JP3461720B2 - Resin-sealed semiconductor device - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
信号接続用リードを封止樹脂により封止した樹脂封止型
半導体装置に係り、特に薄型化したものに関する。The present invention relates to relates to a semiconductor chip and a signal connection leads to a resin-sealed semiconductor equipment sealed by the sealing resin, and in particular those thin.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, it has been required to mount semiconductor parts mounted on the electronic equipment at a high density, and accordingly, the miniaturization and thinning of semiconductor parts have been advanced. I'm out.
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。A conventional resin-sealed semiconductor device will be described below.
【０００４】図２０は、従来の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。図２０に示すように、従来の樹脂封止型
半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂
封止型半導体装置である。FIG. 20 is a sectional view of a conventional resin-sealed semiconductor device. As shown in FIG. 20, the conventional resin-encapsulated semiconductor device is a resin-encapsulated semiconductor device of a type having external electrodes on the back surface side.
【０００５】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード１０１と、ダイパッド１０２と、そのダイパッド
１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリ
ードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０
２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されてお
り、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とイ
ンナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的
に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体
チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリー
ド及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止され
ている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側
には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１
の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナー
リード１０１の下部が外部電極１０７となっている。な
お、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、イン
ナーリード１０１やダイパッド１０２の側面を表裏の面
に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大する
テーパ状にしている。The conventional resin-encapsulated semiconductor device includes an inner lead 101, a die pad 102, and a lead frame including a suspension lead (not shown) that supports the die pad 102. And the die pad 10
The semiconductor chip 104 is bonded to the upper surface of the semiconductor chip 104 by an adhesive, and the electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 104 and the inner leads 101 are electrically connected by the thin metal wires 105. The die pad 102, the semiconductor chip 104, a part of the inner lead 101, the suspension lead and the thin metal wire 105 are sealed with a sealing resin 106. In this structure, the sealing resin 106 does not exist on the back surface side of the inner lead 101.
The back surface side of is exposed, and the lower portion of the inner lead 101 including this exposed surface is the external electrode 107. In order to secure the close contact with the sealing resin 106, the side surfaces of the inner lead 101 and the die pad 102 are not orthogonal to the front and back surfaces, but are tapered so as to expand upward.
【０００６】このような樹脂封止型半導体装置において
は、封止樹脂１０６の裏面とダイパッド１０２の裏面と
は共通の面上にある。すなわち、リードフレームの裏面
側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型
半導体装置が実現する。In such a resin-sealed semiconductor device, the back surface of the sealing resin 106 and the back surface of the die pad 102 are on a common surface. That is, since the back surface side of the lead frame is not substantially sealed, a thin resin-sealed semiconductor device is realized.
【０００７】図２０に示す構造を有する樹脂封止型半導
体装置の製造工程においては、まず、インナーリード１
０１、ダイパッド１０２を有するリードフレームを用意
し、機械的又は化学的加工を行なって、リードフレーム
の側面をテーパ状にする。次に、用意したリードフレー
ムのダイパッド１０２の上に半導体チップ１０４を接着
剤により接合した後、半導体チップ１０４とインナーリ
ード１０１とを金属細線１０５により電気的に接続す
る。金属細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａ
ｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド１０
２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１，吊り
リード及び金属細線１０５を封止樹脂１０６により封止
する。この場合、半導体チップ１０４が接合されたリー
ドフレームが封止金型内に収納されて、トランスファー
モールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金
型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行
なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂１０６から外
方に突出しているアウターリードを切断して、樹脂封止
型半導体装置が完成する。In the manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device having the structure shown in FIG. 20, first, the inner lead 1
01, a lead frame having the die pad 102 is prepared, and mechanical or chemical processing is performed to make the side surface of the lead frame tapered. Next, after the semiconductor chip 104 is bonded onto the die pad 102 of the prepared lead frame with an adhesive, the semiconductor chip 104 and the inner lead 101 are electrically connected by the fine metal wire 105. The fine metal wires 105 include fine aluminum wires and gold (A
u) line etc. are used suitably. Next, the die pad 10
2. The semiconductor chip 104, the inner lead 101, the suspension lead and the thin metal wire 105 are sealed with the sealing resin 106. In this case, the lead frame to which the semiconductor chip 104 is joined is housed in the sealing mold and transfer-molded. Especially, the back surface of the lead frame comes into contact with the upper mold or the lower mold of the sealing mold. In this state, resin sealing is performed. Finally, the outer leads protruding outward from the sealing resin 106 after resin sealing are cut to complete the resin-sealed semiconductor device.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の樹脂封止型半導体装置においては、ある程度の薄型
化は実現するものの、その薄型化には限界があった。加
えて、以下のような問題があった。However, although the conventional resin-encapsulated semiconductor device described above can be made thinner to some extent, there is a limit to the reduction in thickness. In addition, there were the following problems.
【０００９】ダイパッドの上面及び側面には封止樹脂が
存在するものの、ダイパッドの裏面側には、封止樹脂が
存在しない。そのために、ダイパッド及び半導体チップ
に対する封止樹脂の保持力が低下して、信頼性が悪化す
るという問題があった。また、実質的にリードフレーム
の上面のみを樹脂封止している構造上、熱膨張率の差な
どによって封止樹脂の応力および実装後の応力により半
導体チップが悪影響を受けたり、封止樹脂にパッケージ
クラックが発生するという問題もあった。一方、ダイパ
ッドをアップセットした構造もあるが、樹脂が両側に入
り込むのでその分厚みがさらに増すという問題があっ
た。Although the sealing resin exists on the upper surface and the side surface of the die pad, the sealing resin does not exist on the back surface side of the die pad. Therefore, there is a problem that the holding force of the sealing resin on the die pad and the semiconductor chip is reduced, and the reliability is deteriorated. Also, due to the structure in which only the top surface of the lead frame is sealed with resin, the semiconductor chip may be adversely affected by the stress of the sealing resin and the stress after mounting due to the difference in coefficient of thermal expansion, There was also the problem of package cracks. On the other hand, there is also a structure in which the die pad is upset, but there is a problem that the resin further enters the both sides and the thickness further increases accordingly.
【００１０】さらに、インナーリードと半導体チップと
を金属細線により接続し、樹脂封止を行なう際に、封止
樹脂からの応力により、金属細線で接続されたインナー
リードに応力による負荷が加わり、接続部分が破壊され
て接続不良が発生したり、プリント基板等のマザーボー
ドへの実装後も種々の応力が加わると接続不良などの不
良が発生するという問題があった。Further, when the inner lead and the semiconductor chip are connected by a fine metal wire and the resin is sealed, a stress is applied to the inner lead connected by the fine metal wire by the stress from the sealing resin, so that the connection is made. There has been a problem that a portion is broken and a connection failure occurs, or if various stresses are applied even after mounting on a motherboard such as a printed circuit board, a connection failure or the like occurs.
【００１１】本発明は上記問題に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、極めて薄型化されながら高い信頼性
を発揮しうる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を
提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a resin-encapsulated semiconductor device which is extremely thin and can exhibit high reliability, and a method for manufacturing the same.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記各目的を達成するた
めに、本発明の第１の樹脂封止型半導体装置は、電極パ
ッドを有する半導体チップと、信号接続用リードと、上
記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードと
を電気的に接続する接続部材と、ダイパッド，上記半導
体チップ，上記信号接続用リード及び上記接続部材を封
止する封止樹脂とを備え、上記信号接続用リードの上面
及び下面は、上記封止樹脂から露出し、上記信号接続用
リードの上面及び下面には溝が設けられている。In order to achieve each of the above objects, a first resin-encapsulated semiconductor device of the present invention comprises a semiconductor chip having an electrode pad, a signal connecting lead, and the semiconductor chip of the above semiconductor chip. a connecting member for electrically connecting the electrode pad and the signal-connecting leads, da Ipaddo, the semiconductor <br/> material chip, and a sealing resin for sealing the lead and the connecting member for the signal connection The upper and lower surfaces of the signal connection lead are exposed from the sealing resin and are used for the signal connection.
Grooves are provided on the upper and lower surfaces of the leads .
【００１３】これにより、樹脂封止型半導体装置の厚み
が信号接続用リードの厚みに等しくなる。したがって、
従来の樹脂封止型半導体装置のように信号接続用リード
の厚みとその上又は上下の封止樹脂の厚みとを加算した
厚みを有する構造に比べると、極めて薄い樹脂封止型半
導体装置を得ることができ、小型化，薄型化による実装
密度の向上を図ることができる。また、信号接続用リー
ドの上面及び下面に溝が設けられていることにより、信
号接続用リードに対する封止樹脂の保持力を高めること
ができ、樹脂封止型半導体装置の信頼性の向上を図るこ
とができる。 As a result, the thickness of the resin-sealed semiconductor device becomes equal to the thickness of the signal connection lead. Therefore,
An extremely thin resin-encapsulated semiconductor device is obtained as compared with the conventional resin-encapsulated semiconductor device having a structure in which the thickness of the signal connection lead and the thickness of the encapsulating resin above or below it are added. Therefore, it is possible to improve the packaging density by downsizing and thinning. In addition, the signal connection
The groove on the top and bottom of the
To increase the retention force of the encapsulating resin against the signal connection leads
And improve the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device.
You can
【００１４】本発明の第２の樹脂封止型半導体装置は、
電極パッドを有する半導体チップと、側面に溝が設けら
れた信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッ
ドと上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部
材と、ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用
リード及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、
上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂
から露出している。 A second resin-encapsulated semiconductor device of the present invention is
The semiconductor chip with the electrode pads and the groove on the side
Connected signal connection leads and the electrode pads of the semiconductor chip.
Connection part for electrically connecting the lead and the signal connection lead
Material, die pad, semiconductor chip, signal connection
A lead and a sealing resin for sealing the connection member,
The upper surface and the lower surface of the signal connection lead are formed of the sealing resin.
Exposed from.
【００１５】これにより、樹脂封止型半導体装置の厚み
が信号接続用リードの厚みに等しくなる。したがって、
従来の樹脂封止型半導体装置のように信号接続用リード
の厚みとその上又は上下の封止樹脂の厚みとを加算した
厚みを有する構造に比べると、極めて薄い樹脂封止型半
導体装置を得ることができ、小型化，薄型化による実装
密度の向上を図ることができる。 As a result, the thickness of the resin-sealed semiconductor device
Is equal to the thickness of the signal connection lead. Therefore,
Leads for signal connection like conventional resin-encapsulated semiconductor devices
And the thickness of the sealing resin above or below it
Compared to the thick structure, the resin-sealed mold is extremely thin
A conductor device can be obtained, and it is mounted by downsizing and thinning.
It is possible to improve the density.
【００１６】上記信号接続用リードの溝が複数個設けら
れている場合には、両側面で互いに千鳥状に配置されて
いることが好ましい。これにより、信号接続用リードの
幅が極端に狭くなる部分がなくなるので、強度の低下を
抑制することができ、信頼性の低下を防止することがで
きる。When a plurality of grooves for the signal connecting leads are provided, it is preferable that the grooves are arranged in a zigzag pattern on both side surfaces. As a result, there is no portion where the width of the signal connecting lead becomes extremely narrow, so that it is possible to suppress a decrease in strength and prevent a decrease in reliability.
【００１７】本発明の第３の樹脂封止型半導体装置は、
電極パッドを有する半導体チップと、上面側の少なくと
も一部には側方に突出したフランジ部が設けられている
信号接続用リードと、上記半導体チップの電極パッドと
上記信号接続用リードとを電気的に接続する接続部材
と、ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リ
ード及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、上
記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂か
ら露出している。 A third resin-encapsulated semiconductor device of the present invention is
A semiconductor chip having an electrode pad and at least the upper surface side
Also has a flange part that protrudes to the side
Leads for signal connection and electrode pads of the semiconductor chip
Connection member for electrically connecting with the signal connection lead
And die pad, the semiconductor chip, the signal connection
And a sealing resin that seals the connection member.
Make sure that the upper and lower surfaces of the signal connection leads are the above-mentioned sealing resin.
Is exposed.
【００１８】これにより、樹脂封止型半導体装置の厚み
が信号接続用リードの厚みに等しく なる。したがって、
従来の樹脂封止型半導体装置のように信号接続用リード
の厚みとその上又は上下の封止樹脂の厚みとを加算した
厚みを有する構造に比べると、極めて薄い樹脂封止型半
導体装置を得ることができ、小型化，薄型化による実装
密度の向上を図ることができる。また、フリンジ部が設
けられていることにより、信号接続用リードに対する封
止樹脂の保持力を高めることができるとともに、半導体
チップとの電気的接続を行なう面を広く確保することも
可能となる。 As a result, the thickness of the resin-encapsulated semiconductor device
Is equal to the thickness of the signal connection lead . Therefore,
Leads for signal connection like conventional resin-encapsulated semiconductor devices
And the thickness of the sealing resin above or below it
Compared to the thick structure, the resin-sealed mold is extremely thin
A conductor device can be obtained, and it is mounted by downsizing and thinning.
It is possible to improve the density. In addition, the fringe section is installed.
This prevents the signal connection leads from being sealed.
The holding force of the resin can be increased and the semiconductor
It is also possible to secure a wide surface for electrical connection with the chip.
It will be possible.
【００１９】[0019]
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置
は、ダイパッドの上面及び下面を封止樹脂から露出させ
た共通の構成を有しており、以下、その中の各種の実施
形態について説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The resin-encapsulated semiconductor device of the present invention has a common structure in which the upper surface and the lower surface of the die pad are exposed from the encapsulating resin. Hereinafter, various embodiments will be described. explain.
【００２０】（第１の実施形態）
図１及び図２は、それぞれ第１の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置の断面図及び斜視図である。ただし、図
１においては封止樹脂１７を透明体として扱い、吊りリ
ードの図示は省略している。(First Embodiment) FIGS. 1 and 2 are a sectional view and a perspective view, respectively, of a resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment. However, in FIG. 1, the sealing resin 17 is treated as a transparent body, and the suspension leads are not shown.
【００２１】図１及び図２に示すように、本実施形態の
樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半
導体チップを支持するためのダイパッド１３と、そのダ
イパッド１３を支持するための吊りリード（図示せず）
とからなるリードフレームを備えている。ここで、信号
接続用リード１２の上面側には、信号接続用リード１２
の内方部１２ａが薄くなるように段差が設けられてい
る。また、ダイパッド１３及び吊りリードは、信号接続
用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みを有するように
設けられている。そして、ダイパッド１３上に半導体チ
ップ１５が接着剤により接合されており、半導体チップ
１５の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード１２
の内方部１２ａの上面とは、金属細線１６により互いに
電気的に接続されている。そして、信号接続用リード１
２，ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５及
び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されている。As shown in FIGS. 1 and 2, the resin-sealed semiconductor device of this embodiment has a signal connecting lead 12, a die pad 13 for supporting a semiconductor chip, and a die pad 13 for supporting the die pad 13. Suspension lead (not shown)
It is equipped with a lead frame. Here, the signal connection lead 12 is provided on the upper surface side of the signal connection lead 12.
A step is provided so that the inner portion 12a of the inner part 12a is thin. The die pad 13 and the suspension leads are provided so as to have the same thickness as the inner portion 12a of the signal connecting lead 12. The semiconductor chip 15 is bonded onto the die pad 13 with an adhesive, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 15 and the signal connecting lead 12 are connected.
The upper surface of the inner portion 12a of the above is electrically connected to each other by a thin metal wire 16. Then, the signal connection lead 1
2, the die pad 13, the suspension leads, the semiconductor chip 15 and the thin metal wire 16 are sealed in the sealing resin 17.
【００２２】ここで、本実施形態の特徴は、信号接続用
リード１２の上面，端面及び下面が封止樹脂１７から露
出しており、この信号接続用リード１２の上面又は下面
が実装基板との接続面となる点である。すなわち、信号
接続用リード１２の中央部を除く上部又は下部、あるい
はその双方を外部電極として機能させることが可能に構
成されている。Here, the feature of this embodiment is that the upper surface, the end surface and the lower surface of the signal connecting lead 12 are exposed from the sealing resin 17, and the upper surface or the lower surface of this signal connecting lead 12 forms a mounting substrate. This is the point of connection. That is, the upper portion or the lower portion of the signal connecting lead 12 excluding the central portion, or both of them can be made to function as an external electrode.
【００２３】このように、信号接続用リード１２の上面
及び下面の双方を封止樹脂１７から露出させることによ
り、樹脂封止型半導体装置全体の厚みがリードフレーム
の厚みに等しくなり、極めて薄型の樹脂封止型半導体装
置を実現することができ、実装密度の向上を図ることが
できる。また、図１８に示すように、図１に示す構造を
有するパッケージ体を積層し、各パッケージ体の信号接
続用リード１２同士を互いに接触させることにより、立
体的構造を有する半導体装置を構成することもできる。As described above, by exposing both the upper surface and the lower surface of the signal connecting lead 12 from the sealing resin 17, the thickness of the entire resin-sealed semiconductor device becomes equal to the thickness of the lead frame, which is extremely thin. A resin-sealed semiconductor device can be realized, and the packaging density can be improved. Further, as shown in FIG. 18, by stacking the package bodies having the structure shown in FIG. 1 and bringing the signal connection leads 12 of the respective package bodies into contact with each other, a semiconductor device having a three-dimensional structure is configured. You can also
【００２４】また、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置においては、信号接続用リード１２の内方部１２ａ
が薄くなるように信号接続用リード１２の上面側に段差
が設けられていることで、半導体チップ１５の電極パッ
ドとの間で金属細線１６による電気的な接続を図ること
が容易となる。In the resin-sealed semiconductor device according to this embodiment, the inner portion 12a of the signal connection lead 12 is used.
Since the step is provided on the upper surface side of the signal connection lead 12 so as to be thin, it becomes easy to achieve electrical connection with the electrode pad of the semiconductor chip 15 by the metal thin wire 16.
【００２５】また、図１に示す状態で、半導体チップ１
５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリッ
プチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッド
１３や吊りリードがなくてもよい。In the state shown in FIG. 1, the semiconductor chip 1
5 may be flip-chip connected to the signal connecting lead 12 via a bump or the like. In that case, the die pad 13 and the suspension lead may be omitted.
【００２６】さらに、露出している部分の長さが上部よ
りも長い信号接続用リード１２の下部を封止樹脂１７の
下面から突出させて、この部分を外部電極とするように
構成してもよい。このような構造は、第２の実施形態で
説明する封止テープを使用する樹脂封止工程によって容
易かつ低コストで実現することができる。その場合、実
装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極
と実装基板の電極との接合において、外部電極のスタン
ドオフ高さが予め確保されていることになる。したがっ
て、外部電極をそのまま外部端子として用いることがで
き、実装基板への実装のために外部電極にはんだボール
を付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利
となる。Further, the lower portion of the signal connecting lead 12 in which the length of the exposed portion is longer than the upper portion is made to protrude from the lower surface of the sealing resin 17, and this portion may be used as an external electrode. Good. Such a structure can be realized easily and at low cost by the resin sealing process using the sealing tape described in the second embodiment. In that case, the stand-off height of the external electrode is secured in advance at the joining of the external electrode and the electrode of the mounting substrate when the resin-sealed semiconductor device is mounted on the mounting substrate. Therefore, the external electrode can be used as an external terminal as it is, and it is not necessary to attach a solder ball to the external electrode for mounting on the mounting substrate, which is advantageous in terms of manufacturing steps and manufacturing cost.
【００２７】ここで、図１及び図２においては、信号接
続用リード１２の細部の構造の図示は省略されている。
この信号接続用リード１２の構造の例としては、以下の
各具体例に係る構造がある。Here, in FIGS. 1 and 2, the detailed structure of the signal connecting lead 12 is omitted.
As an example of the structure of the signal connecting lead 12, there are structures according to the following specific examples.
【００２８】−第１の具体例−
図３（ａ）〜（ｃ）は、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の平面図，正面図及び側面図である。図３（ａ）
〜（ｃ）に示すように、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の上面には、２つの溝３０ａ，３０ｂが形成され
ている。このように、信号接続用リード１２の一部に溝
３０ａ，３０ｂを設けることにより、その表面積が広く
なるだけでなく樹脂封止後にはこの溝３０ａ，３０ｂ内
に封止樹脂が入り込むので、信号接続用リード１２に対
する封止樹脂１７の保持力が向上する。したがって、マ
ザーボードへの実装時や実装後の応力による信号接続用
リード１２の抜け落ちなどを防止することができ、樹脂
封止型半導体装置の信頼性の向上を図ることができる。-First Specific Example- FIGS. 3A to 3C are a plan view, a front view and a side view of a signal connecting lead 12 according to this specific example. Figure 3 (a)
As shown in (c), two grooves 30a and 30b are formed on the upper surface of the signal connecting lead 12 according to this example. As described above, by providing the grooves 30a and 30b in a part of the signal connection lead 12, not only the surface area is increased, but also the sealing resin enters into the grooves 30a and 30b after the resin sealing. The holding force of the sealing resin 17 with respect to the connection lead 12 is improved. Therefore, it is possible to prevent the signal connection leads 12 from falling off due to stress on or after mounting on the motherboard, and it is possible to improve the reliability of the resin-sealed semiconductor device.
【００２９】なお、信号接続用リード１２の溝は複数個
設けられている必要はなく、１つのみでも保持力の向上
効果は発揮しうる。また、本具体例では、信号接続用リ
ード１２の上面側に溝３０ａ，３０ｂが設けられている
が、下面側に設けられていてもよい。The signal connecting lead 12 does not have to be provided with a plurality of grooves, and the effect of improving the holding force can be exhibited with only one groove. Further, in this specific example, the grooves 30a and 30b are provided on the upper surface side of the signal connection lead 12, but they may be provided on the lower surface side.
【００３０】図４は、本具体例の変形例に係る信号接続
用リード１２の斜視図である。この例では、信号接続用
リード１２の上面及び下面にそれぞれ異なる位置に１つ
ずつの溝３０ｃ，３０ｄが設けられている。このよう
に、上面及び下面に溝を設けることにより、信号接続用
リード１２の上方，下方のいずれの方向の引っ張り力に
対しても封止樹脂１７の保持力の向上効果を発揮するこ
とができる。また、溝３０ａ，３０ｂが互いに異なる位
置に設けられているので、信号接続用リード１２の厚み
が極端に薄くなるのを確実に防止することができる。FIG. 4 is a perspective view of a signal connecting lead 12 according to a modification of this specific example. In this example, one groove 30c and one groove 30d are provided at different positions on the upper surface and the lower surface of the signal connection lead 12, respectively. Thus, by providing the groove on the upper surface and the lower surface, it is possible to exert the effect of improving the holding force of the sealing resin 17 against the pulling force of the signal connecting lead 12 in either the upper direction or the lower direction. . Further, since the grooves 30a and 30b are provided at different positions, it is possible to reliably prevent the signal connecting lead 12 from being extremely thin.
【００３１】−第２の具体例−
図５（ａ）〜（ｃ）は、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の平面図，正面図及び側面図である。図５（ａ）
〜（ｃ）に示すように、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の各側面には、それぞれ２つ合計４つの溝３１ａ
〜３１ｄが形成されている。このように、信号接続用リ
ード１２の一部に溝３１ａ〜３１ｄを設けることによ
り、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持
力が向上する。したがって、マザーボードへの実装時や
実装後の応力による信号接続用リード１２の抜け落ちな
どを防止することができ、樹脂封止型半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。-Second Specific Example- FIGS. 5A to 5C are a plan view, a front view and a side view of a signal connecting lead 12 according to this specific example. Figure 5 (a)
As shown in (c), each side surface of the signal connection lead 12 according to the present specific example has two grooves 4a in total, i.e., four grooves 31a.
~ 31d are formed. In this way, by providing the grooves 31a to 31d in a part of the signal connecting lead 12, the holding force of the sealing resin 17 with respect to the signal connecting lead 12 is improved. Therefore, it is possible to prevent the signal connection leads 12 from falling off due to stress on or after mounting on the motherboard, and it is possible to improve the reliability of the resin-sealed semiconductor device.
【００３２】なお、本具体例においても、信号接続用リ
ード１２の溝が１つのみでも保持力の向上効果は発揮し
うる。Also in this example, the effect of improving the holding force can be exhibited even if the signal connecting lead 12 has only one groove.
【００３３】図６は、本具体例の変形例に係る信号接続
用リード１２の斜視図である。この例では、信号接続用
リード１２の両側の側面にそれぞれ１つずつの溝３１
ｅ，３１ｆが設けられている。この変形例の構造によっ
ても、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保
持力の向上効果を発揮することができる。FIG. 6 is a perspective view of a signal connecting lead 12 according to a modification of this specific example. In this example, one groove 31 is provided on each side surface of the signal connecting lead 12.
e, 31f are provided. The structure of this modification can also exert the effect of improving the holding force of the sealing resin 17 with respect to the signal connecting lead 12.
【００３４】−第３の具体例−
図７は、本具体例に係る信号接続用リード１２の斜視図
である。図７に示すように、本具体例に係る信号接続用
リード１２の一方の側面には２つの溝３２ａ，３２ｂが
設けられ、信号接続用リード１２の他方の側面には、上
記２つの溝３２ａ，３２ｂの長さ方向における中間位置
に１つの溝３２ｃが設けられている。つまり、各溝３２
ａ〜３２ｃは、互いに千鳥状に設けられている。このよ
うに、信号接続用リード１２の両側面に溝３２ａ〜３２
ｃを千鳥状に設けることにより、強度の低下を抑制しな
がら信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持
力の向上を図ることができる。したがって、マザーボー
ドへの実装時や実装後の応力による信号接続用リード１
２の抜け落ちなどを防止することができるとともに、信
号接続用リード１２の強度を高く維持することができ、
樹脂封止型半導体装置の信頼性の向上を図ることができ
る。-Third Concrete Example- FIG. 7 is a perspective view of a signal connecting lead 12 according to this concrete example. As shown in FIG. 7, two grooves 32a and 32b are provided on one side surface of the signal connection lead 12 according to this example, and the two grooves 32a are formed on the other side surface of the signal connection lead 12. , 32b is provided with one groove 32c at an intermediate position in the longitudinal direction. That is, each groove 32
a to 32c are provided in a zigzag pattern. Thus, the grooves 32a to 32 are formed on both side surfaces of the signal connecting lead 12.
By providing c in a zigzag manner, it is possible to improve the holding force of the sealing resin 17 with respect to the signal connecting leads 12 while suppressing the decrease in strength. Therefore, the lead 1 for signal connection due to the stress at the time of mounting on the motherboard and after mounting
2 can be prevented from falling off, and the strength of the signal connecting lead 12 can be kept high,
The reliability of the resin-sealed semiconductor device can be improved.
【００３５】−第４の具体例−
図８（ａ）〜（ｃ）は、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２の平面図，正面図及び側面図である。図８（ａ）
〜（ｃ）に示すように、本具体例に係る信号接続用リー
ド１２のうち上面側の一部にはフランジ部３３が設けら
れている。また、本具体例に係る信号接続用リード１２
の下面には、それぞれ２つの溝３４ａ，３４ｂが形成さ
れている。このように、信号接続用リード１２の上面側
にフランジ部３３を設け、それに対向する下面側に溝３
４ａ，３４ｂを設けることにより、信号接続用リード１
２に対する封止樹脂１７の保持力がさらに向上する。し
たがって、マザーボードへの実装時や実装後の応力によ
る信号接続用リード１２の抜け落ちなどをより確実に防
止することができ、樹脂封止型半導体装置の信頼性の向
上を図ることができる。-Fourth Specific Example- FIGS. 8A to 8C are a plan view, a front view and a side view of a signal connecting lead 12 according to this specific example. Figure 8 (a)
As shown in (c), a flange portion 33 is provided on a part of the upper surface side of the signal connecting lead 12 according to this specific example. In addition, the signal connection lead 12 according to the present specific example
Two grooves 34a and 34b are formed on the lower surface of each. In this way, the flange portion 33 is provided on the upper surface side of the signal connecting lead 12, and the groove 3 is provided on the lower surface side facing it.
By providing 4a and 34b, the signal connection lead 1
The holding force of the sealing resin 17 with respect to 2 is further improved. Therefore, it is possible to more reliably prevent the signal connection leads 12 from falling off due to stress on or after mounting on the mother board, and it is possible to improve the reliability of the resin-sealed semiconductor device.
【００３６】なお、信号接続用リード１２において、フ
ランジ部３３が下面側に設けられ、溝３４ａ，３４ｂが
上面側に設けられていてもよい。また、溝は複数個設け
られている必要はない。In the signal connecting lead 12, the flange portion 33 may be provided on the lower surface side and the grooves 34a and 34b may be provided on the upper surface side. Moreover, it is not necessary to provide a plurality of grooves.
【００３７】−第５の具体例−
図９は、本具体例に係る信号接続用リード１２の斜視図
である。図９に示すように、本具体例に係る信号接続用
リード１２のうち上面側の封止樹脂から露出する部分全
体にはフランジ部３５が設けられている。また、本具体
例に係る信号接続用リード１２の各側面には、それぞれ
２つの溝３６ａ，３６ｂが形成されている（一方の側面
における溝は図示せず）。本具体例においても、信号接
続用リード１２の上面側にフランジ部３５を設け、側面
に溝３６ａ，３６ｂを設けることにより、信号接続用リ
ード１２に対する封止樹脂１７の保持力がさらに向上す
る。したがって、マザーボードへの実装時や実装後の応
力による信号接続用リード１２の抜け落ちなどをより確
実に防止することができ、樹脂封止型半導体装置の信頼
性の向上を図ることができる。-Fifth Specific Example- FIG. 9 is a perspective view of the signal connecting lead 12 according to the present specific example. As shown in FIG. 9, a flange portion 35 is provided on the entire portion of the signal connecting lead 12 according to this example, which is exposed from the sealing resin on the upper surface side. Further, two grooves 36a and 36b are formed on each side surface of the signal connecting lead 12 according to the present specific example (the groove on one side surface is not shown). Also in this example, by providing the flange portion 35 on the upper surface side of the signal connecting lead 12 and providing the grooves 36a and 36b on the side surfaces, the holding force of the sealing resin 17 with respect to the signal connecting lead 12 is further improved. Therefore, it is possible to more reliably prevent the signal connection leads 12 from falling off due to stress on or after mounting on the mother board, and it is possible to improve the reliability of the resin-sealed semiconductor device.
【００３８】なお、信号接続用リード１２において、フ
ランジ部３５が下面側に設けられていてもよい。また、
溝は各側面に複数個ずつ設けられている必要はない。あ
るいは、両側面において複数の溝が千鳥状に設けられて
いてもよい。In the signal connecting lead 12, the flange portion 35 may be provided on the lower surface side. Also,
It is not necessary that a plurality of grooves be provided on each side surface. Alternatively, a plurality of grooves may be provided in a zigzag pattern on both side surfaces.
【００３９】（第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の断面図である。ただし、図１０においては封止樹脂１
７を透明体として扱い、吊りリードの図示は省略してい
る。(Second Embodiment) FIG. 10 is a sectional view of a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment. However, in FIG. 10, the sealing resin 1
7 is treated as a transparent body, and the suspension leads are not shown.
【００４０】図１０に示すように、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッ
ド１３を支持するための吊りリードとからなるリードフ
レームを備えている。ここで、信号接続用リード１２の
上面側及び下面側には、信号接続用リード１２の内方部
１２ａが薄くなるように段差が設けられている。また、
ダイパッド１３及び吊りリード（図示せず）は、信号接
続用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みを有するよう
に設けられている。そして、ダイパッド１３上に半導体
チップ１５が接着剤により接合されており、半導体チッ
プ１５の電極パッド（図示せず）と信号接続用リード１
２の内方部１２ａの上面とは、金属細線１６により互い
に電気的に接続されている。そして、信号接続用リード
１２，ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５
及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されてい
る。ただし、信号接続用リード１２の内方部１２ａを除
く部分の下部は、封止樹脂１７の下面よりも下方に突出
しており、この部分が外部電極１８として機能するよう
に構成されている。As shown in FIG. 10, the resin-sealed semiconductor device of this embodiment has a signal connecting lead 12, a die pad 13 for supporting a semiconductor chip, and a suspension lead for supporting the die pad 13. It is equipped with a lead frame. Here, a step is provided on the upper surface side and the lower surface side of the signal connecting lead 12 so that the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 becomes thin. Also,
The die pad 13 and the suspension leads (not shown) are provided so as to have the same thickness as the inner portion 12a of the signal connecting lead 12. The semiconductor chip 15 is bonded onto the die pad 13 with an adhesive, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 15 and the signal connection lead 1 are connected.
The upper surface of the inner portion 12a of the second member 2 is electrically connected to each other by a thin metal wire 16. Then, the signal connection lead 12, the die pad 13, the suspension lead, and the semiconductor chip 15
The thin metal wire 16 is sealed in the sealing resin 17. However, the lower portion of the portion other than the inner portion 12 a of the signal connecting lead 12 projects below the lower surface of the sealing resin 17, and this portion functions as the external electrode 18.
【００４１】このように、信号接続用リード１２の上面
及び下面の双方を封止樹脂１７から露出させることによ
り、極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができ、実装密度の向上を図ることができる。また、図
１８に示すように、図１０に示す構造を有するパッケー
ジ体を積層し、各パッケージ体の信号接続用リード１２
同士を互いに接触させることにより、立体的構造を有す
る半導体装置を構成することもできる。As described above, by exposing both the upper surface and the lower surface of the signal connecting lead 12 from the sealing resin 17, an extremely thin resin-sealed semiconductor device can be realized and the packaging density can be improved. Can be planned. Further, as shown in FIG. 18, the package bodies having the structure shown in FIG. 10 are stacked, and the signal connection leads 12 of each package body are stacked.
A semiconductor device having a three-dimensional structure can also be formed by bringing them into contact with each other.
【００４２】また、本実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置においては、信号接続用リード１２の内方部１２ａ
が薄くなるように信号接続用リード１２の上面側及び下
面側に段差が設けられていることで、半導体チップ１５
の電極パッドとの間で金属細線１６による電気的な接続
を図ることが容易となるとともに、薄くなった内方部１
２ａの下方側にも封止樹脂１７が存在することになり、
第１の実施形態の構造よりも信号接続用リード１２に対
する封止樹脂１７の保持力が高くなるという利点があ
る。そして、保持力が増大することで、封止樹脂１７と
ダイパッド１３との密着性が向上するので、両者の境界
からの水分や湿気の侵入を阻むことができ、耐湿性が向
上する。したがって、樹脂封止型半導体装置の信頼性が
さらに向上する。In the resin-sealed semiconductor device according to this embodiment, the inner portion 12a of the signal connection lead 12 is also used.
Since the step is provided on the upper surface side and the lower surface side of the signal connecting lead 12 so that
It becomes easy to establish an electrical connection with the electrode pad of the metal thin wire 16, and at the same time, the thinned inner portion 1 is formed.
The sealing resin 17 also exists on the lower side of 2a,
There is an advantage that the holding force of the sealing resin 17 with respect to the signal connecting lead 12 is higher than that of the structure of the first embodiment. Since the holding force is increased, the adhesion between the sealing resin 17 and the die pad 13 is improved, so that it is possible to prevent the intrusion of moisture and humidity from the boundary between the both, and the moisture resistance is improved. Therefore, the reliability of the resin-sealed semiconductor device is further improved.
【００４３】さらに、信号接続用リード１２の側方には
外部電極端子となるアウターリードが存在せず、インナ
ーリードに相当する信号接続用リード１２の下部が外部
電極１８となっているので、半導体装置の小型化を図る
ことができる。また、外部電極１８が封止樹脂１７の面
より突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止
型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基板の電極
との接合において、外部電極１８のスタンドオフ高さが
予め確保されていることになる。したがって、外部電極
１８をそのまま外部端子として用いることができ、実装
基板への実装のために外部電極１８にはんだボールを付
設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利とな
る。しかも、後述する製造方法により、信号接続用リー
ド１２の下面つまり外部電極１８の下面には樹脂バリが
存在していないので、実装基板の電極との接合の信頼性
が向上する。Further, since there is no outer lead serving as an external electrode terminal on the side of the signal connecting lead 12 and the lower portion of the signal connecting lead 12 corresponding to the inner lead is the external electrode 18, the semiconductor is formed. It is possible to reduce the size of the device. Further, since the external electrode 18 is formed so as to project from the surface of the sealing resin 17, the external electrode 18 is bonded to the electrode of the mounting substrate when mounting the resin-sealed semiconductor device on the mounting substrate. This means that the standoff height of is secured in advance. Therefore, the external electrode 18 can be used as it is as an external terminal, and it is not necessary to attach a solder ball to the external electrode 18 for mounting on the mounting substrate, which is advantageous in terms of manufacturing steps and manufacturing cost. In addition, since the resin burr does not exist on the lower surface of the signal connecting lead 12, that is, the lower surface of the external electrode 18 by the manufacturing method described later, the reliability of bonding with the electrode of the mounting substrate is improved.
【００４４】また、本実施形態において、信号接続用リ
ード１２の下部は必ずしも封止樹脂１７の下面よりも下
方に突出させる必要はない。さらに、信号接続用リード
１２の上部を封止樹脂１７の上面よりも上方に突出させ
て、外部電極として機能させることも可能である。ある
いは、信号接続用リード１２の下部及び上部を封止樹脂
１７の下面，上面から突出させて、上部又は下部のいず
れか一方を外部電極として任意に選択可能にしておいて
もよい。Further, in the present embodiment, the lower portion of the signal connecting lead 12 does not necessarily need to be projected below the lower surface of the sealing resin 17. Furthermore, it is also possible that the upper portion of the signal connecting lead 12 is made to project above the upper surface of the sealing resin 17 so as to function as an external electrode. Alternatively, the lower portion and the upper portion of the signal connecting lead 12 may be projected from the lower surface and the upper surface of the sealing resin 17 so that either the upper portion or the lower portion can be arbitrarily selected as an external electrode.
【００４５】また、図１０に示す状態で、半導体チップ
１５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリ
ップチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッ
ド１３や吊りリードがなくてもよい。Further, in the state shown in FIG. 10, the semiconductor chip 15 may be flip-chip connected to the signal connecting leads 12 via bumps or the like. In that case, the die pad 13 and the suspension lead may be omitted.
【００４６】ここで、図１０においては、信号接続用リ
ード１２の細部の構造の図示は省略されているが、この
信号接続用リード１２の構造の例として、上記第１の実
施形態の各具体例に係る構造をそのまま採用することが
できる。Here, although the detailed structure of the signal connecting lead 12 is not shown in FIG. 10, each concrete example of the first embodiment is described as an example of the structure of the signal connecting lead 12. The structure according to the example can be directly adopted.
【００４７】次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図
１１〜図１５は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造工程を示す断面図である。Next, a method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described with reference to the drawings. 11 to 15 are cross-sectional views showing the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment.
【００４８】まず、図１１に示す工程で、信号接続用リ
ード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド
１３とが設けられているリードフレーム２０を用意す
る。図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持さ
れているが、吊りリードはこの断面には現れないために
図示されていない。また、信号接続用リード１２の外方
はリードフレーム２０の外枠に接続されている。ここ
で、信号接続用リード１２の内方部１２ａ，吊りリード
及びダイパッド１３の上面側及び下面側は、両側からハ
ーフエッチされている。その結果、信号接続用リード１
２の上面側及び下面側には段差が形成され、ダイパッド
１３に近接する厚みの薄い内方部１２ａが設けられてい
る。また、ダイパッド１３及び吊りリードの厚みは、信
号接続用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みとなって
いる。なお、用意するリードフレーム２０は、樹脂封止
の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていない
リードフレームである。First, in a step shown in FIG. 11, a lead frame 20 having a signal connecting lead 12 and a die pad 13 for supporting a semiconductor chip is prepared. In the figure, the die pad 13 is supported by suspension leads, but the suspension leads are not shown because they do not appear in this section. The outside of the signal connecting lead 12 is connected to the outer frame of the lead frame 20. Here, the inner portion 12a of the signal connecting lead 12, the suspension lead, and the upper surface side and the lower surface side of the die pad 13 are half-etched from both sides. As a result, the signal connection lead 1
A step is formed on the upper surface side and the lower surface side of 2 and the thin inner portion 12a adjacent to the die pad 13 is provided. The die pad 13 and the suspension leads have the same thickness as the inner portion 12a of the signal connecting lead 12. The lead frame 20 to be prepared is a lead frame that is not provided with a tie bar that stops the outflow of the sealing resin during resin sealing.
【００４９】また、本実施形態におけるリードフレーム
２０は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッ
キとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム
（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれ
メッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームで
ある。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等
の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されて
いてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくて
もよい。In addition, the lead frame 20 in the present embodiment has a nickel (Ni) layer as a base plating, a palladium (Pd) layer thereon, and a thin film as the uppermost layer, with respect to a frame made of a copper (Cu) material. 3 is a metal-plated lead frame in which gold (Au) layers are plated. However, other than copper (Cu) material, 42 alloy material and the like can be used, and may be plated with a noble metal other than nickel (Ni), palladium (Pd), and gold (Au). It is not always necessary to use three-layer plating.
【００５０】次に、図１２に示す工程で、用意したリー
ドフレーム２０のダイパッド１３上に半導体チップ１５
を載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この
工程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体
チップ１５を支持する部材としてはリードフレームに限
定されるものではなく、半導体チップを支持できる他の
部材、例えばＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。Next, in the step shown in FIG. 12, the semiconductor chip 15 is placed on the die pad 13 of the prepared lead frame 20.
Is placed and both are bonded to each other with an adhesive. This process is a so-called die bonding process. The member that supports the semiconductor chip 15 is not limited to the lead frame, and other members that can support the semiconductor chip, such as a TAB tape and a substrate, may be used.
【００５１】そして、図１３に示す工程で、ダイパッド
１３上に接合した半導体チップ１５の電極パッド（図示
せず）と信号接続用リード１２の内方部１２ａとを金属
細線１６により電気的に接合する。この工程は、いわゆ
るワイヤーボンド工程である。金属細線としては、アル
ミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択して用いる
ことができる。また、半導体チップ１５と信号接続用リ
ード１２との電気的な接続は、金属細線１６を介してで
なくバンプなどを介して行なってもよい。Then, in the step shown in FIG. 13, the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 15 bonded on the die pad 13 and the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 are electrically bonded by the fine metal wire 16. To do. This process is a so-called wire bond process. As the metal thin wire, an aluminum thin wire, a gold (Au) wire, or the like can be appropriately selected and used. Further, the electrical connection between the semiconductor chip 15 and the signal connecting leads 12 may be made not through the thin metal wires 16 but through bumps or the like.
【００５２】次に、図１４に示す工程で、リードフレー
ムのダイパッド１３上に半導体チップ１５が接合された
状態で、信号接続用リード１２の裏面に封止テープ２１
を貼り付ける。Next, in the step shown in FIG. 14, with the semiconductor chip 15 bonded to the die pad 13 of the lead frame, the sealing tape 21 is applied to the back surface of the signal connecting lead 12.
Paste.
【００５３】この封止テープ２１は、特に信号接続用リ
ード１２の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まな
いようにするマスク的な役割を果たさせるためのもので
あり、この封止テープ２１の存在によって、信号接続用
リード１２の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止する
ことができる。この封止テープ２１は、ポリエチレンテ
レフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主
成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹脂封止
後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時における
高温環境に耐性があるものであればよい。本実施形態で
は、ポリエチレンテレフタレートを主成分としたテープ
を用い、厚みは５０［μｍ］とした。The sealing tape 21 serves to act as a mask to prevent the sealing resin from wrapping around around the back surface of the signal connection lead 12 during resin sealing, and this sealing is performed. The presence of the tape 21 can prevent a resin burr from being formed on the back surface of the signal connecting lead 12. This sealing tape 21 is a resin-based tape containing polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate or the like as a main component, and can be easily peeled off after resin sealing and is resistant to a high temperature environment during resin sealing. If there is In this embodiment, a tape containing polyethylene terephthalate as a main component is used, and the thickness is 50 [μm].
【００５４】次に、図１５に示す工程で、半導体チップ
１５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリー
ドフレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を
流し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テ
ープ２１を貼り付けることも可能である。この際、信号
接続用リード１２の裏面側に封止樹脂１７が回り込まな
いように、金型でリードフレームの信号接続用リード１
２の先端側（外枠）を下方に押圧して、樹脂封止する。Next, in the step shown in FIG. 15, the lead frame to which the semiconductor chip 15 is bonded and the sealing tape 21 is attached is housed in a mold, and the sealing resin 17 is poured into the mold. Resin sealing is performed. Alternatively, the sealing tape 21 can be attached in the mold. At this time, in order to prevent the sealing resin 17 from wrapping around the back surface side of the signal connecting lead 12, the signal connecting lead 1 of the lead frame is molded with a mold.
The tip end side (outer frame) of 2 is pressed downward to perform resin sealing.
【００５５】最後に、信号接続用リード１２の裏面に貼
付した封止テープ２１をピールオフにより除去する。こ
れにより、信号接続用リード１２の下部のみが封止樹脂
の裏面よりも下方に突出した構造が得られ、封止樹脂１
７の裏面より突出した外部電極１８が形成される。そし
て、信号接続用リード１２の先端側を、信号接続用リー
ド１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほぼ同一面に
なるように切り離すことにより、図１０に示すような樹
脂封止型半導体装置が完成される。Finally, the sealing tape 21 attached to the back surface of the signal connecting lead 12 is removed by peeling off. As a result, a structure in which only the lower portion of the signal connecting lead 12 projects below the back surface of the sealing resin is obtained.
An external electrode 18 protruding from the back surface of 7 is formed. Then, the tip end side of the signal connecting lead 12 is cut off so that the tip end surface of the signal connecting lead 12 and the side surface of the sealing resin 17 are substantially flush with each other, so that the resin sealing type as shown in FIG. The semiconductor device is completed.
【００５６】本実施形態の製造方法によると、信号接続
用リード１２の一部のみが封止樹脂１７の裏面から突出
し、外部電極１８として機能するとともに、ダイパッド
１３の下方に封止樹脂１７が存在している樹脂封止型半
導体装置を容易に製造することができる。According to the manufacturing method of the present embodiment, only a part of the signal connecting lead 12 projects from the back surface of the sealing resin 17, functions as the external electrode 18, and the sealing resin 17 exists below the die pad 13. It is possible to easily manufacture the resin-encapsulated semiconductor device that is being manufactured.
【００５７】しかも、本実施形態の製造方法によると、
樹脂封止工程の前に予め信号接続用リード１２の裏面に
封止テープ２１を貼付しているので、封止樹脂１７が信
号接続用リード１２の裏面側に回り込むことがなく、外
部電極１８となる信号接続用リード１２の裏面には樹脂
バリの発生はない。したがって、信号接続用リードの下
面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法
のごとく、外部電極１８上に形成された樹脂バリをウォ
ータージェットなどによって除去する必要はない。すな
わち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除
によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工
程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェ
ットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれ
のあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウ
ム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや
不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前
における各金属層のプリメッキが可能となる。Moreover, according to the manufacturing method of the present embodiment,
Since the sealing tape 21 is attached to the back surface of the signal connecting lead 12 in advance before the resin sealing step, the sealing resin 17 does not go around to the back surface side of the signal connecting lead 12 and the external electrode 18 No resin burr is generated on the back surface of the signal connecting lead 12. Therefore, it is not necessary to remove the resin burr formed on the external electrode 18 by a water jet or the like unlike the conventional method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device in which the lower surface of the signal connection lead is exposed. That is, by omitting the troublesome process for removing the resin burr, it is possible to simplify the process in the mass production process of the resin-encapsulated semiconductor device. Further, it is possible to eliminate the peeling of the metal plating layer of nickel (Ni), palladium (Pd), gold (Au) or the like of the lead frame and the adhesion of impurities, which may occur in the resin burr removal process by a water jet or the like. Therefore, it is possible to pre-plat each metal layer before the resin sealing step.
【００５８】なお、ウォータージェットによる樹脂バリ
除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する
工程が新たに必要となるが、封止テープ２１を貼付する
工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に
安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工
程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウ
ォータージェット工程では、リードフレームの金属メッ
キが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブ
ルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの
貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッ
キ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点
となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂
バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バ
リであるので、低い水圧でウォータージェット処理して
樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることか
ら金属層のプリメッキ工程は可能である。It should be noted that, instead of removing the resin burr removing step by the water jet, a step of attaching the sealing tape is newly required, but the step of attaching the sealing tape 21 is more preferable than the water jet step. Since the cost is low and the process control is easy, the process can be surely simplified. Above all, in the conventionally required water jet process, the metal plating of the lead frame is peeled off, and quality problems such as the adhesion of impurities occur, but in the method of the present embodiment, by applying the sealing tape, The fact that the water jet is unnecessary and the plating can be removed is a great process advantage. In addition, even if resin burrs may occur due to the sealing tape attachment state, etc., since it is an extremely thin resin burr, it is possible to remove the resin burrs by water jet processing with low water pressure and prevent plating peeling. A layer pre-plating process is possible.
【００５９】なお、図１５に示すように、樹脂封止工程
においては、封止金型の熱によって封止テープ２１が軟
化するとともに熱収縮するので、信号接続用リード１２
が封止テープ２１に大きく食い込み、信号接続用リード
１２の裏面と封止樹脂１７の裏面との間には段差が形成
される。したがって、信号接続用リード１２は封止樹脂
１７の裏面から突出した構造となり、信号接続用リード
１２の下部である外部電極１８の突出量（スタンドオフ
高さ）を確保できる。例えば、本実施形態では、封止テ
ープ２１の厚みを５０μｍとしているので、突出量を例
えば２０μｍ程度にできる。このように、封止テープ２
１の厚みの調整によって外部電極１８の封止樹脂からの
突出量を適正量に維持できる。このことは、外部電極１
８のスタンドオフ高さを封止テープ２１の厚みの設定の
みでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコン
トロールのための手段または工程を設けなくてもよいこ
と意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極め
て有利な点である。この封止テープ２１の厚みは、１０
〜１５０μｍ程度であることが好ましい。As shown in FIG. 15, in the resin encapsulation step, the encapsulating tape 21 is softened and thermally contracted by the heat of the encapsulating mold, so that the signal connecting lead 12 is formed.
Largely penetrates into the sealing tape 21, and a step is formed between the back surface of the signal connecting lead 12 and the back surface of the sealing resin 17. Therefore, the signal connecting lead 12 has a structure protruding from the back surface of the sealing resin 17, and the protruding amount (standoff height) of the external electrode 18 which is the lower part of the signal connecting lead 12 can be secured. For example, in this embodiment, since the thickness of the sealing tape 21 is 50 μm, the protrusion amount can be about 20 μm, for example. In this way, the sealing tape 2
By adjusting the thickness of No. 1, the amount of protrusion of the external electrode 18 from the sealing resin can be maintained at an appropriate amount. This means that the external electrode 1
8 means that the standoff height can be controlled only by setting the thickness of the sealing tape 21, and no means or process for controlling the standoff height amount needs to be separately provided. This is an extremely advantageous point in terms of cost. The thickness of this sealing tape 21 is 10
It is preferably about 150 μm.
【００６０】なお、用いる封止テープ２１については、
所望する突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱によ
る軟化特性を有する材質を選択することができる。Regarding the sealing tape 21 used,
A material having a predetermined hardness, thickness, and heat-softening property can be selected according to a desired protrusion amount.
【００６１】ただし、上記第１の実施形態において、封
止テープ２１に加える圧力の調整によって、外部電極１
８のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、スタ
ンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能である。However, in the first embodiment, the external electrode 1 is adjusted by adjusting the pressure applied to the sealing tape 21.
The standoff height of 8 may be adjusted, for example, it is also possible to make the standoff height almost "0".
【００６２】（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態について、図１６を参照しながら
説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置の
基本的な構造は、上記第２の実施形態における図１０に
示す構造と同じであるが、ダイパッド１３の厚みのみが
異なる。(Third Embodiment) Next, a third embodiment will be described with reference to FIG. The basic structure of the resin-sealed semiconductor device in this embodiment is the same as the structure shown in FIG. 10 in the second embodiment, but only the thickness of the die pad 13 is different.
【００６３】図１６に示すように、本実施形態の樹脂封
止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッ
ド１３を支持するための吊りリードとからなるリードフ
レームを備えている。ここで、信号接続用リード１２の
上面側及び下面側には、信号接続用リード１２の内方部
１２ａが薄くなるように段差が設けられている。そし
て、ダイパッド１３上に半導体チップ１５が接着剤によ
り接合されており、半導体チップ１５の電極パッド（図
示せず）と信号接続用リード１２の内方部１２ａの上面
とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されてい
る。そして、信号接続用リード１２，ダイパッド１３，
吊りリード，半導体チップ１５及び金属細線１６は、封
止樹脂１７内に封止されている。ただし、信号接続用リ
ード１２の内方部１２ａを除く部分の下部は、封止樹脂
１７の下面よりも下方に突出しており、この部分が外部
電極１８として機能するように構成されている。また、
ダイパッド１３の下部も封止樹脂１７の下面よりも下方
に突出しており、このダイパッド１３の下面をマザーボ
ードの放熱用電極に接合させることで、放熱特性のよい
樹脂封止型半導体装置が得られる構造となっている。As shown in FIG. 16, the resin-sealed semiconductor device of this embodiment has a signal connecting lead 12, a die pad 13 for supporting a semiconductor chip, and a suspension lead for supporting the die pad 13. It is equipped with a lead frame. Here, a step is provided on the upper surface side and the lower surface side of the signal connecting lead 12 so that the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 becomes thin. The semiconductor chip 15 is bonded onto the die pad 13 with an adhesive, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 15 and the upper surface of the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 are connected to each other by the metal thin wire 16. It is electrically connected. Then, the signal connecting leads 12, the die pad 13,
The suspension lead, the semiconductor chip 15, and the thin metal wire 16 are sealed in a sealing resin 17. However, the lower portion of the portion other than the inner portion 12 a of the signal connecting lead 12 projects below the lower surface of the sealing resin 17, and this portion functions as the external electrode 18. Also,
The lower part of the die pad 13 also projects below the lower surface of the sealing resin 17, and by bonding the lower surface of the die pad 13 to the heat dissipation electrode of the motherboard, a resin-encapsulated semiconductor device having good heat dissipation characteristics can be obtained. Has become.
【００６４】本実施形態では、ダイパッド１３の厚みは
信号接続用リード１２の内方部１２ａの厚みにその下部
の厚みを加算した厚みに等しくなっている。つまり、信
号接続用リード１２を両面からハーフエッチする際に、
表面からのハーフエッチの際にはダイパッド１３も同時
にハーフエッチされるようにしておき、裏面からのハー
フエッチの際にはダイパッド１３をマスクで覆っておく
ことにより、このような構造が実現する。なお、吊りリ
ードは図示されていないが、吊りリードがダイパッド１
３と同じ厚みを有するようにしてもよいし、吊りリード
が信号接続用リード１２の内方部１２ａと同じ厚みを有
するようにしてもよい。In the present embodiment, the thickness of the die pad 13 is equal to the thickness of the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 plus the thickness of the lower portion thereof. That is, when half-etching the signal connecting leads 12 from both sides,
Such a structure is realized by allowing the die pad 13 to be half-etched at the same time when half-etching from the front surface and covering the die pad 13 with a mask when half-etching from the back surface. Although the suspension leads are not shown, the suspension leads are not included in the die pad 1.
3 may have the same thickness, or the suspension lead may have the same thickness as the inner portion 12a of the signal connecting lead 12.
【００６５】このように、信号接続用リード１２の上面
及び下面の双方を封止樹脂１７から露出させることによ
り、極めて薄型の樹脂封止型半導体装置を実現すること
ができ、実装密度の向上を図ることができる。また、信
号接続用リード１２の下面を封止樹脂１７よりも下方に
突出させておくことで、上記第２の実施形態で説明した
ような効果を発揮することができる。In this way, by exposing both the upper surface and the lower surface of the signal connecting lead 12 from the sealing resin 17, an extremely thin resin-sealed semiconductor device can be realized and the packaging density can be improved. Can be planned. Further, by projecting the lower surface of the signal connection lead 12 below the sealing resin 17, the effect as described in the second embodiment can be exhibited.
【００６６】加えて、本実施形態によると、ダイパッド
１３の下面を封止樹脂１７の下面よりも下方に突出させ
ておくことにより、放熱特性の優れた樹脂封止型半導体
装置を得ることができる。In addition, according to this embodiment, by projecting the lower surface of the die pad 13 below the lower surface of the sealing resin 17, a resin-sealed semiconductor device having excellent heat dissipation characteristics can be obtained. .
【００６７】また、図１８に示すように、図１６に示す
構造を有するパッケージ体を立体的に積層し、各パッケ
ージ体の信号接続用リード１２同士を互いに接触させる
ことにより、スタック構造を有する半導体装置を構成す
ることもできる。Further, as shown in FIG. 18, the package bodies having the structure shown in FIG. 16 are three-dimensionally stacked, and the signal connection leads 12 of each package body are brought into contact with each other to form a semiconductor having a stack structure. The device can also be configured.
【００６８】なお、本実施形態において、信号接続用リ
ード１２の下部は必ずしも封止樹脂１７の下面よりも下
方に突出させる必要はない。また、信号接続用リード１
２の上部を封止樹脂１７の上面よりも上方に突出させ
て、外部電極として機能させることも可能である。さら
に、信号接続用リード１２の下部及び上部を封止樹脂１
７の下面，上面から突出させて、上部又は下部のいずれ
か一方を外部電極として任意に選択可能にしておいても
よい。In the present embodiment, the lower portion of the signal connecting lead 12 does not necessarily have to protrude below the lower surface of the sealing resin 17. Also, the signal connection lead 1
It is also possible to make the upper part of 2 project above the upper surface of the sealing resin 17 to function as an external electrode. Furthermore, the lower part and the upper part of the signal connecting lead 12 are sealed with resin 1
It is also possible to project from the lower surface and the upper surface of 7 so that either the upper portion or the lower portion can be arbitrarily selected as the external electrode.
【００６９】また、図１６に示す状態で、半導体チップ
１５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリ
ップチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッ
ド１３や吊りリードがなくてもよい。Further, in the state shown in FIG. 16, the semiconductor chip 15 may be flip-chip connected to the signal connecting leads 12 via bumps or the like. In that case, the die pad 13 and the suspension lead may be omitted.
【００７０】ここで、図１６においては、信号接続用リ
ード１２の細部の構造の図示は省略されているが、この
信号接続用リード１２の構造の例として、上記第１の実
施形態の各具体例に係る構造をそのまま採用することが
できる。Here, in FIG. 16, the detailed structure of the signal connecting lead 12 is omitted, but as an example of the structure of the signal connecting lead 12, each specific example of the first embodiment is described. The structure according to the example can be directly adopted.
【００７１】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法については説明を省略するが、上記第２の実施形態
における製造方法とほぼ同様である。すなわち、図１１
におけるリードフレーム２０中のダイパッド１３の厚み
を厚くし、図１４に示す工程で、信号接続用リード１２
の下面だけでなくダイパッド１３の下面にも封止テープ
２１を密着させておけばよい。The description of the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment is omitted, but it is almost the same as the method of manufacture in the second embodiment. That is, FIG.
The die pad 13 in the lead frame 20 is thickened, and in the process shown in FIG.
The sealing tape 21 may be adhered not only to the lower surface of the die pad 13 but also to the lower surface of the die pad 13.
【００７２】（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について、図１７を参照しながら
説明する。図１７に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チッ
プを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド
１３を支持するための吊りリードとからなるリードフレ
ームを備えている。ここで、信号接続用リード１２の下
面側には、信号接続用リード１２の内方部１２ａが薄く
なるように段差が設けられている。そして、ダイパッド
１３上に半導体チップ１５が接着剤により接合されてお
り、半導体チップ１５の電極パッド（図示せず）と信号
接続用リード１２の内方部１２ａの上面とは、金属細線
１６により互いに電気的に接続されている。そして、信
号接続用リード１２，ダイパッド１３，吊りリード，半
導体チップ１５及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に
封止されている。ただし、信号接続用リード１２の内方
部１２ａを除く部分の上面及び下面は、封止樹脂１７か
ら露出している。また、本実施形態では、ダイパッド１
３の厚みは信号接続用リード１２の内方部１２ａの厚み
にその上部の厚みを加算した厚みに等しくなっている。
つまり、信号接続用リード１２を両面からハーフエッチ
する際に、裏面からのハーフエッチの際にはダイパッド
１３も同時にハーフエッチされるようにしておき、表面
からのハーフエッチの際にはダイパッド１３をマスクで
覆っておくことにより、このような構造が実現する。な
お、吊りリードは図示されていないが、吊りリードがダ
イパッド１３と同じ厚みを有するようにしてもよいし、
吊りリードが信号接続用リード１２の内方部１２ａと同
じ厚みを有するようにしてもよい。(Fourth Embodiment) Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 17, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment includes a signal connecting lead 12, a die pad 13 for supporting a semiconductor chip, and a suspension lead for supporting the die pad 13. Equipped with a lead frame. Here, a step is provided on the lower surface side of the signal connecting lead 12 so that the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 is thin. The semiconductor chip 15 is bonded onto the die pad 13 with an adhesive, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 15 and the upper surface of the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 are connected to each other by the metal thin wire 16. It is electrically connected. The signal connecting lead 12, the die pad 13, the suspension lead, the semiconductor chip 15 and the thin metal wire 16 are sealed in a sealing resin 17. However, the upper surface and the lower surface of the portion other than the inner portion 12 a of the signal connecting lead 12 are exposed from the sealing resin 17. Further, in this embodiment, the die pad 1
The thickness of 3 is equal to the thickness of the inner portion 12a of the signal connecting lead 12 plus the thickness of the upper portion thereof.
That is, when the signal connecting leads 12 are half-etched from both sides, the die pad 13 is also half-etched at the same time when the back surface is half-etched, and the die pad 13 is left half-etched from the front surface. By covering with a mask, such a structure is realized. Although the suspension leads are not shown, the suspension leads may have the same thickness as the die pad 13,
The suspension lead may have the same thickness as the inner portion 12a of the signal connecting lead 12.
【００７３】ここで、本実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の特徴は、封止樹脂１７の中央部の上面には信号
接続用リード１２の上面よりも上方に突出した凸部１７
ａが設けられている一方、封止樹脂１７の中央部の下面
には、その凸部１７ａと係合可能な形状の凹部１７ｂが
設けられている点である。The resin-encapsulated semiconductor device according to this embodiment is characterized in that the upper surface of the central portion of the encapsulating resin 17 has a convex portion 17 protruding above the upper surface of the signal connecting lead 12.
On the other hand, while a is provided, a concave portion 17b having a shape engageable with the convex portion 17a is provided on the lower surface of the central portion of the sealing resin 17.
【００７４】このような構造を採ることにより、図１９
に示すように、各信号接続用リード１２同士を接触させ
ながら複数のパッケージ体を積層して、立体的な構造，
すなわちスタック構造を有する半導体装置を得ることが
できる。By adopting such a structure, FIG.
As shown in FIG. 3, a plurality of package bodies are stacked while the signal connecting leads 12 are in contact with each other to form a three-dimensional structure,
That is, a semiconductor device having a stack structure can be obtained.
【００７５】なお、本実施形態において、信号接続用リ
ード１２の下部を封止樹脂１７の下面よりも下方に突出
させて、外部電極として機能させてもよい。In the present embodiment, the lower portion of the signal connecting lead 12 may be made to project below the lower surface of the sealing resin 17 so as to function as an external electrode.
【００７６】また、図１７に示す状態で、半導体チップ
１５が信号接続用リード１２にバンプなどを介してフリ
ップチップ接続されていてもよい。その場合、ダイパッ
ド１３や吊りリードがなくてもよい。Further, in the state shown in FIG. 17, the semiconductor chip 15 may be flip-chip connected to the signal connecting leads 12 via bumps or the like. In that case, the die pad 13 and the suspension lead may be omitted.
【００７７】ここで、図１７においては、信号接続用リ
ード１２の細部の構造の図示は省略されているが、この
信号接続用リード１２の構造の例として、上記第１の実
施形態の各具体例に係る構造をそのまま採用することが
できる。Here, in FIG. 17, the detailed structure of the signal connecting lead 12 is omitted, but as an example of the structure of the signal connecting lead 12, each concrete example of the first embodiment is described. The structure according to the example can be directly adopted.
【００７８】本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造
方法については詳しい説明は省略するが、樹脂封止工程
で使用する封止金型のダイキャビティにおける金型面の
形状を、封止樹脂１７の凸部１７ａ，凹部１７ｂの形状
に沿うようにしておくことにより、図１７に示す構造を
容易に実現することができる。A detailed description of the method of manufacturing the resin-sealed semiconductor device of the present embodiment is omitted, but the shape of the die surface in the die cavity of the encapsulating die used in the resin encapsulation step is defined by the encapsulation resin. By conforming to the shapes of the convex portions 17a and the concave portions 17b of 17, the structure shown in FIG. 17 can be easily realized.
【００７９】[0079]
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置による
と、ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び
接続部材を封止樹脂により封止する構造において、信号
接続用リードの上面及び下面を封止樹脂から露出させる
ようにしたので、脂封止型半導体装置の厚みが信号接続
用リードの厚みに等しくなることにより、極めて薄い樹
脂封止型半導体装置を得ることができ、小型化，薄型化
による実装密度の向上を図ることができる。According to the resin-sealed semiconductor equipment of the present invention, the die pad, the semiconductor chip, in the structure of the lead and the connecting member for signal connection is sealed with a sealing resin, the upper and lower surfaces of the signal connecting leads Since the resin is exposed from the encapsulation resin, the thickness of the oil-encapsulated semiconductor device becomes equal to the thickness of the signal connection lead, so that an extremely thin resin-encapsulated semiconductor device can be obtained, and the miniaturization, It is possible to improve the packaging density by reducing the thickness.
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a resin encapsulation type semiconductor device according to a first embodiment of the present invention through a sealing resin.
【図２】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導
体装置の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
【図３】第１の実施形態の第１の具体例に係る信号接続
用リードの平面図，正面図及び側面図である。3A and 3B are a plan view, a front view, and a side view of a signal connection lead according to a first specific example of the first embodiment.
【図４】第１の実施形態の第１の具体例の変形例に係る
信号接続用リードの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a signal connection lead according to a modification of the first specific example of the first embodiment.
【図５】第１の実施形態の第２の具体例に係る信号接続
用リードの平面図，正面図及び側面図である。5A and 5B are a plan view, a front view and a side view of a signal connection lead according to a second specific example of the first embodiment.
【図６】第１の実施形態の第２の具体例の変形例に係る
信号接続用リードの斜視図である。FIG. 6 is a perspective view of a signal connection lead according to a modification of the second specific example of the first embodiment.
【図７】第１の実施形態の第３の具体例に係る信号接続
用リードの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a signal connection lead according to a third specific example of the first embodiment.
【図８】第１の実施形態の第４の具体例に係る信号接続
用リードの平面図，正面図及び側面図である。8A and 8B are a plan view, a front view, and a side view of a signal connection lead according to a fourth specific example of the first embodiment.
【図９】第１の実施形態の第５の具体例に係る信号接続
用リードの斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a signal connection lead according to a fifth specific example of the first embodiment.
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a sealing resin of a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention in a transparent manner.
【図１１】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断
面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a step of preparing a lead frame in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the second embodiment.
【図１２】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合する
工程を示す断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a step of joining a semiconductor chip onto a die pad in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the second embodiment.
【図１３】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程における金属細線を形成する工程を示す断面図で
ある。FIG. 13 is a cross-sectional view showing a step of forming a metal fine wire in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the second embodiment.
【図１４】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程における封止テープをリードフレームの下に敷く
工程を示す断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view showing a step of placing a sealing tape under a lead frame in the manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device of the second embodiment.
【図１５】第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製
造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view showing a resin-sealing step in a manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device of the second embodiment.
【図１６】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view showing a resin encapsulation type semiconductor device according to a third embodiment of the present invention in a transparent manner through an encapsulation resin.
【図１７】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view showing a resin encapsulation type semiconductor device according to a fourth embodiment of the present invention with the encapsulation resin transparently shown.
【図１８】本発明の第１〜第３の実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置を複数個積層した場合の構造を示す斜視
図である。FIG. 18 is a perspective view showing a structure when a plurality of resin-sealed semiconductor devices according to the first to third embodiments of the present invention are stacked.
【図１９】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半
導体装置を複数個積層した場合の構造を示す斜視図であ
る。FIG. 19 is a perspective view showing a structure when a plurality of resin-sealed semiconductor devices according to a fourth embodiment of the present invention are stacked.
【図２０】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹
脂封止型半導体装置の断面図である。FIG. 20 is a cross-sectional view of a conventional resin-sealed semiconductor device of a type having an external electrode on the back surface side.
１２ 信号接続用リード １２ａ 内方部 １３ ダイパッド １５ 半導体チップ １６ 金属細線 １７ 封止樹脂 １８ 外部電極 ２０ リードフレーム ２１ 封止テープ ３０〜３３ 溝 ３３，３５ フランジ部 ３４，３６ 溝 12 signal connection leads 12a inner part 13 die pad 15 semiconductor chips 16 thin metal wires 17 Sealing resin 18 External electrode 20 lead frame 21 sealing tape 30-33 groove 33, 35 Flange part 34,36 groove
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 25/08 H01L 21/60 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/50 H01L 23/12 H01L 25/08 H01L 21/60
Claims (4)
とを電気的に接続する接続部材と、ダ イパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リード
及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、 上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂
から露出し、上記信号接続用リードの上面及び下面には
溝が設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体
装置。1. A semiconductor chip having an electrode pad, a lead signal connection, a connection member for electrically connecting the electrode pad and the signal-connecting leads of the semiconductor chip, da Ipaddo, the semiconductor chip, the and a sealing resin for sealing a signal connection leads and the connection member, upper and lower surfaces of the signal connecting leads are exposed from the sealing resin, the upper and lower surfaces of the signal-connecting leads
A resin-sealed semiconductor device having a groove .
とを電気的に接続する接続部材と、A connecting member for electrically connecting and ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リードDie pad, above semiconductor chip, above signal connection lead
及び上記接続部材を封止する封止樹脂とを備え、And a sealing resin for sealing the connection member, 上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂The upper surface and the lower surface of the signal connection lead are formed of the sealing resin.
から露出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装Resin-sealed semiconductor device characterized by being exposed from
置。Place
おいて、 上記溝は、両側面において互いに千鳥状に配置されてい
ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。3. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 2, wherein the grooves are arranged in a zigzag pattern on both side surfaces.
が設けられている信号接続用リードと、A signal connection lead provided with, 上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードElectrode pad of the semiconductor chip and the signal connection lead
とを電気的に接続する接続部材と、A connecting member for electrically connecting and ダイパッド，上記半導体チップ，上記信号接続用リードDie pad, above semiconductor chip, above signal connection lead
及び上記接続部材を封And seal the connecting member 止する封止樹脂とを備え、With a sealing resin to stop, 上記信号接続用リードの上面及び下面は、上記封止樹脂The upper surface and the lower surface of the signal connection lead are formed of the sealing resin.
から露出していることを特徴とする樹脂封止型半導体装Resin-sealed semiconductor device characterized by being exposed from
置。Place
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10919798A JP3461720B2 (en) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Resin-sealed semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10919798A JP3461720B2 (en) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Resin-sealed semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307675A JPH11307675A (en) | 1999-11-05 |
| JP3461720B2 true JP3461720B2 (en) | 2003-10-27 |
Family
ID=14504088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10919798A Expired - Fee Related JP3461720B2 (en) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Resin-sealed semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3461720B2 (en) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143981A (en) | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Amkor Technology, Inc. | Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package |
| KR100403142B1 (en) * | 1999-10-15 | 2003-10-30 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | semiconductor package |
| US7042068B2 (en) | 2000-04-27 | 2006-05-09 | Amkor Technology, Inc. | Leadframe and semiconductor package made using the leadframe |
| KR100414479B1 (en) * | 2000-08-09 | 2004-01-07 | 주식회사 코스타트반도체 | Implantable circuit tapes for implanted semiconductor package and method for manufacturing thereof |
| KR20020065729A (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | 주식회사 칩팩코리아 | Semicoductor package |
| KR20020065735A (en) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | 주식회사 칩팩코리아 | Semiconductor package and method for fabricating the same |
| KR20020095539A (en) * | 2001-06-14 | 2002-12-27 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | semiconductor package and packaging method of the same |
| JP4598316B2 (en) * | 2001-07-06 | 2010-12-15 | パナソニック株式会社 | Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2003100988A (en) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| TW533566B (en) * | 2002-01-31 | 2003-05-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Short-prevented lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same |
| CN101587869B (en) | 2003-08-26 | 2011-04-13 | 宇芯（毛里求斯）控股有限公司 | Reversible leadless package and methods of making and using same |
| JP4655300B2 (en) * | 2003-11-07 | 2011-03-23 | Ｔｄｋラムダ株式会社 | Lead frame |
| JP4895493B2 (en) * | 2004-10-14 | 2012-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | Resin-sealed light emitting device |
| DE102005041064B4 (en) * | 2005-08-30 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Surface-mountable optoelectronic component and method for its production |
| JP3941877B2 (en) * | 2005-11-16 | 2007-07-04 | 国立大学法人九州工業大学 | Double-sided electrode package and manufacturing method thereof |
| WO2007148782A1 (en) | 2006-06-22 | 2007-12-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing the same, base for semiconductor device, and multilayer resin-sealed semiconductor device |
| US7635913B2 (en) * | 2006-12-09 | 2009-12-22 | Stats Chippac Ltd. | Stacked integrated circuit package-in-package system |
| JP5167963B2 (en) * | 2007-11-02 | 2013-03-21 | 大日本印刷株式会社 | Resin-sealed semiconductor device, etching member used therefor, and laminated resin-sealed semiconductor device |
| US7723852B1 (en) | 2008-01-21 | 2010-05-25 | Amkor Technology, Inc. | Stacked semiconductor package and method of making same |
| JP5217753B2 (en) * | 2008-08-05 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | Optical semiconductor device |
| US8072050B1 (en) | 2008-11-18 | 2011-12-06 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device |
| US20170117214A1 (en) | 2009-01-05 | 2017-04-27 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with through-mold via |
| JP2010268017A (en) * | 2010-09-03 | 2010-11-25 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device |
| TWI557183B (en) | 2015-12-16 | 2016-11-11 | 財團法人工業技術研究院 | Siloxane resin composition, and photoelectric device employing the same |
| US8648450B1 (en) | 2011-01-27 | 2014-02-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands |
| US8866278B1 (en) | 2011-10-10 | 2014-10-21 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with increased I/O configuration |
| US9704725B1 (en) | 2012-03-06 | 2017-07-11 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation |
| KR101486790B1 (en) | 2013-05-02 | 2015-01-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Micro Lead Frame for semiconductor package |
| JP2015035554A (en) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | Semiconductor device |
| JP2015056462A (en) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | 株式会社東芝 | Semiconductor device |
| KR101563911B1 (en) | 2013-10-24 | 2015-10-28 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | Semiconductor package |
| JP5766310B2 (en) * | 2014-01-09 | 2015-08-19 | ローム株式会社 | Semiconductor device |
| US9673122B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-06-06 | Amkor Technology, Inc. | Micro lead frame structure having reinforcing portions and method |
| JP6791794B2 (en) * | 2017-03-29 | 2020-11-25 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device |
-
1998
- 1998-04-20 JP JP10919798A patent/JP3461720B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11307675A (en) | 1999-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030729 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090815 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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