JP4066050B2 - Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents

Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP4066050B2
JP4066050B2 JP2003146054A JP2003146054A JP4066050B2 JP 4066050 B2 JP4066050 B2 JP 4066050B2 JP 2003146054 A JP2003146054 A JP 2003146054A JP 2003146054 A JP2003146054 A JP 2003146054A JP 4066050 B2 JP4066050 B2 JP 4066050B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
lead
die pad
semiconductor device
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003146054A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2003318208A (en
Inventor
幸雄 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2003146054A priority Critical patent/JP4066050B2/en
Publication of JP2003318208A publication Critical patent/JP2003318208A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4066050B2 publication Critical patent/JP4066050B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73215—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ及び半導体チップに接続される信号接続用リードを封止樹脂により封止しダイパッドを封止樹脂内に埋設した樹脂封止型半導体装置の製造方法に係り、特に薄型化したものの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装することが要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。
【０００３】
以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。
【０００４】
図２１は、従来の樹脂封止型半導体装置の断面図である。図２１に示すように、従来の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置である。
【０００５】
従来の樹脂封止型半導体装置は、インナーリード１０１と、インナーリード１０１に対してアップセットされたダイパッド１０２と、そのダイパッド１０２を支持する吊りリード（図示せず）とからなるリードフレームとを備えている。そして、ダイパッド１０２上に半導体チップ１０４が接着剤により接合されており、半導体チップ１０４の電極パッド（図示せず）とインナーリード１０１とは、金属細線１０５により電気的に接続されている。そして、ダイパッド１０２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１の一部，吊りリード及び金属細線１０５は封止樹脂１０６により封止されている。この構造では、インナーリード１０１の裏面側には封止樹脂１０６は存在せず、インナーリード１０１の裏面側は露出されており、この露出面を含むインナーリード１０１の下部が外部電極１０７となっている。なお、封止樹脂１０６との密着性を確保するために、インナーリード１０１の内方側の側面を表裏の面に対して直交するのではなく、上方に向かって拡大するようにテーパ状にしている。
【０００６】
また、吊りリードをディプレスすることにより、ダイパッド１０２がインナーリード１０１に対してアップセットされている。そのため、封止樹脂１０６がダイパッドの裏面側にも薄く形成されている。
【０００７】
図２１に示す構造を有する樹脂封止型半導体装置の製造工程においては、まず、インナーリード１０１や、アップセットされたダイパッド１０２を有するリードフレームを用意し、機械的又は化学的加工を行なって、インナーリードの側面をテーパ状にする。次に、用意したリードフレームのダイパッド１０２の上に半導体チップ１０４を接着剤により接合した後、半導体チップ１０４とインナーリード１０１とを金属細線１０５により電気的に接続する。金属細線１０５には、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などが適宜用いられる。次に、ダイパッド１０２，半導体チップ１０４，インナーリード１０１，吊りリード及び金属細線１０５を封止樹脂１０６により封止する。この場合、半導体チップ１０４が接合されたリードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファーモールドされるが、特にリードフレームの裏面が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂封止が行なわれる。最後に、樹脂封止後に封止樹脂１０６から外方に突出しているアウターリードを切断して、樹脂封止型半導体装置が完成する。
【０００８】
【特許文献１】
特開平９−８２０６号公報（図４）
【特許文献２】
特開平６−９２０７６号公報（図３）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの下方に封止樹脂が存在しているために、半導体装置全体の薄型化を実現するためには、半導体チップ１０４の厚みを薄くしたり、半導体チップ１０４上の電極とインナーリード１０１とを接続する金属細線１０５の高さを低くしたり、あるいは金属細線１０５の形状を特殊なものとするなどの必要があった。その結果、樹脂封止型半導体装置の生産性が悪化し、これが薄型化を阻害する要因となっていた。
【００１０】
また、外部電極の下面には、実装基板への実装性を悪化させる樹脂バリが形成されるので、これを除去するべくウォータージェット等の工程を導入する必要があり、樹脂封止型半導体装置の生産性をますます悪化させていた。
【００１１】
本発明は、上記諸点に鑑みなされたものであって、その目的は、外部電極を封止樹脂の裏面に設けるとともに、半導体チップを封止樹脂内に埋設させた構造を有しながら、薄型化に適した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体チップを搭載する領域を囲む外枠と、上記半導体チップを支持するためのダイパッドと、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための複数の吊りリードと、上記外枠に接続される信号接続用リードとを有し、かつ上記ダイパッドが上記外枠よりも上方に位置しているリードフレームを用意する第１の工程と、上記ダイパッドと、主面上に電極パッドを有する半導体チップとを固着させる第２の工程と、上記半導体チップの電極パッドと上記信号接続用リードとを金属細線を介して電気的に接続する第３の工程と、上記リードフレームの上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部に封止テープを密着させながら、封止テープを封止金型に装着する第４の工程と、上記ダイパッド，半導体チップ，信号接続用リード及び金属細線を封止樹脂により封止する第５の工程と、上記各吊りリードの一部を切断する第６の工程と、上記封止テープを除去する第７の工程とを備え、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部が上記封止樹脂の裏面から露出しているとともに、上記ダイパッドが上記封止樹脂内に埋設されている樹脂封止体を得る方法である。
【００１３】
これにより、第５の工程において、リードフレームの外枠に加えられる型締め力により信号接続用リードの下面を封止テープに食い込ませることが可能になる。すなわち、ダイパッドの上面露出タイプの樹脂封止型半導体装置において、信号接続用リードの下部を封止樹脂から突出させた構造が容易に得られるとともに、信号接続用リードの下面における樹脂バリの発生量を最小化することが可能になる。
【００１４】
上記第５の工程と上記第６の工程との間に、上記各吊りリードの一部を切断する工程をさらに備えていることにより、封止テープを密着させた状態で各吊りリードの一部を切断することで、溶融した吊りリードを構成する金属が周囲に付着するのを防止でき、品質，品位の優れた樹脂封止型半導体装置を得ることができる。
【００１５】
上記第１の工程では、表面に金属メッキ層が形成されたリードフレームを用意することにより、樹脂封止後に封止樹脂から露出している部分のみにメッキを施す方法に比べて、メッキ処理の作業が簡単になるとともに、封止樹脂内のリードフレームにもメッキが施されていることでドライプロセスが可能になり樹脂封止型半導体装置の信頼性も向上する。
【００１６】
上記第４の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部の上記封止樹脂の裏面からの突出量が所望の値になるように、所定厚みの封止テープを用いることにより、別途信号接続用リードの突出量を調整するための工程や設備を設けることなく、突出量を調整できるので、量産工程における工程管理の容易化を図ることができる。
【００１７】
上記封止金型のうち上記信号接続用リードの突出させる部分に対向する部分に逃げ溝を形成しておき、上記第５の工程では、上記信号接続用リードの下面の少なくとも一部を上記逃げ溝に逃した状態で樹脂封止を行なうことにより、上記封止樹脂の裏面からの突出量を調整することにより、信号接続用リードの下面の封止樹脂からの突出量をより適正に調節することが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッドを封止樹脂内に埋設させた共通の構成を有しており、以下、その中の各種の実施形態について説明する。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。ただし、図１においては封止樹脂１７を透明体として扱い、各吊りリードの図示は省略している。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３と、そのダイパッド１３を支持するための吊りリードとからなるリードフレームを備えている。そして、ダイパッド１３の下面には、主面上に電極パッド（図示せず）を配列させた半導体チップ１５が主面を下方に向けて接着剤により接合されており、半導体チップ１５の電極パッドと信号接続用リード１２の下面とは、金属細線１６により互いに電気的に接続されている。そして、信号接続用リード１２，ダイパッド１３，吊りリード，半導体チップ１５及び金属細線１６は、封止樹脂１７内に封止されている。
【００２１】
ここで、本実施形態の第１の特徴は、ダイパッド１３の厚みがハーフエッチ等により薄くなっていて、ダイパッド１３がアップセットされているとともに、ダイパッド１３が封止樹脂１７内に埋設されている点である。そのため、封止樹脂１７により封止された状態では、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方に薄く存在している。
【００２２】
また、本実施形態の第２の特徴は、信号接続用リード１２の半導体チップ１５に近接した内方部分は、下面側がハーフエッチされて薄くなっており、この内方部分の下面の高さ位置は外方部分の下面の高さ位置よりも上方にあって、上記金属細線１６は、信号接続用リード１２の内方部分の下面と半導体チップの電極パッドとの間を接続するように構成されている点である。
【００２３】
さらに、本実施形態の第３の特徴は、信号接続用リード１２の外方部分の下面が封止樹脂１７の裏面側で露出しており、この信号接続用リード１２の外方部分の下面が実装基板との接続面となっている点、すなわち、信号接続用リード１２の外方部分の下部が外部電極１８となっている点である。そして、封止樹脂から露出している外部電極１８には本来的に樹脂封止工程における樹脂のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつ外部電極１８は封止樹脂１７の裏面よりも下方に少し突出している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に突出した外部電極１８の構造は、後述する製造方法によって容易に実現できる。
【００２４】
本実施形態の樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３が封止樹脂１７内に埋設されているので、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方にも薄く存在している。したがって、ダイパッドの上面や下面を封止樹脂から露出させたものに比べて、ダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、樹脂封止型半導体装置としての信頼性が向上する。
【００２５】
しかも、ハーフエッチ等によりダイパッド１３の厚みが薄くなっているので、半導体チップ１５の厚みを薄くしなくても、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化を図ることができる利点がある。すなわち、半導体チップを薄くすることで生じる，半導体チップ１５内に設けられているトランジスタ等の半導体素子の種類や数に対する制限を緩和でき、高い性能を維持できるとともに、応用分野も拡大する。
【００２６】
さらに、信号接続用リード１２の内方部分が下面側からハーフエッチされて内方部分の下面と半導体チップ１３の下方を向いている主面上の電極パッドとが金属細線１６によって接続される構造となっているので、狭いスペースを効率よく活用して金属細線１６を封止樹脂からはみ出させないように形成できる構造となる。
【００２７】
なお、本実施形態では、封止樹脂１７の側方には外部電極端子となるアウターリードが存在せず、インナーリードに相当する信号接続用リード１２の下部が外部電極１８となっているので、半導体装置の小型化を図ることができる。しかも、外部電極１８の下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極１８が封止樹脂１７の面より突出して形成されているため、実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極と実装基板の電極との接合において、外部電極１８のスタンドオフ高さが予め確保されていることになる。したがって、外部電極１８をそのまま外部端子として用いることができ、実装基板への実装のために外部電極１８にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利となる。
【００２８】
次に、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図２〜図６は、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００２９】
まず、図２に示す工程で、信号接続用リード１２と、半導体チップを支持するためのダイパッド１３とが設けられているリードフレーム２０を用意する。図中、ダイパッド１３は吊りリードによって支持されているが、吊りリードはこの断面には現れないために図示されていない。そして、吊りリードが上方に曲げられることで、ダイパッド１３は外枠よりも上方に位置するようにアップセットされている。また、信号接続用リード１２の外方はリードフレーム２０の外枠に接続されているが、外枠は信号接続用リードと連続しているために、この段面では境界が現れていない。ここで、ダイパッド１３は、ハーフエッチにより全体が薄くなっている。さらに、用意するリードフレーム２０は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーを設けていないリードフレームである。
【００３０】
また、本実施形態におけるリードフレーム２０は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッキとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッキされた３層の金属メッキ済みのリードフレームである。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていてもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくてもよい。
【００３１】
次に、図３に示す工程で、用意したリードフレームのダイパッド１３の下面に半導体チップ１５を載置して、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを支持する部材としてはリードフレームに限定されるものではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えばＴＡＢテープ、基板を用いてもよい。
【００３２】
そして、図４に示す工程で、ダイパッド１３の下面に接合した半導体チップ１５の下方を向いている主面上の電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面とを金属細線１６により電気的に接合する。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線としては、アルミニウム細線、金（Ａｕ）線などを適宜選択して用いることができる。
【００３３】
次に、図５に示す工程で、リードフレームのダイパッド１３に半導体チップ１５が接合された状態で、信号接続用リード１２の外部電極１８の下面に封止テープ２１を貼り付ける。
【００３４】
この封止テープ２１は、特に信号接続用リード１２の外部電極１８の下面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであり、この封止テープ２１の存在によって、外部電極１８の下面に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。この封止テープ２１は、ポリエチレンテレフタレート，ポリイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベースとしたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるものであればよい。本実施形態では、ポリエチレンテレフタレートを主成分としたテープを用い、厚みは５０［μｍ］とした。
【００３５】
次に、図６に示す工程で、半導体チップ１５が接合され、封止テープ２１が貼り付けられたリードフレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂１７を流し込んで樹脂封止を行う。あるいは、金型内に封止テープ２１を貼り付けることも可能である。この際、外部電極１８の下面側に封止樹脂１７が回り込まないように、金型でリードフレームの信号接続用リード１２の外方側（外枠）を下方に押圧して、樹脂封止する。また、ダイパッド１３の上面と金型面との間には、空隙があり、封止樹脂１７がダイパッド１３の上方にも十分行き渡るように樹脂封止工程を行なう。
【００３６】
最後に、外部電極１８の下面に貼付した封止テープ２１をピールオフにより除去する。これにより、ダイパッド１３の上方には封止樹脂１７が存在した構造が得られる。また、封止樹脂１７の裏面側には封止樹脂１７の下面から下方に突出した外部電極１８が形成される。そして、信号接続用リード１２の先端側を、信号接続用リード１２の先端面と封止樹脂１７の側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、図１に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
【００３７】
本実施形態の製造方法によると、ダイパッド１３の全体が薄く形成され、かつ、ダイパッド１３の上方に封止樹脂１７が存在している樹脂封止型半導体装置を容易に製造することができる。
【００３８】
しかも、本実施形態の製造方法によると、樹脂封止工程の前に予め信号接続用リード１２の外部電極１８の下面に封止テープ２１を貼付しているので、封止樹脂１７が回り込むことがなく、外部電極１８の下面には樹脂バリの発生はない。したがって、信号接続用リードの下面を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法のごとく、外部電極１８上に形成された樹脂バリをウォータージェットなどによって除去する必要はない。すなわち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれのあったリードフレームのニッケル（Ｎｉ），パラジウム（Ｐｄ），金（Ａｕ）などの金属メッキ層の剥がれや不純物の付着は解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属層のプリメッキが可能となる。
【００３９】
なお、ウォータージェットによる樹脂バリ除去工程を削除できるかわりに、封止テープを貼付する工程が新たに必要となるが、封止テープ２１を貼付する工程の方が、ウォータージェット工程よりもコスト的に安価であり、また工程管理も容易であるため、確実に工程の簡略化が図れる。なによりも、従来必要であったウォータージェット工程では、リードフレームの金属メッキが剥がれる、不純物が付着するという品質上のトラブルが発生するが、本実施形態の方法では、封止テープの貼付により、ウォータージェットが不要となって、メッキ剥がれをなくすことができる点は大きな工程上の利点となる。また、封止テープの貼付状態などによって樹脂バリが発生することがあるとしても、極めて薄い樹脂バリであるので、低い水圧でウォータージェット処理して樹脂バリを除去でき、メッキ剥がれを防止できることから金属層のプリメッキ工程は可能である。
【００４０】
なお、樹脂封止工程の終了後に、封止テープ２１をつけたままで封止テープ２１の上からレーザーを照射して信号接続用リード１２の封止樹脂１７の側方にから突出している部分を切断してもよい。このように、リードフレームの切断部分の周囲が封止テープによって覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点がある。
【００４１】
なお、図６に示すように、樹脂封止工程においては、封止金型の熱によって封止テープ２１が軟化するとともに熱収縮するので、外部電極１８が封止テープ２１に大きく食い込み、外部電極１８の下面と封止樹脂１７の裏面との間には段差が形成される。したがって、外部電極１８は封止樹脂１７の裏面から突出した構造となり、外部電極１８の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、本実施形態では、封止テープ２１の厚みを５０μｍとしているので、スタンドオフ高さを例えば２０μｍ程度にできる。このように、封止テープ２１の厚みの調整によって外部電極１８のスタンドオフ高さを適正量に維持できる。このことは、外部電極１８のスタンドオフ高さを封止テープ２１の厚みの設定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ量をコントロールのための手段または工程を設けなくてもよいこと意味し、量産工程における工程管理のコスト上、極めて有利な点である。この封止テープ２１の厚みは、１０〜１５０μｍ程度であることが好ましい。
【００４２】
なお、用いる封止テープ２１については、所望するスタンドオフ高さに応じて、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化特性を有する材質を選択することができる。
【００４３】
ただし、上記第１の実施形態において、封止テープ２１に加える圧力の調整によって、外部電極１８のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、スタンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能である。
【００４４】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有していてもよいが、ダイパッドの形状やダイパッドと吊りリードとの接続部の形状のみが異なる。そこで、本実施形態においては、ダイパッドやそれにつながる吊りリードを除く他の部分についての説明は省略する。
【００４５】
−第１の具体例−
図７（ａ）は本実施形態の第１の具体例に係るダイパッド１３の平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すVIIb−VIIb線における断面図である。図７（ａ），（ｂ）に示すように、本具体例に係るダイパッド１３は、ハーフエッチにより厚みが薄く形成されているとともに（本実施形態では、下面側からハーフエッチされている）、半導体チップ１５よりも面積が小さい。また、ダイパッド１３を支持する吊りリード１４の厚みもダイパッド１３につながる部分では、ダイパッド１３と同じ厚みに形成されている。ただし、ダイパッド１３から離れた部位から外方においては、ハーフエッチされていない。
【００４６】
本実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３よりも半導体チップ１５の方が大面積となっているので、ダイパッド１３の側方かつ半導体チップ１５の上の領域に封止樹脂が存在することにより、半導体チップ１５に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。その結果、半導体チップ１５と接着されているダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力も向上するので、樹脂封止型半導体装置の薄型化を図りつつ、信頼性の向上を図ることができる。
【００４７】
また、吊りリード１４の厚みもダイパッド１３厚みと同じ厚みになっていることにより、樹脂封止型半導体装置全体の薄型化をより確実に実現することができる。その場合、吊りリード１４は下面側からハーフエッチされている方が、ダイパッド１３よりも面積の大きい半導体チップ１５を搭載しても吊りリード１４と半導体チップ１５との干渉を容易に回避できる利点がある。
【００４８】
また、図８は、本具体例の変形例に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッドおよび吊りリードのみを示す平面図である。本具体例に係るダイパッド１３の平面形状は、図７（ａ）に示すような矩形である必要はなく、図８に示すような形状でもよい。すなわち、中央部に設けられた単一の円板や、中央部の円板にさらに各コーナー部に設けた４つの円板（破線参照）を加えたものからなるダイパッド１３であってもよい。
【００４９】
−第２の具体例−
図９（ａ）は本実施形態の第２の具体例に係るダイパッド１３の平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）に示すIXb-IXb 線における断面図である。図９（ａ），（ｂ）に示すように、本具体例に係るダイパッド１３には、中央部に矩形状の開口３０ａが形成されている。この開口３０ａは、半導体チップ１５の搭載領域の内方に形成されている。また、ダイパッド１３はハーフエッチ等により全体が薄く形成されている。
【００５０】
本実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置によると、ダイパッド１３に開口３０ａが形成されているので、開口３０ａの内方かつ半導体チップ１５の上方となる領域に封止樹脂１７が存在することになり、半導体チップ１５およびダイパッド１３に対する封止樹脂１７の保持力が大幅に向上する。
【００５１】
なお、図１０（ａ）の変形例に示すように、コーナー部で円状の領域を有するフレームによって囲まれる開口３０ｂや、コーナー部で矩形状の領域を有するフレームによって囲まれる開口３０ｃを有するダイパッド１３であってもよい。
【００５２】
（第３の実施形態）
次に、信号接続用リードの構造に関する第３の実施形態の各具体例について説明する。
【００５３】
−第１の具体例−
図１１は、第３の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、信号接続用リード１２の内方部分は、下面側からハーフエッチされて外方部分よりも薄くなっており、この内方部分の下面と半導体チップ１５との間に金属細線１６が設けられている。そして、信号接続用リード１２の外方部分の上面、つまり外部電極１８の上方には、２つの溝部３１が設けられている。さらに、図示しないが、信号接続用リード１２の外方部分のうちこの溝部が形成されている部分は下方よりも幅が広くなっている。
【００５４】
本具体例のように、信号接続用リード１２の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくても、封止樹脂１７の裏面との間にある程度の空間を確保することができる。したがって、金属細線１６の一端を信号接続用リード１２の内方部分の下面に接続しても、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設することができる。
【００５５】
つまり、樹脂封止型半導体装置の薄型を図りつつ、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを防止することができる。
【００５６】
しかも、信号接続用リード１２の内方部分の下側に封止樹脂１７が回り込むことで、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力も増大する。
【００５７】
また、信号接続用リード１２の外方部分の上面に溝部３１を設けることにより、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、かつ、信号接続用リード１２の外方部分の上部の幅を下部よりも広くすることにより、封止樹脂１７の保持力がさらに増大することになる。
【００５８】
−第２の具体例−
図１２は、第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２の内方部分に下面側からハーフエッチが施されているとともに、この内方部分がアップセットされ、アップセットされた部分の下面に金属細線１６の一端が接続されている。
【００５９】
この具体例では、第１の具体例に比べて信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６の信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのをより確実に防止することができる。
【００６０】
−第３の具体例−
図１３は、第３の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２にはハーフエッチが施されていないが、信号接続用リード１２の内方部分がその外方部分よりもアップセットされている。
【００６１】
本具体例によっても、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６のワイヤボンディングの信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを確実に防止することができる。
【００６２】
−第４の具体例−
図１４は、第４の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例では、信号接続用リード１２に下面側からハーフエッチが施され、かつ、信号接続用リード１２の内方部分は半導体チップ１５の下方領域まで延びている。また、半導体チップ１５の主面上の電極パッド（図示せず）は、半導体チップの外周付近ではなく、中央部に近い領域に配列されている。そして、半導体チップの電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面との間に金属細線１６が設けられている。
【００６３】
本具体例では、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５の電極パッドが配列された位置に近づけることができるので、金属細線１６の長さを短くすることができる。したがって、樹脂封止型半導体装置の薄型化を図りつつ、金属細線１６のワイヤボンディングの信頼性および特性の向上を図ることができる。
【００６４】
なお、この第４の具体例において信号接続用リード１２の内方部分をアップセットするようにしてもよいことはいうまでもない。
【００６５】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態について説明する。本実施形態では、さらに薄型化を図るためのダイパッド１３の構造に関する具体例について説明する。
【００６６】
−第１の具体例−
図１５は、第４の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、ダイパッド１３は半導体チップ１５の辺部のみに設けられ、しかも半導体チップ１５の主面側つまり下面側から半導体チップ１５を支持している。そして、信号接続用リード１２の内方部分は、下面側からハーフエッチされて外方部分よりも薄くなっており、半導体チップ１５の下方領域まで延びている。また、半導体チップ１５の主面において中央部に電極パッドが配列されており、この電極パッドと信号接続用リード１２の内方部分の下面との間に金属細線１６が設けられている。
【００６７】
図１７（ａ），（ｂ）は、ダイパッド１３の平面形状の例を示す平面図である。図１７（ａ）に示すようにダイパッドの辺部のうちコーナー付近だけに各々孤立した４つの矩形状部分からなるダイパッドを設けてもよいし、図１７（ｂ）に示すように２つの辺部に沿って延びる２つの帯状部分からなるダイパッド１３であってもよい。また、図１０（ａ），（ｂ）に示すような平面形状を有するダイパッド１３により半導体チップ１５の主面側を支持してもよい。
【００６８】
本具体例のように、ダイパッド１３により半導体チップ１５をその主面の辺部において支持するとともに、信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５の下方領域まで延ばして、金蔵細線１６をこの内方部分の下面に接続させる構成とすることで、半導体チップと信号接続用リード１２との間のスペースを非常に有効に利用することができる。その結果、樹脂封止型半導体装置全体の厚みをより薄くかつ小型にすることができる。
【００６９】
その場合、信号接続用リード１２の内方部分を下面側からハーフエッチすることにより、内方部分の下面の高さ位置がその外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるので、全体の厚みを厚くしなくても、封止樹脂１７の裏面との間にある程度の空間を確保することができる。したがって、金属細線１６の一端を信号接続用リード１２の内方部分の下面に接続しても、金属細線１６を封止樹脂１７内に確実に埋設することができる。
【００７０】
つまり、樹脂封止型半導体装置の薄型を図りつつ、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのを防止することができる。
【００７１】
しかも、信号接続用リード１２の内方部分の下側に封止樹脂１７が回り込むことで、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力も増大する。
【００７２】
また、信号接続用リード１２の外方部分の上面に溝部３１を設けることにより、信号接続用リード１２に対する封止樹脂１７の保持力が増大し、かつ、信号接続用リード１２の外方部分の上部の幅を下部よりも広くすることにより、封止樹脂１７の保持力がさらに増大することになる。
【００７３】
−第２の具体例−
図１６は、第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。同図に示すように、本具体例においても、ダイパッド１３は半導体チップ１５の辺部のみに設けられ、しかも半導体チップ１５の主面側つまり下面側から半導体チップ１５を支持している。そして、本具体例では、上記第１の具体例とは異なり、信号接続用リード１２の内方部分に下面側からハーフエッチが施されているとともに、この内方部分がアップセットされ、アップセットされた部分の下面に金属細線１６の一端が接続されている。
【００７４】
この具体例では、第１の具体例に比べて信号接続用リード１２の内方部分を半導体チップ１５に近づけることができるので、金属細線１６の信頼性が向上する。また、信号接続用リード１２の内方部分の下方に十分なスペースが確保されるので、金属細線１２が封止樹脂１７内に確実に埋設でき、金属細線１６が封止樹脂１７から露出するのをより確実に防止することができる。
【００７５】
なお、本具体例においても、バイパッド１３の平面形状は、図１７（ａ）に示すようにダイパッドの辺部のうちコーナー付近だけに各々孤立した４つの矩形状部分からなるものであってもよいし、図１７（ｂ）に示すように２つの辺部に沿って延びる２つの帯状部分からなるダイパッド１３であってもよい。また、図１０（ａ），（ｂ）に示すような平面形状を有するダイパッド１３により半導体チップ１５の主面側を支持してもよい。
【００７６】
（第５の実施形態）
次に、吊りリード１４の構造に関する第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置について説明する。本実施形態における樹脂封止型半導体装置は、各実施形態におけるいずれの構造を有していてもよいが、吊りリードの形状のみが異なる。そこで、本実施形態においては、吊りリードおよびそれにつながるダイパッドを除く他の部分についての説明は省略する。
【００７７】
図１８（ａ）は、本実施形態に係るリードフレームの平面図であり、図１８（ｂ）は図１８（ａ）に示すXVIIIb-XVIIIb 線に示す断面におけるリードフレームの断面図である。図１８（ａ），（ｂ）に示すように、外枠４６につながる信号接続用リード１２とダイパッド１３との間に吊りリード１４が介設されている。すなわち、吊りリード１４及び信号接続用リード１２を介して、外枠４６によりダイパッド１３を支持するように構成されている。この吊りリード１４には吊りリード１４の一部を封止樹脂から露出させるためのコ字状の曲げ部４５が設けられている。また、外枠４６よりもダイパッド１３の方が高くなるようにダイパッド１３がアップセットされている。本実施形態では、このアップセット量は４０〜８０μｍ程度である。
また、本実施形態では、信号接続用リード１２の内方側部分は裏面側からハーフエッチが施されており、吊りリード１４およびダイパッド１３は全体的にハーフエッチされて薄くなっている。また、信号接続用リード１２の表側には信号接続用リード１２が延びる方向に直交する２つの溝が形成されている。
【００７８】
このように、信号接続用リード１２とダイパッド１３の辺部との間に吊りリード１４を介設することにより、吊りリード１４をコーナー部に設けるよりも短くでき、吊りリード１４の強度を向上させることができる。また、曲げ部によりダイパッド位置を支えることにより、さらに安定させることができる。したがって、樹脂封止工程において封止樹脂１７の流れによるダイパッドの変形を抑制する機能をより高めることができ、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、封止樹脂の流れ等によるダイパッドの変形を抑制することができる。特に、薄型化された樹脂封止型半導体装置においては、ダイパッドの変形によりダイパッドが封止樹脂からはみ出るおそれが増大するが、本具体例により、このような不具合を効果的に防止することができる。
【００７９】
また、吊りリード１４の一部にこのような曲げ部４５を設けることで、樹脂封止工程の後に、レーザーなどによって露出している吊りリード１４の一部を切断することができるので、ダイパッド１３と吊りリード１４の外方側に接続される信号接続用リード１２とを電気的に分離できるなどの利点がある。すなわち、吊りリード１４の一部を樹脂封止工程の後に切断することにより、例えば信号接続用リード１２とダイパッド１３との電気的な接続を断つことができ、バイポーラトランジスタを搭載した半導体チップについても、このような構造を適用できるという利点がある。
【００８０】
また、樹脂封止工程の前に曲げ部４５の露出させようとする面に封止テープを密着させておき、樹脂封止工程の終了後に、封止テープをつけたままで封止テープ２１の上から吊りリード１４の曲げ部４５の一部を切断してもよい。このように、吊りリード１４の一部を切断しておくことで、形成される樹脂封止型半導体装置においては上述の効果が得られる。しかも、曲げ部４５の周囲が封止テープによって覆われているので、レーザーによる溶融物が周囲に飛散しても、封止テープを剥がすことによって飛散物を樹脂封止型半導体装置から容易に除去できるという利点がある。
【００８１】
（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態について説明する。本実施形態では、吊りリードを補強用外部端子として用いるための構造について説明する。
【００８２】
図１９は、第６の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
【００８３】
同図に示すように、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、裏面に信号接続用リードにつながる外部電極１８を露出させているとともに、４カ所のコーナー部においてダイパッド１３を支持するための吊りリード１４の外方側端部を露出させており、この部分が補強用外部端子４９として機能する。すなわち、樹脂封止型半導体装置を実装基板上に搭載する場合に、はんだ等で実装基板側の電極と樹脂封止型半導体装置の外部電極１８とが接続される。その際、補強用外部端子４９と実装基板側のダミー端子などとの間にもはんだ等を介在させることにより、実装強度を極めて高めることができる。また、補強用外部端子４９が存在することで、はんだの張力によるセルフアライメント作用が顕著となり、実装に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上をも図ることができる。
【００８４】
本実施形態における外部端子として機能する吊りリード１４に対しても、上記第５の実施形態における各具体例および変形例の構造が適用できることはいうまでもない。
【００８５】
なお、補強用外部端子４９と外部電極１８との高さ位置を変えておくことで、アライメント性をさらに向上させることができ、実装に要する時間の短縮や実装される位置精度の向上効果を顕著に発揮することができる。その場合、上記補強用外部端子４９の露出している部分の下面と、上記外部電極１８の露出している部分の下面との高さの差は、１０〜１５０μｍであることが好ましい。
【００８６】
なお、本発明における外部電極１８は必ずしも樹脂封止型半導体装置の裏面の４つの辺部に設けられている必要はなく、いずれか２つの平行な辺部に沿ってのみ設けられていてもよい。
【００８７】
（第７の実施形態）
本実施形態では、外部電極の封止樹脂からの突出量を調整するための樹脂封止方法について説明する。
【００８８】
図２０は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。同図に示すように、上金型５０ａと下金型５０ｂとからなる封止金型を用い、ダイパッド１３上に半導体チップ１５を搭載し、半導体チップの電極パッドと信号接続用リード１２とを金属細線１６で接続したものを封止金型の下金型５０ｂに装着し、リードフレームの下面に封止テープ２１を密着させた状態で樹脂封止を行なう。
【００８９】
ここで、本実施形態の製造方法の特徴は、下金型５０ｂにおいて、リードフレームの信号接続用リード１２の外方部分である外部電極１８（及び外枠４６）に対向する領域には凹状の逃げ部５２が設けられている点である。
【００９０】
このように封止金型に逃げ部５２を設けておくことにより、封止テープ２１を逃げ部５２の方に逃すことで、信号接続用リード１２の封止テープ２１への食い込み量が小さくなる。その結果、封止金型の型締め力だけでなく逃げ部５２の深さによって、突出させようとする部分の突出量を所望の値に調整することでき、樹脂バリの発生量も最小化することができる。
【００９１】
同様に、上記各実施形態において露出させる部分（例えば曲げ部）に対向する金型面に逃げ部を設けることにより、当該露出部分の封止樹脂からの突出量の調節や、樹脂バリの発生量の最小化を図ることができる。
【００９２】
ただし、封止金型の上金型と下金型との間の型締め力の調整や、上金型−下金型間の寸法よりもリードフレームの寸法を大きめにする場合の寸法の設定量によって、上記各実施形態において露出させる部分の突出量を調節してもよい。
【００９３】
（その他の実施形態）
なお、金型に真空引き用の穴を設け、封止テープ２１を真空引きしながら樹脂封止を行なうことにより、封止テープのシワの発生を抑制し、封止樹脂の裏面の平坦化を図ることもできる。
【００９４】
【発明の効果】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、大面積のダイパッドが必要とされるときにも、ダイパッドの変形による封止樹脂からの露出を防止する機能の高い薄型化された樹脂封止型半導体装置の提供を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の封止樹脂を透過して示す断面図である。
【図２】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程におけるダイパッドに半導体チップを接合する工程を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における封止テープをリードフレームの下に敷く工程を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の第１の具体例に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態の第１の具体例の変形例に係るリードフレームの平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態の第２の具体例に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の第２の具体例の変形例に係るリードフレームの平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の第３の実施形態の第３の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態の第４の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１５】本発明の第４の実施形態の第１の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の第４の実施形態の第２の具体例に係る樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態の第１および第２のの具体例に係る樹脂封止型半導体装置のダイパッドの平面形状を示す平面図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態に係るリードフレームの平面図及び断面図である。
【図１９】本発明の第６の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の裏面の構造を示す平面図である。
【図２０】本発明の第７の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
【図２１】従来の裏面側に外部電極を有するタイプの樹脂封止型半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１２ 信号接続用リード
１３ ダイパッド
１４ 吊りリード
１５ 半導体チップ
１６ 金属細線
１７ 封止樹脂
１８ 外部電極
２１ 封止テープ
３０ 開口
３１ 溝部
４５ 曲げ部
４６ 外枠
４９ 補強用外部端子
５０ａ 上金型
５０ｂ 下金型
５２ 逃げ部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor chip and a signal connection lead connected to the semiconductor chip are encapsulated with an encapsulating resin and a die pad is embedded in the encapsulating resin. It relates to the improvement of things.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in order to cope with the miniaturization of electronic devices, it is required to mount semiconductor components mounted on the electronic devices with high density, and accordingly, the semiconductor components are becoming smaller and thinner.
[0003]
Hereinafter, a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described.
[0004]
FIG. 21 is a cross-sectional view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device. As shown in FIG. 21, the conventional resin-encapsulated semiconductor device is a type of resin-encapsulated semiconductor device having an external electrode on the back surface side.
[0005]
A conventional resin-encapsulated semiconductor device includes an inner lead 101, a die pad 102 that is upset with respect to the inner lead 101, and a lead frame that includes suspension leads (not shown) that support the die pad 102. ing. A semiconductor chip 104 is bonded onto the die pad 102 with an adhesive, and an electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 104 and the inner lead 101 are electrically connected by a thin metal wire 105. The die pad 102, the semiconductor chip 104, a part of the inner lead 101, the suspension lead and the fine metal wire 105 are sealed with a sealing resin 106. In this structure, the sealing resin 106 does not exist on the back surface side of the inner lead 101, and the back surface side of the inner lead 101 is exposed, and the lower part of the inner lead 101 including the exposed surface becomes the external electrode 107. Yes. In order to ensure adhesion with the sealing resin 106, the inner side surface of the inner lead 101 is not orthogonal to the front and back surfaces, but is tapered so as to expand upward. Yes.
[0006]
Further, the die pad 102 is upset with respect to the inner lead 101 by pressing the suspension lead. Therefore, the sealing resin 106 is thinly formed on the back side of the die pad.
[0007]
In the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device having the structure shown in FIG. 21, first, a lead frame having an inner lead 101 and an upset die pad 102 is prepared and subjected to mechanical or chemical processing. The side surface of the inner lead is tapered. Next, after the semiconductor chip 104 is bonded onto the die pad 102 of the prepared lead frame with an adhesive, the semiconductor chip 104 and the inner lead 101 are electrically connected by the thin metal wire 105. As the metal thin wire 105, an aluminum thin wire, a gold (Au) wire, or the like is appropriately used. Next, the die pad 102, the semiconductor chip 104, the inner lead 101, the suspension lead and the metal thin wire 105 are sealed with a sealing resin 106. In this case, the lead frame to which the semiconductor chip 104 is bonded is accommodated in the sealing mold and transfer molded. In particular, the back surface of the lead frame is in contact with the upper mold or the lower mold of the sealing mold. In the state, resin sealing is performed. Finally, after the resin sealing, the outer leads protruding outward from the sealing resin 106 are cut to complete the resin-sealed semiconductor device.
[0008]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 9-8206 (FIG. 4)
[Patent Document 2]
JP-A-6-92076 (FIG. 3)
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above conventional resin-encapsulated semiconductor device, since the encapsulating resin exists below the die pad, the thickness of the semiconductor chip 104 is reduced in order to reduce the thickness of the entire semiconductor device. In addition, it is necessary to reduce the height of the fine metal wire 105 that connects the electrode on the semiconductor chip 104 and the inner lead 101, or to make the shape of the fine metal wire 105 special. As a result, the productivity of the resin-encapsulated semiconductor device has deteriorated, and this has been a factor that hinders thinning.
[0010]
In addition, since a resin burr that deteriorates the mounting property on the mounting substrate is formed on the lower surface of the external electrode, it is necessary to introduce a process such as a water jet in order to remove the resin burr. Productivity was getting worse.
[0011]
The present invention has been made in view of the above points, and its purpose is to reduce the thickness while having a structure in which an external electrode is provided on the back surface of a sealing resin and a semiconductor chip is embedded in the sealing resin. It is an object to provide a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device suitable for the above.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes an outer frame surrounding a region on which a semiconductor chip is mounted, a die pad for supporting the semiconductor chip, and a plurality of die pads for connecting the die pad to the outer frame. A first step of preparing a lead frame having a suspension lead and a signal connection lead connected to the outer frame, the die pad being positioned above the outer frame; and the die pad; A second step of fixing a semiconductor chip having an electrode pad on the main surface; a third step of electrically connecting the electrode pad of the semiconductor chip and the signal connection lead via a fine metal wire; A fourth step of attaching the sealing tape to a sealing mold while adhering the sealing tape to at least a part of the lower surface of the signal connection lead of the lead frame; the die pad; and the semiconductor , A fifth step of sealing the signal connection lead and the fine metal wire with a sealing resin, a sixth step of cutting a part of each of the suspension leads, and a seventh step of removing the sealing tape And a method of obtaining a resin sealing body in which at least a part of the lower surface of the signal connection lead is exposed from the back surface of the sealing resin and the die pad is embedded in the sealing resin It is.
[0013]
As a result, in the fifth step, the lower surface of the signal connection lead can be bitten into the sealing tape by the clamping force applied to the outer frame of the lead frame. That is, in the resin-encapsulated semiconductor device of the die pad upper surface exposed type, a structure in which the lower part of the signal connection lead protrudes from the sealing resin can be easily obtained, and the amount of resin burrs generated on the lower surface of the signal connection lead Can be minimized.
[0014]
A part of each suspension lead in a state in which the sealing tape is in close contact is further provided between the fifth step and the sixth step by cutting a part of each suspension lead. Can be prevented from adhering to the periphery of the metal constituting the molten suspension lead, and a resin-encapsulated semiconductor device having excellent quality and quality can be obtained.
[0015]
In the first step, a lead frame having a metal plating layer formed on the surface is prepared, so that the plating process is performed in comparison with the method of plating only the portion exposed from the sealing resin after resin sealing. The work is simplified, and the lead frame in the sealing resin is also plated, so that a dry process is possible and the reliability of the resin-encapsulated semiconductor device is improved.
[0016]
In the fourth step, a sealing tape having a predetermined thickness is used separately so that the protruding amount of at least a part of the lower surface of the signal connection lead from the back surface of the sealing resin becomes a desired value. Since the amount of protrusion can be adjusted without providing a process and equipment for adjusting the amount of protrusion of the signal connection lead, process management in the mass production process can be facilitated.
[0017]
A relief groove is formed in a portion of the sealing mold facing the portion where the signal connection lead protrudes, and in the fifth step, at least a part of the lower surface of the signal connection lead is removed from the relief die. By performing resin sealing in a state where it has escaped into the groove, the amount of protrusion from the sealing resin on the lower surface of the signal connection lead is adjusted more appropriately by adjusting the amount of protrusion from the back surface of the sealing resin. It becomes possible.
[0018]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The resin-encapsulated semiconductor device of the present invention has a common configuration in which a die pad is embedded in an encapsulating resin, and various embodiments therein will be described below.
[0019]
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of the resin-encapsulated semiconductor device according to the first embodiment. However, in FIG. 1, the sealing resin 17 is handled as a transparent body, and illustration of each suspension lead is omitted.
[0020]
As shown in FIG. 1, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment includes a signal connection lead 12, a die pad 13 for supporting a semiconductor chip, and a suspension lead for supporting the die pad 13. It has a lead frame. A semiconductor chip 15 in which electrode pads (not shown) are arranged on the main surface is bonded to the lower surface of the die pad 13 with an adhesive so that the main surface faces downward. The lower surface of the signal connection lead 12 is electrically connected to each other by a thin metal wire 16. The signal connection lead 12, the die pad 13, the suspension lead, the semiconductor chip 15, and the metal thin wire 16 are sealed in a sealing resin 17.
[0021]
Here, the first feature of the present embodiment is that the thickness of the die pad 13 is reduced by half-etching, the die pad 13 is upset, and the die pad 13 is embedded in the sealing resin 17. Is a point. Therefore, in a state where the sealing resin 17 is sealed, the sealing resin 17 is thinly present above the die pad 13.
[0022]
The second feature of the present embodiment is that the inner portion of the signal connection lead 12 adjacent to the semiconductor chip 15 is thinned by half-etching the lower surface side, and the height position of the lower surface of the inner portion is reduced. Is above the height position of the lower surface of the outer portion, and the thin metal wire 16 is configured to connect between the lower surface of the inner portion of the signal connection lead 12 and the electrode pad of the semiconductor chip. It is a point.
[0023]
Furthermore, the third feature of the present embodiment is that the lower surface of the outer portion of the signal connection lead 12 is exposed on the back surface side of the sealing resin 17, and the lower surface of the outer portion of the signal connection lead 12 is exposed. This is a point that is a connection surface with the mounting substrate, that is, a lower part of the outer portion of the signal connection lead 12 is the external electrode 18. The external electrode 18 exposed from the sealing resin does not inherently have a resin burr that is a protruding portion of the resin in the resin sealing process, and the external electrode 18 is below the back surface of the sealing resin 17. It protrudes a little. Such a structure of the external electrode 18 which does not have a resin burr and protrudes downward can be easily realized by a manufacturing method described later.
[0024]
According to the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, since the die pad 13 is embedded in the sealing resin 17, the sealing resin 17 is thinly present above the die pad 13. Therefore, the holding force of the sealing resin 17 with respect to the die pad 13 is increased as compared with the case where the upper and lower surfaces of the die pad are exposed from the sealing resin, and the reliability as the resin-encapsulated semiconductor device is improved.
[0025]
In addition, since the thickness of the die pad 13 is reduced by half-etching or the like, there is an advantage that the entire resin-encapsulated semiconductor device can be reduced without reducing the thickness of the semiconductor chip 15. That is, restrictions on the type and number of semiconductor elements such as transistors provided in the semiconductor chip 15 caused by making the semiconductor chip thinner can be relaxed, high performance can be maintained, and application fields can be expanded.
[0026]
Further, the inner portion of the signal connection lead 12 is half-etched from the lower surface side, and the lower surface of the inner portion and the electrode pad on the main surface facing the lower side of the semiconductor chip 13 are connected by the thin metal wire 16. Therefore, it becomes a structure that can be formed so as not to protrude the metal fine wire 16 from the sealing resin by efficiently utilizing the narrow space.
[0027]
In this embodiment, there is no outer lead serving as an external electrode terminal on the side of the sealing resin 17, and the lower part of the signal connection lead 12 corresponding to the inner lead is the external electrode 18. The semiconductor device can be reduced in size. In addition, since no resin burr exists on the lower surface of the external electrode 18, the reliability of bonding with the electrode of the mounting substrate is improved. In addition, since the external electrode 18 is formed so as to protrude from the surface of the sealing resin 17, the external electrode 18 is joined in joining the external electrode and the electrode of the mounting substrate when the resin-encapsulated semiconductor device is mounted on the mounting substrate. The standoff height is secured in advance. Therefore, the external electrode 18 can be used as it is as an external terminal, and it is not necessary to attach a solder ball to the external electrode 18 for mounting on the mounting substrate, which is advantageous in terms of manufacturing man-hours and manufacturing costs.
[0028]
Next, a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described with reference to the drawings. 2-6 is sectional drawing which shows the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment.
[0029]
First, in the step shown in FIG. 2, a lead frame 20 provided with a signal connection lead 12 and a die pad 13 for supporting a semiconductor chip is prepared. In the drawing, the die pad 13 is supported by a suspension lead, but the suspension lead is not shown because it does not appear in this cross section. The die pad 13 is upset so as to be positioned above the outer frame by bending the suspension lead upward. Further, the outer side of the signal connection lead 12 is connected to the outer frame of the lead frame 20. However, since the outer frame is continuous with the signal connection lead, no boundary appears on this step surface. Here, the entire die pad 13 is thinned by half-etching. Furthermore, the prepared lead frame 20 is a lead frame that is not provided with a tie bar that stops the sealing resin from flowing out during resin sealing.
[0030]
In addition, the lead frame 20 in the present embodiment has a nickel (Ni) layer as a base plating, a palladium (Pd) layer thereon as a base plating, and a thin film gold (Au) as the uppermost layer with respect to a copper (Cu) material frame. 3) a metal-plated lead frame with each layer plated. However, other than copper (Cu) material, materials such as 42 alloy material can be used, and precious metal plating other than nickel (Ni), palladium (Pd), gold (Au) may be applied, It is not always necessary to use three-layer plating.
[0031]
Next, in the step shown in FIG. 3, the semiconductor chip 15 is placed on the lower surface of the die pad 13 of the prepared lead frame, and both are bonded to each other with an adhesive. This process is a so-called die bonding process. The member that supports the semiconductor chip is not limited to the lead frame, and a member that can support another semiconductor chip, such as a TAB tape or a substrate, may be used.
[0032]
Then, in the step shown in FIG. 4, the electrode pads on the main surface facing the lower side of the semiconductor chip 15 bonded to the lower surface of the die pad 13 and the lower surface of the inner portion of the signal connection lead 12 are electrically connected by the thin metal wires 16. Jointly. This process is a so-called wire bonding process. As the metal thin wire, an aluminum thin wire, a gold (Au) wire, or the like can be appropriately selected and used.
[0033]
Next, in the step shown in FIG. 5, the sealing tape 21 is attached to the lower surface of the external electrode 18 of the signal connection lead 12 with the semiconductor chip 15 bonded to the die pad 13 of the lead frame.
[0034]
The sealing tape 21 serves to serve as a mask to prevent the sealing resin from entering around the lower surface of the external electrode 18 of the signal connection lead 12 during resin sealing. The presence of the stop tape 21 can prevent a resin burr from being formed on the lower surface of the external electrode 18. This sealing tape 21 is a tape based on a resin mainly composed of polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, etc., and can be easily peeled off after resin sealing, and is resistant to a high temperature environment during resin sealing. If there is something. In this embodiment, a tape mainly composed of polyethylene terephthalate is used, and the thickness is 50 [μm].
[0035]
Next, in the step shown in FIG. 6, the lead frame to which the semiconductor chip 15 is bonded and the sealing tape 21 is affixed is housed in the mold, and the sealing resin 17 is poured into the mold to be resin-sealed. I do. Or it is also possible to affix the sealing tape 21 in a metal mold | die. At this time, the outer side (outer frame) of the signal connection lead 12 of the lead frame is pressed downward with a mold so that the sealing resin 17 does not enter the lower surface side of the external electrode 18 and is sealed with resin. . Further, there is a gap between the upper surface of the die pad 13 and the mold surface, and a resin sealing process is performed so that the sealing resin 17 is sufficiently spread over the die pad 13.
[0036]
Finally, the sealing tape 21 attached to the lower surface of the external electrode 18 is removed by peel-off. Thereby, a structure in which the sealing resin 17 exists above the die pad 13 is obtained. Further, an external electrode 18 protruding downward from the lower surface of the sealing resin 17 is formed on the back surface side of the sealing resin 17. Then, the front end side of the signal connection lead 12 is separated so that the front end surface of the signal connection lead 12 and the side surface of the sealing resin 17 are substantially flush with each other, thereby forming a resin-sealed mold as shown in FIG. A semiconductor device is completed.
[0037]
According to the manufacturing method of the present embodiment, a resin-encapsulated semiconductor device in which the entire die pad 13 is formed thin and the sealing resin 17 exists above the die pad 13 can be easily manufactured.
[0038]
In addition, according to the manufacturing method of the present embodiment, since the sealing tape 21 is applied to the lower surface of the external electrode 18 of the signal connection lead 12 in advance before the resin sealing step, the sealing resin 17 may wrap around. There is no occurrence of resin burrs on the lower surface of the external electrode 18. Therefore, it is not necessary to remove the resin burr formed on the external electrode 18 with a water jet or the like, unlike the conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which the lower surface of the signal connection lead is exposed. That is, by eliminating the troublesome process for removing the resin burrs, the process in the mass production process of the resin-encapsulated semiconductor device can be simplified. In addition, peeling of metal plating layers such as nickel (Ni), palladium (Pd), and gold (Au) of the lead frame, which may possibly occur in the process of removing resin burrs by water jet or the like, can be eliminated. Therefore, pre-plating of each metal layer before a resin sealing process is attained.
[0039]
In addition, although the resin burr removal process by water jet can be deleted, a process of applying the sealing tape is newly required, but the process of applying the sealing tape 21 is more costly than the water jet process. Since it is inexpensive and the process management is easy, the process can be reliably simplified. Above all, in the water jet process that has been necessary in the past, the metal plating of the lead frame is peeled off, and there is a problem in quality that impurities are attached, but in the method of this embodiment, by applying the sealing tape, The fact that the water jet is not required and plating peeling can be eliminated is a great process advantage. In addition, even if resin burrs may occur depending on the state of the sealing tape being applied, the resin burrs are extremely thin. Therefore, the resin burrs can be removed by water jet treatment at a low water pressure, and plating peeling can be prevented. A layer pre-plating step is possible.
[0040]
After the resin sealing step, the portion protruding from the side of the sealing resin 17 of the signal connection lead 12 by irradiating the laser from above the sealing tape 21 with the sealing tape 21 attached is provided. It may be cut. As described above, since the periphery of the cut portion of the lead frame is covered with the sealing tape, even if the melted material by the laser scatters around, the scattered material is removed by removing the sealing tape. There is an advantage that it can be easily removed.
[0041]
As shown in FIG. 6, in the resin sealing step, the sealing tape 21 is softened and thermally contracted by the heat of the sealing mold, so that the external electrode 18 bites into the sealing tape 21 and the external electrode A step is formed between the lower surface of 18 and the back surface of the sealing resin 17. Therefore, the external electrode 18 has a structure protruding from the back surface of the sealing resin 17, and the protruding amount (standoff height) of the external electrode 18 can be secured. For example, in this embodiment, since the thickness of the sealing tape 21 is 50 μm, the standoff height can be set to about 20 μm, for example. Thus, the standoff height of the external electrode 18 can be maintained at an appropriate amount by adjusting the thickness of the sealing tape 21. This means that the standoff height of the external electrode 18 can be controlled only by setting the thickness of the sealing tape 21, and it is not necessary to provide a means or a process for controlling the standoff height separately. This is an extremely advantageous point in terms of process management costs in the mass production process. The thickness of the sealing tape 21 is preferably about 10 to 150 μm.
[0042]
In addition, about the sealing tape 21 to be used, the material which has a predetermined hardness, thickness, and the softening characteristic by a heat | fever can be selected according to the standoff height desired.
[0043]
However, in the first embodiment, the standoff height of the external electrode 18 may be adjusted by adjusting the pressure applied to the sealing tape 21. For example, the standoff height is set to almost “0”. Is also possible.
[0044]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described. The resin-encapsulated semiconductor device in this embodiment may have any structure in each embodiment, but only the shape of the die pad and the shape of the connection portion between the die pad and the suspension lead are different. Therefore, in the present embodiment, description of the other parts excluding the die pad and the suspension leads connected thereto is omitted.
[0045]
-First specific example-
FIG. 7A is a plan view of the die pad 13 according to the first specific example of this embodiment, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line VIIb-VIIb shown in FIG. As shown in FIGS. 7A and 7B, the die pad 13 according to this example is formed thin by half-etching (in this embodiment, half-etched from the lower surface side), The area is smaller than that of the semiconductor chip 15. In addition, the thickness of the suspension lead 14 that supports the die pad 13 is formed to the same thickness as that of the die pad 13 in the portion connected to the die pad 13. However, it is not half-etched outward from the part away from the die pad 13.
[0046]
According to the resin-encapsulated semiconductor device according to the first specific example of the present embodiment, the semiconductor chip 15 has a larger area than the die pad 13, so that the side of the die pad 13 and above the semiconductor chip 15. The presence of the sealing resin in the region greatly improves the holding force of the sealing resin 17 on the semiconductor chip 15. As a result, the holding power of the sealing resin 17 to the die pad 13 bonded to the semiconductor chip 15 is also improved, so that the reliability can be improved while the thickness of the resin-encapsulated semiconductor device is reduced.
[0047]
In addition, since the thickness of the suspension lead 14 is also the same as the thickness of the die pad 13, it is possible to more reliably realize the thinning of the entire resin-encapsulated semiconductor device. In that case, if the suspension lead 14 is half-etched from the lower surface side, there is an advantage that interference between the suspension lead 14 and the semiconductor chip 15 can be easily avoided even if the semiconductor chip 15 having a larger area than the die pad 13 is mounted. is there.
[0048]
FIG. 8 is a plan view showing only the die pad and the suspension lead of the resin-encapsulated semiconductor device according to the modification of this specific example. The planar shape of the die pad 13 according to this example need not be a rectangle as shown in FIG. 7A, and may be a shape as shown in FIG. That is, the die pad 13 may be a single disc provided in the central portion, or a die pad 13 formed by adding four discs (see broken lines) provided in each corner portion to the central disc.
[0049]
-Second specific example-
FIG. 9A is a plan view of a die pad 13 according to a second specific example of the present embodiment, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line IXb-IXb shown in FIG. As shown in FIGS. 9A and 9B, a rectangular opening 30a is formed in the center of the die pad 13 according to this example. The opening 30 a is formed inward of the mounting area of the semiconductor chip 15. The die pad 13 is thinly formed by half etching or the like.
[0050]
According to the resin-encapsulated semiconductor device according to the second specific example of the present embodiment, since the opening 30a is formed in the die pad 13, the sealing resin is formed in a region inward of the opening 30a and above the semiconductor chip 15. Therefore, the holding force of the sealing resin 17 to the semiconductor chip 15 and the die pad 13 is greatly improved.
[0051]
10A, a die pad having an opening 30b surrounded by a frame having a circular region at the corner portion and an opening 30c surrounded by a frame having a rectangular region at the corner portion. 13 may be sufficient.
[0052]
(Third embodiment)
Next, specific examples of the third embodiment relating to the structure of the signal connection lead will be described.
[0053]
-First specific example-
FIG. 11 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a first specific example of the third embodiment. As shown in the figure, the inner portion of the signal connection lead 12 is half-etched from the lower surface side to be thinner than the outer portion, and a metal is formed between the lower surface of the inner portion and the semiconductor chip 15. A thin line 16 is provided. Two groove portions 31 are provided on the upper surface of the outer portion of the signal connection lead 12, that is, above the external electrode 18. Further, although not shown, the portion of the outer portion of the signal connection lead 12 where the groove is formed is wider than the lower portion.
[0054]
As in this example, the inner portion of the signal connection lead 12 is half-etched from the lower surface side, so that the height position of the lower surface of the inner portion is higher than the height position of the lower surface of the outer portion. Therefore, a certain amount of space can be secured between the back surface of the sealing resin 17 without increasing the overall thickness. Therefore, even if one end of the fine metal wire 16 is connected to the lower surface of the inner portion of the signal connection lead 12, the fine metal wire 16 can be reliably embedded in the sealing resin 17.
[0055]
That is, it is possible to prevent the metal fine wire 16 from being exposed from the sealing resin 17 while reducing the thickness of the resin-encapsulated semiconductor device.
[0056]
In addition, since the sealing resin 17 wraps around the lower side of the inner portion of the signal connection lead 12, the holding force of the sealing resin 17 on the signal connection lead 12 also increases.
[0057]
Further, by providing the groove portion 31 on the upper surface of the outer portion of the signal connection lead 12, the holding force of the sealing resin 17 with respect to the signal connection lead 12 is increased, and the outer portion of the signal connection lead 12 is increased. By making the width of the upper part wider than the lower part, the holding force of the sealing resin 17 is further increased.
[0058]
-Second specific example-
FIG. 12 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a second specific example. As shown in the figure, in this specific example, the inner portion of the signal connection lead 12 is half-etched from the lower surface side, and this inner portion is upset, and the lower surface of the upset portion. One end of the fine metal wire 16 is connected to the end.
[0059]
In this specific example, the inner portion of the signal connection lead 12 can be brought closer to the semiconductor chip 15 as compared with the first specific example, so that the reliability of the thin metal wire 16 is improved. In addition, since a sufficient space is secured below the inner portion of the signal connection lead 12, the fine metal wire 16 can be reliably embedded in the sealing resin 17, and the fine metal wire 16 is exposed from the sealing resin 17. Can be prevented more reliably.
[0060]
-Third example-
FIG. 13 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a third specific example. As shown in the figure, in this specific example, the signal connection lead 12 is not half-etched, but the inner portion of the signal connection lead 12 is upset from the outer portion thereof.
[0061]
Also according to this specific example, the inner portion of the signal connection lead 12 can be brought close to the semiconductor chip 15, so that the reliability of wire bonding of the fine metal wire 16 is improved. In addition, since a sufficient space is secured below the inner portion of the signal connection lead 12, the fine metal wire 16 can be reliably embedded in the sealing resin 17, and the fine metal wire 16 is exposed from the sealing resin 17. Can be reliably prevented.
[0062]
-Fourth example-
FIG. 14 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a fourth specific example. As shown in the figure, in this specific example, the signal connection lead 12 is half-etched from the lower surface side, and the inner portion of the signal connection lead 12 extends to a region below the semiconductor chip 15. Further, electrode pads (not shown) on the main surface of the semiconductor chip 15 are arranged not in the vicinity of the outer periphery of the semiconductor chip but in a region near the center. A thin metal wire 16 is provided between the electrode pad of the semiconductor chip and the lower surface of the inner portion of the signal connection lead 12.
[0063]
In this specific example, the inner portion of the signal connection lead 12 can be brought close to the position where the electrode pads of the semiconductor chip 15 are arranged, so that the length of the thin metal wire 16 can be shortened. Therefore, it is possible to improve the reliability and characteristics of wire bonding of the fine metal wires 16 while reducing the thickness of the resin-encapsulated semiconductor device.
[0064]
Needless to say, in this fourth example, the inner portion of the signal connection lead 12 may be upset.
[0065]
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment will be described. In the present embodiment, a specific example relating to the structure of the die pad 13 for further reducing the thickness will be described.
[0066]
-First specific example-
FIG. 15 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a first specific example of the fourth embodiment. As shown in the figure, the die pad 13 is provided only on the side portion of the semiconductor chip 15 and supports the semiconductor chip 15 from the main surface side, that is, the lower surface side of the semiconductor chip 15. The inner portion of the signal connection lead 12 is half-etched from the lower surface side to be thinner than the outer portion, and extends to a lower region of the semiconductor chip 15. In addition, an electrode pad is arranged at the center of the main surface of the semiconductor chip 15, and a thin metal wire 16 is provided between the electrode pad and the lower surface of the inner portion of the signal connection lead 12.
[0067]
FIGS. 17A and 17B are plan views showing examples of the planar shape of the die pad 13. As shown in FIG. 17 (a), a die pad consisting of four rectangular portions isolated from each other only in the vicinity of the corner may be provided, or two sides as shown in FIG. 17 (b). The die pad 13 may be composed of two strip portions extending along the line. Further, the main surface side of the semiconductor chip 15 may be supported by a die pad 13 having a planar shape as shown in FIGS.
[0068]
As in this specific example, the semiconductor chip 15 is supported by the die pad 13 on the side of the main surface, and the inner portion of the signal connection lead 12 is extended to a lower region of the semiconductor chip 15 so that the metal thin wire 16 is By adopting a configuration for connection to the lower surface of the inner portion, the space between the semiconductor chip and the signal connection lead 12 can be used very effectively. As a result, the entire thickness of the resin-encapsulated semiconductor device can be made thinner and smaller.
[0069]
In that case, by half-etching the inner portion of the signal connection lead 12 from the lower surface side, the height position of the lower surface of the inner portion is higher than the height position of the lower surface of the outer portion. Even if the thickness is not increased, a certain amount of space can be secured between the back surface of the sealing resin 17. Therefore, even if one end of the fine metal wire 16 is connected to the lower surface of the inner portion of the signal connection lead 12, the fine metal wire 16 can be reliably embedded in the sealing resin 17.
[0070]
That is, it is possible to prevent the metal fine wire 16 from being exposed from the sealing resin 17 while reducing the thickness of the resin-encapsulated semiconductor device.
[0071]
In addition, since the sealing resin 17 wraps around the lower side of the inner portion of the signal connection lead 12, the holding force of the sealing resin 17 on the signal connection lead 12 also increases.
[0072]
Further, by providing the groove portion 31 on the upper surface of the outer portion of the signal connection lead 12, the holding force of the sealing resin 17 with respect to the signal connection lead 12 is increased, and the outer portion of the signal connection lead 12 is increased. By making the width of the upper part wider than the lower part, the holding force of the sealing resin 17 is further increased.
[0073]
-Second specific example-
FIG. 16 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a second specific example. As shown in the figure, also in this specific example, the die pad 13 is provided only on the side portion of the semiconductor chip 15 and supports the semiconductor chip 15 from the main surface side, that is, the lower surface side of the semiconductor chip 15. In this specific example, unlike the first specific example, the inner portion of the signal connection lead 12 is half-etched from the lower surface side, and the inner portion is upset. One end of the fine metal wire 16 is connected to the lower surface of the formed portion.
[0074]
In this specific example, the inner portion of the signal connection lead 12 can be brought closer to the semiconductor chip 15 as compared with the first specific example, so that the reliability of the thin metal wire 16 is improved. In addition, since a sufficient space is secured below the inner portion of the signal connection lead 12, the fine metal wire 12 can be reliably embedded in the sealing resin 17, and the fine metal wire 16 is exposed from the sealing resin 17. Can be prevented more reliably.
[0075]
Also in this specific example, the planar shape of the bipad 13 may be composed of four rectangular portions isolated from each other only in the vicinity of the corner among the side portions of the die pad as shown in FIG. However, as shown in FIG. 17 (b), the die pad 13 may be composed of two strip portions extending along two sides. Further, the main surface side of the semiconductor chip 15 may be supported by a die pad 13 having a planar shape as shown in FIGS.
[0076]
(Fifth embodiment)
Next, the resin-encapsulated semiconductor device of the fifth embodiment relating to the structure of the suspension lead 14 will be described. The resin-encapsulated semiconductor device in this embodiment may have any structure in each embodiment, but only the shape of the suspension lead is different. Therefore, in the present embodiment, description of the other parts excluding the suspension lead and the die pad connected thereto is omitted.
[0077]
18A is a plan view of the lead frame according to the present embodiment, and FIG. 18B is a cross-sectional view of the lead frame taken along the line XVIIIb-XVIIIb shown in FIG. As shown in FIGS. 18A and 18B, the suspension lead 14 is interposed between the signal connection lead 12 connected to the outer frame 46 and the die pad 13. That is, the die pad 13 is supported by the outer frame 46 through the suspension leads 14 and the signal connection leads 12. The suspension lead 14 is provided with a U-shaped bent portion 45 for exposing a part of the suspension lead 14 from the sealing resin. Further, the die pad 13 is upset so that the die pad 13 is higher than the outer frame 46. In the present embodiment, the upset amount is about 40 to 80 μm.
Further, in this embodiment, the inner side portion of the signal connection lead 12 is half-etched from the back surface side, and the suspension lead 14 and the die pad 13 are half-etched as a whole and become thin. Further, two grooves perpendicular to the direction in which the signal connection lead 12 extends are formed on the front side of the signal connection lead 12.
[0078]
Thus, by providing the suspension leads 14 between the signal connection leads 12 and the side portions of the die pad 13, the suspension leads 14 can be made shorter than the corner portions, and the strength of the suspension leads 14 is improved. be able to. Further, by supporting the die pad position by the bent portion, it can be further stabilized. Therefore, the function of suppressing the deformation of the die pad due to the flow of the sealing resin 17 in the resin sealing process can be further enhanced, and even when a large area die pad is required, the die pad due to the flow of the sealing resin or the like can be improved. Deformation can be suppressed. In particular, in a thin resin-sealed semiconductor device, the risk of the die pad protruding from the sealing resin increases due to the deformation of the die pad, but this problem can be effectively prevented by this specific example. .
[0079]
Further, by providing such a bent portion 45 in a part of the suspension lead 14, a part of the suspension lead 14 exposed by a laser or the like can be cut after the resin sealing step. There is an advantage that the signal connection lead 12 connected to the outer side of the suspension lead 14 can be electrically separated. That is, by cutting a part of the suspension lead 14 after the resin sealing step, for example, the electrical connection between the signal connection lead 12 and the die pad 13 can be cut off. There is an advantage that such a structure can be applied.
[0080]
Further, the sealing tape is adhered to the surface to be exposed of the bent portion 45 before the resin sealing step, and after the resin sealing step is finished, the sealing tape 21 is left on the sealing tape 21 with the sealing tape attached. Alternatively, a part of the bent portion 45 of the suspension lead 14 may be cut. In this way, by cutting a part of the suspension lead 14, the above-described effects can be obtained in the resin-encapsulated semiconductor device to be formed. Moreover, since the periphery of the bent portion 45 is covered with the sealing tape, even if the melted material from the laser scatters around, the scattered material can be easily removed from the resin-encapsulated semiconductor device by peeling off the sealing tape. There is an advantage that you can.
[0081]
(Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment will be described. In the present embodiment, a structure for using a suspension lead as a reinforcing external terminal will be described.
[0082]
FIG. 19 is a plan view showing the structure of the back surface of the resin-encapsulated semiconductor device according to the sixth embodiment.
[0083]
As shown in the figure, in the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, the external electrode 18 connected to the signal connection lead is exposed on the back surface, and the die pad 13 is supported at the four corners. The outer end of the suspension lead 14 is exposed, and this portion functions as the reinforcing external terminal 49. That is, when the resin-encapsulated semiconductor device is mounted on the mounting substrate, the electrode on the mounting substrate side and the external electrode 18 of the resin-encapsulated semiconductor device are connected by solder or the like. At this time, the mounting strength can be extremely increased by interposing solder or the like between the reinforcing external terminal 49 and the dummy terminal on the mounting substrate side. In addition, the presence of the reinforcing external terminals 49 makes the self-alignment effect due to the tension of the solder remarkable, so that the time required for mounting can be shortened and the positional accuracy of mounting can be improved.
[0084]
Needless to say, the structures of the specific examples and the modified examples in the fifth embodiment can also be applied to the suspension leads 14 functioning as external terminals in the present embodiment.
[0085]
Note that by changing the height positions of the reinforcing external terminal 49 and the external electrode 18, the alignment can be further improved, and the effect of shortening the time required for mounting and improving the accuracy of the mounting position is remarkable. Can be demonstrated. In that case, the height difference between the lower surface of the exposed portion of the reinforcing external terminal 49 and the lower surface of the exposed portion of the external electrode 18 is preferably 10 to 150 μm.
[0086]
The external electrode 18 in the present invention is not necessarily provided on the four sides of the back surface of the resin-encapsulated semiconductor device, and may be provided only along any two parallel sides. .
[0087]
(Seventh embodiment)
In the present embodiment, a resin sealing method for adjusting the protruding amount of the external electrode from the sealing resin will be described.
[0088]
FIG. 20 is a cross-sectional view showing a resin sealing step in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device according to this embodiment. As shown in the figure, a semiconductor die 15 is mounted on a die pad 13 using a sealing die composed of an upper die 50a and a lower die 50b, and an electrode pad of the semiconductor chip and a signal connection lead 12 are connected. What is connected by the fine metal wires 16 is mounted on the lower die 50b of the sealing die, and resin sealing is performed with the sealing tape 21 being in close contact with the lower surface of the lead frame.
[0089]
Here, the manufacturing method of the present embodiment is characterized in that the lower mold 50b has a concave shape in a region facing the external electrode 18 (and the outer frame 46) which is the outer portion of the signal connection lead 12 of the lead frame. The escape portion 52 is provided.
[0090]
By providing the escape portion 52 in the sealing die in this manner, the amount of biting of the signal connection lead 12 into the sealing tape 21 is reduced by letting the sealing tape 21 escape toward the escape portion 52. . As a result, the protrusion amount of the portion to be protruded can be adjusted to a desired value not only by the mold clamping force of the sealing mold but also by the depth of the escape portion 52, and the amount of resin burrs generated is also minimized. be able to.
[0091]
Similarly, by providing a relief portion on the mold surface facing the exposed portion (for example, a bent portion) in each of the above embodiments, the amount of protrusion of the exposed portion from the sealing resin and the amount of resin burrs generated Can be minimized.
[0092]
However, adjustment of the clamping force between the upper mold and the lower mold of the sealing mold, and setting of dimensions when the lead frame is larger than the dimension between the upper mold and the lower mold You may adjust the protrusion amount of the part exposed in said each embodiment according to quantity.
[0093]
(Other embodiments)
In addition, by providing a hole for evacuation in the mold and performing resin sealing while evacuating the sealing tape 21, generation of wrinkles of the sealing tape is suppressed, and the back surface of the sealing resin is flattened. You can also plan.
[0094]
【The invention's effect】
According to the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, even when a large-area die pad is required, a thin resin seal having a high function of preventing exposure from the encapsulating resin due to deformation of the die pad. A stationary semiconductor device can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing through a sealing resin of a resin-encapsulated semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a process of preparing a lead frame in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the first embodiment.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a process of bonding a semiconductor chip to a die pad in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the first embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a process of forming a fine metal wire in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the first embodiment.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a process of laying a sealing tape under a lead frame in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the first embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a resin sealing step in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device of the first embodiment.
7A and 7B are a plan view and a cross-sectional view of a lead frame according to a first specific example of the second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a plan view of a lead frame according to a modification of the first specific example of the second embodiment of the present invention.
9A and 9B are a plan view and a cross-sectional view of a lead frame according to a second specific example of the second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a plan view of a lead frame according to a modification of the second specific example of the second embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a first specific example of the third embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a second specific example of the third embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a third specific example of the third embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a fourth specific example of the third embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a first specific example of the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a cross-sectional view of a resin-encapsulated semiconductor device according to a second specific example of the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a plan view showing a planar shape of a die pad of a resin-encapsulated semiconductor device according to first and second specific examples of a fourth embodiment of the present invention.
18A and 18B are a plan view and a cross-sectional view of a lead frame according to a fifth embodiment of the invention.
FIG. 19 is a plan view showing the structure of the back surface of a resin-encapsulated semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 20 is a cross-sectional view showing a resin sealing process in a manufacturing process of a resin sealed semiconductor device according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 21 is a cross-sectional view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device having an external electrode on the back side.
[Explanation of symbols]
12 Lead for signal connection
13 Die pad
14 Hanging lead
15 Semiconductor chip
16 Fine metal wire
17 Sealing resin
18 External electrode
21 Sealing tape
30 opening
31 Groove
45 Bending part
46 Outer frame
49 External terminal for reinforcement
50a Upper mold
50b Lower mold
52 escape

Claims (8)

主面に電極パッドを有する半導体チップを用意する第１の工程と、
ダイパッドと、上記ダイパッドを囲む外枠と、上記ダイパッドを上記外枠に接続するための複数の吊りリードと、上記外枠に接続され且つ上記ダイパッド側である内方部分の下面の高さ位置が外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるように上記内方部分が上記外方部分よりも薄く形成されたリードとを有し、かつ上記ダイパッドの下面の高さ位置と上記リードの上記内方部分の下面の高さ位置との間に上記半導体チップの厚みよりも大きい差が存在するよう上記ダイパッドがアップセットされたリードフレームを用意する第２の工程と、
上記ダイパッドの下面に、上記主面を下向きにして上記半導体チップを固着させる第３の工程と、
上記電極パッドと上記リードの上記内方部分の下面とを金属細線を介して電気的に接続する第４の工程と、
上記リードの上記外方部分の下面に封止テープを密着させながら、上記ダイパッドと上記半導体チップと上記リードと上記金属細線とを封止樹脂により封止する第５の工程と、
上記外枠と上記リードとを分断する第６の工程と、
上記封止テープを除去する第７の工程とを備えることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 A first step of preparing a semiconductor chip having an electrode pad on a main surface;
And the die pad, the height of the lower surface of the outer frame and, inner portion of a plurality of suspension leads and,且one upper Symbol die pad side is connected to the outer frame for connecting the die pad to the outer frame surrounding the die pad position and a lead lower surface of the height above the inner portion so that the upper than the position of the outer portion is formed thinner than the outer portion, and the lower surface of the height position and above the die pad a second step of preparing a lead frame in which the die pad so that a large difference than the thickness of the semiconductor chip is present is upset between the height position of the lower surface of the inner portion of the lead,
A third step of fixing the semiconductor chip to the lower surface of the die pad with the main surface facing downward;
A fourth step of electrically connecting the electrode pad and the lower surface of the inner portion of the lead via a fine metal wire;
A fifth step of sealing the die pad, the semiconductor chip, the lead, and the fine metal wire with a sealing resin while bringing a sealing tape into close contact with the lower surface of the outer portion of the lead;
A sixth step of dividing the outer frame and the lead;
And a seventh step of removing the sealing tape. A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記第２の工程では、表面に金属メッキ層が形成された上記リードフレームを用意することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。In the manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device according to claim 1,
In the second step, the lead frame having a metal plating layer formed on the surface is prepared. A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記第５の工程では、上記封止テープを用いて、上記リードの上記外方部分の下面側を上記封止樹脂の裏面から突出させることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。In the manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device according to claim 1,
In the fifth step, a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, wherein the lower surface side of the outer portion of the lead is projected from the back surface of the sealing resin using the sealing tape. 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記第５の工程では、上記リードの上記外方部分に対向する部分に溝を有する封止金型を用いて、上記リードの上記外方部分を上記溝に挿入して樹脂封止を行なうことにより、上記リードの上記外方部分の下面側を上記封止樹脂の裏面から突出させることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。In the manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device according to claim 1,
In the fifth step, resin sealing is performed by inserting the outer portion of the lead into the groove using a sealing mold having a groove in the portion facing the outer portion of the lead. Thus, the lower surface side of the outer portion of the lead protrudes from the back surface of the sealing resin. 請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
上記第５の工程では、上記ダイパッドを上記封止樹脂に埋設するように樹脂封止することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。In the manufacturing method of the resin-sealed semiconductor device according to claim 1,
In the fifth step, a resin-sealed semiconductor device manufacturing method, wherein the die pad is resin-sealed so as to be embedded in the sealing resin. 主面に電極パッドを有する半導体チップと、A semiconductor chip having electrode pads on the main surface;
上記半導体チップを固着するダイパッドと、  A die pad for fixing the semiconductor chip;
上記ダイパッドの周辺に配列した複数のリードと、  A plurality of leads arranged around the die pad;
上記電極パッドと上記リードとを電気的に接続する金属細線とを備え、  A thin metal wire that electrically connects the electrode pad and the lead;
上記半導体チップ、上記ダイパッド、上記リード及び上記金属細線を、上記リードの下面の少なくとも一部が露出するように樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、  A resin-encapsulated semiconductor device in which the semiconductor chip, the die pad, the lead, and the fine metal wire are resin-sealed so that at least part of the lower surface of the lead is exposed,
上記リードは、上記ダイパッド側である内方部分の下面の高さ位置が外方部分の下面の高さ位置よりも上方になるように上記内方部分が上記外方部分よりも薄く形成され、  The lead is formed such that the inner portion is thinner than the outer portion so that the height position of the lower surface of the inner portion on the die pad side is higher than the height position of the lower surface of the outer portion,
上記半導体チップは、主面を下向きに上記ダイパッドの下面に固着されており、  The semiconductor chip is fixed to the lower surface of the die pad with the main surface facing downward,
上記金属細線は、上記電極パッドと上記リードの内方部分の下面とを接続し、  The metal thin wire connects the electrode pad and the lower surface of the inner part of the lead,
上記半導体チップの主面の高さ位置が上記リードの内方部分の下面の高さ位置よりも上方にあることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。  A resin-encapsulated semiconductor device, wherein a height position of a main surface of the semiconductor chip is higher than a height position of a lower surface of an inner portion of the lead. 上記リードの内方部分の少なくとも一部が上記半導体チップの下方領域まで延びていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置。7. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 6, wherein at least a part of an inner portion of the lead extends to a lower region of the semiconductor chip. 上記電極パッドは、上記リードの内方側先端より前記半導体チップの中央側に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の樹脂封止型半導体装置。8. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 7, wherein the electrode pad is formed on the center side of the semiconductor chip from the inner tip of the lead.
JP2003146054A 2003-05-23 2003-05-23 Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP4066050B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003146054A JP4066050B2 (en) 2003-05-23 2003-05-23 Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003146054A JP4066050B2 (en) 2003-05-23 2003-05-23 Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6081298A Division JP3445930B2 (en) 1998-03-12 1998-03-12 Resin-sealed semiconductor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006141260A Division JP2006216993A (en) 2006-05-22 2006-05-22 Resin sealed semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003318208A JP2003318208A (en) 2003-11-07
JP4066050B2 true JP4066050B2 (en) 2008-03-26

Family

ID=29546152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003146054A Expired - Fee Related JP4066050B2 (en) 2003-05-23 2003-05-23 Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4066050B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008207450A (en) * 2007-02-27 2008-09-11 Towa Corp Compression molding method of light-emitting element
WO2018211685A1 (en) 2017-05-19 2018-11-22 新電元工業株式会社 Electronic module
WO2018211680A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-22 新電元工業株式会社 Electronic module
CN112215046A (en) * 2019-07-12 2021-01-12 格科微电子（上海）有限公司 Optical fingerprint identification module and forming method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2003318208A (en) 2003-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3839321B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3285815B2 (en) Lead frame, resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3704304B2 (en) Lead frame, method of manufacturing the same, and method of manufacturing semiconductor device using the lead frame
JPH11340409A (en) Lead frame and its manufacture and resin encapsulated semiconductor device and its manufacture
US20030189222A1 (en) Semiconductor device
JP2003243600A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3470111B2 (en) Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device
TW200811973A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
JP3535760B2 (en) Resin-sealed semiconductor device, method of manufacturing the same, and lead frame
JP3458057B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
JP4066050B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3445930B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
JP2006216993A (en) Resin sealed semiconductor device
JP3507819B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3843654B2 (en) Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same
JP3007632B1 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3959898B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
JP4764608B2 (en) Semiconductor device
JP2001077275A (en) Lead frame and manufacture of resin-sealed semiconductor device using the same
JP3795047B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
JP3915338B2 (en) Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same
JP2006049398A (en) Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, sealing fixture therefor, and lead frame
JP4153813B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001077271A (en) Lead frame and manufacture of resin sealed semiconductor device using the same
JP2003100955A (en) Semiconductor device and its manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060322

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060522

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060627

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061121

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070122

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20071127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071220

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110118

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120118

Year of fee payment: 4

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees