JPH11160355A - Contact probe - Google Patents

Contact probe

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JPH11160355A
JPH11160355A JP32924597A JP32924597A JPH11160355A JP H11160355 A JPH11160355 A JP H11160355A JP 32924597 A JP32924597 A JP 32924597A JP 32924597 A JP32924597 A JP 32924597A JP H11160355 A JPH11160355 A JP H11160355A
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直樹 加藤
Isato Sasaki
勇人 佐々木
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
Toshinori Ishii
利昇 石井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a terminal metal from adhering, prevent deterioration, and transmit a signal, by covering an inner layer consisting of Ni group alloy at the needle tip of a contact pin with a conductive metal excluding a contact part for conduction. SOLUTION: When a contact probe with a contact pin 10 is placed on a probe card or the like and the needle tip of the pin 10 is brought into contact with a terminal 2 of a semiconductor IC chip 1, Au at the terminal 2 cannot adhere to a tip part 10a and hence adhesion phenomenon cannot be generated since the tip part 10a of the pin 10 that is brought into contact by the terminal 2 being made of Au is made of Ni-Mn alloy that is a different kind of metal with high hardness. However, a high-frequency signal being transmitted from the terminal 2 to the tip part 10a flows through a covering layer 12 that is constituted by Au that is the surface of the pin 10, thus minimizing the generation of noise due to the deterioration of signals. However, since the skin effect can be utilized, signals can be transmitted without any deterioration to cope with high-frequency signals.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブカード等
に組み込まれて、半導体ICチップや液晶デバイス等の
各端子に接触して電気的なテストを行うコンタクトプロ
ーブに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact probe which is incorporated in a probe card or the like and performs an electrical test by contacting each terminal of a semiconductor IC chip or a liquid crystal device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ、またはLCD(液晶表示体)の各端子に
接触させて電気的なテストを行うために、コンタクトピ
ンが備えられたコンタクトプローブが用いられる。例え
ば、図5及び図6に示すコンタクトプローブ30では、
Cu等の金属層からなるグラウンド31上にポリイミド
樹脂等からなるフィルム層32が積層され、このフィル
ム層32上に接着剤からなる接着剤層33を介してNi
基合金等からなるパターン配線34が配列固定されてい
る。このパターン配線34の先端部は狭ピッチで配列さ
れてフィルム層32の先端部から突出しており、それぞ
れコンタクトピン3を構成する。このコンタクトピン3
の針先に半導体ICチップや液晶デバイス等の端子が接
触させられることになる。
2. Description of the Related Art In general, a contact probe provided with contact pins is used to make an electrical test by contacting a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or each terminal of an LCD (liquid crystal display). Can be For example, in the contact probe 30 shown in FIGS. 5 and 6,
A film layer 32 made of a polyimide resin or the like is laminated on a ground 31 made of a metal layer of Cu or the like, and Ni is formed on the film layer 32 via an adhesive layer 33 made of an adhesive.
Pattern wirings 34 made of a base alloy or the like are fixedly arranged. The distal ends of the pattern wirings 34 are arranged at a narrow pitch and protrude from the distal end of the film layer 32, and constitute the contact pins 3 respectively. This contact pin 3
A terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device, or the like is brought into contact with the needle tip.

【0003】このようなコンタクトプローブ30は図7
及び図8に示すようにメカニカルピースに組み込まれて
プローブカード(プローブ装置)36とされ、コンタク
トピン3に半導体ICチップ等の端子が接触させられる
ことになる。即ち、図7及び図8に示すプローブカード
36において、中央窓部37aを有するプリント基板3
7の上に、例えばトップクランプ38を取り付ける。ま
たトップクランプ38の下部にベースクランプ39をボ
ルト40等で固定し、コンタクトプローブ30の先端側
部分を両面テープ等でベースクランプ39の下面に取り
付ける。そして略額縁形状のボトムクランプ41でコン
タクトプローブ30の基部を押さえつけることにより、
コンタクトプローブ30の先端側部分を傾斜状態に保持
し、基部はボトムクランプ41の押さえゴム42でプリ
ント基板37の下面に押しつけられる。これによって、
コンタクトプローブ30のパターン配線34の後端部が
窓部44を通してプリント基板37の下面の端子に押し
つけられて接触状態に保持されることになる。このよう
な状態で、半導体ICチップ1等の被検査物の端子2が
コンタクトピン3に接触させられて電気的なテストが行
われることになる。
[0003] Such a contact probe 30 is shown in FIG.
As shown in FIG. 8, a probe card (probe device) 36 is incorporated in the mechanical piece, and a terminal such as a semiconductor IC chip is brought into contact with the contact pin 3. That is, in the probe card 36 shown in FIGS. 7 and 8, the printed circuit board 3 having the central window 37a is provided.
For example, a top clamp 38 is attached on the top 7. Further, a base clamp 39 is fixed to a lower portion of the top clamp 38 with a bolt 40 or the like, and a tip side portion of the contact probe 30 is attached to a lower surface of the base clamp 39 with a double-sided tape or the like. By pressing the base of the contact probe 30 with the bottom clamp 41 having a substantially frame shape,
The distal end portion of the contact probe 30 is held in an inclined state, and the base is pressed against the lower surface of the printed circuit board 37 by the pressing rubber 42 of the bottom clamp 41. by this,
The rear end of the pattern wiring 34 of the contact probe 30 is pressed against the terminal on the lower surface of the printed circuit board 37 through the window 44 to be kept in a contact state. In such a state, the terminal 2 of the object to be inspected such as the semiconductor IC chip 1 is brought into contact with the contact pins 3 to perform an electrical test.

【0004】ところで、例えば、図9に示すように、半
導体ICチップ1の端子2として、金AuやハンダPb
−Sn等の金属が用いられているものがある。これに対
して、コンタクトプローブ30のコンタクトピン3は、
テスト用通電時の高周波信号の劣化を防ぐ必要があり、
導電率の良い材質を採用する必要がある。コンタクトピ
ン3の材質として通常用いられるNi−Mn合金等は、
硬度は高いが電気抵抗が大きいために、通電時に伝送信
号が劣化してノイズを生じやすく、好ましくない。その
ため、図9に示すように、コンタクトピン3はNi−M
n合金を用いて内部層4を形成し、その表面をAuを用
いて被覆して被覆層5が形成されている。そして、テス
ト時にコンタクトピン3を端子2に接触させると、端子
2とコンタクトピン3間では導電率の良い被覆層5を通
して、信号の伝送がなされることになる。
By the way, for example, as shown in FIG. 9, gold Au or solder Pb is used as the terminal 2 of the semiconductor IC chip 1.
In some cases, a metal such as -Sn is used. On the other hand, the contact pin 3 of the contact probe 30
It is necessary to prevent the deterioration of the high-frequency signal when conducting the test,
It is necessary to adopt a material having good conductivity. Ni-Mn alloys and the like usually used as the material of the contact pins 3 are as follows:
Although the hardness is high, the electrical resistance is large, so that the transmission signal is degraded at the time of energization and noise is easily generated, which is not preferable. Therefore, as shown in FIG.
An inner layer 4 is formed using an n-alloy, and the surface thereof is coated using Au to form a coating layer 5. When the contact pins 3 are brought into contact with the terminals 2 at the time of the test, a signal is transmitted between the terminals 2 and the contact pins 3 through the coating layer 5 having good conductivity.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
コンタクトピン3を用いて、半導体ICチップ1等の電
気的テストが繰り返して行われると、コンタクトピン3
の先端に端子2のAuが付着して(これを付着部6とい
う)徐々に成長するという現象が起こる。そのため、隣
接する複数のコンタクトピン3,3で、各コンタクトピ
ン3の先端に付着して成長した付着部6,6が、図10
に示すように、互いに接触してショートするという問題
を引き起こす。また、端子2の金属として、金以外にハ
ンダ等の柔らかい金属を用いた場合にも同様な問題を引
き起こすことになる。
When an electrical test of the semiconductor IC chip 1 and the like is repeatedly performed using such a contact pin 3, the contact pin 3
A phenomenon occurs in which Au of the terminal 2 adheres to the tip of the substrate (this is referred to as an adhered portion 6) and grows gradually. For this reason, the adhering portions 6, 6 that have adhered to the tips of the respective contact pins 3 and grown by the plurality of adjacent contact pins 3, 3 are shown in FIG.
As shown in FIG. A similar problem occurs when a soft metal such as solder is used in addition to gold as the metal of the terminal 2.

【0006】本発明は、このような実情に鑑みて、コン
タクトピンの通電用接触部に端子の金属が付着したりせ
ずに、劣化を防いで信号の伝送を行えるようにしたコン
タクトプローブを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a contact probe capable of preventing deterioration and transmitting a signal without attaching metal of a terminal to a current-carrying contact portion of a contact pin. The purpose is to do.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述の課題に鑑みて、本
発明者らが鋭意研究した結果、Au等のように非常に柔
らかく、塑性変形しやすく、かつ化学的に非常に安定で
あるために表面皮膜が形成されにくいという性質を持っ
た金属は、同一の金属間で相互接触すると、低接触力で
もAu等の金属の表面に塑性変形によって新しい面が現
れ、この新しい面で接触が行われるために粘着現象が発
生することを見いだした。そのため、Au−Au等、同
一の導電性の良い金属同士等の接触面では、通電状態だ
けでなく、通電しない場合でも一方に他方の金属が付着
し易いという現象が見られる。本発明はこのような知見
に基づくものである。
Means for Solving the Problems In view of the above problems, the inventors of the present invention have made intensive studies and found that they are very soft, easily deformed plastically and very chemically stable, such as Au. Metals that have the property that a surface film is unlikely to be formed on the surface of a metal such as Au, even if they have a low contact force, form a new surface due to plastic deformation when they come into contact with each other, and contact occurs on this new surface. It was found that the sticking phenomenon occurred due to being touched. Therefore, on a contact surface between metals having the same conductivity, such as Au-Au, not only the energized state but also the phenomenon that the other metal easily adheres to one even without energization is observed. The present invention is based on such findings.

【0008】本発明に係るコンタクトプローブは、複数
のパターン配線がフィルム上に形成され、これらのパタ
ーン配線の各先端がフィルムから突出してコンタクトピ
ンとされるコンタクトプローブにおいて、コンタクトピ
ンの針先は、Ni基合金からなる内部層が、通電用接触
部を除いて導電性金属で被覆されていることを特徴とす
るものである。半導体ICチップなどの被検査物の端子
にコンタクトピンの通電用接触部を接触させると、通電
用接触部はNi基合金が露出しているために異種金属の
接触となり、しかもNi基合金は硬度が高いために端子
の金属が付着するのを防止できる。しかもコンタクトピ
ンは、通電用接触部以外の部分がAu等の導電性金属で
被覆されているから導電性が良く、しかも表皮効果を利
用できるために信号が劣化することなく伝送され、高周
波対応も可能である。尚、ここで導電性金属とは、導電
性の良い、柔らかく、塑性変形しやすい性質を持った金
属をいい、例えばAu、Ag、Cu等が含まれる。
In the contact probe according to the present invention, a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings project from the film to form contact pins. An inner layer made of a base alloy is covered with a conductive metal except for a current-carrying contact portion. When the energizing contact portion of the contact pin is brought into contact with a terminal of a device under test such as a semiconductor IC chip, the energizing contact portion comes into contact with a dissimilar metal because the Ni-based alloy is exposed, and the Ni-based alloy is hard. , The metal of the terminal can be prevented from adhering. In addition, since the contact pins are covered with a conductive metal such as Au on the portions other than the current-carrying contact portions, the conductivity is good, and since the skin effect can be used, the signal is transmitted without deterioration of the signal, and it is compatible with high frequencies. It is possible. Here, the conductive metal refers to a metal having good conductivity, being soft and easily deformable by plastic, and includes, for example, Au, Ag, and Cu.

【0009】また本発明に係るコンタクトプローブは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成され、これらの
パターン配線の各先端がフィルムから突出してコンタク
トピンとされるコンタクトプローブにおいて、コンタク
トピンの針先は、Ni基合金からなる内部層が白金族の
金属で被覆されていることを特徴とする。通電用接触部
でNi基合金が露出しないから、この部分の酸化による
接触不良が起こらず、しかも白金族の金属は端子と異種
金属で硬度が高いので粘着現象を生じない。また、白金
族の金属の表面は、通電用接触部を除いて導電性金属で
被覆されていてもよい。硬度の高い白金族の金属からな
る通電用接触部で端子と接触することで、通電用接触部
に粘着現象が生じず、コンタクトピンの内部では、表皮
効果でAu等の導電性金属の被覆層を信号が伝送される
ことになる。
Further, the contact probe according to the present invention comprises:
In a contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings protrude from the film and become contact pins, the tips of the contact pins have an internal layer made of a Ni-based alloy having a platinum group metal. Characterized by being coated with Since the Ni-based alloy is not exposed at the current-carrying contact portion, contact failure due to oxidation of this portion does not occur. In addition, since the platinum group metal has a high hardness between the terminal and the dissimilar metal, there is no sticking phenomenon. In addition, the surface of the platinum group metal may be coated with a conductive metal except for the current-carrying contact portion. By contacting the terminal with the current-carrying contact portion made of a platinum group metal having high hardness, no sticking phenomenon occurs at the current-carrying contact portion, and the inside of the contact pin is covered with a conductive metal such as Au by a skin effect. Is transmitted.

【0010】また本発明に係るコンタクトプローブは、
複数のパターン配線がフィルム上に形成され、これらの
パターン配線の各先端がフィルムから突出してコンタク
トピンとされるコンタクトプローブにおいて、コンタク
トピンの針先は、Ni基合金からなる内部層のうち、通
電用接触部が白金族の金属で被覆され、その他の部分は
Au等の導電性金属で被覆されていることを特徴とす
る。硬度の高い白金族の金属からなる通電用接触部で端
子と接触することで、通電用接触部に粘着現象が生じ
ず、コンタクトピンの内部では、表皮効果でAu等の導
電性金属の被覆層を信号が伝送されることになる。
[0010] The contact probe according to the present invention comprises:
In a contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of these pattern wirings protrude from the film and serve as contact pins, the tips of the contact pins are formed of an Ni-based alloy inner layer. The contact portion is coated with a platinum group metal, and the other portion is coated with a conductive metal such as Au. By contacting the terminal with the current-carrying contact portion made of a platinum group metal having high hardness, no sticking phenomenon occurs at the current-carrying contact portion, and the inside of the contact pin is covered with a conductive metal such as Au by a skin effect. Is transmitted.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面により説明するが、上述の従来技術と同一の部分に
は同一の符号を用いてその説明を省略する。図1は第一
の実施の形態によるコンタクトピンの針先の縦断面とI
Cチップとを示す概略説明図である。図1において、半
導体ICチップ1の端子2は少なくとも表面がAuで構
成されている。また、図1で端子2は、1つを除いて省
略されている。図1に示す実施の形態によるコンタクト
ピンが装着されるコンタクトプローブはコンタクトピン
の部分を除いて上述の従来技術で開示したコンタクトプ
ローブ30と同一構成である。図1に示すコンタクトピ
ン10において、内部層11は、高い硬度と塑性変形し
にくい特性を要求されるために、Ni基合金が用いられ
る。Ni基合金として、実施の形態では例えばMnを
0.05〜1.5wt%含有したNi−Mn合金が用いら
れる。ここで、Mn量が0.05wt%未満では、Hv3
50以上の硬度が得られず高温加熱によって硬度が極端
に低下するおそれがある。また、1.5wt%を超えると
先端部の応力が増大してしまい湾曲するおそれがあると
ともに非常に脆く靱性が低下してしまうことになる。
尚、Ni基合金として、Ni−Co合金などを用いても
よい。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of a needle tip of a contact pin according to a first embodiment and I
It is a schematic explanatory view showing a C chip. In FIG. 1, at least the surface of a terminal 2 of a semiconductor IC chip 1 is made of Au. In FIG. 1, the terminals 2 are omitted except for one. The contact probe to which the contact pin according to the embodiment shown in FIG. 1 is attached has the same configuration as the contact probe 30 disclosed in the above-described prior art except for the contact pin portion. In the contact pin 10 shown in FIG. 1, the inner layer 11 is made of a Ni-based alloy because it is required to have high hardness and characteristics that are not easily plastically deformed. In the embodiment, for example, a Ni-Mn alloy containing 0.05 to 1.5 wt% of Mn is used as the Ni-based alloy. Here, if the Mn content is less than 0.05 wt%, Hv3
A hardness of 50 or more cannot be obtained, and the hardness may be extremely reduced by high-temperature heating. On the other hand, if the content exceeds 1.5 wt%, the stress at the tip portion increases, and there is a possibility that the tip portion may be curved, and it is very brittle and the toughness is reduced.
Note that a Ni-Co alloy or the like may be used as the Ni-based alloy.

【0012】そして、コンタクトピン10の針先におい
て、内部層11の先端部は外部に露出している(端子2
との)通電用接触部であり、これをコンタクトピン10
の先端部10aとする。そして、先端部10aを除いた
内部層11の表面は、導電性の高いAuで被覆されて第
一被覆層12とされる。ここで、内部層11の先端部1
0a以外の部分をAuで被覆したのは、Ni−Mn合金
は電気抵抗が大きいために信号の伝送線路としては損失
が大きく、信号が劣化してノイズが発生するためであ
る。他方、高周波信号は一般にコンタクトピン10の表
面を流れる特性を有する(表皮効果という)ために、コ
ンタクトピン10の表面を導電性の良いAuで被覆する
ことで、信号の劣化を防止できるためである。
At the tip of the contact pin 10, the tip of the inner layer 11 is exposed to the outside (terminal 2).
And a contact portion for energization, which is
At the tip 10a. Then, the surface of the inner layer 11 excluding the tip 10a is coated with highly conductive Au to form the first coating layer 12. Here, the tip 1 of the inner layer 11
The portion other than 0a was covered with Au because the Ni-Mn alloy has a large electric resistance and thus has a large loss as a signal transmission line, and the signal is deteriorated to generate noise. On the other hand, since a high-frequency signal generally has a characteristic of flowing on the surface of the contact pin 10 (referred to as a skin effect), deterioration of the signal can be prevented by coating the surface of the contact pin 10 with Au having good conductivity. .

【0013】次に上述した実施の形態によるコンタクト
ピン10の製造方法について説明する。コンタクトピン
10を製造する工程は、例えば特公平7−82027号
公報に開示されたものと同様である。即ち、ステンレス
製の支持基板の上にCuめっきによりベースメタル層を
形成する。このベースメタル層の上にフォトレジスト層
を形成した後、フォトレジスト層に所定のパターンのマ
スクを施して露光し、フォトレジスト層を現像してコン
タクトピンとなる部分を除去して、残存するフォトレジ
スト層に開口部を形成する。そして、この開口部にコン
タクトピン10となるNi基合金層として、Ni−Mn
合金をめっき処理により形成する。ここで、コンタクト
ピン10の先端部10aのみNi−Mn合金の内部層1
1を露出してAuの第一被覆層12で被覆する方法とし
て、製作されたコンタクトピン10の内部層11の先端
部10aを予めマスキングしてAuめっきする手法を用
いる。或いは、コンタクトピン10の内部層11全体を
Auめっきで被覆しておいて、先端部10aのみAuを
剥離させる手法を用いてもよく、いずれを用いても良
い。
Next, a method of manufacturing the contact pin 10 according to the above-described embodiment will be described. The process of manufacturing the contact pin 10 is the same as that disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 7-82027. That is, a base metal layer is formed on a support substrate made of stainless steel by Cu plating. After a photoresist layer is formed on the base metal layer, the photoresist layer is exposed by applying a mask of a predetermined pattern, and the photoresist layer is developed to remove a portion that becomes a contact pin, and the remaining photoresist is removed. An opening is formed in the layer. Then, Ni-Mn is formed in the opening as a Ni-based alloy layer serving as the contact pin 10.
An alloy is formed by plating. Here, the inner layer 1 of the Ni—Mn alloy is formed only at the tip 10a of the contact pin 10.
As a method of exposing 1 and covering it with the first covering layer 12 of Au, a method of masking the tip portion 10a of the inner layer 11 of the manufactured contact pin 10 in advance and performing Au plating is used. Alternatively, a method in which the entire inner layer 11 of the contact pin 10 is covered with Au plating and the Au is peeled off only at the tip end portion 10a may be used, or any of them may be used.

【0014】上述のように本実施の形態によれば、コン
タクトピン10を備えたコンタクトプローブを上述の図
7及び8に示すプローブカード36等に装着して、コン
タクトピン10の針先を半導体ICチップ1の端子2に
接触させた場合、端子2の材質がAuであるのに対し
て、これに押圧されて接触するコンタクトピン10の先
端部10aが、硬度の高い異種金属であるNi−Mn合
金からなるために、先端部10aに端子2のAuが付着
することがなく、粘着現象を生じることはない。しか
も、端子2から先端部10aに伝送された高周波信号
は、コンタクトピン10の表面であるAuで構成される
第一被覆層12を流れるために、信号の劣化によるノイ
ズの発生を最小限に抑えることができる。
As described above, according to the present embodiment, the contact probe having the contact pins 10 is mounted on the probe card 36 shown in FIGS. When the terminal 2 is brought into contact with the terminal 2 of the chip 1, the material of the terminal 2 is Au, whereas the tip 10 a of the contact pin 10 that is pressed and contacted by the terminal 2 is made of Ni—Mn, a dissimilar metal having high hardness. Since it is made of an alloy, Au of the terminal 2 does not adhere to the tip portion 10a, and the sticking phenomenon does not occur. In addition, since the high-frequency signal transmitted from the terminal 2 to the distal end portion 10a flows through the first coating layer 12 made of Au on the surface of the contact pin 10, generation of noise due to signal deterioration is minimized. be able to.

【0015】尚、上述の第一の実施の形態によれば上述
の作用効果を奏するが、コンタクトピン10の先端部1
0aにNi−Mn合金の内部層11が露出していること
で、Ni−Mn合金が酸化し、そのために結果的に接触
時の電気抵抗が増大し、接触不良が発生することがあ
る。次に説明する本発明の第二の実施は、このような問
題を改善したものであり、これを図2により説明する。
図2に示すコンタクトピン14は、Ni−Mn合金から
なる内部層11を、先端部14aを含めて全体に白金族
元素の金属、例えば白金Ptで被覆して第二被覆層15
が形成されている。ここで、白金Ptは、導電性はAu
より劣るが、硬度が高く酸化しにくいので、端子2のA
uが付着する粘着現象を確実に防ぐことができる。尚、
第二被覆層15に用いる白金族元素の金属として、白金
Pt以外に、Ru、Ph、Pd、Os、Ir等を採用す
ることができる。
According to the above-described first embodiment, the above-described functions and effects can be obtained.
When the internal layer 11 of the Ni-Mn alloy is exposed at 0a, the Ni-Mn alloy is oxidized, and as a result, the electrical resistance at the time of contact increases, and a contact failure may occur. A second embodiment of the present invention to be described next improves such a problem, and will be described with reference to FIG.
The contact pin 14 shown in FIG. 2 includes an inner layer 11 made of a Ni—Mn alloy, which is entirely covered with a metal of a platinum group element, for example, platinum Pt, including a tip portion 14a.
Are formed. Here, platinum Pt has conductivity of Au.
Although it is inferior, it has a high hardness and is hardly oxidized.
It is possible to reliably prevent the adhesion phenomenon in which u adheres. still,
As the metal of the platinum group element used for the second coating layer 15, other than platinum Pt, Ru, Ph, Pd, Os, Ir, or the like can be used.

【0016】次に第二の実施の形態の変形例を図3によ
り説明する。図3において、コンタクトピン16は、N
i−Mn合金からなる内部層11を、先端部16aを含
めて全体に白金族の金属、例えば白金Ptで被覆して第
二被覆層15が形成されている点で、第二の実施の形態
によるコンタクトピン14と等しい。本変形例では、更
に第二被覆層15の表面に、端子2との通電用接触部で
ある先端部16aを除いた部分に導電性金属としてAu
が被覆されて第三被覆層18が形成されている。この構
成によれば、第二の実施の形態の効果に加えて、第二被
覆層15の導電性がAuより劣っていても、端子2から
先端部16aに伝送された信号は表皮効果によって導電
性のよいAuからなる第三被覆層18を伝送されるか
ら、信号の劣化によるノイズの発生を確実に防止できる
という作用効果を奏する。
Next, a modification of the second embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 3, the contact pin 16
The second embodiment is that the second coating layer 15 is formed by coating the inner layer 11 made of an i-Mn alloy entirely with a platinum group metal, for example, platinum Pt, including the tip portion 16a. Is equivalent to the contact pin 14 of FIG. In the present modification, Au is formed as a conductive metal on the surface of the second coating layer 15 except for a tip portion 16a which is a contact portion for conducting with the terminal 2.
To form a third coating layer 18. According to this configuration, in addition to the effect of the second embodiment, even if the conductivity of the second coating layer 15 is inferior to that of Au, the signal transmitted from the terminal 2 to the tip portion 16a is conductive due to the skin effect. Since the third covering layer 18 made of Au having good properties is transmitted, there is an effect that the generation of noise due to signal deterioration can be reliably prevented.

【0017】次に本発明の第三の実施の形態を図4によ
り説明する。図4において、コンタクトピン20は、N
i−Mn合金からなる内部層11が、先端部11aを除
いてAuからなる第四被覆層22で被覆されている。し
かもコンタクトピン20の先端部20aでは、内部層1
1の先端11aが白金族の金属、例えば白金Ptで被覆
されて第五被覆層24が形成されている。本実施の形態
によれば、コンタクトピン20の先端部20aが白金P
tの第五被覆層24で被覆されているから、端子2のA
uが粘着現象でコンタクトピン20の先端部20aに付
着することはなく、しかも先端部20aを除いては内部
層11の表面がAuの第四被覆層22で覆われているか
ら、信号の劣化を確実に防止できる。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the contact pin 20
The inner layer 11 made of an i-Mn alloy is covered with a fourth covering layer 22 made of Au except for the tip 11a. In addition, the tip 20a of the contact pin 20 has an inner layer 1
The first tip 11a is coated with a platinum group metal, for example, platinum Pt to form a fifth coating layer 24. According to the present embodiment, the tip 20a of the contact pin 20 is made of platinum P.
t of the terminal 2,
Since u does not adhere to the tip 20a of the contact pin 20 due to the adhesion phenomenon, and since the surface of the inner layer 11 is covered with the fourth covering layer 22 made of Au except for the tip 20a, the signal is deteriorated. Can be reliably prevented.

【0018】尚、Ni−Mn合金からなる内部層11を
被覆する第一被覆層12,第三被覆層18,第四被覆層
22を、Auに代えてAg、Cu等のいずれかの材質で
構成しても良い。また、端子2の材質についても、Au
に代えてはんだ(Pb−Sn)を用いてもよい
The first coating layer 12, the third coating layer 18, and the fourth coating layer 22 that cover the inner layer 11 made of a Ni—Mn alloy are made of any material such as Ag or Cu instead of Au. You may comprise. Also, regarding the material of the terminal 2, Au
May be used instead of solder (Pb-Sn)

【0019】[0019]

【発明の効果】上述のように、本発明に係るコンタクト
プローブでは、コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層が通電用接触部を除いて導電性金属で被覆
されているから、半導体ICチップなどの被検査物の金
やはんだ等の端子にコンタクトピンの通電用接触部を接
触させると、通電用接触部では異種金属の接触となり、
しかもNi基合金は硬度が高いために端子の金属が付着
する粘着現象を防止できる。しかもコンタクトピンは、
通電用接触部以外の部分がAu等の導電性金属で被覆さ
れているから導電性が良く、しかも表皮効果を利用でき
るために信号が劣化することなく伝送され、高周波対応
も可能である。
As described above, in the contact probe according to the present invention, the tip of the contact pin has the inner layer made of the Ni-based alloy covered with the conductive metal except for the current-carrying contact portion. When the energizing contact portion of the contact pin is brought into contact with a gold or solder terminal of an object to be inspected such as a semiconductor IC chip or the like, the energizing contact portion comes into contact with a dissimilar metal,
In addition, since the Ni-based alloy has high hardness, it is possible to prevent the sticking phenomenon that the metal of the terminal adheres. Moreover, the contact pins
Since the portions other than the energizing contact portion are covered with a conductive metal such as Au, the conductivity is good, and since the skin effect can be used, the signal is transmitted without deterioration, and high-frequency operation is possible.

【0020】また本発明に係るコンタクトプローブで
は、コンタクトピンの針先は、Ni基合金からなる内部
層が白金族元素の金属で被覆されているから、通電用接
触部の酸化による接触不良が起こらず、しかも白金族の
金属は金やはんだ等の端子と異種金属で硬度が高いので
粘着現象が生じない。また、白金族の金属の表面は、通
電用接触部を除いて導電性金属で被覆されていてもよ
く、通電用接触部に粘着現象が生じない上に、表皮効果
によって信号が劣化することなく伝送されるという効果
を奏する。
In the contact probe according to the present invention, since the inner layer made of the Ni-based alloy is coated with the metal of the platinum group element at the tip of the contact pin, contact failure due to oxidation of the current-carrying contact portion occurs. In addition, since the platinum group metal is a metal different from the terminal such as gold or solder and has a high hardness, the adhesion phenomenon does not occur. In addition, the surface of the platinum group metal may be coated with a conductive metal except for the energizing contact portion, so that the adhesion phenomenon does not occur in the energizing contact portion and the signal is not deteriorated by the skin effect. This has the effect of being transmitted.

【0021】また本発明に係るコンタクトプローブで
は、コンタクトピンの針先が、Ni基合金からなる内部
層のうち、通電用接触部が白金族元素の金属で被覆さ
れ、その他の部分はAu等の導電性金属で被覆されてい
るから、通電用接触部に粘着現象が生じず、表皮効果に
よって信号が劣化することなく伝送される。
In the contact probe according to the present invention, the tip of the contact pin has a current-carrying contact portion coated with a metal of a platinum group element in the inner layer made of a Ni-based alloy, and the other portions are made of Au or the like. Since it is covered with the conductive metal, no sticking phenomenon occurs in the current-carrying contact portion, and the signal is transmitted without deterioration of the signal due to the skin effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第一の実施の形態によるコンタクト
プローブのコンタクトピンの針先部分の縦断面と半導体
ICチップを示す概略説明図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a vertical cross section of a tip portion of a contact pin of a contact probe and a semiconductor IC chip according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第二の実施の形態によるコンタクト
ピンの針先部分の縦断面図である。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a needle tip portion of a contact pin according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 第二の実施の形態の変形例を示すコンタクト
ピンの針先部分の縦断面図である。
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a tip portion of a contact pin showing a modification of the second embodiment.

【図4】 本発明の第三の実施の形態によるコンタクト
ピンの針先部分の縦断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view of a needle tip portion of a contact pin according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 従来のコンタクトプローブの概略平面図であ
る。
FIG. 5 is a schematic plan view of a conventional contact probe.

【図6】 図5に示すコンタクトプローブのコンタクト
ピンの部分の一部縦断面図である。
6 is a partial vertical sectional view of a contact pin portion of the contact probe shown in FIG.

【図7】 図5及び図6に示すコンタクトプローブを装
着したプローブカードの分解斜視図である。
FIG. 7 is an exploded perspective view of a probe card to which the contact probe shown in FIGS. 5 and 6 is attached.

【図8】 図7に示すプローブカードのコンタクトプロ
ーブを装着した状態を示す縦断面図である。
8 is a longitudinal sectional view showing a state where a contact probe of the probe card shown in FIG. 7 is mounted.

【図9】 従来のコンタクトピンの縦断面と半導体IC
チップを示す概略説明図である。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view of a conventional contact pin and a semiconductor IC.
It is a schematic explanatory view showing a chip.

【図10】 隣接するコンタクトピンの針先間の金付着
状態を示す図である。
FIG. 10 is a view showing a state in which gold is stuck between needle tips of adjacent contact pins.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 端子 10,14,16,20 コンタクトピン 10a,16a,20a 先端部 11 内部層 12 第一被覆層 15 第二被覆層 18 第三被覆層 22 第四被覆層 24 第五被覆層 30 コンタクトプローブ 2 Terminal 10, 14, 16, 20 Contact pin 10a, 16a, 20a Tip 11 Internal layer 12 First coating layer 15 Second coating layer 18 Third coating layer 22 Fourth coating layer 24 Fifth coating layer 30 Contact probe

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石井 利昇 兵庫県三田市テクノパーク十二番の六 三 菱マテリアル株式会社三田工場内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Toshiho Ishii 12th-6th Technopark, Mita City, Hyogo Prefecture

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
され、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムか
ら突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
において、前記コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層が、通電用接触部を除いて導電性金属で被
覆されていることを特徴とするコンタクトプローブ。
1. A contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film and each of the pattern wirings protrudes from the film to form a contact pin, and a tip of the contact pin is made of a Ni-based alloy. A contact probe, wherein an inner layer is coated with a conductive metal except for a contact portion for conducting electricity.
【請求項2】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
され、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムか
ら突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
において、前記コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層が白金族の金属で被覆されていることを特
徴とするコンタクトプローブ。
2. A contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings protrude from the film to form contact pins, wherein the tips of the contact pins are made of a Ni-based alloy. A contact probe, wherein the inner layer is coated with a platinum group metal.
【請求項3】 前記白金族の金属の表面は、通電用接触
部を除いて導電性金属で被覆されていることを特徴とす
る請求項2記載のコンタクトプローブ。
3. The contact probe according to claim 2, wherein a surface of the platinum group metal is coated with a conductive metal except for a current-carrying contact portion.
【請求項4】 複数のパターン配線がフィルム上に形成
され、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムか
ら突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブ
において、前記コンタクトピンの針先は、Ni基合金か
らなる内部層のうち、通電用接触部が白金族の金属で被
覆され、その他の部分は導電性金属で被覆されているこ
とを特徴とするコンタクトプローブ。
4. A contact probe in which a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings protrude from the film to be contact pins, wherein the tips of the contact pins are made of a Ni-based alloy. A contact probe characterized in that, in the inner layer, a current-carrying contact portion is coated with a platinum group metal, and other portions are coated with a conductive metal.
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