、前記サーマルビアは後述する基板製
造の過程において製造可能であり、基板製造の最終段階
で形成するものではないので、このような構造にして
も、さほどコストを上げることはないという作用も見込
むことができる。
Therefore, the heat generated in the LSI can be easily transmitted to the outside, which has the effect of excellent heat dissipation. Further, since the thermal via can be manufactured in the process of manufacturing a substrate, which will be described later, and is not formed in the final stage of manufacturing the substrate, it is expected that such a structure will not increase the cost so much. be able to.

【0047】また、本発明に係る多層配線基板では、基
板中に含まれる少なくとも1本以上の配線を有する領域
の配線周囲を絶縁層で被い、かつ、その領域の上下、左
右、前後の3方向の内、少なくとも2方向をグランド層
で囲うことにする。また、本発明に係る半導体装置で
は、その多層配線基板を用いて複数の電気回路系を相互
に分離する。
Further, in the multilayer wiring board according to the present invention, the area around the wiring having at least one wiring contained in the board is covered with an insulating layer, and the three layers of the upper, lower, left, right, front and rear of the area are covered. At least two of the directions are surrounded by the ground layer. Further, in the semiconductor device according to the present invention, a plurality of electric circuit systems are separated from each other by using the multilayer wiring board.

【0048】このようにすることで、、絶縁層とグラン
ド層で、電磁波の発生源を被い込むことができるので、
電気信号の干渉やノイズ発生を抑え、高周波特性に優れ
るという作用を得ることができる。さらに、前記ウォー
ルビアは後述する基板製造の過程において製造可能であ
り、基板製造の最終段階で形成するものではないので、
このような構造にしても、さほどコストを上げることは
ないという作用も見込むことができる。
By doing so, the source of electromagnetic waves can be covered with the insulating layer and the ground layer.
It is possible to obtain the effect of suppressing interference of electric signals and noise generation and excellent in high frequency characteristics. Furthermore, since the wall via can be manufactured in the process of manufacturing a substrate to be described later and is not formed in the final stage of manufacturing the substrate,
Even with such a structure, it is possible to expect an effect that the cost is not so much increased.

【0049】また、本発明に係る多層配線基板の製造方
法としては、先に記述したA法およびB法において、フ
ィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆体を加熱溶融させ
て精密定量吐出装置にて基板上に供給し、硬化した絶縁
膜からフィラーを薬液により分解あるいは溶解し、絶縁
膜表面を粗面化した後、無電解めっきを施す。
As the method for producing a multilayer wiring board according to the present invention, in the method A and method B described above, the filler-containing solvent-free fluid polymer precursor is heated and melted to form a precise quantitative discharge device. Is supplied onto the substrate, and the filler is decomposed or dissolved from the cured insulating film by a chemical solution to roughen the surface of the insulating film and then electroless plating is performed.

【0050】このようにすることにより、簡単なプロセ
スを用いて接着性に優れた下地導電膜を形成することが
可能になった。ここで、フィラーとしてポリイミドを、
無溶剤形流動性高分子前駆体として多官能エポキシ樹脂
とノボラック樹脂の組成物を使えば、フィラーにより絶
縁膜の物性を劣化させることはなく、逆に、絶縁膜の物
性を向上させることができる。
By doing so, it becomes possible to form a base conductive film having excellent adhesiveness using a simple process. Here, polyimide as a filler,
By using a composition of a polyfunctional epoxy resin and a novolac resin as a solvent-free fluid polymer precursor, the physical properties of the insulating film can be improved without the filler deteriorating the physical properties of the insulating film. .

【0051】なお、コアとなる両面プリント配線基板を
製造する際に、両面銅張りプリント板の変わりに、プリ
プレグを熱硬化した絶縁材料を用いれば、さらに、製造
工程における低コスト化を図ることができる。
When a double-sided printed wiring board to be a core is manufactured, if a double-sided copper-clad printed board is used and an insulating material obtained by thermosetting a prepreg is used, the cost of the manufacturing process can be further reduced. it can.

【0052】[0052]

【実施例】以下、本発明に係る各実施例を、図1ないし
図15を用いて説明する。 〔高密度配線が可能な本発明に係る多層配線基板の構造
とそれを用いた半導体装置〕本発明の多層配線基板の構
造は、両面プリント配線基板の穴埋めされた貫通めっき
スルーホールのランドを一部拡張した部分に、その外側
の逐次積層形薄膜層の配線層との接続をとるためのビア
を形成して成る多層配線基板としたものである。これを
用いた半導体装置の構造は、この多層配線基板にできる
ビアの格子上にパッドを設け、半導体または半導体パッ
ケージを接続するものである。そして、この多層配線基
板とこれを用いた半導体装置によって、本発明の第1の
課題である高密度化が達成されるのである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 15. [Structure of Multilayer Wiring Board According to the Present Invention that Enables High-Density Wiring and Semiconductor Device Using the Same] The structure of the multilayer wiring board according to the present invention is one in which the land of the through-plated through holes filled in the double-sided printed wiring board A multilayer wiring board is formed by forming vias in the partially expanded portion for connecting to the wiring layers of the sequentially laminated thin film layers on the outside. In the structure of a semiconductor device using this, pads are provided on the grid of vias formed in this multilayer wiring board to connect a semiconductor or a semiconductor package. The multi-layered wiring board and the semiconductor device using the same achieve the high density of the first object of the present invention.

【0053】以下、これを図1ないし図6を用いて詳細
に説明していこう。先ず、図1を用いて本発明に係る多
層配線基板のランドとビアの基本的な構造を説明する。
This will be described in detail below with reference to FIGS. 1 to 6. First, the basic structure of lands and vias of the multilayer wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG.

【0054】図1は、本発明に係る多層配線基板のラン
ドとビアの構造を示す図で、図1(a)がランドとビア
の斜視図、図1(b)が(a)のAA´断面図である。
FIG. 1 is a diagram showing the structure of lands and vias of a multilayer wiring board according to the present invention. FIG. 1A is a perspective view of the lands and vias, and FIG. 1B is AA 'of FIG. FIG.

【0055】図1(a)に示すように、両面プリント配
線基板の穴埋めされた貫通めっきスルーホールの周縁に
形成されるランド101を一部拡張した拡張ランド部1
02の先端部分に、その外側の逐次積層形薄膜層の配線
層との接続をとるためのビア103を形成する。
As shown in FIG. 1A, an extended land portion 1 obtained by partially expanding a land 101 formed on the periphery of a through-plated through hole filled in a double-sided printed wiring board.
A via 103 is formed at the tip portion of 02 for connecting to the wiring layer of the sequentially laminated thin film layer on the outside thereof.

【0056】ビアの形状としては、図1(b)のAA´
断面図に示すようなスタッドビア104と図1(c)の
AA´断面図に示すようなコンフォーマルビア105の
2つを用いることができるが、より微細なビアを形成で
きること、さらに、すり鉢形でなく柱状であること等か
ら図1(b)のスタッドビア104の方が望ましい。
The shape of the via is AA 'in FIG. 1 (b).
Two stud vias 104 as shown in the sectional view and a conformal via 105 as shown in the sectional view AA ′ of FIG. 1C can be used, but finer vias can be formed, and a mortar shape The stud via 104 shown in FIG. 1B is more preferable because it has a columnar shape instead.

【0057】次に、図2を用いて本発明に係るプリント
配線基板の構造について説明する。図2は、コアとなる
両面プリント配線基板の表面層の上面図を模式的に示し
たものである。
Next, the structure of the printed wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 schematically shows a top view of the surface layer of the double-sided printed wiring board which becomes the core.

【0058】本発明に係るプリント配線基板の構造は、
上述のスルーホールとランドを有効に配列したものであ
る。すなわち、配線のコアとなる両面プリント配線基板
の4つの穴埋めされた貫通めっきスルーホール201,
202,203,204が形成する格子の中央の位置
に、その貫通めっきスルーホール201の一つの拡張ラ
ンド206を占有するように取り、その格子の中央の位
置にこのプリント配線基板の外側の逐次積層形薄膜層の
配線層との接続をとるためのビア206を形成した構造
である。
The structure of the printed wiring board according to the present invention is as follows.
The through holes and lands described above are effectively arranged. That is, the four through-hole plated through holes 201 of the double-sided printed wiring board, which is the core of the wiring, are filled.
At a central position of the grid formed by 202, 203, and 204, one expansion land 206 of the through-plated through hole 201 is occupied so as to occupy, and a sequential stacking is performed outside the printed wiring board at the central position of the grid. This is a structure in which a via 206 for forming a connection with the wiring layer of the thin film layer is formed.

【0059】このような構造とすることで、たとえ両面
プリント配線基板の表面に配線が形成できない程、密に
スルーホールを形成したとしても、その外側に形成する
逐次積層形薄膜層の導体層に配線を形成することができ
る。
With such a structure, even if the through holes are so densely formed that wiring cannot be formed on the surface of the double-sided printed wiring board, the conductor layer of the sequentially laminated thin film layer formed on the outside of the through holes is formed. Wiring can be formed.

【0060】次に、図3および図4を用いて本発明に係
るプリント配線基板の上下に形成される配線層における
配線について詳細に説明する。図3は、コアとなる両面
プリント配線基板の表面層の上下に形成される配線層の
配線パターンの一つの例の上面図を模式的に示したもの
である。図4は、コアとなる両面プリント配線基板の表
面層の上下に形成される配線層の配線パターンの一つの
例の上面図を模式的に示したものである。
Next, the wiring in the wiring layers formed above and below the printed wiring board according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 schematically shows a top view of one example of a wiring pattern of a wiring layer formed above and below a surface layer of a double-sided printed wiring board which becomes a core. FIG. 4 schematically shows a top view of an example of a wiring pattern of a wiring layer formed above and below a surface layer of a double-sided printed wiring board which becomes a core.

【0061】図3の301は、配線を示し、302は、
層間接続用のビアが形成されるパッドを表わしている。
このパッド302が形成する格子は、内側の4つの穴埋
めされた貫通めっきスルーホール303,304,30
5,306の中央位置すなわちパッド302の位置を含
む。
Reference numeral 301 in FIG. 3 denotes wiring, and 302 denotes
It represents a pad in which a via for interlayer connection is formed.
The grid formed by the pad 302 is formed by the four inner plated through-holes 303, 304, 30.
5, 306 in the central position, that is, the position of the pad 302.

【0062】このような構造とすることで逐次積層形薄
膜層の格子βは、コアとなる両面プリント配線基板のス
ルーホール格子αをXY方向にそれぞれ1/2格子ずら
した格子となり、その格子ピッチは、スルーホールの格
子ピッチと同じにすることができる。
With such a structure, the lattice β of the sequentially laminated thin film layers becomes a lattice obtained by shifting the through-hole lattice α of the double-sided printed wiring board to be the core by 1/2 lattice in the XY directions, and the lattice pitch thereof. Can be the same as the grid pitch of the through holes.

【0063】また、図4を用いて本発明に係る多層配線
基板の今一つの配線方法を説明しよう。これは、拡張ラ
ンド部の表面に形成されたビアが形成されるパッドと、
さらに貫通めっきスルーホール中央部にもビアが形成さ
れるパッドを設けて、この両者と配線を取って、配線密
度を向上させたものである。すなわち、配線される位置
は、4つの穴埋めされた貫通めっきスルーホール40
1,402,403,404のホールの中心位置と、そ
の4つのホールの中心位置が形成する格子の中央とな
る。そして、この際の配線位置の形成する格子γのピッ
チは、コアとなる両面プリント配線基板のスルーホール
格子αのピッチの1/√2とすることができる。
Another wiring method of the multilayer wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG. This is a pad where a via is formed on the surface of the extended land,
Further, a pad in which a via is formed is also provided in the central portion of the through-plated through hole, and wiring is taken with both of them to improve the wiring density. That is, the wiring positions are four through-plated through-holes 40 filled with holes.
The center positions of the holes 1, 402, 403, 404 and the center positions of the four holes are the center of the lattice formed. The pitch of the grid γ formed by the wiring positions at this time can be set to 1 / √2 of the pitch of the through-hole grid α of the double-sided printed wiring board as the core.

【0064】このような多層配線基板の構造とすること
で、従来のプリント配線基板では達成できない超高密度
配線が可能なプリント配線基板を提供することができ
る。
By adopting such a structure of the multilayer wiring board, it is possible to provide a printed wiring board capable of ultra-high density wiring which cannot be achieved by the conventional printed wiring board.

【0065】なお、上述の配線位置の取り方は、基本的
なものを示したが、この発明の要旨に則って、様々な変
則形を取ることも可能である。
Although the above-mentioned way of taking the wiring position is basically shown, various irregular shapes can be adopted in accordance with the gist of the present invention.

【0066】次に、図5および図6を用いて上記多層配
線基板を用いた半導体装置について説明する。なお、こ
こで言う半導体装置とは、いわゆるシングルチップパッ
ケージ、マルチチップパッケージ、あるいはマルチチッ
プモジュール等に分類される概念で捉えられるところの
半導体装置である。
Next, a semiconductor device using the above multilayer wiring board will be described with reference to FIGS. 5 and 6. It should be noted that the semiconductor device mentioned here is a semiconductor device that can be understood as a concept classified into a so-called single-chip package, a multi-chip package, a multi-chip module, or the like.

【0067】図5は、上面に半導体または半導体パッケ
ージを2個搭載した本発明の多層配線基板を用いた半導
体装置の断面図である。図6は、上面と下面にそれぞれ
1個ずつ半導体または半導体パッケージを搭載した本発
明の多層配線基板を用い、リードフレームを取り付けた
半導体装置の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor device using the multilayer wiring board of the present invention having two semiconductors or semiconductor packages mounted on the upper surface. FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor device to which a lead frame is attached using the multilayer wiring board of the present invention in which one semiconductor or semiconductor package is mounted on each of the upper surface and the lower surface.

【0068】すなわち、この半導体装置は、上記多層配
線基板を用いて逐次積層形薄膜層の格子上にパッドを設
け、半導体または半導体パッケージを接続することによ
り、半導体または半導体パッケージのI/O端子が多く
なっても実装しうる半導体装置を製造することができる
というものである。
That is, in this semiconductor device, the I / O terminals of the semiconductor or the semiconductor package are connected by connecting pads to the semiconductor or the semiconductor package by providing pads on the lattice of the sequentially laminated thin film layers using the multilayer wiring board. It is possible to manufacture a semiconductor device that can be mounted even if the number of devices increases.

【0069】図5に示されるこの半導体装置の構造の例
は、多層配線基板501の両面の格子上にパッド50
2,503を設け、基板501の片面のパッド502上
に2個の半導体または半導体パッケージ504,505
をハンダボール506で接続し、基板501のもう一方
の片面のパッド503上に別の多層配線基板と接続する
ためのハンダボール507を形成したものである。
In the example of the structure of this semiconductor device shown in FIG. 5, the pads 50 are formed on the grids on both surfaces of the multilayer wiring board 501.
2, 503, and two semiconductors or semiconductor packages 504, 505 on the pad 502 on one surface of the substrate 501.
Are connected by solder balls 506, and solder balls 507 for connecting to another multilayer wiring board are formed on the pads 503 on the other side of the board 501.

【0070】この例では、半導体または半導体パッケー
ジは、片面に2個であるが、1個以上の適当な数の半導
体または半導体パッケージを乗せることができる。ま
た、この例では、半導体または半導体パッケージと多層
配線基板の接続および多層配線基板と別の多層配線基板
との接続用導電体として、ハンダボールを用いている
が、ワイヤ、リードフレーム、導電フィルム等の通常の
導電体を使うこともできる。
In this example, there are two semiconductors or semiconductor packages on one side, but an appropriate number of one or more semiconductors or semiconductor packages can be mounted. Further, in this example, solder balls are used as conductors for connecting the semiconductor or semiconductor package to the multilayer wiring board and for connecting the multilayer wiring board to another multilayer wiring board, but wires, lead frames, conductive films, etc. It is also possible to use the usual conductors.

【0071】図6に示されるこの半導体装置の構造の例
は、多層配線基板601の両面の格子上にパッド60
2,603を設け、基板601の両面のパッド602,
603上に2個の半導体または半導体パッケージ60
4,605をハンダボール606で接続し、基板の片面
のパッド603上に別の多層配線基板と接続するリード
フレームを形成したものである。
In the example of the structure of this semiconductor device shown in FIG. 6, the pads 60 are formed on the grids on both surfaces of the multilayer wiring substrate 601.
2, 603, and pads 602 on both sides of the substrate 601.
Two semiconductors or semiconductor packages 60 on 603
4, 605 are connected by solder balls 606, and a lead frame for connecting to another multilayer wiring board is formed on the pad 603 on one surface of the board.

【0072】この例では、半導体または半導体パッケー
ジは、各々片面に1個であるが、片面に1個以上の適当
な数の半導体または半導体パッケージを乗せることがで
きる。また、この例では、半導体または半導体パッケー
ジと多層配線基板601の接続用導電体のハンダボール
の代わりとして、ワイヤ、リードフレーム、導電フィル
ム等の通常の導電体を使用することができるのは、上で
述べたのと同様である。
In this example, the number of semiconductors or semiconductor packages is one on each side, but an appropriate number of semiconductors or semiconductor packages, one or more, can be mounted on one side. Further, in this example, a normal conductor such as a wire, a lead frame, or a conductive film can be used instead of the solder ball of the conductor for connecting the semiconductor or the semiconductor package and the multilayer wiring board 601. Is the same as described in.

【0073】多層配線基板601と別の多層配線基板と
の接続は半導体または半導体パッケージの厚さからリー
ドフレームを使うことが望ましい。上記したシングルチ
ップパッケージあるいはマルチチップパッケージ等の半
導体装置は、通常の封止工程、モールド工程や放熱フィ
ン取付け工程等の組立てをおこない、最終的なパッケー
ジ形態にすることができる。
It is desirable to use a lead frame for connection between the multilayer wiring board 601 and another multilayer wiring board because of the thickness of the semiconductor or semiconductor package. The semiconductor device such as the single chip package or the multi-chip package described above can be assembled into a final package form by performing an assembly such as a normal sealing process, a molding process and a radiation fin mounting process.

【0074】〔放熱特性に優れた本発明に係る多層配線
基板とそれを用いた半導体装置〕また、本発明の多層配
線基板の他の構造は、穴埋めされた貫通めっきスルーホ
ールのランドおよび穴埋め部上に、柱状の銅体を形成し
たものである。さらに、それを用いた半導体装置の構造
は、この柱状の銅体の上に、熱伝導率の良い熱伝導体を
載せて、他の半導体や多層配線基板と接続をとるもので
ある。
[Multilayer Wiring Board According to the Present Invention Having Excellent Heat Dissipation Characteristics and Semiconductor Device Using the Same] Further, another structure of the multilayer wiring board according to the present invention is that the land of the through-plated through hole and the filled portion are filled. A columnar copper body is formed on the top. Further, the structure of a semiconductor device using the same is such that a heat conductor having a good heat conductivity is placed on the columnar copper body and is connected to another semiconductor or a multilayer wiring board.

【0075】そして、この多層配線基板とこれを用いた
半導体装置によって、本発明の第2の課題である優れた
放熱特性を得ることが達成されるのである。
The multilayer wiring board and the semiconductor device using the multilayer wiring board can achieve the excellent heat radiation characteristic which is the second object of the present invention.

【0076】以下、これを図7ないし図9を用いて詳細
に説明する。先ず、図7および図8を用いて放熱特性に
優れた本発明に係る多層配線基板の基本的な構造を説明
する。図7は、放熱特性に優れた多層配線基板の断面図
で、スルーホール一つに、一つの柱状の銅体を対応せし
めたものである。図8は、放熱特性に優れた多層配線基
板の断面図で、複数のスルーホールに、一つの柱状の銅
体を対応せしめたものである。
This will be described in detail below with reference to FIGS. 7 to 9. First, the basic structure of the multilayer wiring board according to the present invention having excellent heat dissipation characteristics will be described with reference to FIGS. 7 and 8. FIG. 7 is a cross-sectional view of a multilayer wiring board having excellent heat dissipation characteristics, in which one through-hole corresponds to one columnar copper body. FIG. 8 is a cross-sectional view of a multilayer wiring board having excellent heat dissipation characteristics, in which one columnar copper body is made to correspond to a plurality of through holes.

【0077】図7に示される例では、両面プリント板7
01の穴埋めされた貫通めっきスルーホール702のラ
ンド703および穴埋め部704上に、柱状の銅体70
5を形成した構造としている。図7(a)と図7(b)
では、柱状の銅体705の形状に相違があり、図7
(a)は、穴が充填された構造であり、図7(b)は、
窪んだ部分が存在するが、この違いは、製造法による構
造の違いである。
In the example shown in FIG. 7, the double-sided printed board 7
On the land 703 and the hole-filled portion 704 of the through-plated through-hole 702 of 01, the columnar copper body 70 is formed.
5 is formed. 7 (a) and 7 (b)
Then, there is a difference in the shape of the columnar copper body 705.
7A shows a structure in which holes are filled, and FIG. 7B shows
Although there is a recessed portion, this difference is a difference in structure due to the manufacturing method.

【0078】図8に示される例では、基本的なアイディ
アは、図7に示した例と同様であるが、両面プリント板
801の穴埋めされた貫通めっきスルーホール802の
複数個を含む領域の表層銅体803および穴埋め部80
4上に柱状の銅体805を形成した例である。また、図
8(a)と図8(b)の違いも製造法による構造の違い
である。
In the example shown in FIG. 8, the basic idea is the same as in the example shown in FIG. 7, but the surface layer of the area of the double-sided printed board 801 including a plurality of the through-plated through holes 802 buried therein. Copper body 803 and hole filling portion 80
4 is an example in which a columnar copper body 805 is formed on No. 4. The difference between FIG. 8A and FIG. 8B is also the difference in structure due to the manufacturing method.

【0079】次に、図9を用いて上記多層配線基板を用
いた半導体装置について説明する。図9は、図8(a)
の基板を用いて形成した放熱特性に優れた半導体装置の
断面図である。
Next, a semiconductor device using the above multilayer wiring board will be described with reference to FIG. FIG. 9 shows FIG.
3 is a cross-sectional view of a semiconductor device formed by using the substrate of FIG.

【0080】基板の柱状の銅体901と半導体または半
導体パッケージ902を熱伝導率の良い熱伝導体903
で接続し、かつ、穴埋めされた貫通めっきスルーホール
904を電源層またはグランド層と接続するか、また
は、半導体または半導体パッケージと反対側の柱状の銅
体905に別の多層配線基板と接続するための熱伝導率
の良い熱伝導体906を形成するかのいずれか一方、ま
たは、両者をおこなう構造とした。この熱伝導率の良い
熱伝導体の材料としては、ハンダや銀ペースト等を使う
ことができる。
The columnar copper body 901 of the substrate and the semiconductor or semiconductor package 902 are connected to each other by a heat conductor 903 having a good heat conductivity.
In order to connect the through-plated through holes 904 filled with holes with the power supply layer or the ground layer, or to connect another multilayer wiring board to the columnar copper body 905 on the side opposite to the semiconductor or the semiconductor package. The thermal conductor 906 having good thermal conductivity is formed, or both of them are formed. Solder, silver paste, or the like can be used as the material of the heat conductor having good heat conductivity.

【0081】基板として図7の構造体を使うときは、1
つ1つ任意の場所に放熱経路を作ることができる。ま
た、図8の構造体を使うときは、特定の場所に集中した
放熱経路となり、このような構造体は、特に、半導体ま
たは半導体パッケージの中央部に形成すると配線領域を
より有効に使うことができる。
When the structure of FIG. 7 is used as the substrate, 1
A heat dissipation path can be created at any one of the locations. Further, when the structure of FIG. 8 is used, the heat radiation path is concentrated in a specific place, and when such a structure is formed in the central portion of the semiconductor or the semiconductor package, the wiring region can be used more effectively. it can.

【0082】〔高周波特性に優れた本発明に係る多層配
線基板とそれを用いた半導体装置〕また、本発明の多層
配線基板の他の構造は、多層配線基板の配線領域の周囲
を絶縁層で被い、その領域の少なくとも3方をグランド
層で囲いむようにしたものである。さらに、それを用い
た半導体装置の構造は、このような複数の基板をグラン
ド層で相互に隔離したものである。
[Multilayer Wiring Board According to the Present Invention Having Excellent High-Frequency Characteristics and Semiconductor Device Using the Same] Further, in another structure of the multilayer wiring board of the present invention, an insulating layer is provided around the wiring region of the multilayer wiring board. The cover is such that at least three of its regions are surrounded by a ground layer. Further, the structure of a semiconductor device using the same is such that a plurality of such substrates are isolated from each other by a ground layer.

【0083】そして、この多層配線基板とこれを用いた
半導体装置によって、本発明の第3の課題である優れた
高周波特性を得ることが達成されるのである。
With this multilayer wiring board and the semiconductor device using the same, it is possible to achieve excellent high frequency characteristics, which is the third object of the present invention.

【0084】以下、これを図10および図11を用いて
説明しよう。先ず、図10を用いて高周波特性に優れた
本発明に係る多層配線基板の基本的な構造を説明する。
図10は、高周波特性に優れた本発明に係る多層配線基
板の斜視図である。
This will be described below with reference to FIGS. 10 and 11. First, the basic structure of the multilayer wiring board according to the present invention having excellent high frequency characteristics will be described with reference to FIG.
FIG. 10 is a perspective view of a multilayer wiring board according to the present invention having excellent high frequency characteristics.

【0085】図10に示される例では、基板中に含まれ
る少なくとも1本以上の配線1001を有する領域の配
線周囲を絶縁層1002で被い、かつ、その領域の少な
くとも3方をグランド層1003で囲う構造としてい
る。そして、このような多層配線基板の構造体とするこ
とにより、電気信号の干渉やノイズ発生を抑制すること
ができる。
In the example shown in FIG. 10, an insulating layer 1002 covers the wiring periphery of a region having at least one wiring 1001 included in the substrate, and at least three sides of the region are covered with a ground layer 1003. It has an enclosed structure. By using such a structure of the multilayer wiring board, it is possible to suppress interference of electric signals and noise generation.

【0086】グランド層1003の配線に沿ったサイド
部分は、いわば、ウォールビア(Wall Via)の
形態となる。配線上部のグランド層1004は、実装部
品として後付けしても良い。
The side portion of the ground layer 1003 along the wiring is in the form of a wall via, so to speak. The ground layer 1004 above the wiring may be attached later as a mounting component.

【0087】次に、図11を用いて上記多層配線基板を
用いた半導体装置を説明する。図11は、高周波特性に
優れた半導体装置の上面図である。
Next, a semiconductor device using the above multilayer wiring board will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a top view of a semiconductor device having excellent high frequency characteristics.

【0088】図11に示す例は、基板1101上の複数
の電気回路系1102、例えば、移動無線端末等の受信
系と発信系、論理系と無線系等をグランド1103で相
互に隔離した半導体装置としたものである。
The example shown in FIG. 11 is a semiconductor device in which a plurality of electric circuit systems 1102 on a substrate 1101, for example, a reception system and a transmission system of a mobile radio terminal and a logic system and a radio system are isolated from each other by a ground 1103. It is what

【0089】〔本発明に係る多層配線基板の製造方法〕
本発明に係る多層配線基板の製造方法は、フィラー含有
無溶剤形流動性高分子前駆体を用いることを特徴とする
もので、以下のA法とB法のいずれかの製造工程を用い
るものである。そして、これにより、本発明の第4の課
題である低コストで高密度高信頼性の多層配線基板の製
造することが達成できるのである。
[Manufacturing Method of Multilayer Wiring Board According to the Present Invention]
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention is characterized by using a filler-containing solventless fluid polymer precursor, and uses one of the following manufacturing methods A and B. is there. Thus, it is possible to achieve the fourth problem of the present invention to manufacture a low-cost, high-density and highly reliable multilayer wiring board.

【0090】以下、これを図12および図13を用いて
詳細に説明する。先ず、図12を用いてB法の製造工程
による製造方法について説明しよう。図12は、本発明
に係る多層配線基板の製造方法のB法の製造工程を工程
別に、その多層配線基板の断面図を示した図である。
This will be described in detail below with reference to FIGS. 12 and 13. First, the manufacturing method by the manufacturing method of the method B will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a diagram showing a cross-sectional view of the multilayer wiring board according to the manufacturing steps of the method B of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【0091】先ず、両面銅張りプリント板1201に穴
1202をあけ(図12(a)、図12(b))、全面
に銅めっきをする(図12(c))。
First, a hole 1202 is formed in the double-sided copper-clad printed board 1201 (FIGS. 12A and 12B), and copper plating is performed on the entire surface (FIG. 12C).

【0092】次いで、所望の形状にレジストの残しパタ
ーンを形成し、表層銅をエッチングによりパターニング
した後、レジストを剥離して図12(d)の構造とす
る。
Next, a resist residual pattern is formed in a desired shape, the surface copper is patterned by etching, and then the resist is peeled off to obtain a structure shown in FIG.

【0093】そして、その基板の両面に表面の平坦な金
型を設置し、その基板とその金型との間にフィラー含有
無溶剤形流動性高分子前駆体を供給する。その後、金型
と基板との間を排気し、金型を基板方向へ移動させて、
供給した前駆体を基板上の銅導体間隙に充填する。
Then, molds having flat surfaces are placed on both surfaces of the substrate, and the filler-containing solventless fluid polymer precursor is supplied between the substrate and the mold. After that, the space between the mold and the substrate is evacuated, the mold is moved toward the substrate,
The supplied precursor is filled in the copper conductor gap on the substrate.

【0094】次いで、その前駆体に所定の静水圧をか
け、静水圧下において前駆体を硬化して、スルーホール
を含む銅導体間隙を絶縁膜1205で充填する。
Next, a predetermined hydrostatic pressure is applied to the precursor, the precursor is cured under hydrostatic pressure, and the copper conductor gap including the through hole is filled with the insulating film 1205.

【0095】さらに、スルーホールを含む銅導体間隙を
絶縁膜1205で充填した後、銅導体表面1206を露
出させる(図12(e))。
Furthermore, after the copper conductor gap including the through holes is filled with the insulating film 1205, the copper conductor surface 1206 is exposed (FIG. 12 (e)).

【0096】この後、層間絶縁膜1207を成膜し、絶
縁膜の所望の位置にビアホール1208を形成する(図
12(f))。次いで、ビア銅導体と配線銅導体をめっ
きにより形成する(図12(g))。そして、これらの
図12(f)、図12(g)の工程を繰り返して多層化
する。
After that, an interlayer insulating film 1207 is formed, and a via hole 1208 is formed at a desired position of the insulating film (FIG. 12 (f)). Next, a via copper conductor and a wiring copper conductor are formed by plating (FIG. 12 (g)). Then, the steps shown in FIGS. 12F and 12G are repeated to form a multilayer structure.

【0097】なお、ここで、スルーホールを含む銅導体
間隙を絶縁膜1205で充填する方法としてはモールド
による方法が良い。銅導体表面1206を露出させる方
法としてはエッチングや研磨がある。また、図12
(b)あるいは図12(c)の段階で導電ペーストを穴
内に充填して、その後、表層銅箔をパターニングしても
良い。図12(f)、図12(g)の工程は、通常のビ
ルドアッププロセスで、ビアホールは感光性絶縁樹脂の
フォトリソグラフィやレーザアブレーションにより形成
する。
Here, as a method for filling the copper conductor gap including the through hole with the insulating film 1205, a method by molding is preferable. Methods for exposing the copper conductor surface 1206 include etching and polishing. In addition, FIG.
It is also possible to fill the holes with a conductive paste at the stage of (b) or FIG. 12 (c) and then pattern the surface copper foil. The steps of FIGS. 12F and 12G are normal build-up processes, and the via holes are formed by photolithography or laser ablation of a photosensitive insulating resin.

【0098】次に、図13を用いて本発明の多層配線基
板を製造する今1つの方法であるA法の製造工程による
製造方法について説明しよう。図13は、本発明に係る
多層配線基板の製造方法のA法の製造工程を工程別に、
その多層配線基板の断面図を示した図である。
Next, the manufacturing method by the manufacturing process of the method A, which is another method for manufacturing the multilayer wiring board of the present invention, will be described with reference to FIG. FIG. 13 shows the manufacturing steps of the method A of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention, step by step.
It is the figure which showed the cross section of the multilayer wiring board.

【0099】両面銅張りプリント板1301に穴130
2をあけ(図13(a)、図13(b))、全面に銅め
っきをする(図13(c))。
A hole 130 is formed in the double-sided copper-clad printed board 1301.
2 is opened (FIGS. 13A and 13B), and copper plating is performed on the entire surface (FIG. 13C).

【0100】次いで、所望の形状にビア用のレジストの
抜きパターンを形成し、ビア用の銅をめっきした後、レ
ジストを剥離して図13(d)の構造とする。
Next, a resist removal pattern for vias is formed in a desired shape, copper for vias is plated, and then the resist is peeled off to obtain the structure of FIG. 13 (d).

【0101】さらに、所望の形状にレジストの残しパタ
ーンを形成した後、表層銅をエッチングによりパターニ
ングし、レジストを剥離して図13(e)の構造とす
る。
Further, after forming a resist residual pattern in a desired shape, the surface copper is patterned by etching and the resist is peeled off to obtain the structure of FIG. 13 (e).

【0102】そして、その基板の両面に表面の平坦な金
型を設置し、その基板とその金型との間にフィラー含有
無溶剤形流動性高分子前駆体を供給する。その後、金型
と基板との間を排気し、金型を基板方向へ移動させて、
供給した前駆体を基板上の銅導体間隙に充填する。
Then, molds having flat surfaces are placed on both surfaces of the substrate, and the filler-containing solventless fluid polymer precursor is supplied between the substrate and the mold. After that, the space between the mold and the substrate is evacuated, the mold is moved toward the substrate,
The supplied precursor is filled in the copper conductor gap on the substrate.

【0103】次いで、その前駆体に所定の静水圧をか
け、静水圧下において前駆体を硬化して、スルーホール
を含む銅導体間隙を絶縁膜1306で充填する。この
後、ビア銅導体表面1307を露出させて図13(f)
の構造とする。
Then, a predetermined hydrostatic pressure is applied to the precursor, the precursor is cured under hydrostatic pressure, and the copper conductor gap including the through hole is filled with the insulating film 1306. After this, the via copper conductor surface 1307 is exposed to expose FIG.
The structure of

【0104】さらにこの後、ビア銅導体と接続する下地
導電膜(図示せず)を形成し、所望の配線形状にレジス
トの抜きパターンを形成した後、配線銅導体1308を
めっきにより形成する。さらに、所望のビア形状にレジ
ストの抜きパターンを形成した後、ビア銅導体1309
をめっきにより形成し、2層のレジストを剥離し、不要
な下地導電膜をエッチングして、配線銅導体1308と
ビア銅導体1309を形成した図13(g)の構造とす
る。
After that, a base conductive film (not shown) connected to the via copper conductor is formed, a resist removal pattern is formed in a desired wiring shape, and then a wiring copper conductor 1308 is formed by plating. Further, after forming a resist removal pattern in a desired via shape, the via copper conductor 1309 is formed.
Is formed by plating, the two layers of resist are peeled off, and the unnecessary underlying conductive film is etched to form the wiring copper conductor 1308 and the via copper conductor 1309, thereby forming the structure of FIG.

【0105】そして、銅導体間隙を上記と同様に絶縁膜
1310で充填した後、ビア銅導体表面1311を露出
させて図13(h)の構造とする。多層化する場合は、
図13(g)、図13(f)の工程を繰り返す。
Then, after filling the copper conductor gap with the insulating film 1310 in the same manner as described above, the via copper conductor surface 1311 is exposed to obtain the structure of FIG. 13 (h). When making multiple layers,
The steps of FIG. 13G and FIG. 13F are repeated.

【0106】次に、図14を用いて上で説明したA法と
B法の製造方法のポイントとなるところを説明する。図
14は、絶縁膜、フィラー、下地導電膜の態様を示す断
面図である。
Next, the key points of the manufacturing method of the method A and the method B described above will be described with reference to FIG. FIG. 14 is a cross-sectional view showing aspects of the insulating film, the filler, and the underlying conductive film.

【0107】A法およびB法において、フィラー含有無
溶剤形流動性高分子前駆体はシートあるいはフィルム状
にすることが困難であるので、その供給はこの前駆体を
加熱溶融させて、精密定量吐出装置にて供給することが
望ましい。
In Method A and Method B, it is difficult to form the filler-containing solvent-free fluid polymer precursor in the form of a sheet or film. Therefore, the precursor is supplied by heating and melting the precursor and discharging it in a precise fixed amount. It is desirable to supply with the device.

【0108】さらに、A法において、図14(c)に示
すような絶縁膜上に形成する下地導電膜1403を形成
する方法について説明する。
Further, in the method A, a method of forming a base conductive film 1403 formed on an insulating film as shown in FIG. 14C will be described.

【0109】図14(a)に示すような無溶剤形流動性
高分子前駆体を硬化した絶縁膜1401中のフィラー1
402を薬液により分解あるいは溶解する。そして、図
14(b)のように絶縁膜表面を粗面化した後、無電解
めっきすることにより、ビア銅導体と接続する図14
(c)の下地導電膜1403を形成する。これにより絶
縁膜との接着強度に優れた下地導電膜を形成することが
できる。
Filler 1 in insulating film 1401 obtained by curing a solvent-free fluid polymer precursor as shown in FIG.
402 is decomposed or dissolved by a chemical solution. Then, after roughening the surface of the insulating film as shown in FIG. 14B, electroless plating is performed to connect to the via copper conductor.
The underlying conductive film 1403 of (c) is formed. This makes it possible to form a base conductive film having excellent adhesive strength with the insulating film.

【0110】または、B法においては、表層銅導体表面
を露出させる工程において、同様にして絶縁膜表面を粗
化することにより、上層の銅との接着性、特に、サーマ
ルビア形成時の穴埋めされた貫通めっきスルーホール上
の絶縁膜と銅の接着性を高めることができる。
Alternatively, in the method B, in the step of exposing the surface copper conductor surface, by similarly roughening the surface of the insulating film, the adhesiveness with the upper layer copper, particularly the hole filling during the formation of the thermal via is filled. The adhesion between the insulating film and the copper on the through-plated through hole can be improved.

【0111】ここで、フィラーがポリイミドで、無溶剤
形流動性高分子前駆体が多官能エポキシ樹脂とノボラッ
ク樹脂の組成物にすると、薬液としては、アルカリ性水
溶液、エチレンジアミンとヒドラジンヒドラートの混合
液、N−メチル−2−ピロリドンまたはハロゲン化フェ
ノールのうちから選ばれた1種を用いることができる。
アルカリ性水溶液の場合には、ビア銅導体表面を露出
させる時に使うアルカリ性過マンガン酸塩エッチング液
で代用しても良い。このようにフィラーとしてポリイミ
ドを用いると絶縁膜全体としての耐熱性、電気特性、機
械特性等の物性を損なうことはない。
Here, when the filler is polyimide and the solvent-free fluid polymer precursor is a composition of polyfunctional epoxy resin and novolac resin, the chemical solution is an alkaline aqueous solution, a mixed solution of ethylenediamine and hydrazine hydrate, One selected from N-methyl-2-pyrrolidone or halogenated phenol can be used.
In the case of an alkaline aqueous solution, an alkaline permanganate etching solution used when exposing the via copper conductor surface may be used instead. When polyimide is used as the filler in this way, the physical properties such as heat resistance, electrical characteristics and mechanical characteristics of the entire insulating film are not impaired.

【0112】なお、A法およびB法において、両面銅張
りプリント板の替わりに絶縁材料を使っても構わない。
絶縁材料としては、例えば、プリプレグ材を硬化した絶
縁材料を使うこともできる。
In the methods A and B, an insulating material may be used instead of the double-sided copper-clad printed board.
As the insulating material, for example, an insulating material obtained by curing a prepreg material can be used.

【0113】以上の多層配線基板の製造方法により、前
記課題の信頼性の高い高密度多層配線基板を低コスト
で、製造することができ、さらに、放熱性と高周波特性
に優れた構造を多層配線基板の製造過程で、その多層配
線基板に作り込むことができる。
By the above-described method for manufacturing a multilayer wiring board, the high-reliability high-density multilayer wiring board of the above problem can be manufactured at low cost, and further, a structure excellent in heat dissipation and high frequency characteristics can be obtained. It can be built into the multilayer wiring board during the manufacturing process of the board.

【0114】〔本発明に係る多層配線基板とそれを用い
た半導体装置の材料、構造のスケール、製造方法の具体
例〕以下、本発明の各実施例を、上記構造の説明と製造
方法の説明を踏まえて、図12、図13および図15を
用いて具体的に説明するが、本発明の適用対象は、素よ
りこれらに限定されるものではない。ここで、図15
は、多層配線基板の各スケールを表示するための上面図
である。
[Specific Example of Multi-Layered Wiring Board and Semiconductor Device Material, Structure Scale, and Manufacturing Method Using the Same According to the Present Invention] Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with respect to the structure and the manufacturing method. Based on this, a specific description will be given with reference to FIGS. 12, 13 and 15, but the application target of the present invention is not limited to these. Here, FIG.
[FIG. 3] is a top view for displaying each scale of the multilayer wiring board.

【0115】〈実施例1〉BTレジンの両面銅張りプリ
ント板(三菱瓦斯化学製)にドリリングで格子状に貫通
穴をあけ(図12(a)、図12(b))、全面に化学
銅めっきを施した(図12(c))。
Example 1 Through-holes were drilled in a lattice pattern on a BT resin double-sided copper-clad printed board (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) (FIGS. 12 (a) and 12 (b)), and chemical copper was formed on the entire surface. It was plated (FIG. 12 (c)).

【0116】次いで、フィルムレジストを成膜し、露光
・現像により所望の形状に残しパターンを形成した後、
表層銅をエッチングによりパターニングし、レジストを
剥離した(図12(d))。
Then, a film resist is formed, and a pattern is formed by leaving it in a desired shape by exposure and development,
The surface layer copper was patterned by etching, and the resist was peeled off (FIG. 12 (d)).

【0117】しかる後、スルーホールを含む銅導体間隙
にポリイミドフィラーと4官能性エポキシ樹脂系とノボ
ラック樹脂から成るフィラー含有無溶剤形流動性高分子
前駆体を精密定量吐出装置にて被着し、金型内にて減圧
加熱後、平板で上下から圧力をかけた。
Then, a solvent-free fluid polymer precursor containing a polyimide filler and a tetrafunctional epoxy resin system and a novolac resin was applied to the gap between the copper conductors including the through holes with a precision metering device, After heating under reduced pressure in the mold, pressure was applied from above and below with a flat plate.

【0118】次いで、この前駆体に静水圧をかけながら
加熱硬化して、絶縁膜を形成した後、銅導体表面は僅か
に絶縁膜が残っているのでアルカリ性過マンガン酸系エ
ッチング液で除去し、銅導体表面を露出させるととも
に、この絶縁膜表面を粗化した。
Then, the precursor was heated and cured under hydrostatic pressure to form an insulating film, and the copper conductor surface was slightly removed with an alkaline permanganate-based etching solution. The surface of the insulating film was roughened while the surface of the copper conductor was exposed.

【0119】この後、感光性層間絶縁樹脂を成膜し、露
光・現像により所望の位置にビアホールを形成した(図
12(f))。次いで、後加熱を加え、アルカリ性過マ
ンガン酸系粗化液で層間絶縁膜を粗化し、化学銅めっ
き、電気銅めっきを施し、後加熱硬化をした。その後、
フィルムレジストを成膜し、露光・現像により所望の形
状に残しパターンを形成した後、表層銅をエッチングに
よりパターニングし、レジストを剥離した(図12
(g))。
After that, a photosensitive interlayer insulating resin was formed into a film, and a via hole was formed at a desired position by exposure and development (FIG. 12 (f)). Then, post-heating was applied to roughen the interlayer insulating film with an alkaline permanganate-based roughening solution, chemical copper plating and electrolytic copper plating were performed, and post-heating curing was performed. afterwards,
A film resist is formed, and a pattern is formed by leaving it in a desired shape by exposure and development, and then the surface copper is patterned by etching, and the resist is peeled off (FIG. 12).
(G)).

【0120】そして、再度、感光性層間絶縁樹脂の成膜
からレジスト剥離までの工程を繰り返し、最後にソルダ
ーレジストを形成して、両面銅張りプリント板の両面に
逐次積層形薄膜層を2層づつ、計6層の多層配線基板を
作製した。
Then, the steps from the film formation of the photosensitive interlayer insulating resin to the resist peeling are repeated again, and finally, the solder resist is formed, and two successive laminated thin film layers are formed on both sides of the double-sided copper-clad printed board. A multilayer wiring board having a total of 6 layers was produced.

【0121】コアとなる両面プリント配線基板は、図1
5(a)に示すように、最も高密度な部分で、格子ピッ
チdpが700μm、貫通めっきスルーホールは、キリ
径drが300μm、ランド幅wldを100μmと
し、4つの貫通めっきスルーホールの中央に、3つのラ
ンドから離れた距離dqを100μm程取って、1つの
ランドを拡張した。そして、このランドすなわちパッド
上に底部の径db100μmのフォトビアホールを形成
し、外側の配線層におけるフォトビアホールのランド幅
whldは、50μm、フォトビアホールの乗るパッド
径は300μm、パッドピッチdlpは700μm、パ
ッド間にライン幅wlが57μm、スペース幅wsが5
7μmの配線を3本形成し、層間接続は千鳥構造とし
た。
The double-sided printed wiring board used as the core is shown in FIG.
As shown in FIG. 5 (a), in the highest density portion, the grid pitch dp is 700 μm, the through-plated through hole has a drill diameter dr of 300 μm, and a land width wld is 100 μm. One land was expanded by taking a distance dq of about 100 μm away from the three lands. Then, a photo via hole having a bottom diameter db of 100 μm is formed on the land, that is, the pad, and the land width whld of the photo via hole in the outer wiring layer is 50 μm, the pad diameter on which the photo via hole rides is 300 μm, the pad pitch dlp is 700 μm, and the pad is Line width wl is 57 μm and space width ws is 5
Three 7 μm wirings were formed, and the interlayer connection had a staggered structure.

【0122】また、この多層配線基板の製造過程におい
て、図8(b)に示すようなサーマルビアを形成し、片
面上のベアチップと基板は銀ペーストで、さらに、ベア
チップと基板のパッドとはハンダボールで接続し、裏面
のサーマルビア部とパッド部にハンダボールを形成し
て、図5のような構造をマルチチップモジュール及び半
導体パッケージに導入した。
In the manufacturing process of this multilayer wiring board, thermal vias are formed as shown in FIG. 8B, the bare chip and the board on one surface are made of silver paste, and the bare chip and the pad of the board are made of solder. Connection was made with balls, and solder balls were formed on the thermal vias and pads on the back surface, and the structure as shown in FIG. 5 was introduced into the multichip module and the semiconductor package.

【0123】〈実施例2〉BTレジンの両面銅張りプリ
ント板(三菱瓦斯化学製)にドリリングで格子状に貫通
穴をあけ(図13(a)、図13(b))、全面に化学
銅めっきを施した図13(c))。
<Example 2> Through-holes were drilled in a grid pattern on a double-sided copper-clad printed board of BT resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) (Figs. 13 (a) and 13 (b)), and chemical copper was formed on the entire surface. FIG. 13 (c), which is plated.

【0124】次いで、フィルムレジストを成膜し、露光
・現像により所望の形状にビア用の抜きパターンを形成
した後、電気銅めっきでビアを形成し、レジストを剥離
した(図13(d))。
Next, a film resist was formed, and a via-cut pattern was formed in a desired shape by exposure and development, then a via was formed by electrolytic copper plating and the resist was peeled off (FIG. 13 (d)). .

【0125】そしてさらに、電着レジストを成膜し、露
光・現像により所望の形状にレジストの残しパターンを
形成した後、表層銅をエッチングによりパターニング
し、レジストを剥離した(図13(e))。
Further, an electrodeposition resist was formed into a film, and a resist-remaining pattern was formed into a desired shape by exposure / development, and then the surface copper was patterned by etching to remove the resist (FIG. 13 (e)). .

【0126】しかる後、スルーホールを含む銅導体間隙
にポリイミドフィラーと4官能性エポキシ樹脂系とノボ
ラック樹脂から成るフィラー含有無溶剤形流動性高分子
前駆体を精密定量吐出装置にて被着し、金型内にて減圧
加熱後、平板で上下から圧力をかけた。
After that, a solvent-free fluid polymer precursor containing a polyimide filler and a tetrafunctional epoxy resin system and a novolac resin was applied to the gap between the copper conductors including the through holes with a precision metering device, After heating under reduced pressure in the mold, pressure was applied from above and below with a flat plate.

【0127】次いで、この前駆体に静水圧をかけながら
加熱硬化して、絶縁膜を形成した後、ビア銅導体表面は
僅かに絶縁膜がのっているのでアルカリ性過マンガン酸
系エッチング液でエッチング除去して銅導体表面を露出
させるとともに、絶縁膜表面を粗化した(図13
(f))。
Next, this precursor is heated and cured while applying hydrostatic pressure to form an insulating film, and the surface of the via copper conductor is slightly covered with the insulating film. Therefore, etching is performed with an alkaline permanganate-based etching solution. The copper conductor surface was exposed by removing it and the insulating film surface was roughened (FIG. 13).
(F)).

【0128】この後、フラッシュめっきにて下地銅導電
膜(図示せず)を形成した。そして、フィルムレジスト
を成膜し、露光・現像により所望の形状に配線用の抜き
パターンを形成し、電気銅めっきで銅を形成し、さらに
この上に、フィルムレジストを成膜し、露光・現像によ
り所望の形状にビア用の抜きパターンを形成し、電気銅
めっきで銅を形成、2層のレジストを剥離した後、不要
となった下地導電膜をエッチング除去して、銅の配線と
ビアを形成した(図13(g))。
Then, a base copper conductive film (not shown) was formed by flash plating. Then, a film resist is formed, a pattern for wiring is formed in a desired shape by exposure and development, copper is formed by electrolytic copper plating, and a film resist is further formed on this, and exposure and development are performed. To form a via removal pattern in the desired shape, form copper by electrolytic copper plating, remove the two layers of resist, and then remove the unnecessary underlying conductive film by etching to remove the copper wiring and vias. Formed (FIG. 13 (g)).

【0129】そして、再度、フィラー含有無溶剤形流動
性高分子前駆体の被着から下地銅導電膜のエッチング形
成までの工程を繰り返した後、さらに、フィラー含有無
溶剤形流動性高分子前駆体の被着から銅表面の露出まで
の工程を行ない、両面銅張りプリント板の両面に逐次積
層形薄膜層を2層づつ、計6層の多層配線基板を作製し
た。
After repeating the steps from the deposition of the filler-containing solventless fluid polymer precursor to the etching of the underlying copper conductive film, the filler-containing solventless fluid polymer precursor was further added. The steps from the deposition to the exposure of the copper surface were performed to prepare a multilayer wiring board having a total of 6 layers, each having two laminated thin film layers on both sides of the double-sided copper-clad printed board.

【0130】コアとなる両面プリント配線基板は、図1
5(b)に示すように、最も高密度な部分で、格子ピッ
チdpが635μm、貫通めっきスルーホールは、キリ
径drが300μm、ランド幅wldを100μmと
し、4つの貫通めっきスルーホールの中央に、3つのラ
ンドから離れた距離dqを100μm程取って、1つの
ランドを拡張した。そして、このランドすなわちパッド
上に径dpld55μmの柱状ビアを形成し、外側の配
線層におけるビアが乗るパッド径は145μm、パッド
ピッチdlpは635μm、このパッド間にライン幅w
lが55μm、スペース幅wsが55μmの配線を4本
形成し、層間接続は千鳥構造とした。
The double-sided printed wiring board used as the core is shown in FIG.
As shown in FIG. 5 (b), in the densest part, the grid pitch dp is 635 μm, the through-plated through hole has a drill diameter dr of 300 μm, and a land width wld is 100 μm. One land was expanded by taking a distance dq of about 100 μm away from the three lands. Then, a columnar via having a diameter dpld of 55 μm is formed on this land, that is, a pad, the pad diameter on which the via in the outer wiring layer rides is 145 μm, the pad pitch dlp is 635 μm, and the line width w between these pads
Four wirings each having a width of 55 μm and a space width ws of 55 μm were formed, and the interlayer connection had a staggered structure.

【0131】また、この多層配線基板の製造過程におい
て、図8(a)に示すようなサーマルビアを形成し、片
面上のベアチップと基板は銀ペーストで、さらに、ベア
チップと基板のパッドとはハンダボールで接続し、裏面
のサーマルビア部とパッド部にハンダボールを形成し
て、図5のような構造をマルチチップモジュール及び半
導体パッケージに導入した。
In the process of manufacturing this multilayer wiring board, thermal vias are formed as shown in FIG. 8A, the bare chip and the board on one surface are made of silver paste, and the bare chip and the pad of the board are made of solder. Connection was made with balls, and solder balls were formed on the thermal vias and pads on the back surface, and the structure as shown in FIG. 5 was introduced into the multichip module and the semiconductor package.

【0132】〈実施例3〉実施例2と同様にして、コア
となる両面プリント配線基板は、最も高密度な部分で、
格子ピッチdpが600μm、貫通めっきスルーホール
は、キリ径drが300μm、ランド幅Wldを100
μmとし、4つの貫通めっきスルーホールの中央に、3
つのランドから離れた距離dqを100μm程取って、
1つのランドを拡張した。そして、このランドすなわち
パッド上に55μm径の柱状ビアを形成し、外側の配線
層におけるビアが乗るパッド径は145μm、パッドピ
ッチが424μm、すなわち、4つの穴埋めされた貫通
めっきスルーホールの中心位置とそれら中心位置の形成
する格子の中央位置の両者で構成した格子で、パッド間
にライン幅wlが55μm、スペース幅wsが55μm
の配線を2本形成する逐次積層形薄膜層とし、実施例2
と同様のマルチチップモジュール及び半導体パッケージ
を形成した。
<Embodiment 3> In the same manner as in Embodiment 2, the double-sided printed wiring board to be the core is the highest density portion,
The grid pitch dp is 600 μm, the through-plated through holes have a drill diameter dr of 300 μm, and the land width Wld is 100 μm.
μm, and 3 at the center of 4 through-plated through holes
The distance dq away from one land is about 100 μm,
Expanded one land. Then, a columnar via having a diameter of 55 μm is formed on this land, that is, a pad, the pad diameter on which the via in the outer wiring layer rides is 145 μm, and the pad pitch is 424 μm, that is, the center position of the four through-plated through holes filled with holes. In the lattice formed by both of the central positions of the lattice formed by these central positions, the line width wl is 55 μm and the space width ws is 55 μm between the pads.
Example 2 is a sequentially laminated thin film layer in which two wirings are formed.
A multi-chip module and a semiconductor package similar to the above were formed.

【0133】〈実施例4〉実施例1と同様の多層配線基
板の製造過程において、図10(b)に示すようなウォ
ールビアを形成し、図11に示すような移動無線端末の
受信系と発信系、論理系と無線系を分離した基板を製造
した。
<Embodiment 4> In the manufacturing process of a multilayer wiring board similar to that of Embodiment 1, wall vias as shown in FIG. 10 (b) are formed to form a receiving system of a mobile radio terminal as shown in FIG. We have manufactured a circuit board that separates the transmission system, logic system, and wireless system.

【0134】〈実施例5〉実施例2と同様の多層配線基
板の製造過程において、図10(a)に示すようなウォ
ールビアを形成し、図11に示すような移動無線端末の
受信系と発信系、論理系と無線系を分離した基板を製造
した。
<Fifth Embodiment> In the manufacturing process of a multilayer wiring board similar to that of the second embodiment, wall vias as shown in FIG. 10A are formed to form a receiving system of a mobile radio terminal as shown in FIG. We have manufactured a circuit board that separates the transmission system, logic system, and wireless system.

【0135】〈実施例6〉BTレジンの両面銅張りプリ
ント板(三菱瓦斯化学製)の替わりに、BTレジンのプ
リプレグを熱硬化した材料をベース基板に用い、実施例
1と同様の多層配線基板を実施例1と同様にして作製し
た。
Example 6 A multilayer wiring board similar to that of Example 1 was used in which a BT resin prepreg thermoset material was used as a base substrate instead of the double-sided copper-clad printed board of BT resin (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.). Was manufactured in the same manner as in Example 1.

【0136】〈実施例7〉BTレジンの両面銅張りプリ
ント板(三菱瓦斯化学製)の替わりに、BTレジンのプ
リプレグを熱硬化した材料をベース基板に用い、実施例
2と同様の多層配線基板を実施例2と同様にして作製し
た。
Example 7 A multilayer wiring board similar to that of Example 2 was prepared by using a BT resin double-sided copper-clad printed board (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) as a base substrate instead of a BT resin prepreg. Was manufactured in the same manner as in Example 2.

【0137】〈実施例8〉BTレジンの両面銅張りプリ
ント板(三菱瓦斯化学製)の替わりに、BTレジンのプ
リプレグを熱硬化した材料をベース基板に用い、全面の
化学銅めっきの替わりに、ダイレクトプレーティングを
用いて、実施例1と同様の多層配線基板を実施例1と同
様にして作製した。
Example 8 Instead of the double-sided copper-clad printed board of BT resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.), a material obtained by thermosetting a prepreg of BT resin was used as a base substrate, and instead of chemical copper plating on the entire surface, Using direct plating, a multilayer wiring board similar to that in Example 1 was produced in the same manner as in Example 1.

【0138】〈実施例9〉BTレジンの両面銅張りプリ
ント板(三菱瓦斯化学製)の替わりに、BTレジンのプ
リプレグを熱硬化した材料をベース基板に用い、全面の
化学銅めっきの替わりに、ダイレクトプレーティングを
用いて、実施例2と同様の多層配線基板を実施例2と同
様にして作製した。
Example 9 Instead of the double-sided copper-clad printed board of BT resin (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.), a material obtained by thermosetting a prepreg of BT resin was used as a base substrate, and instead of chemical copper plating on the entire surface, A multilayer wiring board similar to that in Example 2 was manufactured by using direct plating in the same manner as in Example 2.

【0139】〈実施例10〉実施例1において、銅導体
表面に僅かに残っている絶縁膜をアルカリ性過マンガン
酸系エッチング液で除去し、銅導体表面を露出させた。
その後、エチレンジアミンとヒドラジンヒドラートの混
合液に浸漬し、ポリイミドフィラーを分解して、絶縁膜
表面を粗化した。
Example 10 In Example 1, the insulating film slightly remaining on the copper conductor surface was removed by an alkaline permanganate-based etching solution to expose the copper conductor surface.
Then, it was immersed in a mixed solution of ethylenediamine and hydrazine hydrate to decompose the polyimide filler and roughen the surface of the insulating film.

【0140】〈実施例11〉実施例2において、ビア銅
導体表面に僅かに残っている絶縁膜をアルカリ性過マン
ガン酸系エッチング液で除去し、銅導体表面を露出させ
た。その後、エチレンジアミンとヒドラジンヒドラート
の混合液に浸漬し、ポリイミドフィラーを分解して、絶
縁膜表面を粗化した。
Example 11 In Example 2, the insulating film slightly remaining on the via copper conductor surface was removed with an alkaline permanganate-based etching solution to expose the copper conductor surface. Then, it was immersed in a mixed solution of ethylenediamine and hydrazine hydrate to decompose the polyimide filler and roughen the surface of the insulating film.

【0141】〈実施例12〉実施例1において、銅導体
表面に僅かに残っている絶縁膜をアルカリ性過マンガン
酸系エッチング液で除去し、銅導体表面を露出させた。
その後、N−メチル−2−ピロリドンとハロゲン化フェ
ノールの混合液に浸漬し、ポリイミドフィラーを溶解し
て、絶縁膜表面を粗化した。
Example 12 In Example 1, the insulating film slightly remaining on the copper conductor surface was removed with an alkaline permanganate-based etching solution to expose the copper conductor surface.
Then, it was immersed in a mixed solution of N-methyl-2-pyrrolidone and a halogenated phenol to dissolve the polyimide filler to roughen the surface of the insulating film.

【0142】〈実施例13〉実施例2において、ビア銅
導体表面に僅かに残っている絶縁膜をアルカリ性過マン
ガン酸系エッチング液で除去し、銅導体表面を露出させ
た。その後、N−メチル−2−ピロリドンとハロゲン化
フェノールの混合液に浸漬し、ポリイミドフィラーを溶
解して、絶縁膜表面を粗化した。
Example 13 In Example 2, the insulating film slightly remaining on the via copper conductor surface was removed by an alkaline permanganate-based etching solution to expose the copper conductor surface. Then, it was immersed in a mixed solution of N-methyl-2-pyrrolidone and a halogenated phenol to dissolve the polyimide filler to roughen the surface of the insulating film.

【0143】[0143]

【発明の効果】本発明によれば、コアとなる両面プリン
ト配線基板の両面の接続をとるための貫通めっきスルー
ホールの穴を形成した場合であっても、その外側に形成
する絶縁膜と銅の逐次積層形薄膜層において高密度に配
線を形成する能力を最大限に引き出す構造の多層配線基
板およびこれを用いた半導体装置を提供することができ
る。特に、コアとなる両面プリント配線基板の表面に配
線を形成できない程、密にスルーホールを形成しても、
その外側に形成する逐次積層形薄膜層の導体層に配線を
形成できる構造の多層配線基板およびこれを用いた半導
体装置を提供することができる。
According to the present invention, even when a through-plated through-hole for connecting both sides of a double-sided printed wiring board to be a core is formed, an insulating film and a copper film formed on the outside of the through-plated through-hole are formed. It is possible to provide a multilayer wiring board having a structure that maximizes the ability to form wiring with high density in the sequentially laminated thin film layers, and a semiconductor device using the same. In particular, even if the through holes are formed so densely that wiring cannot be formed on the surface of the double-sided printed wiring board that will be the core,
It is possible to provide a multilayer wiring board having a structure in which wiring can be formed on a conductor layer of a sequentially laminated thin film layer formed on the outside thereof, and a semiconductor device using the same.

【0144】また、本発明によれば、放熱性に優れた構
造の多層配線基板およびこれを用いた半導体装置を提供
することができる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a multilayer wiring board having a structure excellent in heat dissipation and a semiconductor device using the same.

【0145】また、本発明によれば、高周波特性に優れ
た多層配線基板およびこれを用いた半導体装置を提供す
ることができる。
Further, according to the present invention, it is possible to provide a multilayer wiring board having excellent high frequency characteristics and a semiconductor device using the same.

【0146】さらに、本発明によれば、上記基板を信頼
性良く低コストで製造する方法を提供することにあり、
特に、絶縁膜と下地導電膜の接着強度の優れた多層配線
基板の製造方法を提供することができる。
Further, according to the present invention, there is provided a method for manufacturing the above substrate with high reliability and at low cost.
In particular, it is possible to provide a method for manufacturing a multilayer wiring board having excellent adhesion strength between an insulating film and a base conductive film.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る多層配線基板のランドとビアの構
造を示す図で、図1(a)がランドとビアの斜視図、図
1(b)が(a)のAA´断面図である。
FIG. 1 is a view showing a structure of a land and a via of a multilayer wiring board according to the present invention, FIG. 1A is a perspective view of the land and the via, and FIG. 1B is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. is there.

【図2】コアとなる両面プリント配線基板の表面層の上
面図を模式的に示したものである。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a top view of a surface layer of a double-sided printed wiring board that serves as a core.

【図3】コアとなる両面プリント配線基板の表面層の上
下に形成される配線層の配線パターンの一つの例の上面
図を模式的に示したものである。
FIG. 3 is a schematic top view showing an example of a wiring pattern of a wiring layer formed above and below a surface layer of a double-sided printed wiring board which is a core.

【図4】コアとなる両面プリント配線基板の表面層の上
下に形成される配線層の配線パターンの一つの例の上面
図を模式的に示したものである。
FIG. 4 schematically shows a top view of an example of a wiring pattern of a wiring layer formed above and below a surface layer of a double-sided printed wiring board which becomes a core.

【図5】上面に半導体または半導体パッケージを2個搭
載した本発明の多層配線基板を用いた半導体装置の断面
図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor device using a multilayer wiring board of the present invention having two semiconductors or semiconductor packages mounted on the upper surface.

【図6】上面と下面にそれぞれ1個ずつ半導体または半
導体パッケージを搭載した本発明の多層配線基板を用
い、リードフレームを取り付けた半導体装置の断面図で
ある。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor device to which a lead frame is attached using the multilayer wiring board of the present invention in which one semiconductor or semiconductor package is mounted on each of the upper surface and the lower surface.

【図7】放熱特性に優れた多層配線基板の断面図で、ス
ルーホール一つに、一つの柱状の銅体を対応せしめたも
のである。
FIG. 7 is a cross-sectional view of a multilayer wiring board having excellent heat dissipation characteristics, in which one through-hole corresponds to one columnar copper body.

【図8】放熱特性に優れた多層配線基板の断面図で、複
数のスルーホールに、一つの柱状の銅体を対応せしめた
ものである。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a multilayer wiring board having excellent heat dissipation characteristics, in which one columnar copper body is made to correspond to a plurality of through holes.

【図9】図8(a)の基板を用いて形成した放熱特性に
優れた半導体装置の断面図である。
9 is a cross-sectional view of a semiconductor device having excellent heat dissipation characteristics formed using the substrate of FIG. 8 (a).

【図10】高周波特性に優れた本発明に係る多層配線基
板の斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view of a multilayer wiring board according to the present invention having excellent high frequency characteristics.

【図11】高周波特性に優れた半導体装置の上面図であ
る。
FIG. 11 is a top view of a semiconductor device having excellent high frequency characteristics.

【図12】本発明に係る多層配線基板の製造方法のB法
の製造工程を工程別に、その多層配線基板の断面図を示
した図である。
FIG. 12 is a view showing a cross-sectional view of the multilayer wiring board according to each step of the manufacturing method of the method B of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【図13】本発明に係る多層配線基板の製造方法のA法
の製造工程を工程別に、その多層配線基板の断面図を示
した図である。
FIG. 13 is a diagram showing a cross-sectional view of the multilayer wiring board according to the manufacturing steps of the method A of the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【図14】絶縁膜、フィラー、下地導電膜の態様を示す
断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing an aspect of an insulating film, a filler, and a base conductive film.

【図15】多層配線基板の各スケールを表示するための
上面図である。
FIG. 15 is a top view for displaying each scale of the multilayer wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,703…穴埋めされた貫通めっきスルーホール
のランド 102,205…穴埋めされた貫通めっきスルーホール
ランドの拡張部 103,206…ビア 201,202,203,204,303,304,3
05,306,702,802,904…穴埋めされた
貫通めっきスルーホール 301…逐次積層形薄膜層の配線 302,401,402,403,404,405,5
02,503,602,603…パッド α…コアとなる両面プリント配線基板のスルーホール格
子 β,γ…逐次積層形薄膜層の格子 501,601…多層配線基板 504,505,604,605,902…半導体また
は半導体パッケージ 506,507,606…ハンダボール 607…リードフレーム 701…両面プリント板 704,804…穴埋めされた貫通めっきスルーホール
の穴埋め部 705,803,805,901,905…銅 903,906…良熱導伝体 1001…配線 1002…絶縁層 1003,1004,1103…グランド層 1101…基板 1102…電気回路 1201,1301…両面銅張りプリント板 1202,1302…ドリル穴 1203,1204,1209,1303,1304,
1305,1308,1309…銅体 1205,1306,1310,1401…絶縁膜 1206,1307,1311…銅導体表面 1207…層間絶縁膜 1208…ビアホール 1402…フィラー 1403…下地導電膜 dp…スルーホール格子ピッチ dr…キリ径 wld…ランド幅 dq…3つのランドから離れた距離 db…フォトビアホール底部の径 dlp…パッドピッチ dpld…スタッドビア径 wl…ライン幅 ws…スペース幅
101, 703 ... Lands of through-plated through holes filled with holes 102, 205 ... Expanded portions 103, 206 of through-plated through hole lands filled with vias 201, 202, 203, 204, 303, 304, 3
05, 306, 702, 802, 904 ... Filled through-plated through holes 301 ... Wirings 302, 401, 402, 403, 404, 405, 5 of sequentially laminated thin film layers
02, 503, 602, 603 ... Pad α: Through-hole grid β, γ of double-sided printed wiring board serving as cores ... Lattice 501, 601 of sequentially laminated thin film layers ... Multi-layer wiring boards 504, 505, 604, 605, 902 ... Semiconductor or semiconductor package 506, 507, 606 ... Solder ball 607 ... Lead frame 701 ... Double-sided printed boards 704, 804 ... Hole-filled through-plated through-holes 705, 803, 805, 901, 905 ... Copper 903, 906 ... Good heat conductor 1001 ... Wiring 1002 ... Insulating layers 1003, 1004, 1103 ... Ground layer 1101 ... Board 1102 ... Electric circuit 1201, 1301 ... Double-sided copper-clad printed board 1202, 1302 ... Drill holes 1203, 1204, 1209, 1303 1304,
1305, 1308, 1309 ... Copper bodies 1205, 1306, 1310, 1401 ... Insulating films 1206, 1307, 1311 ... Copper conductor surface 1207 ... Interlayer insulating film 1208 ... Via holes 1402 ... Filler 1403 ... Base conductive film dp ... Through hole grid pitch dr ... drill diameter wld ... land width dq ... distance from three lands db ... diameter of photo via hole bottom dlp ... pad pitch dpld ... stud via diameter wl ... line width ws ... space width

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉澤 千絵 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 京井 正之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 山村 英穂 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 松本 邦夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社日立製作所生産技術研究所内 (56)参考文献 特開 平3−142896(JP,A) 特開 平5−299878(JP,A) 特開 平7−283538(JP,A) 実開 平3−85686(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/46 H01L 23/12 H05K 1/11 H05K 3/38 H05K 3/40 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Chie Yoshizawa 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside the Hitachi, Ltd. Institute of Industrial Science (72) Masayuki Kyoi 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Production Engineering Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Hideho Yamamura, 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Production Engineering Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Kunio Matsumoto 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Address: Production Technology Laboratory, Hitachi, Ltd. (56) Reference JP-A-3-142896 (JP, A) JP-A-5-299878 (JP, A) JP-A-7-283538 (JP, A) 3-85686 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 3/46 H01L 23/12 H05K 1/11 H05K 3/38 H05K 3/40

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】コアとなる両面プリント板と、 その上または下に形成される配線層とを有する多層配線
基板であって、 該コアとなる両面プリント板は、 格子状に配列されかつ穴埋めされた貫通めっきスルーホ
ールと、 該貫通めっきスルーホールが形成する格子の間に配列さ
れかつ該配線層と接続されるビアと、を有し、 該貫通めっきスルーホールと該ビアとは、 該貫通めっきスルーホールの周縁に存在し、かつその一
部が該貫通めっきスルーホールの形成する格子の間に配
置されたビアの位置まで拡張されたランドにより電気的
に接続されていることを特徴とする多層配線基板。
1. A multilayer wiring board having a core double-sided printed board and a wiring layer formed on or under the core, wherein the core double-sided printed board is arranged in a grid pattern and filled with holes. Through-plated through holes, and vias arranged between the grids formed by the through-plated through holes and connected to the wiring layer. The through-plated through holes and the vias are the through-plated through holes. A multi-layered structure which is present at the periphery of the through hole and is partially electrically connected by a land extended to the position of a via arranged between the grids formed by the through-plated through hole. Wiring board.
【請求項2】前記コアとなる両面プリント板が、少なく
とも4つの穴埋めされた貫通めっきスルーホールを有
し、 それら4つの穴埋めされた貫通めっきスルーホールの中
央位置の形成する格子の中央位置にまで、前記拡張ラン
ド部を拡張することを特徴とする請求項1記載の多層配
線基板。
2. The core double-sided printed board has at least four through-plated through holes filled with holes, up to a central position of a lattice formed by the central positions of the four filled through-hole plated through holes. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the extension land portion is extended.
【請求項3】前記コアとなる両面プリント板の上または
下に形成される前記配線層において、 そのビアパッド位置が4つの穴埋めされた貫通めっきス
ルーホールの中心位置、それら中心位置の形成する格子
の中央位置のいずれか一方、または、両者であることを
特徴とする請求項1および請求項2記載のいずれかの多
層配線基板。
3. In the wiring layer formed on or below the double-sided printed board which becomes the core, the via pad positions are the center positions of four through-plated through holes filled with holes, and the grid formed by these center positions. 3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein either one or both of the central positions is provided.
【請求項4】請求項3記載の多層配線基板の両面の格子
上にパッドを設け、前記多層配線基板の片面のパッド上
に1個以上の半導体または半導体パッケージを接続し、 前記多層配線基板のもう一方の片面のパッド上に、別の
多層配線基板と接続するための導電体を形成するか、 あるいは、 前記多層配線基板両面のパッド上に、各々の片面に1個
以上の半導体または半導体パッケージを接続し、 前記多層配線基板のいずれかの片面のパッド上に、別の
多層配線基板と接続するための導電体を形成したことを
特徴とする半導体装置。
4. The multilayer wiring board according to claim 3, wherein pads are provided on both sides of the grid, and one or more semiconductors or semiconductor packages are connected to the pads on one surface of the multilayer wiring board. A conductor for connecting to another multilayer wiring board is formed on the pad on the other side, or one or more semiconductors or semiconductor packages on each side are formed on the pads on both sides of the multilayer wiring board. And a conductor for connecting to another multilayer wiring board is formed on a pad on one surface of the multilayer wiring board.
【請求項5】(1)両面銅張りプリント板を穴明けし、
全面に銅めっきをする工程、 (2)所望の形状にレジストの抜きパターンを形成した
後、ビア用の銅をめっきし、レジストを剥離する工程、 (3)所望の形状にレジストの残しパターンを形成した
後、表層銅をパターニングし、レジストを剥離する工
程、 (4)前記基板の両面に表面の平坦な金型を設置し、こ
の基板と金型との間にフィラー含有無溶剤形流動性高分
子前駆体を供給する工程、 (5)前記金型と前記基板との間を排気する工程、 (6)前記金型を前記基板方向へ移動させてフィラー含
有無溶剤形流動性高分子前駆体を前記基板上の銅導体間
隙に充填する工程、 (7)前記前駆体に所定の静水圧をかける工程、 (8)静水圧下において前記前駆体を硬化する工程、 (9)ビア銅導体表面を露出させる工程、 (10)前記ビア銅導体と接続する下地導電膜を形成す
る工程、 (11)所望の形状にレジストの抜きパターンを形成し
た後、配線銅導体をめっきにより形成する工程、 (12)所望の形状にレジストの抜きパターンを形成し
た後、ビア銅導体をめっきにより形成する工程、 (13)2層のレジストを剥離する工程、 (14)不要の下地導電膜をエッチングする工程、 を含み、前記(1)ないし(3)の工程をこの順におこ
ない、その後に、前記(4)ないし(14)の工程をこ
の順に繰り返すことで多層化する多層配線基板の製造方
法において、 前記フィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆体を加熱溶
融させて、精密定量吐出装置にて基板上に供給すること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。
5. (1) Drilling a double-sided copper-clad printed board,
Step of plating copper on the entire surface, (2) Step of forming a resist removal pattern in a desired shape, plating copper for via, and peeling the resist, (3) Forming a resist remaining pattern in a desired shape After the formation, a step of patterning the surface copper and peeling the resist, (4) a mold having flat surfaces is provided on both surfaces of the substrate, and a filler-containing solventless fluidity is provided between the substrate and the mold. A step of supplying a polymer precursor; (5) a step of evacuating the space between the mold and the substrate; (6) a mold containing a solvent-free fluid polymer precursor containing a filler, which is moved toward the substrate. Filling the gap between the copper conductors on the substrate, (7) applying a predetermined hydrostatic pressure to the precursor, (8) curing the precursor under hydrostatic pressure, (9) via copper conductor A step of exposing the surface, (10) the vi A step of forming an underlying conductive film to be connected to a copper conductor, (11) a step of forming a resist removal pattern in a desired shape and then forming a wiring copper conductor by plating, (12) a resist removal pattern in a desired shape And forming a via copper conductor by plating, (13) removing the two-layer resist, (14) etching an unnecessary underlying conductive film, and (1) to (3) above. ) Are performed in this order, and then the steps (4) to (14) are repeated in this order to form a multilayer wiring board, wherein the filler-containing solventless fluid polymer precursor is used. A method of manufacturing a multilayer wiring board, comprising:
【請求項6】前記銅導体表面を露出させる工程である前
記(9)において、 フィラーを薬液により分解あるいは溶解し、前記絶縁膜
表面を粗面化することを特徴とする請求項記載の多層
配線基板の製造方法。
6. The multilayer according to claim 5 , wherein in the step (9), which is a step of exposing the surface of the copper conductor, the filler is decomposed or dissolved by a chemical solution to roughen the surface of the insulating film. Wiring board manufacturing method.
【請求項7】前記フィラーがポリイミドで、 前記無溶剤形流動性高分子前駆体が、多官能エポキシ樹
脂とノボラック樹脂の組成物であり、 前記薬液が、 (a)アルカリ性水溶液、 (b)エチレンジアミンとヒドラジンヒドラートの混合
液、 (c)N−メチル−2−ピロリドンまたはハロゲン化フ
ェノールのいずれか一方、または、両者 のうちで、 前記(a)ないし(c)のうちから選ばれた1種である
ことを特徴とする請求項記載の多層配線基板の製造方
法。
7. The filler is polyimide, the solvent-free fluid polymer precursor is a composition of a polyfunctional epoxy resin and a novolac resin, and the chemical liquid is (a) an alkaline aqueous solution, (b) ethylenediamine. And a hydrazine hydrate mixed solution, (c) one of N-methyl-2-pyrrolidone or a halogenated phenol, or both, one selected from the above (a) to (c) 7. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 6, wherein
【請求項8】前記両面銅張りプリント板の替わりに、絶
縁基板を使うことを特徴とする請求項記載の多層配線
基板の製造方法。
8. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5 , wherein an insulating substrate is used instead of the double-sided copper-clad printed board.
【請求項9】前記絶縁基板が、プリプレグ材を硬化した
基板であることを特徴とする請求項記載の多層配線基
板の製造方法。
9. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 8 , wherein the insulating substrate is a substrate obtained by curing a prepreg material.
【請求項10】(1)両面銅張りプリント板を穴あけ
し、全面に銅めっきする工程、 (2)所望の形状にレジストの残しパターンを形成した
後、表層銅をエッチングし、レジストを剥離する工程、 (3)前記基板の両面に表面の平坦な金型を設置し、こ
の基板と金型との間にフィラー含有無溶剤形流動性高分
子前駆体を供給する工程、 (4)前記金型と前記基板との間を排気する工程、 (5)前記金型を前記基板方向へ移動させてフィラー含
有無溶剤形流動性高分子前駆体を前記基板上の銅導体間
隙に充填する工程、 (6)前記前駆体に所定の静水圧をかける工程、 (7)静水圧下において前記前駆体を硬化する工程、 (8)表層銅導体表面を露出させる工程、 (9)絶縁膜を成膜した後、絶縁膜の所望の位置にビア
ホールを形成する工程、 (10)ビア銅導体と配線銅導体をめっきにより形成す
る工程、 を含み、前記(1)ないし(8)の工程をこの順におこ
ない、その後に、前記(9)ないし(10)の工程をこ
の順に繰り返すことで多層化する多層配線基板の製造方
法において、 前記フィラー含有無溶剤形流動性高分子前駆体を加熱溶
融させて、精密定量吐出装置にて基板上に供給すること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。
10. A step of (1) forming a hole in a double-sided copper-clad printed board and copper-plating the entire surface, (2) forming a resist residual pattern in a desired shape, etching the surface copper, and peeling the resist. A step (3) a step of installing molds having flat surfaces on both surfaces of the substrate, and supplying a filler-containing solventless fluid polymer precursor between the substrate and the mold, (4) the mold A step of evacuating between the mold and the substrate; (5) a step of moving the mold in the direction of the substrate to fill a solvent-free flowable polymer precursor containing filler into a copper conductor gap on the substrate; (6) applying a predetermined hydrostatic pressure to the precursor, (7) curing the precursor under hydrostatic pressure, (8) exposing the surface copper conductor surface, (9) forming an insulating film After that, a via hole is formed at a desired position of the insulating film. (10) forming a via copper conductor and a wiring copper conductor by plating, the steps (1) to (8) are performed in this order, and then the steps (9) to (10) are performed. In the method for producing a multilayer wiring board in which the steps are repeated in this order to form a multilayer, the filler-containing solventless fluid polymer precursor is heated and melted, and the solution is supplied onto the board by a precision metering device. Method for manufacturing multilayer wiring board.
【請求項11】前記銅導体表面を露出させる工程である
前記(8)において、 フィラーを薬液により分解あるいは溶解し、前記絶縁膜
表面を粗面化することを特徴とする請求項10記載の多
層配線基板の製造方法。
Wherein said is a step of exposing the copper conductor surface (8), the filler is decomposed or dissolved by a chemical solution according to claim 10, multilayer, wherein the said insulating layer surface roughening Wiring board manufacturing method.
【請求項12】前記フィラーがポリイミドで、 前記無溶剤形流動性高分子前駆体が、多官能エポキシ樹
脂とノボラック樹脂の組成物であり、 前記薬液が、 (a)アルカリ性水溶液、 (b)エチレンジアミンとヒドラジンヒドラートの混合
液、 (c)N−メチル−2−ピロリドンまたはハロゲン化フ
ェノールのいずれか一方、または、両者 のうちで、 前記(a)ないし(c)のうちから選ばれた1種である
ことを特徴とする請求項11記載の多層配線基板の製造
方法。
12. The filler is polyimide, the solvent-free fluid polymer precursor is a composition of a polyfunctional epoxy resin and a novolac resin, and the chemical liquid is (a) an alkaline aqueous solution, (b) ethylenediamine. And a hydrazine hydrate mixed solution, (c) one of N-methyl-2-pyrrolidone or a halogenated phenol, or both, one selected from the above (a) to (c) The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 11, wherein:
【請求項13】前記両面銅張りプリント板の替わりに、
絶縁基板を使うことを特徴とする請求項10記載の多層
配線基板の製造方法。
13. Instead of the double-sided copper-clad printed board,
The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 10 , wherein an insulating board is used.
【請求項14】R前記絶縁基板が、プリプレグ材を硬化
した基板であることを特徴とする請求項13記載の多層
配線基板の製造方法。
14. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 13 , wherein the insulating substrate is a substrate obtained by curing a prepreg material.
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