JP3487745B2 - 光起電力素子用基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の製造方法。 - Google Patents
光起電力素子用基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の製造方法。Info
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光起電力素子用
基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の
製造方法に関する。
基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非晶質シリコンを用いた光起電力素子と
して、ガラス基板に透明電極層を堆積したものやステン
レスなどの金属基板等を用い、この基板上にプラズマＣ
ＶＤ法などの気相反応で非晶質シリコン膜を堆積したも
のが知られている。
して、ガラス基板に透明電極層を堆積したものやステン
レスなどの金属基板等を用い、この基板上にプラズマＣ
ＶＤ法などの気相反応で非晶質シリコン膜を堆積したも
のが知られている。
【０００３】ところで、従来より光閉じ込め効果を用い
て変換効率の向上を図るために、基板表面に微小凹凸を
設けることが知られている。上記したガラス基板を用い
た光起電力素子においても、変換効率の向上のために、
酸化錫からなる透明電極層を適当な条件下で堆積し、表
面に凹凸形状を作成する方法が採られている。また、セ
ラミック基板の表面を凹凸化することも望まれている。
従来、セラミック基板の表面を凹凸化する方法として
は、ラッピングによる凹凸化や、粉体プレスによる凹凸
化、また機械的加工による凹凸化などが用いられてい
た。
て変換効率の向上を図るために、基板表面に微小凹凸を
設けることが知られている。上記したガラス基板を用い
た光起電力素子においても、変換効率の向上のために、
酸化錫からなる透明電極層を適当な条件下で堆積し、表
面に凹凸形状を作成する方法が採られている。また、セ
ラミック基板の表面を凹凸化することも望まれている。
従来、セラミック基板の表面を凹凸化する方法として
は、ラッピングによる凹凸化や、粉体プレスによる凹凸
化、また機械的加工による凹凸化などが用いられてい
た。
【０００４】しかしながら、上述した方法では、ガラス
基板の価格そのものが光起電力装置の製造コストに占め
る割合が高く、しかも酸化錫を５５０℃程度の熱ＣＶＤ
プロセスで形成するためのコストも同様に高い割合を占
めており、非晶質シリコンを用いた光起電力装置の低コ
スト化を妨げていた。
基板の価格そのものが光起電力装置の製造コストに占め
る割合が高く、しかも酸化錫を５５０℃程度の熱ＣＶＤ
プロセスで形成するためのコストも同様に高い割合を占
めており、非晶質シリコンを用いた光起電力装置の低コ
スト化を妨げていた。
【０００５】また、ステンレスの薄い基板を用いる場合
には、機械的加工により凹凸を形成しているが、基板の
凹凸化の作業が煩雑であると共に、基板にバリが発生す
るために、この上に非晶質シリコン膜を形成し、光起電
力装置を製造すると、バリに起因する短絡が生じ、電気
的特性が低下することにより、歩留まりが低下するとい
う難点もあった。
には、機械的加工により凹凸を形成しているが、基板の
凹凸化の作業が煩雑であると共に、基板にバリが発生す
るために、この上に非晶質シリコン膜を形成し、光起電
力装置を製造すると、バリに起因する短絡が生じ、電気
的特性が低下することにより、歩留まりが低下するとい
う難点もあった。
【０００６】非晶質シリコンを用いる光起電力装置にお
いて、光閉じ込め効果に最適な凹凸形状は、酸化錫から
なる透明電極層を適当な条件下で堆積して表面に凹凸形
状を作成する方法や、プラズマＣＶＤ法等により酸化亜
鉛を堆積することにより得られる。従って、光閉じ込め
効果に優れた非晶質シリコン系光起電力装置を形成する
には、基板として表面に凹凸形状を形成した上記基板を
用いればよい。
いて、光閉じ込め効果に最適な凹凸形状は、酸化錫から
なる透明電極層を適当な条件下で堆積して表面に凹凸形
状を作成する方法や、プラズマＣＶＤ法等により酸化亜
鉛を堆積することにより得られる。従って、光閉じ込め
効果に優れた非晶質シリコン系光起電力装置を形成する
には、基板として表面に凹凸形状を形成した上記基板を
用いればよい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板と
してガラス上に酸化錫を設けたものやガラス上に酸化亜
鉛を設けたものを用いた場合には、上述したように、基
板の光起電力装置の占める製造コストの割合が高くな
り、光起電力装置の低コスト化に不適である。このた
め、安価な基板を用いる方法が望まれる。
してガラス上に酸化錫を設けたものやガラス上に酸化亜
鉛を設けたものを用いた場合には、上述したように、基
板の光起電力装置の占める製造コストの割合が高くな
り、光起電力装置の低コスト化に不適である。このた
め、安価な基板を用いる方法が望まれる。
【０００８】この発明は上述した従来の問題点を解消す
るためになされたものにして、光閉じ込め効果に最適な
凹凸が表面に形成された安価な光起電力素子用基板を提
供することを目的すると共に、この基板を用いた光起電
力素子を提供することを目的とする。
るためになされたものにして、光閉じ込め効果に最適な
凹凸が表面に形成された安価な光起電力素子用基板を提
供することを目的すると共に、この基板を用いた光起電
力素子を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の光起電力素子
用基板の製造方法は、表面に光閉じ込め用凹凸形状が形
成された酸化錫膜がマスタ基板上に形成され、このマス
タ基板を成形金型とし、この光閉じ込め用凹凸形状をプ
ラスチック樹脂層表面に転写することを特徴とする。
用基板の製造方法は、表面に光閉じ込め用凹凸形状が形
成された酸化錫膜がマスタ基板上に形成され、このマス
タ基板を成形金型とし、この光閉じ込め用凹凸形状をプ
ラスチック樹脂層表面に転写することを特徴とする。
【００１０】前記マスタ基板は、ガラス或いは金属から
なる基板上に常圧ＣＶＤ法により酸化錫膜を形成し、表
面に光閉じ込め用凹凸形状を形成することができる。ま
た、前記マスタ基板の表面にアルミニウムを転写工程に
先立って形成するよい。
なる基板上に常圧ＣＶＤ法により酸化錫膜を形成し、表
面に光閉じ込め用凹凸形状を形成することができる。ま
た、前記マスタ基板の表面にアルミニウムを転写工程に
先立って形成するよい。
【００１１】上記した構成によれば、光閉じ込め効果に
最適な基板を安価に提供することができる。
最適な基板を安価に提供することができる。
【００１２】また、この発明の光起電力素子の製造方法
は、表面に光閉じ込め用凹凸形状が形成された酸化錫膜
がマスタ基板上に形成され、このマスタ基板を成形金型
とし、この光閉じ込め用凹凸をプラスチック樹脂層表面
に転写して光起電力素子用基板を形成し、この形成され
た光起電力素子用基板上に、第１の電極、光起電力層と
なる薄膜非晶質半導体層、第２の電極を順次形成するこ
とを特徴とする。
は、表面に光閉じ込め用凹凸形状が形成された酸化錫膜
がマスタ基板上に形成され、このマスタ基板を成形金型
とし、この光閉じ込め用凹凸をプラスチック樹脂層表面
に転写して光起電力素子用基板を形成し、この形成され
た光起電力素子用基板上に、第１の電極、光起電力層と
なる薄膜非晶質半導体層、第２の電極を順次形成するこ
とを特徴とする。
【００１３】更に、上記第１の電極を金属層で形成し、
裏面側反射層として用いることができる。
裏面側反射層として用いることができる。
【００１４】上記薄膜非晶質半導体層は非晶質シリコン
膜で構成することができる。
膜で構成することができる。
【００１５】上記した構成によれば、光閉じ込め効果に
優れ、変換効率を向上させた光起電力素子を安価に提供
することができる。
優れ、変換効率を向上させた光起電力素子を安価に提供
することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
き図面を参照して説明する。
き図面を参照して説明する。
【００１７】図１は、マスタ基板として用いられる表面
に光閉じ込め用凹凸の形状が形成された酸化錫膜を備え
る基板を示す斜視図である。
に光閉じ込め用凹凸の形状が形成された酸化錫膜を備え
る基板を示す斜視図である。
【００１８】このマスタ基板は、ガラス或いは金属から
なる基板１上に光閉じ込め効果に適した形状の凹凸２ａ
を形成した酸化錫（ＳｎＯ2 ）膜２を形成したものであ
る。
なる基板１上に光閉じ込め効果に適した形状の凹凸２ａ
を形成した酸化錫（ＳｎＯ2 ）膜２を形成したものであ
る。
【００１９】このマスタ基板は、ガラス或いは金属から
なる基板１上に常圧ＣＶＤ法によりＳｎＯ2 膜を形成す
ることにより、表面が凹凸化したＳｎＯ2 膜２ができ
る。
なる基板１上に常圧ＣＶＤ法によりＳｎＯ2 膜を形成す
ることにより、表面が凹凸化したＳｎＯ2 膜２ができ
る。
【００２０】形成条件としては、例えば、基板温度５５
０℃で、四塩化錫１ｇ／分、弗化水素酸を５ｇ／分、酸
素１０ｇ／分を反応炉へと導入して堆積させる。四塩化
錫、弗化水素酸は液体であるので、それぞれ窒素ガス
（トータル２０リットル／分）によりバブリングして反
応炉へ導入する。このような条件下で堆積したＳｎＯ2
膜２は深さ１０００〜１５００オングストローム程度の
凹凸部が全面に形成される。
０℃で、四塩化錫１ｇ／分、弗化水素酸を５ｇ／分、酸
素１０ｇ／分を反応炉へと導入して堆積させる。四塩化
錫、弗化水素酸は液体であるので、それぞれ窒素ガス
（トータル２０リットル／分）によりバブリングして反
応炉へ導入する。このような条件下で堆積したＳｎＯ2
膜２は深さ１０００〜１５００オングストローム程度の
凹凸部が全面に形成される。
【００２１】この基板１上に形成されるＳｎＯ2 膜２の
凹凸部の形状は、光起電力層として非晶質シリコンを用
いる場合には、光閉じ込め効果に最適な凹凸部が山と山
の長さが０．１〜１μｍ、好ましくは０．２〜０．５μ
ｍの範囲で且つ山の高さが約５００オングストロームか
ら２０００オングストロームの範囲になるように形成条
件を制御すればよい。
凹凸部の形状は、光起電力層として非晶質シリコンを用
いる場合には、光閉じ込め効果に最適な凹凸部が山と山
の長さが０．１〜１μｍ、好ましくは０．２〜０．５μ
ｍの範囲で且つ山の高さが約５００オングストロームか
ら２０００オングストロームの範囲になるように形成条
件を制御すればよい。
【００２２】続いて、図２に示すように、この表面に光
閉じ込め効果に適した形状の凹凸部２ａを有するＳｎＯ
2 膜２形成した基板１からなるマスタ基板１０を下金型
１１の所定の位置にセットした後、上金型１２を被せ
る。そして、上金型１２とマスタ基板１０との間にでき
たシート状の空間部１３にランナー１４からプラスチッ
ク原料となるポリイミド樹脂を注入する。この樹脂の注
入は、例えば、空間部１３を減圧下にしておくことで、
ランナー１４から樹脂を注入する。
閉じ込め効果に適した形状の凹凸部２ａを有するＳｎＯ
2 膜２形成した基板１からなるマスタ基板１０を下金型
１１の所定の位置にセットした後、上金型１２を被せ
る。そして、上金型１２とマスタ基板１０との間にでき
たシート状の空間部１３にランナー１４からプラスチッ
ク原料となるポリイミド樹脂を注入する。この樹脂の注
入は、例えば、空間部１３を減圧下にしておくことで、
ランナー１４から樹脂を注入する。
【００２３】使用するプラスチック原料としては、特に
制限はないが、例えば、上記ポリイミド樹脂以外にエポ
キシ樹脂などの熱硬化性の樹脂がで使用できる。硬化
後、透光性の樹脂材料であれば、基板側から光入射させ
ることもでき、より基板としての自由度が拡がる。
制限はないが、例えば、上記ポリイミド樹脂以外にエポ
キシ樹脂などの熱硬化性の樹脂がで使用できる。硬化
後、透光性の樹脂材料であれば、基板側から光入射させ
ることもでき、より基板としての自由度が拡がる。
【００２４】上金型１２とマスタ基板１０との間にでき
た空間部１３にランナー１４からポリイミド樹脂を注入
し成形することにより、樹脂層表面にマスタ基板１０の
凹凸部２ａの形状を転写する。その後、例えば、２００
〜３００℃の温度で焼成し、上金型１２と下金型１１を
外し、表面にマスタ基板１０の凹凸部２ａの形状が転写
された成型品を得る。このようにして、図３に示すよう
に、表面に光閉じ込め効果に適した凹凸部２０ａが形成
されたポリイミド樹脂からなる光起電力素子用基板２０
が得られる。この基板２０の表面には、光閉じ込め効果
に最適な凹凸部２ａの形状が転写されている。従って、
この基板２０を用いることにより、最適な光閉じ込め効
果が得られる。
た空間部１３にランナー１４からポリイミド樹脂を注入
し成形することにより、樹脂層表面にマスタ基板１０の
凹凸部２ａの形状を転写する。その後、例えば、２００
〜３００℃の温度で焼成し、上金型１２と下金型１１を
外し、表面にマスタ基板１０の凹凸部２ａの形状が転写
された成型品を得る。このようにして、図３に示すよう
に、表面に光閉じ込め効果に適した凹凸部２０ａが形成
されたポリイミド樹脂からなる光起電力素子用基板２０
が得られる。この基板２０の表面には、光閉じ込め効果
に最適な凹凸部２ａの形状が転写されている。従って、
この基板２０を用いることにより、最適な光閉じ込め効
果が得られる。
【００２５】尚、ポリイミド樹脂をマスタ基板１０から
剥がす工程を効率よく行うために、離型剤として、マス
タ基板１０の表面にアルミニウム（Ａｌ）を上記転写工
程に先立って形成すると、マスタ基板１０とアルミニウ
ムとの界面からポリイミド基板が剥がれ、光閉じ込め効
果に最適な形状の上にアルミニウムがコーティングされ
た状態の基板ができ、更に生産性良く光起電力素子用基
板を製造できる。
剥がす工程を効率よく行うために、離型剤として、マス
タ基板１０の表面にアルミニウム（Ａｌ）を上記転写工
程に先立って形成すると、マスタ基板１０とアルミニウ
ムとの界面からポリイミド基板が剥がれ、光閉じ込め効
果に最適な形状の上にアルミニウムがコーティングされ
た状態の基板ができ、更に生産性良く光起電力素子用基
板を製造できる。
【００２６】次に、この光起電力素子用基板２０を用い
た光起電力素子を図４に従い説明する。
た光起電力素子を図４に従い説明する。
【００２７】この発明の光起電力素子は、表面に光閉じ
込め効果に最適な凹凸部２０ａを多数有するプラスチッ
クからなる基板２０上に裏面側反射層２１として、アル
ミニウムや銀等からなる金属薄膜層２１ａと酸化インジ
ウム錫（ＩＴＯ）層２１ｂとが全面に設けられる。この
裏面側反射層２１を設けることで、この上に設けられた
薄膜非晶質シリコン系光起電力層２２、２３、２４へ光
を十分に反射させ、且つ光閉じ込め効果に最適な凹凸部
２０ａを多数有するため、裏面側反射層２１で反射され
た光は薄膜非晶質シリコン系光起電力層２２、２３、２
４に効率よく閉じ込め込められる。
込め効果に最適な凹凸部２０ａを多数有するプラスチッ
クからなる基板２０上に裏面側反射層２１として、アル
ミニウムや銀等からなる金属薄膜層２１ａと酸化インジ
ウム錫（ＩＴＯ）層２１ｂとが全面に設けられる。この
裏面側反射層２１を設けることで、この上に設けられた
薄膜非晶質シリコン系光起電力層２２、２３、２４へ光
を十分に反射させ、且つ光閉じ込め効果に最適な凹凸部
２０ａを多数有するため、裏面側反射層２１で反射され
た光は薄膜非晶質シリコン系光起電力層２２、２３、２
４に効率よく閉じ込め込められる。
【００２８】尚、この裏面側反射層２１は、裏面側電極
として用いられる。
として用いられる。
【００２９】上記のように金属薄膜層２１ａ上にＩＴＯ
層２１ｂを形成することで、金属薄膜層とその上に形成
される非晶質シリコン系光起電力層との間での高い反射
率を実現することができる。上記ＩＴＯ層２１ｂの変わ
りに、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの絶縁膜を
用いてもシリサイド化を防止することができる。尚、絶
縁膜を用いる時には、金属薄膜層２１ａと非晶質シリコ
ン系光起電力層２２…とを導通させる必要があるため、
金属薄膜層２１ａの全面に絶縁膜を設けるのではなく、
メタルマスクなどを用いて、絶縁膜に部分的に窓部を設
けるようにする。
層２１ｂを形成することで、金属薄膜層とその上に形成
される非晶質シリコン系光起電力層との間での高い反射
率を実現することができる。上記ＩＴＯ層２１ｂの変わ
りに、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの絶縁膜を
用いてもシリサイド化を防止することができる。尚、絶
縁膜を用いる時には、金属薄膜層２１ａと非晶質シリコ
ン系光起電力層２２…とを導通させる必要があるため、
金属薄膜層２１ａの全面に絶縁膜を設けるのではなく、
メタルマスクなどを用いて、絶縁膜に部分的に窓部を設
けるようにする。
【００３０】この反射層２１上に非晶質シリコン系半導
体層としてｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層２２と、
ｉ型非晶質シリコン層２３、ｉ型非晶質炭化シリコン
（ａ−ＳｉＣ）層２４ａ、ｐ型非晶質炭化シリコン層２
４ｂが順次設けられている。このｐ型非晶質炭化シリコ
ン層２４ｂ上の全面にＩＴＯからなる受光面側電極２５
が形成され、この受光面側電極２５上に銀からなる櫛形
集電極２６が形成されている。
体層としてｎ型非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）層２２と、
ｉ型非晶質シリコン層２３、ｉ型非晶質炭化シリコン
（ａ−ＳｉＣ）層２４ａ、ｐ型非晶質炭化シリコン層２
４ｂが順次設けられている。このｐ型非晶質炭化シリコ
ン層２４ｂ上の全面にＩＴＯからなる受光面側電極２５
が形成され、この受光面側電極２５上に銀からなる櫛形
集電極２６が形成されている。
【００３１】次に、この発明の光起電力素子の製造方法
を図５に従い説明する。まず、表面に光閉じ込め用の凹
凸部を転写したプラスチックからなる基板２０の表面に
裏面側反射層２１ａとして膜厚５０００オングストロー
ム程度のアルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング法によ
り形成する。このスパッタリングは、ターゲットとして
アルミニウム（Ａｌ）を用い、Ａｒ１０ｓｃｃｍ、基板
温度１２０℃、圧力０．３Ｐａ、ＲＦパワー２Ｗ／ｃｍ
2 の条件で行った。
を図５に従い説明する。まず、表面に光閉じ込め用の凹
凸部を転写したプラスチックからなる基板２０の表面に
裏面側反射層２１ａとして膜厚５０００オングストロー
ム程度のアルミニウム（Ａｌ）をスパッタリング法によ
り形成する。このスパッタリングは、ターゲットとして
アルミニウム（Ａｌ）を用い、Ａｒ１０ｓｃｃｍ、基板
温度１２０℃、圧力０．３Ｐａ、ＲＦパワー２Ｗ／ｃｍ
2 の条件で行った。
【００３２】続いて、このアルミニウム層２１ａ上に膜
厚１０００オングストローム程度のＩＴＯ膜２１ｂをス
パッタリング法により形成する。このスパッタリング
は、ターゲットとしてＩＴＯを用い、Ａｒ８ｓｃｃｍ、
２％Ｏ2 ／Ａｒ７ｓｃｃｍ、基板温度１７０℃、圧力
０．６Ｐａ、ＲＦパワー１．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で行っ
た。
厚１０００オングストローム程度のＩＴＯ膜２１ｂをス
パッタリング法により形成する。このスパッタリング
は、ターゲットとしてＩＴＯを用い、Ａｒ８ｓｃｃｍ、
２％Ｏ2 ／Ａｒ７ｓｃｃｍ、基板温度１７０℃、圧力
０．６Ｐａ、ＲＦパワー１．３Ｗ／ｃｍ2 の条件で行っ
た。
【００３３】次に、膜厚４００オングストロームのｎ型
非晶質シリコン膜２２とその上に膜厚０．３μｍのｉ型
非晶質シリコン膜２３、膜厚１５０オングストロームの
ｉ型非晶質炭化シリコン膜２４ａ、ｐ型非晶質炭化シリ
コン膜２４ｂをそれぞれプラズマＣＶＤ法により形成
し、ｐｉｎ接合を形成する。
非晶質シリコン膜２２とその上に膜厚０．３μｍのｉ型
非晶質シリコン膜２３、膜厚１５０オングストロームの
ｉ型非晶質炭化シリコン膜２４ａ、ｐ型非晶質炭化シリ
コン膜２４ｂをそれぞれプラズマＣＶＤ法により形成
し、ｐｉｎ接合を形成する。
【００３４】非晶質シリコン系半導体層の形成条件を表
１に示す。
１に示す。
【００３５】
【表１】
【００３６】その後、ｐ型非晶質炭化シリコン２４ｂ上
にＩＴＯからなる膜厚７００オングストロームの受光面
電極２５をスパッタ法で形成する。ターゲットとしてＩ
ＴＯを用い、スパッタリング条件は、Ａｒ８ｓｃｃｍ、
２％Ｏ2 ／Ａｒ７ｓｃｃｍ、基板温 度１７０℃、圧力
０．６Ｐａ、ＲＦパワー１．３Ｗ／ｃｍ2 である。そし
て、真空蒸着法により膜厚５０００オングストロームの
銀からなる櫛形集電極２５を形成することにより、この
発明の光起電力素子が形成される。
にＩＴＯからなる膜厚７００オングストロームの受光面
電極２５をスパッタ法で形成する。ターゲットとしてＩ
ＴＯを用い、スパッタリング条件は、Ａｒ８ｓｃｃｍ、
２％Ｏ2 ／Ａｒ７ｓｃｃｍ、基板温 度１７０℃、圧力
０．６Ｐａ、ＲＦパワー１．３Ｗ／ｃｍ2 である。そし
て、真空蒸着法により膜厚５０００オングストロームの
銀からなる櫛形集電極２５を形成することにより、この
発明の光起電力素子が形成される。
【００３７】上述した実施の形態においては、ｎ型非晶
質シリコン層２２上にｉ型非晶質シリコン層２３、ｐ型
非晶質炭化シリコン層を順次積層した構造について説明
したが、この発明は、非晶質シリコン系半導体膜の代わ
りに微結晶シリコン系半導体膜を用いてもよいし、ま
た、ｐ−ｉ−ｎの積層順序が逆であってもよい。
質シリコン層２２上にｉ型非晶質シリコン層２３、ｐ型
非晶質炭化シリコン層を順次積層した構造について説明
したが、この発明は、非晶質シリコン系半導体膜の代わ
りに微結晶シリコン系半導体膜を用いてもよいし、ま
た、ｐ−ｉ−ｎの積層順序が逆であってもよい。
【００３８】更に、上述した実施の形態においては、基
板が光入射側とは反対側にあるいわゆる逆タイプの光起
電力装置の構造であるが、これに対して、基板として透
明基板を用い基板側から光入射するいわゆる順タイプの
構造、すなわち、基板２０の上に透明電極を形成し、こ
れを光入射側（表面側電極）として利用し、その上にｐ
−ｉ−ｎの非晶質シリコン系半導体層を形成し、その上
に裏面側反射層を順次形成する構造にも適用できる。
板が光入射側とは反対側にあるいわゆる逆タイプの光起
電力装置の構造であるが、これに対して、基板として透
明基板を用い基板側から光入射するいわゆる順タイプの
構造、すなわち、基板２０の上に透明電極を形成し、こ
れを光入射側（表面側電極）として利用し、その上にｐ
−ｉ−ｎの非晶質シリコン系半導体層を形成し、その上
に裏面側反射層を順次形成する構造にも適用できる。
【００３９】また、上記実施の形態においては、各層を
基板全面に形成する例について説明したが、いわゆる集
積型光起電力装置においてもこの発明は適用できること
は勿論のことである。
基板全面に形成する例について説明したが、いわゆる集
積型光起電力装置においてもこの発明は適用できること
は勿論のことである。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光閉じ込めに効果に最適な光起電力素子用基板を安
価に提供することができる。
ば、光閉じ込めに効果に最適な光起電力素子用基板を安
価に提供することができる。
【００４１】また、この発明の基板を用いることで、光
閉じ込め効果に優れ、変換効率を向上させた光起電力素
子を安価に提供することができる。
閉じ込め効果に優れ、変換効率を向上させた光起電力素
子を安価に提供することができる。
【図１】マスタ基板として用いられる表面に光閉じ込め
用凹凸の形状が形成された酸化錫膜を備える基板を示す
斜視図である。
用凹凸の形状が形成された酸化錫膜を備える基板を示す
斜視図である。
【図２】この発明の光起電力素子用基板の製造方法を説
明するための概略断面図である。
明するための概略断面図である。
【図３】この発明の光起電力素子用基板を示す概略断面
図である。
図である。
【図４】この発明の光起電力素子を示す断面図である。
【図５】この発明の光起電力素子の製造方法を工程別に
示す断面図である。
示す断面図である。
２０ 光起電力素子用基板
２０ａ 凹凸部
２１ 裏面側反射層
２１ａ 金属薄膜層
２１ｂ 透明電極
２２ ｎ型非晶質シリコン層
２３ ｉ型非晶質シリコン層
２４ａ ｉ型非晶質炭化シリコン層
２４ｂ ｐ型非晶質炭化シリコン層
２５ 受光面側電極
２６ 櫛形集電極
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に光閉じ込め用凹凸形状が形成され
た酸化錫膜がマスタ基板上に形成され、このマスタ基板
を成形金型とし、この光閉じ込め用凹凸形状をプラスチ
ック樹脂層表面に転写することを特徴とする光起電力素
子用基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記マスタ基板は、ガラス或いは金属か
らなる基板上に常圧ＣＶＤ法により酸化錫膜を形成し、
表面に光閉じ込め用凹凸形状を形成したことを特徴とす
る請求項１に記載の光起電力素子用基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記マスタ基板の表面にアルミニウムを
転写工程に先立って形成することを特徴とする請求項１
に記載の光起電力素子用基板の製造方法。 - 【請求項４】 表面に光閉じ込め用凹凸形状が形成され
た酸化錫膜がマスタ基板上に形成され、このマスタ基板
を成形金型とし、この光閉じ込め用凹凸をプラスチック
樹脂層表面に転写して光起電力素子用基板を形成し、こ
の形成された光起電力素子用基板上に、第１の電極、光
起電力層となる薄膜非晶質半導体層、第２の電極を順次
形成することを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 【請求項５】 上記第１の電極を金属層で形成し、裏面
側反射層として用いることを特徴とする請求項４に記載
の光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30166097A JP3487745B2 (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 光起電力素子用基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30166097A JP3487745B2 (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 光起電力素子用基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の製造方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11145491A JPH11145491A (ja) | 1999-05-28 |
| JP3487745B2 true JP3487745B2 (ja) | 2004-01-19 |
Family
ID=17899615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30166097A Expired - Lifetime JP3487745B2 (ja) | 1997-11-04 | 1997-11-04 | 光起電力素子用基板の製造方法並びにその基板を用いた光起電力素子の製造方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3487745B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3557148B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2004-08-25 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
| JP2002299660A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 薄膜結晶質Ｓｉ太陽電池 |
| JP2008085323A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池用透明電極基板 |
| KR102338543B1 (ko) | 2020-12-24 | 2021-12-15 | (주)솔라플렉스 | 발전면적 증가형 태양전지의 제조방법 |
-
1997
- 1997-11-04 JP JP30166097A patent/JP3487745B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11145491A (ja) | 1999-05-28 |
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