JP3459763B2 - レーザー走査光学系及びそれを用いた画像形成装置 - Google Patents
レーザー走査光学系及びそれを用いた画像形成装置Info
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及びそれを用いた画像形成装置に関し、特に半導体レー
ザーより成る光源手段から出射した光束(レーザ光)を
回転多面鏡より成る光偏向器で偏向反射させた後、fθ
特性を有する走査レンズ系(fθレンズ)を介して被走
査面上を光走査して画像情報を記録するようにした、例
えば電子写真プロセスを有するレーザービームプリンタ
(LBP)やデジタル複写機等の装置に好適なものであ
る。
例えば回転多面鏡(ポリゴンミラー)より成る光偏向器
により周期的に偏向させ、走査レンズ系によって感光性
の記録媒体(感光ドラム)面上にスポット状に収束さ
せ、その面上を光走査して画像記録を行なうレーザー走
査光学系が、例えば特開平3-231218号公報で提案されて
いる。図3、図4は各々同公報で提案されているレーザ
ー走査光学系の主走査断面図及び副走査断面図である。
源手段101から出射した光束(レーザ光)はコリメー
ターレンズ102により略平行光束に変換され、絞り1
03によって該光束(光量)を制限して副走査断面内に
のみ所定の屈折力を有するシリンドリカルレンズ104
に入射している。シリンドリカルレンズ104に入射し
た略平行光束のうち主走査断面内においてはそのまま略
平行光束の状態で射出する。また副走査断面内において
は集束して回転多面鏡(ポリゴンミラー)から成る光偏
向器105の偏向面105aにほぼ線像として結像して
いる。そして光偏向器105の偏向面105aで偏向反
射された光束は正の屈折力を有する球面レンズ106
と、主走査方向及び副走査方向で共に正の屈折力を有す
るプラスチック材料で形成されたトーリックレンズ(プ
ラスチックトーリックレンズ)107とから成る走査レ
ンズ系(fθレンズ系)111を介して被走査面として
の感光ドラム面108上に集光され、該光偏向器105
を矢印A方向に回転させることによって、該感光ドラム
面108上を矢印B方向(主走査方向)に略等速度直線
運動で光走査して画像情報の記録を行なっている。
数値例を示す。
ンズ面の近軸曲率半径、Diは光偏向器側より第i番目
のレンズ厚及び空気間隔、Niは光偏向器側より順に第
i番目のレンズの材質の屈折率である。m、sは各々主
走査方向および副走査方向を示す添字である。また光源
波長は675nm、ポリゴンミラーは6面体で外接円直
径50mm、入射偏向角は60°である。
n、Dnはx−y平面上でレンズ面の高さyと距離xと
の関係式で表現される母線の関係式
において、主走査断面におけるトーリックレンズ107
の焦点距離をf2a、走査レンズ系(球面レンズ106
とトーリックレンズ107との合成)111の焦点距離
をfaとしたとき、 0.1<fa/f2a<0.3 ‥‥‥‥(1) なる条件式を満たすことが広画角化、高性能化、小型
化、プラスチックレンズの耐環境変動特性、そして価格
の点で優れたレーザー走査光学系を実現することができ
る。上記従来のレーザー走査光学系はfa/f2a=
0.21であり、これは上記の条件式(1)を満足させ
ている。
うにトーリックレンズ107のレンズ面に高次非球面を
用いた場合、該トーリックレンズ107は製作上、また
コスト的な理由から材質としてプラスチックを用いる必
要がある。しかしながらプラスチック材を用いたプラス
チックレンズは周知の如く熱(環境温度)に弱い(大き
く特性が変化する)ことからコーティングが難しく、ま
たコーティングによるコストアップがガラスレンズのコ
ーティングと比較して高いことから、コーティング無し
でプラスチックレンズを成形していることが多い。
(光線)の入射角が変わるとフレネル反射率が変化し、
レンズ透過率に差が生じる。例えば半導体レーザーから
の光束(レーザ光)の偏光方向がp偏光、及びs偏光で
レンズ(光学素子)に入射する場合の振幅反射率は、該
光束が各レンズ面を屈折する前後の角度を各々θi、θ
oとしたとき次式で求められる。 p成分振幅反射率: Rp= tan(θi−θo)/tan(θi+θo) ‥‥‥(2) s成分振幅反射率: Rs=−sin(θi−θo)/sin(θi+θo) ‥‥‥(3) フレネル反射率はこれらの式(2),(3)を各々2乗
して求められる。
グ無しのトーリックレンズのフレネル反射率及び軸上の
反射率を1に正規化したときの各像高(被走査面108
上での走査中心からの距離)、各画角でのフレネル反射
率の変化量を示す。
に入射面(第3面)側のフレネル反射率が変化し、従来
では全走査範囲での変化量が最大で略15%に達してい
る。これは感光ドラム面を走査するレーザスポットにエ
ネルギー強度差が生じ、走査領域の中央部と両端部とで
走査線の太さ、濃度が変化して画像を劣化させる原因と
なる。
いては走査画角によってレンズ面への光束(光線)の入
射角が変わるとフレネル反射率が大きく変化し、レンズ
透過率に差が生じ、この結果、良好なる画像を得ること
が難しかった。
形成されたトーリックレンズの少なくとも一方のレンズ
面を主走査断面内で球面レンズを透過した光束に対して
ほぼ垂直となる非球面形状とすることにより、反射率特
性の変化による画像劣化を防止することができると共に
被走査面を略均一な光強度(エネルギー強度)で照射す
ることができるレーザー走査光学系の提供にある。
光学系を用いて画像形成を行なうことにより、走査線の
太さ、濃度について良好なる画像を形成することができ
る画像形成装置の提供にある。
学系は、(1) 光源手段から出射した光束を偏向手段に導
光し、該偏向手段で偏向反射された光束を走査レンズ系
により被走査面上に導光し、該被走査面上を光走査する
レーザー走査光学系において、該走査レンズ系は球面レ
ンズと、主走査方向及び副走査方向とで共に正の屈折力
を有するプラスチック材料で形成されたトーリックレン
ズとを有し、該トーリックレンズの少なくとも一方のレ
ンズ面は主走査断面内で、該球面レンズを透過した光束
に対してほぼ垂直な非球面形状より成ることを特徴とし
ている。
形状より成るレンズ面は、全走査範囲にわたって略一定
のフレネル反射率特性を有することや、(1-2) 前記球面
レンズは正の屈折力を有していることや、(1-3) 前記球
面レンズはガラス材料で形成されていることや、(1-4)
前記トーリックレンズの非球面形状より成るレンズ面の
全走査範囲にわたるフレネル反射率の変化量は10%以
下であること、等を特徴としている。
-1),(1-2),(1-3),(1-4) のいずれか1項記載のレーザー
光走査光学系を用いて画像形成を行なうことを特徴とし
ている。
ザー走査光学系をレーザービームプリンター(LBP)
等の画像形成装置に適用したときの主走査方向の要部断
面図(主走査断面図)である。
レーザーより成っている。2はコリメーターレンズであ
り、光源手段1から出射された光束(レーザ光)を略平
行光束に変換している。3は開口絞り(アパーチャ)で
あり、通過光束(光量)を制限している。
スチックレンズ4aとガラスレンズ4bとの2枚のレン
ズより成っており、副走査断面内にのみ所定の屈折力を
有しており、開口絞り3を通過した光束を副走査断面内
で後述する光偏向器5の偏向面にほぼ線像として結像さ
せている。シリンドリカルレンズ部4は後述するプラス
チック材料で形成されたトーリックレンズ7の環境変動
によって生ずる副走査方向のピント変動を相殺してい
る。尚、コリメーターレンズ2、開口絞り3、そしてシ
リンドリカルレンズ部4は各々入射光学手段の一要素を
構成している。
えば回転多面鏡(ポリゴンミラー)より成っており、モ
ータ等の駆動手段(不図示)により所定方向に一定速度
で回転している。
θレンズ系)であり、正の屈折力を有するガラス材料で
形成された球面レンズ6と、該球面レンズ6の被走査面
8側に配され主走査方向と副走査方向とで共に正の屈折
力を有するプラスチック材料で形成されたトーリックレ
ンズ(プラスチックトーリックレンズ)7とを有してい
る。尚、トーリックレンズ7にはコーティング膜が施さ
れていない。
にトーリックレンズ7の両レンズ面(第3、第4面)を
主走査断面内で、球面レンズ6を透過した光束(光線)
に対してほぼ垂直となる非球面形状より形成しており、
該トーリックレンズ7を透過する光束が全走査角(全走
査範囲)にわたって略一定のフレネル反射率特性を有す
るように形成している。
囲にわたるフレネル反射率の変化量が10%以下のこと
を意味する。
よって偏向反射された画像情報に基づく光束を被走査面
としての感光ドラム面8上に結像させ、かつ該光偏向器
5の偏向面の面倒れを補正している。
器(回転多面鏡)5を汚れから保護している。10は防
塵ガラスであり、感光ドラム面8から拡散するトナーの
汚れから光学系を保護している。
出射した光束はコリメーターレンズ2により略平行光束
に変換され、開口絞り3によって該光束(光量)を制限
してシリンドリカルレンズ部4に入射している。シリン
ドリカルレンズ部4に入射した光束のうち主走査断面内
においてはそのまま略平行光束の状態で射出する。また
副走査断面内においては収束して光偏向器5の偏向面に
ほぼ線像(主走査方向に長手の線像)として結像してい
る。そして偏向器5の偏向面で偏向反射された光束は球
面レンズ6とトーリックレンズ7とから成る走査レンズ
系11を介して感光ドラム面8上に導光される。このと
き主走査断面内においては球面レンズ6を透過後の各偏
向反射された光束(光線)が、それぞれトーリックレン
ズ7のレンズ面に対し略垂直に入射し、正の屈折力を受
けて感光ドラム面8上に結像している。そして光偏向器
5を所定方向に回転させることによって、該感光ドラム
面8上を図中矢印B方向(主走査方向)に略等速度直線
運動で光走査している。これにより記録媒体としての感
光ドラム面8上に画像記録を行なっている。
に示す。
ンズ面の近軸曲率半径、Diは光偏向器側より第i番目
のレンズ厚及び空気間隔、Niは光偏向器側より順に第
i番目のレンズの材質の屈折率である。m、sは各々主
走査方向および副走査方向を示す添字である。また光源
波長は675nm、ポリゴンミラーは8面体で外接円直
径65mm、入射偏向角は53°である。
n、Dnはx−y平面上でレンズ面の高さyと距離xと
の関係式で表現される母線の関係式
において、前述の如く主走査断面におけるトーリックレ
ンズ7の焦点距離をf2a、走査レンズ系(球面レンズ
6とトーリックレンズ7との合成)11の焦点距離をf
aとしたとき、 0.1<fa/f2a<0.3 ‥‥‥‥(1) なる条件式を満たすことが広画角化、高性能化、小型
化、プラスチックレンズの耐環境変動特性、そして価格
の点で優れたレーザー走査光学系を実現することができ
る。本実施形態のレーザー走査光学系はfa/f2a=
0.18であり、これは上記の条件式(1)を満足させ
ている。
7を透過する光束(光線)の角度、フレネル反射率、及
び軸上の反射率を1に正規化したときの各像高(被走査
面8上での走査中心からの距離)、各画角でのフレネル
反射率の変化量を示す。
ーリックレンズ7の各レンズ面のフレネル反射率の変化
量は全走査範囲において4%以下であり、これは前述し
た従来の反射率の変化量が14%を越える値に対して略
1/3にまでに改善させている。
くプラスチックレンズより成るトーリックレンズ7を透
過する光束が全走査角(全走査範囲)にわたって略一定
のフレネル反射率特性をもつように、該トーリックレン
ズ7の両レンズ面のレンズ形状を適切に形成することに
より、該トーリックレンズ7の透過率は走査角に依存せ
ず、被走査面上を略均一な光強度で照射することがで
き、これにより良好なる画像を形成している。
光学系をレーザービームプリンタ(LBP)等の画像形
成装置に適用したときの主走査方向の要部断面図(主走
査断面図)である。同図において図1に示した要素と同
一要素には同符番を付している。
なる点は球面レンズ及びトーリックレンズの各々のレン
ズ形状を異ならせて形成し、特に球面レンズ及びトーリ
ックレンズのレンズ厚さ(肉厚)を実施形態1より薄型
化にして形成したことである。その他の構成及び光学的
作用は前述の実施形態1と略同様であり、これにより同
様な効果を得ている。
る走査レンズ系であり、正の屈折力を有するガラス材料
で形成された球面レンズ26と、該球面レンズ26の被
走査面8側に配され主走査方向と副走査方向とで共に正
の屈折力を有するプラスチック材料で形成されたトーリ
ックレンズ27とを有している。
すように前述の実施形態1と同様にトーリックレンズ2
7の両レンズ面(第3、第4面)を主走査断面内で、球
面レンズ26を透過した光束に対してほぼ垂直となる非
球面形状より形成しており、該トーリックレンズ27を
透過する光束が全走査角(全走査範囲)にわたって略一
定のフレネル反射率特性を有するように形成している。
ズ形状によれば前述の実施形態1と同様に主走査断面に
おいて球面レンズ26を透過後の各偏向反射された光束
(光線)が、それぞれ該トーリックレンズ27のレンズ
面に対しほぼ垂直に入射し、正の屈折力を受けて感光ド
ラム面8上に結像する。
したパラメータを用いて以下に示す。
14であり、これは前述した条件式(1)を満足させて
いる。
リックレンズ27を透過する光束(光線)の角度、フレ
ネル反射率、及び軸上の反射率を1に正規化したときの
各像高(被走査面8上での走査中心からの距離)、各画
角でのフレネル反射率の変化量を示す。
ーリックレンズ27の各レンズ面のフレネル反射率の変
化量は全走査範囲において8%以下であり、これは前述
した従来の反射率の変化量が14%を越える値に対して
略1/2にまでに改善させている。
くプラスチックレンズより成るトーリックレンズ27を
透過する光束が全走査角(全走査範囲)にわたって略一
定のフレネル反射率特性をもつように、該トーリックレ
ンズ27の両レンズ面のレンズ形状を適切に形成するこ
とにより、小型化、価格、耐環境変動特性で更に優れた
ものになると共に、該トーリックレンズ27の薄型化に
より複屈折の発生を抑制し、副走査方向の結像性能の改
善を図っている。
ック材料で形成されたトーリックレンズの少なくとも一
方のレンズ面を主走査断面内で球面レンズを透過した光
束に対してほぼ垂直となる非球面形状とすることによ
り、反射率特性の変化による画像劣化を防止することが
できると共に被走査面を略均一な光強度(エネルギー強
度)で照射することができるレーザー走査光学系を達成
することができる。
ー走査光学系を用いて画像形成を行なうことにより、走
査線の太さ、濃度について良好なる画像を形成すること
ができる画像形成装置を達成することができる。
Claims (6)
- 【請求項1】 光源手段から出射した光束を偏向手段に
導光し、該偏向手段で偏向反射された光束を走査レンズ
系により被走査面上に導光し、該被走査面上を光走査す
るレーザー走査光学系において、 該走査レンズ系は球面レンズと、主走査方向及び副走査
方向とで共に正の屈折力を有するプラスチック材料で形
成されたトーリックレンズとを有し、 該トーリックレンズの少なくとも一方のレンズ面は主走
査断面内で、該球面レンズを透過した光束に対してほぼ
垂直な非球面形状より成ることを特徴とするレーザー走
査光学系。 - 【請求項2】 前記トーリックレンズの非球面形状より
成るレンズ面は、全走査範囲にわたって略一定のフレネ
ル反射率特性を有することを特徴とする請求項1のレー
ザー走査光学系。 - 【請求項3】 前記球面レンズは正の屈折力を有してい
ることを特徴とする請求項1のレーザー走査光学系。 - 【請求項4】 前記球面レンズはガラス材料で形成され
ていることを特徴とする請求項1のレーザー光走査光学
系。 - 【請求項5】 前記トーリックレンズの非球面形状より
成るレンズ面の全走査範囲にわたるフレネル反射率の変
化量は10%以下であることを特徴とする請求項1又は
2のレーザー光走査光学系。 - 【請求項6】 請求項1乃至5のいずれか1項記載のレ
ーザー光走査光学系を用いて画像形成を行なうことを特
徴とする画像形成装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30378997A JP3459763B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | レーザー走査光学系及びそれを用いた画像形成装置 |
US09/172,168 US6104520A (en) | 1997-10-17 | 1998-10-14 | Laser scanning optical system and image forming apparatus using the same |
EP98119551A EP0909969A3 (en) | 1997-10-17 | 1998-10-16 | Laser scanning optical system and image forming apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30378997A JP3459763B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | レーザー走査光学系及びそれを用いた画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11119134A JPH11119134A (ja) | 1999-04-30 |
JP3459763B2 true JP3459763B2 (ja) | 2003-10-27 |
Family
ID=17925320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30378997A Expired - Fee Related JP3459763B2 (ja) | 1997-10-17 | 1997-10-17 | レーザー走査光学系及びそれを用いた画像形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3459763B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7271082B2 (en) | 1993-10-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
1997
- 1997-10-17 JP JP30378997A patent/JP3459763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7271082B2 (en) | 1993-10-26 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11119134A (ja) | 1999-04-30 |
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