JP3457986B2 - 測距装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はカメラの測距装置に関
し、より詳細にはアクティブオートフォーカス（ＡＦ）
の受光センサに、積分型ラインセンサを使用した測距装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、カメラの自動合焦装置（Ａ
Ｆ）に適用される測距装置として、受光センサに積分型
ラインセンサを使用したものが知られている。例えば、
特開昭５４−５１５２６号公報には、パッシブタイプＡ
Ｆのラインセンサの積分レベルが所望の値になった時を
検知し信号を出力することにより、積分を停止する例が
記載されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、積分タ
イプのラインセンサをアクティブＡＦに応用した場合
は、次のような課題を有していた。すなわち、アクティ
ブＡＦは、通常は赤外光を被写体に投光し、その反射光
の位置を検出することにより行われる。反射光量は被写
体までの距離Ｌに対し、Ｌ² に反比例して小さくなるの
で、光量を多くするほど遠くの被写体まで測距すること
ができる。ところが、投光用のＬＥＤ（発光ダイオー
ド）に大電流を連続して流すと、ＬＥＤが破損してしま
う。このため、大電流を流す期間を短くし、数回に分け
て投光する、いわゆるパルス投光という技術が採用され
ている。パルス投光しても、被写体が比較的遠い場合
は、反射光量が少ないので、ラインセンサ上には、図８
（ａ）に示されるような、反射光のピークを含むきれい
な反射像が結像される。

【０００４】ところが、被写体がカメラの近くになる
と、数回のパルス投光でラインセンサのセンサ出力は飽
和してしまい、図８（ｂ）に示されるように、ピーク位
置を検出しづらくなってしまう 図８（ｃ）を参照して説明すると、被写体が近い場合は
１回のパルス投光でかなりのレベルまで積分される。図
８（ｃ）では、２回でほぼ所望のレベルまで行っている
が、もう１回パルス投光した時点（３回目）で積分量は
所望のレベルを大きく超えてしまう。実際には、図８
（ｂ）のように信号のピーク部が飽和し、つぶれた波形
になってしまう。そのため、正確な距離判定ができなく
なってしまっていた。

【０００５】この発明は上記課題に鑑みてなされたもの
で、被写体が近い場合であってもセンサ出力レベルを飽
和させずに正確な距離判定を行うことのできる測距装置
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわちこの発明は、測
距対象物に向けてパルス状光束を繰返し投光する投光手
段と、上記測距対象物からの上記パルス状光束の反射光
を受光する複数の電荷蓄積型光電変換素子を含む受光手
段と、この受光手段からの出力信号に基いて上記反射光
のピーク受光位置を検出し、このピーク受光位置から上
記測距対象物までの距離を演算する距離演算手段と、を
具備する測距装置に於いて、上記電荷蓄積型光電変換素
子の積分動作中の信号レベルを検出する積分量チェック
手段と、上記繰返し投光される投光手段による次回の投
光で、上記電荷蓄積型光電変換素子の出力が飽和するか
否かを判定する判定手段と、この判定手段によって飽和
すると判定された際に投光を禁止する投光禁止手段と、
を具備することを特徴とする。更にこの発明は、上記投
光手段による最大投光回数を予め記憶しておく第１の記
憶手段と、上記投光手段による投光回数を記憶する第２
の記憶手段と、上記第１の記憶手段に記憶された上記最
大投光回数と、上記第２の記憶手段に記憶された上記投
光回数を比較する比較手段と、この比較手段による比較
の結果、上記最大投光回数と上記投光回数とが一致した
際に投光を禁止する禁止手段と、を更に具備することを
特徴とする。

【０００７】

【作用】この発明の測距装置にあっては、測距対象物に
向けて投光手段からパルス状光束が繰返し投光され、上
記測距対象物からの上記パルス状光束の反射光が、複数
の電荷蓄積型光電変換素子を含む受光手段で受光され
る。距離演算手段では、この受光手段からの出力信号に
基いて、上記反射光のピーク受光位置が検出され、この
ピーク受光位置から上記測距対象物までの距離が演算さ
れる。そして、上記電荷蓄積型光電変換素子の積分動作
中の信号レベルが積分量チェック手段で検出され、上記
繰返し投光される投光手段による次回の投光で、上記電
荷蓄積型光電変換素子の出力が飽和するか否かが判定手
段で判定される。この判定手段によって飽和すると判定
された際には、投光禁止手段によって投光が禁止され
る。更にこの発明の測距装置にあっては、上記投光手段
による最大投光回数が第１の記憶手段にを予め記憶さ
れ、上記投光手段による投光回数が第２の記憶手段に記
憶される。上記第１の記憶手段に記憶された上記最大投
光回数と、上記第２の記憶手段に記憶された上記投光回
数は、比較手段にて比較され、この比較手段による比較
の結果、上記最大投光回数と上記投光回数とが一致した
際には、禁止手段によって投光が禁止される。

【０００８】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。図１は、この発明に係る測距装置の基本構成を
示すブロック図である。図１（ａ）に於いて、投光部１
からの光を受光する受光部２の出力は、積分量チェック
部３を介して投光パルス幅決定部４に供給される。この
投光パルス幅決定部４の出力は、上記投光部１に供給さ
れる。

【０００９】このような構成に於いて、投光部１から図
示されない被写体に向けて予め定められたパルス幅で光
束が繰返し投光され、その反射光が複数の受光素子から
成るラインセンサ等の受光部２で受光される。この受光
部２の積分中の信号レベルが積分量チェック部３でチェ
ックされる。そして、上記積分量と投光回数の関係によ
り、投光部１の最終の投光パルス幅が投光パルス幅決定
部４で決定される。こうして、その反射光のピーク位置
により、被写体までの距離が測定される。

【００１０】図１（ｂ）は、この発明の測距装置の別の
基本構成を示すものである。同図に於いて、受光部２の
出力は、積分量チェック部３を介して、最大発光回数記
憶部５からの出力と共に、判定部６に供給される。この
判定部６の出力は、投光禁止部７を介して投光部１に供
給される。

【００１１】このような構成に於いて、投光部１から図
示されない被写体に向けて、予め定められたパルス幅で
光束が繰返し投光されると、その反射光が複数の受光素
子から成るラインセンサ等の受光部２で受光される。こ
の受光部２の積分中の信号レベルは、積分量チェック部
３にてチェックされる。一方、上記投光部１のパルス投
光の最大発光回数が、最大発光回数記憶部５に記憶され
る。

【００１２】そして、判定部６にて、上記積分中の積分
量が投光部１の次回のパルス投光で飽和するか、または
最大発光回数になったかどうかが判定される。この判定
結果に基いて、投光禁止部７が投光部１の投光を禁止さ
せる。これにより、被写体までの距離を正確に測定する
ことができる。

【００１３】図１（ｃ）は、この発明の測距装置の更に
別の基本構成を示すものである。同図に於いて、受光部
２の出力は、積分量チェック部３を介して、最大発光回
数記憶部５からの出力と共に、選択部８に供給される。
この選択部８の出力は、投光パルス幅決定部４及び投光
禁止部７に供給される。これら投光パルス幅決定部４及
び投光禁止部７の出力は、投光部１に供給される。

【００１４】このような構成に於いて、投光部１から図
示されない被写体に向けて、予め定められたパルス幅で
光束が繰返し投光されると、その反射光が複数の受光素
子から成るラインセンサ等の受光部２で受光される。こ
の受光部２の積分中の信号レベルは、積分量チェック部
３にてチェックされる。一方、上記投光部１のパルス投
光の最大発光回数が、最大発光回数記憶部５に記憶され
る。

【００１５】そして、上記積分中の信号レベル及び投光
部１の発光回数に基いて、選択部８により、投光パルス
幅決定部４及び投光禁止部７の何れかが選択される。す
なわち、投光部１が最大発光回数になったか、または上
記信号レベルが所望のレベルになった場合は投光禁止部
７が、所望のレベルより低いが次の投光でセンサ出力が
飽和すると予測される場合は投光パルス幅決定部４が選
択される。投光部１は、こうした選択部８の選択結果に
応じて、光束を発光若しくは禁止する。これにより、被
写体までの距離を正確に測定することができる。

【００１６】尚、図１（ａ）〜（ｃ）の積分量チェック
部３は、複数のラインセンサのうちで最大値となるもの
をチェックするものである。図２は、この発明の測距装
置の具体的な構成を示すもので、測距装置が適用された
カメラのブロック図である。

【００１７】図２に於いて、マイクロコンピュータ１０
はカメラ全体のシーケンスを制御するコントローラであ
り、測距装置のコントロール及び測距装置から得られた
データを基に被写体までの距離を演算する演算部を兼ね
ている。

【００１８】上記マイクロコンピュータ１０には、ＬＥ
Ｄドライバ１１が接続されている。発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）１２は、マイクロコンピュータ１０からの信号を
受けたＬＥＤドライバ１１により発光が制御されるもの
で、投光レンズ１３を通して被写体１４に光が投光され
る。

【００１９】尚、ＬＥＤ１２は通常赤外線を発光するタ
イプのものが使用されるが、可視光でもかまわない。ま
た、ＬＥＤでなくストロボ光（キセノン（Ｘｅ）管）等
を使用してもかまわない。ストロボを使用した場合は、
ストロボ駆動回路がＬＥＤドライバに比べて複雑になる
が、光量が多くなるので遠距離まで測距可能となる。

【００２０】投光レンズ１３を通して投光された光は被
写体１４で反射され、投光レンズ１３と基線長Ｓだけ離
間して配置された受光レンズ１５を介して、マイクロコ
ンピュータ１０に接続されたラインセンサ１６にて受光
される。ラインセンサ１６は、基線長方向に一列に並設
された複数の受光センサである。正確に距離を測距する
ためには、受光センサのピッチは細いほど良く、数μ〜
１０数μのピッチが望ましい。センサは隙間なく並んで
いることが望ましいが、隙間があっても使用可能であ
る。

【００２１】被写体までの距離Ｌは Ｌ＝ｆ・Ｓ／ｘ …（１） ｆ：受光レンズの焦点距離 Ｓ：基線長 ｘ：ラインセンサ上に受光されたスポット光の中心位置 で求められる。

【００２２】ラインセンサ１６には、定常光カット部１
６ａと量子化部１６ｂが含まれている。定常光カット部
１６ａは、ＬＥＤ１２から光を投光する前にすでにセン
サに受光されている光（背影光）をマイクロコンピュー
タ１０からの指示により記憶し、ＬＥＤ投光時はＬＥＤ
１２の反射光のみ量子化部１６ｂへ伝達する回路であ
る。尚、上記定常光カット部１６ａは、センサ１つずつ
に接続されている。

【００２３】一方、量子化部１６ｂは、上記した定常光
カットしたＬＥＤの反射光のみを記憶し、マイクロコン
ピュータ１０からの指示により、マイクロコンピュータ
１０にデータを転送する。尚、量子化部１６ｂは、Ａ／
Ｄ変換部を含んでいても良い。Ａ／Ｄ変換部がない場合
は、アナログ電圧のままマイクロコンピュータ１０に転
送する。この場合、マイクロコンピュータ１０側の入力
は、Ａ／Ｄ変換入力となる。

【００２４】更に、ラインセンサ１６からは、積分中の
センサ素子の中で一番明るい信号レベルも出力されてい
る。マイクロコンピュータ１０は、この信号をモニタし
ながら積分終了の指示を出すことができる。

【００２５】マイクロコンピュータ１０には、また、測
光部１７、フォーカスレンズのピントを合わせるための
レンズ駆動部１８、シャッタ部１９、及びフィルムを巻
上げたり、巻戻したりするフィルム給送部２０が接続さ
れている。

【００２６】尚、この図２のブロック図は、主要な構成
要素のみ示したものであり、この他に異なる構成要素が
接続されたとしても、本発明の範囲内であることは言う
までもない。

【００２７】図３は、カメラのレリーズスイッチ（Ｓ
Ｗ）（図示せず）が押された時の動作を説明するフロー
チャートである。以下、このフローチャートに従って動
作を説明する。

【００２８】先ず、ステップＳ１にて測光が行われ、次
にステップＳ２にて測距が行われる。次に、ステップＳ
３で測光値を基に、絞りシャッタ速度等が露出演算によ
り求められる。そして、ステップＳ４にて、測距値を基
に被写体までの距離が距離演算により求められる。

【００２９】次に、ステップＳ５に於いて、図示されな
いレリーズＳＷの２段目（セカンドレリーズ）がオンに
なっているか否かがチェックされる。ここで、オンの場
合は次のステップＳ７へ進む。オンになっていない場合
は、オンになるまで待機する。但し、待機中にレリーズ
ＳＷの１段目（ファーストレリーズ）がオフになった場
合（ステップＳ６で“ＮＯ”）は、レリーズ処理を終え
る。

【００３０】上記ステップＳ５に於いて、セカンドレリ
ーズスイッチがオンであれば、ステップＳ７に進んで、
フォーカスレンズをピント位置までレンズ駆動される。
次いで、ステップＳ８でシャッタ駆動が行われる。そし
て、ステップＳ９にてフィルム巻上げが行われた後、本
レリーズ処理を終える。

【００３１】次に、図４のフローチャートを参照して、
このカメラの測距動作について説明する。先ず、ステッ
プＳ１１にてカウンタＮに１を代入する。そして、ステ
ップＳ１２でＬＥＤ１２の投光前に定常光を保持する。
次いで、ステップＳ１３でＬＥＤ１２を予め決められた
所定の時間幅でパルス投光した後、ステップＳ１４にて
ラインセンサ１６から出力されている積分中の信号レベ
ルをＬに代入する。

【００３２】次に、所望のレベル（Ｌｅ）まであとどの
くらいの量があるかどうかをチェックするため、ステッ
プＳ１５にてＣにＬｅ−Ｌを代入する。ここで、Ｌｅは
所望のレベルそのものでも良いし、所望のレベルより少
し少ない値の何れであっても良い。尚、Ｌｅは、以下に
説明する最終の投光パルス幅を演算するときの誤差を含
んでも飽和しないように、余裕をもたせることが望まし
い。

【００３３】そして、ステップＳ１６に於いて、あと１
回所定パルス幅で投光した場合に、飽和するか否かをチ
ェックする。具体的にはＬ／Ｎで１回の投光で積分する
積分量がわかるので、これとＣを比較する。ここで、積
分量のチェックは、複数のラインセンサのうちで最大値
となるものをチェックする。

【００３４】Ｃ＞Ｌ／Ｎであればまだ飽和はしないの
で、ステップＳ１７に移行してカウンタＮをインクリメ
ントする。更に、ステップＳ１８に於いて、Ｎ_max （最
大発光回数）でなければ、ステップＳ１９に移行して一
定時間（タイマ）おいてから上記動作を繰返す。一方、
Ｎ_max であれば、ステップＳ２３に進んでラインセンサ
１６のデータを読込み、処理を終える。ここで、Ｎ_max
がある理由は、被写体が遠い場合は何回投光しても反射
光のレベルが非常に低いので、無駄なエネルギーを節約
するためのものである。

【００３５】上記ステップＳ１６に於いて、Ｃ≦Ｌ／Ｎ
の場合は、ステップＳ２０に進んでＣ÷ＮをＴに代入す
る。ここでＴは、所定のパルス幅に対し、どれだけ発光
すれば、ちょうど所望の値になるかの率が代入されたこ
とになる。次いで、ステップＳ２１にて一定時間おいた
後、ステップＳ２２にて所定のパルス幅にＴを掛けたパ
ルス幅で投光する。これにより、所望の積分量を得るこ
とができる。

【００３６】次に、ステップＳ２３でラインセンサ１６
からデータを読取り、処理を終える。図５は、以上の様
子の一例を示したもので、ＬＥＤ１２の投光パルスと積
分量のタイミングチャートである。この例では、２回投
光した時、すでに積分量は所望のレベル近くまで達して
しまっている。そこで、３回目の投光パルス幅が前２回
と比して短くなり、ちょうど所望のレベルに積分されて
いる。

【００３７】図６は、この発明の第２の実施例の動作を
説明するフローチャートである。上述した第１の実施例
では積分レベルを所望のレベルにするために最後のパル
ス幅を調整していたが、この第２の実施例では、最後の
パルス幅を調節せずに積分レベルを飽和させないように
するものである。尚、図６のフローチャート中、ステッ
プＳ３１〜Ｓ３９までは、図４のフローチャートのステ
ップＳ１１〜Ｓ１９と同じであるので、重ねての説明は
省略する。

【００３８】ステップＳ３６に於いて、Ｃ＞Ｌ／Ｎであ
ればまだ飽和はしないので、ステップＳ３７〜Ｓ３９の
処理に移行する。一方、Ｃ≦Ｌ／Ｎの場合は、そこで投
光をやめ（禁止し）、ステップＳ４０に進んでラインセ
ンサ１６のデータを読込んだ後、処理を終了する。

【００３９】この第２の実施例に於いて、被写体が非常
に近くなった場合は、積分量が所望のレベルよりもかな
り少なくなる場合も考えられるが、ほとんどの条件では
問題はない。

【００４０】図７は、この発明の第３の実施例の動作を
説明するフローチャートである。この第３の実施例は、
上述した第１の実施例を変形したものである。したがっ
て、図７のフローチャート中、ステップＳ４１〜Ｓ４４
は、図４のフローチャートのステップＳ１１〜Ｓ１４と
同じであるので、説明は省略する。

【００４１】ステップＳ４４で積分中の信号レベルをＬ
に代入した後、ステップＳ４５に於いて、信号レベルＬ
が所定値以下であるか否かをチェックする。ここで、信
号レベルＬが所定値以下である場合は、上述した第１の
実施例と同じである。すなわち、ステップＳ４６でカウ
ンタＮをインクリメントした後、ステップＳ４７でＮ
_max をチェックし、その結果に応じてステップＳ４８に
移行して一定時間おいてから上記動作を繰返すか、ステ
ップＳ５６に進む。

【００４２】上記ステップＳ４５に於いて、Ｌが所定値
以上になったときは、投光パルス幅の調整を行う。ここ
で所定値は、パルス幅を調整して、積分レベルを所望の
値に合わせる必要があるので、所望のレベルの半分くら
いが望ましい。

【００４３】次に、ステップＳ４９でＣにＬｅ−Ｌを代
入し、続いてステップＳ５０でＮにＣ÷Ｌ／Ｎを代入す
る。この時点でカウンタＮは、あと何回発光すれば所望
のレベルになるか、という回数になる。つまり、Ｎの小
数部分が最後のパルス幅を調整する率となる。

【００４４】ここで、図示されていないが、この時点で
ＮがＮ_max より大きいときは、Ｎの回数をＮ_max に合わ
せても良い。この場合、積分量は所望のレベルにまで達
しないので、Ｎの小数部は切り捨ててもかまわない。

【００４５】次いで、Ｎが１以下になるまで所定のパル
スの投光を繰返す（ステップＳ５１〜Ｓ５４）。そし
て、ステップＳ５５にて、最後にＮの小数部でパルス幅
を調整して、投光する。更に、ステップＳ５６で、ライ
ンセンサ１６のデータを読込んだ後、処理を終了する。

【００４６】尚、上述した第２及び第３の実施例に於い
て、積分量のチェックは、上述した第１の実施例と同様
に、複数のラインセンサ（光電変換素子）のうちで最大
値となるものをチェックするものである。

【００４７】尚、この発明の上記実施態様によれば、以
下の如き構成が得られる。 （１） 被写体に向けてパルス状光束を繰返し投光する
投光手段と、上記被写体からの上記パルス状光束の反射
光を受光する複数の光電変換素子から成るラインセンサ
と、このラインセンサからの出力信号に基いて上記反射
光のピーク受光位置を検出し、このピーク受光位置から
上記被写体までの距離を演算する距離演算手段とを具備
する測距装置に於いて、上記ラインセンサの積分動作中
の信号レベルを検出する積分量チェック手段と、この積
分量チェック手段によって検出された上記信号レベル
と、上記投光手段による投光回数に基いてパルス状光束
の投光パルス幅を決定する投光パルス幅決定手段とを具
備することを特徴とする測距装置。

【００４８】（２） 上記投光パルス幅決定手段は、最
終の投光となる際に、上記ラインセンサの信号レベルが
飽和しないように上記パルス幅を決定する上記（１）に
記載の測距装置。

【００４９】（３） 上記投光パルス幅決定手段は、上
記積分量チェック手段による上記信号レベルと投光回数
とに基いて、平均的な信号レベルの変化量を求め、この
値に基いて投光パルス幅を決定する上記（１）または
（２）に記載の測距装置。

【００５０】（４） 上記投光パルス幅決定手段は、上
記信号レベルと閾値との差が、平均的な信号レベルの変
化量より小さくなった場合に信号レベルが飽和しない程
度に投光パルス幅を変更することを特徴とする上記
（３）に記載の測距装置。

【００５１】（５） 上記投光パルス幅決定手段は、上
記信号レベルが所定値を越えた際に、閾値と信号レベル
の差と平均的な信号レベルの変化量に基いて、必要な投
光回数及びパルス幅を演算し、この演算結果に基いて上
記パルス投光を制御することを特徴とする上記（３）に
記載の測距装置。

【００５２】（６） 上記投光手段による最大投光回数
を予め記憶しておく第１の記憶手段と、上記投光手段に
よる投光回数を記憶する第２の記憶手段と、上記第１の
記憶手段に記憶された上記最大投光回数と、上記第２の
記憶手段に記憶された上記投光回数を比較する比較手段
と、この比較手段による比較の結果、上記最大投光回数
と上記投光回数とが一致した際に投光を禁止する禁止手
段とを具備することを特徴とする上記（１）乃至（５）
に記載の測距装置。

【００５３】（７） 上記積分量チェック手段は、複数
の光電変換素子のうちで最大値となるものをチェックす
ることを特徴とする上記（１）乃至（６）に記載の測距
装置。

【００５４】（８） 測距対象物に向けてパルス状光束
を繰返し投光する投光手段と、上記測距対象物からの上
記パルス状光束の反射光を受光する複数の電荷蓄積型光
電変換素子から成る受光手段と、この受光手段からの出
力信号に基いて上記反射光のピーク受光位置を検出し、
このピーク受光位置から上記測距対象物までの距離を演
算する距離演算手段とを具備する測距装置に於いて、上
記電荷蓄積型光電変換素子の積分動作中の信号レベルを
検出する積分量チェック手段と、上記繰返し投光される
投光手段による次回の投光で、上記電荷蓄積型光電変換
素子の出力が飽和するか否かを判定する判定手段と、こ
の判定手段によって飽和すると判定された際に投光を禁
止する投光禁止手段とを具備することを特徴とする測距
装置。

【００５５】（９） 上記投光パルス幅決定手段は、上
記積分量チェック手段による上記信号レベルと投光回数
とに基いて、平均的な信号レベルの変化量を求め、上記
投光禁止手段はこの値に基いて最終の投光を禁止するか
否かを判定する上記（８）に記載の測距装置。

【００５６】（１０） 上記投光手段による最大投光回
数を予め記憶しておく第１の記憶手段と、上記投光手段
による投光回数を記憶する第２の記憶手段と、上記第１
の記憶手段に記憶された上記最大投光回数と、上記第２
の記憶手段に記憶された上記投光回数を比較する比較手
段とを具備し、この比較手段による比較の結果、上記最
大投光回数と上記投光回数とが一致した際に上記投光禁
止手段によって上記投光を禁止差せることを特徴とする
上記（８）または（９）に記載の測距装置。

【００５７】（１１） 上記積分量チェック手段は、複
数の光電変換素子のうちで最大値となるものをチェック
することを特徴とする上記（８）乃至（１０）に記載の
測距装置。

【００５８】（１２） 被写体に向けて光をパルス投光
し、その反射光を複数の受光素子から成るラインセンサ
で受光し、その反射光のピーク位置により、該被写体ま
での距離を測定する装置に於いて、上記受光素子の積分
中の信号レベルをチェックする積分量チェック手段と、
上記パルス投光の最大発光回数を記憶する最大発光回数
記憶部と、最大発光回数になったか、若しくは所望のレ
ベルになった場合は投光禁止手段を、所望のレベルより
低いが次の投光でセンサ出力が飽和すると予測される場
合は投光パルス幅決定手段を選択する選択手段とを具備
することを特徴とする測距装置。

【００５９】上記（１）乃至（１２）の態様によれば、
光電変換素子の積分量が飽和することがなく、正確に反
射光の受光位置を検出でき、その結果精度良く距離検出
を行うことができる。

【００６０】上記（２）の態様によれば、所定光量で繰
返し発光を行うことができるので、演算が簡単になる効
果を有する。上記（３）乃至（５）及び（９）の態様に
よれば、１回当たりの平均的な信号レベルの変化を正確
に検出することができ、正確にパルス幅を決定すること
ができる。

【００６１】上記（６）及び（１０）の態様によれば、
測距対象物が遠方にある場合に無駄なエネルギーを消耗
することがなくなる。上記（７）及び（１１）の態様に
よれば、最大輝度の光電変換素子の出力をモニタするの
で、ピーク値が飽和することがない。上記（８）乃至
（１１）の態様によれば、特にパルス幅を変更しなくて
も、光電変換素子の出力が飽和することがない。

【００６２】

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、被写体
が近距離でもラインセンサの積分レベルを所望のレベル
にできるので、正確に、反射光のピークを読取って、正
確な距離判定を行うことのできる測距装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る測距装置の基本構成を示すブロ
ック図である。

【図２】この発明の測距装置の具体的な構成を示すもの
で、測距装置が適用されたカメラのブロック図である。

【図３】図２のカメラのレリーズスイッチが押された時
の動作を説明するフローチャートである。

【図４】この発明の第１の実施例によるカメラの測距動
作について説明するフローチャートである。

【図５】ＬＥＤの投光パルスと積分量のタイミングチャ
ートである。

【図６】この発明の第２の実施例の動作を説明するフロ
ーチャートである。

【図７】この発明の第３の実施例の動作を説明するフロ
ーチャートである。

【図８】（ａ）は反射光のピークを含むきれいな反射像
が結像された状態の波形図、（ｂ）はラインセンサのセ
ンサ出力が飽和した反射像が結像された状態の波形図、
（ｃ）は投光パルスと積分量のタイミングチャートであ
る。

【符号の説明】

１…投光部、２…受光部、３…積分量チェック部、４…
投光パルス幅決定部、５…最大発光回数記憶部、６…判
定部、７…投光禁止部、８…選択部、１０…マイクロコ
ンピュータ、１１…ＬＥＤドライバ、１２…発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）、１３…投光レンズ、１４…被写体、１
５…受光レンズ、１６…ラインセンサ、１６ａ…定常光
カット部、１６ｂ…量子化部、１７…測光部、１８…レ
ンズ駆動部、１９…シャッタ部、２０…フィルム給送
部。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01C 3/00 - 3/32 G01B 11/00 - 11/30 102 G02B 7/28 - 7/40 G03B 13/32 - 13/36

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 測距対象物に向けてパルス状光束を繰返
   し投光する投光手段と、 上記測距対象物からの上記パルス状光束の反射光を受光
   する複数の電荷蓄積型光電変換素子を含む受光手段と、 この受光手段からの出力信号に基いて上記反射光のピー
   ク受光位置を検出し、このピーク受光位置から上記測距
   対象物までの距離を演算する距離演算手段と、 を具備する測距装置に於いて、 上記電荷蓄積型光電変換素子の積分動作中の信号レベル
   を検出する積分量チェック手段と、 上記繰返し投光される投光手段による次回の投光で、上
   記電荷蓄積型光電変換素子の出力が飽和するか否かを判
   定する判定手段と、 この判定手段によって飽和すると判定された際に投光を
   禁止する投光禁止手段と、 を具備することを特徴とする測距装置。
2. 【請求項２】 上記投光手段による最大投光回数を予め
   記憶しておく第１の記憶手段と、 上記投光手段による投光回数を記憶する第２の記憶手段
   と、 上記第１の記憶手段に記憶された上記最大投光回数と、
   上記第２の記憶手段に記憶された上記投光回数を比較す
   る比較手段と、 この比較手段による比較の結果、上記最大投光回数と上
   記投光回数とが一致した際に投光を禁止する禁止手段
   と、 を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の測距
   装置。