JP4895493B2 - Resin-sealed light emitting device - Google Patents
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Description
本発明は、樹脂封止型発光装置に係り、特にリードフレーム上に発光素子を搭載して導電性ワイヤをリード部材にボンディング接続した状態で透光性樹脂により被覆されたパッケージを有する発光装置のリード部材およびパッケージの構造に関するもので、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源などに使用されるものである。 The present invention relates to a resin-sealed light emitting device, and more particularly, to a light emitting device having a package covered with a translucent resin in a state where a light emitting element is mounted on a lead frame and a conductive wire is bonded to a lead member. The present invention relates to the structure of lead members and packages, and is used for illumination light sources, various indicator light sources, in-vehicle light sources, display light sources, liquid crystal backlight light sources, and the like.
発光装置の発光素子として発光ダイオード(LED)チップを用いたものは、小型で消費電力も少なく耐用年数も長いので、携帯電話のインジケーター用光源、液晶のバックライト用光源など幅広い分野で使用されている。 Light emitting diodes that use light emitting diode (LED) chips as light emitting elements are used in a wide range of fields such as light sources for mobile phone indicators and liquid crystal backlights because they are small, consume less power and have a long service life. Yes.
LEDチップを実装するパッケージとして多種の構造があるが、ここでは、フルモールド・パッケージ構造を有する樹脂封止型発光装置を例にとって説明する。 There are various structures as a package for mounting an LED chip. Here, a resin-sealed light emitting device having a full mold package structure will be described as an example.
図4は、樹脂封止型発光装置の従来例(例えば特許文献1の図11)を示している。この発光装置は、発光チップ2を一対のリード3a,3bのうちの一方のリード3aのインナーリード部の先端部上にダイボンディングによりマウントし、他方のリード3bのインナーリード部と発光チップ2とを導電性ワイヤ4のボンディングによって電気的に接続した後、発光チップ2とリード3a,3bの各インナーリード部と導電性ワイヤ4の全体を透明樹脂5で封止するとともに、発光チップ2の上方側に凸レンズ形状の光放射面6を形成するようにモールドしたものである。
FIG. 4 shows a conventional example of a resin-sealed light emitting device (for example, FIG. 11 of Patent Document 1). In this light emitting device, the light emitting chip 2 is mounted on the tip of the inner lead portion of one lead 3a of the pair of
なお、上記発光チップ2を電気的に接続する他の従来例として、発光チップ上の一対の電極(p電極、n電極)を一対のリードの各インナーリード部にそれぞれ導電性ワイヤでボンディング接続するものもある。 As another conventional example for electrically connecting the light emitting chip 2, a pair of electrodes (p electrode and n electrode) on the light emitting chip are bonded and connected to the inner lead portions of the pair of leads with conductive wires, respectively. There are also things.
ところで、透光性樹脂5のトランスファモールド成型に際して一対のリード3a,3bと透光性樹脂5との密着強度が低いと、透光性樹脂からなるパッケージ樹脂が吸湿状態になった後で例えば表面実装に際してリフロー炉を通る時、パッケージ樹脂中の水分が蒸気になってパッケージ樹脂にクラックが発生し、その後の信頼性が著しく低下するという問題がある。また、温度サイクルの時の剪断応力で導電性ワイヤ4の断線を引き起こすという問題がある。また、リード上の発光チップ2とリードのインナーリード部とを導電性ワイヤ4により電気的に接続した樹脂封止型の発光装置において、インナーリード部と導電性ワイヤ4との接続部(セカンドボンド部分)の接続強度が弱いことが知られている(特許文献1参照)。
By the way, when the adhesive strength between the pair of
なお、特許文献2には、リードフレームのダイ・パッド部の周囲に多数のリード部を有する半導体装置において、リードフレームのダイ・パッド外周部に沿ってリング状の溝を加工しておくことによって、温度サイクルの時の剪断応力を緩和させて導電性ワイヤの断線防止を実現し、さらに、リードフレームとパッケージ樹脂との密着性を向上させ、剥離防止を簡単に実現する点が開示されている。 In Patent Document 2, in a semiconductor device having a large number of lead portions around a die pad portion of a lead frame, a ring-shaped groove is formed along the outer periphery of the die pad of the lead frame. It is disclosed that the shear stress during the temperature cycle is relaxed to prevent disconnection of the conductive wire, the adhesion between the lead frame and the package resin is improved, and the prevention of peeling is easily realized. .
しかし、特許文献1を参照して前述した発光装置用のリードフレームは、p電極、n電極に対応して一対のリード部を有するものであり、特許文献2のようにダイ・パッド部の周囲に多数のリード部を有する半導体装置のリードフレームとは異なり、ダイ・パッド外周部に沿ってリング状の溝を加工した構造を採用することが最善とは言い難い。即ち、発光装置用のリードフレームとして、リードフレームと透光性樹脂との密着強度を向上させるとともに温度サイクルの時の剪断応力による導電性ワイヤの断線を防止するための適切な構造が必要とされている。 However, the lead frame for a light-emitting device described above with reference to Patent Document 1 has a pair of lead portions corresponding to the p-electrode and the n-electrode. Unlike a lead frame of a semiconductor device having a large number of lead portions, it is difficult to say that it is best to employ a structure in which ring-shaped grooves are processed along the outer periphery of the die pad. That is, as a lead frame for a light emitting device, an appropriate structure for improving the adhesion strength between the lead frame and the translucent resin and preventing disconnection of the conductive wire due to shear stress during the temperature cycle is required. ing.
また、特許文献3には、半導体チップを載置するリードフレームのアイランド部の上下面に沿って樹脂を流し込んでフルモールドする際、樹脂の流れ具合のバランスを良くするために、アイランド部の上面に山状の突起をプレス加工により一体成形する点が開示されている。この際、突起に対応するアイランド部の下面には溝が形成される。 Further, in Patent Document 3, when the resin is poured along the upper and lower surfaces of the island portion of the lead frame on which the semiconductor chip is placed and full molding is performed, the upper surface of the island portion is improved. The point that the mountain-shaped protrusions are integrally formed by press working is disclosed. At this time, a groove is formed on the lower surface of the island portion corresponding to the protrusion.
また、特許文献4には、半導体素子の表面を覆うようにリードフレームのアイランド部にシリコン樹脂層を塗布形成し、このシリコン樹脂層を含めて半導体素子およびリードフレーム部分に封止樹脂層を被覆形成してなる半導体装置において、低粘度のシリコン樹脂の流出を防止するために、シリコン樹脂層の周縁部に対応するリードフレーム部分にシリコン樹脂流出防止用の溝を形成することが開示されている。
In
なお、LEDチップから放出される光は、赤色、緑色、青色などのように限られた単色光であり、それを異なる波長に変換するための蛍光物質を発光素子と組み合わせて使用する場合がある。この場合、LEDチップから直接外部に放出される光と、LEDチップから放出される光と蛍光物質から放出される波長変換された光とを加色混合して白色を発光する発光装置が知られている。特許文献5には、波長変換用の蛍光物質を混合した透光性被覆材あるいは透光性被覆層を、砲弾型の形状を有するLED装置の表面に装着あるいはコーティングする点、透光性被覆材あるいは被覆層の材質、それに含まれる蛍光物質などが開示されている。
本願発明者は、従来の樹脂封止型発光装置における導電性ワイヤの電気的接触不良あるいは断線の原因を解析したところ、LEDチップの一方側の電極(例えばp電極)に接続されている導電性ワイヤのセカンドボンド部分に不良が生じ易いことを突き止めた。その原因を究明したところ、リードフレームの一対のリード部のうち、LEDチップのp電極に接続されているリード部は、n電極に接続されているリード部(ダイパッド部を有する)より短かく、表面積が小さいので、パッケージ用の透光性樹脂(エポキシ樹脂)との密着強度が低い。このため、発光装置の例えば表面実装時に220℃以上のリフロー炉を通す際に、p電極に接続されている導電性ワイヤが熱膨張の大きいエポキシ樹脂によって強く引っ張られることが判明した。 The inventor of the present application analyzed the cause of electrical contact failure or disconnection of the conductive wire in the conventional resin-encapsulated light emitting device, and found that the electrical conductivity connected to the electrode (for example, p electrode) on one side of the LED chip. We have determined that defects are likely to occur in the second bond portion of the wire. As a result of investigating the cause, among the pair of lead portions of the lead frame, the lead portion connected to the p-electrode of the LED chip is shorter than the lead portion (having the die pad portion) connected to the n-electrode, Since the surface area is small, the adhesion strength with the light-transmitting resin (epoxy resin) for the package is low. For this reason, when passing through the reflow furnace of 220 degreeC or more at the time of surface mounting of a light-emitting device, for example, it turned out that the conductive wire connected to the p electrode is strongly pulled by the epoxy resin with a large thermal expansion.
本発明は、上記の事情に鑑みて鋭意検討を重ねてなされたものであり、その目的は、リード部材と樹脂パッケージとの密着強度をより向上させ、温度サイクル時の応力に起因して導電性ワイヤのセカンドボンド部分の電気的接触不良あるいは断線を極力防止するために適切な構造を実現し、熱衝撃試験に対する高い信頼性と歩留りの向上を図り、大面積、高出力のLEDチップを搭載し得る樹脂封止型発光装置を提供することにある。 The present invention has been made by intensive studies in view of the above circumstances, and its purpose is to further improve the adhesion strength between the lead member and the resin package, and to improve conductivity due to stress during temperature cycling. Realized an appropriate structure to prevent electrical contact failure or disconnection of the second bond part of the wire as much as possible, and achieved high reliability and yield improvement for thermal shock tests, and mounted a large area, high output LED chip. The object is to provide a resin-sealed light emitting device.
本発明に係る樹脂封止型発光装置は、金属部材が用いられてなり、長さ方向の一端部がダイ・パッド部となり、長さ方向の中間部が第1のインナーリード部となり、長さ方向の他端部が第1のアウターリード部となる第1のリード部材と、金属部材が用いられてなり、長さ方向の一端部が第2のインナーリード部となり、長さ方向の他端部が第2のアウターリード部となり、前記第1のリード部材とは各一端同士が所定の間隙をあけて対向している第2のリード部材と、一対の電極を有し、前記第1のリード部材のダイ・パッド部上に搭載されて固着された発光素子と、前記発光素子の一対の電極のうちの1つの電極と前記第2のリード部材の第2のインナーリード部との間を電気的に接続するように両端がボンディング接続された導電性ワイヤと、前記発光素子、第1のリード部材のダイ・パッド部、第1のリード部材の第1のインナーリード部、第2のリード部材の第2のインナーリード部、導電性ワイヤを被覆するように透光性樹脂がトランスファモールド成型されてなる樹脂パッケージとを有する樹脂封止型発光装置であって、前記第2のリード部材は、前記第2のインナーリード部の両側面の上下方向にそれぞれ第1の溝が少なくとも1本形成されており、前記第2のインナーリード部の底面の幅方向に第2の溝が少なくとも1本形成されており、これらの各溝の内部に前記樹脂パッケージの一部が埋め込まれていることを特徴とする。 The resin-sealed light emitting device according to the present invention uses a metal member, and one end portion in the length direction is a die pad portion, and an intermediate portion in the length direction is a first inner lead portion. The other end in the length direction is a first lead member in which the other end portion in the direction becomes a first outer lead portion and a metal member, and one end portion in the length direction becomes the second inner lead portion, and the other end in the length direction. The first lead member has a second lead member facing each other with a predetermined gap, and a pair of electrodes, and the first lead member has a pair of electrodes. A light-emitting element mounted and fixed on the die pad portion of the lead member, and between one electrode of the pair of electrodes of the light-emitting element and the second inner lead portion of the second lead member Conductive wire with both ends bonded for electrical connection And the light emitting element, the die pad portion of the first lead member, the first inner lead portion of the first lead member, the second inner lead portion of the second lead member, and the conductive wire. In this way, the resin-encapsulated light-emitting device has a resin package formed by transfer molding a translucent resin, and the second lead member is formed in the vertical direction on both side surfaces of the second inner lead portion. At least one first groove is formed, and at least one second groove is formed in the width direction of the bottom surface of the second inner lead portion, and the resin package is formed inside each of the grooves. Is partially embedded.
前記第1のリード部材の一具体例は、長さ方向の一端部が肉厚の平板状であって上面にカップ状の凹部を有するダイ・パッド部となり、長さ方向の中間部が前記ダイ・パッド部に連なる肉厚の平板状であって第1のインナーリード部となり、長さ方向の他端部が前記第1のアウターリード部となり、前記ダイ・パッド部の凹部の底面上に前記発光素子が搭載されている。また、前記第2のリード部材の一具体例は、長さ方向の一端部が肉厚の平板状であって前記第2のインナーリード部となり、長さ方向の他端部が前記第2のインナーリード部より薄い平板状であって前記第2のアウターリード部となる、 One specific example of the first lead member is a die pad portion having a thick flat plate at one end in the length direction and a cup-shaped recess on the upper surface, and an intermediate portion in the length direction being the die. -A thick flat plate connected to the pad portion and serving as a first inner lead portion, and the other end portion in the length direction serving as the first outer lead portion, and on the bottom surface of the concave portion of the die pad portion. A light emitting element is mounted. Also, one specific example of the second lead member is such that one end portion in the length direction is a thick flat plate shape and serves as the second inner lead portion, and the other end portion in the length direction is the second end portion. It is a flat plate shape thinner than the inner lead part and becomes the second outer lead part,
請求項1の樹脂封止型発光装置によれば、第2のリード部材は、ダイ・パッド部を有する第1のリード部材より短かくて表面積が小さく、第2のインナーリード部は、長さ方向の一端部が肉厚の平板状であり、当該肉厚部よりも長さ方向の他端側が前記肉厚部よりも薄い平板状であり、前記第2のインナーリード部の肉厚部上に導電性ワイヤがボンディング接続されており、前記第2のインナーリード部と前記導電性ワイヤとの接続部であるセカンドボンド部分の両側面の上下方向に、前記セカンドボンド部分を挟むように対向して、それぞれ第1の溝が少なくとも1本形成されており、前記セカンドボンド部分の底面の幅方向に第2の溝が形成されており、これらの各溝の内部に樹脂パッケージの一部が埋め込まれている。
したがって、第1のリード部材より第2のリード部材が短かくて表面積が小さい場合でも、第2のリード部材の第2のインナーリード部は肉厚の平板状の存在によりその表面積がより大きくなるので、第2のリード部材と樹脂パッケージとの密着強度がより向上している。さらに、第2のインナーリード部のセカンドボンド部分の両側面および底面にそれぞれ溝が形成されており、これらの各溝の内部に樹脂パッケージの一部が埋め込まれているので、第2のリード部材と樹脂パッケージとの密着強度がより向上している。この結果、例えば表面実装に際してリフロー炉を通る時の温度サイクル時の剪断応力による第2の導電性ワイヤのセカンドボンド部分の電気的接触不良あるいは断線を防止し、信頼性と歩留りの向上を図り、大面積、高出力のLEDチップを搭載することが可能になる。
According to the resin-sealed light emitting device of claim 1, the second lead member is shorter and has a smaller surface area than the first lead member having the die pad portion, and the second inner lead portion has a length. One end portion in the direction is a thick flat plate shape, the other end side in the length direction of the thick portion is a flat plate shape thinner than the thick portion, and on the thick portion of the second inner lead portion A conductive wire is bonded to each other, and is opposed to sandwich the second bond portion in the vertical direction on both side surfaces of the second bond portion that is a connection portion between the second inner lead portion and the conductive wire. At least one first groove is formed, and a second groove is formed in the width direction of the bottom surface of the second bond portion, and a part of the resin package is embedded in each of these grooves. It is.
Therefore, even when the second lead member is shorter than the first lead member and has a small surface area, the surface area of the second inner lead portion of the second lead member is larger due to the presence of a thick flat plate. Therefore, the adhesion strength between the second lead member and the resin package is further improved. Further, grooves are formed on both side surfaces and the bottom surface of the second bond portion of the second inner lead portion, and a part of the resin package is embedded in each of these grooves, so that the second lead member The adhesion strength between the resin package and the resin package is further improved. As a result, for example, electrical contact failure or disconnection of the second bond portion of the second conductive wire due to shear stress during temperature cycling when passing through a reflow furnace during surface mounting is prevented, and reliability and yield are improved. Large area, high output LED chips can be mounted.
請求項2の樹脂封止型発光装置によれば、第1のリード部材のダイ・パッド部および第1のインナーリード部の表面積が大きく、第1のリード部材と樹脂パッケージとの密着強度がより向上する。 According to the resin-sealed light emitting device of claim 2, the surface area of the die pad portion and the first inner lead portion of the first lead member is large, and the adhesion strength between the first lead member and the resin package is further increased. improves.
請求項3の樹脂封止型発光装置によれば、第2のインナーリード部の底面にスリット状の第2の溝が存在しており、第2のリード部材とパッケージ用の透光性樹脂との密着強度がより向上している。 According to the resin-sealed light emitting device of claim 3, the slit-like second groove exists on the bottom surface of the second inner lead portion, and the second lead member and the translucent resin for the package are provided. The adhesion strength of is improved.
請求項4の樹脂封止型発光装置によれば、第1のリード部材の第1のインナーリード部の底面に幅が狭い第3の溝が存在し、第1のリード部材と樹脂パッケージとの密着強度がより向上しているので、第1の導電性ワイヤのセカンドボンド部分の電気的接触不良あるいは断線を防止し、さらに、信頼性と歩留りの向上を図ることが可能になる。 According to the resin-sealed light emitting device of the fourth aspect, the third groove having a narrow width exists on the bottom surface of the first inner lead portion of the first lead member, and the first lead member and the resin package Since the adhesion strength is further improved, it is possible to prevent poor electrical contact or disconnection of the second bond portion of the first conductive wire, and to improve reliability and yield.
請求項5の樹脂封止型発光装置によれば、樹脂パッケージの底面側に表面実装接続用の外部端子を有するので、応用装置の基板上へ表面実装した場合の面積が少なくて済み、実装面積効率の向上、応用装置の小型化を図ることが可能になる。
According to the resin-sealed light-emitting device of
以下、本発明の樹脂封止型発光装置の実施形態および実施例を説明するが、本発明は、これらの実施形態および実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments and examples of the resin-sealed light-emitting device of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these embodiments and examples.
<第1の実施形態>
図1は、本発明の樹脂封止型発光装置の第1の実施形態に係る一例を概略的に示す部分断面側面図である。図2(a)、(b)は、図1中のリード部材を取り出して折り曲げ前の状態を拡大して示す上面図および側面図である。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a partial cross-sectional side view schematically showing an example according to the first embodiment of the resin-sealed light emitting device of the present invention. FIGS. 2A and 2B are a top view and a side view, respectively, showing the lead member in FIG.
図1に示す発光装置は、主たる構成要素として、LEDチップ10と、それぞれ同じ金属部材が用いられた第1のリード部材11および第2のリード部材12と、導電性ワイヤ13,14と、樹脂パッケージ15とを具備する。
The light emitting device shown in FIG. 1 includes, as main components, an
第1のリード部材11は、長さ方向の一端部および中間部が厚い平板状であって、一端部がダイ・パッド部110 、中間部が第1のインナーリード部111 となり、長さ方向の他端部は薄い平板状であって第1のアウターリード部112 となっている。ダイ・パッド部110 は、その上面の中央部分がカップ状あるいは皿状に凹没し、その内側面が光反射鏡になっている。図2(a)、(b)中、110aはダイ・パッド部110 上面の凹没部を示す。
The
第2のリード部材12は、長さ方向の一端部が、第1のリード部材11の肉厚部と同じく厚い平板状であって第2のインナーリード部121 となり、長さ方向の他端部が薄い平板状であって第2のアウターリード部122 となっている。なお、第2のリード部材12は、第1のリード部材11と比べて、ダイ・パッド部110 に相当する分だけ短かく、表面積が小さい。
The
LEDチップ10は、アノード・カソードに対応する一対の電極(p電極、n電極)を上面側に有し、第1のリード部材11のダイ・パッド部110 の中央部分上に搭載されて固着(ダイボンディング)されている。そして、LEDチップ10の一対の電極のうち、第1の電極(本例ではn電極)は、第1のリード部材11に電気的に接続されている。本例では、n電極と第1のリード部材11の第1のインナーリード部111 との間を電気的に接続するように、第1の導電性ワイヤ13の両端がボンディング接続されている。そして、第2の電極(本例ではp電極)と第2のリード部材12の第2のインナーリード部121 との間を電気的に接続するように、第2の導電性ワイヤ14の両端がボンディング接続されている。
The
そして、LEDチップ10、第1のリード部材11のダイ・パッド部110 および第1のインナーリード部111 、第2のリード部材12の第2のインナーリード部121 、第1の導電性ワイヤ13、第2の導電性ワイヤ14とを被覆するように、透光性樹脂のトランスファモールド成型によって樹脂パッケージ15が形成されている。この場合、樹脂パッケージ15は、第1のリード部材11のダイ・パッド部110 および第1のインナーリード部111 、第2のリード部材12の第2のインナーリード部121 、第1の導電性ワイヤ13、第2の導電性ワイヤ14を被覆する部分が例えば直方体である。そして、この直方体部分の上面側(LEDチップ10の上方側)に凸レンズ形状の光放射面151 を形成するようにモールドされている。但し、樹脂パッケージ15の全体的な形状は種々変形することが可能である。
The
そして、本実施形態では、第2のリード部材12は、第2のインナーリード部121 の両側面の上下方向に幅広の1本の第1の溝123 が形成されており、第2のインナーリード部121 の底面の幅方向に第1の溝123 よりも幅が狭い少なくとも1本(望ましくは複数本)のスリット状の第2の溝124 が形成されており、これらの各溝123,124 の内部に樹脂パッケージ15の一部が埋め込まれている。
In the present embodiment, the
また、第1のリード部材11は、第1のインナーリード部111 の底面の幅方向に少なくとも1本(望ましくは複数本)のスリット状の第3の溝113 が形成されており、この溝113の内部に樹脂パッケージ15の一部が埋め込まれている。この第3の溝113 は、本例では第2の溝124 と同様の幅、深さを有する。なお、第1のリード部材11と樹脂パッケージ15との密着強度をさらに向上させるために、第1のリード部材11のダイ・パッド部110 の底面の幅方向にも、少なくとも1本のスリット状の第3の溝を形成するようにしてもよい。
The
そして、第1のリード部材11および第2のリード部材12は、樹脂パッケージ15からそれぞれ突出したアウターリード部112,122 が樹脂パッケージ15の側面に沿い、さらにその先端部が樹脂パッケージ15の底面部側に折り曲げられて表面実装接続用の外部端子16となっており、表面実装時に接続される。
The
上記構成の樹脂封止型発光装置において、第2のリード部材12は、第2のインナーリード部121 の両側面の上下方向に幅広の1本の第1の溝123 が形成され、第2のインナーリード部121 の底面の幅方向にそれぞれ第1の溝123 よりも幅が狭い複数本のスリット状の第2の溝124 が形成されており、これらの各溝123,124 の内部に樹脂パッケージ15の一部が埋め込まれているので、樹脂パッケージ15との密着部分の表面積が小さくても、樹脂パッケージ15との密着強度が向上している。
In the resin-sealed light emitting device having the above-described configuration, the
また、第1のリード部材11は、ダイ・パッド部110 、第1のインナーリード部111 の表面積が大きく、しかも、第1のインナーリード部111 の底面の幅方向にスリット状の第3の溝113 が形成されており、この溝113 の内部に樹脂パッケージ15の一部が埋め込まれているので、第1のリード部材11も、樹脂パッケージ15との密着強度が向上している。
Further, in the
上記構成の樹脂封止型発光装置を例えば半田リフロー法を用いて基板上に表面実装する際、リフロー炉を通すことによって半田付けが行われる。この際、予備加熱後の本加熱時の温度は半田の融点以上の220℃〜240℃程度(鉛フリーの場合には260℃程度以上)の高温になり、熱膨張の大きいエポキシ樹脂によって、p電極に接続されている第2の導電性ワイヤ14が強く引っ張られようとし、n電極に接続されている第1の導電性ワイヤ13も引っ張られようとする。
When the resin-sealed light emitting device having the above configuration is surface-mounted on a substrate using, for example, a solder reflow method, soldering is performed by passing through a reflow furnace. At this time, the temperature at the time of the main heating after the preheating becomes a high temperature of about 220 ° C. to 240 ° C. above the melting point of the solder (about 260 ° C. or more in the case of lead-free). The second
この場合、第2のリード部材12も第2の導電性ワイヤ14と同様にエポキシ樹脂の熱膨張によって同じ方向に引っ張られる。これにより、第2の導電性ワイヤ14およびそのセカンドボンド部分に対する熱応力が緩和され、第2の導電性ワイヤ14のセカンドボンド部分のみに引っ張り力がかかることはなくなり、第2の導電性ワイヤ14のセカンドボンド部分の電気的接触不良あるいは断線を極力防止することが可能になり、不良率が低減する。
In this case, the
同様に、第1のリード部材11も第1の導電性ワイヤ13と同様にエポキシ樹脂の熱膨張によって同じ方向に引っ張られる。これにより、第1の導電性ワイヤ13およびそのセカンドボンド部分に対する熱応力が緩和され、第1の導電性ワイヤ13のセカンドボンド部分のみに引っ張り力がかかることはなくなり、第1の導電性ワイヤ13のセカンドボンド部分の電気的接触不良あるいは断線を極力防止することが可能になり、不良率が低減する。
Similarly, the
結果として、上記樹脂封止型発光装置によれば、熱衝撃試験に対する高い信頼性と歩留りの向上を図り、大面積、高出力のLEDチップを搭載することが可能になる。 As a result, according to the resin-sealed light-emitting device, it is possible to improve the reliability and yield of the thermal shock test, and to mount a large-area, high-power LED chip.
また、樹脂パッケージ15の底面側に表面実装接続用の外部端子16を有するので、応用装置の基板上へ表面実装した場合の面積が少なくて済み、実装面積効率の向上、応用装置の小型化を図ることが可能になる。
In addition, since the
また、樹脂パッケージ15は、LEDチップ10の上側方向に突出する凸レンズ形状を有する光放射面151 を有するので、発光出力を高めることが可能になる。
In addition, since the
<第2の実施形態>
図3は、本発明の樹脂封止型発光装置の第2の実施形態に係る一例を概略的に示す部分断面側面図である。
<Second Embodiment>
FIG. 3 is a partial cross-sectional side view schematically showing an example according to the second embodiment of the resin-sealed light emitting device of the present invention.
第2の実施形態は、第1の実施形態と比べて、LEDチップ10a の一対の電極が上下に分離された構造を有し、LEDチップ10a の下部電極が第1のリード部材11のダイ・パッド部110 に固着されるとともに電気的に接続されている点が異なり、その他は同じである。 なお、第2の実施形態において、第1のリード部材11の第1のインナーリード部111 を省略してもよい。また、第1のリード部材11と樹脂パッケージ15との密着強度を向上させるために、第1のリード部材11のダイ・パッド部110 の底面の幅方向に、第2のリード部材12の第2のインナーリード部121 の底面の第1の溝123 と同様に少なくとも1本のスリット状の溝を形成することが望ましい。
Compared with the first embodiment, the second embodiment has a structure in which the pair of electrodes of the LED chip 10a are separated from each other vertically, and the lower electrode of the LED chip 10a is the die of the
第2の実施形態の樹脂封止型発光装置によっても、前述した第1の実施形態の樹脂封止型発光装置と同様の効果が得られる。 Also by the resin-sealed light emitting device of the second embodiment, the same effects as those of the resin-sealed light emitting device of the first embodiment described above can be obtained.
以下、上記した各実施形態の発光装置における各構成要素について詳述する。 Hereinafter, each component in the light-emitting device of each above-mentioned embodiment is explained in full detail.
(第1のリード部材11、第2のリード部材12) 各リード部材は、高熱伝導体を用いることが好ましく、鉄入り銅等の表面に銀、アルミニウム、金等の金属メッキを施し、その表面を平滑にして反射率を向上させることが好ましい。本例では、銅(Cu)合金板の表面に銀(Ag)メッキが施されている。これらの金属の熱膨張率は、銅(Cu)で16.7×10-6/℃、鉄(Fe)で11.8×10-6/℃である。
(First
(LEDチップ10) LEDチップは、460nm近傍に発光ピーク波長を持つ青色発光の発光素子、410nm近傍に発光ピーク波長を持つ青紫色発光の発光素子、365nm近傍に発光ピーク波長を持つ紫外線発光の発光素子などを使用することができる。 (LED chip 10) The LED chip is a blue light emitting element having an emission peak wavelength in the vicinity of 460 nm, a blue-violet light emitting element having an emission peak wavelength in the vicinity of 410 nm, and an ultraviolet light emitting element having an emission peak wavelength in the vicinity of 365 nm. An element etc. can be used.
発光素子の種類は特に制限されるものではないが、例えば、MOCVD法等によって基板上にInN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体を発光層として形成させたもの、一例として、サファイア基板上にn型GaNよりなるn型コンタクト層と、n型AlGaNよりなるn型クラッド層と、p型GaNよりなるp型コンタクト層とが順次に積層された構造のものを使用する。また、半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やPN接合などを有するホモ構造、ヘテロ結合あるいはダブルヘテロ結合のものが挙げられる。半導体の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択できる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることができる。また、活性層には、Si、Ge等のドナー不純物および/またはZn、Mg等のアクセプター不純物がドープされる場合もある。発光素子の発光波長は、その活性層のInGaNのIn含有量を変えるか、または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより、紫外領域から赤色まで変化させることができる。 (LEDチップ10のダイ・パッド部110 への接合部材) 例えば青色発光あるいは緑色発光を有し、サファイア基板上に窒化物半導体を成長させた発光素子をリード部材のベッド部上に接合(ダイボンデイング)する場合には、接合部材としてエポキシ樹脂やシリコーン等を用いることができる。また、発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、樹脂を使用せず、Au−Sn共晶半田や、低融点金属等のろう材を用いることもできる。
The type of the light emitting element is not particularly limited, but for example, a nitride semiconductor such as InN, AlN, GaN, InGaN, AlGaN, InGaAlN, etc. formed as a light emitting layer on a substrate by MOCVD method, for example The n-type contact layer made of n-type GaN, the n-type cladding layer made of n-type AlGaN, and the p-type contact layer made of p-type GaN are sequentially stacked on the sapphire substrate. The semiconductor structure includes a homostructure having a MIS junction, a PIN junction, a PN junction, etc., a hetero bond, or a double hetero bond. Various emission wavelengths can be selected depending on the semiconductor material and the mixed crystal ratio. Moreover, it can be set as the single quantum well structure or the multiple quantum well structure which formed the semiconductor active layer in the thin film which produces a quantum effect. The active layer may be doped with donor impurities such as Si and Ge and / or acceptor impurities such as Zn and Mg. The emission wavelength of the light-emitting element can be changed from the ultraviolet region to red by changing the In content of InGaN in the active layer or changing the type of impurities doped in the active layer. (Bonding member to
他方、GaAs等からなり、赤色発光を有する発光素子をリード部材のベッド部上に接合する場合には、発光素子の両面に電極を形成することができるので、接合部材として、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト等を用いることができる。 On the other hand, when a light emitting element made of GaAs or the like and emitting red light emission is bonded onto the bed portion of the lead member, electrodes can be formed on both sides of the light emitting element, so that silver, gold, palladium can be used as the bonding member. A conductive paste such as can be used.
(導電性ワイヤ13,14 ) 導電性ワイヤとしては、発光素子の電極とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性および熱伝導性が良いものが求められる。熱伝導率としては、0.01cal /(S )(cm2 )(℃/cm)以上が好ましく、より好ましくは、0.5cal/(S )(cm2 )(℃/cm)以上である。また、作業性などを考慮して導電性ワイヤの直径は、好ましくは10μm以上、45μm以下である。このような導電性ワイヤとして、具体的には、金、銅、白金、アルミニウム等の金属およびそれらの合金を用いたワイヤが挙げられる。このような導電性ワイヤは、ワイヤボンデイング装置によって、各発光素子と内部端子との間に容易にボンデイング接続させることができる。
(
(樹脂パッケージ15用の透光性樹脂) 透光性樹脂は、外力、水分等から発光素子を保護するように封止することができる。発光装置の製造工程中あるいは製造段階での保管中に透光性樹脂内に水分が含まれてしまった場合においては、100 ℃で14時間以上のべ−キングを行うことによって、樹脂内に含有された水分を外気へ逃がすことができるので、水蒸気爆発や、発光素子と封止部材との剥がれに起因する色調のずれ等の弊害を防ぐことができる。 (Translucent resin for resin package 15) The translucent resin can be sealed so as to protect the light emitting element from external force, moisture, and the like. If water is contained in the translucent resin during the manufacturing process of the light emitting device or during storage at the manufacturing stage, it is contained in the resin by baking at 100 ° C for 14 hours or more. Since the generated moisture can be released to the outside air, adverse effects such as a steam explosion and a color shift caused by peeling between the light emitting element and the sealing member can be prevented.
また、封止部材は、発光素子からの光を効率よく外部に発するために、高い光の透過性が要求される。発光素子の電極と内部端子部とを導電性ワイヤで接続する構造においては、封止部材は導電性ワイヤを保護する機能も有する。封止部材として用いられる透光性樹脂の材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂やアクリル樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた樹脂を用いると好適である。また、透光性樹脂に拡散剤を含有させることによって、発光素子からの指向性を緩和させ、視野角を増やすこともできる。 In addition, the sealing member is required to have high light transmittance in order to efficiently emit light from the light emitting element to the outside. In the structure in which the electrode of the light emitting element and the internal terminal portion are connected by a conductive wire, the sealing member also has a function of protecting the conductive wire. As a material of the translucent resin used as the sealing member, it is preferable to use a resin having excellent weather resistance such as an epoxy resin, a silicone resin, an acrylic resin, or a urea resin. Further, by adding a diffusing agent to the light-transmitting resin, directivity from the light-emitting element can be relaxed and the viewing angle can be increased.
透光性樹脂は、熱熱膨張率がリード部材の熱熱膨張率に近いものが望ましい。本例で使用する透光性エポキシ樹脂は、熱熱膨張率が6.3×10-5/℃であり、リード部材の熱熱膨張率より大きい。透光性エポキシ樹脂の熱熱膨張率は、ガラス転移点(約130℃)以上では16.5×10-5/℃になる。 The translucent resin preferably has a thermal thermal expansion coefficient close to that of the lead member. The translucent epoxy resin used in this example has a thermal thermal expansion coefficient of 6.3 × 10 −5 / ° C., which is larger than the thermal thermal expansion coefficient of the lead member. The thermal expansion coefficient of the translucent epoxy resin is 16.5 × 10 −5 / ° C. above the glass transition point (about 130 ° C.).
このため、例えば表面実装時に高温のリフロー炉を通す際に、熱膨張の大きい透明エポキシ樹脂により第1の導電性ワイヤ13および第2の導電性ワイヤ14がそれぞれ引っ張られたとしても、同様に、第1のリード部材11および第2のリード部材12もそれぞれ引っ張られるので、導電性ワイヤとリード部材との相対的な関係の変化が少なくなり、第1の導電性ワイヤ13および第2の導電性ワイヤ14の各セカンドボンド部の電気的接続状態が低下したり、電気的接触不良が増大することは防止される。
For this reason, for example, even when the first
なお、LEDチップ10として単色発光の発光素子を使用し、パッケージ用の透光性樹脂に、発光素子から放出される光を吸収して励起され、発光素子の発光色とは異なる色の発光を行う波長変換用の蛍光物質を含ませることにより、発光素子の発光色と透光性樹脂中の蛍光物質との組み合わせに応じて所望の混色発光を得ることが可能になる。この場合、発光素子の発光色に対して補色関係を有する発光を行う波長変換用の蛍光物質(例えば青色発光の発光素子に対しては透光性エポキシ樹脂中にYAG蛍光体(Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体)を含ませることにより、その含有量によって、青色発光素子からの光を一部吸収して補色となる黄色系の発光が可能となり、青色発光素子による発光とYAG蛍光体による発光との混色によって白色系に発光する発光装置を比較的簡単に信頼性良く形成できる。同様に、Euおよび/またはCrで賦活された窒素含有CaO−Al2 O3 −SiO2 蛍光体を利用した場合は、その含有量によって、青色発光素子からの光を一部吸収して補色となる赤色系の発光が可能となり、青色発光素子との組み合わせにより白色系の発光装置を比較的簡単に信頼性良く形成できる。
The
以下、本発明の樹脂封止型発光装置について実施例を説明する。 Examples of the resin-sealed light emitting device of the present invention will be described below.
本発明の発光装置の一実施例として、図1および図2(a)、(b)を参照して前述した第1の実施形態の一具体例を説明する。 As an example of the light emitting device of the present invention, a specific example of the first embodiment described above with reference to FIGS. 1 and 2A and 2B will be described.
第1のリード部材11は、ダイ・パッド部110 の幅が1.2mm、厚さが0.5mmであり、第1のインナーリード部111 の幅が1.0mm、厚さが0.5mm、長さが約1.0mmであり、第1のアウターリード部112 の幅が2.0mm、厚さが0.2mm、長さが約2.0mmである。
The
第1のリード部材11のダイ・パッド部110 の上面のカップ状の凹没部110aは、外周部および底面部がそれぞれ上面円形であり、深さが0.2mmであり、外周部の直径は1.0mm、底面部の直径は0.6mmである。
The cup-shaped recessed
第2のリード部材12は、第2のインナーリード部121 の幅が1.2mm、厚さが0.5mm、長さが約1.0mmであり、第2のアウターリード部122 の幅が2.0mm、厚さが0.2mm、長さが約2.0mmである。そして、第1のリード部材11と第2のリード部材12とが対向する間隙の長さは0.1mmである。したがって、後述するように透光性樹脂のトランスファモールド成型により形成される樹脂パッケージ15と第2のリード部材12との密着部分の表面積は、樹脂パッケージ15と第1のリード部材11との密着部分の表面積よりも小さい。
The
第2のリード部材12の第2のインナーリード部122 の両側面の上下方向にそれぞれ第1の溝123 が1本形成されており、この第1の溝123 は、側面が半円型の溝であり、その半径(深さ)が0.1mm、幅が0.2mmである。
One
第2のリード部材12の第2のインナーリード部122 の底面の幅方向に2本のスリット状の第2の溝124 が形成されており、この第2の溝124 は、側面がV字型の溝であり、その深さが0.05mm、V字のテーパ角が60°、V字の開き角が60°である。
Two slit-shaped
第1のリード部材11の第1のインナーリード部111 の底面の幅方向に2本のスリット状の第3の溝113 が形成されており、この第3の溝113 は、側面がV字型の溝であり、その深さが0.05mm、V字のテーパ角が60°、V字の開き角が60°である。
Two slit-shaped
なお、第2のインナーリード部122 にワイヤボンデイングが可能な領域を存在させることが可能であれば、第1の溝123 の深さや幅の範囲は限定されるものではない。また、第2の溝124 および第3の溝113 の深さも特に限定されるものではない。
The range of the depth and width of the
第1のリード部材11のダイ・パッド部110 の凹没部110aの中心点から第1の溝123 までの水平距離は1mmであり、ダイ・パッド部110 の凹没部110aの中心点から2本の第2の溝124 までの水平距離はそれぞれ0.9mmと1.1mmであり、ダイ・パッド部110 の凹没部の中心点から2本の第3の溝113 までの長さ方向に沿う最短長さは、それぞれ0.9mmと1.1mmである。
The horizontal distance from the center point of the recessed
導電性ワイヤ13,14 は、直径30μmの金線からなる。
The
次に、上記構成の樹脂封止型発光装置の製造工程の一例を簡単に説明する。 Next, an example of a manufacturing process of the resin-sealed light emitting device having the above configuration will be briefly described.
まず、例えば脱酸処理された銅合金の全面に銀メッキがなされた金属板を金型で打ち抜き加工し、それぞれ第1のリード部と第1のリード部とを含む多数のリードフレームが行列状に連なるリードフレームアレイを形成する。このリードフレームアレイの各リードフレームに対して、第2のリード部材の第2のインナーリード部の底面の幅方向に2本のスリット状の第1の溝、第2のリード部の第2のインナーリード部の両側面の上下方向にそれぞれ1本の第2の溝、第1のリード部の第1のインナーリード部の底面の幅方向に2本のスリット状の第3の溝を形成しておく。 First, for example, a metal plate in which silver plating is made on the entire surface of a deoxidized copper alloy is punched with a mold, and a large number of lead frames each including a first lead portion and a first lead portion are arranged in a matrix. To form a lead frame array. For each lead frame of the lead frame array, two slit-shaped first grooves in the width direction of the bottom surface of the second inner lead part of the second lead member, and the second lead part second A second groove is formed in the vertical direction on both side surfaces of the inner lead portion, and two slit-shaped third grooves are formed in the width direction of the bottom surface of the first inner lead portion of the first lead portion. Keep it.
次に、各リードフレームに対して順次に、第1のリード部のダイ・パッド部上に発光素子をダイボンディングする。ここで、発光素子として、両面に電極が形成された赤色発光を有する発光素子を用いる場合には、銀ペーストを用いてダイ・ベッド部上にダイボンデイングを行う。これに対して、発光素子として、サファイア基板を底面とする青色発光あるいは緑色発光の発光素子を用いる場合には、エポキシ樹脂を用いてダイ・ベッド部上にダイボンデイングを行う。 Next, a light emitting element is die-bonded on the die pad portion of the first lead portion sequentially for each lead frame. Here, when using the light emitting element which has red light emission in which the electrode was formed in both surfaces as a light emitting element, die bonding is performed on a die bed part using a silver paste. On the other hand, when a blue or green light emitting element having a sapphire substrate as a bottom surface is used as the light emitting element, die bonding is performed on the die bed portion using an epoxy resin.
次に、各リードフレームに対して順次に、発光素子の一対の電極と一対のリード部の各インナーリード部とにそれぞれ導電性ワイヤをボンディング接続する。その後、必要に応じて抜き取り検査により、導電性ワイヤの引っ張り強度、ボンディング接続の良否を確認する。 Next, a conductive wire is bonded to the pair of electrodes of the light emitting element and the inner lead portions of the pair of lead portions in order with respect to each lead frame. Thereafter, the tensile strength of the conductive wire and the quality of the bonding connection are confirmed by sampling inspection as necessary.
その後、リードフレームアレイに対するトランスファモールド成型用の治具を用いて、各リードフレームに対して、発光素子、第1のリード部のダイ・パッド部および第1のインナーリード部、第2のリード部の第2のインナーリード部、第1の導電性ワイヤ、第2の導電性ワイヤを被覆するように、熱硬化性の透光性エポキシ樹脂のトランスファモールド成型を行う。この際、リードフレームアレイのパターンとして、各リードフレームの少なくともダイ・パッド部およびインナーリード部の両側を予め開口しておくことにより、フルモールド成型が可能である。そして、透光性エポキシ樹脂を熱硬化させることにより、リード部材に密着状態で樹脂により封止した樹脂パッケージを形成する。 After that, using a transfer mold molding jig for the lead frame array, the light emitting element, the die pad portion of the first lead portion, the first inner lead portion, and the second lead portion for each lead frame The thermosetting translucent epoxy resin is transfer-molded so as to cover the second inner lead portion, the first conductive wire, and the second conductive wire. At this time, as a pattern of the lead frame array, full molding can be performed by previously opening at least both sides of the die pad portion and the inner lead portion of each lead frame. Then, the light-transmitting epoxy resin is thermally cured to form a resin package sealed with the resin in a tight contact state with the lead member.
その後、リードフレームアレイから、それぞれ樹脂パッケージ側面にアウターリード部が突出した状態の多数のアウターリード付きの樹脂パッケージをプレスにより打ち抜いて分離する。 Thereafter, a large number of resin packages with outer leads, each having an outer lead portion protruding from the side surface of the resin package, are punched out and separated from the lead frame array.
その後、アウターリード付きの樹脂パッケージ毎に、アウターリード部を樹脂パッケージの側面に沿って折り曲げ、さらに、樹脂パッケージの底面側に折り曲げて表面実装接続用の外部端子16とするように成形することによって、多数の表面実装型の樹脂封止型発光装置を得る。
Then, for each resin package with an outer lead, the outer lead part is bent along the side surface of the resin package, and further bent to the bottom side of the resin package to form the
上記実施例の樹脂封止型発光装置によれば、第2のリード部材は、第2のインナーリード部の両側面の上下方向に幅広の1本の第1の溝が形成され、第2のインナーリード部の底面の幅方向にそれぞれ前記第1の溝よりも幅が狭い2本のスリット状の第2の溝が形成されており、これらの各溝の内部に樹脂パッケージの一部が埋め込まれているので、樹脂パッケージとの密着部分の表面積が小さくても、樹脂パッケージとの密着強度が向上している。また、第1のリード部材も、第1のインナーリード部の底面の幅方向に2本のスリット状の第3の溝が形成されており、この溝の内部に樹脂パッケージの一部が埋め込まれているので、樹脂パッケージとの密着強度が向上している。 According to the resin-sealed light emitting device of the above embodiment, the second lead member is formed with one wide first groove in the vertical direction on both side surfaces of the second inner lead portion, Two slit-shaped second grooves each having a width smaller than that of the first groove are formed in the width direction of the bottom surface of the inner lead portion, and a part of the resin package is embedded in each of the grooves. Therefore, even if the surface area of the close contact portion with the resin package is small, the close contact strength with the resin package is improved. The first lead member also has two slit-like third grooves formed in the width direction of the bottom surface of the first inner lead part, and a part of the resin package is embedded in the groove. Therefore, the adhesion strength with the resin package is improved.
したがって、上記樹脂封止型発光装置を基板上に表面実装する際、熱膨張の大きいパッケージ用の樹脂によって各導電性ワイヤが強く引っ張られようとしても、各リード部材も同じ方向に引っ張られる。これにより、各導電性ワイヤおよびそのセカンドボンド部分に対する熱応力が緩和され、セカンドボンド部分の電気的接触不良あるいは断線を極力防止することが可能になり、不良率が低減する。結果として、熱衝撃試験に対する高い信頼性と歩留りの向上を図り、大面積、高出力のLEDチップを搭載することが可能になる。 Therefore, when the resin-sealed light-emitting device is surface-mounted on a substrate, each lead member is pulled in the same direction even if each conductive wire is pulled strongly by the package resin having a large thermal expansion. As a result, the thermal stress on each conductive wire and its second bond portion is relaxed, and it becomes possible to prevent electrical contact failure or disconnection of the second bond portion as much as possible, and the failure rate is reduced. As a result, it is possible to improve the reliability and yield of the thermal shock test, and to mount a large area, high output LED chip.
なお、本発明は、フォトダイオード、フォトトランジスタ等の受光素子のチップをリードフレーム上に搭載した受光装置や、発光ダイオードチップと受光素子チップの一組をリードフレーム上に搭載した受発光装置にも適用可能である。また、LEDチップの電気的接続部分を透光性弾性材料(例えばシリコン樹脂)によって覆い、その周囲をさらに透光性樹脂で覆うようにしてもよい。 The present invention also applies to a light receiving device in which a chip of a light receiving element such as a photodiode or a phototransistor is mounted on a lead frame, or a light receiving and emitting device in which a pair of a light emitting diode chip and a light receiving element chip is mounted on a lead frame. Applicable. Further, the electrical connection portion of the LED chip may be covered with a light-transmitting elastic material (for example, silicon resin), and the periphery thereof may be further covered with the light-transmitting resin.
10…LEDチップ、11…第1のリード部材、110 …ダイ・パッド部、110a…凹没部、111…第1のインナーリード部、112 …第1のアウターリード部、113 …第3の溝、12…第2のリード部材、121 …第2のインナーリード部、122 …第2のアウターリード部、123 …第1の溝、124 …第2の溝、13…第1の導電性ワイヤ、14…第2の導電性ワイヤ、15…樹脂パッケージ、151 …光放射面、16…外部端子。
DESCRIPTION OF
Claims (6)
金属部材が用いられてなり、長さ方向の一端部が第2のインナーリード部となり、長さ方向の他端部が第2のアウターリード部となり、前記第1のリード部材とは各一端同士が所定の間隙をあけて対向している第2のリード部材と、
一対の電極を有し、前記第1のリード部材のダイ・パッド部上に搭載されて固着された発光素子と、
前記発光素子の一対の電極のうちの1つの電極と前記第2のリード部材の第2のインナーリード部との間を電気的に接続するように両端がボンディング接続された導電性ワイヤと、
前記発光素子、第1のリード部材のダイ・パッド部、第1のリード部材の第1のインナーリード部、第2のリード部材の第2のインナーリード部、導電性ワイヤを被覆するように透光性樹脂がトランスファモールド成型されてなる樹脂パッケージ
とを有する樹脂封止型発光装置であって、
前記第2のリード部材は、前記ダイ・パッド部を有する第1のリード部材より短かくて表面積が小さく、前記第2のインナーリード部は、長さ方向の一端部が肉厚の平板状であり、当該肉厚部よりも長さ方向の他端側が前記肉厚部よりも薄い平板状であり、前記第2のインナーリード部の肉厚部上に前記導電性ワイヤがボンディング接続されており、前記第2のインナーリード部と前記導電性ワイヤとの接続部であるセカンドボンド部分の両側面の上下方向に、前記セカンドボンド部分を挟むように対向して、それぞれ第1の溝が少なくとも1本形成されており、前記セカンドボンド部分の底面の幅方向に第2の溝が少なくとも1本形成されており、これらの各溝の内部に前記樹脂パッケージの一部が埋め込まれていることを特徴とする樹脂封止型発光装置。 A metal member is used, one end in the length direction becomes the die pad portion, the middle portion in the length direction becomes the first inner lead portion, and the other end in the length direction becomes the first outer lead portion. A first lead member,
A metal member is used, one end portion in the length direction becomes a second inner lead portion, the other end portion in the length direction becomes a second outer lead portion, and the first lead member and each one end A second lead member that is opposed with a predetermined gap therebetween,
A light emitting device having a pair of electrodes and mounted and fixed on the die pad portion of the first lead member;
A conductive wire having both ends bonded together so as to electrically connect one electrode of the pair of electrodes of the light emitting element and the second inner lead portion of the second lead member;
Transparent to cover the light emitting element, the die pad portion of the first lead member, the first inner lead portion of the first lead member, the second inner lead portion of the second lead member, and the conductive wire. A resin-sealed light emitting device having a resin package formed by transfer molding of a light-sensitive resin,
The second lead member is shorter and has a smaller surface area than the first lead member having the die pad portion, and the second inner lead portion has a flat plate shape with one end portion in the length direction being thick. Yes, the other end in the length direction of the thick part is a flat plate shape thinner than the thick part, and the conductive wire is bonded to the thick part of the second inner lead part. The first groove has at least 1 each facing the second bond portion in the vertical direction on both side surfaces of the second bond portion that is a connection portion between the second inner lead portion and the conductive wire. It is formed, and at least one second groove is formed in the width direction of the bottom surface of the second bond portion, and a part of the resin package is embedded in each of the grooves. Resin seal Type light-emitting device.
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