JP3480570B2 - 半導体チップ、その取り外し方法および半導体装置 - Google Patents

半導体チップ、その取り外し方法および半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、取り外し可能な半
導体チップ、その取り外し方法およびそれを用いた半導
体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、高密度実装のためあるいはコスト
ダウンのためにベア状態の半導体チップが配線基板上に
直接実装されることが多くなってきている。そして、ベ
アチップ実装を行う場合、多ピンの半導体チップの実装
に適した、ハンダバンプを有するフリップチップをフェ
イスダウン方式で実装する方法が多用される。この場
合、半導体チップと配線基板との間の間隙はアンダーフ
ィルと呼ばれる樹脂によって充填されることが一般的で
ある。
【0003】図7は、この種半導体装置の実装状態を示
す断面図である。半導体チップ21は、ハンダバンプ2
2を溶着することによって基板24上の接続パッドと電
気的かつ機械的に接続されている。そして、この半導体
チップ21と基板24との間にはアンダーフィルとして
樹脂23が充填されている。この樹脂は、半導体チップ
21と基板24との熱膨張係数の差によって生じる応力
を緩和させるために充填される。
【0004】すなわち、半導体装置のON−OFF操作
によって半導体チップ21と基板24は、加熱・冷却さ
れ、そのたびごとに膨張と収縮とを繰り返す。一方、半
導体チップ21を構成しているシリコンの熱膨張係数は
2.5×10−6/℃であるのに対し、配線基板24の
熱膨張係数は、ガラスエポキシ基板の場合で16×10
−6/℃、アルミナ基板を使用したときには5.8×1
−6/℃であり、両者間には大きな差異がある。した
がって、半導体チップ21および基板24に、膨張と収
縮とが繰り返されると、両者の間に固定されているハン
ダバンプ22は圧縮と引っ張りの応力を交互に受ける
(熱応力)ことになる。この熱応力により金属疲労が発
生し、両者の接合部分であるハンダ部分が破断される
と、半導体チップと基板間の電気的な接続ができなくな
ってしまう。よって、アンダーフィルを有しない実装構
造では、信頼性の低い装置になってしまう。そこで、こ
の熱応力を緩和させるために、半導体チップ21と配線
基板24との間隙に樹脂23を充填している。
【0005】なお、この種の実装構造は、例えば米国特
許第4,999,699号明細書に開示されている。しかしなが
ら、この実装構造では、半導体チップ21とが基板24
は樹脂23によって機械的に強固に接着されているた
め、半導体チップ21を基板24から取り外すことは非
常に困難であった。そのため、半導体チップを交換する
ことが不可能となるという問題点があった。
【0006】これとは別に、アンダーフィル構造に対応
したものではないが、特開平5−251504号公報に
は、半導体チップに発熱素子を設置し、これを用いてハ
ンダバンプを加熱・溶解する方法が提案されている。図
8(a)、(b)は、同公報に開示された半導体チップ
の実装構造を示す斜視図と断面図である。図8に示すよ
うに、半導体チップ31の素子形成面には、ハンダバン
プ32と、一対の通電用端子部33a有する発熱素子3
3とが設けられており、そして半導体チップの素子形成
面はハンダバンプ形成領域を除いて放熱樹脂34により
覆われている。半導体チップ31の基板35への搭載は
以下のように行われる。基板35上の接続パッド36と
対応させてハンダバンプ32を載置し、通電用端子部3
3aを介して発熱素子33に通電を行う。これによりハ
ンダバンプ32が溶融して接続パッド36への接続が完
了する。半導体チップ31を基板35から取り外す場合
には、搭載時の場合と同様に、通電用端子部33aを介
して発熱素子33に通電を行いハンダバンプ32を溶融
させて、取り外す。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した第1の従来例
(図7)では、半導体チップの取り外しが困難であるた
めに、実質的にリペアが不可能となる。一方、図8に示
した第2の従来例では、半導体チップを取り外すことは
できるものの、発熱素子33が素子形成面に設けられて
いるため、しかもチップの2辺には通電用端子部33a
を配置する必要があるため、ハンダバンプの配置に制限
を受け、半導体チップのピン数を増加させることが困難
となる。本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を
解決することであって、その目的は、第1に、半導体装
置の信頼性を確保しつつ半導体チップを容易に取り外し
できるようにすることであり、第2に、半導体チップの
ピン数を犠牲にすることなく半導体チップを取り外すこ
とができるようにすることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明によれば、素子形成面にハンダバンプが形成
された半導体チップにおいて、素子形成面と反対側の面
には発熱素子が形成されていることを特徴とする半導体
チップ、が提供される。そして、好ましくは、前記発熱
素子は、両端に電極が形成された抵抗体により構成され
る。また、好ましくは、前記抵抗体が、前記素子形成面
と反対側の面のほぼ全面に形成される。
【0009】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、実装基板上に、実装基板上に形成された接続
パッドにハンダバンプを接続することにより搭載された
半導体チップの取り外し方法であって、前記半導体チッ
プのハンダバンプの形成された面とは反対側の面に形成
された発熱素子に電圧を印加してハンダバンプを溶融ま
たは軟化させて取り外すことを特徴とする半導体チップ
の取り外し方法、が提供される。そして、好ましくは、
取り外しは、一対の電極と真空引きされる吸気管とを備
えた取り外し治具を用いて、若しくは、一対の電極と、
先端部が半導体チップの下面に潜り込む爪を有する把持
具とを備えた取り外し治具を用いて、行われる。
【0010】また、上記の目的を達成するため、本発明
によれば、素子形成面にハンダバンプを有する半導体チ
ップを、該ハンダバンプを実装基板上の接続パッドに接
続する態様にて実装基板上に搭載してなる半導体装置に
おいて、前記半導体チップの素子形成面と反対側の面に
は前記ハンダバンプを溶融することのできる発熱素子が
形成されていることを特徴とする半導体装置、が提供さ
れる。そして、好ましくは、前記ハンダバンプの周囲に
は樹脂が充填されている。
【0011】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照し実施例に即して詳細に説明する。 (実施例1)図1は、本発明の実施例1の半導体チップ
の実装構造を示す断面図である。図1において、半導体
チップ1にはその素子形成面に信号の入出力や電源の供
給を行う電極パッド3が設けられており、さらに電極パ
ッド3のそれぞれにはハンダバンプ6が溶着されてい
る。
【0012】ハンダバンプ6の組成としては、一般に使
用されているSn−Pb合金のほかにも、Sn−Bi−
Ag合金、Sn−Ag合金、Sn−Ag−Cu合金、ま
たはSn−Pb−Ag合金等を適用することができる。
一方、Cuなどの電気伝導体で形成された内部配線7を
有する配線基板5の表面には接続パッド8が具備されて
いる。この接続パッド8はそれぞれ内部配線7と接続さ
れている。この配線基板5の表面に設けられた接続パッ
ド8には、上記ハンダバンプ6が溶着されており、この
ハンダバンプを介して、半導体チップの電極パッド3と
配線基板5内部に設けられた電源層への電気的接続ある
いは他の部品との電気的な相互接続が行われる。以上の
ような構成によって、半導体チップ1への電源の供給が
配線基板5から行われ、また半導体チップ1へのインプ
ットおよびアウトプットの電気信号は、配線基板5の内
部に存在している内部配線7およびハンダバンプ6を介
して伝達される。
【0013】前記半導体チップ1の素子形成面側と反対
側の面には、発熱素子となる抵抗体膜2が形成されてお
り、この抵抗体膜の両端には電極4が形成されている。
抵抗体膜2の材料としては、窒化タンタル、窒化チタン
等を使用することが可能である。また、電極4にはC
u、Au等の電気伝導体が用いられており、抵抗体膜2
と電気的に接続されている。この対向した電極4の間に
電圧を印加することにより、抵抗体膜2を発熱させるこ
とができる。抵抗体膜2は、半導体チップ1の素子形成
面側と反対側の面に全面的に形成されており、これによ
りチップ全体を一様に加熱することができる。
【0014】図2は、半導体チップ1を配線基板5から
取り外すときの状態を示す模式図である。電極4に所定
の電圧を印加することにより、抵抗体膜2を発熱させ、
その熱を半導体チップ1と反対側に設定してあるハンダ
バンプ6に伝えて、ハンダバンプ6を溶融させる。この
ようにして、ハンダバンプ6が溶融したときに、単に半
導体チップ1を持ち上げるだけで、きわめて簡単に、半
導体チップ1を配線基板5から取り外すことが可能とな
る。
【0015】(実施例2)図3は、本発明の実施例2の
半導体チップの実装構造を示す断面図である。図1を参
照して説明した実施例1と同様に、半導体チップ1は、
ハンダバンプ6を介して、配線基板5と電気的かつ機械
的に溶着・接続されている。本発明の実施例1と異なる
点は、配線基板5と半導体チップ1との間隙に樹脂10
が充填されていることである。この樹脂10が充填され
ている理由は、先に述べたとおり、配線基板5と半導体
チップ1との間に存在するハンダバンプ6への熱応力を
緩和させる効果を持たせるためである。ここで、樹脂1
0としては、その軟化温度が、ハンダバンプ6の溶融温
度と同程度、または、それ以下であるものが使用されて
いる。樹脂10の材料としては、エポキシ系の樹脂が用
いられるが、エポキシ樹脂に限定されることはない。樹
脂10の材料としては、通常に、このタイプの実装構造
において要求される性能、すなわち、吸湿性、耐熱性、
機械的強度、加工性、絶縁性、耐薬品性等の特性を満た
しており、かつ、軟化若しくは溶融温度が、ハンダバン
プの溶融温度と同程度、または、それ以下である限り、
使用することができる。
【0016】加熱工程は、実施例1に示した態様と同様
に行われる。すなわち、抵抗体膜2へ電圧を印加するこ
とによりハンダバンプ6を加熱すると、同時に樹脂10
も加熱される。続いて、ハンダバンプ6が溶融されると
樹脂10も溶融または軟化される。したがって、半導体
チップ1は配線基板5から容易に取り外すことができ
る。
【0017】(実施例3)図4は、本発明の実施例3を
示す断面図である。本実施例においては、抵抗体膜2上
の電極4に被覆されていない領域上を断熱性被膜11に
より覆っている。このように構成することにより、抵抗
体膜2に給電して半導体チップを加熱する際に、大気中
への放熱を抑制して効果的にハンダバンプを加熱するこ
とができる。断熱性被膜11としては、発泡性樹脂を用
いることができる。
【0018】(実施例4)図5は、本発明による半導体
チップの取り外し状態を示す断面図である。図3に示す
状態に実装された半導体チップを本実施例方法により取
り外すには、吸気管12、絶縁被覆13、給電線14か
ら構成される取り外し治具20を、給電線14が電極4
に当接するように、半導体チップ1上に被せ、給電線1
4を介して電流を供給して抵抗体膜2を発熱させる。そ
して、ハンダバンプ6が溶融し、樹脂10が軟化した
ら、吸気管12を真空引きしつつ、取り外し治具20を
上昇させて半導体チップ1を配線基板5から取り外す。
吸気管12の断面形状は円形であってもよいが四角形で
あってもよい。吸気管12の断面が円形であるとき、絶
縁被覆13は、内壁面、外壁面の断面形状はそれぞれ円
形、四角形になされる。
【0019】(実施例5)図6は、本発明による半導体
チップの取り外し状態を示す側面図である。この実施例
で用いられる取り外し治具20は、断面形状が四角形の
支持体15の側面に絶縁被覆13を介して一対の給電線
14が設けられる。支持体15および給電線14の紙面
奥行き方向の長さは半導体チップのより短くなされてい
る。そして、支持体15の給電線の設けられていない側
面には、一対の把持アーム16aを有する把持具16が
各アームが回動できるように取り付けられる。各把持ア
ーム16aの先端部には爪16bが設けられている。紙
面裏側にも同様の把持アームが取り付けられるが紙面表
側の把持アーム16aは、紙面裏側の把持アームと爪1
6bを介して連結されている。一対の把持アーム16a
は、ばね17により爪16b同士が近づく方向に付勢さ
れている。
【0020】この取り外し治具20を用いて半導体チッ
プを取り外すには、取り外し治具20を、給電線14が
電極4に当接するように、半導体チップ1上に載せ、給
電線14を介して電流を供給して抵抗体膜2を発熱させ
る。これにより、樹脂10の軟化が始まり、把持具16
の爪16bはばね17の弾性力により樹脂10内に進入
し半導体チップ1の下に潜り込む。そして、ハンダバン
プ6が溶融し、樹脂10が十分に軟化したら、取り外し
治具20を上昇させて半導体チップ1を配線基板5から
取り外す。
【0021】以上好ましい実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲内において適宜の変更が可能
なものである。例えば、実施例では、実装基板として多
層配線基板の例を示したが、実装基板はこれに限定され
ず片面配線基板や液晶表示パネルなどであってもよい。
また、実施例では、発熱素子として抵抗体を用いる例を
示したが抵抗体以外の発熱素子を用いることもできる。
【0022】
【発明の効果】以上の説明したように、本発明による半
導体チップは、素子形成面と反対側の面に発熱素子を形
成したものであるので、ピン数を犠牲にすることなく半
導体チップを容易に取り外すことのできる手段を備えた
構成のものとすることができる。また、アンダーフィル
の施された半導体チップも容易に取り外すことができる
ので、本発明によれば、信頼性が高くかつリペア可能な
半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1の断面図。
【図2】本発明の実施例1の取り外し状態を示す断面
図。
【図3】本発明の実施例2の断面図。
【図4】本発明の実施例3の断面図。
【図5】本発明の実施例4の取り外し状態を示す断面
図。
【図6】本発明の実施例5の取り外し状態を示す側面
図。
【図7】第1の従来例の断面図。
【図8】第2の従来例の斜視図と断面図。
【符号の説明】
1、21、31 半導体チップ 2 抵抗体膜 3 電極パッド 4 電極 5 配線基板 6、22、32 ハンダバンプ 7 内部配線 8、36 接続パッド 9 電源 10、23 樹脂 11 断熱性被膜 12 吸気管 13 絶縁被覆 14 給電線 15 支持体 16 把持具 16a 把持アーム 16b 爪 17 ばね 20 取り外し治具 24、35 基板 33 発熱素子 33a 通電用端子部 34 放熱樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 321 H05K 3/34 510

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 素子形成面にハンダバンプが形成された
    半導体チップにおいて、素子形成面と反対側の面には発
    熱素子が形成されていることを特徴とする半導体チッ
    プ。
  2. 【請求項2】 前記発熱素子が、両端に電極が形成され
    た抵抗体であることを特徴とする請求項1記載の半導体
    チップ。
  3. 【請求項3】 前記抵抗体が、窒化タンタルまたは窒化
    チタンにより形成されていることを特徴とする請求項2
    記載の半導体チップ。
  4. 【請求項4】 前記抵抗体が、前記素子形成面と反対側
    の面のほぼ全面に形成されていることを特徴とする請求
    項2または3記載の半導体チップ。
  5. 【請求項5】 前記発熱素子の表面の少なくとも一部は
    断熱性被膜にて覆われていることを特徴とする請求項1
    〜4のいずれかに記載の半導体チップ。
  6. 【請求項6】 実装基板上に、実装基板上に形成された
    接続パッドにハンダバンプを接続することにより搭載さ
    れた半導体チップの取り外し方法であって、前記半導体
    チップのハンダバンプの形成された面とは反対側の面に
    形成された抵抗素子に電圧を印加してハンダバンプを溶
    融または軟化させて取り外すことを特徴とする半導体チ
    ップの取り外し方法。
  7. 【請求項7】 取り外しを取り外し治具を用いて行うこ
    とを特徴とする請求項6記載の半導体チップの取り外し
    方法。
  8. 【請求項8】 前記取り外し治具が、一対の電極と真空
    引きされる吸気管とを備えていることを特徴とする請求
    項7記載の半導体チップの取り外し方法。
  9. 【請求項9】 前記取り外し治具が、一対の電極と、先
    端部が半導体チップの下面に潜り込む爪を有する把持具
    とを備えていることを特徴とする請求項7記載の半導体
    チップの取り外し方法。
  10. 【請求項10】 前記把持具が、弾性力により半導体チ
    ップを把持できるように構成されていることを特徴とす
    る請求項9記載の半導体チップの取り外し方法。
  11. 【請求項11】 素子形成面にハンダバンプを有する半
    導体チップを、該ハンダバンプを実装基板上の接続パッ
    ドに接続する態様にて実装基板上に搭載してなる半導体
    装置において、前記半導体チップの素子形成面と反対側
    の面には前記ハンダバンプを溶融することのできる発熱
    素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
  12. 【請求項12】 前記ハンダバンプの周囲には樹脂が充
    填されていることを特徴とする請求項11記載の半導体
    装置。
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JP4519614B2 (ja) 2004-11-19 2010-08-04 富士通株式会社 回路チップパッケージ用取り外し治具
JP2006303192A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 半導体装置及びチップの再生方法
US20100006329A1 (en) * 2006-12-04 2010-01-14 Panasonic Corporation Sealing material and mounting method using the sealing material
CN101553909B (zh) * 2006-12-04 2011-08-17 松下电器产业株式会社 密封材料以及使用该密封材料的安装方法
JP4393576B1 (ja) * 2008-09-03 2010-01-06 新熱工業株式会社 電気機器の分解方法
JP5594198B2 (ja) * 2011-03-16 2014-09-24 富士通株式会社 電子部品及び電子部品組立装置

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