JP3448960B2 - 発光デバイスの組立装置及びその組立方法 - Google Patents
発光デバイスの組立装置及びその組立方法Info
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- JP3448960B2 JP3448960B2 JP14506594A JP14506594A JP3448960B2 JP 3448960 B2 JP3448960 B2 JP 3448960B2 JP 14506594 A JP14506594 A JP 14506594A JP 14506594 A JP14506594 A JP 14506594A JP 3448960 B2 JP3448960 B2 JP 3448960B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学ピックアップのＬ
ＯＰ（Ｌaser Ｏn Ｐhoto Ｄiode）とＰＤ−ＩＣ（Ｐho
to Ｄetector−ＩＣ）を組み立てる組立装置に関する。
ＯＰ（Ｌaser Ｏn Ｐhoto Ｄiode）とＰＤ−ＩＣ（Ｐho
to Ｄetector−ＩＣ）を組み立てる組立装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤプレーヤやＬＤプレーヤなどの光デ
ィスク装置においては、ディスクの情報を読み取るため
に光学ピックアップが用いられる。この光学ピックアッ
プには、例えば図１０に示すようなレーザカプラ５が用
いられる。レーザカプラ５は、ＰＤ−ＩＣ（Ｐhoto Ｄe
tector−ＩＣ）５１上にＬＯＰ（Ｌaser Ｏn Ｐhoto Ｄ
iode）５２とプリズム５３が配置された発光デバイス５
４をリードフレーム５５上に取付け、その周囲に枠状の
セラミックパッケージ５６を配置し、更にセラミックパ
ッケージ５６の上側にガラス板５７を被せることによっ
て構成されている。ＰＤ−ＩＣ５１は、図１１に示すよ
うに横２ｍｍ×縦４ｍｍ程度の大きさで、図中上側には
ＬＯＰ載置部５８が設けられ、その両側にはＴＶカメラ
で位置決めする際に用いる認識パターン５９Ａ，５９Ｂ
が設けられている。このＰＤ−ＩＣ５１はＬＯＰ５２の
制御を行う。
ィスク装置においては、ディスクの情報を読み取るため
に光学ピックアップが用いられる。この光学ピックアッ
プには、例えば図１０に示すようなレーザカプラ５が用
いられる。レーザカプラ５は、ＰＤ−ＩＣ（Ｐhoto Ｄe
tector−ＩＣ）５１上にＬＯＰ（Ｌaser Ｏn Ｐhoto Ｄ
iode）５２とプリズム５３が配置された発光デバイス５
４をリードフレーム５５上に取付け、その周囲に枠状の
セラミックパッケージ５６を配置し、更にセラミックパ
ッケージ５６の上側にガラス板５７を被せることによっ
て構成されている。ＰＤ−ＩＣ５１は、図１１に示すよ
うに横２ｍｍ×縦４ｍｍ程度の大きさで、図中上側には
ＬＯＰ載置部５８が設けられ、その両側にはＴＶカメラ
で位置決めする際に用いる認識パターン５９Ａ，５９Ｂ
が設けられている。このＰＤ−ＩＣ５１はＬＯＰ５２の
制御を行う。
【０００３】ＬＯＰ５２はレーザ光の出力を検知するも
ので、図１２に示すように横０．８ｍｍ×縦１ｍｍ×高
さ０．３８ｍｍ程度のフォトダイオード６０にレーザダ
イオード６１が取り付けられている。レーザダイオード
６１の発光点６２からレーザ光が出力される。フォトダ
イオード６０にはＴＶカメラで位置認識するときに用い
られる認識パターン６３Ａ，６３Ｂが設けられている。
ので、図１２に示すように横０．８ｍｍ×縦１ｍｍ×高
さ０．３８ｍｍ程度のフォトダイオード６０にレーザダ
イオード６１が取り付けられている。レーザダイオード
６１の発光点６２からレーザ光が出力される。フォトダ
イオード６０にはＴＶカメラで位置認識するときに用い
られる認識パターン６３Ａ，６３Ｂが設けられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、発光デバイ
ス５４の組立時にＰＤ−ＩＣ５１のＬＯＰ載置部５８上
にＬＯＰ５２を接合するとき、従来はＬＯＰ５２の外形
側に基準点を設け、この基準点をＰＤ−ＩＣ５１の所定
の位置に合わせて接合していた。これによって、レーザ
ダイオード６１の発光点６２をＰＤ−ＩＣ５１の基準点
に合わせようとしたものである。
ス５４の組立時にＰＤ−ＩＣ５１のＬＯＰ載置部５８上
にＬＯＰ５２を接合するとき、従来はＬＯＰ５２の外形
側に基準点を設け、この基準点をＰＤ−ＩＣ５１の所定
の位置に合わせて接合していた。これによって、レーザ
ダイオード６１の発光点６２をＰＤ−ＩＣ５１の基準点
に合わせようとしたものである。
【０００５】しかし、ＬＯＰ５２の外形には寸法誤差が
あり、これを基準としても発光点６２の位置を正確に検
出することはできない。したがって、従来の組立方法で
はレーザダイオード６１の発光点６２とＰＤ−ＩＣ５１
の基準点との間に位置ずれを起こすことが多く、性能不
良となって製品歩留まりを下げる原因になっていた。
あり、これを基準としても発光点６２の位置を正確に検
出することはできない。したがって、従来の組立方法で
はレーザダイオード６１の発光点６２とＰＤ−ＩＣ５１
の基準点との間に位置ずれを起こすことが多く、性能不
良となって製品歩留まりを下げる原因になっていた。
【０００６】また、従来は発光デバイス５４の組立直後
にレーザダイオード６１の発光検査を行っていなかった
ので、不良品の発光デバイス５４が後工程に流れてしま
い、これを用いて無駄な組立作業を行い工数を浪費して
いた。
にレーザダイオード６１の発光検査を行っていなかった
ので、不良品の発光デバイス５４が後工程に流れてしま
い、これを用いて無駄な組立作業を行い工数を浪費して
いた。
【０００７】そこで、本発明は上述したような課題を解
決したものであって、レーザダイオードの発光点をＰＤ
−ＩＣの基準位置に正確に配置することが可能な発光デ
バイスの組立装置を提案するものである。
決したものであって、レーザダイオードの発光点をＰＤ
−ＩＣの基準位置に正確に配置することが可能な発光デ
バイスの組立装置を提案するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述した課題は、レーザ
ダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ認識パターンを有した
ＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン及び基準点を有したＰ
Ｄ−ＩＣの特定領域に取り付けて発光デバイスを組み立
る装置であって、基準位置に配置されたＬＯＰの位置を
ＬＯＰ認識パターンに基づいて検出すると共に、レーザ
ダイオードの発光状態を撮像する第１の位置検出手段
と、この第１の位置検出手段により位置検出及び撮像さ
れるＬＯＰに電源を供給してレーザダイオードを発光さ
せる電源供給手段と、この電源供給手段による電源を受
けて発光するレーザダイオードに関して、第１の位置検
出手段により撮像された当該レーザダイオードの発光状
態を画像処理して基準位置に対する当該レーザダイオー
ドの発光点の位置を検出する画像処理装置と、この基準
位置に配置されたＰＤ−ＩＣの位置をＰＤ−ＩＣ認識パ
ターンに基づいて検出する第２の位置検出手段と、この
第２の位置検出手段により位置検出されたＰＤ−ＩＣの
基準点に当該レーザダイオードの発光点を合わせるよう
に位置を補正する位置調整手段と、この位置調整手段に
より位置補正されたＰＤ−ＩＣの特定領域、又は、この
特定領域に対応するＬＯＰの所定の面に接着用のペース
トを塗布するペースト塗布手段と、このペースト塗布手
段によって塗布された接着用のペーストを介してＬＯＰ
をＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けるマウント手段とを
備えることを特徴とする発光デバイスの組立装置によっ
て解決される。本発明に係る発光デバイスの組立方法
は、レーザダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ認識パター
ンを有したＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン及び基準点
を有したＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けて組み立てる
方法であって、一方で、このＬＯＰ認識パターンに基づ
いてＬＯＰを位置合わせして基準位置に配置し、この基
準位置に配置されたＬＯＰに電源を供給してレーザダイ
オードを発光し、このレーザダイオードの発光状態を撮
像し画像処理して基準位置に対する当該レーザダイオー
ドの発光点の位置を検出し、他方で、ＰＤ−ＩＣ認識パ
ターンに基づいてＰＤ−ＩＣを位置合わせして基準位置
に配置し、この基準位置に配置されたＰＤ−ＩＣの基準
点に当該レーザダイオードの発光点を合わせるように位
置を補正し、位置補正されたＰＤ−ＩＣの特定領域にＬ
ＯＰを取り付けることを特徴とするものである。
ダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ認識パターンを有した
ＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン及び基準点を有したＰ
Ｄ−ＩＣの特定領域に取り付けて発光デバイスを組み立
る装置であって、基準位置に配置されたＬＯＰの位置を
ＬＯＰ認識パターンに基づいて検出すると共に、レーザ
ダイオードの発光状態を撮像する第１の位置検出手段
と、この第１の位置検出手段により位置検出及び撮像さ
れるＬＯＰに電源を供給してレーザダイオードを発光さ
せる電源供給手段と、この電源供給手段による電源を受
けて発光するレーザダイオードに関して、第１の位置検
出手段により撮像された当該レーザダイオードの発光状
態を画像処理して基準位置に対する当該レーザダイオー
ドの発光点の位置を検出する画像処理装置と、この基準
位置に配置されたＰＤ−ＩＣの位置をＰＤ−ＩＣ認識パ
ターンに基づいて検出する第２の位置検出手段と、この
第２の位置検出手段により位置検出されたＰＤ−ＩＣの
基準点に当該レーザダイオードの発光点を合わせるよう
に位置を補正する位置調整手段と、この位置調整手段に
より位置補正されたＰＤ−ＩＣの特定領域、又は、この
特定領域に対応するＬＯＰの所定の面に接着用のペース
トを塗布するペースト塗布手段と、このペースト塗布手
段によって塗布された接着用のペーストを介してＬＯＰ
をＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けるマウント手段とを
備えることを特徴とする発光デバイスの組立装置によっ
て解決される。本発明に係る発光デバイスの組立方法
は、レーザダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ認識パター
ンを有したＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン及び基準点
を有したＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けて組み立てる
方法であって、一方で、このＬＯＰ認識パターンに基づ
いてＬＯＰを位置合わせして基準位置に配置し、この基
準位置に配置されたＬＯＰに電源を供給してレーザダイ
オードを発光し、このレーザダイオードの発光状態を撮
像し画像処理して基準位置に対する当該レーザダイオー
ドの発光点の位置を検出し、他方で、ＰＤ−ＩＣ認識パ
ターンに基づいてＰＤ−ＩＣを位置合わせして基準位置
に配置し、この基準位置に配置されたＰＤ−ＩＣの基準
点に当該レーザダイオードの発光点を合わせるように位
置を補正し、位置補正されたＰＤ−ＩＣの特定領域にＬ
ＯＰを取り付けることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】図１に示すように、ＬＯＰステージ１１からＬ
ＯＰ５２が供給され、これが第１中間ステージ１７及び
第２中間ステージ（ステージ）２１上に移されたとき第
１カメラ１３、第２カメラ１８、第３カメラ２２、第４
カメラ（第１の位置検出手段）２６で撮像されて位置認
識される。これに基づいて、各ステージ１７，２１でＬ
ＯＰ５２が位置補正される。更に図４（Ｈ）に示すよう
にＬＯＰ５２のレーザダイオード６１にプローブコンタ
クト２４から電源が供給され、その発光状態が第４カメ
ラで撮像されて図７（Ｄ）に示すように発光点６２の位
置が求められる。また、図１に示すようにＰＤ−ＩＣス
テージ（位置調整手段）３０から供給されたＰＤ−ＩＣ
５１も第５カメラ（第２の位置検出手段）３４で撮像さ
れて位置認識及び位置補正される。
ＯＰ５２が供給され、これが第１中間ステージ１７及び
第２中間ステージ（ステージ）２１上に移されたとき第
１カメラ１３、第２カメラ１８、第３カメラ２２、第４
カメラ（第１の位置検出手段）２６で撮像されて位置認
識される。これに基づいて、各ステージ１７，２１でＬ
ＯＰ５２が位置補正される。更に図４（Ｈ）に示すよう
にＬＯＰ５２のレーザダイオード６１にプローブコンタ
クト２４から電源が供給され、その発光状態が第４カメ
ラで撮像されて図７（Ｄ）に示すように発光点６２の位
置が求められる。また、図１に示すようにＰＤ−ＩＣス
テージ（位置調整手段）３０から供給されたＰＤ−ＩＣ
５１も第５カメラ（第２の位置検出手段）３４で撮像さ
れて位置認識及び位置補正される。
【００１０】そして、図９に示すようにＰＤ−ＩＣ５１
の基準点６４が発光点６２に合うように位置調整されて
ＬＯＰ５２がＰＤ−ＩＣ５１にマウントされる。ここで
は、発光点６２を基準として組み立てられるので発光デ
バイス５４（図１０）の不良が発生しにくく、製品歩留
まりを上げることができる。
の基準点６４が発光点６２に合うように位置調整されて
ＬＯＰ５２がＰＤ−ＩＣ５１にマウントされる。ここで
は、発光点６２を基準として組み立てられるので発光デ
バイス５４（図１０）の不良が発生しにくく、製品歩留
まりを上げることができる。
【００１１】
【実施例】続いて、本発明に係る発光デバイスの組立装
置の一実施例について、図面を参照して詳細に説明す
る。
置の一実施例について、図面を参照して詳細に説明す
る。
【００１２】図１は、本発明による発光デバイスの組立
装置１の構成を示す平面図である。この組立装置１にお
いては、３次元の調整軸Ｘ，Ｙ，θ軸を有するＬＯＰス
テージ１１からＬＯＰ（Ｌaser Ｏn Ｐhoto Ｄiode）５
２が供給され、レンズ倍率が例えば５倍程度の第１カメ
ラ１３でこのＬＯＰ５２が撮像される。そして第１カメ
ラ１３の撮像信号が画像処理装置１４で解析されて、Ｌ
ＯＰステージ１１上にある複数のＬＯＰ５２のうち任意
のＬＯＰ５２が位置認識される。
装置１の構成を示す平面図である。この組立装置１にお
いては、３次元の調整軸Ｘ，Ｙ，θ軸を有するＬＯＰス
テージ１１からＬＯＰ（Ｌaser Ｏn Ｐhoto Ｄiode）５
２が供給され、レンズ倍率が例えば５倍程度の第１カメ
ラ１３でこのＬＯＰ５２が撮像される。そして第１カメ
ラ１３の撮像信号が画像処理装置１４で解析されて、Ｌ
ＯＰステージ１１上にある複数のＬＯＰ５２のうち任意
のＬＯＰ５２が位置認識される。
【００１３】次に、図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、
移載ヘッド１５に移動自在に取り付けられた第１コレッ
ト１６でＬＯＰステージ１１上のＬＯＰ５２がピックア
ップされ、３次元の調整軸Ｘ，Ｙ，θ軸を有する第１中
間ステージ１７に搬送される。
移載ヘッド１５に移動自在に取り付けられた第１コレッ
ト１６でＬＯＰステージ１１上のＬＯＰ５２がピックア
ップされ、３次元の調整軸Ｘ，Ｙ，θ軸を有する第１中
間ステージ１７に搬送される。
【００１４】次に、図３（Ｄ）に示すように、第１中間
ステージ１７上のＬＯＰ５２は、レンズ倍率が５倍程度
の第２カメラ１８で撮像されてその信号が画像処理装置
１４で解析される。これによってＬＯＰ５２の位置が認
識され、その結果に基づいて第１中間ステージ１７が動
作してＬＯＰ５２が所定の位置に配置される。この補正
動作は、ＬＯＰステージ１１上のＬＯＰ５２が例えば粘
着シート（図示せず）などに粘着されており、これをピ
ックアップして直接第２中間ステージ２０に搬送しても
粘着シートから剥すときの力でＬＯＰ５２の位置ずれが
起こり、第３カメラ２１の視野内に入らなくなるので、
この位置ずれを修正するために行われる。このようして
位置補正されたＬＯＰ５２が同図（Ｅ）に示すように移
載ヘッド１５の第２コレット１９でピックアップされ、
同図（Ｆ）に示すようにレーザスケール２０上の第２中
間ステージ２１に搬送される。このときには、第１コレ
ット１６でＬＯＰステージ１１上のＬＯＰ５２が第１中
間ステージ１７に搬送される。
ステージ１７上のＬＯＰ５２は、レンズ倍率が５倍程度
の第２カメラ１８で撮像されてその信号が画像処理装置
１４で解析される。これによってＬＯＰ５２の位置が認
識され、その結果に基づいて第１中間ステージ１７が動
作してＬＯＰ５２が所定の位置に配置される。この補正
動作は、ＬＯＰステージ１１上のＬＯＰ５２が例えば粘
着シート（図示せず）などに粘着されており、これをピ
ックアップして直接第２中間ステージ２０に搬送しても
粘着シートから剥すときの力でＬＯＰ５２の位置ずれが
起こり、第３カメラ２１の視野内に入らなくなるので、
この位置ずれを修正するために行われる。このようして
位置補正されたＬＯＰ５２が同図（Ｅ）に示すように移
載ヘッド１５の第２コレット１９でピックアップされ、
同図（Ｆ）に示すようにレーザスケール２０上の第２中
間ステージ２１に搬送される。このときには、第１コレ
ット１６でＬＯＰステージ１１上のＬＯＰ５２が第１中
間ステージ１７に搬送される。
【００１５】第２中間ステージ２１に搬送されたＬＯＰ
５２は第３カメラ２２で撮像され、その信号が画像処理
装置１４で解析されて位置認識される。この結果に基づ
いて第２中間ステージ２１のＸ，Ｙ，θ軸が動作し、Ｌ
ＯＰ５２が基準位置に移動される。このとき、図４
（Ｇ）に示すようにレーザ変位計（傾き検出手段）３５
によって回転位置θが検出される。この後、第２中間ス
テージ２１がプローブコンタクト２４のところまで移動
し、同図（Ｈ）に示すようにＬＯＰ５２の電極パッドに
プローブ２５がコンタクトされて電圧が印加される。こ
れによって、レーザダイオード６１の発光点６２が発光
し、これがレンズ倍率が２０倍程度の第４カメラ２６で
撮像される。この撮像信号が画像処理装置１４で解析さ
れて、発光点６２の位置が正確に検出される。
５２は第３カメラ２２で撮像され、その信号が画像処理
装置１４で解析されて位置認識される。この結果に基づ
いて第２中間ステージ２１のＸ，Ｙ，θ軸が動作し、Ｌ
ＯＰ５２が基準位置に移動される。このとき、図４
（Ｇ）に示すようにレーザ変位計（傾き検出手段）３５
によって回転位置θが検出される。この後、第２中間ス
テージ２１がプローブコンタクト２４のところまで移動
し、同図（Ｈ）に示すようにＬＯＰ５２の電極パッドに
プローブ２５がコンタクトされて電圧が印加される。こ
れによって、レーザダイオード６１の発光点６２が発光
し、これがレンズ倍率が２０倍程度の第４カメラ２６で
撮像される。この撮像信号が画像処理装置１４で解析さ
れて、発光点６２の位置が正確に検出される。
【００１６】次に、第２中間ステージ２１が図１中右側
の所定の位置に移動し、図４（Ｉ）に示すようにマウン
トステージ２７の第３コレット（マウント手段）２８に
よってＬＯＰ５２がピックアップされ、図５（Ｊ）に示
すようにレーザスケール２９上の左側の所定の位置まで
搬送される。一方、レーザスケール２９の右側には、図
１に示すようにＰＤ−ＩＣステージ３０が移動自在に配
置されており、ここからＬＯＰ５２を制御するＰＤ−Ｉ
Ｃ（Ｐhoto Ｄetector−ＩＣ）５１が供給される。この
ＰＤ−ＩＣ５１のＬＯＰ載置部（特定領域）５８の所定
の位置にはマウントステージ２７のスタンプヘッド（ペ
ースト塗布手段）３１によって、Ａｇペーストディスク
３２内のＡｇペーストが塗布されている。このときのペ
ースト塗布量は第６カメラ３３で検出される。
の所定の位置に移動し、図４（Ｉ）に示すようにマウン
トステージ２７の第３コレット（マウント手段）２８に
よってＬＯＰ５２がピックアップされ、図５（Ｊ）に示
すようにレーザスケール２９上の左側の所定の位置まで
搬送される。一方、レーザスケール２９の右側には、図
１に示すようにＰＤ−ＩＣステージ３０が移動自在に配
置されており、ここからＬＯＰ５２を制御するＰＤ−Ｉ
Ｃ（Ｐhoto Ｄetector−ＩＣ）５１が供給される。この
ＰＤ−ＩＣ５１のＬＯＰ載置部（特定領域）５８の所定
の位置にはマウントステージ２７のスタンプヘッド（ペ
ースト塗布手段）３１によって、Ａｇペーストディスク
３２内のＡｇペーストが塗布されている。このときのペ
ースト塗布量は第６カメラ３３で検出される。
【００１７】Ａｇペーストが塗布されたＰＤ−ＩＣ５１
は、ＰＤ−ＩＣステージ３０の左側への移動によって第
５カメラ３４の下まで搬送される。そして、第５カメラ
３４でＰＤ−ＩＣ５１の位置認識が行われ、ＰＤ−ＩＣ
ステージ３０で位置補正が行われる。この後、第３コレ
ット２８及びスタンプヘッド３２が右側に移動し、図５
（Ｋ），（Ｌ）に示すように第３コレット２８でピック
アップされたＬＯＰ５２が発光点６２をＰＤ−ＩＣ５１
の基準点に合わせてマウントされる。このときのマウン
ト状態は第５カメラ３４によって撮像され、画像処理装
置１４でマウント精度が判断される。
は、ＰＤ−ＩＣステージ３０の左側への移動によって第
５カメラ３４の下まで搬送される。そして、第５カメラ
３４でＰＤ−ＩＣ５１の位置認識が行われ、ＰＤ−ＩＣ
ステージ３０で位置補正が行われる。この後、第３コレ
ット２８及びスタンプヘッド３２が右側に移動し、図５
（Ｋ），（Ｌ）に示すように第３コレット２８でピック
アップされたＬＯＰ５２が発光点６２をＰＤ−ＩＣ５１
の基準点に合わせてマウントされる。このときのマウン
ト状態は第５カメラ３４によって撮像され、画像処理装
置１４でマウント精度が判断される。
【００１８】さて、図６〜図９は、第１カメラ１３〜第
５カメラ３４及び画像処理装置１４による位置認識と各
ステージ１７，２１，３０による位置補正の手順を示
す。まず、図６（Ａ）に示すように第１カメラ１３でＬ
ＯＰ５２の認識パターン（ＬＯＰ認識パターン）６３
Ａ，６３Ｂを撮像してＬＯＰ５２の傾きθを検出し、こ
れが水平になるようにＬＯＰ５２の位置を補正する。次
に、同図（Ｂ）に示すように、レーザ変位計３５でレー
ザダイオード６１のヘキカイ面をスキャニングして、レ
ーザダイオード６１の傾きθ１を検出し、これが水平に
なるようにＬＯＰ５２の位置を補正する。
５カメラ３４及び画像処理装置１４による位置認識と各
ステージ１７，２１，３０による位置補正の手順を示
す。まず、図６（Ａ）に示すように第１カメラ１３でＬ
ＯＰ５２の認識パターン（ＬＯＰ認識パターン）６３
Ａ，６３Ｂを撮像してＬＯＰ５２の傾きθを検出し、こ
れが水平になるようにＬＯＰ５２の位置を補正する。次
に、同図（Ｂ）に示すように、レーザ変位計３５でレー
ザダイオード６１のヘキカイ面をスキャニングして、レ
ーザダイオード６１の傾きθ１を検出し、これが水平に
なるようにＬＯＰ５２の位置を補正する。
【００１９】続いて、図７（Ｃ）に示すように第４カメ
ラ２６でＬＯＰ５２の片側の認識パターン６３Ａとレー
ザダイオード６１の端面を撮像して、認識パターン６３
Ａの中心と発光点６２のＹ方向の間隔ΔＹを求める。次
に、同図（Ｄ）に示すように、レーザダイオード６１が
発光した状態を第４カメラ２６で撮像し、レーザ発光領
域の発光強度分布を求める。そして、強度分布の半値幅
Ｌの中心を発光点６２とし、認識パターン６３Ａと発光
点６２のＸ方向の距離ΔＸを求める。
ラ２６でＬＯＰ５２の片側の認識パターン６３Ａとレー
ザダイオード６１の端面を撮像して、認識パターン６３
Ａの中心と発光点６２のＹ方向の間隔ΔＹを求める。次
に、同図（Ｄ）に示すように、レーザダイオード６１が
発光した状態を第４カメラ２６で撮像し、レーザ発光領
域の発光強度分布を求める。そして、強度分布の半値幅
Ｌの中心を発光点６２とし、認識パターン６３Ａと発光
点６２のＸ方向の距離ΔＸを求める。
【００２０】次に、図８（Ｅ）に示すように第５カメラ
３４でＰＤ−ＩＣ５１の認識パターン（ＰＤ−ＩＣ認識
パターン）５９Ａ，５９Ｂを撮像して、ＰＤ−ＩＣ５１
の傾きθを検出し、これが水平になるようにＰＤ−ＩＣ
５１の位置を補正する。そして、ＬＯＰ載置部５８の中
心と認識パターン５９Ａとの距離ΔＸｍ，ΔＹｍを求め
る。続いて、同図（Ｆ）に示すように、ＰＤ−ＩＣ５１
の上に搬送されてきたＬＯＰ５２のレーザダイオード６
１と片側の認識パターン６３Ａを第５カメラ３４で撮像
し、ＬＯＰ５２の傾きθを求め、これとレーザ変位計３
５で補正した傾きθ１とのずれ量分だけＰＤ−ＩＣ５１
の方を位置調整することによって吸収する。ここで、Ｐ
Ｄ−ＩＣ５１を位置調整した後のＬＯＰ載置部５８の基
準点６４と認識パターン５９Ａの中心との距離をΔＸ
ｍ′，ΔＹｍ′とする。次に、図９に示すように、ＰＤ
−ＩＣ５１の基準点６４がレーザ発光点６２と合うよう
にＰＤ−ＩＣ５１を位置補正し、そのままＬＯＰ５２を
ＰＤ−ＩＣ５１上にマウントする。その後、第５カメラ
３４でマウント状態を撮像し、これを基準画像と比較す
ることによってマウント精度が検出される。
３４でＰＤ−ＩＣ５１の認識パターン（ＰＤ−ＩＣ認識
パターン）５９Ａ，５９Ｂを撮像して、ＰＤ−ＩＣ５１
の傾きθを検出し、これが水平になるようにＰＤ−ＩＣ
５１の位置を補正する。そして、ＬＯＰ載置部５８の中
心と認識パターン５９Ａとの距離ΔＸｍ，ΔＹｍを求め
る。続いて、同図（Ｆ）に示すように、ＰＤ−ＩＣ５１
の上に搬送されてきたＬＯＰ５２のレーザダイオード６
１と片側の認識パターン６３Ａを第５カメラ３４で撮像
し、ＬＯＰ５２の傾きθを求め、これとレーザ変位計３
５で補正した傾きθ１とのずれ量分だけＰＤ−ＩＣ５１
の方を位置調整することによって吸収する。ここで、Ｐ
Ｄ−ＩＣ５１を位置調整した後のＬＯＰ載置部５８の基
準点６４と認識パターン５９Ａの中心との距離をΔＸ
ｍ′，ΔＹｍ′とする。次に、図９に示すように、ＰＤ
−ＩＣ５１の基準点６４がレーザ発光点６２と合うよう
にＰＤ−ＩＣ５１を位置補正し、そのままＬＯＰ５２を
ＰＤ−ＩＣ５１上にマウントする。その後、第５カメラ
３４でマウント状態を撮像し、これを基準画像と比較す
ることによってマウント精度が検出される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る発光
デバイスの組立装置によれば、発光デバイスを組み立て
る場合に位置調整手段を備え、この位置調整手段は、基
準位置に配置されたＰＤ−ＩＣの基準点にレーザダイオ
ードの発光点を合わせるように位置を補正するようにな
される。この構成によって、レーザダイオードの発光点
を基準として、ＬＯＰと位置補正されたＰＤ−ＩＣとを
組み立てることができる。
デバイスの組立装置によれば、発光デバイスを組み立て
る場合に位置調整手段を備え、この位置調整手段は、基
準位置に配置されたＰＤ−ＩＣの基準点にレーザダイオ
ードの発光点を合わせるように位置を補正するようにな
される。この構成によって、レーザダイオードの発光点
を基準として、ＬＯＰと位置補正されたＰＤ−ＩＣとを
組み立てることができる。
【００２２】従って、発光デバイスの性能不良を防止し
て製造時の歩留まりを上げることが可能になる。また、
組立前にＬＯＰのレーザダイオードを発光させるので、
不良品のＬＯＰを後工程に流すようなことを防止でき
る。これにより、無駄な組立工数を費やすのを防止でき
るなどの効果がある。本発明に係る発光デバイスの組立
方法によれば、レーザダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ
認識パターンを有したＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン
及び基準点を有したＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けて
組み立てる際に、一方で、このＬＯＰ認識パターンに基
づいてＬＯＰを位置合わせして基準位置に配置し、この
基準位置に配置されたＬＯＰに電源を供給してレーザダ
イオードを発光し、このレーザダイオードの発光状態を
撮像し画像処理して基準位置に対する当該レーザダイオ
ードの発光点の位置を検出し、他方で、ＰＤ−ＩＣ認識
パターンに基づいてＰＤ−ＩＣを位置合わせして基準位
置に配置し、この基準位置に配置されたＰＤ−ＩＣの基
準点に当該レーザダイオードの発光点を合わせるように
位置を補正し、位置補正されたＰＤ−ＩＣの特定領域に
ＬＯＰを取り付けるようになされる。この構成によっ
て、レーザダイオードの発光点とＰＤ−ＩＣとの位置ず
れを防止できる。従って、レーザダイオードとＰＤ−Ｉ
Ｃの取付精度を向上できるので、発光デバイスを歩留ま
り良く製造できる。
て製造時の歩留まりを上げることが可能になる。また、
組立前にＬＯＰのレーザダイオードを発光させるので、
不良品のＬＯＰを後工程に流すようなことを防止でき
る。これにより、無駄な組立工数を費やすのを防止でき
るなどの効果がある。本発明に係る発光デバイスの組立
方法によれば、レーザダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ
認識パターンを有したＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン
及び基準点を有したＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けて
組み立てる際に、一方で、このＬＯＰ認識パターンに基
づいてＬＯＰを位置合わせして基準位置に配置し、この
基準位置に配置されたＬＯＰに電源を供給してレーザダ
イオードを発光し、このレーザダイオードの発光状態を
撮像し画像処理して基準位置に対する当該レーザダイオ
ードの発光点の位置を検出し、他方で、ＰＤ−ＩＣ認識
パターンに基づいてＰＤ−ＩＣを位置合わせして基準位
置に配置し、この基準位置に配置されたＰＤ−ＩＣの基
準点に当該レーザダイオードの発光点を合わせるように
位置を補正し、位置補正されたＰＤ−ＩＣの特定領域に
ＬＯＰを取り付けるようになされる。この構成によっ
て、レーザダイオードの発光点とＰＤ−ＩＣとの位置ず
れを防止できる。従って、レーザダイオードとＰＤ−Ｉ
Ｃの取付精度を向上できるので、発光デバイスを歩留ま
り良く製造できる。
【図１】本発明に係る発光デバイスの組立装置１の構成
図である。
図である。
【図２】各部の動作手順（１／４）を示す図である。
【図３】各部の動作手順（２／４）を示す図である。
【図４】各部の動作手順（３／４）を示す図である。
【図５】各部の動作手順（４／４）を示す図である。
【図６】マウント位置検出及び位置補正の手順（１／
４）を示す図である。
４）を示す図である。
【図７】マウント位置検出及び位置補正の手順（２／
４）を示す図である。
４）を示す図である。
【図８】マウント位置検出及び位置補正の手順（３／
４）を示す図である。
４）を示す図である。
【図９】マウント位置検出及び位置補正の手順（４／
４）を示す図である。
４）を示す図である。
【図１０】レーザカプラ５の構成図である。
【図１１】ＰＤ−ＩＣ５１の形状を示す図である。
【図１２】ＬＯＰ５２の構成図である。
１ 発光デバイスの組立装置
５ レーザカプラ
１４ 画像処理装置
１７ 第１中間ステージ
１８ 第２カメラ
１９ 第２コレット
２１ 第２中間ステージ
２２ 第３カメラ
２４ プローブコンタクト
２６ 第４カメラ
２８ 第３コレット
３０ ＰＤ−ＩＣステージ
３１ スタンプヘッド
３２ Ａｇペーストディスク
３３ 第６カメラ
３４ 第５カメラ
３５ レーザ変位計
５１ ＰＤ−ＩＣ
５２ ＬＯＰ
５４ 発光デバイス
６０ フォトダイオード
６１ レーザダイオード
６２ 発光点
Claims (9)
- 【請求項１】 レーザダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ
認識パターンを有したＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン
及び基準点を有したＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けて
発光デバイスを組み立る装置であって、 基準位置に配置された前記ＬＯＰの位置をＬＯＰ認識パ
ターンに基づいて検出すると共に、レーザダイオードの
発光状態を撮像する第１の位置検出手段と、 前記第１の位置検出手段により位置検出及び撮像される
ＬＯＰに電源を供給して前記レーザダイオードを発光さ
せる電源供給手段と、 前記電源供給手段による電源を受けて発光するレーザダ
イオードに関して、前記第１の位置検出手段により撮像
された当該レーザダイオードの発光状態を画像処理して
前記基準位置に対する当該レーザダイオードの発光点の
位置を検出する画像処理装置と、 前記基準位置に配置された前記ＰＤ−ＩＣの位置をＰＤ
−ＩＣ認識パターンに基づいて検出する第２の位置検出
手段と、 前記第２の位置検出手段により位置検出された前記ＰＤ
−ＩＣの基準点に当該レーザダイオードの発光点を合わ
せるように位置を補正する位置調整手段と、 前記位置調整手段により位置補正されたＰＤ−ＩＣの特
定領域、又は、前記特定領域に対応する前記ＬＯＰの所
定の面に接着用のペーストを塗布するペースト塗布手段
と、 前記ペースト塗布手段によって塗布された接着用のペー
ストを介して前記ＬＯＰを前記ＰＤ−ＩＣの特定領域に
取り付けるマウント手段とを備えることを特徴とする発
光デバイスの組立装置。 - 【請求項２】 前記画像処理装置は、 前記レーザダイオードの発光状態を画像処理してレーザ
発光領域の発光強度分布を求め、かつ、 前記発光強度分布の半値幅の中心から発光点を求めるこ
とを特徴とする請求項１に記載の発光デバイスの組立装
置。 - 【請求項３】 マウント後の前記ＬＯＰと前記ＰＤ−Ｉ
Ｃとの位置関係を検出するマウント精度検出手段を備え
たことを特徴とする請求項１に記載の発光デバイスの組
立装置。 - 【請求項４】 前記基準位置に配置されたＬＯＰを支持
するステージと、 前記ステージによって支持されるＬＯＰのＬＯＰ認識パ
ターンに対するレーザダイオードの傾きを検出する傾き
検出手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の
発光デバイスの組立装置。 - 【請求項５】 前記傾き検出手段によって検出されたレ
ーザダイオードの傾きを吸収するように、前記ＰＤ−Ｉ
Ｃを位置補正することを特徴とする請求項４に記載の発
光デバイスの組立装置。 - 【請求項６】 レーザダイオードを有し、かつ、ＬＯＰ
認識パターンを有したＬＯＰをＰＤ−ＩＣ認識パターン
及び基準点を有したＰＤ−ＩＣの特定領域に取り付けて
組み立てる方法であって、 一方で、前記ＬＯＰ認識パターンに基づいてＬＯＰを位
置合わせして基準位置に配置し、 前記基準位置に配置されたＬＯＰに電源を供給して前記
レーザダイオードを発光し、 前記レーザダイオードの発光状態を撮像し画像処理して
前記基準位置に対する当該レーザダイオードの発光点の
位置を検出し、 他方で、前記ＰＤ−ＩＣ認識パターンに基づいてＰＤ−
ＩＣを位置合わせして前記基準位置に配置し、 前記基準位置に配置された前記ＰＤ−ＩＣの基準点に当
該レーザダイオードの発光点を合わせるように位置を補
正し、 位置補正された前記ＰＤ−ＩＣの特定領域に前記ＬＯＰ
を取り付けることを特徴とする発光デバイスの組立方
法。 - 【請求項７】 前記基準位置に対するレーザダイオード
の発光点の位置を検出する際に、 前記レーザダイオードの発光状態を撮像し画像処理して
レーザ発光領域の発光強度分布を求め、 前記発光強度分布の半値幅の中心から前記発光点を求め
ることを特徴とする請求項６に記載の発光デバイスの組
立方法。 - 【請求項８】 前記ＬＯＰ認識パターンに基づいてＬＯ
Ｐを位置合わせして基準位置に配置する際に、 前記ＬＯＰのＬＯＰ認識パターンに基づいてレーザダイ
オードの傾きを検出することを特徴とする請求項６に記
載の発光デバイスの組立方法。 - 【請求項９】 前記ＬＯＰのＬＯＰ認識パターンに基づ
いてレーザダイオードの傾きを検出した後、 検出された前記レーザダイオードの傾きを吸収するよう
に前記基準位置に配置されたＰＤ−ＩＣの位置を補正す
ることを特徴とする請求項８に記載の発光デバイスの組
立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14506594A JP3448960B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 発光デバイスの組立装置及びその組立方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14506594A JP3448960B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 発光デバイスの組立装置及びその組立方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818164A JPH0818164A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3448960B2 true JP3448960B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=15376573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14506594A Expired - Fee Related JP3448960B2 (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 発光デバイスの組立装置及びその組立方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3448960B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3601645B2 (ja) * | 1997-04-24 | 2004-12-15 | 澁谷工業株式会社 | 固体レーザ発振器のボンディング方法 |
| WO2001091258A1 (fr) * | 2000-05-22 | 2001-11-29 | Toray Engineering Co., Ltd. | Procede de montage de puce |
| JP4655194B2 (ja) * | 2004-09-16 | 2011-03-23 | 澁谷工業株式会社 | 電子部品組立方法 |
| JP4765588B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | Ｆｆｐ測定装置及びｆｆｐ測定方法 |
| JP5034345B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2012-09-26 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置の製造方法および製造装置 |
| JP7178541B2 (ja) | 2018-02-07 | 2022-11-28 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光部品実装装置および発光部品実装方法 |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP14506594A patent/JP3448960B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0818164A (ja) | 1996-01-19 |
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