JP3493308B2 - トランスバーサルｓａｗフィルタ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はトランスバーサルＳ
ＡＷフィルタに関し、特に帯域幅を拡大すると共に減衰
傾度を急峻にしたトランスバーサルＳＡＷフィルタに関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＳＡＷデバイスは通信分野で広く
利用され、高性能、小型、量産性等の優れた特徴を有す
ることから特に携帯電話等に多く用いられている。上記
ＳＡＷデバイスの一つにトランスバーサルＳＡＷフィル
タがあり、図１６は正規型電極を用いた例を示す概略図
構成図であって、圧電基板１１の主面上に表面波の伝搬
方向に沿ってＩＤＴ電極１２と、所定の間隔を空けてＩ
ＤＴ電極１３を配置して構成する。ＩＤＴ電極１２、１
３はそれぞれ互いに間挿し合う複数の電極指を有する一
対のくし形電極から構成し、ＩＤＴ電極１２の一方のく
し形電極は入力端子IN_1に接続すると共に、他方のくし
形電極は入力端子IN_2に接続する。さらに、ＩＤＴ電極
１３の一方のくし形電極は出力端子OUT_1に接続すると
共に、他方のくし形電極は出力端子OUT_2に接続する。

【０００３】正規型ＩＤＴ電極のトランスバーサルＳＡ
Ｗフィルタの伝送特性は、周知のように通過帯域幅Ｂ＝
０．８８／Ｎ（Ｎは電極指対数）であり、その中心周波
数を頂点とする丸みを帯びた特性となる。また、サイド
ローブの抑圧レベルは２６ｄＢとなる。正規型ＩＤＴ電
極特有の丸みのある通過域特性をより平坦にする手法と
して、ＩＤＴ電極１２、１３のいずれかに重み付けする
方法があり、表面波の励振強度が伝搬方向の位置の関数
となるように重み付けを行う手法である。重み付け法は
大別して、ＩＤＴ電極の交差長Ｗを変化させて重み付け
をする方法（アポダイズ法）と、交差長Ｗは一定とし励
振強度を変えることによる重み付け法の２つの手法があ
る。アポダイズ法の特徴は比較的容易に正確な重み付け
ができるが、交差長Ｗの小さな部分で回折損が大きくな
り、挿入損失が劣化するという欠点がある。一方、励振
強度を変える手法の１つに電極間引き法があり、アポダ
イズ法の長所、短所と逆の関係になる。

【０００４】ここで、ＩＤＴ電極の重み付け法であるア
ポダイズ法と電極間引き法について簡単に説明する。ア
ポダイズ法は、フィルタの伝送特性をフーリエ逆変換し
たときフーリエ係数からＩＤＴ電極の交差長を決める重
み付け方法であり、メインローブ、第１サイドローブ、
第２サイドローブ、・・等から構成される。最近では、
さらに設計精度を向上させたRemez Exchangeアルゴリズ
ムを用いて設計するようになり、ここでは第２サイドロ
ーブまでで打ち切る手法を取る。図１８（ａ）は上記手
法に基づき交差長に包絡線状の重み付けを施したＩＤＴ
電極の概略構成図である。

【０００５】一方、電極間引き法は、上記の手法で設計
されたＩＤＴ電極のメインローブの交差長の最長のもの
を基準化し、周知の手順によって電極指の在るなしを決
定するものであって、図１８（ｂ）は同図（ａ）と等価
な特性を間引き電極により形成したものである。同図
（ａ）において包絡線の値が大きな位置では同図（ｂ）
における電極指の配列が密になり、同図（ａ）において
包絡線の値が小さな位置では同図（ｂ）における電極指
の配列が粗になっている。しかし実際のＩＤＴ電極構成
においては例えば、電極指が在る位置には励振可能なＩ
ＤＴ電極を配設し、電極指が無い位置には、励振作用の
ない電極を配設することになる。

【０００６】ここで励振可能なＩＤＴ電極と励振作用の
ないＩＤＴ電極について、数例を挙げて説明すると、図
１７（ａ）に示したＩＤＴ電極基本区間は３／８λ幅の
電極指と、２つの１／８λ幅の電極指とから構成された
一方向性トランスデューサ（EWC-SPUDT）であり、図中
矢印方向（順方向）への反射作用を有する。尚、λは１
波長に相当し、基本区間とは１波長分のＩＤＴ電極構成
のことである。同図（ｂ）に示す電極構成の基本区間は
励振作用はあるが、一方向反射は有しない。同図（ｃ）
に示す構成の基本区間電極は同図から明らかなように同
図（ａ）と同じ配置の電極を一方の極性にのみ接続した
ものであり励振作用はないが、図の矢印方向への反射作
用を有する。同図（ｄ）は１／８λの電極が同じ極性に
のみ接続された構造であり、励振、反射の作用とも有し
ない。同図（ｅ）の構成の基本区間電極は（ａ）の電極
と対称であり、励振作用と図中矢印方向（逆方向）への
一方向性を有する。また、同図（ｆ）に示す構成の基本
区間電極は同図から明らかなように同図（ａ）の電極と
左右対称の電極が同じ極性の電極にのみ接続された構造
であり励振作用は有しないが、矢印方向への一方向性
（逆方向）の反射作用を有する。図１７（ａ），（ｃ）
の電極構成を順方向ＳＰＵＤＴ、同図（ｅ），（ｆ）の
電極構成を逆方向ＳＰＵＤＴと称することにする。

【０００７】以下、図１８（ｂ）を上記基本区間を用い
て構成したものについて説明する。尚、図１８（ａ）の
ＩＤＴ電極は中心に対して対称であるので、中心より左
半分のみを説明すれば十分である。図１８（ｂ）に示す
ＩＤＴ電極のメインローブには図１７の基本区間ａ、
ｂ、ｃ、ｄが配置され、それぞれ１２、２７、２、３２
個の基本区間から構成されている。更に、第１サイドロ
ーブは図１７の基本区間ｂ、ｄがそれぞれ１３、５７個
配置し、第２サイドローブは基本区間ｂ、ｄがそれそれ
２、１個から構成されている。図１８（ｂ）と正規型Ｉ
ＤＴ電極１２６対からなるトランスバーサルＳＡＷフィ
ルタの伝送特性は図１９に示すような濾波特性となり、
Ａは通過帯域の拡大図（右端の縦軸）、Ｂはフィルタ全
体の伝送特性である。

【０００８】トランスバーサルＳＡＷフィルタを例えば
図１７示した６種類の基本区間を用いて設計するに際
し、現在のところ完全な設計アルゴリズムは確立されて
いない。例えば、励振用ＩＤＴ電極の基本区間の種類と
その区間数を経験値から選択し、シミュレーションによ
り確認しながら所望の伝送特性が得られるまで、カット
アンドトライを繰り返していた。

【０００９】一方、上記とは別の手法によってトランス
バーサルＳＡＷフィルタの伝送特性を改善したものがい
くつか提案されている。例えば米国特許5,703,427号に
はＤＡＲＴ（Distributed Acoustic Reflection Transd
ucer）電極を用いたトランスバーサルＳＡＷフィルタが
開示されている。ＤＡＲＴ電極とは一方向の励振可能な
ＩＤＴ電極であって、この発明によるトランスバーサル
ＳＡＷフィルタは、図２０に示すように１個のＩＤＴ電
極の中に反射方向の互いに異なるＩＤＴ電極指を３つの
グループに分けて配置したもので、順方向＋Ｒ（前記米
国特許では図中左方向を順方向となっている）に反射方
向を持つＤＡＲＴ型ＩＤＴの基本区間を５０λ、逆方向
−Ｒ（図中右方向）に反射方向を持つＤＡＲＴ型ＩＤＴ
の基本区間を４０λ、更に順方向のＤＡＲＴ型ＩＤＴ基
本区間を２０λ配置したＩＤＴ電極を用いて、トランス
バーサルＳＡＷフィルタを構成した例とその伝送特性が
開示されている。このフィルタはこれまでに報告されて
いる電極間引き法を用いたフィルタに比べ挿入損失が
７．４ｄＢから６．５ｄＢに減少すること、群遅延時間
が２００ｎｓから１００ｎｓに半減すること、第２のサ
イドローブの減衰が大きくなること、さらに通過帯域が
広がることを特徴とするものである。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アポダイズ法あるいは電極間引き法を用いたトランスバ
ーサルＳＡＷフィルタにおいては、ＣＤＭＡ方式のよう
な新しいディジタル携帯電話のＩＦフィルタに用いるに
は帯域幅が不足し、減衰傾度が不充分であるという問題
があった。また、上記の米国特許発明においては順方向
反射のＩＤＴ基本区間（順方向ＳＰＵＤＴ）と逆方向反
射のＩＤＴ基本区間（逆方向ＳＰＵＤＴ）をどのように
配置すれば、通過帯域幅が広くなるかが明らかにされて
おらず、実施例に示された＋Ｒ＝５０λ、−Ｒ＝４０
λ、＋Ｒ＝２０λ以外の条件にてフィルタを構成するた
めには、カットアンドトライを繰り返すしかなく、実質
的にはこの手法により広帯域なフィルタを実現すること
はできないという問題があった。本発明は上記問題を解
決するためになされたものであって、通過帯域幅を最大
にすると共に減衰傾度を急峻にしたトランスバーサルＳ
ＡＷフィルタを提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの請求
項１記載の発明は、圧電基板の主面上に表面波の伝搬方
向に沿って２つのＩＤＴ電極を配置して構成するトラン
スバーサルＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極の
少なくとも１つに電極間引き法を用いてメインローブ、
第１サイドローブ及び第２サイドローブの重みづけを施
すと共に前記メインローブの基本区間数をＬとし、該メ
インローブを置換する逆方向ＳＰＵＤＴの区間数をＮ１
とするとき、０．０８Ｌ＜Ｎ１＜０．６Ｌとしたことを
特徴とするトランスバーサルＳＡＷフィルタである。請
求項２記載の発明は、前記第１サイドローブに配置する
順方向ＳＰＵＤＴの区間数Ｎ２としたとき、０＜Ｎ２＜
Ｎ１としたことを特徴とする請求項１記載のトランスバ
ーサルＳＡＷフィルタである。請求項３記載の発明は、
第２サイドローブを逆方向ＳＰＵＤＴで置換したことを
特徴とする請求項１または２記載のトランスバーサルＳ
ＡＷフィルタである。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に
係るトランスバーサルＳＡＷフィルタの電極構成を示す
平面図であって、圧電基板１の主面上に表面波の伝搬方
向に沿ってＩＤＴ電極２と所定の間隔を空けてＩＤＴ電
極３を配置する。ＩＤＴ電極１２の一方のくし形電極は
入力端子IN_1に接続すると共に、他方のくし形電極は入
力端子IN_2に接続する。さらに、ＩＤＴ電極３の一方の
くし形電極は出力端子OUT_1に接続すると共に、他方の
くし形電極は出力端子OUT_2に接続する。ＩＤＴ電極２
はトランスバーサルＳＡＷフィルタの所望の周波数特性
を得るべく、メインローブ、第１サイドローブ、第２サ
イドローブの重みづけを電極間引き法を用いて施したも
のである。また、図１（ａ）ではＩＤＴ電極３に１２６
対からなる正規型ＩＤＴを用いている。図１（ｂ）は本
発明に係るＩＤＴ電極２の詳細な構成例を示したもの
で、中心に対して対称であるので左半分のみを示す。同
図（ａ）の図中左端から順番に位置を示す番号を付け、
その位置に配置するＩＤＴ電極の基本区間（ＩＤＴパタ
ーン）の種類と区間数を示した図である。ＩＤＴパター
ンのａ〜ｆは図１７（ａ）〜（ｆ）に示したパターンに
対応する。ここで７０〜２８までがメインローブ、２７
から３までが第１サイドローブ、２〜１までが第２サイ
ドローブであって、メインローブの区間数７３に対して
逆方向ＳＰＵＤＴであるパターン（ｆ）の区間数３５
と、第１サイドローブに区間数２３の順方向ＳＰＵＤＴ
と、第２サイドローブに区間数３の逆方向ＳＰＵＤＴを
配置している。このように構成したことによって図１４
に示すような帯域幅１．２３ＭＨｚ以上と広帯域で減衰
量の急峻なフィルタを実現することができる。後述する
ように種々のシミュレーション、実験によりメインロー
ブの区間数をＬとし、メインローブに含まれる逆方向Ｓ
ＰＵＤＴの区間数をＮ１とするとき、０．０８Ｌ＜Ｎ１
＜０．６Ｌの範囲とすると広帯域且つ、減衰特性の急峻
なフィルタを実現することが判った。

【００１３】本発明に至った経緯を順を追って説明す
る。また、本発明に係るシミュレーションは電極間引き
法を用いて行ったものであるが、内容を分かりやすくす
るため等価なアポダイズ法の包絡線を対比しながら説明
する。始めに図１８（ｂ）に示した電極間引き法による
ＩＤＴ電極を従来の手法により逆方向ＳＰＵＤＴを含ま
ない基本区間を用いて構成する。次に、図中左端（第２
サイドローブ）より順に基本区間数４個毎に図１７
（ｅ）の逆方向ＳＰＵＤＴで置換し、その伝送特性をシ
ミュレーションより求めた。図２は置換した位置とその
時の伝送特性の５ｄＢ帯域幅と、３３ｄＢ帯域幅の帯域
増加率Ｂ５、Ｂ３３を示したものであり、置換する前の
ＩＤＴ電極構成で得られた５ｄＢ帯域幅と、３３ｄＢ帯
域幅を基準値として、置換後の値と基準値との差を基準
値で除したものである。また、位置は図１８（ｂ）の左
端を０としている。なお、図２には重み付けの曲線α
（図１８（ａ）の包絡線）も合わせて示している。図２
のＢ５から明らかなように、メインローブと第２サイド
ローブにおいては逆方向ＳＰＵＤＴで置換することによ
り５ｄＢ帯域幅が増加するが、第１サイドローブでは逆
に帯域幅が狭まることが分かる。更に図１８（ｂ）のＩ
ＤＴ電極構成において、電極の左端から順に逆方向ＳＰ
ＵＤＴの基本区間２０個で置換していき、そのときのト
ランスバーサルＳＡＷフィルタの伝送特性を計算した。
５ｄＢ、３３ｄＢにおける帯域幅増加率Ｂ５、Ｂ３３を
示したものが図３である。図２と同様に第２サイドロー
ブの電極指を置換した場合と、メインローブの電極指を
置換した場合にＢ５が増大することが分かる。また、Ｂ
３３は比較的帯域幅の変化が少ないことが理解できる。
逆方向ＳＰＵＤＴの基本区間４個で置換した場合は、５
ｄＢ帯域幅増加率Ｂ５が最大で２％程度であったのに対
し、基本区間２０個で置換した場合は、最大でほぼ８％
に達することが分かった。

【００１４】以上の結果を踏まえて、メインローブ、第
１サイドローブ、第２サイドローブに分けて、更に詳細
に検討する。上述の結果から最も広帯域化に寄与するの
はメインローブと推測されるので、まずメインローブに
ついて検討する。図１８（ｂ）に示す電極構成のメイン
ローブの図中左端から所定の区間数を逆方向ＳＰＵＤＴ
で置換した場合、置換する基本区間数とトランスバーサ
ルＳＡＷフィルタの５ｄＢ、３３ｄＢ帯域幅増加率Ｂ
５、Ｂ３３をシミュレーションで求めた。図４はその結
果を示す図で、５ｄＢ帯域幅増加率Ｂ５は、置換した基
本区間数にほぼ比例して増加するが、Ｂ３３は一旦減少
して区間数３０をピークとして増加することが分かっ
た。図５は、図１８（ｂ）の電極構成でメインローブの
図中左端から中央方向に向かって３０区間を、逆方向Ｓ
ＰＵＤＴで置換した場合の伝送特性であって、Ａは通過
帯域の拡大図で右の縦軸に減衰量を示し、Ｂは全体の減
衰特性であり、左の縦軸に示してある。同図から明らか
なように帯域幅が広く、急峻な減衰特性が得られるもの
の通過帯域のほぼ中央に約２ｄＢ程度の大きなリップル
が生じる。図４のＰは置換基本区間数に対するリップル
の大きさを示したものであって置換した区間数が増える
ほどリップルも増大することがわかる。そこで、このリ
ップルを抑圧すべく今度は第１サイドローブに注目し
た。図６は、逆方向ＳＰＵＤＴを３０区間だけ置換した
ＩＤＴ電極において、第１サイドローブの図中右端から
所定の区間数を順方向ＳＰＵＤＴで置換した場合、基本
区間数の増加とリップルＰ、５ｄＢ、３３ｄＢ帯域幅増
加率Ｂ５、Ｂ３３との関係を示した図である。

【００１５】図５から明らかなように、メインローブの
電極指を３０区間の逆方向ＳＰＵＤＴで置換したＩＤＴ
電極ではリップルＰが約２ｄＢあり、そのピーク（極大
値）の間隔は約６６０ｋＨｚであった。これに対し第１
サイドローブの右端から置換する順方向ＳＰＵＤＴの基
本区間を順次増加すると前記リップルの間に新たなリッ
プルが発生し、そのピーク間隔は２５０ｋＨｚ〜３００
ｋＨｚとなった。この通過帯域中央に発生した新たなリ
ップルが前記外側に生じたリップルの凹みを補正し、通
過帯域を平坦化するように作用することが分かった。例
えば、第１サイドローブの右端より２０区間を順方向Ｓ
ＰＵＤＴで置換した場合には伝送特性が図７のようにな
り、リップルはほぼ０．２ｄＢと大幅に小さくすること
ができた。このとき順方向ＳＰＵＤＴによるリップル間
隔は約２４０ｋＨｚであり、前記逆方向ＳＰＵＤＴによ
るリップル間隔約６６０ｋＨｚの内側にあり、この２つ
のリップルが互いに打ち消すように重なりあい、結果と
してフィルタのリップルが小さくなるように作用する。
即ち、リップルＰの極大値の間隔は２１０ｋＨｚ、２４
０ｋＨｚ、２１０ｋＨｚとなり、ほぼ等間隔に極大点が
配値されるようになる。図６から明らかなように、第１
サイドローブで置換する順方向ＳＰＵＤＴの基本区間数
を増加すると、除々にリップルが減少し、基本区間が２
０個となったところで極小となり、さらに増加させると
フィルタのリップルは増大していくことが確認された。

【００１６】さらに、メインローブの左端から中央に連
続して配置する逆方向ＳＰＵＤＴの基本区間数と、第１
サイドローブの右端から左端にかけて配置する順方向Ｓ
ＰＵＤＴの基本区間数とを種々組み合わせて、トランス
バーサルＳＡＷフィルタの伝送特性をシミュレーション
より求めた。図８はその結果の一部をまとめたものであ
って、縦軸には第１サイドローブで置換する順方向ＳＰ
ＵＤＴの区間数と５ｄＢ帯域幅増加率（％）を併記し、
右端の縦軸にはリップル（ｄＢ）を表示している。この
図に示すように、フィルタのリップルを小さく維持する
には、第１サイドローブにおける順方向ＳＰＵＤＴの基
本区間数Ｎ２は、メインローブに配置する逆方向ＳＰＵ
ＤＴの基本区間数Ｎ１の６０％〜７０％とすべきである
ことが確かめられた。図９はメインローブにおいてメイ
ンローブ全体の基本区間数Ｌに対する逆方向ＳＰＵＤＴ
にて置換した基本区間数Ｎ１の割合とそのときのフィル
タのリップルとの関係を示した図である。 この図から明
らかなように、メインローブに配設する逆方向ＳＰＵＤ
Ｔの基本区間数が多くなると、これによって発生するリ
ップルの凹みが、第１サイドローブに配置する順方向Ｓ
ＰＵＤＴにより生ずる内側のリップルによって補正する
ことがでないほど大きなものとなる。例えばメインロー
ブ全体の基本区間数７３のうち逆方向ＳＰＵＤＴの基本
区間数を４０とした場合、これにより生じるリップルの
凹みを補正するために必要となる第１サイドローブの順
方向ＳＰＵＤＴの基本区間数は２６区間となるが、図９
に示すようにリップルの補正限界を越えるためリップル
を小さくすることができない。よって、リップルを１ｄ
Ｂより低く抑えるためには上記の割合を６０％以下とす
べきであり、望ましくは４５％以下に設定すべきであろ
う。

【００１７】次に、図１８（ｂ）のＩＤＴ電極の第２サ
イドローブから第１サイドローブにわたって電極指を逆
方向ＳＰＵＤＴで置換した場合を考える。図１１は前記
第２サイドローブの図中左端より逆方向ＳＰＵＤＴで置
換する基本区間数を増加させたとき、リップルＰ、帯域
幅増加率Ｂ５、Ｂ３３の関係を示した図である。同図よ
り通過帯域幅は最大で１％程度であるが増加することも
確かめられた。また、図１２は置換する逆方向ＳＰＵＤ
Ｔの基本区間数とこの逆方向ＳＰＵＤＴで生じるリップ
ルのピークの周波数間隔との関係を示す図である。この
図より第２サイドローブから第１サイドローブにかけて
逆方向ＳＰＵＤＴを配置することにより、リップルのピ
ーク間隔が３００ｋＨｚ〜４００ｋＨｚの範囲で生ずる
ことが分かった。第２サイドローブから第１サイドロー
ブにかけて電極指を逆方向ＳＰＵＤＴで置換することに
より生じたリップルは、メインローブの電極指を逆方向
ＳＰＵＤＴで置換の際に生じるリップルの凹みを補正す
るために用いることが可能である。

【００１８】以上の検討結果を総合すると、図１３は図
１８（ｂ）の電極構成のメインローブ左端から３５区間
を逆方向ＳＰＵＤＴに、第１サイドローブの右端から２
３区間を順方向ＳＰＵＤＴにそれぞれ置換した場合の伝
送特性である。図１４は上記に加え第２サイドローブの
左端から３区間を逆方向ＳＰＵＤＴで置換した場合の伝
送特性である。リップルがより平坦になっていることが
分かる。

【００１９】図１４で示したシミュレーション結果を実
験的に確かめるため、トランスバーサルＳＡＷフィルタ
の試作を行った。図１５は試作したフィルタの特性を示
すものであって、同図（ａ）は通過帯域特性Ａと群遅延
時間τが、同図（ｂ）には減衰特性を含む伝送特性が示
されており、その中心周波数は１１１．８５ＭＨｚ、５
ｄＢ帯域幅は１．２３ＭＨｚ、３３ｄＢ帯域幅は１．８
ＭＨｚ以下、リップル０．２ｄＢ、挿入損失１２．５ｄ
Ｂ、群遅延時間は０．６μｓであった。同図から明らか
なように試作したものにおいても、広帯域且つ急峻な減
衰特性を有し、通過域のリップルの少ない平坦な特性が
実現できることを確認した。

【００２０】以上の説明では入力側のＩＤＴ電極に電極
間引き法を用い、出力側のＩＤＴ電極に正規型を用い
て、入力側のＩＤＴ電極に対して図１７に示す種々の基
本区間で置換した場合の諸特性について説明したが、本
発明はこれのみに限定することなく出力側ＩＤＴ電極に
電極間引き法を用い、ＳＰＵＤＴ電極等の一方向性電極
で置換してもよい。

【００２１】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、トランスバーサルＳＡＷフィルタの通過帯域幅
（５ｄＢ）を拡大すると共に減衰帯域幅（３３ｄＢ）を
ほぼ維持する結果、減衰傾度を大幅に急峻にすることが
可能となり、ディジタル携帯電話等で要求されている性
能を実現可能としたという優れた効果を奏す。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明に係るトランスバーサルＳＡＷフ
ィルタの電極構成を示す平面図、（ｂ）ＩＤＴ電極の詳
細な構成を説明する図である。

【図２】入力側ＩＤＴ電極を逆方向ＳＰＵＤＴ４区間で
置換するとき、その位置と５ｄＢ、３３ｄＢ帯域幅増加
率Ｂ５、Ｂ３３との関連を示す図である。

【図３】入力側ＩＤＴ電極を逆方向ＳＰＵＤＴ２０区間
で置換するとき、その位置と５ｄＢ、３３ｄＢ帯域幅増
加率Ｂ５、Ｂ３３との関連を示す図である。

【図４】入力側ＩＤＴ電極を逆方向ＳＰＵＤＴで置換す
るとき、その置換区間数とリップルＰ、帯域幅増加率Ｂ
５、Ｂ３３との関連を示す図である。

【図５】入力側ＩＤＴ電極を逆方向ＳＰＵＤＴ３０区間
で置換した場合の伝送特性である。

【図６】第１サイドローブに順方向ＳＰＵＤＴで置換し
た場合、置換区間数とリップルＰ、帯域幅増加率Ｂ５、
Ｂ３３との関連を示す図である。

【図７】メインローブを逆方向ＳＰＵＤＴ、第１サイド
ローブを順方向ＳＰＵＤＴで置換した場合の伝送特性を
示す図である。

【図８】メインローブを逆方向ＳＰＵＤＴ、第１サイド
ローブを順方向ＳＰＵＤＴで置換した場合、それぞれの
区間数とリップルＰ、帯域幅増加率Ｂ５、Ｂ３３との関
連を示す図である。

【図９】メインローブで置換する逆方向ＳＰＵＤＴの基
本区間数に対するメインローブの基本区間数の割合とリ
ップルの関係を示す図である。

【図１０】メインローブを逆方向ＳＰＵＤＴ４０区間、
第１サイドローブを順方向ＳＰＵＤＴ２６区間で置換し
た場合の伝送特性である。

【図１１】第２サイドローブを逆方向ＳＰＵＤＴで置換
した場合のリップルＰ、帯域幅増加率Ｂ５、Ｂ３３との
関連を示す図である。

【図１２】第２サイドローブを逆方向ＳＰＵＤＴで置換
した場合、そお区間数と生ずるリップルのピーク間隔と
の関連を示す図である。

【図１３】メインローブを逆方向ＳＰＵＤＴ３５区間、
第１サイドローブを順方向ＳＰＵＤＴ２３区間で置換し
た場合の伝送特性である。

【図１４】図１３の諸定数に加え、第２サイドローブを
逆方向ＳＰＵＤＴ３区間で置換したときの伝送特性であ
る。

【図１５】試作したトランスバーサルＳＡＷフィルタの
（ａ）通過域特性、群遅延時間特性と、（ｂ）は減衰特
性である。

【図１６】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの構
成を示す平面図である。

【図１７】（ａ）から（ｆ）はＩＤＴ電極の基本区間
（１λ）の構成を示す平面図である。

【図１８】（ａ）アポダイズ法と（ｂ）電極間引き法を
説明する図である。

【図１９】従来のトランスバーサルＳＡＷフィルタの伝
送特性を示す図である。

【図２０】米国特許5,703,427号の図１０の構成を示す
図である。

【符号の説明】

１・・ 圧電基板 ２、３・・ＩＤＴ電極 IN_1、IN_2・・入力端子 OUT_1、OUT_2・・出力端子 ｎ・・ＩＤＴパターンが配置される位置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−162896（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−135765（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−213870（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−65087（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−298441（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−265091（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−145716（ＪＰ，Ａ) 米国特許5703427（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03H 9/64 H03H 9/145

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】圧電基板の主面上に表面波の伝搬方向に沿
   って２つのＩＤＴ電極を配置して構成するトランスバー
   サルＳＡＷフィルタにおいて、前記ＩＤＴ電極の少なく
   とも１つにメインローブ、第１のサイドローブ及び第２
   のサイドローブの重みづけを施すと共に前記メインロー
   ブの基本区間数をＬとし、該メインローブを置換する逆
   方向ＳＰＵＤＴの区間数をＮ１とするとき、０.０８Ｌ
   ＜Ｎ１＜０.６Ｌとしたことを特徴とするトランスバー
   サルＳＡＷフィルタ。
2. 【請求項２】前記第１サイドローブに配置する順方向Ｓ
   ＰＵＤＴの区間数Ｎ２としたとき、０＜Ｎ２＜Ｎ１とし
   たことを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル
   ＳＡＷフィルタ。
3. 【請求項３】圧電基板の主面上に少なくとも２つのＩＤ
   Ｔ電極を配置して構成するトランスバーサルＳＡＷフィ
   ルタにおいて、前記ＩＤＴ電極の少なくとも１つが一方
   向性トランスデューサと第１及び第２の励振作用がない
   基本区間電極とを含む構成であると共に、前記第１の基
   本区間電極の１波長基本区間は前記一方向性トランスデ
   ューサの１波長基本区間と弾性表面波の伝搬方向に対し
   て同一の電極構成であると共に、前記第２の基本区間電
   極の１波長基本区間は前記一方向性トランスデューサの
   １波長基本区間と弾性表面波の伝搬方向に対して左右対
   象の電極構成であることを特徴とするトランスバーサル
   ＳＡＷフィルタ。
4. 【請求項４】一方向性トランスデューサは１波長基本区
   間が３本の電極指からなる構成であって、前記３本の電
   極指のうち１本は他の２本と電極指の幅が異なることを
   特徴とする請求項３に記載のトランスバーサルＳＡＷフ
   ィルタ。