JP3465644B2 - 記憶装置及び空気調和機 - Google Patents
記憶装置及び空気調和機Info
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Description
を用いた記憶装置及びこの記憶装置を備えた空気調和機
に関するものである。
として記憶装置を備え、機器を制御するための基礎デー
タをこの記憶装置に記憶させて、各機種別の正確な制御
を行うことがなされている。また機器の運転中に故障が
生じた場合に、故障時の各種データを上記記憶装置に記
憶しておくことにより、故障原因を的確に把握して迅速
な修理作業ができるようにすることも行われている。そ
してこの記憶装置の一部分を用いて機器を設置してから
の消費電力を累積しておくことにより、サービス作業者
が機器の状態を的確に把握できるように成されている。
器の電源を切ってもデータを記憶させたままの状態にし
ておくために、不揮発性メモリが使用される。しかしな
がらEEPROM(電気的消去可能PROM)に代表さ
れるような不揮発性メモリは、その最大書き込み可能回
数に限りがある。書き込み回数が最大書き込み可能回数
を超えると、不揮発性メモリへの書き込みができなくな
って記憶装置が機能を果たさなくなるのである。この最
大書き込み可能回数は、標準的なEEPROMで約10
万回程度である。ところが記憶装置に消費電力の累積値
を記憶する場合、記憶装置への書き込みは10年間で約
85,000回なされると推定されている。そのため機
器本体の製品寿命がくる前に記憶装置へのデータの書き
込みができなくなり、機器の寿命が記憶装置の書き込み
回数で制限されてしまうという問題があった。
めになされたものであって、その目的は、最大書き込み
可能回数を飛躍的に増大させることが可能な記憶装置及
び機器の寿命が記憶装置の最大書き込み可能回数によっ
て制限されることのない空気調和機を提供することにあ
る。
置は、不揮発性メモリ1を用いた記憶装置において、単
一の記憶データに対してこのデータを記憶できる2個の
記憶領域4、5と、各記憶領域4、5に対応した各1ビ
ットのフラグ領域6、7とを上記不揮発性メモリ1に設
け、各記憶領域4、5に上記データを交互に書き込むよ
うにした記憶装置であって、データの書き込み毎に書き
込みの行われた記憶領域4、5のフラグ領域6、7の値
を反転させると共に、上記両フラグ領域6、7の値が一
致しているときは一方の記憶領域4に、また両フラグ領
域6、7の値が一致していないときには他方の記憶領域
5にデータを書き込むように構成したことを特徴として
いる。
データを複数の記憶領域4、5に分散して記憶させるの
で、各記憶領域4、5のそれぞれに対する書き込み回数
を減少させることが可能となる。また、書き込みを直前
に行った記憶領域4、5を示す情報を不揮発性メモリ1
に記憶させているので、従って記憶装置の電源をいった
んOFFにした場合にも、データの書き込みを確実に分
散させることが可能となる。
性メモリ1がEEPROMであることを特徴としてい
る。
ータの消去及び書き込みができるので、その実施を容易
とすることが可能となる。
項1又は請求項2の記憶装置を備え、この記憶装置の上
記記憶領域4、5に、消費電力の累積値を記憶するよう
にしたことを特徴としている。
への消費電力累積値の最大書き込み可能回数を増大させ
ることが可能となる。
気調和機の具体的な実施の形態について、図面を参照し
つつ詳細に説明する。
能する不揮発性メモリ1を示す模式図である。この不揮
発性メモリ1はEEPROMであり、同図ではこのEE
PROM1に設けられた多数の記憶領域Kを示してい
る。各記憶領域Kは8ビットのデータを記憶できるよう
に成され、EEPROM1にはこのような記憶領域Kが
128(8×16)個設けられている。このようなEE
PROM1を用いて構成された上記記憶装置は、電装品
として空気調和機に備えられる。そして上記各記憶領域
Kには、機器を制御するための基礎データとして種々の
パラメータが保持されるとともに、故障時に各種データ
を保持するための領域が確保されている。そして上記記
憶領域Kのうち127番目の記憶領域Kと128番目の
記憶領域Kは、それぞれAレジスタ2、Bレジスタ3と
して、消費電力の累積値を格納するために確保されてい
る。
3を示す模式図である。Aレジスタ2は、書き込みフラ
グをセットするための1ビットのAフラグ領域6と、消
費電力の累積値を格納するための記憶領域として7ビッ
トのAデータ領域4とを有している。またBレジスタ3
もAレジスタ2と同様の構成をなし、1ビットのBフラ
グ領域7と7ビットのBデータ領域5とを有している。
への消費電力累積値の書き込みについて、図3を参照し
つつ説明する。空気調和機が設置され電源につながれる
と、この空気調和機に備えられた制御部により、上記フ
ラグ領域6、7に「0、0」がセットされる(同図
)。最初に消費電力の累積値を記憶させる場合には、
Aデータ領域4から書き込む。そして書き込んだ方のレ
ジスタにあるAフラグ領域6の値を反転させる。その結
果、フラグ領域6、7には「1、0」がセットされる
(同図)。次に消費電力の累積値を記憶させる場合に
は、まず両フラグ領域6、7の値を比較する。この場合
には両フラグ領域6、7の値が異なっているので、前回
はAデータ領域4に書き込んだものと判断できる。そこ
で次の累積値は、Bデータ領域5に書き込む。そしてB
フラグ領域7の値を反転させる。この結果、フラグ領域
6、7には「1、1」がセットされる(同図)。両フ
ラグ領域6、7の値が一致している場合、前回はBデー
タ領域5に書き込みを行ったと判断できる。そこで次に
消費電力の累積値を書き込むときは、Aデータ領域4に
対して行う。そしてAフラグ領域6の値を反転させる。
その結果、フラグ領域6、7には「0、1」がセットさ
れる(同図)。両フラグ領域6、7の値が相違してい
るから、次に上記累積値を書き込む場合は、Bデータ領
域5に対して行う。そしてBデータ領域5への書き込み
を行うとともにBフラグ領域7の値を反転させる。その
結果、フラグ領域6、7には「0、0」がセットされ、
初期状態に戻ることになる(同図)。このように消費
電力の累積値は、フラグ領域6、7の値に基づいて、A
データ領域4とBデータ領域5とに対して交互に書き込
んでいくのである。
う単一の記憶データに対して、この記憶データを記憶で
きるAデータ領域4とBデータ領域5という2つの記憶
領域を設けている。そして上記累積値を記憶させる際に
は上記2つのデータ領域4、5に交互に書き込むように
している。従って、記憶装置としての上記累積値の最大
書き込み可能回数は、EEPROM1が有する最大書き
込み回数の2倍となる。そしてこれによって累積値の書
き込み可能回数は20万回程度となり、20年以上に亘
って消費電力の累積値を書き込むことができる。従って
機器の寿命が記憶装置の最大書き込み可能回数で制限さ
れるのを回避することができる。また直前にどのデータ
領域4、5に累積値を書き込んだかを示す情報も、EE
PROM1に書き込んでおくようにしている。従って空
気調和機の電源をOFFにしても、引き続いて消費電力
を累積することができる。さらに、新しいデータを書き
込んでも、前回の書き込み値は他方のデータ領域4、5
に保持されている。従って、もし仮に新しいデータが書
き込みエラーによって正常に書き込めなかったとして
も、これまでの累積データが全く消失してしまうことは
回避される。そして前回書き込んだ累積値に基づいて、
消費電力の累積を継続することができる。
したが、この発明は上記形態に限定されるものではな
く、この発明の範囲内で種々変更して実施することがで
きる。上記ではデータ領域4、5ごとにそれぞれフラグ
領域6、7を設けたが、どのデータ領域4、5に書き込
んだかを示すことができるフラグ領域が確保されていれ
ばよい。従って上記のようにデータ領域が2つである場
合には、フラグ領域を1ビットだけ確保しておくように
してもよい。また上記では不揮発性メモリとしてEEP
ROMを用いたが、不揮発性メモリに分類される他の記
憶素子を用いた場合にも、この発明を適用してその優れ
た効果を得ることができる。さらにデータ領域4、5に
は、消費電力の累積値に限らず、空気調和機の自動再起
動を補助するための運転データ等、種々のデータを記憶
させておくことができる。
領域に対する書き込み回数を減少させることができるの
で、記憶装置の最大書き込み可能回数を増大させること
が可能となる。また、書き込みを直前に行った記憶領域
を示す情報を不揮発性メモリに記憶させているので、記
憶装置の電源をいったんOFFにした場合にもデータの
書き込みを確実に分散させて、記憶装置の最大書き込み
可能回数を増大させることが可能となる。
性メモリとしてEEPROMを用いると、電気的にデー
タの消去及び書き込みができるので、その実施を容易と
することが可能となる。
値の最大書き込み可能回数を増大させることができるの
で、記憶装置の最大書き込み可能回数によって製品寿命
が制限されるのを回避することが可能となる。
タ領域及びフラグ領域を説明するための模式図である。
領域を説明するための模式図である。
する図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 不揮発性メモリ(1)を用いた記憶装置
において、単一の記憶データに対してこのデータを記憶
できる2個の記憶領域(4)(5)と、各記憶領域
(4)(5)に対応した各1ビットのフラグ領域(6)
(7)とを上記不揮発性メモリ(1)に設け、各記憶領
域(4)(5)に上記データを交互に書き込むようにし
た記憶装置であって、データの書き込み毎に書き込みの
行われた記憶領域(4)(5)のフラグ領域(6)
(7)の値を反転させると共に、上記両フラグ領域
(6)(7)の値が一致しているときは一方の記憶領域
(4)に、また両フラグ領域(6)(7)の値が一致し
ていないときには他方の記憶領域(5)にデータを書き
込むように構成したことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項2】 上記不揮発性メモリ(1)はEEPRO
Mであることを特徴とする請求項1の記憶装置。 - 【請求項3】 上記請求項1又は請求項2の記憶装置を
備え、この記憶装置の上記記憶領域(4)(5)に、消
費電力の累積値を記憶するようにしたことを特徴とする
空気調和機。
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Publications (2)
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JP2001074297A JP2001074297A (ja) | 2001-03-23 |
JP3465644B2 true JP3465644B2 (ja) | 2003-11-10 |
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Families Citing this family (1)
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1999
- 1999-09-02 JP JP24843499A patent/JP3465644B2/ja not_active Expired - Fee Related
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