JP3467615B2 - Electronic component and method of manufacturing the same - Google Patents
Electronic component and method of manufacturing the sameInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品に関し、
更に詳しくは、インダクタ(L)、キャパシタ(C)、
電気抵抗(R)素子、薄膜EMIフィルタ、コモンモー
ドチョークコイル、カレントセンサ、信号用トランス、
及びこれらを一つの部品に構成した複合電子部品等の表
面実装部品、若しくはリード部品である電子部品に関す
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an electronic component,
More specifically, the inductor (L), the capacitor (C),
Electric resistance (R) element, thin film EMI filter, common mode choke coil, current sensor, signal transformer,
Also, the present invention relates to an electronic component that is a surface mount component such as a composite electronic component or a lead component in which these components are configured as one component.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、LCR素子、薄膜EMIフィル
タ、コモンモードチョークコイル、カレントセンサ、信
号用トランス等の表面実装部品が知られている。特に、
チップ型電子部品は、図7に示すように、セラミック基
板41上に、ポリイミド樹脂からなる絶縁樹脂層42
a,42b,42c,42dと、スパッタ法によって形
成されたTi、Ti−Ag、Agからなる1次導体層4
3a−1,43a−2,43a−3,43a−4と、2
次導体層43b−1,43b−2,43b−3とを交互
に積層させて積層体44を形成し、最上部の導体層43
a−4の端部を、露出させて電子部品本体48を形成し
ている。2. Description of the Related Art Surface mount components such as LCR elements, thin film EMI filters, common mode choke coils, current sensors and signal transformers have been known. In particular,
As shown in FIG. 7, the chip-type electronic component has an insulating resin layer 42 made of polyimide resin on a ceramic substrate 41.
a, 42b, 42c, 42d and a primary conductor layer 4 made of Ti, Ti-Ag, Ag formed by a sputtering method.
3a-1, 43a-2, 43a-3, 43a-4 and 2
Next conductor layers 43b-1, 43b-2, 43b-3 are alternately laminated to form a laminated body 44, and the uppermost conductor layer 43 is formed.
The end of a-4 is exposed to form the electronic component body 48.
【0003】更に、導体パターン43a−4の端部に接
続するように電子部品本体48の上面側縁部から、側面
を介して下面側縁部に至る外部電極端子部45を形成
し、以上により電子部品を構成している。Further, the external electrode terminal portion 45 is formed so as to be connected to the end portion of the conductor pattern 43a-4 from the upper surface side edge portion of the electronic component main body 48 to the lower surface side edge portion through the side surface. It constitutes an electronic component.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特に小
型化が著しいチップ型電子部品は、セラミック基板上に
絶縁樹脂層と導体層とを交互に積層して構成する場合、
面積にかなりの制約があるために、各導体層の導体パタ
ーンは、狭ピッチで形成せざるを得なくなってしまい、
同一層内に形成される電気的に同極な導体パターン間の
距離46のみならず、電気的に異極な導体パターン43
a−2′と導体パターン43b−2′間の絶縁距離47
も同様に狭ピッチ化せざるを得なかった。However, in the case of a chip type electronic component which is particularly remarkably miniaturized, when an insulating resin layer and a conductor layer are alternately laminated on a ceramic substrate,
Since the area is considerably limited, the conductor pattern of each conductor layer has to be formed at a narrow pitch,
Not only the distance 46 between the electrically conductive patterns having the same polarity but also the electrically different conductive patterns 43 formed in the same layer.
Insulation distance 47 between a-2 'and conductor pattern 43b-2'
Similarly, there was no choice but to narrow the pitch.
【0005】その結果、積層界面から水分や湿気が浸入
した場合、異極導体間の絶縁抵抗が劣化し、特性を変化
させたり、著しい場合その劣化は、異極導体間ショート
を引き起こした。As a result, when moisture or moisture penetrates from the laminated interface, the insulation resistance between the different-pole conductors deteriorates, and the characteristics change, or significantly, the deterioration causes short-circuiting between the different-pole conductors.
【0006】そこで、本発明の技術課題は、製造が容易
であると共に、安定で、しかも高精度な導体形成技術を
用いることにより、同極導体間の距離を更に狭小化する
事で、異極導体間の絶縁距離が拡大でき、所望する特性
を備えた信頼性の高い電子部品を提供することにある。Therefore, the technical problem of the present invention is to make the distance between the same-polarity conductors smaller by using a conductor forming technique which is easy to manufacture and is stable and highly accurate. An object of the present invention is to provide a highly reliable electronic component having desired characteristics, in which the insulation distance between conductors can be expanded.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁基
板と、該絶縁基板上に複数の絶縁樹脂と複数の導体層と
を交互に積層して成る積層体と、前記積層体の側面から
前記絶縁基板の側面に亙って形成され、前記導体層に接
続された外部電極端子部とを含む電子部品において、前
記導体層の同一層内に形成される電気的に異極な導体パ
ターン間の距離が、電気的に同極な導体パターン間の距
離よりも、少なくとも2倍以上あることを特徴とする電
子部品が得られる。According to the present invention, an insulating substrate, a laminate formed by alternately laminating a plurality of insulating resins and a plurality of conductor layers on the insulating substrate, and a side surface of the laminate. To an electrically conductive pattern formed in the same layer of the conductor layer in an electronic component including an external electrode terminal portion connected to the conductor layer, the conductor pattern being formed over the side surface of the insulating substrate. An electronic component is obtained in which the distance between them is at least twice as large as the distance between electrically conductive patterns having the same polarity.
【0008】また、本発明によれば、前記絶縁樹脂層の
内少なくとも一層は、実質的にベンゾシクロブテンから
成ることを特徴とする電子部品が得られる。Further, according to the present invention, there can be obtained an electronic component characterized in that at least one of the insulating resin layers is substantially made of benzocyclobutene.
【0009】また、本発明によれば、前記導体層は、導
電金属膜からなる下地層と該下地層上に電解めっきによ
って形成されたCuメッキ層とで構成されていることを
特徴とす電子部品が得られる。Further, according to the present invention, the conductor layer is composed of a base layer made of a conductive metal film and a Cu plating layer formed on the base layer by electrolytic plating. Parts are obtained.
【0010】また、本発明によれば、前記下地層は、ス
パッタにより形成されたTi又はCr膜からなることを
特徴とする電子部品が得られる。Further, according to the present invention, there can be obtained an electronic component in which the underlayer is made of a Ti or Cr film formed by sputtering.
【0011】また、本発明によれば、前記電子部品を製
造する方法であって、前記導体層を形成するためのレジ
ストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
該レジストパターン形成工程終了後、前記レジストパタ
ーン間に前記導体層を形成する導体層形成工程と、該導
体層形成工程終了後、前記レジストパターンを剥離して
導体パターンを露出させるレジストパターン剥離工程と
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法が得られ
る。Further, according to the present invention, there is provided a method of manufacturing the electronic component, comprising a resist pattern forming step of forming a resist pattern for forming the conductor layer,
A conductor layer forming step of forming the conductor layer between the resist patterns after the resist pattern forming step, and a resist pattern peeling step of peeling the resist pattern to expose the conductor pattern after the conductor layer forming step. A method of manufacturing an electronic component is obtained which includes:
【0012】更に、本発明によれば、前記レジストパタ
ーン形成工程において、前記レジストパターンが導電金
属膜からなる下地層の上に形成され、前記レジストパタ
ーン剥離工程終了後、前記導体パターンをマスクとして
前記下地層をエッチングする下地層エッチング工程を有
することを特徴とする電子部品の製造方法が得られる。Further, according to the present invention, in the resist pattern forming step, the resist pattern is formed on an underlayer made of a conductive metal film, and after the resist pattern peeling step is completed, the conductor pattern is used as a mask. There is provided a method for manufacturing an electronic component, which has an underlayer etching step of etching an underlayer.
【0013】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0014】図1は本発明の第1の実施形態による電子
部品を示す斜視図、図2は図1に示す電子部品の積層体
を構成する絶縁樹脂層及び導体層の各層を模式的に分離
して示した斜視図である。図3は図1に示すa面での断
面図である。本実施形態の電子部品21は、ローパスフ
ィルタとして具現化したものである。FIG. 1 is a perspective view showing an electronic component according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view showing respective layers of an insulating resin layer and a conductor layer constituting a laminate of the electronic component shown in FIG. It is the perspective view shown. FIG. 3 is a sectional view taken along plane a shown in FIG. The electronic component 21 of this embodiment is embodied as a low pass filter.
【0015】図1を参照して、電子部品10は、電子部
品本体21と、この電子部品本体21の両端面及び側面
の一部を覆うように形成された外部電極端子部22とを
有している。Referring to FIG. 1, the electronic component 10 has an electronic component main body 21 and an external electrode terminal portion 22 formed so as to cover both end faces and part of the side faces of the electronic component main body 21. ing.
【0016】図2を参照して、電子部品本体21は、セ
ラミック基板1と、セラミック基板上に形成された積層
体3とから成る。積層体3は、以下のようにして形成さ
れる。先ず、セラミック基板1上に、第1の絶縁層であ
る絶縁樹脂層12aを形成する。次に、この絶縁樹脂層
12a上に第1の導体層である第1次導体層13a−1
と第2次導体層13b−1を形成する。次に、これらの
導体層13a−1,13b−1を覆うように第2の絶縁
層である絶縁樹脂層12bを形成する。次に、第1の導
体層と同様に、絶縁樹脂層12b上に第2の導体層であ
る第1次導体層13a−2と第2次導体層13b−2を
形成する。以下、同様に絶縁樹脂層12c,12dと第
1次及び第2次導体層13a−3,13b−3,13a
−4,13b−4とを交互に積層する事によって積層体
3が形成されている。ここで、図3から明らかなよう
に、電気的に異極な1次導体層13a−2の導体パター
ン13a−2′と2次導体層13b−2の導体パターン
13b−2′との間隔25は、電気的に同極な導体パタ
ーン間隔23と比較して2倍以上としてある。尚、図2
に示すように、第2次導体層13b−3の代わりに導体
層13b′−3を用いることができる。Referring to FIG. 2, the electronic component body 21 comprises a ceramic substrate 1 and a laminated body 3 formed on the ceramic substrate. The laminated body 3 is formed as follows. First, the insulating resin layer 12a that is the first insulating layer is formed on the ceramic substrate 1. Next, on the insulating resin layer 12a, the primary conductor layer 13a-1 which is the first conductor layer is formed.
And a second conductor layer 13b-1 is formed. Next, an insulating resin layer 12b which is a second insulating layer is formed so as to cover these conductor layers 13a-1 and 13b-1. Next, similarly to the first conductor layer, the first conductor layer 13a-2 and the second conductor layer 13b-2, which are the second conductor layers, are formed on the insulating resin layer 12b. Hereinafter, similarly, the insulating resin layers 12c and 12d and the primary and secondary conductor layers 13a-3, 13b-3, 13a are similarly formed.
The laminated body 3 is formed by alternately laminating -4 and 13b-4. Here, as is apparent from FIG. 3, the gap 25 between the conductor pattern 13a-2 'of the primary conductor layer 13a-2 and the conductor pattern 13b-2' of the secondary conductor layer 13b-2, which are electrically different in polarity, from each other. Is more than twice as large as the electrically conductive pattern spacing 23. Incidentally, FIG.
As shown in, the conductor layer 13b'-3 can be used instead of the secondary conductor layer 13b-3.
【0017】外部電極端子部22を形成する工程につい
ては、先ず、図3に示すように、電子部品本体21の上
面側縁部には、第4の導体層である1次導体層(特にこ
の部分を「引出電極部」という)13a−4が露出した
形となっているが、この引出電極部13a−4に接続す
るようにセラミック基板1と積層体3の側面にNi粉を
含むエポキシ樹脂等からなるNi導電ペーストを塗布し
て熱硬化させてNi導体ペースト熱硬化膜26を形成し
た。次に、電解バレルめっき法にてNiメッキ膜を下地
層22aとしてNi導電ペースト熱硬化膜26上に形成
した。ここで、Niは、耐電解マイグレーションに優れ
ており、半田等が引き出しへ拡散することを防止する。
最後に、この下地層22a上に、半田浴からそれぞれ電
解パレルめっきによって、外部接続膜として半田メッキ
膜22bを形成した。As for the step of forming the external electrode terminal portion 22, first, as shown in FIG. 3, a primary conductor layer (particularly this The part is referred to as an "extracting electrode part" 13a-4 is exposed. An epoxy resin containing Ni powder on the side surfaces of the ceramic substrate 1 and the laminate 3 so as to be connected to the extracting electrode part 13a-4. A Ni conductive paste thermosetting film 26 was formed by applying a Ni conductive paste made of, for example, and thermally curing it. Next, a Ni plating film was formed on the Ni conductive paste thermosetting film 26 as the base layer 22a by electrolytic barrel plating. Here, Ni is excellent in electrolytic migration resistance, and prevents solder or the like from diffusing into the drawer.
Finally, a solder plating film 22b as an external connection film was formed on the base layer 22a by electrolytic parel plating from a solder bath.
【0018】図4乃至図6は図1に示す各絶縁樹脂層及
び各導体層を形成する方法を模式的に示した図である。4 to 6 are schematic views showing a method of forming each insulating resin layer and each conductor layer shown in FIG.
【0019】図4を参照して、セラミック基板(図示せ
ず)をアセトン、メタノール等で洗浄した後、必要な
ら、逆スパッタを行って洗浄し、このセラミック基板上
に絶縁樹脂層12aを形成し、その上に、スパッタ法に
よって、Ti膜及びその上に形成したCu膜からなる下
地層31をスパッタ形成する。図4(b)は下地層31
を一面に形成した絶縁樹脂層12aを示している。図4
(b)において、Ti膜は、厚さ0.05μm、Cu膜
は、厚さ0.25〜0.3μmである。Referring to FIG. 4, a ceramic substrate (not shown) is washed with acetone, methanol or the like, and if necessary, reverse sputtering is performed to wash, and an insulating resin layer 12a is formed on this ceramic substrate. Then, a base layer 31 made of a Ti film and a Cu film formed thereon is sputtered thereon by a sputtering method. FIG. 4B shows the underlayer 31.
The insulating resin layer 12a formed on one surface is shown. Figure 4
In (b), the Ti film has a thickness of 0.05 μm, and the Cu film has a thickness of 0.25 to 0.3 μm.
【0020】次に図4(c)に示すように、レジスト3
2を塗布した後、図4(d)に示すように、フォトリソ
グラフィを用いて、レジスト用マスク33を介して、露
光し、現像して、図5(a)に示すレジストパターン3
2′を得る。Next, as shown in FIG. 4C, the resist 3
After applying 2, the resist pattern 3 shown in FIG. 5A is exposed and developed through the resist mask 33 using photolithography as shown in FIG. 4D.
Get 2 '.
【0021】次に、図5(a)に示すものをH2 SO4
で表面処理した後、図5(b)に示すように、電解Cu
めっきによって、電解Cuメッキ層34を得る。Next, as shown in FIG. 5 (a), H 2 SO 4
After surface treatment with Cu, as shown in FIG.
The electrolytic Cu plated layer 34 is obtained by plating.
【0022】次に、レジストパターン32′を剥離し
て、図5(c)に示す形状の中間導体パターン35を得
る。Next, the resist pattern 32 'is peeled off to obtain an intermediate conductor pattern 35 having the shape shown in FIG. 5 (c).
【0023】次に、図5(c)に示す中間導体パターン
35に対してウェットエッチング(ドライエッチングで
も可)を行い、電解Cuメッキ層34の間に露出してい
る下地層31の部分を除去し、HClで洗浄して図5
(d)に示すように、絶縁樹脂層12a上に形成された
導体パターン13a−1′を得る。尚、エッチングによ
って、電解Cuメッキ層34の上面も若干エッチングさ
れるが、下地層31よりも厚いので、導体パターンが失
われることはない。Next, the intermediate conductor pattern 35 shown in FIG. 5C is subjected to wet etching (or dry etching is possible) to remove the portion of the base layer 31 exposed between the electrolytic Cu plating layers 34. And then washed with HCl, as shown in FIG.
As shown in (d), a conductor pattern 13a-1 'formed on the insulating resin layer 12a is obtained. Although the upper surface of the electrolytic Cu plating layer 34 is slightly etched by the etching, the conductive pattern is not lost because it is thicker than the base layer 31.
【0024】得られた導体層13a−1は、下地層3
1′のパターンと、電解Cuメッキ層34のパターンと
からなり、厚さ約3〜5μm、パターン幅約30μm
で、洗浄、フォトリソグラフィ、エッチング、洗浄工程
等において、製作プロセス中に不具合は発生しなかっ
た。The obtained conductor layer 13a-1 is the underlayer 3
The pattern of 1'and the pattern of the electrolytic Cu plating layer 34 have a thickness of about 3 to 5 μm and a pattern width of about 30 μm.
In the cleaning, photolithography, etching, cleaning process, etc., no defect occurred during the manufacturing process.
【0025】図6は樹脂絶縁層を形成する方法を模式的
に示す図である。図6を参照して、図5(d)に示す絶
縁樹脂層12a上に形成された導体層13a−1を覆う
ように、図6(a)に示すように、スピンコーティング
によって、紫外線感光性のベンゾシクロブテン(BC
B)樹脂を塗布して、絶縁樹脂層36を形成する。次
に、図6(b)に示すように、フォトリソグラフィを用
い、絶縁樹脂用マスク37を介して露光して、図6
(c)に示すように、絶縁樹脂層36に貫通孔38を形
成する。尚、貫通孔38は、絶縁樹脂層36の上面に形
成される導体と電気的コンタクトを得るためのものであ
るから、全ての導体パターン13a−1′上に設ける必
要のないことは言うまでもない。FIG. 6 is a diagram schematically showing a method of forming a resin insulating layer. Referring to FIG. 6, as shown in FIG. 6 (a), UV photosensitivity is applied by spin coating so as to cover conductor layer 13a-1 formed on insulating resin layer 12a shown in FIG. 5 (d). Benzocyclobutene (BC
B) A resin is applied to form the insulating resin layer 36. Next, as shown in FIG. 6B, photolithography is used to perform exposure through the insulating resin mask 37, and then, as shown in FIG.
As shown in (c), a through hole 38 is formed in the insulating resin layer 36. It is needless to say that the through hole 38 is not required to be provided on all the conductor patterns 13a-1 'because it is for obtaining electrical contact with the conductor formed on the upper surface of the insulating resin layer 36.
【0026】次に、窒素雰囲気中で190℃、60分ハ
ーフキュアすることで、図6(d)に示す絶縁樹脂層1
2bを得る。Next, by half-curing at 190 ° C. for 60 minutes in a nitrogen atmosphere, the insulating resin layer 1 shown in FIG.
You get 2b.
【0027】以上の工程を繰り返すことによって、図1
に示す電子部品本体21が得られる。By repeating the above steps, FIG.
The electronic component body 21 shown in is obtained.
【0028】また、図2及び図3における他の導体層1
3a−2,13a−3,13a−4,13b−1,13
b−2,13b−3,13b−4も、図4及び図5に示
した工程と同様にして得られる。また、絶縁樹脂層12
b,12c,12dも、図6に示した工程と同様にして
得られる。Further, another conductor layer 1 shown in FIGS. 2 and 3 is used.
3a-2, 13a-3, 13a-4, 13b-1, 13
b-2, 13b-3 and 13b-4 are also obtained in the same manner as the steps shown in FIGS. In addition, the insulating resin layer 12
b, 12c and 12d are also obtained in the same manner as the process shown in FIG.
【0029】尚、本実施形態においては、電子部品とし
てローパスフィルタを例示したが、本発明は、コモンモ
ードチョークコイル、トランス、カレントセンサ、LC
R回路素子等にも適用できることは明白である。In this embodiment, the low-pass filter is exemplified as the electronic component, but the present invention is a common mode choke coil, transformer, current sensor, LC.
Obviously, it can also be applied to R circuit elements and the like.
【0030】[0030]
【実施例】上述の実施形態において、セラミック基板1
として、快削性を有するセラミックであるマセライト
(三井鉱山マテリアル社登録商標)を用いている。EXAMPLES In the above embodiment, the ceramic substrate 1
As the material, macerite (registered trademark of Mitsui Mining Materials Co., Ltd.), which is a free-cutting ceramic, is used.
【0031】また、絶縁樹脂層12a,12b,12
c,12dは、平坦化が容易であり、且つ紫外線感光性
のベンゾシクロブテン樹脂(BCB)を用いている。
尚、絶縁樹脂層として、BCBを用いることによって、
絶縁樹脂層の平坦性が良好に確保されるので、表面が凹
凸なく平坦な積層体を得ることができ、電気的特性が良
好となる。Insulating resin layers 12a, 12b, 12
For c and 12d, a benzocyclobutene resin (BCB) that is easy to flatten and is photosensitive to ultraviolet rays is used.
By using BCB as the insulating resin layer,
Since the flatness of the insulating resin layer is well ensured, it is possible to obtain a laminated body having a flat surface without unevenness, and the electrical characteristics are improved.
【0032】また、導体層13a−1,13a−2,1
3a−3,13a−4,13b−1,13b−2,13
b−3,13b−4として、Ti膜又はTi膜上にCu
膜をスパッタ形成し、更に、電解Cuめっきによって形
成した電解Cuめっき膜を使用している。Further, the conductor layers 13a-1, 13a-2, 1
3a-3, 13a-4, 13b-1, 13b-2, 13
b-3, 13b-4, a Ti film or Cu on the Ti film
A film is formed by sputtering, and an electrolytic Cu plating film formed by electrolytic Cu plating is used.
【0033】[0033]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の電子部
品は、導体層の同一層内に形成される電気的に異極な導
体パターン間の距離を、電気的に同極な導体パターン間
の距離よりも、少なくとも2倍以上としたので、特性の
変化や、異極導体間でのショートを確実に防止すること
ができる。As described above, in the electronic component of the present invention, the distance between the electrically different conductor patterns formed in the same conductor layer is determined by the distance between the electrically same conductor patterns. Since the distance is at least twice as large as the distance between them, it is possible to reliably prevent a change in characteristics and a short circuit between different-polarity conductors.
【0034】また、本発明の電子部品の製造方法では、
先ず、レジストパターンを形成し、このレジストパター
ン間に導体層を形成し、その後、レジストパターンを剥
離させて導体パターンを形成するように成っているの
で、製造が容易であると共に、安定で、しかも高精度な
導体層を形成することができ、この高精度な導体形成技
術により、同極導体間の距離を更に狭小化し、これに伴
って異極導体間の絶縁距離を拡大することができ、この
結果、所望する特性を備えた信頼性の高い電子部品を提
供することができる。In the method of manufacturing an electronic component of the present invention,
First, a resist pattern is formed, a conductor layer is formed between the resist patterns, and then the resist pattern is peeled off to form the conductor pattern. Therefore, the manufacturing is easy, stable, and It is possible to form a highly accurate conductor layer, and by this highly accurate conductor forming technology, the distance between the same-polarity conductors can be further narrowed, and the insulation distance between different-polarity conductors can be expanded accordingly. As a result, it is possible to provide a highly reliable electronic component having desired characteristics.
【図1】本発明の実施の形態による電子部品を示す斜視
図である。FIG. 1 is a perspective view showing an electronic component according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す電子部品の積層体を構成する絶縁樹
脂層及び導体層の各層を模式的に分離して示した斜視図
である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing each layer of an insulating resin layer and a conductor layer that form a laminate of the electronic component shown in FIG.
【図3】図1に示すa面での断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along plane a shown in FIG.
【図4】図1に示す電子部品の導体層を形成する工程を
模式的に示す断面図である。4 is a cross-sectional view schematically showing a step of forming a conductor layer of the electronic component shown in FIG.
【図5】図4に引き続き導体層を形成する工程を模式的
に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view that schematically shows the step of forming a conductor layer following FIG.
【図6】図1に示す電子部品の導体層の上に絶縁樹脂層
を形成する工程を模式的に示す断面図である。6 is a cross-sectional view schematically showing a step of forming an insulating resin layer on the conductor layer of the electronic component shown in FIG.
【図7】従来の電子部品の一例の要部の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a main part of an example of a conventional electronic component.
1 セラミック基板 3 積層体 10 電子部品 12a 絶縁樹脂層 12b 絶縁樹脂層 12c 絶縁樹脂層 12d 絶縁樹脂層 13a−1 1次導体層 13a−2 1次導体層 13a−3 1次導体層 13a−4 1次導体層 13b−1 2次導体層 13b−2 2次導体層 13b−3 2次導体層 13b−4 2次導体層 21 電子部品本体 22 外部電極端子部 22a 下地層 22b 半田メッキ膜 23 同極導体パターン間距離 25 異極導体パターン間絶縁距離 26 Ni導電ペースト熱硬化膜 31 下地層 32 レジスト 33 レジスト用マスク 34 電解Cuメッキ層 35 中間導体パターン 36 絶縁樹脂層 37 絶縁樹脂用マスク 38 貫通孔 1 Ceramic substrate 3 laminate 10 electronic components 12a Insulating resin layer 12b Insulating resin layer 12c Insulating resin layer 12d Insulating resin layer 13a-1 primary conductor layer 13a-2 primary conductor layer 13a-3 Primary conductor layer 13a-4 primary conductor layer 13b-1 Secondary conductor layer 13b-2 Secondary conductor layer 13b-3 Secondary conductor layer 13b-4 secondary conductor layer 21 Electronic component body 22 External electrode terminal 22a Underlayer 22b Solder plating film 23 Distance between homopolar conductor patterns 25 Insulation distance between different pole conductor patterns 26 Ni conductive paste thermosetting film 31 Underlayer 32 resist 33 Mask for resist 34 Electrolytic Cu plating layer 35 Intermediate conductor pattern 36 Insulating resin layer 37 Mask for insulating resin 38 through hole
Claims (6)
樹脂と複数の導体層とを交互に積層して成る積層体と、
前記積層体の側面から前記絶縁基板の側面に亙って形成
され、前記導体層に接続された外部電極端子部とを含む
電子部品において、 前記導体層の同一層内に形成される電気的に異極な導体
パターン間の距離が、電気的に同極な導体パターン間の
距離よりも、少なくとも2倍以上あることを特徴とする
電子部品。1. An insulating substrate, and a laminate formed by alternately laminating a plurality of insulating resins and a plurality of conductor layers on the insulating substrate,
In an electronic component including an external electrode terminal portion that is formed from a side surface of the laminated body to a side surface of the insulating substrate and that is electrically connected to the conductor layer, electrically formed in the same layer of the conductor layer. An electronic component, wherein a distance between conductor patterns having different polarities is at least twice as large as a distance between conductor patterns having electrically same polarity.
実質的にベンゾシクロブテンから成ることを特徴とする
請求項1記載の電子部品。2. At least one of the insulating resin layers is
The electronic component according to claim 1, which is substantially composed of benzocyclobutene.
層と該下地層上に電解めっきによって形成されたCuメ
ッキ層とで構成されていることを特徴とする請求項1又
は2記載の電子部品。3. The conductor layer according to claim 1, wherein the conductor layer is composed of an underlayer made of a conductive metal film and a Cu plating layer formed on the underlayer by electrolytic plating. Electronic components.
たTi又はCr膜からなることを特徴とする請求項1乃
至3のいずれか一つの請求項に記載の電子部品。4. The electronic component according to claim 1, wherein the underlayer is made of a Ti or Cr film formed by sputtering.
であって、前記導体層を形成するためのレジストパター
ンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジスト
パターン形成工程終了後、前記レジストパターン間に前
記導体層を形成する導体層形成工程と、該導体層形成工
程終了後、前記レジストパターンを剥離して導体パター
ンを露出させるレジストパターン剥離工程とを含むこと
を特徴とする電子部品の製造方法。5. The method of manufacturing an electronic component according to claim 1, wherein a resist pattern forming step of forming a resist pattern for forming the conductor layer, and the resist pattern forming step after the resist pattern forming step are completed. Manufacturing of an electronic component comprising: a conductor layer forming step of forming the conductor layer therebetween; and a resist pattern peeling step of peeling the resist pattern to expose the conductor pattern after the conductor layer forming step is completed. Method.
て、前記レジストパターンが導電金属膜からなる下地層
の上に形成され、前記レジストパターン剥離工程終了
後、前記導体パターンをマスクとして前記下地層をエッ
チングする下地層エッチング工程を有することを特徴と
する請求項5記載の電子部品の製造方法。6. In the resist pattern forming step, the resist pattern is formed on an underlying layer made of a conductive metal film, and after the resist pattern peeling step is completed, the underlying layer is etched using the conductor pattern as a mask. The method for manufacturing an electronic component according to claim 5, further comprising a formation etching step.
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