JP3468598B2 - ケイ素系化合物及びその製造方法 - Google Patents
ケイ素系化合物及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3468598B2 JP3468598B2 JP29469394A JP29469394A JP3468598B2 JP 3468598 B2 JP3468598 B2 JP 3468598B2 JP 29469394 A JP29469394 A JP 29469394A JP 29469394 A JP29469394 A JP 29469394A JP 3468598 B2 JP3468598 B2 JP 3468598B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- bis
- benzene
- hydrogen atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光反応性、耐熱性およ
び難燃性に優れた機能材料として有用な新規ケイ素系化
合物及びその製造方法に関する。
び難燃性に優れた機能材料として有用な新規ケイ素系化
合物及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、耐熱性に優れた機能性材料と
して多数のケイ素系化合物が提案されてきた。例えば、
芳香環とアセチレン（Ｃ−Ｃ三重結合）ユニットを含む
高分子化合物は、芳香族ジアセチレンのジナトリウム塩
とジクロロシラン誘導体との重縮合反応により合成され
ている（J.Organomet.Chem. 260, 171 (1984)）。ま
た、ジエチニルシラン化合物と芳香族ジハライドの重縮
合反応によっても同様の重合体が得られている〔J.Poly
m.Sci.Part C:Polym.Lett., 28, 431 (1990)〕。
して多数のケイ素系化合物が提案されてきた。例えば、
芳香環とアセチレン（Ｃ−Ｃ三重結合）ユニットを含む
高分子化合物は、芳香族ジアセチレンのジナトリウム塩
とジクロロシラン誘導体との重縮合反応により合成され
ている（J.Organomet.Chem. 260, 171 (1984)）。ま
た、ジエチニルシラン化合物と芳香族ジハライドの重縮
合反応によっても同様の重合体が得られている〔J.Poly
m.Sci.Part C:Polym.Lett., 28, 431 (1990)〕。
【０００３】また、シロキサンユニットを含有する高分
子化合物としてはｐ−フェニレン含有高分子化合物〔J.
Poly.Sci.:Part A 2, 15 (1964)〕、アセチレン含有高
分子化合物〔Eur. Poly.J. 28, 1373 (1992)〕およびジ
アセチレン含有高分子化合物〔USP 3,714,118 (1973)〕
等が合成されている。しかしながら、上記ケイ素系化合
物は、いずれも光反応性、耐熱性および難燃性が十分で
はなかった。
子化合物としてはｐ−フェニレン含有高分子化合物〔J.
Poly.Sci.:Part A 2, 15 (1964)〕、アセチレン含有高
分子化合物〔Eur. Poly.J. 28, 1373 (1992)〕およびジ
アセチレン含有高分子化合物〔USP 3,714,118 (1973)〕
等が合成されている。しかしながら、上記ケイ素系化合
物は、いずれも光反応性、耐熱性および難燃性が十分で
はなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 本発
明は、光反応性、耐熱性及び難燃性に優れた機能材料と
して有用な新規ケイ素化合物及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
明は、光反応性、耐熱性及び難燃性に優れた機能材料と
して有用な新規ケイ素化合物及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１発明のケイ素系化合
物は一般式（１）で表される構造を構成単位とする。
物は一般式（１）で表される構造を構成単位とする。
【０００６】
【化15】
【０００７】式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜２０の
アルキル基または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ
2 3Ｓｉで表されるシリル基を示し、同一であっても異な
っていてもよい。Ｒ2は水素原子、炭素数１〜２０のア
ルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を示し、同
一であっても異なっていてもよい。ａは１〜１９の整数
を示す。
アルキル基または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ
2 3Ｓｉで表されるシリル基を示し、同一であっても異な
っていてもよい。Ｒ2は水素原子、炭素数１〜２０のア
ルキル基または炭素数６〜１２のアリール基を示し、同
一であっても異なっていてもよい。ａは１〜１９の整数
を示す。
【０００８】上記Ｒ1 及びＲ2 で表されるアルキル基の
炭素数は、多くなると結合が切れ易くなり、得られるケ
イ素系化合物の耐熱性が低下するので１〜２０に限定さ
れる。上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペン
タデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタ
デシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられ
る。
炭素数は、多くなると結合が切れ易くなり、得られるケ
イ素系化合物の耐熱性が低下するので１〜２０に限定さ
れる。上記アルキル基としては、メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル
基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペン
タデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタ
デシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられ
る。
【０００９】上記Ｒ1及びＲ2で表されるアリール基の炭
素数は、多くなると溶剤に対する溶解性が低下するので
６〜１２に限定される。上記アリール基としては、例え
ば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル
基、ナフチル基等が挙げられる。
素数は、多くなると溶剤に対する溶解性が低下するので
６〜１２に限定される。上記アリール基としては、例え
ば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニリル
基、ナフチル基等が挙げられる。
【００１０】上記Ｒ2 3Ｓｉで表されるシリル基として
は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフ
ェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジフェニ
ルメチルシリル基、メチルシリル基、ジメチルシリル
基、フェニルシリル基、ジフェニルシリル基、メチルフ
ェニルシリル基等が挙げられる。
は、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリフ
ェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、ジフェニ
ルメチルシリル基、メチルシリル基、ジメチルシリル
基、フェニルシリル基、ジフェニルシリル基、メチルフ
ェニルシリル基等が挙げられる。
【００１１】上記ケイ素化合物の重量平均分子量は、小
さくなると十分な耐熱性及び難燃性が得られなくなるの
で５００以上に限定される。
さくなると十分な耐熱性及び難燃性が得られなくなるの
で５００以上に限定される。
【００１２】本発明において、Ｒ1及びＲ2は、以下同様
なアルキル基又はアリール基を表すので説明を省略す
る。
なアルキル基又はアリール基を表すので説明を省略す
る。
【００１３】次に第２発明のケイ素系化合物の製造方法
について説明する。第２発明の製造方法は、一般式
（２）で表されるジエチニルベンゼン誘導体を脱水縮合
または加水分解、縮合させることを特徴とする。
について説明する。第２発明の製造方法は、一般式
（２）で表されるジエチニルベンゼン誘導体を脱水縮合
または加水分解、縮合させることを特徴とする。
【００１４】
【化16】
【００１５】式中、Ｚはヒドロキシ基、アルコキシ基及
びハロゲン原子からなる群より選ばれる脱離基を示し、
同一であっても異なっていてもよい。ｂ、ｃは０〜１８
の整数で、かつ（ｂ＋ｃ）は０〜１８を示す。
びハロゲン原子からなる群より選ばれる脱離基を示し、
同一であっても異なっていてもよい。ｂ、ｃは０〜１８
の整数で、かつ（ｂ＋ｃ）は０〜１８を示す。
【００１６】上記ジエチニルベンゼン誘導体としては1,
4-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）
ベンゼン、1,4-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシリル
エチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1, 1,3,
3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビ
ス（3-ヒドロキシ-1, 1,3,3-テトラフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1,3-ジ
メチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,3-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
3-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1, 2-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
2-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン等のビスシラノール誘導体、1,4-ビス（メトキシジメ
チルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（メトキシ
ジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（メト
キシメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビ
ス（3-メトキシ-1, 1,3,3-テトラメチルジシロキシエチ
ニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テト
ラフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス
（3-メトキシ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジメチルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジフェニル
シリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシメチル
フェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メト
キシ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベン
ゼン、1,3-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テトラフェニル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メトキシ
-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（メトキシジメチルシリルエチニル）
ベンゼン、1,2-ビス（メトキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（メトキシメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1, 2-ビス（3-メトキシ-1,1,3,
3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビ
ス（3-メトキシ-1,1,3, 3-テトラフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-メトキシ-1,3-ジメチ
ル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン等の
ビスアルコキシシラン誘導体、1,4-ビス（クロロジメチ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（クロロジフ
ェニルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（クロロ
メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス
（3-クロロ-1,1,3, 3-テトラメチルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（3-クロロ-1,1,3,3-テトラフ
ェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ク
ロロ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（クロロジメチルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（クロロジフェニルシリルエチ
ニル）ベンゼン、1,3-ビス（クロロメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-クロロ-1,1,3,3-
テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス
（3-クロロ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（3-クロロ-1,3-ジメチル-1,3-
ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス
（クロロジメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス
（クロロジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビ
ス（クロロメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、
1, 2-ビス（3-クロロ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-クロロ-1,1,3, 3-テ
トラフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス
（3-クロロ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン等のビスクロロシラン誘導体等が挙げ
られるが、これらに限定されない。
4-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）
ベンゼン、1,4-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシリル
エチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1, 1,3,
3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビ
ス（3-ヒドロキシ-1, 1,3,3-テトラフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1,3-ジ
メチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,3-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
3-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1, 2-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
2-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン等のビスシラノール誘導体、1,4-ビス（メトキシジメ
チルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（メトキシ
ジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（メト
キシメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビ
ス（3-メトキシ-1, 1,3,3-テトラメチルジシロキシエチ
ニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テト
ラフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス
（3-メトキシ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジメチルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジフェニル
シリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシメチル
フェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メト
キシ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベン
ゼン、1,3-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テトラフェニル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メトキシ
-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（メトキシジメチルシリルエチニル）
ベンゼン、1,2-ビス（メトキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（メトキシメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1, 2-ビス（3-メトキシ-1,1,3,
3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビ
ス（3-メトキシ-1,1,3, 3-テトラフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-メトキシ-1,3-ジメチ
ル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン等の
ビスアルコキシシラン誘導体、1,4-ビス（クロロジメチ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（クロロジフ
ェニルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（クロロ
メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス
（3-クロロ-1,1,3, 3-テトラメチルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（3-クロロ-1,1,3,3-テトラフ
ェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ク
ロロ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（クロロジメチルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（クロロジフェニルシリルエチ
ニル）ベンゼン、1,3-ビス（クロロメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-クロロ-1,1,3,3-
テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス
（3-クロロ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（3-クロロ-1,3-ジメチル-1,3-
ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス
（クロロジメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス
（クロロジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビ
ス（クロロメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、
1, 2-ビス（3-クロロ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-クロロ-1,1,3, 3-テ
トラフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス
（3-クロロ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン等のビスクロロシラン誘導体等が挙げ
られるが、これらに限定されない。
【００１７】上記反応では触媒を用いてもよく、触媒と
しては塩酸、ｎ−ヘキシルアミン・２−ヘキサン酸塩、
テトラメチルグアニジン・ジ２−ヘキサン酸塩等が挙げ
られるがこれに限定されない。
しては塩酸、ｎ−ヘキシルアミン・２−ヘキサン酸塩、
テトラメチルグアニジン・ジ２−ヘキサン酸塩等が挙げ
られるがこれに限定されない。
【００１８】上記触媒の使用量は、少なくなると重縮合
反応系の反応性が低下し、多くなると得られるケイ素系
化合物に残存し易くなり物性の低下をもたらすので、ジ
エチニルベンゼン誘導体１００重量部に対し、０．００
１〜１０重量部が好ましく、より好ましくは０．０１〜
１重量部である。
反応系の反応性が低下し、多くなると得られるケイ素系
化合物に残存し易くなり物性の低下をもたらすので、ジ
エチニルベンゼン誘導体１００重量部に対し、０．００
１〜１０重量部が好ましく、より好ましくは０．０１〜
１重量部である。
【００１９】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくは、脱水縮合反応ではト
ルエン、加水分解、縮合反応ではテトラヒドロフランで
ある。
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくは、脱水縮合反応ではト
ルエン、加水分解、縮合反応ではテトラヒドロフランで
ある。
【００２０】重縮合反応の反応温度としては特に限定さ
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてトルエンを用いる場合は５０〜
１１０℃が、テトラヒドロフランを用いるときは０〜７
０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または不活性ガ
ス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアルゴンまた
は窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応時間は、
短くても長くても得られるケイ素系化合物の収率が低下
するので、１〜４８時間が好ましい。上記脱水縮合反応
では脱水縮合を効率よく行うためにDean-Stark型の共沸
型の脱水反応装置を用いてもよい。
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてトルエンを用いる場合は５０〜
１１０℃が、テトラヒドロフランを用いるときは０〜７
０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または不活性ガ
ス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアルゴンまた
は窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応時間は、
短くても長くても得られるケイ素系化合物の収率が低下
するので、１〜４８時間が好ましい。上記脱水縮合反応
では脱水縮合を効率よく行うためにDean-Stark型の共沸
型の脱水反応装置を用いてもよい。
【００２１】上記反応で得られるケイ素系化合物の精製
方法としては、例えば、各種溶媒による再沈澱法、分取
ゲルパーミエーションクロマトグラフを用いて分離する
方法が挙げられるが、好ましくは、水、メタノール、エ
タノール、イソプロパノール、ヘキサン、石油エーテル
等の貧溶媒またはこれらの混合溶媒による再沈澱法であ
り、より好ましくはイソプロパノールによる再沈澱法で
ある。第２発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
方法としては、例えば、各種溶媒による再沈澱法、分取
ゲルパーミエーションクロマトグラフを用いて分離する
方法が挙げられるが、好ましくは、水、メタノール、エ
タノール、イソプロパノール、ヘキサン、石油エーテル
等の貧溶媒またはこれらの混合溶媒による再沈澱法であ
り、より好ましくはイソプロパノールによる再沈澱法で
ある。第２発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
【００２２】第３発明の製造方法は一般式（３）で表さ
れるジエチニルベンゼン誘導体と一般式（４）で表され
るシロキサン誘導体を重縮合させることを特徴とする。
れるジエチニルベンゼン誘導体と一般式（４）で表され
るシロキサン誘導体を重縮合させることを特徴とする。
【００２３】
【化17】
【００２４】
【化18】
【００２５】式中、ｄ、ｅ、ｆは０〜１６の整数で、か
つ（ｄ＋ｅ＋ｆ）は０〜１６を示し、Ｚ1 はジアルキル
アミノ基及びアセトアミド基からなる群より選ばれる脱
離基を示す。
つ（ｄ＋ｅ＋ｆ）は０〜１６を示し、Ｚ1 はジアルキル
アミノ基及びアセトアミド基からなる群より選ばれる脱
離基を示す。
【００２６】上記ジエチニルベンゼン誘導体としては、
1,4-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）
ベンゼン、1,4- ビス（ヒドロキシメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,
3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-
ビス（3-ヒドロキシ-1,1, 3,3-テトラフェニルジシロキ
シエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1,3-
ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,3-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
3-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
2-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン等のビスシラノール誘導体及び1,4-ビス（メトキシジ
メチルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（メトキ
シジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（メ
トキシメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-
ビス（3-メトキシ-1, 1,3,3-テトラメチルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テ
トラフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス
（3-メトキシ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジメチルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジフェニル
シリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシメチル
フェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メト
キシ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベン
ゼン、1,3-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テトラフェニル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メトキシ
-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（メトキシジメチルシリルエチニル）
ベンゼン、1,2-ビス（メトキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（メトキシメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1, 2-ビス（3-メトキシ-1,1,3,
3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビ
ス（3-メトキシ-1,1,3, 3-テトラフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-メトキシ-1,3-ジメチ
ル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン等の
ビスアルコキシシラン誘導体が挙げられるが、これらに
限定されない。
1,4-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベンゼ
ン、1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）
ベンゼン、1,4- ビス（ヒドロキシメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,
3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-
ビス（3-ヒドロキシ-1,1, 3,3-テトラフェニルジシロキ
シエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-ヒドロキシ-1,3-
ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,3-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
3-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（ヒドロキシジメチルシリルエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（ヒドロキシメチルフェニルシ
リルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-ヒドロキシ-1,
1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,
2-ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3-テトラフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-ヒドロキシ-1,3
-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン等のビスシラノール誘導体及び1,4-ビス（メトキシジ
メチルシリルエチニル）ベンゼン、1, 4-ビス（メトキ
シジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（メ
トキシメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-
ビス（3-メトキシ-1, 1,3,3-テトラメチルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テ
トラフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス
（3-メトキシ-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジメチルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシジフェニル
シリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（メトキシメチル
フェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メト
キシ-1,1,3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベン
ゼン、1,3-ビス（3-メトキシ-1,1,3,3-テトラフェニル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-メトキシ
-1,3-ジメチル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（メトキシジメチルシリルエチニル）
ベンゼン、1,2-ビス（メトキシジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（メトキシメチルフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン、1, 2-ビス（3-メトキシ-1,1,3,
3-テトラメチルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビ
ス（3-メトキシ-1,1,3, 3-テトラフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-メトキシ-1,3-ジメチ
ル-1,3-ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼン等の
ビスアルコキシシラン誘導体が挙げられるが、これらに
限定されない。
【００２７】上記シロキサン誘導体としては、1,3-ビス
（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサ
ン、1,3-ビス（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラフェ
ニルジシロキサン、1,3-ビス（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-ビス（ジ
メチルアミノ）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキ
サン、1,5-ビス（ジメチルアミノ）-1,1,3,3,5,5- ヘキ
サフェニルトリシロキサン、1,5-ビス（ジメチルアミ
ノ）-1,3, 5-トリメチル-1,3,5- トリフェニルトリシロ
キサン、1,7-ビス（ジメチルアミノ）-1,1, 3,3,5,5,7,
7-オクタメチルテトラシロキサン、1,7-ビス（ジメチル
アミノ）-1,1,3,3,5,5,7, 7-オクタフェニルテトラシロ
キサン、1,7-ビス（ジメチルアミノ）-1,3,5,7- テトラ
メチル-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等の
ジアルキルアミノ誘導体及び1,3-ビス（N-メチルアセト
アミド）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ビ
ス（N-メチルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラフェニル
ジシロキサン、1,3-ビス（N-メチルアセトアミド）-1,3
- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-ビス
（N-メチルアセトアミド）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチル
トリシロキサン、1,5-ビス（N-メチルアセトアミド）-
1,1,3, 3,5,5-ヘキサフェニルトリシロキサン、1,5-ビ
ス（N-メチルアセトアミド）-1, 3,5-トリメチル-1,3,5
- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ビス（N-メチルア
セトアミド）-1, 1, 3,3,5,5,7,7- オクタメチルテトラ
シロキサン、1,7-ビス（N-メチルアセトアミド）-1,1,
3,3,5,5,7, 7- オクタフェニルテトラシロキサン、1,7-
ビス（N-メチルアセトアミド）-1,3,5,7-テトラメチル-
1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等のアセト
アミド誘導体等が挙げられるが、これらに限定されな
い。
（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサ
ン、1,3-ビス（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラフェ
ニルジシロキサン、1,3-ビス（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-ビス（ジ
メチルアミノ）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキ
サン、1,5-ビス（ジメチルアミノ）-1,1,3,3,5,5- ヘキ
サフェニルトリシロキサン、1,5-ビス（ジメチルアミ
ノ）-1,3, 5-トリメチル-1,3,5- トリフェニルトリシロ
キサン、1,7-ビス（ジメチルアミノ）-1,1, 3,3,5,5,7,
7-オクタメチルテトラシロキサン、1,7-ビス（ジメチル
アミノ）-1,1,3,3,5,5,7, 7-オクタフェニルテトラシロ
キサン、1,7-ビス（ジメチルアミノ）-1,3,5,7- テトラ
メチル-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等の
ジアルキルアミノ誘導体及び1,3-ビス（N-メチルアセト
アミド）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ビ
ス（N-メチルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラフェニル
ジシロキサン、1,3-ビス（N-メチルアセトアミド）-1,3
- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-ビス
（N-メチルアセトアミド）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチル
トリシロキサン、1,5-ビス（N-メチルアセトアミド）-
1,1,3, 3,5,5-ヘキサフェニルトリシロキサン、1,5-ビ
ス（N-メチルアセトアミド）-1, 3,5-トリメチル-1,3,5
- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ビス（N-メチルア
セトアミド）-1, 1, 3,3,5,5,7,7- オクタメチルテトラ
シロキサン、1,7-ビス（N-メチルアセトアミド）-1,1,
3,3,5,5,7, 7- オクタフェニルテトラシロキサン、1,7-
ビス（N-メチルアセトアミド）-1,3,5,7-テトラメチル-
1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等のアセト
アミド誘導体等が挙げられるが、これらに限定されな
い。
【００２８】上記シロキサン誘導体の使用量は、多くな
っても少なくなっても生成するケイ素系化合物の分子量
が低下し、十分な耐熱性が得られなくなるので、ビスシ
ラノール誘導体のモル数に対して０．１〜３倍のモル数
が好ましく、より好ましくは０．５〜１．５倍のモル数
である。
っても少なくなっても生成するケイ素系化合物の分子量
が低下し、十分な耐熱性が得られなくなるので、ビスシ
ラノール誘導体のモル数に対して０．１〜３倍のモル数
が好ましく、より好ましくは０．５〜１．５倍のモル数
である。
【００２９】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。重縮合反応の反応温度としては特に限定されない
が、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間が好ま
しい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場合は−
５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または
不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアル
ゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応
時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合物の収
率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。重縮合反応の反応温度としては特に限定されない
が、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間が好ま
しい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場合は−
５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または
不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアル
ゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応
時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合物の収
率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
【００３０】上記重縮合反応で得られるケイ素系化合物
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第３発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第３発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
【００３１】第４発明の製造方法は、一般式（５）で表
されるジエチニルベンゼン誘導体と一般式（６）で表さ
れるシロキサン誘導体を重縮合させることを特徴とす
る。
されるジエチニルベンゼン誘導体と一般式（６）で表さ
れるシロキサン誘導体を重縮合させることを特徴とす
る。
【００３２】
【化19】
【００３３】
【化20】
【００３４】式中、ｇ、ｈ、ｉは０〜１６の整数で、か
つ（ｇ＋ｈ＋ｉ）は０〜１６を示し、Ｚ1 はジアルキル
アミノ基及びアセトアミド基からなる群より選ばれる脱
離基を示す。
つ（ｇ＋ｈ＋ｉ）は０〜１６を示し、Ｚ1 はジアルキル
アミノ基及びアセトアミド基からなる群より選ばれる脱
離基を示す。
【００３５】上記ジエチニルベンゼン誘導体としては、
1,4-ビス（（ジメチルアミノ）ジメチルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（（ジメチルアミノ）ジフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（（ジメチルア
ミノ）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-
ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジ
シロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（ジメチル
アミノ）-1,1, 3,3-テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,3-ビス（（ジメチルアミノ）ジメチルシリルエチ
ニル）ベンゼン、1,3-ビス（（ジメチルアミノ）ジフェ
ニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（（ジメチル
アミノ）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,
3-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（ジメチ
ルアミノ）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（（ジメチルアミノ）ジメチルシリルエチ
ニル）ベンゼン、1,2-ビス（（ジメチルアミノ）ジフェ
ニルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（（ジメチル
アミノ）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,
2-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-（ジメチ
ルアミノ）-1,1, 3,3-テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン等のジメチルアミノ誘導体及び1,4-ビス（（N-メチル
アセトアミド）ジメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,
4- ビス（（N-メチルアセトアミド）ジフェニルシリル
エチニル）ベンゼン、1,4-ビス（（N-メチルアセトアミ
ド）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビ
ス（3-（N-メチルアセトアミド）-1, 1,3,3-テトラメチ
ルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（N-メ
チルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキ
シエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（N-メチルアセト
アミド）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,3-ビス（（N-メチルアセトアミ
ド）ジメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス
（（N-メチルアセトアミド）ジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（（N-メチルアセトアミド）メ
チルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-
（N-メチルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラメチルジシ
ロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（N-メチルア
セトアミド）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチ
ニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（N-メチルアセトアミ
ド）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（（N-メチルアセトアミド）ジ
メチルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（（N-メチ
ルアセトアミド）ジフェニルシリルエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（（N-メチルアセトアミド）メチルフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1, 2- ビス（3-（N-メチ
ルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-（N-メチルアセトアミ
ド）-1, 1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニル）
ベンゼン、1,2-ビス（3-（N-メチルアセトアミド）-1,3
- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベン
ゼン等のアセトアミド誘導体が挙げられるが、これらに
限定されない。
1,4-ビス（（ジメチルアミノ）ジメチルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（（ジメチルアミノ）ジフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（（ジメチルア
ミノ）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-
ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジ
シロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（ジメチル
アミノ）-1,1, 3,3-テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,3-ビス（（ジメチルアミノ）ジメチルシリルエチ
ニル）ベンゼン、1,3-ビス（（ジメチルアミノ）ジフェ
ニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（（ジメチル
アミノ）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,
3-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（ジメチ
ルアミノ）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（（ジメチルアミノ）ジメチルシリルエチ
ニル）ベンゼン、1,2-ビス（（ジメチルアミノ）ジフェ
ニルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（（ジメチル
アミノ）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,
2-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-（ジメチ
ルアミノ）-1,1, 3,3-テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベンゼ
ン等のジメチルアミノ誘導体及び1,4-ビス（（N-メチル
アセトアミド）ジメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,
4- ビス（（N-メチルアセトアミド）ジフェニルシリル
エチニル）ベンゼン、1,4-ビス（（N-メチルアセトアミ
ド）メチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビ
ス（3-（N-メチルアセトアミド）-1, 1,3,3-テトラメチ
ルジシロキシエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（N-メ
チルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキ
シエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（3-（N-メチルアセト
アミド）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,3-ビス（（N-メチルアセトアミ
ド）ジメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス
（（N-メチルアセトアミド）ジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（（N-メチルアセトアミド）メ
チルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-
（N-メチルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラメチルジシ
ロキシエチニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（N-メチルア
セトアミド）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチ
ニル）ベンゼン、1,3-ビス（3-（N-メチルアセトアミ
ド）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（（N-メチルアセトアミド）ジ
メチルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-ビス（（N-メチ
ルアセトアミド）ジフェニルシリルエチニル）ベンゼ
ン、1,2-ビス（（N-メチルアセトアミド）メチルフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1, 2- ビス（3-（N-メチ
ルアセトアミド）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキシエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（3-（N-メチルアセトアミ
ド）-1, 1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニル）
ベンゼン、1,2-ビス（3-（N-メチルアセトアミド）-1,3
- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）ベン
ゼン等のアセトアミド誘導体が挙げられるが、これらに
限定されない。
【００３６】上記シロキサン誘導体としては1,3-ジヒド
ロキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ジヒ
ドロキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,3-
ジヒドロキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキ
サン、1,5-ジヒドロキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルト
リシロキサン、1,5-ジヒドロキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサ
フェニルトリシロキサン、1,5-ジヒドロキシ-1, 3,5-ト
リメチル-1,3,5- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジ
ヒドロキシ-1, 1, 3,3,5,5,7,7- オクタメチルテトラシ
ロキサン、1,7-ジヒドロキシ-1,1,3,3,5,5,7, 7-オクタ
フェニルテトラシロキサン、1,7-ジヒドロキシ-1,3,5,7
- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキ
サン等のビスシラノール誘導体及び1,3-ジメトキシ-1,
1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ジメトキシ-1,
1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,3-ジメトキシ-
1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-ジ
メトキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、
1,5-ジメトキシ-1,1,3, 3,5,5-ヘキサフェニルトリシロ
キサン、1, 5- ジメトキシ-1, 3,5-トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジメトキシ-1, 1,
3,3,5,5,7,7- オクタメチルテトラシロキサン、1,7-ジ
メトキシ-1,1, 3,3,5,5,7, 7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1,7-ジメトキシ-1,3, 5,7-テトラメチル-1,
3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等のビスアル
コキシシラン誘導体等が挙げられるが、これらに限定さ
れない。
ロキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ジヒ
ドロキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,3-
ジヒドロキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキ
サン、1,5-ジヒドロキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルト
リシロキサン、1,5-ジヒドロキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサ
フェニルトリシロキサン、1,5-ジヒドロキシ-1, 3,5-ト
リメチル-1,3,5- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジ
ヒドロキシ-1, 1, 3,3,5,5,7,7- オクタメチルテトラシ
ロキサン、1,7-ジヒドロキシ-1,1,3,3,5,5,7, 7-オクタ
フェニルテトラシロキサン、1,7-ジヒドロキシ-1,3,5,7
- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキ
サン等のビスシラノール誘導体及び1,3-ジメトキシ-1,
1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ジメトキシ-1,
1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,3-ジメトキシ-
1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-ジ
メトキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、
1,5-ジメトキシ-1,1,3, 3,5,5-ヘキサフェニルトリシロ
キサン、1, 5- ジメトキシ-1, 3,5-トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジメトキシ-1, 1,
3,3,5,5,7,7- オクタメチルテトラシロキサン、1,7-ジ
メトキシ-1,1, 3,3,5,5,7, 7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1,7-ジメトキシ-1,3, 5,7-テトラメチル-1,
3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等のビスアル
コキシシラン誘導体等が挙げられるが、これらに限定さ
れない。
【００３７】上記シロキサン誘導体の使用量は、多くな
っても少なくなっても生成するケイ素系化合物の分子量
が低下し、十分な耐熱性が得られなくなるので、ジエチ
ニルベンゼン誘導体のモル数に対して０．１〜３倍のモ
ル数が好ましく、より好ましくは０．５〜１．５倍のモ
ル数である。
っても少なくなっても生成するケイ素系化合物の分子量
が低下し、十分な耐熱性が得られなくなるので、ジエチ
ニルベンゼン誘導体のモル数に対して０．１〜３倍のモ
ル数が好ましく、より好ましくは０．５〜１．５倍のモ
ル数である。
【００３８】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。
【００３９】重縮合反応の反応温度としては特に限定さ
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場
合は−５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気
または不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特
にアルゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上
記反応時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合
物の収率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場
合は−５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気
または不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特
にアルゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上
記反応時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合
物の収率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
【００４０】上記重縮合反応で得られるケイ素系化合物
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。本発明４の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。本発明４の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
【００４１】第５発明の製造方法は、一般式（７）で表
されるシロキサン誘導体を重縮合させることを特徴とす
る。
されるシロキサン誘導体を重縮合させることを特徴とす
る。
【００４２】
【化21】
【００４３】式中、ｊ、ｋは０〜１８の整数で、かつ
（ｊ＋ｋ）は０〜１８を示し、Ｚ1 はジアルキルアミノ
基及びアセトアミド基からなる群より選ばれる脱離基を
示す。
（ｊ＋ｋ）は０〜１８を示し、Ｚ1 はジアルキルアミノ
基及びアセトアミド基からなる群より選ばれる脱離基を
示す。
【００４４】上記シロキサン誘導体としては、1-（（ジ
メチルアミノ）ジメチルシリルエチニル）-4- （ヒドロ
キシジメチルシリル）エチニルベンゼン、1-（（ジメチ
ルアミノ）ジフェニルシリルエチニル）-4- （ヒドロキ
シジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチ
ルアミノ）メチルフェニルシリルエチニル）-4- （ヒド
ロキシメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1-
（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジシロ
キシエチニル）-4- （3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラメ
チルジシロキシエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチル
アミノ）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）-4- ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラフェニル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミ
ノ）-1,3- ジメチル-1, 3-ジフェニルジシロキシエチニ
ル）-4- （3-ヒドロキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニ
ルジシロキシエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミ
ノ）ジメチルシリルエチニル）-3- （ヒドロキシジメチ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）
ジフェニルシリルエチニル）-3- （ヒドロキシジフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）
メチルフェニルシリルエチニル）-3- （ヒドロキシメチ
ルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチ
ルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキシエチニ
ル）-3- （3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-
1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニル）-3- ビ
ス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）-3-
（3-ヒドロキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）ジメ
チルシリルエチニル）-2- （ヒドロキシジメチルシリル
エチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）ジフェニ
ルシリルエチニル）-2- （ヒドロキシジフェニルシリル
エチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）メチルフ
ェニルシリルエチニル）-2- （ヒドロキシメチルフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミ
ノ）-1,1, 3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）-2-
（3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキシエチ
ニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3-
テトラフェニルジシロキシエチニル）-2-ビス（3-ヒド
ロキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニル）
ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-1,3- ジメチル-
1, 3-ジフェニルジシロキシエチニル）-2- （3-ヒドロ
キシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン等のシラノール−ジメチルアミノシラン誘
導体及び同様のアルコキシシラン−ジメチルアミノシラ
ン誘導体、シラノール−N-メチルアセトアミドシラン誘
導体、アルコキシシラン−N-メチルアセトアミドシラン
誘導体等が挙げられるが、これらに限定されない。
メチルアミノ）ジメチルシリルエチニル）-4- （ヒドロ
キシジメチルシリル）エチニルベンゼン、1-（（ジメチ
ルアミノ）ジフェニルシリルエチニル）-4- （ヒドロキ
シジフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチ
ルアミノ）メチルフェニルシリルエチニル）-4- （ヒド
ロキシメチルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1-
（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジシロ
キシエチニル）-4- （3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラメ
チルジシロキシエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチル
アミノ）-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニ
ル）-4- ビス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラフェニル
ジシロキシエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミ
ノ）-1,3- ジメチル-1, 3-ジフェニルジシロキシエチニ
ル）-4- （3-ヒドロキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニ
ルジシロキシエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミ
ノ）ジメチルシリルエチニル）-3- （ヒドロキシジメチ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）
ジフェニルシリルエチニル）-3- （ヒドロキシジフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）
メチルフェニルシリルエチニル）-3- （ヒドロキシメチ
ルフェニルシリルエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチ
ルアミノ）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキシエチニ
ル）-3- （3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-
1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニル）-3- ビ
ス（3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシ
エチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-1,3-
ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニル）-3-
（3-ヒドロキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロ
キシエチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）ジメ
チルシリルエチニル）-2- （ヒドロキシジメチルシリル
エチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）ジフェニ
ルシリルエチニル）-2- （ヒドロキシジフェニルシリル
エチニル）ベンゼン、1-（（ジメチルアミノ）メチルフ
ェニルシリルエチニル）-2- （ヒドロキシメチルフェニ
ルシリルエチニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミ
ノ）-1,1, 3,3-テトラメチルジシロキシエチニル）-2-
（3-ヒドロキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキシエチ
ニル）ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-1,1,3,3-
テトラフェニルジシロキシエチニル）-2-ビス（3-ヒド
ロキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキシエチニル）
ベンゼン、1-（3-（ジメチルアミノ）-1,3- ジメチル-
1, 3-ジフェニルジシロキシエチニル）-2- （3-ヒドロ
キシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキシエチニ
ル）ベンゼン等のシラノール−ジメチルアミノシラン誘
導体及び同様のアルコキシシラン−ジメチルアミノシラ
ン誘導体、シラノール−N-メチルアセトアミドシラン誘
導体、アルコキシシラン−N-メチルアセトアミドシラン
誘導体等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４５】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。
【００４６】重縮合反応の反応温度としては特に限定さ
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場
合は−５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気
または不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特
にアルゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上
記反応時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合
物の収率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場
合は−５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気
または不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特
にアルゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上
記反応時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合
物の収率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
【００４７】上記重縮合反応で得られるケイ素系化合物
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第５発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第５発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
【００４８】第６発明の製造方法は一般式（８）で表さ
れるジエチニルベンゼン誘導体と一般式（９）で表され
るメタル化剤とを反応させた後、一般式（10）で表され
るシロキサン誘導体と重縮合反応させることを特徴とす
る。
れるジエチニルベンゼン誘導体と一般式（９）で表され
るメタル化剤とを反応させた後、一般式（10）で表され
るシロキサン誘導体と重縮合反応させることを特徴とす
る。
【００４９】
【化22】
【００５０】
【化23】
【００５１】
【化24】
【００５２】式中、Ｙは水素原子またはＲ2 3Ｓｉで表さ
れるシリル基を示し、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＭｇＸ、Ｃ
ａＸ、ＣｕＸ等の金属原子および金属ハライドを示す。
ｌは０〜１８の整数を示し、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒまたは
Ｉ等のハロゲン原子及びアルコキシ基を示す。
れるシリル基を示し、ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＭｇＸ、Ｃ
ａＸ、ＣｕＸ等の金属原子および金属ハライドを示す。
ｌは０〜１８の整数を示し、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒまたは
Ｉ等のハロゲン原子及びアルコキシ基を示す。
【００５３】上記ジエチニルベンゼン誘導体としては、
1,4-ジエチニルベンゼン、1,4-ジエチニルー2ーメチルベ
ンゼン、1,4-ジエチニル-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-
ジエチニル2,5-ジメチルベンゼン、1,4-ジエチニル-2,6
-ジメチルベンゼン、1,4-ジエチニル-3,5-ジメチルベン
ゼン、1,4-ジエチニル-2,3,5,6-テトラメチルベンゼ
ン、1,4-ジエチニルー2ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,4-ジエチニル-2,3-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1, 4-ジエチニル-2,5- ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,4-ジエチニル-2,6- ビス（トリメチル
シリル）ベンゼン、1,4-ジエチニル-2,3,5,6-テトラキ
ス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ジエチニルベン
ゼン、1,3-ジエチニルー2ーメチルベンゼン、1,3-ジエチ
ニルー4ーメチルベンゼン、1,3-ジエチニルー5ーメチルベン
ゼン、1,3-ジエチニル-2,4-ジメチルベンゼン、1,3-ジ
エチニル-2,5-ジメチルベンゼン、1,3-ジエチニル-4,5-
ジメチルベンゼン、1,3-ジエチニル-4,6-ジメチルベン
ゼン、1,3-ジエチニル-2,4,5,6-テトラメチルベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー2ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー4ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー5ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジエチニル-2,4-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ジエチニル-2,5-ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,3-ジエチニル-4,5-ビス（トリメチル
シリル）ベンゼン、1,3-ジエチニル-4,6-ビス（トリメ
チルシリル）ベンゼン、1,3-ジエチニル-2,4, 5,6-テト
ラキス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジエチニル
ベンゼン、1,2-ジエチニルー3ーメチルベンゼン、1,2-ジ
エチニルー4ーメチルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4-ジメ
チルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,5- ジメチルベンゼ
ン、1,2-ジエチニル-3,6-ジメチルベンゼン、1,2-ジエ
チニル-4,5-ジメチルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4,5,
6-テトラメチルベンゼン、1,2-ジエチニルベンゼン、1,
2-ジエチニルー3ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-
ジエチニルー4ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジ
エチニル-3,4-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2
-ジエチニル-3,5- ビス（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,2-ジエチニル-3,6-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,2-ジエチニル-4,5- ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4,5,6-テトラキス
（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ビス（トリメチル
シリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリ
ルエチニル）ー2ーメチルベンゼン、1,4-ビス（トリメチ
ルシリルエチニル）-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-ビス
（トリメチルシリルエチニル）2,5-ジメチルベンゼン、
1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,6-ジメチル
ベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,5
-ジメチルベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチ
ニル）-2,3,5,6-テトラメチルベンゼン、1,4-ビス（ト
リメチルシリルエチニル）-2-（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,3-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ビス（トリメ
チルシリルエチニル）-2,5- ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,6
- ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-2,3,5,6-テトラキス（トリメ
チルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエ
チニル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）ー2ーメチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリル
エチニル）ー4ーメチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチル
シリルエチニル）ー5ーメチルベンゼン、1,3-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-2,4-ジメチルベンゼン、1,3-
ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,5-ジメチルベン
ゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）-4,5-ジ
メチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）-4,6-ジメチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシ
リルエチニル）-2,4,5,6-テトラメチルベンゼン、1,3-
ビス（トリメチルシリルエチニル）-2-（トリメチルシ
リル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）ー4ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（ト
リメチルシリルエチニル）-5-（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,4-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメ
チルシリルエチニル）-2,5-ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）-4,5
-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-4,6-ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）
-2,4,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベンゼン、
1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-
ビス（トリメチルシリルエチニル）ー3ーメチルベンゼ
ン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）ー4ーメチル
ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,4
-ジメチルベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチ
ニル）-3,5-ジメチルベンゼン、1,2-ビス（トリメチル
シリルエチニル）-3,6-ジメチルベンゼン、1,2-ビス
（トリメチルシリルエチニル）-4,5-ジメチルベンゼ
ン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,4,5,6-
テトラメチルベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）-3-（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ビス（ト
リメチルシリルエチニル）-4-（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,4-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ビス（トリメ
チルシリルエチニル）-3,5-ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,6
-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-4,5-ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）
-3,4,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベンゼン等
が挙げられるが、これらに限定されない。
1,4-ジエチニルベンゼン、1,4-ジエチニルー2ーメチルベ
ンゼン、1,4-ジエチニル-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-
ジエチニル2,5-ジメチルベンゼン、1,4-ジエチニル-2,6
-ジメチルベンゼン、1,4-ジエチニル-3,5-ジメチルベン
ゼン、1,4-ジエチニル-2,3,5,6-テトラメチルベンゼ
ン、1,4-ジエチニルー2ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,4-ジエチニル-2,3-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1, 4-ジエチニル-2,5- ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,4-ジエチニル-2,6- ビス（トリメチル
シリル）ベンゼン、1,4-ジエチニル-2,3,5,6-テトラキ
ス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ジエチニルベン
ゼン、1,3-ジエチニルー2ーメチルベンゼン、1,3-ジエチ
ニルー4ーメチルベンゼン、1,3-ジエチニルー5ーメチルベン
ゼン、1,3-ジエチニル-2,4-ジメチルベンゼン、1,3-ジ
エチニル-2,5-ジメチルベンゼン、1,3-ジエチニル-4,5-
ジメチルベンゼン、1,3-ジエチニル-4,6-ジメチルベン
ゼン、1,3-ジエチニル-2,4,5,6-テトラメチルベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー2ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー4ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジエチニルー5ー（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジエチニル-2,4-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ジエチニル-2,5-ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,3-ジエチニル-4,5-ビス（トリメチル
シリル）ベンゼン、1,3-ジエチニル-4,6-ビス（トリメ
チルシリル）ベンゼン、1,3-ジエチニル-2,4, 5,6-テト
ラキス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジエチニル
ベンゼン、1,2-ジエチニルー3ーメチルベンゼン、1,2-ジ
エチニルー4ーメチルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4-ジメ
チルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,5- ジメチルベンゼ
ン、1,2-ジエチニル-3,6-ジメチルベンゼン、1,2-ジエ
チニル-4,5-ジメチルベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4,5,
6-テトラメチルベンゼン、1,2-ジエチニルベンゼン、1,
2-ジエチニルー3ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-
ジエチニルー4ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジ
エチニル-3,4-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2
-ジエチニル-3,5- ビス（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,2-ジエチニル-3,6-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,2-ジエチニル-4,5- ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,2-ジエチニル-3,4,5,6-テトラキス
（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ビス（トリメチル
シリルエチニル）ベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリ
ルエチニル）ー2ーメチルベンゼン、1,4-ビス（トリメチ
ルシリルエチニル）-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-ビス
（トリメチルシリルエチニル）2,5-ジメチルベンゼン、
1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,6-ジメチル
ベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,5
-ジメチルベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチ
ニル）-2,3,5,6-テトラメチルベンゼン、1,4-ビス（ト
リメチルシリルエチニル）-2-（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,3-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ビス（トリメ
チルシリルエチニル）-2,5- ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,4-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,6
- ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-2,3,5,6-テトラキス（トリメ
チルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエ
チニル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）ー2ーメチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリル
エチニル）ー4ーメチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチル
シリルエチニル）ー5ーメチルベンゼン、1,3-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-2,4-ジメチルベンゼン、1,3-
ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,5-ジメチルベン
ゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）-4,5-ジ
メチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）-4,6-ジメチルベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシ
リルエチニル）-2,4,5,6-テトラメチルベンゼン、1,3-
ビス（トリメチルシリルエチニル）-2-（トリメチルシ
リル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）ー4ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（ト
リメチルシリルエチニル）-5-（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）-2,4-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメ
チルシリルエチニル）-2,5-ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）-4,5
-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,3-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-4,6-ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,3-ビス（トリメチルシリルエチニル）
-2,4,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベンゼン、
1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）ベンゼン、1,2-
ビス（トリメチルシリルエチニル）ー3ーメチルベンゼ
ン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）ー4ーメチル
ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,4
-ジメチルベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチ
ニル）-3,5-ジメチルベンゼン、1,2-ビス（トリメチル
シリルエチニル）-3,6-ジメチルベンゼン、1,2-ビス
（トリメチルシリルエチニル）-4,5-ジメチルベンゼ
ン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,4,5,6-
テトラメチルベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエ
チニル）ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニ
ル）-3-（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ビス（ト
リメチルシリルエチニル）-4-（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,4-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ビス（トリメ
チルシリルエチニル）-3,5-ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）-3,6
-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ビス（トリ
メチルシリルエチニル）-4,5-ビス（トリメチルシリ
ル）ベンゼン、1,2-ビス（トリメチルシリルエチニル）
-3,4,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベンゼン等
が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５４】上記メタル化剤としては、ブチルリチウ
ム、メチルリチウム、フェニルリチウム、エチルマグネ
シウムブロマイド、水素化ナトリウム、カルシウムハイ
ドライド等が挙げられるが、これらに限定されない。
ム、メチルリチウム、フェニルリチウム、エチルマグネ
シウムブロマイド、水素化ナトリウム、カルシウムハイ
ドライド等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５５】上記シロキサン誘導体としては、1,3-ジク
ロロ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロ
ロ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロ
ロ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-
ジクロロ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、
1,5-ジクロロ-1,1,3,3,5,5- ヘキサフェニルトリシロキ
サン、1,5-ジクロロ-1,3,5- トリメチル-1,3,5- トリフ
ェニルトリシロキサン、1,7-ジクロロ-1,1,3,3,5,5,7,7
- オクタメチルテトラシロキサン、1,7-ジクロロ-1,1,
3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシロキサン、1,7-
ジクロロ-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェ
ニルテトラシロキサン等の塩化物及びその臭素化物、ヨ
ウ化物、フッ化物等のビスクロロシラン誘導体及び1,3-
ジメトキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-
ジメトキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,
3-ジメトキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキ
サン、1,5-ジメトキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリ
シロキサン、1,5-ジメトキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサフェ
ニルトリシロキサン、1,5-ジメトキシ-1,3,5- トリメチ
ル-1,3,5- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジメトキ
シ-1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、
1,7-ジメトキシ-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテト
ラシロキサン、1,7-ジメトキシ-1,3,5,7- テトラメチル
-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等のビスア
ルコキシシラン誘導体が挙げられるが、これらに限定さ
れない。
ロロ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロ
ロ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロ
ロ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキサン、1,5-
ジクロロ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、
1,5-ジクロロ-1,1,3,3,5,5- ヘキサフェニルトリシロキ
サン、1,5-ジクロロ-1,3,5- トリメチル-1,3,5- トリフ
ェニルトリシロキサン、1,7-ジクロロ-1,1,3,3,5,5,7,7
- オクタメチルテトラシロキサン、1,7-ジクロロ-1,1,
3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシロキサン、1,7-
ジクロロ-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェ
ニルテトラシロキサン等の塩化物及びその臭素化物、ヨ
ウ化物、フッ化物等のビスクロロシラン誘導体及び1,3-
ジメトキシ-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1,3-
ジメトキシ-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサン、1,
3-ジメトキシ-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシロキ
サン、1,5-ジメトキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリ
シロキサン、1,5-ジメトキシ-1,1,3,3,5,5- ヘキサフェ
ニルトリシロキサン、1,5-ジメトキシ-1,3,5- トリメチ
ル-1,3,5- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジメトキ
シ-1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、
1,7-ジメトキシ-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテト
ラシロキサン、1,7-ジメトキシ-1,3,5,7- テトラメチル
-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等のビスア
ルコキシシラン誘導体が挙げられるが、これらに限定さ
れない。
【００５６】上記メタル化剤の使用量は、少なくなって
も多くなっても生成するケイ素系化合物の分子量が低下
し、十分な耐熱性が得られなくなるので、ジエチニルベ
ンゼン誘導体のモル数に対して、１〜４のモル数が好ま
しく、より好ましくは１．５〜３倍のモル数である。
も多くなっても生成するケイ素系化合物の分子量が低下
し、十分な耐熱性が得られなくなるので、ジエチニルベ
ンゼン誘導体のモル数に対して、１〜４のモル数が好ま
しく、より好ましくは１．５〜３倍のモル数である。
【００５７】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはテトラヒドロフランで
ある。
【００５８】重縮合反応の反応温度としては特に限定さ
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場
合は−５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気
または不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特
にアルゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上
記反応時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合
物の収率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてテトラヒドロフランを用いる場
合は−５０〜７０℃が特に好ましい。上記反応は、空気
または不活性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特
にアルゴンまたは窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上
記反応時間は、短くても長くても得られるケイ素系化合
物の収率が低下するので、１〜４８時間が好ましい。
【００５９】上記重縮合反応で得られるケイ素系化合物
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第６発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第６発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
【００６０】次に第７発明のケイ素系化合物の製造方法
について説明する。第７発明のケイ素系化合物の製造方
法は、本発明６のケイ素系化合物の製造方法において、
少なくとも下記添加剤のうち少なくとも１種を添加す
る。上記添加剤としては、塩化リチウム、臭化リチウ
ム、フッ化リチウム、ヨウ化リチウム等のハロゲン化リ
チウム；テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチル
フォスフォリックトリアミド、ヘキサメチルフォスフォ
ラストリアミド等のアミン系多座配位子；１２−クラウ
ン−４（１，４，７，１０−テトラオキサシクロドデカ
ン）、１５−クラウン−５（１，４，７，１０，１３−
ペンタオキサシクロペンタデカン）、１８−クラウン−
６（１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシク
ロオクタデカン）などのクラウンエーテル等が挙げられ
る。
について説明する。第７発明のケイ素系化合物の製造方
法は、本発明６のケイ素系化合物の製造方法において、
少なくとも下記添加剤のうち少なくとも１種を添加す
る。上記添加剤としては、塩化リチウム、臭化リチウ
ム、フッ化リチウム、ヨウ化リチウム等のハロゲン化リ
チウム；テトラメチルエチレンジアミン、ヘキサメチル
フォスフォリックトリアミド、ヘキサメチルフォスフォ
ラストリアミド等のアミン系多座配位子；１２−クラウ
ン−４（１，４，７，１０−テトラオキサシクロドデカ
ン）、１５−クラウン−５（１，４，７，１０，１３−
ペンタオキサシクロペンタデカン）、１８−クラウン−
６（１，４，７，１０，１３，１６−ヘキサオキサシク
ロオクタデカン）などのクラウンエーテル等が挙げられ
る。
【００６１】上記添加剤の使用量は、少なくなると反応
系を十分に活性化することができず、多くなると反応生
成物から除去するのが難しくなるので、ハロゲン化シリ
ル化合物のモル数に対して、０．０００１〜１００倍の
モル数が好ましく、より好ましくは０．０１〜１０倍の
モル数である。
系を十分に活性化することができず、多くなると反応生
成物から除去するのが難しくなるので、ハロゲン化シリ
ル化合物のモル数に対して、０．０００１〜１００倍の
モル数が好ましく、より好ましくは０．０１〜１０倍の
モル数である。
【００６２】次に第８発明のケイ素系化合物の製造方法
について説明する。第８発明の製造方法は、一般式（1
1）で表されるジハロベンゼン誘導体と一般式（12）で
表されるシロキサン誘導体を遷移金属触媒存在下で重縮
合反応させることを特徴とする。
について説明する。第８発明の製造方法は、一般式（1
1）で表されるジハロベンゼン誘導体と一般式（12）で
表されるシロキサン誘導体を遷移金属触媒存在下で重縮
合反応させることを特徴とする。
【００６３】
【化25】
【００６４】
【化26】
【００６５】式中、ｍは０〜１８の整数を示す。Ｘは
Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩを示す。
Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩを示す。
【００６６】上記ジハロベンゼン誘導体としては、例え
ば、1,4-ジヨードベンゼン、1,4-ジヨード-2-メチルベ
ンゼン、1,4-ジヨード-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-ジ
ヨード-2,5-ジメチルベンゼン、1,4-ジヨード-2,6-ジメ
チルベンゼン、1,4-ジヨード-3,5-ジメチルベンゼン、
1,4-ジヨード-2,3,5,6-テトラメチルベンゼン、1,4-ジ
ヨード-2-（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ジヨー
ド-2,3-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ジヨ
ードー-2, 5-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-
ジヨード-2,6-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4
-ジヨード-2,3,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ジヨードベンゼン、1,3-ジヨード-2-メチ
ルベンゼン、1,3-ジヨード-4-メチルベンゼン、1,3 -ジ
ヨード-5-メチルベンゼン、1,3-ジヨード-2,4-ジメチル
ベンゼン、1,3-ジヨード-2,5-ジメチルベンゼン、1,3-
ジヨード-4,5-ジメチルベンゼン、1,3-ジヨード-4,6-ジ
メチルベンゼン、1,3-ジヨード-2,4,5,6-テトラメチル
ベンゼン、1,3-ジヨード-2-（トリメチルシリル）ベン
ゼン、1,3-ジヨード-4-（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジヨード-5-（トリメチルシリル）ベンゼン、
1,3-ジヨード-2,4-ビス（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジヨード-2,5-ビス（トリメチルシリル）ベン
ゼン、1,3-ジヨード-4,5-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ジヨード-4,6-ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,3-ジヨード-2,4,5,6-テトラキス（トリメ
チルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨードベンゼン、1,2-ジ
ヨード-3-メチルベンゼン、1,2-ジヨード-4-メチルベン
ゼン、1,2-ジヨード-3,4-ジメチルベンゼン、1,2-ジヨ
ード-3,5-ジメチルベンゼン、1,2-ジヨード-3,6-ジメチ
ルベンゼン、1,2-ジヨード-4,5-ジメチルベンゼン、1,2
-ジヨード-3,4,5,6-テトラメチルベンゼン、1,2-ジヨー
ドー3ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-4-
（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-3,4-ビ
ス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-3,5-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-3,6
-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-4,
5-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-
3,4,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベンゼン等の
ヨウ化物及びその塩化物、臭化物、フッ化物等が挙げら
れるが、これらに限定されない。
ば、1,4-ジヨードベンゼン、1,4-ジヨード-2-メチルベ
ンゼン、1,4-ジヨード-2,3-ジメチルベンゼン、1,4-ジ
ヨード-2,5-ジメチルベンゼン、1,4-ジヨード-2,6-ジメ
チルベンゼン、1,4-ジヨード-3,5-ジメチルベンゼン、
1,4-ジヨード-2,3,5,6-テトラメチルベンゼン、1,4-ジ
ヨード-2-（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ジヨー
ド-2,3-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-ジヨ
ードー-2, 5-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4-
ジヨード-2,6-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,4
-ジヨード-2,3,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ジヨードベンゼン、1,3-ジヨード-2-メチ
ルベンゼン、1,3-ジヨード-4-メチルベンゼン、1,3 -ジ
ヨード-5-メチルベンゼン、1,3-ジヨード-2,4-ジメチル
ベンゼン、1,3-ジヨード-2,5-ジメチルベンゼン、1,3-
ジヨード-4,5-ジメチルベンゼン、1,3-ジヨード-4,6-ジ
メチルベンゼン、1,3-ジヨード-2,4,5,6-テトラメチル
ベンゼン、1,3-ジヨード-2-（トリメチルシリル）ベン
ゼン、1,3-ジヨード-4-（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジヨード-5-（トリメチルシリル）ベンゼン、
1,3-ジヨード-2,4-ビス（トリメチルシリル）ベンゼ
ン、1,3-ジヨード-2,5-ビス（トリメチルシリル）ベン
ゼン、1,3-ジヨード-4,5-ビス（トリメチルシリル）ベ
ンゼン、1,3-ジヨード-4,6-ビス（トリメチルシリル）
ベンゼン、1,3-ジヨード-2,4,5,6-テトラキス（トリメ
チルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨードベンゼン、1,2-ジ
ヨード-3-メチルベンゼン、1,2-ジヨード-4-メチルベン
ゼン、1,2-ジヨード-3,4-ジメチルベンゼン、1,2-ジヨ
ード-3,5-ジメチルベンゼン、1,2-ジヨード-3,6-ジメチ
ルベンゼン、1,2-ジヨード-4,5-ジメチルベンゼン、1,2
-ジヨード-3,4,5,6-テトラメチルベンゼン、1,2-ジヨー
ドー3ー（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-4-
（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-3,4-ビ
ス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-3,5-
ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-3,6
-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-4,
5-ビス（トリメチルシリル）ベンゼン、1,2-ジヨード-
3,4,5,6-テトラキス（トリメチルシリル）ベンゼン等の
ヨウ化物及びその塩化物、臭化物、フッ化物等が挙げら
れるが、これらに限定されない。
【００６７】上記シロキサン誘導体としては、例えば、
1,3-ジエチニル-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、
1,3-ジエチニル-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサ
ン、1,3-ジエチニル-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジ
シロキサン、1,5-ジエチニル-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチ
ルトリシロキサン、1,5-ジエチニル-1,1,3,3,5,5- ヘキ
サフェニルトリシロキサン、1,5-ジエチニル-1,3,5- ト
リメチル-1,3,5- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジ
エチニル-1,1,3, 3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキ
サン、1,7-ジエチニル-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニ
ルテトラシロキサン、1,7-ジエチニル-1,3,5,7- テトラ
メチル-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等が
挙げられるが、これらに限定されない。
1,3-ジエチニル-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、
1,3-ジエチニル-1,1,3,3- テトラフェニルジシロキサ
ン、1,3-ジエチニル-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジ
シロキサン、1,5-ジエチニル-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチ
ルトリシロキサン、1,5-ジエチニル-1,1,3,3,5,5- ヘキ
サフェニルトリシロキサン、1,5-ジエチニル-1,3,5- ト
リメチル-1,3,5- トリフェニルトリシロキサン、1,7-ジ
エチニル-1,1,3, 3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキ
サン、1,7-ジエチニル-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニ
ルテトラシロキサン、1,7-ジエチニル-1,3,5,7- テトラ
メチル-1,3,5,7- テトラフェニルテトラシロキサン等が
挙げられるが、これらに限定されない。
【００６８】上記遷移金属触媒としては、テトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ
3）4）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジ
クロライド（Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2）等が挙げられ
る。
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ
3）4）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジ
クロライド（Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2）等が挙げられ
る。
【００６９】上記遷移金属触媒の使用量は、少なくなる
と重縮合反応系の反応性が低下し、多くなると得られる
ケイ素系化合物に残存し易くなり物性の低下をもたらす
ので、ジハロベンゼン誘導体のモル数に対して０．００
０１〜１倍のモル数が好ましく、より好ましくは０．０
０１〜０．１倍のモル数である。
と重縮合反応系の反応性が低下し、多くなると得られる
ケイ素系化合物に残存し易くなり物性の低下をもたらす
ので、ジハロベンゼン誘導体のモル数に対して０．００
０１〜１倍のモル数が好ましく、より好ましくは０．０
０１〜０．１倍のモル数である。
【００７０】上記遷移金属触媒に助触媒として、ヨウ化
銅（Ｉ）、トリフェニルホスフィン等を加えてもよい。
この様な助触媒を加えなくても重縮合反応は進行する
が、助触媒の添加により反応時間の短縮及び生成物の収
率向上を達成し得る。
銅（Ｉ）、トリフェニルホスフィン等を加えてもよい。
この様な助触媒を加えなくても重縮合反応は進行する
が、助触媒の添加により反応時間の短縮及び生成物の収
率向上を達成し得る。
【００７１】上記助触媒の使用量は、ジハロベンゼン誘
導体のモル数に対して０．００１〜１倍のモル数が好ま
しく、より好ましくは０．０１〜０．１倍のモル数であ
る。
導体のモル数に対して０．００１〜１倍のモル数が好ま
しく、より好ましくは０．０１〜０．１倍のモル数であ
る。
【００７２】上記触媒の他に、反応系中で発生するハロ
ゲン化水素を捕捉するために添加剤が用いられてもよ
い、この様な添加剤としては、ジイソプロピルアミン、
トリエチルアミン等が挙げられるが、これに限定される
ものではない。
ゲン化水素を捕捉するために添加剤が用いられてもよ
い、この様な添加剤としては、ジイソプロピルアミン、
トリエチルアミン等が挙げられるが、これに限定される
ものではない。
【００７３】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはトルエンである。
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはトルエンである。
【００７４】重縮合反応の反応温度としては特に限定さ
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてトルエンを用いる場合は５０〜
１１０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または不活
性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアルゴン
または窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応時間
は、短くても長くても得られるケイ素系化合物の収率が
低下するので、１〜４８時間が好ましい。
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてトルエンを用いる場合は５０〜
１１０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または不活
性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアルゴン
または窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応時間
は、短くても長くても得られるケイ素系化合物の収率が
低下するので、１〜４８時間が好ましい。
【００７５】上記重縮合反応で得られるケイ素系化合物
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第８発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第８発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
【００７６】次に第９発明のケイ素系化合物の製造方法
について説明する。第９発明の製造方法は一般式（13）
で表されるエチニル基含有ハロベンゼン誘導体を遷移金
属触媒存在下で重縮合反応させることを特徴とする。
について説明する。第９発明の製造方法は一般式（13）
で表されるエチニル基含有ハロベンゼン誘導体を遷移金
属触媒存在下で重縮合反応させることを特徴とする。
【００７７】
【化27】
【００７８】式中、ｎは０〜１８の整数を示し、Ｘは
Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩを示す。
Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩを示す。
【００７９】上記エチニル基含有ハロベンゼン誘導体と
しては、例えば、1-エチニル-3- （4-ヨードフェニルエ
チニル）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1-エチ
ニル-3- （4-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3- テト
ラフェニルジシロキサン、1-エチニル-3- （4-ヨードフ
ェニルエチニル）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシ
ロキサン、1-エチニル-5- （4-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、1-エ
チニル-5- （4-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5
- ヘキサフェニルトリシロキサン、1-エチニル-5- （4-
ヨードフェニルエチニル）-1,3,5- トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1-エチニル-7- （4-ヨー
ドフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタメチル
テトラシロキサン、1-エチニル-7- （4-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1-エチニル-7- （4-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニル
テトラシロキサン、1-エチニル-3- （3-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1-エ
チニル-3- （3-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3- テ
トラフェニルジシロキサン、1-エチニル-3- （3-ヨード
フェニルエチニル）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジ
シロキサン、1-エチニル-5- （3-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、1-エ
チニル-5- （3-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5
- ヘキサフェニルトリシロキサン、1-エチニル-5- （3-
ヨードフェニルエチニル）-1,3,5- トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1-エチニル-7- （3-ヨー
ドフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタメチル
テトラシロキサン、1-エチニル-7- （3-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1-エチニル-7- （3-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニル
テトラシロキサン、1-エチニル-3- （2-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1-エ
チニル-3- （2-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3- テ
トラフェニルジシロキサン、1-エチニル-3- （2-ヨード
フェニルエチニル）-1,3- ジメチル-1,3-ジフェニルジ
シロキサン、1-エチニル-5- （2-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、1-エ
チニル-5- （2-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5
- ヘキサフェニルトリシロキサン、1-エチニル-5- （2-
ヨードフェニルエチニル）-1,3,5- トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1-エチニル-7- （2-ヨー
ドフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタメチル
テトラシロキサン、1-エチニル-7- （2-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1-エチニル-7- （2-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニル
テトラシロキサン等のヨウ化物及び塩化物、臭化物、フ
ッ化物等が挙げられるが、これらに限定されない。
しては、例えば、1-エチニル-3- （4-ヨードフェニルエ
チニル）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1-エチ
ニル-3- （4-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3- テト
ラフェニルジシロキサン、1-エチニル-3- （4-ヨードフ
ェニルエチニル）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジシ
ロキサン、1-エチニル-5- （4-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、1-エ
チニル-5- （4-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5
- ヘキサフェニルトリシロキサン、1-エチニル-5- （4-
ヨードフェニルエチニル）-1,3,5- トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1-エチニル-7- （4-ヨー
ドフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタメチル
テトラシロキサン、1-エチニル-7- （4-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1-エチニル-7- （4-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニル
テトラシロキサン、1-エチニル-3- （3-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1-エ
チニル-3- （3-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3- テ
トラフェニルジシロキサン、1-エチニル-3- （3-ヨード
フェニルエチニル）-1,3- ジメチル-1,3- ジフェニルジ
シロキサン、1-エチニル-5- （3-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、1-エ
チニル-5- （3-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5
- ヘキサフェニルトリシロキサン、1-エチニル-5- （3-
ヨードフェニルエチニル）-1,3,5- トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1-エチニル-7- （3-ヨー
ドフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタメチル
テトラシロキサン、1-エチニル-7- （3-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1-エチニル-7- （3-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニル
テトラシロキサン、1-エチニル-3- （2-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3- テトラメチルジシロキサン、1-エ
チニル-3- （2-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3- テ
トラフェニルジシロキサン、1-エチニル-3- （2-ヨード
フェニルエチニル）-1,3- ジメチル-1,3-ジフェニルジ
シロキサン、1-エチニル-5- （2-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,1,3,3,5,5- ヘキサメチルトリシロキサン、1-エ
チニル-5- （2-ヨードフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5
- ヘキサフェニルトリシロキサン、1-エチニル-5- （2-
ヨードフェニルエチニル）-1,3,5- トリメチル-1,3,5-
トリフェニルトリシロキサン、1-エチニル-7- （2-ヨー
ドフェニルエチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタメチル
テトラシロキサン、1-エチニル-7- （2-ヨードフェニル
エチニル）-1,1,3,3,5,5,7,7- オクタフェニルテトラシ
ロキサン、1-エチニル-7- （2-ヨードフェニルエチニ
ル）-1,3,5,7- テトラメチル-1,3,5,7- テトラフェニル
テトラシロキサン等のヨウ化物及び塩化物、臭化物、フ
ッ化物等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００８０】上記遷移金属触媒としては、テトラキス
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ
3）4）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジ
クロライド（Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2）等が挙げられ
る。
（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ
3）4）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジ
クロライド（Ｐｄ（ＰＰｈ3）2Ｃｌ2）等が挙げられ
る。
【００８１】上記遷移金属触媒の使用量は、少なくなる
と重縮合反応系の反応性が低下し、多くなると得られる
ケイ素系化合物に残存し易くなり物性の低下をもたらす
ので、エチニル基含有ハロベンゼン誘導体のモル数に対
して０．０００１〜１倍のモル数が好ましく、より好ま
しくは０．００１〜０．１倍のモル数である。
と重縮合反応系の反応性が低下し、多くなると得られる
ケイ素系化合物に残存し易くなり物性の低下をもたらす
ので、エチニル基含有ハロベンゼン誘導体のモル数に対
して０．０００１〜１倍のモル数が好ましく、より好ま
しくは０．００１〜０．１倍のモル数である。
【００８２】上記遷移金属触媒に助触媒として、ヨウ化
銅（Ｉ）、トリフェニルホスフィン等を加えてもよい。
このような助触媒を加えなくても重縮合反応は進行する
が、助触媒の添加により反応時間の短縮及び生成物の収
率向上を達成し得る。
銅（Ｉ）、トリフェニルホスフィン等を加えてもよい。
このような助触媒を加えなくても重縮合反応は進行する
が、助触媒の添加により反応時間の短縮及び生成物の収
率向上を達成し得る。
【００８３】上記助触媒の使用量は、エチニル基含有ハ
ロベンゼン誘導体のモル数に対して０．００１〜１倍の
モル数が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．１倍
のモル数である。上記触媒の他に、反応系中で発生する
ハロゲン化水素を捕捉するために添加剤が用いられても
よい、この様な添加剤としては、ジイソプロピルアミ
ン、トリエチルアミン等が挙げられるが、これに限定さ
れるものではない。
ロベンゼン誘導体のモル数に対して０．００１〜１倍の
モル数が好ましく、より好ましくは０．０１〜０．１倍
のモル数である。上記触媒の他に、反応系中で発生する
ハロゲン化水素を捕捉するために添加剤が用いられても
よい、この様な添加剤としては、ジイソプロピルアミ
ン、トリエチルアミン等が挙げられるが、これに限定さ
れるものではない。
【００８４】上記重縮合反応は溶媒中で行われるのが好
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはトルエンである。
ましく、溶媒としては、極性、無極性のいずれでもよい
が、好ましくは、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテ
ル、トルエン、キシレン、ヘキサンなどの非プロトン性
溶媒が挙げられ、特に好ましくはトルエンである。
【００８５】重縮合反応の反応温度としては特に限定さ
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてトルエンを用いる場合は５０〜
１１０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または不活
性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアルゴン
または窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応時間
は、短くても長くても得られるケイ素系化合物の収率が
低下するので、１〜４８時間が好ましい。
れないが、−１５０℃から用いられる溶媒の沸点との間
が好ましい。溶媒としてトルエンを用いる場合は５０〜
１１０℃が特に好ましい。上記反応は、空気または不活
性ガス雰囲気下のいずれでも進行するが、特にアルゴン
または窒素雰囲気下で行うのが好ましい。上記反応時間
は、短くても長くても得られるケイ素系化合物の収率が
低下するので、１〜４８時間が好ましい。
【００８６】上記重縮合反応で得られるケイ素系化合物
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第９発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
の精製方法としては、本発明と同様な方法が適用可能で
ある。第９発明の製造方法によって、本発明のケイ素系
化合物が得られる。
【００８７】次に第10発明のケイ素系化合物モノマーに
ついて説明する。第10発明のケイ素系化合物は一般式
（14）で表される。
ついて説明する。第10発明のケイ素系化合物は一般式
（14）で表される。
【００８８】
【化28】
【００８９】式中、ｐ、ｑは０〜１８の整数で、かつ
（ｐ＋ｑ）は０〜１８を示す。
（ｐ＋ｑ）は０〜１８を示す。
【００９０】本発明10のケイ素系化合物モノマーは、本
発明のケイ素系化合物の原料としても使用できる新規ケ
イ素系化合物モノマーである。従来より、シロキサンユ
ニットを含有する高分子化合物を合成するモノマーとし
てはｐ−フェニレン含有化合物〔J.Poly.Sci.:Part A
2, 15 (1964)〕、アセチレン含有化合物〔Eur.Poly.J.2
8, 1373 (1992)〕およびジアセチレン含有化合物〔USP
3,714,118 (1973)〕等が合成されているが、ジエチニル
ベンゼン含有化合物については全く合成がなされていな
かった。
発明のケイ素系化合物の原料としても使用できる新規ケ
イ素系化合物モノマーである。従来より、シロキサンユ
ニットを含有する高分子化合物を合成するモノマーとし
てはｐ−フェニレン含有化合物〔J.Poly.Sci.:Part A
2, 15 (1964)〕、アセチレン含有化合物〔Eur.Poly.J.2
8, 1373 (1992)〕およびジアセチレン含有化合物〔USP
3,714,118 (1973)〕等が合成されているが、ジエチニル
ベンゼン含有化合物については全く合成がなされていな
かった。
【００９１】上記ケイ素系化合物モノマーの合成方法と
しては、以下のような方法が挙げられるがこれらに限定
されるものではない。 （イ）ジエチニルベンゼン誘導体（８）をメタル化した
後、クロロシラン誘導体（15）を反応させ、ビスヒドロ
シラン誘導体（16）とする。次に、これを塩化パラジウ
ムを触媒として四塩化炭素中でビスクロロシラン誘導体
（17）とする。さらに、炭酸水素ナトリウム水溶液で加
水分解して、上記ケイ素系化合物モノマー（14）を得
る。
しては、以下のような方法が挙げられるがこれらに限定
されるものではない。 （イ）ジエチニルベンゼン誘導体（８）をメタル化した
後、クロロシラン誘導体（15）を反応させ、ビスヒドロ
シラン誘導体（16）とする。次に、これを塩化パラジウ
ムを触媒として四塩化炭素中でビスクロロシラン誘導体
（17）とする。さらに、炭酸水素ナトリウム水溶液で加
水分解して、上記ケイ素系化合物モノマー（14）を得
る。
【００９２】
【化29】
【００９３】（ロ）ジエチニルベンゼン誘導体（８）を
メタル化した後、クロロシラン誘導体（18）を反応さ
せ、ビス（ジメチルアミノ）シラン誘導体（19）とす
る。次に、これを塩素処理することによりビスクロロシ
ラン誘導体（17）とする。さらに、炭酸水素ナトリウム
水溶液で加水分解して、上記ケイ素系化合物モノマー
（14）を得る。
メタル化した後、クロロシラン誘導体（18）を反応さ
せ、ビス（ジメチルアミノ）シラン誘導体（19）とす
る。次に、これを塩素処理することによりビスクロロシ
ラン誘導体（17）とする。さらに、炭酸水素ナトリウム
水溶液で加水分解して、上記ケイ素系化合物モノマー
（14）を得る。
【００９４】
【化30】
【００９５】（ハ）ジエチニルベンゼン誘導体（８）を
メタル化した後、クロロシラン誘導体（20）を反応さ
せ、ビスアルコキシシラン誘導体（21）とする。次にこ
れを触媒存在下、加水分解して、上記ケイ素系化合物モ
ノマー（14）を得る。
メタル化した後、クロロシラン誘導体（20）を反応さ
せ、ビスアルコキシシラン誘導体（21）とする。次にこ
れを触媒存在下、加水分解して、上記ケイ素系化合物モ
ノマー（14）を得る。
【００９６】
【化31】
【００９７】
【実施例】次に、本発明の実施例を説明する。なお、こ
こで用いた合成方法は一例であって、これに限定されな
い。また、ここでいう可溶成分、不溶成分とはテトラヒ
ドロフラン、トルエンに対する溶解性に基づくものとす
る。 （実施例１） ポリ（1,4-ジエチニルベンゼン−テトラフェニルジシロ
キサン）（23）の合成：アルゴン置換した反応容器(Dea
nStark型)に1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエ
チニル）ベンゼン（22）2.88g、トルエン25ml、触媒0.0
125g(0.5wt%)を入れ、９時間加熱還流（オイルバス温度
150℃）した（途中トルエンを適宜抜きだした）。反応
終了後、トルエン、THFを加え、イソプロピルアルコー
ルで再沈澱して精製し、可溶成分を1.04g(37.2wt%)得
た。
こで用いた合成方法は一例であって、これに限定されな
い。また、ここでいう可溶成分、不溶成分とはテトラヒ
ドロフラン、トルエンに対する溶解性に基づくものとす
る。 （実施例１） ポリ（1,4-ジエチニルベンゼン−テトラフェニルジシロ
キサン）（23）の合成：アルゴン置換した反応容器(Dea
nStark型)に1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエ
チニル）ベンゼン（22）2.88g、トルエン25ml、触媒0.0
125g(0.5wt%)を入れ、９時間加熱還流（オイルバス温度
150℃）した（途中トルエンを適宜抜きだした）。反応
終了後、トルエン、THFを加え、イソプロピルアルコー
ルで再沈澱して精製し、可溶成分を1.04g(37.2wt%)得
た。
【００９８】得られたケイ素系化合物の構造については
以下の測定を行って同定した。上記で測定されたIRスペ
クトル（日立製作所製「２７０−３０」にて測定）、 1H
-NMR、13C-NMR及び29Si-NMR（日立製作所製「Ｒ−９０
００型ＦＴ−ＮＭＲ」にて測定）の結果を図１〜４に示
す。
以下の測定を行って同定した。上記で測定されたIRスペ
クトル（日立製作所製「２７０−３０」にて測定）、 1H
-NMR、13C-NMR及び29Si-NMR（日立製作所製「Ｒ−９０
００型ＦＴ−ＮＭＲ」にて測定）の結果を図１〜４に示
す。
【００９９】IRスペクトル（図１）においては、わずか
に3350cm-1にブロードなO-H伸縮振動と2160cm-1付近に
２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振動の吸収がシ
ャープに観測された。さらに1100cm-1にブロードな吸収
が見られたことから脱水縮合によるSi-O-Siの生成が生
起したことがわかる。
に3350cm-1にブロードなO-H伸縮振動と2160cm-1付近に
２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振動の吸収がシ
ャープに観測された。さらに1100cm-1にブロードな吸収
が見られたことから脱水縮合によるSi-O-Siの生成が生
起したことがわかる。
【０１００】1H-NMR（図２）ではシラノール基のプロト
ンはほとんど観測できなかったが、フェニルプロトンが
7-8ppmに観測された。さらに13C-NMR（図３）において
も92.64、106.91ppmにアセチレンカーボンが、120-140p
pmにフェニルカーボンが観測された。最後に29Si-NMR
（図４）を測定したところ、-28.93、-35.38、-36.37pp
m の３本のシグナルが観測された。以上の結果から構造
を帰属した。
ンはほとんど観測できなかったが、フェニルプロトンが
7-8ppmに観測された。さらに13C-NMR（図３）において
も92.64、106.91ppmにアセチレンカーボンが、120-140p
pmにフェニルカーボンが観測された。最後に29Si-NMR
（図４）を測定したところ、-28.93、-35.38、-36.37pp
m の３本のシグナルが観測された。以上の結果から構造
を帰属した。
【０１０１】
【化32】
【０１０２】
【化33】
【０１０３】また高分子の分子量は、東ソー製「ＧＰＣ
−８０００」を使用して測定した結果、ポリスチレン換
算4,800 （23〜24量体）であった。
−８０００」を使用して測定した結果、ポリスチレン換
算4,800 （23〜24量体）であった。
【０１０４】尚、上記で使用された触媒は、2-エチルヘ
キサン酸0.72ml=0.60g(0.0050mol)、n-ヘキシルアミン
0.66ml=0.51g (0.0050mol)とトルエン81.7mlを室温で撹
拌して調製した(0.06mol/l=15g/l溶液)。
キサン酸0.72ml=0.60g(0.0050mol)、n-ヘキシルアミン
0.66ml=0.51g (0.0050mol)とトルエン81.7mlを室温で撹
拌して調製した(0.06mol/l=15g/l溶液)。
【０１０５】（実施例２）ポリ（1,4-ジエチニルベンゼ
ン−テトラフェニルジシロキサン）(23)の合成：アルゴ
ン置換した反応容器(DeanStark型)に1,4-ビス（ヒドロ
キシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（22）4.00
g、トルエン2.29ml(約24wt%)、触媒0.0177g(約0.5wt%)
を入れ、７時間加熱還流（オイルバス温度150〜200℃）
した。反応終了後、トルエン、THFを加えて濾過し、ポ
リ（1,4-ジエチニルベンゼン−テトラフェニルジシロキ
サン）の不溶成分を3.32g(85.9wt%)得た。濾液は濃縮し
た後、イソプロピルアルコールで再沈澱して精製し、ポ
リ（1,4-ジエチニルベンゼン−テトラフェニルジシロキ
サン）の可溶成分を0.538g(13.9wt%)得た。得られた高
分子の不溶成分及び可溶成分について、実施例１と同様
にして、IRスペクトル、1H-NMR、13C-NMR 、29Si-NMR及
びGPCを測定した。上記IRスペクトルについては不溶成
分、可溶成分ともに同様であったため、これらの構造自
体は同一のもので、溶解性の差は分子量の差によるもの
と考えられる（IRスペクトルにおいて、3350cm-1のブロ
ードなO-H伸縮振動の吸収が不溶成分の方が可溶成分よ
りも小さかったことから）。また、可溶性分のIRスペク
トル、1H-NMR、13C-NMR 、29Si-NMRを見たところ実施例
１と同様であった。以上の結果から構造を帰属した。ま
た、可溶成分の分子量をGPC で測定したところ、ポリス
チレン換算12,000であった。不溶成分は分子量12,000以
上であると推定される。尚、触媒は実施例１と同様なも
のを使用した。
ン−テトラフェニルジシロキサン）(23)の合成：アルゴ
ン置換した反応容器(DeanStark型)に1,4-ビス（ヒドロ
キシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（22）4.00
g、トルエン2.29ml(約24wt%)、触媒0.0177g(約0.5wt%)
を入れ、７時間加熱還流（オイルバス温度150〜200℃）
した。反応終了後、トルエン、THFを加えて濾過し、ポ
リ（1,4-ジエチニルベンゼン−テトラフェニルジシロキ
サン）の不溶成分を3.32g(85.9wt%)得た。濾液は濃縮し
た後、イソプロピルアルコールで再沈澱して精製し、ポ
リ（1,4-ジエチニルベンゼン−テトラフェニルジシロキ
サン）の可溶成分を0.538g(13.9wt%)得た。得られた高
分子の不溶成分及び可溶成分について、実施例１と同様
にして、IRスペクトル、1H-NMR、13C-NMR 、29Si-NMR及
びGPCを測定した。上記IRスペクトルについては不溶成
分、可溶成分ともに同様であったため、これらの構造自
体は同一のもので、溶解性の差は分子量の差によるもの
と考えられる（IRスペクトルにおいて、3350cm-1のブロ
ードなO-H伸縮振動の吸収が不溶成分の方が可溶成分よ
りも小さかったことから）。また、可溶性分のIRスペク
トル、1H-NMR、13C-NMR 、29Si-NMRを見たところ実施例
１と同様であった。以上の結果から構造を帰属した。ま
た、可溶成分の分子量をGPC で測定したところ、ポリス
チレン換算12,000であった。不溶成分は分子量12,000以
上であると推定される。尚、触媒は実施例１と同様なも
のを使用した。
【０１０６】
【化34】
【０１０７】
【化35】
【０１０８】（実施例３）
ポリ（1,3-ジエチニルベンゼン−テトラフェニルジシロ
キサン）（25）の合成： アルゴン置換した反応容器(DeanStark型) に1,3-ビス
（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（2
4）2.80g 、トルエン5ml 、触媒0.0140g(約0.5wt%) を
入れ、６時間加熱還流（オイルバス温度150 〜200 ℃）
した。反応終了後、トルエン、THF を加えて濾過し、不
溶成分を0.575g(21.3wt%) 得た。濾液は濃縮した後、イ
ソプロピルアルコールで再沈澱して精製し、可溶成分を
0.801g(29.6wt%) 得た。得られた高分子の各種スペクト
ルを図５〜７に示す。不溶成分についてはIRスペクトル
のみを、可溶性分については1H、13C-NMR 、GPC を、実
施例１と同様にして測定した。IRスペクトル（図５）に
ついては可溶成分、不溶成分ともに同様であったため、
これらの構造自体は同一のもので、溶解性の差は分子量
の差によるものと考えられる。次に、可溶性分のスペク
トルを見ると、IRスペクトルにおいては、わずかに3350
cm-1にブロードなO-H 伸縮振動と2160cm-1付近に２置換
アセチレンのC-C 三重結合の伸縮振動の吸収がシャープ
に観測された。さらに1100cm-1にブロードな吸収が見ら
れたことから脱水縮合によるSi-O-Si の生成が生起した
ことがわかる。1H-NMR（図６）ではシラノール基のプロ
トンはほとんど観測できなかったが、フェニルプロトン
が7-8ppmに観測された。さらに13C-NMR （図７）におい
ても91.06 、106.45ppm にアセチレンカーボンが、120-
140ppmにフェニルカーボンが観測された。以上の結果か
ら構造を帰属した。また、可溶成分の分子量を測定した
ところ、ポリスチレン換算26,000であった。尚、触媒は
実施例１と同様なものを使用した。
キサン）（25）の合成： アルゴン置換した反応容器(DeanStark型) に1,3-ビス
（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（2
4）2.80g 、トルエン5ml 、触媒0.0140g(約0.5wt%) を
入れ、６時間加熱還流（オイルバス温度150 〜200 ℃）
した。反応終了後、トルエン、THF を加えて濾過し、不
溶成分を0.575g(21.3wt%) 得た。濾液は濃縮した後、イ
ソプロピルアルコールで再沈澱して精製し、可溶成分を
0.801g(29.6wt%) 得た。得られた高分子の各種スペクト
ルを図５〜７に示す。不溶成分についてはIRスペクトル
のみを、可溶性分については1H、13C-NMR 、GPC を、実
施例１と同様にして測定した。IRスペクトル（図５）に
ついては可溶成分、不溶成分ともに同様であったため、
これらの構造自体は同一のもので、溶解性の差は分子量
の差によるものと考えられる。次に、可溶性分のスペク
トルを見ると、IRスペクトルにおいては、わずかに3350
cm-1にブロードなO-H 伸縮振動と2160cm-1付近に２置換
アセチレンのC-C 三重結合の伸縮振動の吸収がシャープ
に観測された。さらに1100cm-1にブロードな吸収が見ら
れたことから脱水縮合によるSi-O-Si の生成が生起した
ことがわかる。1H-NMR（図６）ではシラノール基のプロ
トンはほとんど観測できなかったが、フェニルプロトン
が7-8ppmに観測された。さらに13C-NMR （図７）におい
ても91.06 、106.45ppm にアセチレンカーボンが、120-
140ppmにフェニルカーボンが観測された。以上の結果か
ら構造を帰属した。また、可溶成分の分子量を測定した
ところ、ポリスチレン換算26,000であった。尚、触媒は
実施例１と同様なものを使用した。
【０１０９】
【化36】
【０１１０】
【化37】
【０１１１】上記各実施例及び比較例で得られたケイ素
系化合物について、熱重量分析（リガク社製「ＴＧ８１
０１Ｄ」）により、１０℃／分の昇温速度で３０℃から
８００℃まで昇温し、初期重量に対して５重量％及び１
０重量％減少したときの温度（以下T5及びT10と記す）
ならびに８００℃における重量残存率（以下W800と記
す）を測定して耐熱性を評価し、その結果を表１に示し
た。
系化合物について、熱重量分析（リガク社製「ＴＧ８１
０１Ｄ」）により、１０℃／分の昇温速度で３０℃から
８００℃まで昇温し、初期重量に対して５重量％及び１
０重量％減少したときの温度（以下T5及びT10と記す）
ならびに８００℃における重量残存率（以下W800と記
す）を測定して耐熱性を評価し、その結果を表１に示し
た。
【０１１２】
【表１】
【０１１３】（実施例４）
1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）ベン
ゼン（22）の合成： １）1,4-ビス（ジフェニルシリルエチニル）ベンゼン
（26）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,4-ジエチニルベンゼン1
0.0g(0.0794mol) とTHF100 mlを入れ、室温で撹拌して
いるところに3.0M-エチルマグネシウムブロマイド／ジ
エチルエーテル溶液60.8ml(2.3eq,0.183mol)を1.5時間
かけて滴下した後、2.5時間撹拌を続けた。さらに、ジ
フェニルクロロシラン38.9ml=43.5g(2.5eq,0.198mol)／
THF50ml溶液を1時間で滴下し、さらに６時間室温で撹拌
した。反応後、水を加えて反応を終了させ、THFで抽出
した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧
留去して得られた固体をTHFで再結晶し、1,4-ビス（ジ
フェニルシリルエチニル）ベンゼン（26）を34g得た
（定量的）。各種スペクトルを実施例１と同様にして測
定し図８〜10に示す。IRスペクトル（図８）においてヒ
ドロシラン特有のSi-H伸縮振動と２置換アセチレンのC-
C三重結合の伸縮振動の吸収が2160cm-1付近に重なって
ややブロードに観測された。1H-NMR（図９）でもヒドロ
シリル基のプロトンが5.30ppmに、フェニルプロトンが7
-8ppmに観測された。さらに13C-NMR（図10）においても
89.90、108.65ppmにアセチレンカーボンが、120-140ppm
にフェニルカーボンが観測された。以上の結果から構造
を帰属した。
ゼン（22）の合成： １）1,4-ビス（ジフェニルシリルエチニル）ベンゼン
（26）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,4-ジエチニルベンゼン1
0.0g(0.0794mol) とTHF100 mlを入れ、室温で撹拌して
いるところに3.0M-エチルマグネシウムブロマイド／ジ
エチルエーテル溶液60.8ml(2.3eq,0.183mol)を1.5時間
かけて滴下した後、2.5時間撹拌を続けた。さらに、ジ
フェニルクロロシラン38.9ml=43.5g(2.5eq,0.198mol)／
THF50ml溶液を1時間で滴下し、さらに６時間室温で撹拌
した。反応後、水を加えて反応を終了させ、THFで抽出
した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧
留去して得られた固体をTHFで再結晶し、1,4-ビス（ジ
フェニルシリルエチニル）ベンゼン（26）を34g得た
（定量的）。各種スペクトルを実施例１と同様にして測
定し図８〜10に示す。IRスペクトル（図８）においてヒ
ドロシラン特有のSi-H伸縮振動と２置換アセチレンのC-
C三重結合の伸縮振動の吸収が2160cm-1付近に重なって
ややブロードに観測された。1H-NMR（図９）でもヒドロ
シリル基のプロトンが5.30ppmに、フェニルプロトンが7
-8ppmに観測された。さらに13C-NMR（図10）においても
89.90、108.65ppmにアセチレンカーボンが、120-140ppm
にフェニルカーボンが観測された。以上の結果から構造
を帰属した。
【０１１４】２）1,4-ビス（クロロジフェニルシリルエ
チニル）ベンゼン（27）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,4-ビス（ジフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン（26）5.00g(0.0102mol)、塩化パ
ラジウム0.00905g(0.005eq,0.0000510mol)と四塩化炭素
50mlを入れ、85℃で7時間加熱還流した。反応終了後室
温に戻し、溶媒を減圧留去し、1,4-ビス（クロロジフェ
ニルシリルエチニル）ベンゼン（27）を得た。各種スペ
クトルを実施例１と同様に測定し図11〜13に示す。IRス
ペクトル（図11）において２置換アセチレンのC-C三重
結合の伸縮振動の吸収が2160cm-1付近にシャープに観測
された。1H-NMR（図12）でもフェニルプロトンが7-8ppm
に観測された。さらに13C-NMR（図13）においてもアセ
チレンカーボンは明確には観測できなかったものの、12
0-140ppmにフェニルカーボンが観測された。以上の結果
から構造を帰属した。
チニル）ベンゼン（27）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,4-ビス（ジフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン（26）5.00g(0.0102mol)、塩化パ
ラジウム0.00905g(0.005eq,0.0000510mol)と四塩化炭素
50mlを入れ、85℃で7時間加熱還流した。反応終了後室
温に戻し、溶媒を減圧留去し、1,4-ビス（クロロジフェ
ニルシリルエチニル）ベンゼン（27）を得た。各種スペ
クトルを実施例１と同様に測定し図11〜13に示す。IRス
ペクトル（図11）において２置換アセチレンのC-C三重
結合の伸縮振動の吸収が2160cm-1付近にシャープに観測
された。1H-NMR（図12）でもフェニルプロトンが7-8ppm
に観測された。さらに13C-NMR（図13）においてもアセ
チレンカーボンは明確には観測できなかったものの、12
0-140ppmにフェニルカーボンが観測された。以上の結果
から構造を帰属した。
【０１１５】３）1,4-ビス（ヒドロキシジフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン（22）の合成：炭酸水素ナトリウ
ム20.0g、水200mlを三角フラスコに入れ、塩−氷水で冷
やしながら激しく撹拌しているところに、上記1,4-ビス
（クロロジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（27）の
粗生成物／THF／ジエチルエーテル溶液をゆっくり滴下
した。滴下終了後、ジエチルエーテル／THFで抽出し、
有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留
去して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフにより精製し、1,4-ビス（ヒドロ
キシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（22）を4.00
g(（26）から二段階で収率75%)得た。各種スペクトルを
実施例１と同様に測定し図14〜16に示す。IRスペクトル
（図14）において3350cm-1にブロードなO-H伸縮振動と2
160cm-1付近に２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振
動の吸収がシャープに観測された。また、この際1100cm
-1にはブロードな吸収は見られなかったことから脱水縮
合によるSi-O-Siの生成は生起していないことがわか
る。1H-NMR（図15）でもシラノール基のプロトンが3.00
ppmにブロードなピークとして、フェニルプロトンが7-8
ppmに観測された。さらに13C-NMR（図16）においても9
2.46、106.79 ppmにアセチレンカーボンが、120-140ppm
にフェニルカーボンが観測された。以上の結果から構造
を帰属した。
ルエチニル）ベンゼン（22）の合成：炭酸水素ナトリウ
ム20.0g、水200mlを三角フラスコに入れ、塩−氷水で冷
やしながら激しく撹拌しているところに、上記1,4-ビス
（クロロジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（27）の
粗生成物／THF／ジエチルエーテル溶液をゆっくり滴下
した。滴下終了後、ジエチルエーテル／THFで抽出し、
有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留
去して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフにより精製し、1,4-ビス（ヒドロ
キシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（22）を4.00
g(（26）から二段階で収率75%)得た。各種スペクトルを
実施例１と同様に測定し図14〜16に示す。IRスペクトル
（図14）において3350cm-1にブロードなO-H伸縮振動と2
160cm-1付近に２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振
動の吸収がシャープに観測された。また、この際1100cm
-1にはブロードな吸収は見られなかったことから脱水縮
合によるSi-O-Siの生成は生起していないことがわか
る。1H-NMR（図15）でもシラノール基のプロトンが3.00
ppmにブロードなピークとして、フェニルプロトンが7-8
ppmに観測された。さらに13C-NMR（図16）においても9
2.46、106.79 ppmにアセチレンカーボンが、120-140ppm
にフェニルカーボンが観測された。以上の結果から構造
を帰属した。
【０１１６】
【化38】
【０１１７】
【化39】
【０１１８】
【化40】
【０１１９】（実施例５）
1,3-ビス（ヒドロキシジフェニルシリルエチニル）ベン
ゼン（31）の合成 １）1,3-ジエチニルベンゼン（28）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,3-ビス（トリメチルシリ
ルエチニル）ベンゼン40.0g (0.148mol) とTHF200mlを
入れ、水浴で冷却、撹拌しているところに1.4N-メチル
リチウム／ジエチルエーテル溶液265ml(2.3eq,0.370mo
l)を１時間かけて滴下した後、室温で2時間撹拌を続け
た。反応後、水を加えて反応を終了させ、THFで抽出し
た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去して1,3-ジエチニルベンゼン（28）21.0gを得た（定
量的）。下記スペクトルを実施例１と同様に測定し図1
7、18に示す。1H-NMR（図17）においてアセチレン基の
末端プロトンが2.97ppmに、フェニルプロトンが7-8ppm
に観測された。さらに13C-NMR（図18）においても77.9
5、82.52ppmにアセチレンカーボンが、120-140ppmにフ
ェニルカーボンが観測された。以上の結果から構造を帰
属した。
ゼン（31）の合成 １）1,3-ジエチニルベンゼン（28）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,3-ビス（トリメチルシリ
ルエチニル）ベンゼン40.0g (0.148mol) とTHF200mlを
入れ、水浴で冷却、撹拌しているところに1.4N-メチル
リチウム／ジエチルエーテル溶液265ml(2.3eq,0.370mo
l)を１時間かけて滴下した後、室温で2時間撹拌を続け
た。反応後、水を加えて反応を終了させ、THFで抽出し
た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去して1,3-ジエチニルベンゼン（28）21.0gを得た（定
量的）。下記スペクトルを実施例１と同様に測定し図1
7、18に示す。1H-NMR（図17）においてアセチレン基の
末端プロトンが2.97ppmに、フェニルプロトンが7-8ppm
に観測された。さらに13C-NMR（図18）においても77.9
5、82.52ppmにアセチレンカーボンが、120-140ppmにフ
ェニルカーボンが観測された。以上の結果から構造を帰
属した。
【０１２０】２）1,3-ビス（ジフェニルシリルエチニ
ル）ベンゼン（29）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,3-ジエチニルベンゼン
（28）10.0g(0.0794mol)とTHF100mlを入れ、氷浴中、撹
拌しているところに3.0M-エチルマグネシウムブロマイ
ド／ジエチルエーテル溶液60.8ml(2.3eq,0.183mol)を0.
5時間かけて滴下した後、室温で2時間撹拌を続けた。さ
らに、ジフェニルクロロシラン38.9ml=43.5g(2.5eq, 0.
198mol)／THF50ml溶液を氷浴中、0.5時間で滴下し、さ
らに室温で9時間室温で撹拌した。反応後、水を加えて
反応を終了させ、THFで抽出した。有機層を硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して得られた液体に熱
メタノールを加えて撹拌し、しばらく静置して二層に分
かれた上澄み液を除き1,3-ビス（ジフェニルシリルエチ
ニル）ベンゼン（29）を16.8g(43%)得た。各種スペクト
ルを実施例１と同様に測定し図19〜21に示す。IRスペク
トル（図19）においてヒドロシラン特有のSi-H伸縮振動
と２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振動の吸収が2
160cm-1付近に重なってややブロードに観測された。1H-
NMR（図20）でもヒドロシリル基のプロトンが5.30ppm
に、フェニルプロトンが7-8ppmに観測された。さらに13
C-NMR （図21） においても88.40、108.13ppmにアセチ
レンカーボンが、120-140ppmにフェニルカーボンが観測
された。以上の結果から構造を帰属した。
ル）ベンゼン（29）の合成 アルゴン置換した反応容器に1,3-ジエチニルベンゼン
（28）10.0g(0.0794mol)とTHF100mlを入れ、氷浴中、撹
拌しているところに3.0M-エチルマグネシウムブロマイ
ド／ジエチルエーテル溶液60.8ml(2.3eq,0.183mol)を0.
5時間かけて滴下した後、室温で2時間撹拌を続けた。さ
らに、ジフェニルクロロシラン38.9ml=43.5g(2.5eq, 0.
198mol)／THF50ml溶液を氷浴中、0.5時間で滴下し、さ
らに室温で9時間室温で撹拌した。反応後、水を加えて
反応を終了させ、THFで抽出した。有機層を硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して得られた液体に熱
メタノールを加えて撹拌し、しばらく静置して二層に分
かれた上澄み液を除き1,3-ビス（ジフェニルシリルエチ
ニル）ベンゼン（29）を16.8g(43%)得た。各種スペクト
ルを実施例１と同様に測定し図19〜21に示す。IRスペク
トル（図19）においてヒドロシラン特有のSi-H伸縮振動
と２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振動の吸収が2
160cm-1付近に重なってややブロードに観測された。1H-
NMR（図20）でもヒドロシリル基のプロトンが5.30ppm
に、フェニルプロトンが7-8ppmに観測された。さらに13
C-NMR （図21） においても88.40、108.13ppmにアセチ
レンカーボンが、120-140ppmにフェニルカーボンが観測
された。以上の結果から構造を帰属した。
【０１２１】３）1,3-ビス（クロロジフェニルシリルエ
チニル）ベンゼン（30）の合成：アルゴン置換した反応
容器に1,3-ビス（ジフェニルシリルエチニル）ベンゼン
（29）5.00g(0.0102mol)、塩化パラジウム0.00905g(0.0
05eq,0.0000510mol)と四塩化炭素50mlを入れ、85℃で5
時間加熱還流した。反応終了後室温に戻し、溶媒を減圧
留去し、1,3-ビス（クロロジフェニルシリルエチニル）
ベンゼン（30）を得た。各種スペクトルを実施例１と同
様に測定し図22〜24に示す。IRスペクトル（図22）にお
いて２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振動の吸収
が2160cm-1付近にシャープに観測された。1H-NMR（図2
3）でもフェニルプロトンが7-8ppmに観測された。さら
に13C-NMR（図24）においてもアセチレンカーボンが88.
77、108.07ppmに、120-140ppmにフェニルカーボンが観
測された。以上の結果から構造を帰属した。
チニル）ベンゼン（30）の合成：アルゴン置換した反応
容器に1,3-ビス（ジフェニルシリルエチニル）ベンゼン
（29）5.00g(0.0102mol)、塩化パラジウム0.00905g(0.0
05eq,0.0000510mol)と四塩化炭素50mlを入れ、85℃で5
時間加熱還流した。反応終了後室温に戻し、溶媒を減圧
留去し、1,3-ビス（クロロジフェニルシリルエチニル）
ベンゼン（30）を得た。各種スペクトルを実施例１と同
様に測定し図22〜24に示す。IRスペクトル（図22）にお
いて２置換アセチレンのC-C三重結合の伸縮振動の吸収
が2160cm-1付近にシャープに観測された。1H-NMR（図2
3）でもフェニルプロトンが7-8ppmに観測された。さら
に13C-NMR（図24）においてもアセチレンカーボンが88.
77、108.07ppmに、120-140ppmにフェニルカーボンが観
測された。以上の結果から構造を帰属した。
【０１２２】４）1,3-ビス（ヒドロキシジフェニルシリ
ルエチニル）ベンゼン（31）の合成：炭酸水素ナトリウ
ム20.0g、水150mlを三角フラスコに入れ、塩−氷水で冷
やしながら激しく撹拌しているところに、上記1,3-ビス
（クロロジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（30）の
粗生成物／THF／ジエチルエーテル溶液をゆっくり滴下
した。滴下終了後、ジエチルエーテル／THFで抽出し、
有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留
去して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフにより精製し、1,3-ビス（ヒドロ
キシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（31）を3.04
g(（29）より二段階で収率57%)得た。得られた生成物の
各種スペクトルを実施例１と同様に測定し図25〜27に示
す。IRスペクトル（図25）において3350cm-1にブロード
なO-H伸縮振動と2160cm-1付近に２置換アセチレンのC-C
三重結合の伸縮振動の吸収がシャープに観測された。ま
た、この際1100cm-1にはブロードな吸収は見られなかっ
たことから脱水縮合によるSi-O-Siの生成は生起してい
ないことがわかる。1H-NMR（図26）でもシラノール基の
プロトンは明確には観測できなかったが、フェニルプロ
トンが7-8ppmに観測された。さらに13C-NMR（図27）に
おいても91.21、105.94ppmにアセチレンカーボンが、12
0-140ppmにフェニルカーボンが観測された。以上の結果
から構造を帰属した。
ルエチニル）ベンゼン（31）の合成：炭酸水素ナトリウ
ム20.0g、水150mlを三角フラスコに入れ、塩−氷水で冷
やしながら激しく撹拌しているところに、上記1,3-ビス
（クロロジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（30）の
粗生成物／THF／ジエチルエーテル溶液をゆっくり滴下
した。滴下終了後、ジエチルエーテル／THFで抽出し、
有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留
去して粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフにより精製し、1,3-ビス（ヒドロ
キシジフェニルシリルエチニル）ベンゼン（31）を3.04
g(（29）より二段階で収率57%)得た。得られた生成物の
各種スペクトルを実施例１と同様に測定し図25〜27に示
す。IRスペクトル（図25）において3350cm-1にブロード
なO-H伸縮振動と2160cm-1付近に２置換アセチレンのC-C
三重結合の伸縮振動の吸収がシャープに観測された。ま
た、この際1100cm-1にはブロードな吸収は見られなかっ
たことから脱水縮合によるSi-O-Siの生成は生起してい
ないことがわかる。1H-NMR（図26）でもシラノール基の
プロトンは明確には観測できなかったが、フェニルプロ
トンが7-8ppmに観測された。さらに13C-NMR（図27）に
おいても91.21、105.94ppmにアセチレンカーボンが、12
0-140ppmにフェニルカーボンが観測された。以上の結果
から構造を帰属した。
【０１２３】
【化41】
【０１２４】
【化42】
【０１２５】
【化43】
【０１２６】
【化44】
【０１２７】
【発明の効果】本発明のケイ素系化合物の構成は、上記
の通りであるから、光反応性及び耐熱性、難燃性に優れ
ており、航空宇宙材料、建築材料等に好適に用いられ
る。
の通りであるから、光反応性及び耐熱性、難燃性に優れ
ており、航空宇宙材料、建築材料等に好適に用いられ
る。
【図１】実施例１及び２で得られたケイ素系化合物のＩ
Ｒスペクトル図である。
Ｒスペクトル図である。
【図２】実施例１及び２で得られたケイ素系化合物の 1
Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図３】実施例１及び２で得られたケイ素系化合物の13
Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図４】実施例１及び２で得られたケイ素系化合物の29
Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル図である。
Ｓｉ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図５】実施例３で得られたケイ素系化合物のＩＲスペ
クトル図である。
クトル図である。
【図６】実施例３で得られたケイ素系化合物の 1Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル図である。
ＭＲスペクトル図である。
【図７】実施例３で得られたケイ素系化合物の13Ｃ−Ｎ
ＭＲスペクトル図である。
ＭＲスペクトル図である。
【図８】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
ＩＲスペクトル図である。
ＩＲスペクトル図である。
【図９】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図10】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図11】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
ＩＲスペクトル図である。
ＩＲスペクトル図である。
【図12】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図13】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図14】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
ＩＲスペクトル図である。
ＩＲスペクトル図である。
【図15】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図16】実施例４で得られたケイ素系化合物モノマーの
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図17】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図18】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図19】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
ＩＲスペクトル図である。
ＩＲスペクトル図である。
【図20】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図21】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図22】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
ＩＲスペクトル図である。
ＩＲスペクトル図である。
【図23】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図24】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図25】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
ＩＲスペクトル図である。
ＩＲスペクトル図である。
【図26】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
1Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
【図27】実施例５で得られたケイ素系化合物モノマーの
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
13Ｃ−ＮＭＲスペクトル図である。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−92257（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−179909（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−34923（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−220201（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−345825（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−9786（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−102069（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−90085（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−216093（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−304875（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−214106（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−126394（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−48784（ＪＰ，Ａ)
仏国特許出願公開2728572（ＦＲ，Ａ
１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C08G 77/00 - 77/62
C07F 7/08
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (10)
- 【請求項１】一般式（１）で表される構造を構成単位と
し、かつ重量平均分子量が５００以上であることを特徴
とするケイ素系化合物。 【化１】 （式中、Ｒ1 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基ま
たは炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一であって
も異なっていてもよい。ａは１〜１９の整数を示す） - 【請求項２】一般式（２）で表されるジエチニルベンゼ
ン誘導体を脱水縮合または加水分解、縮合させることを
特徴とする請求項１記載のケイ素系化合物の製造方法。 【化２】 （式中、Ｒ1 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基ま
たは炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一であって
も異なっていてもよい。Ｚはヒドロキシ基、アルコキシ
基及びハロゲン原子からなる群より選ばれる脱離基を示
し、同一であっても異なっていてもよい。ｂ、ｃは０〜
１８の整数で、かつ（ｂ＋ｃ）は０〜１８を示す） - 【請求項３】一般式（３）で表されるジエチニルベンゼ
ン誘導体と一般式（４）で表されるシロキサン誘導体を
重縮合させることを特徴とする請求項１記載のケイ素系
化合物の製造方法。 【化３】 【化４】 （式中、Ｒ1 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2 、Ｒ3 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキ
ル基または炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一で
あっても異なっていてもよい。ｄ、ｅ、ｆは０〜１６の
整数で、かつ（ｄ＋ｅ＋ｆ）は０〜１６を示す。Ｚ1 は
ジアルキルアミノ基及びアセトアミド基からなる群より
選ばれる脱離基を示す） - 【請求項４】一般式（５）で表されるジエチニルベンゼ
ン誘導体と一般式（６）で表されるシロキサン誘導体を
重縮合させることを特徴とする請求項１記載のケイ素系
化合物の製造方法。 【化５】 【化６】 （式中、Ｒ1 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2 、Ｒ 3 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキ
ル基または炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一で
あっても異なっていてもよい。ｇ、ｈ、ｉは０〜１６の
整数で、かつ（ｇ＋ｈ＋ｉ）は０〜１６を示す。Ｚ1 は
ジアルキルアミノ基及びアセトアミド基からなる群より
選ばれる脱離基を示す） - 【請求項５】一般式（７）で表されるシロキサン誘導体
を重縮合させることを特徴とする請求項１記載のケイ素
系化合物の製造方法。 【化７】 （式中、Ｒ1 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2 、Ｒ3 は水素原子、炭素数１〜２０のアルキ
ル基または炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一で
あっても異なっていてもよい。ｊ、ｋは０〜１８の整数
で、かつ（ｊ＋ｋ）は０〜１８を示す。Ｚ1 はジアルキ
ルアミノ基及びアセトアミド基からなる群より選ばれる
脱離基を示す） - 【請求項６】一般式（８）で表されるジエチニルベンゼ
ン誘導体と一般式（９）で表されるメタル化剤とを反応
させた後、一般式（10）で表されるシロキサン誘導体と
重縮合反応させることを特徴とする請求項１記載のケイ
素系化合物の製造方法。 【化８】 【化９】 【化10】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2、Ｒ3は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル
基または炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一であ
っても異なっていてもよい。Ｙは水素原子またはＲ2 3Ｓ
ｉで表されるシリル基を示す。ＭはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍ
ｇＸ、ＣａＸ、ＣｕＸ等の金属原子および金属ハライド
を示す。ｌは０〜１８の整数を示す。ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂ
ｒまたはＩ等のハロゲン原子及びアルコキシ基を示す） - 【請求項７】重縮合反応させる際に、ハロゲン化リチウ
ム、アミン系多座配位子及びクラウンエーテルのうち少
なくとも１種の添加剤を添加することを特徴とする請求
項６記載のケイ素系化合物の製造方法。 - 【請求項８】一般式（11）で表されるジハロベンゼン誘
導体と一般式（12）で表されるシロキサン誘導体を遷移
金属触媒存在下で重縮合反応させることを特徴とする請
求項１記載のケイ素系化合物の製造方法。 【化11】 【化12】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基ま
たは炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一であって
も異なっていてもよい。ｍは０〜１８の整数を示す。Ｘ
はＦ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ等のハロゲン原子を示す） - 【請求項９】一般式（13）で表されるエチニル基含有ハ
ロベンゼン誘導体を遷移金属触媒存在下で重縮合反応さ
せることを特徴とする請求項１記載のケイ素系化合物の
製造方法。 【化13】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基ま
たは炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一であって
も異なっていてもよい。ｎは０〜１８の整数を示す。Ｘ
はＦ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩ等のハロゲン原子を示す） - 【請求項10】一般式（14）で表されるケイ素化合物。 【化14】 （式中、Ｒ1は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基
または炭素数６〜１２のアリール基またはＲ2 3Ｓｉで表
されるシリル基を示し、同一であっても異なっていても
よい。Ｒ2は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基ま
たは炭素数６〜１２のアリール基を示し、同一であって
も異なっていてもよい。ｐ、ｑは０〜１８の整数で、か
つ（ｐ＋ｑ）は０〜１８を示す）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29469394A JP3468598B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ケイ素系化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29469394A JP3468598B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ケイ素系化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08151447A JPH08151447A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3468598B2 true JP3468598B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=17811090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29469394A Expired - Fee Related JP3468598B2 (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | ケイ素系化合物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3468598B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2798662B1 (fr) * | 1999-09-16 | 2002-01-18 | Commissariat Energie Atomique | Poly (ethynylene phenylene ethynylene silylenes) et leurs procedes de preparation |
| DE10319301A1 (de) * | 2003-04-29 | 2004-09-16 | Wacker-Chemie Gmbh | Kohlenwasserstoff-Polysiloxan-Copolymere sowie deren Verwendung in vernetzbaren Massen |
| CN104870524B (zh) | 2012-12-20 | 2017-07-11 | 信越化学工业株式会社 | 烷氧基硅烷基‑亚乙基末端有机硅氧烷聚合物的制造方法、室温固化性组合物及其固化物 |
-
1994
- 1994-11-29 JP JP29469394A patent/JP3468598B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08151447A (ja) | 1996-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5931533B2 (ja) | アルケニル基及びＳｉの結合された水素を有するオルガノポリシロキサンを基礎とする物質の架橋方法 | |
| JP2979145B1 (ja) | 新型含シルセスキオキサンポリマー及びその製造方法 | |
| JP3468598B2 (ja) | ケイ素系化合物及びその製造方法 | |
| JPH0616813A (ja) | フルオロシリコ−ンポリマ−およびその製造方法 | |
| US5420238A (en) | Poly(silyleneethynylene phenyleneethynylenes), method for preparing same and hardened product thereof | |
| JP3459985B2 (ja) | ボラジン含有ケイ素系ポリマーの薄膜の製造方法及びボラジン含有ケイ素ポリマー | |
| CN114502618B (zh) | 用于由氢化硅化合物制备硅氧烷的方法 | |
| Hengge | New ways to polysilanes | |
| JP2011153213A (ja) | かご型シルセスキオキサン化合物の製造方法 | |
| JP2884074B2 (ja) | 新規含シルセスキオキサンポリマーとその製造法および耐熱性素材 | |
| CN104470935A (zh) | 氧杂环硅烷及其制备方法 | |
| JPH064698B2 (ja) | ジメチルフエニルシリルメチルポリシランおよびその製造法 | |
| JP3468584B2 (ja) | ケイ素系高分子化合物及びその製造方法 | |
| JP4276805B2 (ja) | 新規シラザン化合物及びその製造方法、並びに新規シラザン化合物重合体及びその製造方法 | |
| JPH07224156A (ja) | ケイ素系化合物及びその製造方法 | |
| JP3908509B2 (ja) | ゲルマニウム原子ならびにシリコン原子含有ラダー型耐熱性樹脂およびその製造方法 | |
| JPH06128381A (ja) | 高分子量ポリシランの製造法 | |
| TWI393733B (zh) | Polysilane and its manufacturing method | |
| JPH0521140B2 (ja) | ||
| JP6844384B2 (ja) | 液状ケイ素化合物及びその製造方法 | |
| JPH09143268A (ja) | ケイ素系重合体及びその製造方法 | |
| JP3567250B2 (ja) | 芳香族ポリカルボシラン類 | |
| JP4771737B2 (ja) | ポリビニルエーテル部分とオルガノポリシロキサン部分とを有するポリマーの製造方法 | |
| KR101631132B1 (ko) | 새로운 (트리유기실릴)알킨 및 그 유도체 그리고 새롭고 종래의 치환된 (트리유기실릴)알킨 및 그 유도체를 수득하기 위한 새로운 촉매 방법 | |
| JP3468680B2 (ja) | カルボラン含有ケイ素系重合体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070905 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080905 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090905 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |