JP3475898B2 - 化合物半導体膜のエッチング方法 - Google Patents
化合物半導体膜のエッチング方法Info
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Description
半導体レーザーなどの発光素子として用いられる半導体
デバイスを構成する化合物半導体膜のエッチング液およ
びその製造方法ならびに化合物半導体膜のエッチング方
法に関する。
AlGaAs、AlGaInP、GaInPなどのIII−V属の化合物半導
体膜は、一般に有機金属気相成長法(MOCVD)を用いて
同種の化合物半導体基板上にエピタキシャル成長膜とし
て作製される。半導体レーザーなどではこの化合物半導
体膜の多層膜を形成して、それぞれ量子井戸や活性層、
クラッド層、キャップ層などとして機能する。二酸化ケ
イ素膜なども上記多層膜中に適時形成される。素子作製
プロセスでのエッチング工程では、化合物半導体多層膜
は化学的に金属塩的な性質を示しウエハ表面は親水性
で、シリコン半導体とは異なった化学反応性を示す。そ
れ故、一般に化合物半導体のエッチング液は、酸または
アルカリを侵食成分として構成されている。
石酸、酢酸などの有機酸(カルボン酸)を混合し緩衝溶
液にし、酸の性質を安定化させかつエッチング特性を高
めて用いられる場合が多い。カルボン酸は無機酸に比べ
プロトンの解離度が低く弱酸に属すが、有機酸で種々の
分子構造がありその分子構造の違いがエッチング特性に
種々の影響を与える。また、過酸化水素水をさらに加え
て、化合物半導体の陰イオン成分に対する侵食性を高め
てエッチング液が構成される場合も多い。
などよりなる化合物半導体デバイスの製造工程で、化合
物半導体多層膜の選択エッチング液として、従来硫酸や
塩酸などの無機酸を、酒石酸や酢酸などの有機カルボン
酸と混合して、AlGaInP/GaInPに対して選択エッチング
液として用いることが、例えば特開平7−86698号
公報に開示されている。
よりなる選択性のないエッチング液が知られていた。
ッチング液では、化合物半導体デバイスを構成するGaA
s、AlGaAs、AlGaInP、GaInPなど材料によりエッチング
選択性を有したり、エッチングの異方性が生じたりする
ので、GaAs、AlGaAs、AlGaInPまたはGaInPよりなる化合
物半導体膜にいずれをも同様の速度でエッチングするこ
とができなかったり、例えば化合物半導体膜の表面の荒
れを生じさせたりするという問題があった。すなわち、
化合物半導体膜の表面の荒れが生じるのを防止して表面
を平滑にエッチングするエッチング液がないという問題
点があった。
混合液は、酢酸濃度が極めて高く(80%以上)、強い
臭気を有し作業上取り扱い難い上、エッチング面も平滑
でないという問題点があった。
の溶解度も高くエッチング用に適したカルボン酸である
が、OH基とカルボキシル基の相対位置によりD-、L-、me
so-の三種類の光学異性体があってエッチングが光の影
響を受ける上、タルトラト金属錯体を形成する性質があ
り、エッチング工程が複雑性を帯びるという欠点があっ
た。
P、GaInPなどの各化合物半導体膜を、いずれも同様の速
度でかつ表面を平滑になるようにエッチングできる、選
択反応性を持たない化合物半導体膜のエッチング液を提
供することを第一の目的としている。
ング液を用いて構成され、化合物半導体多層膜の高精細
度のパターン状選択エッチングを、ばらつきなく実現で
きる新規な化合物半導体多層膜のエッチング方法を提供
することにある。
に、本発明の化合物半導体膜のエッチング液は、酢酸、
硫酸、塩化水素、および過酸化水素の4成分を含む水溶
液よりなる化合物半導体膜のエッチング液より構成され
る。
P、GaInPなどの各化合物半導体膜のいずれも同様の速度
で、かつきれいにエッチングする、選択反応性を持たな
い化合物半導体膜のエッチング液が得られる。
グ方法は、酢酸、硫酸、塩化水素および過酸化水素の4
成分を含む水溶液よりなるエッチング液によって、Ga
1-y1Iny1P(0≦y1≦1)よりなる半導体層上に形
成されたAlx1Ga1-x1-y-2Iny2P(0.1≦x1<
1、0<y2<0.9)よりなる第1の半導体層の一部
と、Ga1-y3Iny3P(0≦y3≦1)層またはAlx2
Ga1-x2As(0≦x2<1)層よりなる第2の半導体
層とをともにエッチングする工程と、AlGaInPとGaInPと
の選択性の高い選択エッチング液によって、前記Ga
1-y1Iny1P(0≦y1≦1)半導体層上の前記第1の
半導体層を選択エッチングする工程とを設けたものであ
る。
精細度のパターン状選択エッチングを、ばらつきなく実
現できる化合物半導体多層膜のエッチング方法が得られ
る。
硫酸、塩化水素および過酸化水素の4成分を含む水溶液
よりなる化合物半導体膜のエッチング液としたものであ
り、この4成分のすべてが必要で、この各成分はIII−
V化合物半導体膜に対して次のような作用を有する。
グし、過酸化水素成分はアニオン成分(As、P)を酸化し
エッチングしやすくする。特にヒ化物(AlGaAs、GaAsな
ど)は、酸との反応で生成する亜ヒ酸As(OH)3が水
に溶け難いため、エッチング反応の進行は遅い。しか
し、H2O2で酸化されたヒ酸AsO(OH)3は少し潮解性
で水によく溶ける(溶解度630g/100gH2O)。それ故、
酸化作用の有るH 2O2をエッチング液に加えてエッチング
反応を進行させる。 (2)塩酸成分と過酸化水素成分の比率がGaInP系膜とG
aAs系膜のエッチング速度のバランスを決める。 (3)硫酸の添加は、各化合物半導体膜のエッチング速
度の平坦化効果がある。 (4)酢酸は必須成分で、(酢酸+過酸化水素)で各半
導体膜に対して非選択的な強い侵食作用をする。
酸化水素成分の比率がGaInP系膜とGaAs系膜のエッチン
グ速度のバランスを決めるためには、エッチング液に含
まれる塩化水素と過酸化水素との重量比率が、0.4以
上4以下の範囲にあることが望ましく、中でも1.2付
近においてはエッチング速度のバランスが一様になり最
も好ましい。
て、重量比率にして酢酸10に対して、塩化水素の含有
量が0.2以上0.6以下であり、過酸化水素の含有量
が0.16以上0.5以下であり、硫酸の含有量が4.
6以上18以下であるのが望ましい。
製造方法は、体積比率で、酢酸10に対して、塩化水素
含有量36重量%の塩酸を0.5以上1.5以下、過酸
化水素含有量30重量%の過酸化水素水を0.5以上
1.5以下、64重量%の硫酸を5以上20以下調合し
た水溶液を得るものであり、GaAs、AlGaAs、AlGaInP、G
aInPの各成分に対してほぼ同じエッチング速度を与える
とともに、酢酸10に対して64重量%の硫酸を5以上
20以下加えるだけなので、エッチング液の発熱はほと
んど生じず、エッチング液の調合の作業が簡便になると
いう作用をする。
調合方法にも、上記の硫酸の場合と同様、種々の混合方
法があるが、上記硫酸の場合と同様に、本発明の請求項
に示す範囲と同じ濃度範囲になるのであれば、混合方法
が異なっても同様の効果を果たす。
は、酢酸、硫酸、塩化水素および過酸化水素の4成分を
含む水溶液よりなるエッチング液によって、Ga1-y1I
ny1P(0≦y1≦1)よりなる半導体層上に形成され
たAlx1Ga1-x1-y2Iny2P(0.1≦x1<1、0
<y2<0.9)よりなる第1の半導体層の一部と、G
a1-y3Iny3P(0≦y3≦1)層またはAlx2Ga
1-x2As(0≦x2<1)層よりなる第2の半導体層と
をともにエッチングする工程を有するものであり、エッ
チング面が均一かつ平滑であるという作用を有する。
は、かかる構成につき、前記酢酸、硫酸、塩化水素およ
び過酸化水素の4成分を含む水溶液よりなるエッチング
液によって前記第1の半導体層の一部と、前記第2の半
導体層とをともにエッチングする工程の後に、AlGa
IPとGaInPとの選択性の高いエッチング液によっ
て、前記Ga1-y1Iny1P(0≦y1≦1)半導体層上
の前記第1の半導体層を選択エッチングする工程を設け
たものであり、エッチング面が均一かつ平滑で、オーバ
ーエッチングのない高精細度のパターンを形成できると
いう作用を有する。
では上記の第1の半導体層の一部と、Ga1-y3Iny3P
(0≦y3≦1)層またはAlx2Ga1-x2As(0≦x
2<1)層よりなる第2の半導体層とをともにエッチン
グする工程で、第1の半導体層表面に不純物汚染などが
あっても、エッチング液のAlGaInPとGaInP
とに対する選択性がほとんどないので、平滑なエッチン
グ面を形成できる。そのため、続く第1の半導体層を選
択エッチングする工程においても、バラツキが小さくか
つ均一性の高いエッチング面が得られる。
グする工程にAlGaInPとGaInPとの選択性が
高いエッチング液を用いれば、その効果はなおさらであ
る。
液として塩酸と多官能性カルボン酸との混合溶液よりな
るエッチング液を用いるのが望ましく、そのようにする
ことにより塩酸の侵食作用を多官能性カルボン酸によっ
て選択性を高め安定化させて、均一性が高く平滑なエッ
チング面を形成させるという作用を有する。
の官能基(カルボキシル基を含む)を含むカルボン酸を
いい、分子内にカルボキシル基、水酸基、アミノ基など
を合わせて複数個含むカルボン酸をいう。具体的な多官
能性カルボン酸としては、乳酸、酒石酸、クエン酸、グ
リセリン酸、リンゴ酸などのオキシカルボン酸や、蓚
酸、マロン酸、マレイン酸、フマール酸、コハク酸など
のジカルボン酸や、グリシン、アラニン、セリン、バリ
ンなどのアミノ酸などがある。
酸の混合比率が、塩化水素含有量36重量%の塩酸(濃
塩酸、以下c−HClという、比重1.18)の体積1
に対して、前記多官能性カルボン酸の50重量%水溶液
の体積が1以上4以下の範囲であるのが望ましく、この
混合範囲の多官能性カルボン酸がエッチングの選択性を
高め安定化させて、均一性が高くかつ平滑なエッチング
面を形成させるという作用をする。
グ速度以外に、エッチング形状やウエハ全面にわたるエ
ッチングの均一性などが大切で、塩酸濃度が25体積%
以上で50体積%以下(体積比にしてc−HCl:50
重量%多官能性カルボン酸=1:1〜3)の高濃度領域
では、エッチングのウエハ全面にわたる均一性がより向
上する。
積%以下(体積比にしてc−HCl:50重量%多官能
性カルボン酸=1:1〜3)の低濃度領域では、エッチ
ングの選択性がより一層向上する。上記の塩酸/多官能
性カルボン酸の混合比率の領域は、例えば図3に示すよ
うに混合組成比に対してエッチング選択比が極大値を有
するという優れたハイブリッド効果を有する。
の混合溶液におけるエッチング速度は、ほぼ塩酸濃度に
依存し、それに添加される水やカルボン酸の種類による
エッチング速度への影響は小さいという性質がある。こ
のAlGaInPに対するエッチング速度は、作業上か
らは200〜400(nm/分)が適しているが、エッ
チングの速度と均一性との兼ね合いから、エッチング液
の塩酸(c−HCl)の濃度としては、25体積%以上
で33体積%以下付近が特に適している。
%多官能性カルボン酸との比率を一定にして水で希釈し
て調製する場合もある。
ボン酸または光学不活性のオキシカルボン酸を用いるの
が望ましく、多官能性カルボン酸の中でジカルボン酸は
エッチングによる生成金属塩の溶解度を高めるという作
用があり、一方光学不活性のオキシカルボン酸は、多く
の光学活性をもつカルボン酸の中で、光学不活性でかつ
水との親和性も高いという性質を有する。
ロン酸、マレイン酸、フマール酸、コハク酸、リンゴ酸
などがある。
酸、グリセリン酸、リンゴ酸などがあるが、光学不活性
のオキシカルボン酸としては、グリコール酸やクエン酸
などがある。
て、マロン酸、グリコール酸より選ばれた一種であるも
のを用いるのが望ましく、マロン酸は、メチレン基を介
して二個のカルボキシル基が結合したジカルボン酸で、
酢酸とほとんど同様の酸としての性質を持つ光学不活性
体である上、エッチングによる生成金属塩の溶解度を高
めるという優れた作用を有する。マロン酸は酢酸と異な
り無臭の微結晶粉体(融点134℃)で水への溶解度も
高く、吸熱して水に容易に溶けるので50重量%の水溶
液を原液として用いることができる。この水溶液もほと
んど無臭で作業上取り扱いやすいという特徴もある。マ
ロン酸は、加熱分解時には酢酸と二酸化炭素に分解す
る。
した分子構造で、ちょうど酒石酸分子を二つに切った構
造のシンプルな光学不活性のオキシカルボン酸であり、
水への溶解度も高く本発明に適している。
ら図3を用いて説明する。なお、図面において、wt%
とは重量%のことを表す。
のエッチング液のエッチング特性の一例を示す。本発明
のエッチング液としては、体積比率で酢酸(比重1.0
7)10部に対して、塩酸(c−HCl:塩化水素含有
量36重量%、比重1.18)を1部(塩化水素含有量
として0.36重量部に相当)、過酸化水素水(過酸化
水素含有量30重量%、比重1.12)を1部(過酸化
水素含有量として0.3重量部に相当)、および50体
積%硫酸(64重量%硫酸、比重1.54)を10部の
混合水溶液を調製した。このエッチング液で、Al0.25
Ga0.25In0.5P、Ga0.5In 0.5P、Al0.5Ga
0.5As、GaAsの4種類の化合物半導体膜に対して
エッチングをしたところ、図1のようにほぼ同じエッチ
ング速度を与えるという優れた非選択特性を示す。
グ方法による化合物半導体多層膜を形成したリッジ型半
導体レーザーの断面図の一例を示すもので、マスク7を
形成後図2(a)のGaInP層よりなる中間層8とA
lGaInP層よりなる第2のp型クラッド層6とをき
れいにエッチングし、GaInP層よりなるエッチング
停止層5でエッチングを停止させオーバーエッチングが
なく、図2(b)のような形状のリッジ13を均一にか
つ表面を平滑に形成するという作用を有するものであ
る。
Ga0.5In0.5Pよりなるエッチング停止層5上に、A
lGaInP層6aとしてAl0.25Ga0.25In0.5P
層(下側層)、およびGaInP層6bとしてGa0.5
In0.5P半導体層(上側層)などによって形成され
る。
明の新規なエッチング液を用いて、次の二段階のエッチ
ング工程によっておこなわれる。
酸化ケイ素膜でマスクパターン7を形成した後、第1エ
ッチング工程として、上記実施の形態1の非選択性エッ
チング液を用いて、上記Ga0.5In0.5Pの中間層8
(上側層)と、上記Al0.25Ga 0.25In0.5Pの第2の
p型クラッド層6(下側層)の一部とを共にエッチング
してパターン形成する。
カルボン酸よりなる選択性エッチング液によって、残っ
ている上記Al0.25Ga0.25In0.5P半導体層6(下
側層)を完全にかつオーバーエッチングなくエッチング
して、表面が平滑であるきれいなリッジ状パターンを得
る。
aInP選択エッチング液のエッチング特性の一例を図
3に示す。図3は選択エッチング液の多官能性カルボン
酸として、マロン酸、酒石酸の2種類を用いた場合の特
性である。上記のように優れたハイブリッド効果を有し
ているということがわかる。
GaInP選択エッチング液は、50重量%マロン酸水
溶液を用い、各塩酸(塩化水素含有量36重量%、比重
1.18)の体積1に対して、体積2の割合で混合して
選択エッチング液を調合する。このエッチング液は、A
lGaInP/GaInP選択エッチングに関して、エ
ッチング後にウエハ上にエッチングのむらによる干渉縞
模様が全く目視で観察し得ないほどエッチングの均一性
も高い。
GaAs層などのn型埋め込み層9で埋め込み、さらに
p型埋め込み層10、第1の電極11、第2の電極12
を形成して、図2(d)のような半導体レーザーを作製
する。
るリッジ13の構成としては、上記のような中間層8と
第2のp型クラッド層6との2層構成のほか、マスク7
との間にさらにp−GaAS層(キャップ層)を加えた
3層構成を形成する場合もある。
サ型構造を形成することができるため、凹部に導波路を
埋め込んで形成することによって、メサ型の半導体レー
ザーの作製にも用いることができる。
率で酢酸10部に対して、塩酸(比重1.18)を1
部、過酸化水素水(比重1.12)を1部、および64
重量%硫酸(比重1.54)10部を調合した水溶液を
用意した。
のGaAs基板上に、200nm厚のGa0.5In0.5P
層、300nm厚のAl0.25Ga0.25In0.5P層、7
0nm厚のGa0.5In0.5P層、および100nm厚の
GaAs層を順次形成したウエハを用意し、ホトレジス
トで幅2μmピッチ28μmのストライプ状のパターン
を形成した。
秒、40秒、60秒、80秒の各時間でエッチングし
た。ホトレジストを除去した後、ウエハのエッチング断
面を倍率1万倍の走査電子顕微鏡により観察したとこ
ろ、各層の材料にかかわらず、それぞれ表面より120
nm、270nm、410nm、560nmの段差を有
する極めて鏡面に近く、凹凸が見えずかつエッチング残
渣や反応付着物のないエッチング面が形成されているこ
とがわかった。
率で酢酸10部に対して、塩酸(比重1.18)を0.
7部、過酸化水素水(比重1.12)を0.7部、およ
び64重量%硫酸(比重1.54)15部を調合した水
溶液を用意した。
のGaAs基板上に、140nm厚のGa0.5In0.5P
層、200nm厚のAl0.25Ga0.25In0.5P層、お
よび70nm厚のGaAs層を順次形成したウエハを用
意し、ホトレジストで実施例1と同様の幅2μmピッチ
28μmのストライプ状のパターンを形成した。
秒、40秒、60秒、80秒の各時間でエッチングし
た。ホトレジストを除去した後、ウエハのエッチング断
面を倍率1万倍の走査電子顕微鏡により観察したとこ
ろ、各層の材料にかかわらず、それぞれ表面より75n
m、190nm、270nm、380nmの段差を有す
る極めて鏡面に近く、凹凸が見えずかつエッチング残渣
や反応付着物のないエッチング面が形成されていること
がわかった。
m厚のn型GaAs半導体基板1上にn型クラッド層
2、活性層3、p−Al0.25Ga0.25In0.5Pよりな
る第1のp型クラッド層4、15nm厚のp−Ga0.5
In0.5Pよりなるエッチング停止層5、1100nm
厚のp−Al0.25Ga0.25In0.5Pよりなる第2のp
型クラッド層6、および50nm厚のp−Ga0.5In
0.5Pよりなる中間層8を順次形成し、さらに幅2.6
μm、ピッチ300μmのストライプ状の二酸化ケイ素
よりなるマスク7を形成した化合物半導体多層膜のウエ
ハを用意した。
エッチング工程をおこなった。
の非選択性エッチング液を用いて、20秒間エッチング
し、前記50nm厚のp−Ga0.5In0.5Pよりなる中
間層8とp−Al0.25Ga0.25In0.5Pよりなる第2
のp型クラッド層6の一部(約70nm厚)とを合計で
約120nm厚エッチングした。
エッチング液として、濃塩酸(HCl含有量:36重量
%):50重量%マロン酸水溶液=1:3の混合溶液を
500ml用意した。上記ウエハを浸漬してエッチング
したところ、約4分で残っている上記Al0.25Ga0.25
In0.5Pよりなる第2のp型クラッド層6が、完全に
かつオーバーエッチングなくエッチングできた。その第
2のp型クラッド層6の断面を倍率1万倍の走査電子顕
微鏡により観察したところ、図2(b)に示すようなき
れいな形状のリッジ13が形成され、かつ凹凸が見えず
かつエッチング残渣や反応付着物のないリッジ13が得
られていることがわかった。
(c)のようにn−GaAsよりなるn型埋め込み層9に
より埋め込み、さらに(d)のようにp−GaAsより
なるp型埋め込み層10と一対の電極11、12を形成
してリッジ型赤色半導体レーザーを完成した。
μm厚のn型GaAs半導体基板1上にn型クラッド層
2、活性層3、p−Al0.25Ga0.25In0.5Pよりな
る第1のp型クラッド層4、15nm厚のp−Ga0.5
In0.5Pよりなるエッチング停止層5、1100nm
厚のp−Al0.25Ga0.25In0.5Pよりなる第2のp
型クラッド層6、30nm厚のp−Ga0.5In0.5Pよ
りなる中間層8、および30nm厚のp−GaAsより
なるキャップ層を順次形成し、さらに幅1.3μmピッ
チ150μmストライプ状の二酸化ケイ素よりなるマス
ク7を形成した化合物半導体多層膜のウエハを用意し
た。
エッチング工程をおこなった。
の非選択性エッチング液を用いて、40秒間エッチング
し、前記30nm厚のp−GaAsよりなるキャップ層
と30nm厚のp−Ga0.5In0.5Pよりなる中間層8
とp−Al0.25Ga0.25In 0.5Pよりなる第2のp型
クラッド層6の一部(約130nm厚)とを合計で約1
90nm厚エッチングした。
チング液として、選択エッチング液として、濃塩酸(H
Cl含有量:36重量%):50重量%酒石酸水溶液=
1:3の混合溶液を500ml用意した。上記ウエハを
浸漬してエッチングしたところ、約3.5分で残ってい
る上記Al0.25Ga0.25In0.5Pよりなる第2のp型
クラッド層6が、完全にかつオーバーエッチングなくエ
ッチングできた。その第2のp型クラッド層6の断面を
倍率1万倍の走査電子顕微鏡により観察したところ、図
2(b)に示すようなきれいな形状のリッジ13が形成
され、かつ凹凸が見えずかつエッチング残渣や反応付着
物のないリッジ13が得られていることがわかった。
(c)のようにn−GaAsよりなるn型埋め込み層9
により埋め込み、さらに図2(d)のようにp−GaA
sよりなるp型埋め込み層10と一対の電極11、12
を形成してリッジ型赤色半導体レーザーを完成した。
体多層膜のウエハを用い、具体例3と同様の第1エッチ
ング工程をおこなった。
エッチング液として、濃塩酸(HCl含有量:36重量
%):50重量%マロン酸水溶液=1:2の混合溶液を
500ml用意した。上記ウエハを浸漬してエッチング
したところ、約80秒で残っている上記Al0.25Ga
0.25In0.5Pよりなる第2のp型クラッド層6が、完
全にかつオーバーエッチングなくエッチングできた。そ
の第2のp型クラッド層6の断面を倍率1万倍の走査電
子顕微鏡により観察したところ、図2(b)に示すよう
なきれいな形状のリッジ13が形成され、かつ凹凸が見
えずかつエッチング残渣や反応付着物のないリッジ13
が得られていることがわかった。
(c)のようにn−Al0.5In0.5Pよりなるn型埋め込
み層9により埋め込み、さらに(d)のようにp−Ga
Asよりなるp型埋め込み層10と一対の電極11、1
2を形成して化合物半導体多層膜を形成し、実屈折率構
造を有するリッジ型赤色半導体レーザーを完成した。
エッチング液によれば、GaAs、AlGaAs、Al
GaInP、GaInPなどの多くの化合物半導体膜を
いずれも同様の速度できれいにエッチングするという性
質を持ち、多種類の化合物半導体多層膜に対して広範囲
に使うことができるという有利な効果が得られる。
液によるエッチング工程を用いる、とりわけ選択性エッ
チング液によるエッチング工程とを順次組み合わせて用
いることにより、化合物半導体多層膜の高精細度のパタ
ーン状選択エッチングを、ばらつきを抑えて実現できる
という有利な効果が得られる。
導体レーザーなど発光素子に代表される多くの作製プロ
セスに適用でき、高性能の化合物半導体デバイスを得る
ことができるもので、工業的価値の大なるものである。
ング液のエッチング特性の一例を示す図
よる化合物半導体多層膜を形成するリッジ型半導体レー
ザーの断面図
のエッチング特性の一例を示す図
Claims (6)
- 【請求項1】 酢酸、硫酸、塩化水素および過酸化水素
の4成分を含む水溶液よりなるエッチング液によって、
Ga1−y1Iny1P(0≦y1≦1)よりなる半導
体層上に形成されたAlx1Ga1−x1−y2In
y2P(0.1≦x1<1、0<y2<0.9)よりな
る第1の半導体層の一部と、Ga1−y3Iny3P
(0≦y3≦1)層またはAlx2Ga1−x2As
(0≦x2<1)層よりなる第2の半導体層とをともに
エッチングする工程を有する化合物半導体膜のエッチン
グ方法。 - 【請求項2】 前記エッチング工程の後に、AlGaI
nPとGaInPとの選択性の高い選択エッチング液に
よって、前記Ga1−y1Iny1P(0≦y1≦1)
半導体層上の前記第1の半導体層を選択エッチングする
工程を設けた請求項1記載の化合物半導体膜のエッチン
グ方法。 - 【請求項3】 前記選択エッチング液が、塩酸と多官能
性カルボン酸との混合溶液よりなる請求項2に記載の化
合物半導体膜のエッチング方法。 - 【請求項4】 前記混合溶液の塩酸/多官能性カルボン
酸の混合比率が、塩化水素含有量36重量%の塩酸の体
積1に対して、前記多官能性カルボン酸の50重量%水
溶液の体積が1以上4以下の範囲である請求項3に記載
の化合物半導体多層膜のエッチング方法。 - 【請求項5】 多官能性カルボン酸が、ジカルボン酸ま
たは光学不活性のオキシカルボン酸よりなる請求項3ま
たは4に記載の化合物半導体多層膜のエッチング方法。 - 【請求項6】 多官能性カルボン酸が、マロン酸、グリ
コール酸より選ばれた1つである請求項5に記載の化合
物半導体多層膜のエッチング方法。
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