JP3458684B2 - Contact probe - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プローブカード等
に組み込まれて、半導体ICチップや液晶デバイス等の
各端子に接触して電気的なテストを行うコンタクトプロ
ーブに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact probe which is incorporated in a probe card or the like and makes an electrical test by contacting each terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device or the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ、またはLCD(液晶表示体)の各端子に
接触させて電気的なテストを行うために、コンタクトピ
ンが備えられたコンタクトプローブが用いられる。例え
ば、図5及び図6に示すコンタクトプローブ30では、
Cu等の金属層からなるグラウンド31上にポリイミド
樹脂等からなるフィルム層32が積層され、このフィル
ム層32上に接着剤からなる接着剤層33を介してNi
基合金等からなるパターン配線34が配列固定されてい
る。このパターン配線34の先端部は狭ピッチで配列さ
れてフィルム層32の先端部から突出しており、それぞ
れコンタクトピン3を構成する。このコンタクトピン3
の針先に半導体ICチップや液晶デバイス等の端子が接
触させられることになる。2. Description of the Related Art Generally, a contact probe equipped with a contact pin is used to make an electrical test by contacting each terminal of a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or an LCD (liquid crystal display). To be For example, in the contact probe 30 shown in FIGS. 5 and 6,
A film layer 32 made of a polyimide resin or the like is laminated on a ground 31 made of a metal layer such as Cu, and an Ni layer is formed on the film layer 32 via an adhesive layer 33 made of an adhesive agent.
The pattern wiring 34 made of a base alloy or the like is arranged and fixed. The tip ends of the pattern wirings 34 are arranged at a narrow pitch and protrude from the tip end of the film layer 32, and each of them constitutes a contact pin 3. This contact pin 3
A terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device, or the like is brought into contact with the needle tip of.
【0003】このようなコンタクトプローブ30は図7
及び図8に示すようにメカニカルピースに組み込まれて
プローブカード(プローブ装置)36とされ、コンタク
トピン3に半導体ICチップ等の端子が接触させられる
ことになる。即ち、図7及び図8に示すプローブカード
36において、中央窓部37aを有するプリント基板3
7の上に、例えばトップクランプ38を取り付ける。ま
たトップクランプ38の下部にベースクランプ39をボ
ルト40等で固定し、コンタクトプローブ30の先端側
部分を両面テープ等でベースクランプ39の下面に取り
付ける。そして略額縁形状のボトムクランプ41でコン
タクトプローブ30の基部を押さえつけることにより、
コンタクトプローブ30の先端側部分を傾斜状態に保持
し、基部はボトムクランプ41の押さえゴム42でプリ
ント基板37の下面に押しつけられる。これによって、
コンタクトプローブ30のパターン配線34の後端部が
窓部44を通してプリント基板37の下面の端子に押し
つけられて接触状態に保持されることになる。このよう
な状態で、半導体ICチップ1等の被検査物の端子2が
コンタクトピン3に接触させられて電気的なテストが行
われることになる。Such a contact probe 30 is shown in FIG.
Further, as shown in FIG. 8, a probe card (probe device) 36 is incorporated in the mechanical piece, and a terminal such as a semiconductor IC chip is brought into contact with the contact pin 3. That is, in the probe card 36 shown in FIGS. 7 and 8, the printed circuit board 3 having the central window portion 37a
A top clamp 38, for example, is attached on top of 7. Further, the base clamp 39 is fixed to the lower portion of the top clamp 38 with bolts 40 and the like, and the tip end side portion of the contact probe 30 is attached to the lower surface of the base clamp 39 with double-sided tape or the like. By pressing the base portion of the contact probe 30 with the substantially frame-shaped bottom clamp 41,
The tip side portion of the contact probe 30 is held in an inclined state, and the base portion is pressed against the lower surface of the printed circuit board 37 by the pressing rubber 42 of the bottom clamp 41. by this,
The rear end portion of the pattern wiring 34 of the contact probe 30 is pressed against the terminal on the lower surface of the printed circuit board 37 through the window portion 44 to be held in contact therewith. In such a state, the terminal 2 of the inspection object such as the semiconductor IC chip 1 is brought into contact with the contact pin 3 and an electrical test is performed.
【0004】ところで、例えば、図9に示すように、半
導体ICチップ1の端子2として、金AuやハンダPb
−Sn等の金属が用いられているものがある。これに対
して、コンタクトプローブ30のコンタクトピン3は、
テスト用通電時の高周波信号の劣化を防ぐ必要があり、
導電率の良い材質を採用する必要がある。コンタクトピ
ン3の材質として通常用いられるNi−Mn合金等は、
硬度は高いが電気抵抗が大きいために、通電時に伝送信
号が劣化してノイズを生じやすく、好ましくない。その
ため、図9に示すように、コンタクトピン3はNi−M
n合金を用いて内部層4を形成し、その表面をAuを用
いて被覆して被覆層5が形成されている。そして、テス
ト時にコンタクトピン3を端子2に接触させると、端子
2とコンタクトピン3間では導電率の良い被覆層5を通
して、信号の伝送がなされることになる。By the way, for example, as shown in FIG. 9, as the terminal 2 of the semiconductor IC chip 1, gold Au or solder Pb is used.
Some include metals such as -Sn. On the other hand, the contact pin 3 of the contact probe 30 is
It is necessary to prevent the deterioration of the high frequency signal at the time of energizing for the test,
It is necessary to use a material with good conductivity. Ni-Mn alloy or the like which is usually used as the material of the contact pin 3 is
The hardness is high, but the electrical resistance is large, so that the transmission signal is easily deteriorated when energized to cause noise, which is not preferable. Therefore, as shown in FIG. 9, the contact pin 3 is made of Ni-M.
The inner layer 4 is formed using an n-alloy, and the surface thereof is coated with Au to form the coating layer 5. Then, when the contact pin 3 is brought into contact with the terminal 2 during the test, a signal is transmitted between the terminal 2 and the contact pin 3 through the coating layer 5 having good conductivity.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
コンタクトピン3を用いて、半導体ICチップ1等の電
気的テストが繰り返して行われると、コンタクトピン3
の先端に端子2のAuが付着して(これを付着部6とい
う)徐々に成長するという現象が起こる。そのため、隣
接する複数のコンタクトピン3,3で、各コンタクトピ
ン3の先端に付着して成長した付着部6,6が、図10
に示すように、互いに接触してショートするという問題
を引き起こす。また、端子2の金属として、金以外にハ
ンダ等の柔らかい金属を用いた場合にも同様な問題を引
き起こすことになる。By the way, when the electrical test of the semiconductor IC chip 1 and the like is repeatedly performed using the contact pin 3 as described above, the contact pin 3
A phenomenon occurs in which Au of the terminal 2 is attached to the tip of the (2) (this is referred to as the attachment portion 6) and gradually grows. Therefore, in the plurality of adjacent contact pins 3 and 3, the attached portions 6 and 6 attached and grown to the tip of each contact pin 3 are
As shown in, the problem of contacting each other and causing a short circuit occurs. Further, when a soft metal such as solder other than gold is used as the metal of the terminal 2, the same problem will occur.
【0006】本発明は、このような実情に鑑みて、コン
タクトピンの通電用接触部に端子の金属が付着したりせ
ずに、劣化を防いで信号の伝送を行えるようにしたコン
タクトプローブを提供することを目的とする。In view of the above situation, the present invention provides a contact probe capable of preventing deterioration and transmitting a signal without the metal of the terminal adhering to the energizing contact portion of the contact pin. The purpose is to do.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上述の課題に鑑みて、本
発明者らが鋭意研究した結果、Au等のように非常に柔
らかく、塑性変形しやすく、かつ化学的に非常に安定で
あるために表面皮膜が形成されにくいという性質を持っ
た金属は、同一の金属間で相互接触すると、低接触力で
もAu等の金属の表面に塑性変形によって新しい面が現
れ、この新しい面で接触が行われるために粘着現象が発
生することを見いだした。そのため、Au−Au等、同
一の導電性の良い金属同士等の接触面では、通電状態だ
けでなく、通電しない場合でも一方に他方の金属が付着
し易いという現象が見られる。本発明はこのような知見
に基づくものである。In view of the above-mentioned problems, as a result of intensive studies by the present inventors, it was found that it is very soft like Au and the like, easily plastically deformed, and very stable chemically. When a metal having the property that a surface film is difficult to form on the surface of the same metal, when a mutual contact occurs between the same metals, a new surface appears on the surface of the metal such as Au due to plastic deformation even with a low contact force, and the contact occurs at this new surface. It was found that a sticking phenomenon occurs because of being exposed. Therefore, on the contact surface of the same metal having good conductivity such as Au-Au, not only in the energized state, but also when not energized, the other metal tends to adhere to one side. The present invention is based on such knowledge.
【0008】本発明に係るコンタクトプローブは、複数
のパターン配線がフィルム上に形成され、これらのパタ
ーン配線の各先端が前記フィルムから突出してコンタク
トピンとされるコンタクトプローブにおいて、前記コン
タクトピンの針先は、Ni基合金からなる内部層が、通
電用接触部を除いてAu、Ag又はCuで被覆されてい
ることを特徴とするものである。半導体ICチップなど
の被検査物の端子にコンタクトピンの通電用接触部を接
触させると、通電用接触部はNi基合金が露出している
ために異種金属の接触となり、しかもNi基合金は硬度
が高いために端子の金属が付着するのを防止できる。し
かもコンタクトピンは、通電用接触部以外の部分がAu
等の導電性金属で被覆されているから導電性が良く、し
かも表皮効果を利用できるために信号が劣化することな
く伝送され、高周波対応も可能である。尚、ここで導電
性金属とは、導電性の良い、柔らかく、塑性変形しやす
い性質を持った金属をいい、例えばAu、Ag、Cu等
が含まれる。The contact probe according to the present invention is a contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film, and each tip of these pattern wirings protrudes from the film to form a contact pin. The needle tip of the pin is characterized in that the inner layer made of a Ni-based alloy is covered with Au, Ag or Cu except for the contact portion for energization. When the current-carrying contact part of the contact pin is brought into contact with the terminal of the object to be inspected such as a semiconductor IC chip, the current-carrying contact part comes into contact with a dissimilar metal because the Ni-base alloy is exposed, and the Ni-base alloy has a hardness. Since the height is high, it is possible to prevent the metal of the terminal from adhering. Moreover, the contact pin is made of Au except for the contact portion for energization.
Since it is coated with a conductive metal such as, the conductivity is good, and since the skin effect can be used, signals can be transmitted without deterioration and high frequency compatibility is possible. Here, the conductive metal means a metal having good conductivity, softness, and easy plastic deformation, and includes, for example, Au, Ag, Cu and the like.
【0009】また本発明に係るコンタクトプローブは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成され、これらの
パターン配線の各先端が前記フィルムから突出してコン
タクトピンとされるコンタクトプローブにおいて、前記
コンタクトピンの針先は、Ni基合金からなる内部層が
白金族の金属で被覆され、前記白金族の金属の表面は、
通電用接触部を除いてAu、Ag又はCuで被覆されて
いることを特徴とする。通電用接触部でNi基合金が露
出しないから、この部分の酸化による接触不良が起こら
ず、しかも白金族の金属は端子と異種金属で硬度が高い
ので粘着現象を生じない。また、硬度の高い白金族の金
属からなる通電用接触部で端子と接触することで、通電
用接触部に粘着現象が生じず、コンタクトピンの内部で
は、表皮効果でAu等の導電性金属の被覆層を信号が伝
送されることになる。The contact probe according to the present invention is
In a contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of these pattern wirings project from the film to form contact pins, the needle tip of the contact pin is made of a Ni-based alloy. The inner layer is coated with a platinum group metal, and the surface of the platinum group metal is
It is characterized in that it is covered with Au, Ag or Cu except for the contact portion for energization. Since the Ni-based alloy is not exposed at the current-carrying contact portion, contact failure due to oxidation of this portion does not occur, and since the platinum group metal and the terminals are dissimilar metals and have high hardness, no adhesion phenomenon occurs. In addition, by contacting the terminal with the current-carrying contact portion made of a metal of the platinum group having high hardness, the adhesion phenomenon does not occur at the current-carrying contact portion, and inside the contact pin, a conductive metal such as Au is formed due to the skin effect. A signal will be transmitted through the coating layer.
【0010】また本発明に係るコンタクトプローブは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成され、これらの
パターン配線の各先端が前記フィルムから突出してコン
タクトピンとされるコンタクトプローブにおいて、前記
コンタクトピンの針先は、Ni基合金からなる内部層の
うち、通電用接触部が白金族の金属で被覆され、その他
の部分はAu、Ag又はCuで被覆されていることを特
徴とする。硬度の高い白金族の金属からなる通電用接触
部で端子と接触することで、通電用接触部に粘着現象が
生じず、コンタクトピンの内部では、表皮効果でAu等
の導電性金属の被覆層を信号が伝送されることになる。The contact probe according to the present invention is
In a contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of these pattern wirings project from the film to form contact pins, the needle tip of the contact pin is made of a Ni-based alloy. The inner layer is characterized in that the energizing contact portion is coated with a platinum group metal and the other portions are coated with Au, Ag or Cu. By contacting the terminal with the current-carrying contact portion made of a platinum group metal having high hardness, no adhesion phenomenon occurs in the current-carrying contact portion, and inside the contact pin, a coating layer of a conductive metal such as Au due to a skin effect is formed. The signal will be transmitted.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面により説明するが、上述の従来技術と同一の部分に
は同一の符号を用いてその説明を省略する。図1は第一
の実施の形態によるコンタクトピンの針先の縦断面とI
Cチップとを示す概略説明図である。図1において、半
導体ICチップ1の端子2は少なくとも表面がAuで構
成されている。また、図1で端子2は、1つを除いて省
略されている。図1に示す実施の形態によるコンタクト
ピンが装着されるコンタクトプローブはコンタクトピン
の部分を除いて上述の従来技術で開示したコンタクトプ
ローブ30と同一構成である。図1に示すコンタクトピ
ン10において、内部層11は、高い硬度と塑性変形し
にくい特性を要求されるために、Ni基合金が用いられ
る。Ni基合金として、実施の形態では例えばMnを
0.05〜1.5wt%含有したNi−Mn合金が用いら
れる。ここで、Mn量が0.05wt%未満では、Hv3
50以上の硬度が得られず高温加熱によって硬度が極端
に低下するおそれがある。また、1.5wt%を超えると
先端部の応力が増大してしまい湾曲するおそれがあると
ともに非常に脆く靱性が低下してしまうことになる。
尚、Ni基合金として、Ni−Co合金などを用いても
よい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a vertical cross section of a needle tip of a contact pin according to the first embodiment and I.
It is a schematic explanatory drawing which shows C chip. In FIG. 1, at least the surface of the terminal 2 of the semiconductor IC chip 1 is made of Au. Further, in FIG. 1, the terminals 2 are omitted except for one. The contact probe to which the contact pin according to the embodiment shown in FIG. 1 is attached has the same configuration as the contact probe 30 disclosed in the above-mentioned related art except for the contact pin portion. In the contact pin 10 shown in FIG. 1, a Ni-based alloy is used for the inner layer 11 because it is required to have high hardness and plastic deformation-resistant characteristics. In the embodiment, for example, a Ni-Mn alloy containing 0.05 to 1.5 wt% of Mn is used as the Ni-based alloy. Here, when the amount of Mn is less than 0.05 wt%, Hv3
A hardness of 50 or more cannot be obtained, and there is a possibility that the hardness will be extremely lowered by heating at high temperature. On the other hand, if it exceeds 1.5 wt%, the stress at the tip end may be increased and the tip may be bent, and it is very brittle and the toughness is deteriorated.
A Ni-Co alloy or the like may be used as the Ni-based alloy.
【0012】そして、コンタクトピン10の針先におい
て、内部層11の先端部は外部に露出している(端子2
との)通電用接触部であり、これをコンタクトピン10
の先端部10aとする。そして、先端部10aを除いた
内部層11の表面は、導電性の高いAuで被覆されて第
一被覆層12とされる。ここで、内部層11の先端部1
0a以外の部分をAuで被覆したのは、Ni−Mn合金
は電気抵抗が大きいために信号の伝送線路としては損失
が大きく、信号が劣化してノイズが発生するためであ
る。他方、高周波信号は一般にコンタクトピン10の表
面を流れる特性を有する(表皮効果という)ために、コ
ンタクトピン10の表面を導電性の良いAuで被覆する
ことで、信号の劣化を防止できるためである。At the needle tip of the contact pin 10, the tip of the inner layer 11 is exposed to the outside (terminal 2).
Contacting part for energization, and this is the contact pin 10
And the tip portion 10a of the. Then, the surface of the inner layer 11 excluding the tip portion 10a is coated with Au having high conductivity to form the first coating layer 12. Here, the tip portion 1 of the inner layer 11
The reason why the portions other than 0a are coated with Au is that the Ni-Mn alloy has a large electric resistance, so that a loss is large as a signal transmission line, and the signal deteriorates to generate noise. On the other hand, since a high frequency signal generally has a characteristic of flowing on the surface of the contact pin 10 (called a skin effect), it is possible to prevent signal deterioration by coating the surface of the contact pin 10 with Au having good conductivity. .
【0013】次に上述した実施の形態によるコンタクト
ピン10の製造方法について説明する。コンタクトピン
10を製造する工程は、例えば特公平7−82027号
公報に開示されたものと同様である。即ち、ステンレス
製の支持基板の上にCuめっきによりベースメタル層を
形成する。このベースメタル層の上にフォトレジスト層
を形成した後、フォトレジスト層に所定のパターンのマ
スクを施して露光し、フォトレジスト層を現像してコン
タクトピンとなる部分を除去して、残存するフォトレジ
スト層に開口部を形成する。そして、この開口部にコン
タクトピン10となるNi基合金層として、Ni−Mn
合金をめっき処理により形成する。ここで、コンタクト
ピン10の先端部10aのみNi−Mn合金の内部層1
1を露出してAuの第一被覆層12で被覆する方法とし
て、製作されたコンタクトピン10の内部層11の先端
部10aを予めマスキングしてAuめっきする手法を用
いる。或いは、コンタクトピン10の内部層11全体を
Auめっきで被覆しておいて、先端部10aのみAuを
剥離させる手法を用いてもよく、いずれを用いても良
い。Next, a method of manufacturing the contact pin 10 according to the above-described embodiment will be described. The process of manufacturing the contact pin 10 is the same as that disclosed in Japanese Patent Publication No. 7-82027, for example. That is, the base metal layer is formed by Cu plating on the stainless steel support substrate. After forming a photoresist layer on the base metal layer, the photoresist layer is exposed by exposing it to a mask with a predetermined pattern, and the photoresist layer is developed to remove the contact pin portion, and the remaining photoresist An opening is formed in the layer. Then, Ni-Mn is formed in this opening as a Ni-based alloy layer to be the contact pin 10.
The alloy is formed by plating. Here, only the tip portion 10a of the contact pin 10 has the inner layer 1 of Ni-Mn alloy.
As a method for exposing 1 to expose it with the first coating layer 12 of Au, a method of masking the tip portion 10a of the inner layer 11 of the manufactured contact pin 10 in advance and performing Au plating is used. Alternatively, a method may be used in which the entire inner layer 11 of the contact pin 10 is covered with Au plating and only the tip 10a is stripped of Au, or any method may be used.
【0014】上述のように本実施の形態によれば、コン
タクトピン10を備えたコンタクトプローブを上述の図
7及び8に示すプローブカード36等に装着して、コン
タクトピン10の針先を半導体ICチップ1の端子2に
接触させた場合、端子2の材質がAuであるのに対し
て、これに押圧されて接触するコンタクトピン10の先
端部10aが、硬度の高い異種金属であるNi−Mn合
金からなるために、先端部10aに端子2のAuが付着
することがなく、粘着現象を生じることはない。しか
も、端子2から先端部10aに伝送された高周波信号
は、コンタクトピン10の表面であるAuで構成される
第一被覆層12を流れるために、信号の劣化によるノイ
ズの発生を最小限に抑えることができる。As described above, according to the present embodiment, the contact probe having the contact pin 10 is mounted on the probe card 36 shown in FIGS. 7 and 8 and the needle tip of the contact pin 10 is a semiconductor IC. When the terminal 2 of the chip 1 is brought into contact with the terminal 2, the material of the terminal 2 is Au, whereas the tip 10a of the contact pin 10 which is pressed and brought into contact with the terminal 2 is made of Ni-Mn which is a dissimilar metal having high hardness. Since it is made of an alloy, Au of the terminal 2 does not adhere to the tip portion 10a, and an adhesion phenomenon does not occur. Moreover, since the high-frequency signal transmitted from the terminal 2 to the tip portion 10a flows through the first coating layer 12 made of Au, which is the surface of the contact pin 10, the generation of noise due to signal deterioration is minimized. be able to.
【0015】尚、上述の第一の実施の形態によれば上述
の作用効果を奏するが、コンタクトピン10の先端部1
0aにNi−Mn合金の内部層11が露出していること
で、Ni−Mn合金が酸化し、そのために結果的に接触
時の電気抵抗が増大し、接触不良が発生することがあ
る。次に説明する本発明の第二の実施は、このような問
題を改善したものであり、これを図2により説明する。
図2に示すコンタクトピン14は、Ni−Mn合金から
なる内部層11を、先端部14aを含めて全体に白金族
元素の金属、例えば白金Ptで被覆して第二被覆層15
が形成されている。ここで、白金Ptは、導電性はAu
より劣るが、硬度が高く酸化しにくいので、端子2のA
uが付着する粘着現象を確実に防ぐことができる。尚、
第二被覆層15に用いる白金族元素の金属として、白金
Pt以外に、Ru、Ph、Pd、Os、Ir等を採用す
ることができる。According to the above-described first embodiment, the above-mentioned effects can be obtained, but the tip portion 1 of the contact pin 10 can be obtained.
Since the inner layer 11 of the Ni—Mn alloy is exposed at 0a, the Ni—Mn alloy is oxidized, and as a result, the electrical resistance at the time of contact increases, which may cause poor contact. The second embodiment of the present invention described below is an improvement over such a problem, which will be described with reference to FIG.
The contact pin 14 shown in FIG. 2 covers the entire inner layer 11 made of a Ni—Mn alloy including the tip portion 14a with a metal of the platinum group element, for example, platinum Pt, and the second coating layer 15 is formed.
Are formed. Here, platinum Pt has a conductivity of Au.
Although it is inferior, the hardness of the terminal 2 is high and it is difficult to oxidize.
It is possible to reliably prevent the adhesion phenomenon in which u adheres. still,
As the metal of the platinum group element used for the second coating layer 15, other than platinum Pt, Ru, Ph, Pd, Os, Ir or the like can be adopted.
【0016】次に第二の実施の形態の変形例を図3によ
り説明する。図3において、コンタクトピン16は、N
i−Mn合金からなる内部層11を、先端部16aを含
めて全体に白金族の金属、例えば白金Ptで被覆して第
二被覆層15が形成されている点で、第二の実施の形態
によるコンタクトピン14と等しい。本変形例では、更
に第二被覆層15の表面に、端子2との通電用接触部で
ある先端部16aを除いた部分に導電性金属としてAu
が被覆されて第三被覆層18が形成されている。この構
成によれば、第二の実施の形態の効果に加えて、第二被
覆層15の導電性がAuより劣っていても、端子2から
先端部16aに伝送された信号は表皮効果によって導電
性のよいAuからなる第三被覆層18を伝送されるか
ら、信号の劣化によるノイズの発生を確実に防止できる
という作用効果を奏する。Next, a modification of the second embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the contact pin 16 is N
The second embodiment in that the second coating layer 15 is formed by coating the entire inner layer 11 made of an i-Mn alloy including the tip portion 16a with a platinum group metal, for example, platinum Pt. Is the same as the contact pin 14 according to. In this modification, the surface of the second coating layer 15 is further provided with Au as a conductive metal in a portion excluding the tip end portion 16a which is a contact portion for energization with the terminal 2.
To form a third coating layer 18. According to this configuration, in addition to the effect of the second embodiment, even if the conductivity of the second coating layer 15 is inferior to Au, the signal transmitted from the terminal 2 to the tip portion 16a is conductive by the skin effect. Since the third coating layer 18 made of Au having good properties is transmitted, it is possible to reliably prevent the generation of noise due to signal deterioration.
【0017】次に本発明の第三の実施の形態を図4によ
り説明する。図4において、コンタクトピン20は、N
i−Mn合金からなる内部層11が、先端部11aを除
いてAuからなる第四被覆層22で被覆されている。し
かもコンタクトピン20の先端部20aでは、内部層1
1の先端11aが白金族の金属、例えば白金Ptで被覆
されて第五被覆層24が形成されている。本実施の形態
によれば、コンタクトピン20の先端部20aが白金P
tの第五被覆層24で被覆されているから、端子2のA
uが粘着現象でコンタクトピン20の先端部20aに付
着することはなく、しかも先端部20aを除いては内部
層11の表面がAuの第四被覆層22で覆われているか
ら、信号の劣化を確実に防止できる。Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the contact pin 20 is N
The inner layer 11 made of an i-Mn alloy is covered with a fourth coating layer 22 made of Au except for the tip 11a. Moreover, at the tip portion 20a of the contact pin 20, the inner layer 1
The first coating layer 24 is formed by coating the tip 11a of the first electrode 11a with a metal of the platinum group, for example, platinum Pt. According to the present embodiment, the tip portion 20a of the contact pin 20 has the platinum P
Since it is covered with the fifth covering layer 24 of t,
Since u does not adhere to the tip portion 20a of the contact pin 20 due to an adhesive phenomenon, and the surface of the inner layer 11 is covered with the Au fourth coating layer 22 except for the tip portion 20a, deterioration of the signal occurs. Can be reliably prevented.
【0018】尚、Ni−Mn合金からなる内部層11を
被覆する第一被覆層12,第三被覆層18,第四被覆層
22を、Auに代えてAg、Cu等のいずれかの材質で
構成しても良い。また、端子2の材質についても、Au
に代えてはんだ(Pb−Sn)を用いてもよいThe first coating layer 12, the third coating layer 18, and the fourth coating layer 22 for coating the inner layer 11 made of a Ni--Mn alloy are made of any material such as Ag or Cu instead of Au. It may be configured. Also, regarding the material of the terminal 2,
Alternatively, solder (Pb-Sn) may be used.
【0019】[0019]
【発明の効果】上述のように、本発明に係るコンタクト
プローブでは、コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層が通電用接触部を除いて導電性金属で被覆
されているから、半導体ICチップなどの被検査物の金
やはんだ等の端子にコンタクトピンの通電用接触部を接
触させると、通電用接触部では異種金属の接触となり、
しかもNi基合金は硬度が高いために端子の金属が付着
する粘着現象を防止できる。しかもコンタクトピンは、
通電用接触部以外の部分がAu等の導電性金属で被覆さ
れているから導電性が良く、しかも表皮効果を利用でき
るために信号が劣化することなく伝送され、高周波対応
も可能である。As described above, in the contact probe according to the present invention, the tip of the contact pin has the inner layer made of the Ni-based alloy, which is covered with the conductive metal except for the contact portion for conducting current. When the energizing contact portion of the contact pin is brought into contact with a terminal such as a semiconductor IC chip or the like which is to be inspected, such as gold or solder, dissimilar metal contacts at the energizing contact portion,
Moreover, since the Ni-based alloy has high hardness, it is possible to prevent the sticking phenomenon that the metal of the terminal adheres. Moreover, the contact pins are
Since the portion other than the energizing contact portion is coated with a conductive metal such as Au, the conductivity is good, and since the skin effect can be used, the signal is transmitted without being deteriorated and high-frequency compatibility is also possible.
【0020】また本発明に係るコンタクトプローブで
は、コンタクトピンの針先は、Ni基合金からなる内部
層が白金族元素の金属で被覆されているから、通電用接
触部の酸化による接触不良が起こらず、しかも白金族の
金属は金やはんだ等の端子と異種金属で硬度が高いので
粘着現象が生じない。また、白金族の金属の表面は、通
電用接触部を除いて導電性金属で被覆されているので、
通電用接触部に粘着現象が生じない上に、表皮効果によ
って信号が劣化することなく伝送されるという効果を奏
する。Further, in the contact probe according to the present invention, since the needle pin of the contact pin has the inner layer made of the Ni-based alloy coated with the metal of the platinum group element, the contact failure due to the oxidation of the current-carrying contact portion occurs. In addition, since the platinum group metal is a different metal from the terminal such as gold or solder and has a high hardness, the adhesion phenomenon does not occur. Further, since the surface of the metal of the platinum group it is coated with a conductive metal, except the conduction contact portions,
In addition to the adhesion phenomenon not occurring in the energizing contact portion, the signal can be transmitted without deterioration due to the skin effect.
【0021】また本発明に係るコンタクトプローブで
は、コンタクトピンの針先が、Ni基合金からなる内部
層のうち、通電用接触部が白金族元素の金属で被覆さ
れ、その他の部分はAu等の導電性金属で被覆されてい
るから、通電用接触部に粘着現象が生じず、表皮効果に
よって信号が劣化することなく伝送される。Further, in the contact probe according to the present invention, in the tip of the contact pin, the current contact portion of the inner layer made of the Ni-based alloy is coated with the metal of the platinum group element, and the other portions are made of Au or the like. Since it is covered with a conductive metal, no sticking phenomenon occurs in the energizing contact portion, and the signal is transmitted without deterioration due to the skin effect.
【図1】 本発明の第一の実施の形態によるコンタクト
プローブのコンタクトピンの針先部分の縦断面と半導体
ICチップを示す概略説明図である。FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a vertical cross section of a needle tip portion of a contact pin of a contact probe according to a first embodiment of the present invention and a semiconductor IC chip.
【図2】 本発明の第二の実施の形態によるコンタクト
ピンの針先部分の縦断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view of a needle tip portion of a contact pin according to a second embodiment of the present invention.
【図3】 第二の実施の形態の変形例を示すコンタクト
ピンの針先部分の縦断面図である。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view of a needle tip portion of a contact pin showing a modified example of the second embodiment.
【図4】 本発明の第三の実施の形態によるコンタクト
ピンの針先部分の縦断面図である。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of a needle tip portion of a contact pin according to a third embodiment of the present invention.
【図5】 従来のコンタクトプローブの概略平面図であ
る。FIG. 5 is a schematic plan view of a conventional contact probe.
【図6】 図5に示すコンタクトプローブのコンタクト
ピンの部分の一部縦断面図である。6 is a partial vertical cross-sectional view of a contact pin portion of the contact probe shown in FIG.
【図7】 図5及び図6に示すコンタクトプローブを装
着したプローブカードの分解斜視図である。7 is an exploded perspective view of a probe card equipped with the contact probe shown in FIGS. 5 and 6. FIG.
【図8】 図7に示すプローブカードのコンタクトプロ
ーブを装着した状態を示す縦断面図である。8 is a vertical cross-sectional view showing a state in which a contact probe of the probe card shown in FIG. 7 is mounted.
【図9】 従来のコンタクトピンの縦断面と半導体IC
チップを示す概略説明図である。FIG. 9 is a vertical cross section of a conventional contact pin and a semiconductor IC.
It is a schematic explanatory drawing which shows a chip.
【図10】 隣接するコンタクトピンの針先間の金付着
状態を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a gold adhesion state between needle tips of adjacent contact pins.
2 端子 10,14,16,20 コンタクトピン 10a,16a,20a 先端部 11 内部層 12 第一被覆層 15 第二被覆層 18 第三被覆層 22 第四被覆層 24 第五被覆層 30 コンタクトプローブ 2 terminals 10, 14, 16, 20 Contact pins 10a, 16a, 20a Tip 11 inner layer 12 First coating layer 15 Second coating layer 18 Third coating layer 22 Fourth coating layer 24 Fifth coating layer 30 contact probe
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三菱マテリアル株式会社 三田工場内 (56)参考文献 特開 平7−326231(JP,A) 特開 平6−324081(JP,A) 登録実用新案3039278(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01R 1/06 - 1/073 G01R 31/26 H01L 21/66 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshinobu Ishii Technopark 12 No. 6 in Mita City, Hyogo Prefecture Mitsubishi Materials Corporation Mita Factory (56) Reference JP-A-7-326231 (JP, A) Special Features Kaihei 6-324081 (JP, A) Registered utility model 3039278 (JP, U) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) G01R 1/06-1/073 G01R 31/26 H01L 21 / 66
Claims (3)
され、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムか
ら突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
において、前記コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層が、通電用接触部を除いてAu、Ag又は
Cuで被覆されていることを特徴とするコンタクトプロ
ーブ。1. A plurality of pattern wirings are formed on a film, and each tip of these pattern wirings is the film.
In the contact probe protruding from the above to form a contact pin, the needle tip of the contact pin is characterized in that an inner layer made of a Ni-based alloy is coated with Au, Ag or Cu except for the contact portion for energization. Contact probe.
され、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムか
ら突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
において、前記コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層が白金族の金属で被覆され、 前記白金族の金属の表面は、通電用接触部を除いてA
u、Ag又はCuで被覆されていることを特徴とするコ
ンタクトプローブ。2. A plurality of pattern wirings are formed on a film, and each tip of these pattern wirings is the film.
In the contact probe protruding from the contact pin, the tip of the contact pin has an inner layer made of a Ni-based alloy coated with a platinum group metal, and the platinum group metal surface has a surface other than a contact portion for conduction. A
A contact probe coated with u, Ag or Cu.
され、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムか
ら突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
において、前記コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層のうち、通電用接触部が白金族の金属で被
覆され、その他の部分はAu、Ag又はCuで被覆され
ていることを特徴とするコンタクトプローブ。3. A plurality of pattern wirings are formed on a film, and each tip of these pattern wirings is the film.
In the contact probe projecting from the contact pin, the tip of the contact pin has an inner layer made of a Ni-based alloy, the current-carrying contact part is covered with a platinum group metal, and the other part is Au, Ag, or A contact probe coated with Cu.
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