JP3447223B2 - 放射線画像撮影装置 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
Landscapes
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放射線画像撮影方法
および放射線画像撮影装置に関し、より詳細には、散乱
放射線による画像品質劣化の改善に関するものである。
および放射線画像撮影装置に関し、より詳細には、散乱
放射線による画像品質劣化の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、医療診断を目的とする放射線
撮影の医療用放射線撮影、物質の被破壊検査等を目的と
する工業用放射線撮影等の種々の分野における放射線撮
影において、増感紙と放射線写真フイルムとを組合せた
いわゆる放射線写真法が利用されている。この方法によ
れば、被写体を透過したＸ線等の放射線が増感紙に入射
すると，増感紙に含まれる蛍光体はこの放射線のエネル
ギーを吸収して蛍光（瞬時発光）を発する。この発光に
より、増感紙に密着させるように重ね合わされた放射線
写真フイルムが感光し、放射線写真フイルム上には放射
線画像が形成される。このようにして放射線画像は直接
に放射線フイルム上に可視化された画像として得ること
ができる。
撮影の医療用放射線撮影、物質の被破壊検査等を目的と
する工業用放射線撮影等の種々の分野における放射線撮
影において、増感紙と放射線写真フイルムとを組合せた
いわゆる放射線写真法が利用されている。この方法によ
れば、被写体を透過したＸ線等の放射線が増感紙に入射
すると，増感紙に含まれる蛍光体はこの放射線のエネル
ギーを吸収して蛍光（瞬時発光）を発する。この発光に
より、増感紙に密着させるように重ね合わされた放射線
写真フイルムが感光し、放射線写真フイルム上には放射
線画像が形成される。このようにして放射線画像は直接
に放射線フイルム上に可視化された画像として得ること
ができる。
【０００３】また本出願人は、放射線画像情報が蓄積記
録された蓄積性蛍光体シートにレーザ光等の励起光を照
射し、このシートに蓄積記録された前記放射線画像情報
に応じて輝尽発光する輝尽発光光を検出して、放射線画
像情報を読み取る放射線画像情報読取装置（ＣＲ装置；
コンピューテッド・ラジオグラフィ）をすでに提案され
ている（特開昭55-12429号，同56-11395号，特開昭62-1
8536号等）。このＣＲ装置により読み取られた画像（画
像データ）は、可視画像として、ＣＲＴに表示され或い
はＬＰ（レーザープリンター）によりフイルムに出力さ
れる等して、医療現場において、病巣や傷害の有無、そ
の内容の把握などの診断に利用されている。
録された蓄積性蛍光体シートにレーザ光等の励起光を照
射し、このシートに蓄積記録された前記放射線画像情報
に応じて輝尽発光する輝尽発光光を検出して、放射線画
像情報を読み取る放射線画像情報読取装置（ＣＲ装置；
コンピューテッド・ラジオグラフィ）をすでに提案され
ている（特開昭55-12429号，同56-11395号，特開昭62-1
8536号等）。このＣＲ装置により読み取られた画像（画
像データ）は、可視画像として、ＣＲＴに表示され或い
はＬＰ（レーザープリンター）によりフイルムに出力さ
れる等して、医療現場において、病巣や傷害の有無、そ
の内容の把握などの診断に利用されている。
【０００４】しかしながら、放射線写真フィルムを用い
て放射線画像を得るためには、上述した放射線画像を直
接可視化する際に、撮影に用いる放射線写真フイルムと
増感紙との感度領域を一致させて撮影を行う必要があ
り、またフィルムの現像処理工程を必要とするため、手
間と時間がかかるという問題がある。
て放射線画像を得るためには、上述した放射線画像を直
接可視化する際に、撮影に用いる放射線写真フイルムと
増感紙との感度領域を一致させて撮影を行う必要があ
り、またフィルムの現像処理工程を必要とするため、手
間と時間がかかるという問題がある。
【０００５】また、放射線写真フイルムや蓄積性蛍光体
シートを用いて光電的に放射線画像を読み取る装置にお
いては、放射線画像に画像処理をおこなって目的に応じ
た濃度およびコントラストを有するように調整したり、
放射線画像を一旦電気信号に変換しなければならず、そ
のための画像読取装置を用いて読取り走査を行う必要が
あり、放射線画像を得るための操作が煩雑なものとな
り、放射線画像を得るまでの時間がかかるものとなって
いる。
シートを用いて光電的に放射線画像を読み取る装置にお
いては、放射線画像に画像処理をおこなって目的に応じ
た濃度およびコントラストを有するように調整したり、
放射線画像を一旦電気信号に変換しなければならず、そ
のための画像読取装置を用いて読取り走査を行う必要が
あり、放射線画像を得るための操作が煩雑なものとな
り、放射線画像を得るまでの時間がかかるものとなって
いる。
【０００６】そこで、従来の装置における上記のような
問題点を解決するために、放射線を検出して電気信号に
変換する半導体（放射線固体検出器）を使用した装置が
提案されている。放射線固体検出器としては、種々のタ
イプのものが提案されているが、代表的なものとして
は、絶縁基板上に夫々が画素に対応する複数個の光電変
換素子を２次元状に形成した２次元画像読取装置と、こ
の２次元画像読取装置上に形成された画像情報を担持す
る放射線が照射されると画像情報を担持する可視光に変
換する蛍光体層（シンチレータ）を積層して成るもの
（以下、「光変換方式」の放射線固体検出器という）、
絶縁基板上に夫々が画素に対応する複数個の電荷収集電
極を２次元状に形成した２次元画像読取装置と、この２
次元画像読取装置上に形成された画像情報を担持する放
射線が照射されると前記画像情報を担持する電荷を発生
する放射線導電体とを積層して成るもの（以下、「直接
変換方式」の放射線固体検出器という）がある。
問題点を解決するために、放射線を検出して電気信号に
変換する半導体（放射線固体検出器）を使用した装置が
提案されている。放射線固体検出器としては、種々のタ
イプのものが提案されているが、代表的なものとして
は、絶縁基板上に夫々が画素に対応する複数個の光電変
換素子を２次元状に形成した２次元画像読取装置と、こ
の２次元画像読取装置上に形成された画像情報を担持す
る放射線が照射されると画像情報を担持する可視光に変
換する蛍光体層（シンチレータ）を積層して成るもの
（以下、「光変換方式」の放射線固体検出器という）、
絶縁基板上に夫々が画素に対応する複数個の電荷収集電
極を２次元状に形成した２次元画像読取装置と、この２
次元画像読取装置上に形成された画像情報を担持する放
射線が照射されると前記画像情報を担持する電荷を発生
する放射線導電体とを積層して成るもの（以下、「直接
変換方式」の放射線固体検出器という）がある。
【０００７】光変換方式の放射線固体検出器としては、
例えば特開昭59-211263 号、特開平2-164067号、ＰＣＴ
国際公開番号ＷＯ92/06501号、Signal,noise,and read
outconsiderations in the development of amorphous
silicon photodiode arraysfor radiotherapy and diag
nostic x-ray imaging，L.E.Antonuk et.al ，Universi
ty of Michigan，R.A.Street Xerox，PARC，SPIE Vol.1
443 Medical Imaging V;Image Physics(1991) ，p.108-
119 等が提案されている。
例えば特開昭59-211263 号、特開平2-164067号、ＰＣＴ
国際公開番号ＷＯ92/06501号、Signal,noise,and read
outconsiderations in the development of amorphous
silicon photodiode arraysfor radiotherapy and diag
nostic x-ray imaging，L.E.Antonuk et.al ，Universi
ty of Michigan，R.A.Street Xerox，PARC，SPIE Vol.1
443 Medical Imaging V;Image Physics(1991) ，p.108-
119 等が提案されている。
【０００８】一方、直接変換方式の放射線固体検出器と
しては、例えば、(i) 放射線の透過方向の厚さが通常の
ものより10倍程度厚く設定された放射線固体検出器（MA
TERIAL PARAMETERS IN THICK HYDROGENATED AMORPHOUS
SILICON RADIATION DETECTORS,Lawrence Berkeley Labo
ratory.University of California,Berkeley.CA 94720
Xerox Parc.Palo Alto.CA 94304)、あるいは(ii)放射線
の透過方向に、金属板を介して２つ以上積層された放射
線固体検出器(Metal/Amorphous Silicon Multilayer Ra
diation Detectors,IEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIE
NCE.VOL.36.NO.2.APRIL 1989) 、あるいは(iii) ＣｄＴ
ｅ等を使用した放射線固体検出器（特開平1-216290号）
等が提案されている。
しては、例えば、(i) 放射線の透過方向の厚さが通常の
ものより10倍程度厚く設定された放射線固体検出器（MA
TERIAL PARAMETERS IN THICK HYDROGENATED AMORPHOUS
SILICON RADIATION DETECTORS,Lawrence Berkeley Labo
ratory.University of California,Berkeley.CA 94720
Xerox Parc.Palo Alto.CA 94304)、あるいは(ii)放射線
の透過方向に、金属板を介して２つ以上積層された放射
線固体検出器(Metal/Amorphous Silicon Multilayer Ra
diation Detectors,IEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIE
NCE.VOL.36.NO.2.APRIL 1989) 、あるいは(iii) ＣｄＴ
ｅ等を使用した放射線固体検出器（特開平1-216290号）
等が提案されている。
【０００９】また、本出願人は、直接変換方式の放射線
固体検出器を改良した放射線固体検出器（以下、「改良
型直接変換方式」の放射線固体検出器という）を提案し
ている（特願平9-222114号）。
固体検出器を改良した放射線固体検出器（以下、「改良
型直接変換方式」の放射線固体検出器という）を提案し
ている（特願平9-222114号）。
【００１０】この改良型直接変換方式の放射線固体検出
器は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導
電体層、該第１の導電体層を透過した記録用の放射線の
照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電
層、第１の導電体層に帯電される電荷と同極性の電荷に
対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性
の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、
読取用の電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈
する読取用光導電層、読取用の電磁波に対して透過性を
有する第２の導電体層を、この順に積層して成るもので
あって、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に、画像
情報を担持する潜像電荷を蓄積するものである。
器は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導
電体層、該第１の導電体層を透過した記録用の放射線の
照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電
層、第１の導電体層に帯電される電荷と同極性の電荷に
対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷と逆極性
の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、
読取用の電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈
する読取用光導電層、読取用の電磁波に対して透過性を
有する第２の導電体層を、この順に積層して成るもので
あって、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に、画像
情報を担持する潜像電荷を蓄積するものである。
【００１１】なお、この改良型直接変換方式の放射線固
体検出器において潜像電荷を読み出す方式としては、第
２の導電体層（読取電極）を平板状のものとし、この読
取電極側にレーザ等のスポット状の読取光を走査して潜
像電荷を検出する方式と、読取電極をクシ歯状のもの
（ストライプ状電極）とし、ストライプ状電極の長手方
向と略直角な方向に延びたライン光源を該ストライプ状
電極の長手方向に走査して潜像電荷を検出する方式があ
る。
体検出器において潜像電荷を読み出す方式としては、第
２の導電体層（読取電極）を平板状のものとし、この読
取電極側にレーザ等のスポット状の読取光を走査して潜
像電荷を検出する方式と、読取電極をクシ歯状のもの
（ストライプ状電極）とし、ストライプ状電極の長手方
向と略直角な方向に延びたライン光源を該ストライプ状
電極の長手方向に走査して潜像電荷を検出する方式があ
る。
【００１２】上記各種方式の放射線固体検出器から出力
された画像信号は、放射線固体検出器に設けられたアン
プにより増幅されて出力され、所定の画像処理がなされ
た後にＣＲＴ等の再生手段により再生される。このよう
な放射線固体検出器を用いることにより、被写体の放射
線画像を煩雑な操作を行うことなく直ちに再生すること
ができ、直ちにリアルタイムで放射線画像を得ることが
でき、上述した放射線写真フィルム等を使用した装置の
欠点を解消することができる。
された画像信号は、放射線固体検出器に設けられたアン
プにより増幅されて出力され、所定の画像処理がなされ
た後にＣＲＴ等の再生手段により再生される。このよう
な放射線固体検出器を用いることにより、被写体の放射
線画像を煩雑な操作を行うことなく直ちに再生すること
ができ、直ちにリアルタイムで放射線画像を得ることが
でき、上述した放射線写真フィルム等を使用した装置の
欠点を解消することができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記各種方
式の放射線固体検出器を使用した放射線画像撮影装置に
おいて、放射線固体検出器により放射線画像を読み取る
場合、放射線源から発せられた放射線を被写体に照射し
て、被写体を透過した放射線すなわち被写体の画像情報
を担持する放射線を放射線固体検出器により検出する。
式の放射線固体検出器を使用した放射線画像撮影装置に
おいて、放射線固体検出器により放射線画像を読み取る
場合、放射線源から発せられた放射線を被写体に照射し
て、被写体を透過した放射線すなわち被写体の画像情報
を担持する放射線を放射線固体検出器により検出する。
【００１４】しかしながら、放射線は被写体内であらゆ
る方向に散乱されるので、この散乱放射線による信号が
本来の画像情報を担持する画像信号に混ざり込み、十分
なＳ／Ｎが得られない或いは解像度が劣化する等の画像
品質が劣化するという問題を有する。
る方向に散乱されるので、この散乱放射線による信号が
本来の画像情報を担持する画像信号に混ざり込み、十分
なＳ／Ｎが得られない或いは解像度が劣化する等の画像
品質が劣化するという問題を有する。
【００１５】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、散乱放射線による画像品質劣化を改善することが
できる、放射線固体検出器を使用した放射線画像撮影方
法および放射線画像撮影装置を提供することを目的とす
るものである。
あり、散乱放射線による画像品質劣化を改善することが
できる、放射線固体検出器を使用した放射線画像撮影方
法および放射線画像撮影装置を提供することを目的とす
るものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明による第１の放射
線画像撮影方法は、被写体の一方側に放射線を発する放
射線源を配し、被写体の他方側に画像情報を担持する潜
像電荷をストライプ状電極により読み出す２次元画像読
取装置を配して、被写体の放射線画像を撮影する放射線
画像撮影方法であって、２次元画像読取装置と被写体と
の間に、特定方向からの放射線のみを２次元画像読取装
置へ導出するグリッド板を配して撮影を行うことを特徴
とする。
線画像撮影方法は、被写体の一方側に放射線を発する放
射線源を配し、被写体の他方側に画像情報を担持する潜
像電荷をストライプ状電極により読み出す２次元画像読
取装置を配して、被写体の放射線画像を撮影する放射線
画像撮影方法であって、２次元画像読取装置と被写体と
の間に、特定方向からの放射線のみを２次元画像読取装
置へ導出するグリッド板を配して撮影を行うことを特徴
とする。
【００１７】本発明による第１の放射線画像撮影装置
は、上記第１の放射線画像撮影方法を実現する、上述の
改良型直接変換方式の放射線固体検出器を備えた放射線
画像撮影装置（以下、「改良型直接変換方式の放射線画
像撮影装置」という）であって、放射線を発する放射線
源と、画像情報を担持する潜像電荷をストライプ状電極
により読み出す２次元画像読取装置と、該２次元画像読
取装置と放射線源との間に配置された特定方向からの放
射線のみを２次元画像読取装置へ導出するグリッド板と
を備えてなることを特徴とするものである。
は、上記第１の放射線画像撮影方法を実現する、上述の
改良型直接変換方式の放射線固体検出器を備えた放射線
画像撮影装置（以下、「改良型直接変換方式の放射線画
像撮影装置」という）であって、放射線を発する放射線
源と、画像情報を担持する潜像電荷をストライプ状電極
により読み出す２次元画像読取装置と、該２次元画像読
取装置と放射線源との間に配置された特定方向からの放
射線のみを２次元画像読取装置へ導出するグリッド板と
を備えてなることを特徴とするものである。
【００１８】この第１の放射線画像撮影装置は、２次元
画像読取装置が、ストライプ状電極が所定のピッチで該
ストライプ状電極の長手方向に対して略直角な方向に配
列されたものであり、グリッド板が、放射線を吸収する
物質（放射線吸収物質）と放射線を透過する物質（放射
線透過物質）とが交互に所定のグリッドピッチで前記略
直角な方向に配列されたもの、すなわちストライプ状電
極とグリッド板の放射線吸収物質とが平行に配列された
ものであり、ストライプ状電極のピッチの空間周波数ｆ
Ｃが、グリッドピッチの空間周波数ｆＧの２倍以上であ
ることが望ましい。
画像読取装置が、ストライプ状電極が所定のピッチで該
ストライプ状電極の長手方向に対して略直角な方向に配
列されたものであり、グリッド板が、放射線を吸収する
物質（放射線吸収物質）と放射線を透過する物質（放射
線透過物質）とが交互に所定のグリッドピッチで前記略
直角な方向に配列されたもの、すなわちストライプ状電
極とグリッド板の放射線吸収物質とが平行に配列された
ものであり、ストライプ状電極のピッチの空間周波数ｆ
Ｃが、グリッドピッチの空間周波数ｆＧの２倍以上であ
ることが望ましい。
【００１９】ここで、「ストライプ状電極のピッチの空
間周波数ｆＣ」とは、ストライプ状電極のピッチをＰＣ
としたとき、ｆＣ＝１／ＰＣで表されるものをいう。ま
た「グリッドピッチの空間周波数ｆＧ」とは、グリッド
ピッチをＰＧとしたとき、ｆＧ＝１／ＰＧで表されるも
のをいう（後述する他の変換方式の放射線固体検出器か
ら成る２次元画像読取装置を備えた放射線画像撮影装置
においても同様である。） また、この第１の放射線画像撮影装置は、２次元画像読
取装置が、ストライプ状電極が所定のピッチで該ストラ
イプ状電極の長手方向に対して略直角な方向に配列され
たものであり、グリッド板が、放射線吸収物質と放射線
透過物質とが交互に所定のグリッドピッチで長手方向に
配列されたもの、すなわちストライプ状電極とグリッド
板の放射線吸収物質とが直交するように配列されたもの
であり、長手方向に走査して潜像電荷を読み出す際のサ
ンプリングピッチの空間周波数ｆＳが、グリッドピッチ
の空間周波数ｆＧの２倍以上であることが望ましい。
間周波数ｆＣ」とは、ストライプ状電極のピッチをＰＣ
としたとき、ｆＣ＝１／ＰＣで表されるものをいう。ま
た「グリッドピッチの空間周波数ｆＧ」とは、グリッド
ピッチをＰＧとしたとき、ｆＧ＝１／ＰＧで表されるも
のをいう（後述する他の変換方式の放射線固体検出器か
ら成る２次元画像読取装置を備えた放射線画像撮影装置
においても同様である。） また、この第１の放射線画像撮影装置は、２次元画像読
取装置が、ストライプ状電極が所定のピッチで該ストラ
イプ状電極の長手方向に対して略直角な方向に配列され
たものであり、グリッド板が、放射線吸収物質と放射線
透過物質とが交互に所定のグリッドピッチで長手方向に
配列されたもの、すなわちストライプ状電極とグリッド
板の放射線吸収物質とが直交するように配列されたもの
であり、長手方向に走査して潜像電荷を読み出す際のサ
ンプリングピッチの空間周波数ｆＳが、グリッドピッチ
の空間周波数ｆＧの２倍以上であることが望ましい。
【００２０】ここで「サンプリングピッチの空間周波数
ｆＳ」とは、サンプリングピッチをＰＳとしたとき、ｆ
Ｓ＝１／ＰＳで表されるものをいう。
ｆＳ」とは、サンプリングピッチをＰＳとしたとき、ｆ
Ｓ＝１／ＰＳで表されるものをいう。
【００２１】また、本発明による第１の放射線画像撮影
装置は、２次元画像読取装置が、ストライプ状電極が所
定のピッチで該ストライプ状電極の長手方向に対して略
直角な方向に配列されたものであり、グリッド板が、放
射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリッ
ドピッチで略直角な方向に配列されたもの、すなわちス
トライプ状電極とグリッド板の放射線吸収物質とが平行
に配列されたものであり、ストライプ状電極のピッチの
空間周波数ｆＣと、グリッドピッチの空間周波数ｆＧと
の差が１（サイクル／ｍｍ）以上のものであってもよ
い。
装置は、２次元画像読取装置が、ストライプ状電極が所
定のピッチで該ストライプ状電極の長手方向に対して略
直角な方向に配列されたものであり、グリッド板が、放
射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリッ
ドピッチで略直角な方向に配列されたもの、すなわちス
トライプ状電極とグリッド板の放射線吸収物質とが平行
に配列されたものであり、ストライプ状電極のピッチの
空間周波数ｆＣと、グリッドピッチの空間周波数ｆＧと
の差が１（サイクル／ｍｍ）以上のものであってもよ
い。
【００２２】また、本発明による第１の放射線画像撮影
装置は、２次元画像読取装置が、ストライプ状電極が所
定のピッチで該ストライプ状電極の長手方向に対して略
直角な方向に配列されたものであり、グリッド板が、放
射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリッ
ドピッチで前記長手方向に配列されたもの、すなわちス
トライプ状電極とグリッド板の放射線吸収物質とが直交
するように配列されたものであり、長手方向に走査して
潜像電荷を読み出す際のサンプリングピッチの空間周波
数ｆＳと、グリッドピッチの空間周波数ｆＧとの差が１
（サイクル／ｍｍ）以上のものであってもよい。
装置は、２次元画像読取装置が、ストライプ状電極が所
定のピッチで該ストライプ状電極の長手方向に対して略
直角な方向に配列されたものであり、グリッド板が、放
射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリッ
ドピッチで前記長手方向に配列されたもの、すなわちス
トライプ状電極とグリッド板の放射線吸収物質とが直交
するように配列されたものであり、長手方向に走査して
潜像電荷を読み出す際のサンプリングピッチの空間周波
数ｆＳと、グリッドピッチの空間周波数ｆＧとの差が１
（サイクル／ｍｍ）以上のものであってもよい。
【００２３】本発明による第２の放射線画像撮影方法
は、被写体の一方側に放射線を発する放射線源を配し、
被写体の他方側に、絶縁基板上に夫々が画素に対応する
複数個の電荷収集電極を２次元状に形成した２次元画像
読取装置および２次元画像読取装置上に形成された画像
情報を担持する放射線が照射されると画像情報を担持す
る電荷を発生する放射線導電体を配して、被写体の放射
線画像を撮影する放射線画像撮影方法であって、放射線
導電体と被写体との間に、特定方向からの放射線のみを
放射線導電体へ導出するグリッド板を配して撮影を行う
ことを特徴とする。
は、被写体の一方側に放射線を発する放射線源を配し、
被写体の他方側に、絶縁基板上に夫々が画素に対応する
複数個の電荷収集電極を２次元状に形成した２次元画像
読取装置および２次元画像読取装置上に形成された画像
情報を担持する放射線が照射されると画像情報を担持す
る電荷を発生する放射線導電体を配して、被写体の放射
線画像を撮影する放射線画像撮影方法であって、放射線
導電体と被写体との間に、特定方向からの放射線のみを
放射線導電体へ導出するグリッド板を配して撮影を行う
ことを特徴とする。
【００２４】本発明による第２の放射線画像撮影装置
は、上記第２の放射線画像撮影方法を実現する、上述の
直接変換方式の放射線固体検出器を備えた放射線画像撮
影装置（以下、「直接変換方式の放射線画像撮影装置」
という）であって、放射線を発する放射線源と、絶縁基
板上に夫々が画素に対応する複数個の電荷収集電極を２
次元状に形成した２次元画像読取装置と、２次元画像読
取装置上に形成された画像情報を担持する放射線が照射
されると画像情報を担持する電荷を発生する放射線導電
体と、該放射線導電体と放射線源との間に配置された特
定方向からの放射線のみを放射線導電体へ導出するグリ
ッド板とを備えてなることを特徴とするものである。
は、上記第２の放射線画像撮影方法を実現する、上述の
直接変換方式の放射線固体検出器を備えた放射線画像撮
影装置（以下、「直接変換方式の放射線画像撮影装置」
という）であって、放射線を発する放射線源と、絶縁基
板上に夫々が画素に対応する複数個の電荷収集電極を２
次元状に形成した２次元画像読取装置と、２次元画像読
取装置上に形成された画像情報を担持する放射線が照射
されると画像情報を担持する電荷を発生する放射線導電
体と、該放射線導電体と放射線源との間に配置された特
定方向からの放射線のみを放射線導電体へ導出するグリ
ッド板とを備えてなることを特徴とするものである。
【００２５】この第２の放射線画像撮影装置は、２次元
画像読取装置が、電荷収集電極が所定のピッチでＸ方向
およびＹ方向に配列されたものであり、グリッド板が、
放射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリ
ッドピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともどちらか
一方向に配列されたものであり、電荷収集電極のグリッ
ドの配列方向の空間周波数ｆＤが、グリッドピッチの空
間周波数ｆＧの２倍以上であることが望ましい。
画像読取装置が、電荷収集電極が所定のピッチでＸ方向
およびＹ方向に配列されたものであり、グリッド板が、
放射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリ
ッドピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともどちらか
一方向に配列されたものであり、電荷収集電極のグリッ
ドの配列方向の空間周波数ｆＤが、グリッドピッチの空
間周波数ｆＧの２倍以上であることが望ましい。
【００２６】ここで「グリッドの配列方向」とは、放射
線吸収物質と放射線透過物質とが交互に配列される方向
をいう。また、「電荷収集電極のグリッドの配列方向の
空間周波数ｆＤ」とは、電荷収集電極のグリッドピッチ
方向のピッチをＰＤとしたとき、ｆＤ＝１／ＰＤで表さ
れるものをいう。
線吸収物質と放射線透過物質とが交互に配列される方向
をいう。また、「電荷収集電極のグリッドの配列方向の
空間周波数ｆＤ」とは、電荷収集電極のグリッドピッチ
方向のピッチをＰＤとしたとき、ｆＤ＝１／ＰＤで表さ
れるものをいう。
【００２７】また、この第２の放射線画像撮影装置は、
２次元画像読取装置が、電荷収集電極が所定のピッチで
Ｘ方向およびＹ方向に配列されたものであり、グリッド
板が、放射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定
のグリッドピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともど
ちらか一方向に配列されたものであり、電荷収集電極の
グリッドの配列方向の空間周波数ｆＤと、グリッドピッ
チの空間周波数ｆＧとの差が１サイクル／ｍｍ以上であ
るものであってもよい。
２次元画像読取装置が、電荷収集電極が所定のピッチで
Ｘ方向およびＹ方向に配列されたものであり、グリッド
板が、放射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定
のグリッドピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともど
ちらか一方向に配列されたものであり、電荷収集電極の
グリッドの配列方向の空間周波数ｆＤと、グリッドピッ
チの空間周波数ｆＧとの差が１サイクル／ｍｍ以上であ
るものであってもよい。
【００２８】本発明による第３の放射線画像撮影装置
は、上述の光変換方式の放射線固体検出器を備えた放射
線画像撮影装置（以下、「光変換方式の放射線画像撮影
装置」という）であって、放射線を発する放射線源と、
絶縁基板上に夫々が画素に対応する複数個の光電変換素
子を２次元状に形成した２次元画像読取装置と、２次元
画像読取装置上に形成された画像情報を担持する放射線
が照射されると前記画像情報を担持する可視光に変換す
る蛍光体と、蛍光体と放射線源との間に配置された特定
方向からの放射線のみを蛍光体へ導出するグリッド板と
を備えてなる放射線画像撮影装置において、２次元画像
読取装置が、光電変換素子が所定のピッチでＸ方向およ
びＹ方向に配列されたものであり、グリッド板が、放射
線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリッド
ピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともどちらか一方
向に配列されたものであり、光電変換素子のグリッドの
配列方向の空間周波数ｆＰが、グリッドピッチの空間周
波数ｆＧの２倍以上であることを特徴とするものであ
る。
は、上述の光変換方式の放射線固体検出器を備えた放射
線画像撮影装置（以下、「光変換方式の放射線画像撮影
装置」という）であって、放射線を発する放射線源と、
絶縁基板上に夫々が画素に対応する複数個の光電変換素
子を２次元状に形成した２次元画像読取装置と、２次元
画像読取装置上に形成された画像情報を担持する放射線
が照射されると前記画像情報を担持する可視光に変換す
る蛍光体と、蛍光体と放射線源との間に配置された特定
方向からの放射線のみを蛍光体へ導出するグリッド板と
を備えてなる放射線画像撮影装置において、２次元画像
読取装置が、光電変換素子が所定のピッチでＸ方向およ
びＹ方向に配列されたものであり、グリッド板が、放射
線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリッド
ピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともどちらか一方
向に配列されたものであり、光電変換素子のグリッドの
配列方向の空間周波数ｆＰが、グリッドピッチの空間周
波数ｆＧの２倍以上であることを特徴とするものであ
る。
【００２９】ここで「光電変換素子のグリッドの配列方
向の空間周波数ｆＰ」とは、光電変換素子のグリッドピ
ッチ方向のピッチをＰＰとしたとき、ｆＰ＝１／ＰＰで
表されるものをいう。
向の空間周波数ｆＰ」とは、光電変換素子のグリッドピ
ッチ方向のピッチをＰＰとしたとき、ｆＰ＝１／ＰＰで
表されるものをいう。
【００３０】また、発明による第４の放射線画像撮影装
置は、上記同様、放射線を発する放射線源と、絶縁基板
上に夫々が画素に対応する複数個の光電変換素子を２次
元状に形成した２次元画像読取装置と、２次元画像読取
装置上に形成された画像情報を担持する放射線が照射さ
れると前記画像情報を担持する可視光に変換する蛍光体
と、蛍光体と放射線源との間に配置された特定方向から
の放射線のみを蛍光体へ導出するグリッド板とを備えて
なる光変換方式の放射線画像撮影装置であって、２次元
画像読取装置が、光電変換素子が所定のピッチでＸ方向
およびＹ方向に配列されたものであり、グリッド板が、
放射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリ
ッドピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともどちらか
一方向に配列されたものであり、光電変換素子のグリッ
ドの配列方向の空間周波数ｆＰと、グリッドピッチの空
間周波数ｆＧとの差が１（サイクル／ｍｍ）以上である
ことを特徴とするものである。
置は、上記同様、放射線を発する放射線源と、絶縁基板
上に夫々が画素に対応する複数個の光電変換素子を２次
元状に形成した２次元画像読取装置と、２次元画像読取
装置上に形成された画像情報を担持する放射線が照射さ
れると前記画像情報を担持する可視光に変換する蛍光体
と、蛍光体と放射線源との間に配置された特定方向から
の放射線のみを蛍光体へ導出するグリッド板とを備えて
なる光変換方式の放射線画像撮影装置であって、２次元
画像読取装置が、光電変換素子が所定のピッチでＸ方向
およびＹ方向に配列されたものであり、グリッド板が、
放射線吸収物質と放射線透過物質とが交互に所定のグリ
ッドピッチでＸ方向およびＹ方向の少なくともどちらか
一方向に配列されたものであり、光電変換素子のグリッ
ドの配列方向の空間周波数ｆＰと、グリッドピッチの空
間周波数ｆＧとの差が１（サイクル／ｍｍ）以上である
ことを特徴とするものである。
【００３１】上記第３および第４の放射線画像撮影装置
の光電変換素子は、下部電極としての第１の金属薄膜
層、エレクトロンおよびホールの通過を阻止するアモル
ファスチッカシリコン絶縁層（ａ−ＳｉＮX ）、水素化
アモルファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、ホ
ールキャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止層または
エレクトロンキャリアの注入を阻止するＰ型の注入阻止
層、上部電極としての透明電極層または注入阻止層上の
一部に配列した第２の金属薄膜層が、絶縁基板側からこ
の順に積層されてなることが望ましい。
の光電変換素子は、下部電極としての第１の金属薄膜
層、エレクトロンおよびホールの通過を阻止するアモル
ファスチッカシリコン絶縁層（ａ−ＳｉＮX ）、水素化
アモルファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、ホ
ールキャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止層または
エレクトロンキャリアの注入を阻止するＰ型の注入阻止
層、上部電極としての透明電極層または注入阻止層上の
一部に配列した第２の金属薄膜層が、絶縁基板側からこ
の順に積層されてなることが望ましい。
【００３２】上記第１〜第４の放射線画像撮影装置の何
れにおいても、２次元画像読取装置により読み取られた
画像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持
する信号成分ＳＧを減衰させる第１の画像処理手段を備
えたものであることが望ましい。
れにおいても、２次元画像読取装置により読み取られた
画像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持
する信号成分ＳＧを減衰させる第１の画像処理手段を備
えたものであることが望ましい。
【００３３】また、上記第１〜第４の放射線画像撮影装
置のうち、センサの空間周波数ｆ０がグリッドピッチの
空間周波数ｆＧの２倍以上であるもの以外の装置にあっ
ては、２次元画像読取装置により読み取られた画像信号
の内、グリッドにより生じるモアレ周波数を担持する信
号成分ＳＭを減衰させる第２の画像処理手段を備えたも
のであることが望ましい。
置のうち、センサの空間周波数ｆ０がグリッドピッチの
空間周波数ｆＧの２倍以上であるもの以外の装置にあっ
ては、２次元画像読取装置により読み取られた画像信号
の内、グリッドにより生じるモアレ周波数を担持する信
号成分ＳＭを減衰させる第２の画像処理手段を備えたも
のであることが望ましい。
【００３４】ここで「センサの空間周波数ｆ０」とは、
改良型直接変換方式の放射線固体検出器の場合にはスト
ライプ状電極のピッチの空間周波数ｆＣ或いはサンプリ
ングピッチの空間周波数ｆＳであり、直接変換方式の放
射線固体検出器の場合には電荷収集電極のグリッドピッ
チ方向の空間周波数ｆＤであり、光変換方式の放射線固
体検出器の場合には光電変換素子のグリッドの配列方向
の空間周波数ｆＰである。
改良型直接変換方式の放射線固体検出器の場合にはスト
ライプ状電極のピッチの空間周波数ｆＣ或いはサンプリ
ングピッチの空間周波数ｆＳであり、直接変換方式の放
射線固体検出器の場合には電荷収集電極のグリッドピッ
チ方向の空間周波数ｆＤであり、光変換方式の放射線固
体検出器の場合には光電変換素子のグリッドの配列方向
の空間周波数ｆＰである。
【００３５】また「グリッドにより生じるモアレ周波
数」とは、グリッドピッチＰＧとセンサピッチＰ０とが
異なる場合に、均一な放射線が照射されたとしても、空
間的な位相の違いから、画像上に周期的な濃淡を引き起
こすモアレ現象における、濃淡の繰返し周波数であっ
て、改良型直接変換方式の放射線画像撮影装置の場合に
はストライプ状電極のピッチの空間周波数ｆＣ或いは長
手方向に走査して潜像電荷を読み出す際のサンプリング
ピッチの空間周波数ｆＳとグリッドピッチの空間周波数
ｆＧとの差であり、直接変換方式の放射線画像撮影装置
の場合には電荷収集電極のグリッドの配列方向の空間周
波数ｆＤとグリッドピッチの空間周波数ｆＧとの差であ
り、光変換方式の放射線画像撮影装置の場合には光電変
換素子のグリッドの配列方向の空間周波数ｆＰとグリッ
ドピッチの空間周波数ｆＧとの差である。なお、「セン
サピッチＰ０」とは、改良型直接変換方式の放射線固体
検出器の場合にはストライプ状電極のピッチＰＣ或いは
サンプリングピッチＰＳであり、直接変換方式の放射線
固体検出器の場合には電荷収集電極のグリッドピッチ方
向のピッチＰＤであり、光変換方式の放射線固体検出器
の場合には光電変換素子のグリッドピッチ方向のピッチ
ＰＰである。
数」とは、グリッドピッチＰＧとセンサピッチＰ０とが
異なる場合に、均一な放射線が照射されたとしても、空
間的な位相の違いから、画像上に周期的な濃淡を引き起
こすモアレ現象における、濃淡の繰返し周波数であっ
て、改良型直接変換方式の放射線画像撮影装置の場合に
はストライプ状電極のピッチの空間周波数ｆＣ或いは長
手方向に走査して潜像電荷を読み出す際のサンプリング
ピッチの空間周波数ｆＳとグリッドピッチの空間周波数
ｆＧとの差であり、直接変換方式の放射線画像撮影装置
の場合には電荷収集電極のグリッドの配列方向の空間周
波数ｆＤとグリッドピッチの空間周波数ｆＧとの差であ
り、光変換方式の放射線画像撮影装置の場合には光電変
換素子のグリッドの配列方向の空間周波数ｆＰとグリッ
ドピッチの空間周波数ｆＧとの差である。なお、「セン
サピッチＰ０」とは、改良型直接変換方式の放射線固体
検出器の場合にはストライプ状電極のピッチＰＣ或いは
サンプリングピッチＰＳであり、直接変換方式の放射線
固体検出器の場合には電荷収集電極のグリッドピッチ方
向のピッチＰＤであり、光変換方式の放射線固体検出器
の場合には光電変換素子のグリッドピッチ方向のピッチ
ＰＰである。
【００３６】さらに、２次元画像読取装置により読み取
られた画像信号をデジタル化するＡ／Ｄ変換器をさらに
備えたものとし、該デジタル化された画像信号に基づい
て、第１の画像処理手段がグリッドピッチの空間周波数
ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させるもの、或いは
第２の画像処理手段がグリッドにより生じるモアレ周波
数を担持する信号成分ＳＭを減衰させるものであればよ
り望ましい。
られた画像信号をデジタル化するＡ／Ｄ変換器をさらに
備えたものとし、該デジタル化された画像信号に基づい
て、第１の画像処理手段がグリッドピッチの空間周波数
ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させるもの、或いは
第２の画像処理手段がグリッドにより生じるモアレ周波
数を担持する信号成分ＳＭを減衰させるものであればよ
り望ましい。
【００３７】
【発明の効果】本発明による改良型直接変換方式の放射
線画像撮影方法および放射線画像撮影装置によれば、２
次元画像読取装置と放射線源との間に特定方向からの放
射線のみを２次元画像読取装置へ導出するグリッド板を
備えるようにしたので、被写体内で散乱された放射線が
グリッド板の放射線吸収物質で吸収されるから、散乱放
射線による画像品質の劣化という問題を解消することが
できる。
線画像撮影方法および放射線画像撮影装置によれば、２
次元画像読取装置と放射線源との間に特定方向からの放
射線のみを２次元画像読取装置へ導出するグリッド板を
備えるようにしたので、被写体内で散乱された放射線が
グリッド板の放射線吸収物質で吸収されるから、散乱放
射線による画像品質の劣化という問題を解消することが
できる。
【００３８】本発明による直接変換方式の放射線画像撮
影方法および放射線画像撮影装置によれば、放射線導電
体と放射線源との間に特定方向からの放射線のみを放射
線導電体へ導出するグリッド板を備えるようにしたの
で、上記同様に、散乱放射線による画像品質の劣化とい
う問題を解消することができる。
影方法および放射線画像撮影装置によれば、放射線導電
体と放射線源との間に特定方向からの放射線のみを放射
線導電体へ導出するグリッド板を備えるようにしたの
で、上記同様に、散乱放射線による画像品質の劣化とい
う問題を解消することができる。
【００３９】本発明による何れの放射線画像撮影装置に
おいても、センサの空間周波数ｆ０がグリッドピッチの
空間周波数ｆＧの２倍以上となるようにすれば、いわゆ
るサンプリング定理にしたがい、モアレ現象による画像
の濃淡が視認されなくなる。
おいても、センサの空間周波数ｆ０がグリッドピッチの
空間周波数ｆＧの２倍以上となるようにすれば、いわゆ
るサンプリング定理にしたがい、モアレ現象による画像
の濃淡が視認されなくなる。
【００４０】また、２次元画像読取装置により読み取ら
れた画像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを
担持する信号成分ＳＧを減衰させれば、画像上に現れる
グリッド板を視覚上目立たなくすることができる。
れた画像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを
担持する信号成分ＳＧを減衰させれば、画像上に現れる
グリッド板を視覚上目立たなくすることができる。
【００４１】また、本発明による何れの放射線画像撮影
装置においても、上記のようにセンサの空間周波数ｆ０
がグリッドピッチの空間周波数ｆＧの２倍以上となるよ
うにできない場合であっても、モアレ周波数が１（サイ
クル／ｍｍ）以上となるようにすれば、画像上に周期的
に現れる濃淡の数を少なくすることにより、その濃淡を
視覚上目立たなくすることができる。
装置においても、上記のようにセンサの空間周波数ｆ０
がグリッドピッチの空間周波数ｆＧの２倍以上となるよ
うにできない場合であっても、モアレ周波数が１（サイ
クル／ｍｍ）以上となるようにすれば、画像上に周期的
に現れる濃淡の数を少なくすることにより、その濃淡を
視覚上目立たなくすることができる。
【００４２】また、センサの空間周波数がグリッドピッ
チの空間周波数ｆＧの２倍以上であるもの以外の装置に
あっては、２次元画像読取装置により読み取られた画像
信号の内、グリッドにより生じるモアレ周波数を担持す
る信号成分ＳＭを減衰させれば、画像上に現れるモアレ
を視覚上目立たなくすることができる。また、画像情報
に含まれる１（サイクル／ｍｍ）以下の重要な成分を失
うこともない。
チの空間周波数ｆＧの２倍以上であるもの以外の装置に
あっては、２次元画像読取装置により読み取られた画像
信号の内、グリッドにより生じるモアレ周波数を担持す
る信号成分ＳＭを減衰させれば、画像上に現れるモアレ
を視覚上目立たなくすることができる。また、画像情報
に含まれる１（サイクル／ｍｍ）以下の重要な成分を失
うこともない。
【００４３】また光変換方式の放射線画像撮影装置の光
電変換素子を、下部電極としての第１の金属薄膜層、エ
レクトロンおよびホールの通過を阻止するアモルファス
チッカシリコン絶縁層（ａ−ＳｉＮX ）、水素化アモル
ファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、ホールキ
ャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止層またはエレク
トロンキャリアの注入を阻止するＰ型の注入阻止層、上
部電極としての透明電極層または注入阻止層上の一部に
配列した第２の金属薄膜層が、絶縁基板側からこの順に
積層されてなるものとすれば、既存のＣＶＤ装置やスパ
ッタ装置等の薄膜作成装置を容易に用いることができ、
簡易な工程で且つその工程数も少なく，さらに高歩留ま
り率で且つ安価に、大面積で高性能の２次元画像読取装
置を生産することができる。
電変換素子を、下部電極としての第１の金属薄膜層、エ
レクトロンおよびホールの通過を阻止するアモルファス
チッカシリコン絶縁層（ａ−ＳｉＮX ）、水素化アモル
ファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、ホールキ
ャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止層またはエレク
トロンキャリアの注入を阻止するＰ型の注入阻止層、上
部電極としての透明電極層または注入阻止層上の一部に
配列した第２の金属薄膜層が、絶縁基板側からこの順に
積層されてなるものとすれば、既存のＣＶＤ装置やスパ
ッタ装置等の薄膜作成装置を容易に用いることができ、
簡易な工程で且つその工程数も少なく，さらに高歩留ま
り率で且つ安価に、大面積で高性能の２次元画像読取装
置を生産することができる。
【００４４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について詳細に説明する。
施の形態について詳細に説明する。
【００４５】最初に、改良型直接変換方式の放射線画像
撮影方法および放射線画像撮影装置について図１を参照
して説明する。
撮影方法および放射線画像撮影装置について図１を参照
して説明する。
【００４６】図１（Ａ）は本発明の実施の形態による改
良型直接変換方式の放射線画像撮影装置の構成を示す図
である。図１（Ａ）に示すように、この改良型直接変換
方式の放射線画像撮影装置１は、放射線を発する放射線
源８と、２次元画像読取装置の一態様である改良型直接
変換方式の放射線固体検出器１０と、２次元画像読取装
置と放射線源との間に配置された特定方向からの放射線
のみを２次元画像読取装置へ導出するグリッド板１６と
から構成されている。
良型直接変換方式の放射線画像撮影装置の構成を示す図
である。図１（Ａ）に示すように、この改良型直接変換
方式の放射線画像撮影装置１は、放射線を発する放射線
源８と、２次元画像読取装置の一態様である改良型直接
変換方式の放射線固体検出器１０と、２次元画像読取装
置と放射線源との間に配置された特定方向からの放射線
のみを２次元画像読取装置へ導出するグリッド板１６と
から構成されている。
【００４７】改良型直接変換方式の放射線固体検出器１
０は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導
電体層１１、該第１の導電体層を透過した記録用の放射
線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光
導電層１２、第１の導電体層に帯電される電荷と同極性
の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷
と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷
輸送層１３、読取用の電磁波の照射を受けることにより
光導電性を呈する読取用光導電層１４、読取用の電磁波
に対して透過性を有する第２の導電体層１５を、この順
に積層してなるものである。
０は、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の導
電体層１１、該第１の導電体層を透過した記録用の放射
線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光
導電層１２、第１の導電体層に帯電される電荷と同極性
の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電荷
と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷
輸送層１３、読取用の電磁波の照射を受けることにより
光導電性を呈する読取用光導電層１４、読取用の電磁波
に対して透過性を有する第２の導電体層１５を、この順
に積層してなるものである。
【００４８】図１（Ｂ）は、放射線固体検出器１０を第
２の導電体層１５側から見た平面図であり、第２の導電
体層１５は、図中斜線で示すように、クシ歯状に形成さ
れたストライプ状電極１５ａとなっており、所定のピッ
チＰＣ（ｍｍ）で該ストライプ状電極１５の長手方向に
対して略直角な方向に配列されている。
２の導電体層１５側から見た平面図であり、第２の導電
体層１５は、図中斜線で示すように、クシ歯状に形成さ
れたストライプ状電極１５ａとなっており、所定のピッ
チＰＣ（ｍｍ）で該ストライプ状電極１５の長手方向に
対して略直角な方向に配列されている。
【００４９】図１（Ｃ）は、放射線固体検出器１０をグ
リッド板１６側から見た平面図であり、グリッド板１６
は、放射線吸収物質１６ａ（例えば鉛等）と放射線透過
物質１６ｂ（例えばアルミニウム等）とが交互に所定の
グリッドピッチＰＧ（ｍｍ）で前記略直角な方向に配列
されたもの、すなわちストライプ状電極１５ａとグリッ
ド板１６の放射線吸収物質１６ａとが平行に配列された
ものである。放射線透過物質１６ｂがストライプ状電極
１５ａと平行に配列されているのは勿論である。
リッド板１６側から見た平面図であり、グリッド板１６
は、放射線吸収物質１６ａ（例えば鉛等）と放射線透過
物質１６ｂ（例えばアルミニウム等）とが交互に所定の
グリッドピッチＰＧ（ｍｍ）で前記略直角な方向に配列
されたもの、すなわちストライプ状電極１５ａとグリッ
ド板１６の放射線吸収物質１６ａとが平行に配列された
ものである。放射線透過物質１６ｂがストライプ状電極
１５ａと平行に配列されているのは勿論である。
【００５０】この放射線画像撮影装置１において、放射
線固体検出器１０に放射線画像情報を記録して読み出す
に際しては、最初に第１の導電体層１１と第２の導電体
層１５のストライプ状電極１５ａとの間に直流電圧を印
加し両導電体層を帯電させる。第１の導電体層１１側の
面を放射線源８に向くように配置し、この第１の導電体
層１１に被写体９を透過した放射線を照射し、該第１の
導電体層１１を透過した放射線を記録用光導電層１２に
入射させる。すると記録用光導電層１２内に電子（負電
荷）とホール（正電荷）の電荷対が生じ、その内の一方
の電荷が、記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界
面に放射線画像情報を担持する潜像電荷として蓄積され
る。次にストライプ状電極１５ａ側から読取用の電磁波
（ライン状）を該ストライプ状電極１５ａの長手方向に
走査すると、読取用光導電層１４内に電子（負電荷）と
ホール（正電荷）の電荷対が生じ、その内の潜像電荷の
極性と逆極性の電荷（輸送極性電荷）が電荷輸送層１３
内を記録用光導電層１２側に移動する。輸送極性電荷が
記録用光導電層と電荷輸送層との界面に達すると、蓄積
されている潜像電荷と輸送極性電荷との間で電荷再結合
が行われ、潜像電荷に応じた電流が流れる。この電荷再
結合により生じる電流を不図示の信号処理回路で検出す
ることにより、画像信号が得られる。各ストライプ状電
極１５ａから読み出される信号は、いわゆる主走査方向
の信号であり、読取用の電磁波（ライン状）を該ストラ
イプ状電極１５ａの長手方向に走査することは、副走査
することに対応する。
線固体検出器１０に放射線画像情報を記録して読み出す
に際しては、最初に第１の導電体層１１と第２の導電体
層１５のストライプ状電極１５ａとの間に直流電圧を印
加し両導電体層を帯電させる。第１の導電体層１１側の
面を放射線源８に向くように配置し、この第１の導電体
層１１に被写体９を透過した放射線を照射し、該第１の
導電体層１１を透過した放射線を記録用光導電層１２に
入射させる。すると記録用光導電層１２内に電子（負電
荷）とホール（正電荷）の電荷対が生じ、その内の一方
の電荷が、記録用光導電層１２と電荷輸送層１３との界
面に放射線画像情報を担持する潜像電荷として蓄積され
る。次にストライプ状電極１５ａ側から読取用の電磁波
（ライン状）を該ストライプ状電極１５ａの長手方向に
走査すると、読取用光導電層１４内に電子（負電荷）と
ホール（正電荷）の電荷対が生じ、その内の潜像電荷の
極性と逆極性の電荷（輸送極性電荷）が電荷輸送層１３
内を記録用光導電層１２側に移動する。輸送極性電荷が
記録用光導電層と電荷輸送層との界面に達すると、蓄積
されている潜像電荷と輸送極性電荷との間で電荷再結合
が行われ、潜像電荷に応じた電流が流れる。この電荷再
結合により生じる電流を不図示の信号処理回路で検出す
ることにより、画像信号が得られる。各ストライプ状電
極１５ａから読み出される信号は、いわゆる主走査方向
の信号であり、読取用の電磁波（ライン状）を該ストラ
イプ状電極１５ａの長手方向に走査することは、副走査
することに対応する。
【００５１】ところで、放射線源８から発せられる放射
線は、被写体（例えば人体等）９に照射され、該被写体
９内の物質により応じて吸収，散乱，透過が起こり、被
写体９を透過した放射線がグリッド板１６の方向に向か
う。グリッド板１６は、散乱放射線による画像品質の劣
化を防止するために設けられたものであり、特定方向
（本例ではグリッド板１６の断面方向）の放射線のみが
放射線透過物質１６ｂを通過し、被写体９内で散乱され
た放射線は放射線吸収物質１６ａで吸収される。したが
って、散乱放射線による信号が本来の画像情報を担持す
る画像信号に混ざり込み、十分なＳ／Ｎが得られない或
いは解像度が劣化する等の画像品質が劣化するという問
題が解消される。
線は、被写体（例えば人体等）９に照射され、該被写体
９内の物質により応じて吸収，散乱，透過が起こり、被
写体９を透過した放射線がグリッド板１６の方向に向か
う。グリッド板１６は、散乱放射線による画像品質の劣
化を防止するために設けられたものであり、特定方向
（本例ではグリッド板１６の断面方向）の放射線のみが
放射線透過物質１６ｂを通過し、被写体９内で散乱され
た放射線は放射線吸収物質１６ａで吸収される。したが
って、散乱放射線による信号が本来の画像情報を担持す
る画像信号に混ざり込み、十分なＳ／Ｎが得られない或
いは解像度が劣化する等の画像品質が劣化するという問
題が解消される。
【００５２】ここで、ストライプ状電極１５ａのピッチ
の空間周波数ｆＣ＝１／ＰＣ（サイクル／ｍｍ）が、グ
リッドピッチの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／
ｍｍ）の２倍以上となるように設定すれば、周知のサン
プリング定理から推測されるように、画像上に周期的な
濃淡（視認可能な）を引き起こすモアレ現象が原理的に
発生しない。一方、この場合、グリッド板１６そのもの
の信号成分が読み出されることになり、表示画像上に
は、グリッド１６を表す濃淡画像が被写体画像に重畳さ
れて表示され、被写体画像が見にくくなる。
の空間周波数ｆＣ＝１／ＰＣ（サイクル／ｍｍ）が、グ
リッドピッチの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／
ｍｍ）の２倍以上となるように設定すれば、周知のサン
プリング定理から推測されるように、画像上に周期的な
濃淡（視認可能な）を引き起こすモアレ現象が原理的に
発生しない。一方、この場合、グリッド板１６そのもの
の信号成分が読み出されることになり、表示画像上に
は、グリッド１６を表す濃淡画像が被写体画像に重畳さ
れて表示され、被写体画像が見にくくなる。
【００５３】そこで、グリッド板１６そのものの信号成
分を除去すべく、２次元画像読取装置（本例では放射線
固体検出器１０）により読み取られた画像信号の内、グ
リッドピッチの空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧ
を減衰させれば、画像上に現れるグリッドを視覚上目立
たなくすることができる。
分を除去すべく、２次元画像読取装置（本例では放射線
固体検出器１０）により読み取られた画像信号の内、グ
リッドピッチの空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧ
を減衰させれば、画像上に現れるグリッドを視覚上目立
たなくすることができる。
【００５４】図２は、このようにグリッド板１６そのも
のの信号成分を除去する画像処理手段７０を備えた放射
線画像撮影装置７を説明する図である。
のの信号成分を除去する画像処理手段７０を備えた放射
線画像撮影装置７を説明する図である。
【００５５】この放射線画像撮影装置７は、図２（Ａ）
にそのブロック図を示すように、上記放射線画像撮影装
置１に、さらに画像処理手段７０を接続した構成となっ
ている。画像処理手段７０は、放射線固体検出器１０か
らのアナログの出力信号をデジタル化するＡ／Ｄ変換器
７１，デジタル化された信号を記憶するフレームメモリ
７２，フレームメモリ７２からの信号の内、グリッドピ
ッチの空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰さ
せるデジタルフィルタ７３，デジタルフィルタ７３の出
力信号を記憶するフレームメモリ７４から成っている。
にそのブロック図を示すように、上記放射線画像撮影装
置１に、さらに画像処理手段７０を接続した構成となっ
ている。画像処理手段７０は、放射線固体検出器１０か
らのアナログの出力信号をデジタル化するＡ／Ｄ変換器
７１，デジタル化された信号を記憶するフレームメモリ
７２，フレームメモリ７２からの信号の内、グリッドピ
ッチの空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰さ
せるデジタルフィルタ７３，デジタルフィルタ７３の出
力信号を記憶するフレームメモリ７４から成っている。
【００５６】この放射線画像撮影装置７においては、フ
レームメモリ７２に放射線固体検出器１０の出力信号を
記憶する。この出力信号には、グリッド板１６そのもの
の信号成分が含まれており、該信号に基づいて画像表示
させると、図２（Ｂ）のｃに示すように、グリッド板１
６を表す主走査方向に濃淡を示す縦縞の画像ａが被写体
画像ｂに重畳されて表示される。
レームメモリ７２に放射線固体検出器１０の出力信号を
記憶する。この出力信号には、グリッド板１６そのもの
の信号成分が含まれており、該信号に基づいて画像表示
させると、図２（Ｂ）のｃに示すように、グリッド板１
６を表す主走査方向に濃淡を示す縦縞の画像ａが被写体
画像ｂに重畳されて表示される。
【００５７】デジタルフィルタ７３は、このグリッド板
１６を表す濃淡画像ａを担持する画像信号、すなわちグ
リッドピッチの空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧ
を減衰させるものである。デジタルフィルタ７３の振幅
特性の例を図２（Ｃ）に示す。このようにデジタルフィ
ルタ７３によりグリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持
する信号成分ＳＧを減衰させれば、その出力信号には、
図２（ｂ）のｂに示ように、略被写体画像を担持する信
号のみが含まれることになる。この信号をフレームメモ
リ７４に記憶し、診断等の必要なときに該信号を読み出
せばよい。
１６を表す濃淡画像ａを担持する画像信号、すなわちグ
リッドピッチの空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧ
を減衰させるものである。デジタルフィルタ７３の振幅
特性の例を図２（Ｃ）に示す。このようにデジタルフィ
ルタ７３によりグリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持
する信号成分ＳＧを減衰させれば、その出力信号には、
図２（ｂ）のｂに示ように、略被写体画像を担持する信
号のみが含まれることになる。この信号をフレームメモ
リ７４に記憶し、診断等の必要なときに該信号を読み出
せばよい。
【００５８】なお、本例ではグリッドピッチの空間周波
数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させる手段として
デジタルフィルタ７３を使用したが、これに限らずアナ
ログフィルタであってもよいのは勿論である。すなわ
ち、上記例では、グリッド板１６は、いわゆる主走査方
向に配列されたものとなるから、グリッドピッチの空間
周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させる簡単な
トラップ（バンドエリミネーションフィルタ）とすれば
よい。
数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させる手段として
デジタルフィルタ７３を使用したが、これに限らずアナ
ログフィルタであってもよいのは勿論である。すなわ
ち、上記例では、グリッド板１６は、いわゆる主走査方
向に配列されたものとなるから、グリッドピッチの空間
周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させる簡単な
トラップ（バンドエリミネーションフィルタ）とすれば
よい。
【００５９】また、グリッドピッチの空間周波数ｆＧが
上記の関係を満たすようにできない場合であっても、ス
トライプ状電極１５ａのピッチの空間周波数ｆＣ＝１／
ＰＣ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッチの空間周波
数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との差、すなわち
モアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるように
すれば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくする
ことにより、その濃淡を視覚上目立たなくすることがで
きる。
上記の関係を満たすようにできない場合であっても、ス
トライプ状電極１５ａのピッチの空間周波数ｆＣ＝１／
ＰＣ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッチの空間周波
数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との差、すなわち
モアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるように
すれば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくする
ことにより、その濃淡を視覚上目立たなくすることがで
きる。
【００６０】この場合、２次元画像読取装置（本例では
放射線固体検出器１０）により読み取られた画像信号の
内、グリッド板１６により生じるモアレ周波数を担持す
る信号成分ＳＭを減衰させれば、画像上に現れるモアレ
を視覚上殆ど目立たなくすることができる。また、１
（サイクル／ｍｍ）以下の重要な成分を失うこともな
い。
放射線固体検出器１０）により読み取られた画像信号の
内、グリッド板１６により生じるモアレ周波数を担持す
る信号成分ＳＭを減衰させれば、画像上に現れるモアレ
を視覚上殆ど目立たなくすることができる。また、１
（サイクル／ｍｍ）以下の重要な成分を失うこともな
い。
【００６１】そのためには、例えば、図２における画像
処理手段７０のデジタルフィルタ７３が、該グリッド板
１６により生じるモアレ周波数を担持する信号成分ＳＭ
を減衰させるものとすればよい。図２（Ｄ）は、そのた
めのデジタルフィルタ７３の振幅特性の例を示したもの
である。
処理手段７０のデジタルフィルタ７３が、該グリッド板
１６により生じるモアレ周波数を担持する信号成分ＳＭ
を減衰させるものとすればよい。図２（Ｄ）は、そのた
めのデジタルフィルタ７３の振幅特性の例を示したもの
である。
【００６２】次に、グリッド板２６を、放射線吸収物質
２６ａと放射線透過物質２６ｂとが交互にストライプ状
電極１５ａの長手方向に配列された改良型直接変換方式
の放射線画像撮影装置２について、図３を参照して説明
する。
２６ａと放射線透過物質２６ｂとが交互にストライプ状
電極１５ａの長手方向に配列された改良型直接変換方式
の放射線画像撮影装置２について、図３を参照して説明
する。
【００６３】図３（Ａ）はこの放射線画像撮影装置２の
構成を示す図である。図３（Ａ）に示すように、この放
射線画像撮影装置２の構成は、上述の放射線画像撮影装
置１のグリッド板１６の配列方向を変更しただけで、そ
の基本構成において変わるところはない。
構成を示す図である。図３（Ａ）に示すように、この放
射線画像撮影装置２の構成は、上述の放射線画像撮影装
置１のグリッド板１６の配列方向を変更しただけで、そ
の基本構成において変わるところはない。
【００６４】図３（Ｂ）は、放射線固体検出器１０を第
２の導電体層１５側から見た平面図であり、第２の導電
体層１５は、クシ歯状に形成されたストライプ状電極１
５ａとなっており、所定のピッチＰＣ（ｍｍ）で該スト
ライプ状電極１５の長手方向に対して略直角な方向に配
列されている。
２の導電体層１５側から見た平面図であり、第２の導電
体層１５は、クシ歯状に形成されたストライプ状電極１
５ａとなっており、所定のピッチＰＣ（ｍｍ）で該スト
ライプ状電極１５の長手方向に対して略直角な方向に配
列されている。
【００６５】図３（Ｃ）は、放射線固体検出器１０をグ
リッド板２６側から見た平面図であり、グリッド板２６
は、放射線吸収物質２６ａと放射線透過物質２６ｂとが
交互に所定のグリッドピッチＰＧ（ｍｍ）でストライプ
状電極１５ａの長手方向に配置されたもの、すなわちス
トライプ状電極１５ａとグリッド板２６の放射線吸収物
質２６ａとが直交するように配列されたものである。な
お、放射線透過物質２６ｂもストライプ状電極１５ａと
直交するように配列されているのは勿論である。
リッド板２６側から見た平面図であり、グリッド板２６
は、放射線吸収物質２６ａと放射線透過物質２６ｂとが
交互に所定のグリッドピッチＰＧ（ｍｍ）でストライプ
状電極１５ａの長手方向に配置されたもの、すなわちス
トライプ状電極１５ａとグリッド板２６の放射線吸収物
質２６ａとが直交するように配列されたものである。な
お、放射線透過物質２６ｂもストライプ状電極１５ａと
直交するように配列されているのは勿論である。
【００６６】この放射線画像撮影装置２において、放射
線検出器１０に放射線画像情報を記録して読み出す方法
は、上述の放射線画像撮影装置１と同様である。
線検出器１０に放射線画像情報を記録して読み出す方法
は、上述の放射線画像撮影装置１と同様である。
【００６７】この放射線画像撮影装置２においても、グ
リッド板２６が設けられているので、散乱放射線による
画像品質の劣化という問題が解消される。
リッド板２６が設けられているので、散乱放射線による
画像品質の劣化という問題が解消される。
【００６８】ここで、ストライプ状電極１５ａの長手方
向に走査して潜像電荷を読み出す際のサンプリングピッ
チの空間周波数ｆＳ＝１／ＰＳ（サイクル／ｍｍ）が、
グリッドピッチの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル
／ｍｍ）の２倍以上となるように設定すれば、周知のサ
ンプリング定理から推測されるように、画像上に周期的
な濃淡（視認可能な）を引き起こすモアレ現象が原理的
に発生しない。
向に走査して潜像電荷を読み出す際のサンプリングピッ
チの空間周波数ｆＳ＝１／ＰＳ（サイクル／ｍｍ）が、
グリッドピッチの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル
／ｍｍ）の２倍以上となるように設定すれば、周知のサ
ンプリング定理から推測されるように、画像上に周期的
な濃淡（視認可能な）を引き起こすモアレ現象が原理的
に発生しない。
【００６９】また、グリッドピッチの空間周波数ｆＧが
上記の関係を満たすようにできない場合であっても、ス
トライプ状電極１５ａの長手方向に走査して潜像電荷を
読み出す際のサンプリングピッチの空間周波数ｆＳ＝１
／ＰＳ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッチの空間周
波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との差、すなわ
ちモアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるよう
にすれば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくす
ることにより、その濃淡を視覚上目立たなくすることが
できる。
上記の関係を満たすようにできない場合であっても、ス
トライプ状電極１５ａの長手方向に走査して潜像電荷を
読み出す際のサンプリングピッチの空間周波数ｆＳ＝１
／ＰＳ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッチの空間周
波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との差、すなわ
ちモアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるよう
にすれば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくす
ることにより、その濃淡を視覚上目立たなくすることが
できる。
【００７０】なお、本例においても、上記図２に示した
ように、放射線固体検出器１０により読み取られた画像
信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持する
信号成分ＳＧを減衰させたり、或いはグリッド板２６に
より生じるモアレ周波数を担持する信号成分ＳＭを減衰
させる画像処理手段を備えた装置とし、画像上に現れる
グリッド板や、周期的に現れるモアレによる濃淡を、視
覚上目立たなくすることができるのは勿論である。
ように、放射線固体検出器１０により読み取られた画像
信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持する
信号成分ＳＧを減衰させたり、或いはグリッド板２６に
より生じるモアレ周波数を担持する信号成分ＳＭを減衰
させる画像処理手段を備えた装置とし、画像上に現れる
グリッド板や、周期的に現れるモアレによる濃淡を、視
覚上目立たなくすることができるのは勿論である。
【００７１】また、上述の放射線画像撮影装置１および
２においては、グリッド板の放射線吸収物質と放射線透
過物質の配列方向が、夫々１方向だけのものについて説
明したが、本発明はいずれか１方向だけに限るものでは
ない。すなわち、本発明による改良型直接変換方式の放
射線画像撮影装置は、２次元画像を読み取るものである
から、図４に示すように、２次元領域に亘り放射線吸収
物質と放射線透過物質とを配列させた市松模様状のグリ
ッド板１７を使用し、その放射線吸収物質１７ａと放射
線透過物質１７ｂとが交互にストライプ状電極１５ａの
長手方向および該長手方向に対して略直角な方向に配列
されたものとすれば、ストライプ状電極１５ａの長手方
向および該長手方向に対して略直角な方向の何れについ
ても、本発明の効果が得られるのは勿論である。
２においては、グリッド板の放射線吸収物質と放射線透
過物質の配列方向が、夫々１方向だけのものについて説
明したが、本発明はいずれか１方向だけに限るものでは
ない。すなわち、本発明による改良型直接変換方式の放
射線画像撮影装置は、２次元画像を読み取るものである
から、図４に示すように、２次元領域に亘り放射線吸収
物質と放射線透過物質とを配列させた市松模様状のグリ
ッド板１７を使用し、その放射線吸収物質１７ａと放射
線透過物質１７ｂとが交互にストライプ状電極１５ａの
長手方向および該長手方向に対して略直角な方向に配列
されたものとすれば、ストライプ状電極１５ａの長手方
向および該長手方向に対して略直角な方向の何れについ
ても、本発明の効果が得られるのは勿論である。
【００７２】さらに、上記説明では、放射線固体検出器
１０が、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の
導電体層１１、該第１の導電体層を透過した記録用の放
射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用
光導電層１２、第１の導電体層に帯電される電荷と同極
性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電
荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電
荷輸送層１３、読取用の電磁波の照射を受けることによ
り光導電性を呈する読取用光導電層１４、読取用の電磁
波に対して透過性を有する第２の導電体層１５を、この
順に積層してなるものであるが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、画像情報を担持する潜像電荷をスト
ライプ状電極により読み出すものであれば、何れのもの
にも適用することができる。
１０が、記録用の放射線に対して透過性を有する第１の
導電体層１１、該第１の導電体層を透過した記録用の放
射線の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用
光導電層１２、第１の導電体層に帯電される電荷と同極
性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該電
荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電
荷輸送層１３、読取用の電磁波の照射を受けることによ
り光導電性を呈する読取用光導電層１４、読取用の電磁
波に対して透過性を有する第２の導電体層１５を、この
順に積層してなるものであるが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、画像情報を担持する潜像電荷をスト
ライプ状電極により読み出すものであれば、何れのもの
にも適用することができる。
【００７３】また、上述の放射線画像撮影装置１および
２においては、第２の導電体層１５がストライプ状電極
１５ａであるものについて説明したが、第２の導電体層
１５を平板状のものとし、この平板状の第２の導電体層
１５側にレーザ等のスポット状の読取光を走査して静電
電荷を読み出す方式のものにも適用することが可能であ
る。この場合、読取光を走査して潜像電荷を読み出す際
のサンプリングピッチの空間周波数ｆＳが、グリッドピ
ッチの空間周波数ｆＧの２倍以上となるように設定すれ
ば、画像上に周期的な濃淡（視認可能な）を引き起こす
モアレ現象を発生させずに済み、またサンプリングピッ
チの空間周波数ｆＳとグリッドピッチの空間周波数ｆＧ
との差、すなわちモアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）
以上となるようにすれば、画像上に周期的に現れる濃淡
の数を少なくすることにより、その濃淡を視覚上目立た
なくすることができる。ここで、サンプリングピッチの
空間周波数ｆＳは主走査方向または副走査方向の何れで
もよいし、その両方向であってもよい。
２においては、第２の導電体層１５がストライプ状電極
１５ａであるものについて説明したが、第２の導電体層
１５を平板状のものとし、この平板状の第２の導電体層
１５側にレーザ等のスポット状の読取光を走査して静電
電荷を読み出す方式のものにも適用することが可能であ
る。この場合、読取光を走査して潜像電荷を読み出す際
のサンプリングピッチの空間周波数ｆＳが、グリッドピ
ッチの空間周波数ｆＧの２倍以上となるように設定すれ
ば、画像上に周期的な濃淡（視認可能な）を引き起こす
モアレ現象を発生させずに済み、またサンプリングピッ
チの空間周波数ｆＳとグリッドピッチの空間周波数ｆＧ
との差、すなわちモアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）
以上となるようにすれば、画像上に周期的に現れる濃淡
の数を少なくすることにより、その濃淡を視覚上目立た
なくすることができる。ここで、サンプリングピッチの
空間周波数ｆＳは主走査方向または副走査方向の何れで
もよいし、その両方向であってもよい。
【００７４】次に、直接変換方式の放射線画像撮影方法
および放射線画像撮影装置について図５を参照して説明
する。
および放射線画像撮影装置について図５を参照して説明
する。
【００７５】図５はこの放射線画像撮影装置３の構成
を、放射線固体検出器３０を模式化して示した図であ
る。図５に示すように、この直接変換方式の放射線画像
撮影装置３は、放射線を発する放射線源８と、直接変換
方式の放射線固体検出器３０と、放射線固体検出器３０
を成す放射線導電体３１と放射線源８との間に配置され
た特定方向からの放射線のみを該放射線導電体３１へ導
出するグリッド板３６とから構成されている。
を、放射線固体検出器３０を模式化して示した図であ
る。図５に示すように、この直接変換方式の放射線画像
撮影装置３は、放射線を発する放射線源８と、直接変換
方式の放射線固体検出器３０と、放射線固体検出器３０
を成す放射線導電体３１と放射線源８との間に配置され
た特定方向からの放射線のみを該放射線導電体３１へ導
出するグリッド板３６とから構成されている。
【００７６】放射線固体検出器３０を成す２次元画像読
取装置３２は、例えば厚さ3mm の石英ガラスからなる絶
縁基板（不図示）に所定のピッチＰＤ（ｍｍ）でＸ方向
およびＹ方向にマトリックス状に配列された夫々が画素
に対応する複数個の電荷収集電極３３，各電荷収集電極
３３で収集された信号電荷を潜像電荷として夫々蓄積す
るコンデンサ３４，該コンデンサ３４に蓄積された潜像
電荷を信号処理回路側へ転送するＴＦＴ等のスイッチン
グ素子３５，およびスイッチング素子３５と接続され互
いに直交するようにマトリックス状にパターン形成され
た複数の信号線と走査線（何れも不図示）とから構成さ
れたものである。
取装置３２は、例えば厚さ3mm の石英ガラスからなる絶
縁基板（不図示）に所定のピッチＰＤ（ｍｍ）でＸ方向
およびＹ方向にマトリックス状に配列された夫々が画素
に対応する複数個の電荷収集電極３３，各電荷収集電極
３３で収集された信号電荷を潜像電荷として夫々蓄積す
るコンデンサ３４，該コンデンサ３４に蓄積された潜像
電荷を信号処理回路側へ転送するＴＦＴ等のスイッチン
グ素子３５，およびスイッチング素子３５と接続され互
いに直交するようにマトリックス状にパターン形成され
た複数の信号線と走査線（何れも不図示）とから構成さ
れたものである。
【００７７】放射線導電体３１の上面側には第１の電極
３７が、スイッチング素子３５の底面側には第２の電極
３８が設けられている。
３７が、スイッチング素子３５の底面側には第２の電極
３８が設けられている。
【００７８】グリッド板３６は、放射線吸収物質３６ａ
と放射線透過物質３６ｂとが交互に所定のグリッドピッ
チＰＧ（ｍｍ）でＸ方向およびＹ方向の少なくともどち
らか一方向に配置されたものである（図では特定の１方
向のみを示している）。
と放射線透過物質３６ｂとが交互に所定のグリッドピッ
チＰＧ（ｍｍ）でＸ方向およびＹ方向の少なくともどち
らか一方向に配置されたものである（図では特定の１方
向のみを示している）。
【００７９】この放射線画像撮影装置３において、放射
線固体検出器３０に放射線画像情報を記録して読み出す
に際しては、最初に第１の電極３７と第２の電極３８と
の間に直流電圧を印加し両電極を帯電させる。放射線導
電体３１側の面が放射線源８側となるように配置し、こ
の放射線導電体３１に被写体９を透過した放射線を照射
する。すると放射線導電体３１内に電子（負電荷）とホ
ール（正電荷）の電荷対が生じ、その内の一方の電荷
が、電荷収集電極３３で収集され、放射線画像情報を担
持する潜像電荷としてコンデンサ３４に蓄積される。こ
の潜像電荷は、電荷収集電極３３に対応して設けられた
スイッチング素子３５により不図示の信号処理回路側へ
転送され、画像信号として出力される。
線固体検出器３０に放射線画像情報を記録して読み出す
に際しては、最初に第１の電極３７と第２の電極３８と
の間に直流電圧を印加し両電極を帯電させる。放射線導
電体３１側の面が放射線源８側となるように配置し、こ
の放射線導電体３１に被写体９を透過した放射線を照射
する。すると放射線導電体３１内に電子（負電荷）とホ
ール（正電荷）の電荷対が生じ、その内の一方の電荷
が、電荷収集電極３３で収集され、放射線画像情報を担
持する潜像電荷としてコンデンサ３４に蓄積される。こ
の潜像電荷は、電荷収集電極３３に対応して設けられた
スイッチング素子３５により不図示の信号処理回路側へ
転送され、画像信号として出力される。
【００８０】この放射線画像撮影装置３においても、グ
リッド板３６が設けられているので、上述の改良型直接
変換方式の放射線画像撮影装置１および２と同様に、散
乱放射線による画像品質の劣化という問題が解消され
る。
リッド板３６が設けられているので、上述の改良型直接
変換方式の放射線画像撮影装置１および２と同様に、散
乱放射線による画像品質の劣化という問題が解消され
る。
【００８１】ここで、電荷収集電極のグリッドの配列方
向の空間周波数ｆＤ＝１／ＰＤ（サイクル／ｍｍ）が、
グリッドピッチの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル
／ｍｍ）の２倍以上となるように設定すれば、上述の改
良型直接変換方式の放射線画像撮影装置１および２と同
様に、画像上に周期的な濃淡（視認可能な）を引き起こ
すモアレ現象が原理的に発生しない。
向の空間周波数ｆＤ＝１／ＰＤ（サイクル／ｍｍ）が、
グリッドピッチの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル
／ｍｍ）の２倍以上となるように設定すれば、上述の改
良型直接変換方式の放射線画像撮影装置１および２と同
様に、画像上に周期的な濃淡（視認可能な）を引き起こ
すモアレ現象が原理的に発生しない。
【００８２】また、グリッドピッチの空間周波数ｆＧが
上記の関係を満たすようにできない場合であっても、電
荷収集電極のグリッドの配列方向の空間周波数ｆＤ＝１
／ＰＤ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッチの空間周
波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との差、すなわ
ちモアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるよう
にすれば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくす
ることにより、その濃淡を視覚上目立たなくすることが
できる。
上記の関係を満たすようにできない場合であっても、電
荷収集電極のグリッドの配列方向の空間周波数ｆＤ＝１
／ＰＤ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッチの空間周
波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との差、すなわ
ちモアレ周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるよう
にすれば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくす
ることにより、その濃淡を視覚上目立たなくすることが
できる。
【００８３】なお、本例においても、上記図２に示した
ように、２次元画像読取装置３２により読み取られた画
像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持す
る信号成分ＳＧを減衰させたり、或いはグリッド板３６
により生じるモアレ周波数を担持する信号成分ＳＭを減
衰させる画像処理手段を備えた装置とし、画像上に現れ
るグリッド板３６や、周期的に現れるモアレによる濃淡
を、視覚上殆ど目立たなくすることができるのは勿論で
ある。
ように、２次元画像読取装置３２により読み取られた画
像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを担持す
る信号成分ＳＧを減衰させたり、或いはグリッド板３６
により生じるモアレ周波数を担持する信号成分ＳＭを減
衰させる画像処理手段を備えた装置とし、画像上に現れ
るグリッド板３６や、周期的に現れるモアレによる濃淡
を、視覚上殆ど目立たなくすることができるのは勿論で
ある。
【００８４】なお、図５に示す放射線画像撮影装置３に
おいては、放射線固体検出器３０の特定の断面を示すと
ともに、グリッド板の放射線吸収物質と放射線透過物質
の配列方向がＸ方向或いはＹ方向のいずれか１方向につ
いて示したものであるが、本発明はいずれか１方向だけ
に限るものではない。すなわち、本発明による直接変換
方式の放射線画像撮影装置は、２次元画像を読み取るも
のであるから、上述の図４に示すように、２次元領域に
亘り放射線吸収物質と放射線透過物質とを配列させた市
松模様状のグリッド板１７を使用し、その放射線吸収物
質１７ａと放射線透過物質１７ｂとが交互にＸ方向およ
びＹ方向に配列されたものとすれば、このＸ方向および
Ｙ方向について、本発明の効果が得られるのは勿論であ
る。
おいては、放射線固体検出器３０の特定の断面を示すと
ともに、グリッド板の放射線吸収物質と放射線透過物質
の配列方向がＸ方向或いはＹ方向のいずれか１方向につ
いて示したものであるが、本発明はいずれか１方向だけ
に限るものではない。すなわち、本発明による直接変換
方式の放射線画像撮影装置は、２次元画像を読み取るも
のであるから、上述の図４に示すように、２次元領域に
亘り放射線吸収物質と放射線透過物質とを配列させた市
松模様状のグリッド板１７を使用し、その放射線吸収物
質１７ａと放射線透過物質１７ｂとが交互にＸ方向およ
びＹ方向に配列されたものとすれば、このＸ方向および
Ｙ方向について、本発明の効果が得られるのは勿論であ
る。
【００８５】次に、光変換方式の放射線画像撮影装置に
ついて図６を参照して説明する。
ついて図６を参照して説明する。
【００８６】図６はこの放射線画像撮影装置４の構成
を、放射線固体検出器４０を模式化して示した図であ
る。図６に示すように、この光変換方式の放射線画像撮
影装置４は、放射線を発する放射線源８と、光変換方式
の放射線固体検出器４０と、放射線固体検出器４０を成
す蛍光体（シンチレータ）４１と放射線源８との間に配
置された特定方向からの放射線のみをシンチレータ４１
へ導出するグリッド板４６とから構成されている。
を、放射線固体検出器４０を模式化して示した図であ
る。図６に示すように、この光変換方式の放射線画像撮
影装置４は、放射線を発する放射線源８と、光変換方式
の放射線固体検出器４０と、放射線固体検出器４０を成
す蛍光体（シンチレータ）４１と放射線源８との間に配
置された特定方向からの放射線のみをシンチレータ４１
へ導出するグリッド板４６とから構成されている。
【００８７】この光変換方式の放射線固体検出器４０を
成す２次元画像読取装置４２は、例えば厚さ3mm の石英
ガラスからなる絶縁基板（不図示）にアモルファス半導
体膜を挟んで透明導電膜と導電膜とからなる所定のピッ
チＰＤ（ｍｍ）でＸ方向およびＹ方向にマトリックス状
に配された夫々が画素に対応する複数個の光電変換素子
４４，該光電変換素子４４で光電変換された信号電荷を
不図示の信号処理回路側へ転送するＴＦＴ等のスイッチ
ング素子４５，およびスイッチング素子４５と接続され
互いに直交するようにマトリックス状にパターン形成さ
れた複数の信号線と走査線（何れも不図示）とから構成
されたものである。各光電変換素子４４は、誘電体で形
成されており、該光電変換素子４４は容量素子としても
機能する。すなわち、光電変換素子４４で光電変換され
た信号電荷が光電変換素子４４内に潜像電荷として蓄積
される。
成す２次元画像読取装置４２は、例えば厚さ3mm の石英
ガラスからなる絶縁基板（不図示）にアモルファス半導
体膜を挟んで透明導電膜と導電膜とからなる所定のピッ
チＰＤ（ｍｍ）でＸ方向およびＹ方向にマトリックス状
に配された夫々が画素に対応する複数個の光電変換素子
４４，該光電変換素子４４で光電変換された信号電荷を
不図示の信号処理回路側へ転送するＴＦＴ等のスイッチ
ング素子４５，およびスイッチング素子４５と接続され
互いに直交するようにマトリックス状にパターン形成さ
れた複数の信号線と走査線（何れも不図示）とから構成
されたものである。各光電変換素子４４は、誘電体で形
成されており、該光電変換素子４４は容量素子としても
機能する。すなわち、光電変換素子４４で光電変換され
た信号電荷が光電変換素子４４内に潜像電荷として蓄積
される。
【００８８】グリッド板４６は、放射線吸収物質４６ａ
と放射線透過物質４６ｂとが交互に所定のグリッドピッ
チＰＧ（ｍｍ）でＸ方向およびＹ方向の少なくともどち
らか一方向に配置されたものである（図では特定の１方
向のみを示している）。
と放射線透過物質４６ｂとが交互に所定のグリッドピッ
チＰＧ（ｍｍ）でＸ方向およびＹ方向の少なくともどち
らか一方向に配置されたものである（図では特定の１方
向のみを示している）。
【００８９】この放射線画像撮影装置４において、放射
線固体検出器４０に放射線画像情報を記録して読み出す
に際しては、先ずシンチレータ４１側が放射線源８側と
なるように配置し、シンチレータ４１に被写体９を透過
した放射線を照射する。すると放射線がシンチレータ４
１に直接入射して可視光に変換され、光電変換素子４４
により光電変換されて放射線画像情報を担持する潜像電
荷が蓄積される。この潜像電荷は光電変換素子４４に対
応して設けられたスイッチング素子４５により不図示の
信号処理回路側へ転送され、画像信号として出力され
る。
線固体検出器４０に放射線画像情報を記録して読み出す
に際しては、先ずシンチレータ４１側が放射線源８側と
なるように配置し、シンチレータ４１に被写体９を透過
した放射線を照射する。すると放射線がシンチレータ４
１に直接入射して可視光に変換され、光電変換素子４４
により光電変換されて放射線画像情報を担持する潜像電
荷が蓄積される。この潜像電荷は光電変換素子４４に対
応して設けられたスイッチング素子４５により不図示の
信号処理回路側へ転送され、画像信号として出力され
る。
【００９０】この放射線画像撮影装置４においても、グ
リッド板４６が設けられているので、上述の改良型直接
変換方式或いは直接変換方式の放射線画像撮影装置１〜
３と同様に、散乱放射線による画像品質の劣化という問
題が解消される。
リッド板４６が設けられているので、上述の改良型直接
変換方式或いは直接変換方式の放射線画像撮影装置１〜
３と同様に、散乱放射線による画像品質の劣化という問
題が解消される。
【００９１】また、グリッド板４６の配列の仕方は、上
述の直接変換方式の放射線画像撮影装置３と同様でよ
く、光電変換素子４４のグリッドの配列方向の空間周波
数ｆＰ＝１／ＰＰ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッ
チの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との
関係を放射線画像撮影装置３と同様にすれば、上述の直
接変換方式の放射線画像撮影装置３においてグリッド板
３６を配列した場合における効果と同様の効果を、この
放射線画像撮影装置４においても得ることができる。さ
らに、上記図２に示したように、２次元画像読取装置４
２により読み取られた画像信号の内、グリッドピッチの
空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させた
り、或いはグリッド板４６により生じるモアレ周波数を
担持する信号成分ＳＭを減衰させる画像処理手段を備え
た装置とし、画像上に現れるグリッド板や、周期的に現
れるモアレによる濃淡を、視覚上殆ど目立たなくするこ
とができるのは勿論である。
述の直接変換方式の放射線画像撮影装置３と同様でよ
く、光電変換素子４４のグリッドの配列方向の空間周波
数ｆＰ＝１／ＰＰ（サイクル／ｍｍ）と、グリッドピッ
チの空間周波数ｆＧ＝１／ＰＧ（サイクル／ｍｍ）との
関係を放射線画像撮影装置３と同様にすれば、上述の直
接変換方式の放射線画像撮影装置３においてグリッド板
３６を配列した場合における効果と同様の効果を、この
放射線画像撮影装置４においても得ることができる。さ
らに、上記図２に示したように、２次元画像読取装置４
２により読み取られた画像信号の内、グリッドピッチの
空間周波数ｆＧを担持する信号成分ＳＧを減衰させた
り、或いはグリッド板４６により生じるモアレ周波数を
担持する信号成分ＳＭを減衰させる画像処理手段を備え
た装置とし、画像上に現れるグリッド板や、周期的に現
れるモアレによる濃淡を、視覚上殆ど目立たなくするこ
とができるのは勿論である。
【００９２】図７は光変換方式の放射線固体検出器４０
を成す２次元画像読取装置４２を具体的に示したもので
あって、４画素分の光電変換素子およびスイッチング素
子を表した上面図である。図中斜線を付した部分５３が
シンチレータ４１からの蛍光を受光する受光面である。
この２次元画像読取装置５２は、光電変換素子５４，光
電変換素子５４で光電変換された信号電荷を信号処理回
路側へ転送するスイッチング素子５５，該スイッチング
素子５５を制御する走査線５６，信号処理回路へ結線さ
れる信号線５７，光電変換素子５４にバイアスを与える
電源ライン５８，および光電変換素子５４とスイッチン
グ素子５５を接続するためのコンタクトホール５９から
成る。
を成す２次元画像読取装置４２を具体的に示したもので
あって、４画素分の光電変換素子およびスイッチング素
子を表した上面図である。図中斜線を付した部分５３が
シンチレータ４１からの蛍光を受光する受光面である。
この２次元画像読取装置５２は、光電変換素子５４，光
電変換素子５４で光電変換された信号電荷を信号処理回
路側へ転送するスイッチング素子５５，該スイッチング
素子５５を制御する走査線５６，信号処理回路へ結線さ
れる信号線５７，光電変換素子５４にバイアスを与える
電源ライン５８，および光電変換素子５４とスイッチン
グ素子５５を接続するためのコンタクトホール５９から
成る。
【００９３】図８は、図７内Ａ−Ｂで切断した断面図で
ある。この図８を参照して、２次元画像読取装置５２の
形成方法について説明する。
ある。この図８を参照して、２次元画像読取装置５２の
形成方法について説明する。
【００９４】先ず、絶縁基板６０上にスパッタ法や抵抗
加熱法によりクロムＣｒを第１の金属薄膜層６１を約５
００オングストローム蒸着し、フォトリソグラフィによ
りパターニングし、不必要な領域をエッチングにより除
去する。この第１の金属薄膜層６１は光電変換素子５４
の下部電極およびスイッチング素子５５のゲート電極と
なる。
加熱法によりクロムＣｒを第１の金属薄膜層６１を約５
００オングストローム蒸着し、フォトリソグラフィによ
りパターニングし、不必要な領域をエッチングにより除
去する。この第１の金属薄膜層６１は光電変換素子５４
の下部電極およびスイッチング素子５５のゲート電極と
なる。
【００９５】次いで、ＣＶＤ法により同一真空内で、エ
レクトロンおよびホールの通過を阻止するアモルファス
チッカシリコン絶縁層（ａ−ＳｉＮX ）６２，水素化ア
モルファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）６３，
ホールキャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止層（Ｎ
＋層）６４を、夫々略２０００，５０００，５００オン
グストロームずつ順次積層させる。これらの各層は光電
変換素子５４の絶縁層／光電変換半導体層／ホール注入
阻止層となり、またスイッチング素子５５のゲート絶縁
膜／半導体層／オーミックコンタクト層となる。さら
に、これら各層は第１の金属薄膜層６１と第２の金属薄
膜層６５とのクロス部分（図７中の５１で示す部分）の
絶縁層としても利用される。
レクトロンおよびホールの通過を阻止するアモルファス
チッカシリコン絶縁層（ａ−ＳｉＮX ）６２，水素化ア
モルファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）６３，
ホールキャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止層（Ｎ
＋層）６４を、夫々略２０００，５０００，５００オン
グストロームずつ順次積層させる。これらの各層は光電
変換素子５４の絶縁層／光電変換半導体層／ホール注入
阻止層となり、またスイッチング素子５５のゲート絶縁
膜／半導体層／オーミックコンタクト層となる。さら
に、これら各層は第１の金属薄膜層６１と第２の金属薄
膜層６５とのクロス部分（図７中の５１で示す部分）の
絶縁層としても利用される。
【００９６】各層を積層した後、コンタクトホール５９
となる領域をＲＩＥまたはＣＤＥ等でドライエッチング
し、その後、第２の金属薄膜層６５としてのアルミニウ
ムＡｌをスパッタ法や抵抗加熱法で、略１００００オン
グストローム積層させる。さらにフォトリソグラフィに
よりパターニングし不必要な領域をエッチングにより除
去する。
となる領域をＲＩＥまたはＣＤＥ等でドライエッチング
し、その後、第２の金属薄膜層６５としてのアルミニウ
ムＡｌをスパッタ法や抵抗加熱法で、略１００００オン
グストローム積層させる。さらにフォトリソグラフィに
よりパターニングし不必要な領域をエッチングにより除
去する。
【００９７】第２の金属薄膜層６５は、光電変換素子５
４の上部電極，スイッチング素子５５のソース，ドレイ
ン電極，その他の配線類（走査線５６，信号線５７およ
び電源ライン５８）となる。また、第２の金属薄膜層６
５の製膜と同時にコンタクトホール５９部で第１および
第２の金属薄膜層が接続される。
４の上部電極，スイッチング素子５５のソース，ドレイ
ン電極，その他の配線類（走査線５６，信号線５７およ
び電源ライン５８）となる。また、第２の金属薄膜層６
５の製膜と同時にコンタクトホール５９部で第１および
第２の金属薄膜層が接続される。
【００９８】さらに、スイッチング素子５５のチャネル
部を形成するために、ソース電極，ドレイン電極間の一
部をＲＩＥ法でエッチングし、その後、不必要なａ−Ｓ
ｉＮX 層，ａ−Ｓｉ：Ｈ層，Ｎ＋層をＲＩＥ法でエッチ
ングし、各素子が分離される。これにより、光電変換素
子５４，スイッチング素子５５，走査線５６，信号線５
７および電源ライン５８が形成される。
部を形成するために、ソース電極，ドレイン電極間の一
部をＲＩＥ法でエッチングし、その後、不必要なａ−Ｓ
ｉＮX 層，ａ−Ｓｉ：Ｈ層，Ｎ＋層をＲＩＥ法でエッチ
ングし、各素子が分離される。これにより、光電変換素
子５４，スイッチング素子５５，走査線５６，信号線５
７および電源ライン５８が形成される。
【００９９】なお、図８では２画素分のみを図示してい
るが、多数の画素が同時に絶縁基板６０上に形成される
のは勿論である。最後に、耐湿性向上の目的で、各素子
や配線類をＳｉＮX のパッシベーション膜（保護膜）６
６で被覆する。
るが、多数の画素が同時に絶縁基板６０上に形成される
のは勿論である。最後に、耐湿性向上の目的で、各素子
や配線類をＳｉＮX のパッシベーション膜（保護膜）６
６で被覆する。
【０１００】このように、光電変換素子５４，スイッチ
ング素子５５，配線類を、同時に積層された共通の第１
の金属薄膜層６１，ａ−ＳｉＮX 層６２，ａ−Ｓｉ：Ｈ
層６３，Ｎ＋層６４および第２の金属薄膜層６５をエッ
チング処理するのみで形成することができる。このと
き、光電変換素子５４内には注入阻止層（Ｎ＋層）６４
が１箇所しかなく，かつ同一真空内で形成することがで
きる。
ング素子５５，配線類を、同時に積層された共通の第１
の金属薄膜層６１，ａ−ＳｉＮX 層６２，ａ−Ｓｉ：Ｈ
層６３，Ｎ＋層６４および第２の金属薄膜層６５をエッ
チング処理するのみで形成することができる。このと
き、光電変換素子５４内には注入阻止層（Ｎ＋層）６４
が１箇所しかなく，かつ同一真空内で形成することがで
きる。
【０１０１】したがって、既存のＣＶＤ装置やスパッタ
装置等の薄膜作成装置を容易に用いることができ、簡易
な工程で且つその工程数も少なく，さらに高歩留まり率
で且つ安価に、大面積で高性能の光変換方式の２次元画
像読取装置を生産することができる。
装置等の薄膜作成装置を容易に用いることができ、簡易
な工程で且つその工程数も少なく，さらに高歩留まり率
で且つ安価に、大面積で高性能の光変換方式の２次元画
像読取装置を生産することができる。
【０１０２】なお、上記の説明において、ホールと電子
を逆にして構成することも可能である。例えば、注入阻
止層はｐ層でもよく、この場合電圧や電界の印加を逆に
し，他の構成部分を構成すれば同様の動作をするものを
製造することができる。さらに、光電変換半導体層は光
が入射して電子，ホール対を発生する光電変換機能を有
していればよい。層構成も１層ではなく多層で構成して
もよい。
を逆にして構成することも可能である。例えば、注入阻
止層はｐ層でもよく、この場合電圧や電界の印加を逆に
し，他の構成部分を構成すれば同様の動作をするものを
製造することができる。さらに、光電変換半導体層は光
が入射して電子，ホール対を発生する光電変換機能を有
していればよい。層構成も１層ではなく多層で構成して
もよい。
【０１０３】同様に、スイッチング素子においても、ゲ
ート電極，ゲート絶縁膜，チャネル形成が可能な半導体
層，オーミックコンタクト層，主電極があればよい。例
えば、オーミックコンタクト層はｐ層でもよく、この場
合ゲート電極の制御の電圧を逆にしてホールをキャリア
として使用するものとすればよい。
ート電極，ゲート絶縁膜，チャネル形成が可能な半導体
層，オーミックコンタクト層，主電極があればよい。例
えば、オーミックコンタクト層はｐ層でもよく、この場
合ゲート電極の制御の電圧を逆にしてホールをキャリア
として使用するものとすればよい。
【０１０４】このように、本発明による放射線画像撮影
方法および放射線画像撮影装置によれば、放射線固体検
出装置と放射線源との間に特定方向からの放射線のみを
放射線固体検出装置へ導出するグリッド板を備えるよう
にしたので、被写体内で散乱された放射線がグリッド板
の放射線吸収物質で吸収され、散乱放射線による画像品
質の劣化という問題を解消することができる。
方法および放射線画像撮影装置によれば、放射線固体検
出装置と放射線源との間に特定方向からの放射線のみを
放射線固体検出装置へ導出するグリッド板を備えるよう
にしたので、被写体内で散乱された放射線がグリッド板
の放射線吸収物質で吸収され、散乱放射線による画像品
質の劣化という問題を解消することができる。
【０１０５】また、センサの空間周波数ｆ０がグリッド
ピッチの空間周波数ｆＧの２倍以上となるようにすれ
ば、いわゆるサンプリング定理にしたがい、モアレ現象
による画像の濃淡が視認されなくなる。さらに、センサ
の空間周波数ｆ０がグリッドピッチの空間周波数ｆＧの
２倍以上となるようにできない場合であっても、モアレ
周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるようにすれ
ば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくすること
により、その濃淡を視覚上目立たなくすることができ
る。
ピッチの空間周波数ｆＧの２倍以上となるようにすれ
ば、いわゆるサンプリング定理にしたがい、モアレ現象
による画像の濃淡が視認されなくなる。さらに、センサ
の空間周波数ｆ０がグリッドピッチの空間周波数ｆＧの
２倍以上となるようにできない場合であっても、モアレ
周波数が１（サイクル／ｍｍ）以上となるようにすれ
ば、画像上に周期的に現れる濃淡の数を少なくすること
により、その濃淡を視覚上目立たなくすることができ
る。
【０１０６】また、センサの空間周波数がグリッドピッ
チの空間周波数ｆＧの２倍以上であるもの以外の装置に
あっては、２次元画像読取装置により読み取られた画像
信号の内、グリッドにより生じるモアレ周波数を担持す
る信号成分ＳＭを減衰させれば、画像上に現れるモアレ
を視覚上目立たなくすることができる。また、１（サイ
クル／ｍｍ）以下の重要な成分を失うこともない。
チの空間周波数ｆＧの２倍以上であるもの以外の装置に
あっては、２次元画像読取装置により読み取られた画像
信号の内、グリッドにより生じるモアレ周波数を担持す
る信号成分ＳＭを減衰させれば、画像上に現れるモアレ
を視覚上目立たなくすることができる。また、１（サイ
クル／ｍｍ）以下の重要な成分を失うこともない。
【０１０７】また、２次元画像読取装置により読み取ら
れた画像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを
担持する信号成分ＳＧを減衰させれば、画像上に現れる
グリッドを視覚上目立たなくすることができる。
れた画像信号の内、グリッドピッチの空間周波数ｆＧを
担持する信号成分ＳＧを減衰させれば、画像上に現れる
グリッドを視覚上目立たなくすることができる。
【０１０８】また、既存のＣＶＤ装置やスパッタ装置等
の薄膜作成装置を用いて、簡易な工程で且つその工程数
も少なく，さらに高歩留まり率で且つ安価に、大面積で
高性能の光変換方式の２次元画像読取装置を生産するこ
とができる。
の薄膜作成装置を用いて、簡易な工程で且つその工程数
も少なく，さらに高歩留まり率で且つ安価に、大面積で
高性能の光変換方式の２次元画像読取装置を生産するこ
とができる。
【図１】本発明による改良型直接変換方式の放射線画像
撮影装置の構成を示す図（Ａ），放射線固体検出器を第
２の導電体層側から見た平面図（Ｂ），放射線固体検出
器をグリッド板側から見た平面図（Ｃ）
撮影装置の構成を示す図（Ａ），放射線固体検出器を第
２の導電体層側から見た平面図（Ｂ），放射線固体検出
器をグリッド板側から見た平面図（Ｃ）
【図２】画像処理手段を備えた放射線画像撮影装置を説
明する図；装置の構成を示すブロック図（Ａ），２次元
画像読取装置の出力信号が担持する画像を説明する図
（Ｂ），グリッドピッチの空間周波数を担持する信号成
分を減衰させるフィルタの特性例を示す図（Ｃ），グリ
ッド板により生じるモアレ周波数を担持する信号成分を
減衰させるフィルタの特性例を示す図（Ｄ）
明する図；装置の構成を示すブロック図（Ａ），２次元
画像読取装置の出力信号が担持する画像を説明する図
（Ｂ），グリッドピッチの空間周波数を担持する信号成
分を減衰させるフィルタの特性例を示す図（Ｃ），グリ
ッド板により生じるモアレ周波数を担持する信号成分を
減衰させるフィルタの特性例を示す図（Ｄ）
【図３】グリッド板の配列方向を変えた態様の改良型直
接変換方式の放射線画像撮影装置の構成を示す図
（Ａ），放射線固体検出器を第２の導電体層側から見た
平面図（Ｂ），放射線固体検出器をグリッド板側から見
た平面図（Ｃ）
接変換方式の放射線画像撮影装置の構成を示す図
（Ａ），放射線固体検出器を第２の導電体層側から見た
平面図（Ｂ），放射線固体検出器をグリッド板側から見
た平面図（Ｃ）
【図４】グリッド板を市松模様状にした態様を示す図
【図５】本発明による直接変換方式の放射線画像撮影装
置の構成を示す図
置の構成を示す図
【図６】本発明による光変換方式の放射線画像撮影装置
の構成を示す図
の構成を示す図
【図７】光変換方式の放射線固体検出器を成す２次元画
像読取装置を具体的に示した図
像読取装置を具体的に示した図
【図８】光変換方式の放射線固体検出器を成す２次元画
像読取装置の断面図（図７内Ａ−Ｂ断面）
像読取装置の断面図（図７内Ａ−Ｂ断面）
１，２，３，４ 放射線画像撮影装置
８ 放射線源
９ 被写体
10 改良型直接変換方式の放射線固体検出器
15ａ ストライプ状電極
16，17，26，36，46 グリッド板
16ａ，17ａ，26ａ，36ａ，46ａ 放射線吸収物質
16ｂ，17ｂ，26ｂ，36ｂ，46ｂ 放射線透過物質
30 直接変換方式の放射線固体検出器
31 放射線導電体
32 ２次元画像読取装置
33 電荷収集電極
34 コンデンサ
35 スイッチング素子
40 光変換方式の放射線固体検出器
41 蛍光体（シンチレータ）
42 ２次元画像読取装置
44 光電変換素子
45 スイッチング素子
52 ２次元画像読取装置
53 受光面
54 光電変換素子
55 スイッチング素子
56 走査線
57 信号線
58 電源ライン
59 コンタクトホール
60 絶縁基板
61 第１の金属薄膜層
62 アモルファスチッカシリコン絶縁層（ａ−ＳｉＮ
X ） 63 水素化アモルファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ） 64 ホールキャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止
層（Ｎ＋層） 65 第２の金属薄膜層
X ） 63 水素化アモルファスシリコン光電変換層（ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ） 64 ホールキャリアの注入を阻止するＮ型の注入阻止
層（Ｎ＋層） 65 第２の金属薄膜層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−258079（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−75332（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−70401（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−208016（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−98970（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−160149（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−194769（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
A61B 6/00
A61B 6/06
Claims (8)
- 【請求項１】 放射線を発する放射線源と、画像情報を
担持する潜像電荷をストライプ状電極により読み出す２
次元画像読取装置と、該２次元画像読取装置と前記放射
線源との間に配置された特定方向からの放射線のみを前
記２次元画像読取装置へ導出するグリッド板とを備えて
なり、 前記２次元画像読取装置が、前記ストライプ状電極が所
定のピッチで該ストライプ状電極の長手方向に対して略
直角な方向に配列されたものであり、 前記グリッド板が、放射線を吸収する物質と放射線を透
過する物質とが交互に所定のグリッドピッチで前記略直
角な方向に配列されたものであり、 前記ストライプ状電極のピッチの空間周波数と、前記グ
リッドピッチの空間周波数との差が１サイクル／ｍｍ以
上であり、かつ前記ストライプ状電極のピッチの空間周
波数が前記グリッドピッチの空間周波数の２倍よりも小
さいことを特徴とする放射線画像撮影装置。 - 【請求項２】 放射線を発する放射線源と、画像情報を
担持する潜像電荷をストライプ状電極により読み出す２
次元画像読取装置と、該２次元画像読取装置と前記放射
線源との間に配置された特定方向からの放射線のみを前
記２次元画像読取装置へ導出するグリッド板とを備えて
なり、 前記２次元画像読取装置が、前記ストライプ状電極が所
定のピッチで該ストライプ状電極の長手方向に対して略
直角な方向に配列されたものであり、 前記グリッド板が、放射線を吸収する物質と放射線を透
過する物質とが交互に所定のグリッドピッチで前記長手
方向に配列されたものであり、 前記長手方向に走査して前記潜像電荷を読み出す際のサ
ンプリングピッチの空間周波数と、前記グリッドピッチ
の空間周波数との差が１サイクル／ｍｍ以上であり、か
つ前記長手方向に走査して前記潜像電荷を読み出す際の
サンプリングピッチの空間周波数が前記グリッドピッチ
の空間周波数の２倍よりも小さいことを特徴とする放射
線画像撮影装置。 - 【請求項３】 放射線を発する放射線源と、絶縁基板上
に夫々が画素に対応する複数個の電荷収集電極を２次元
状に形成した２次元画像読取装置と、前記２次元画像読
取装置上に形成された画像情報を担持する放射線が照射
されると前記画像情報を担持する電荷を発生する放射線
導電体と、該放射線導電体と前記放射線源との間に配置
された特定方向からの放射線のみを前記放射線導電体へ
導出するグリッド板とを備えてなり、 前記２次元画像読取装置が、前記電荷収集電極が所定の
ピッチでＸ方向およびＹ方向に配列されたものであり、 前記グリッド板が、放射線を吸収する物質と放射線を透
過する物質とが交互に所定のグリッドピッチで前記Ｘ方
向およびＹ方向の少なくともどちらか一方向に配列され
たものであり、 前記電荷収集電極の前記グリッドの配列方向の空間周波
数と、前記グリッドピッチの空間周波数との差が１サイ
クル／ｍｍ以上であり、かつ前記電荷収集電極の前記グ
リッドの配列方向の空間周波数が前記グリッドピッチの
空間周波数の２倍よりも小さいことを特徴とする放射線
画像撮影装置。 - 【請求項４】 放射線を発する放射線源と、絶縁基板状
に夫々が画素に対応する複数個の光電変換素子を２次元
状に形成した２次元画像読取装置と、前記２次元画像読
取装置上に形成された画像情報を担持する放射線が照射
されると前記画像情報を担持する可視光に変換する蛍光
体と、前記蛍光体と放射線源との間に配置された特定方
向からの放射線のみを前記蛍光体へ導出するグリッド板
とを備えてなる放射線画像撮影装置において、 前記２次元画像読取装置が、前記光電変換素子が所定の
ピッチでＸ方向およびＹ方向に配列されたものであり、 前記グリッド板が、放射線を吸収する物質と放射線を透
過する物質とが交互に所定のグリッドピッチで前記Ｘ方
向およびＹ方向の少なくともどちらか一方向に配列され
たものであり、 前記光電変換素子の前記グリッドの配列方向の空間周波
数と、前記グリッドピッチの空間周波数との差が１サイ
クル／ｍｍ以上であり、かつ前記光電変換素子の前記グ
リッドの配列方向の空間周波数が前記グリッドピッチの
空間周波数の２倍よりも小さいことを特徴とする放射線
画像撮影装置。 - 【請求項５】 前記光電変換素子が、下部電極としての
第１の金属薄膜層、エレクトロンおよびホールの通過を
阻止するアモルファスチッカシリコン絶縁層（ａ−Ｓｉ
ＮＸ ）、水素化アモルファスシリコン光電変換層（ａ
−Ｓｉ：Ｈ）、ホールキャリアの注入を阻止するＮ型の
注入阻止層またはエレクトロンキャリアの注入を阻止す
るＰ型の注入阻止層、上部電極としての透明電極層また
は前記注入阻止層上の一部に配列した第２の金属薄膜層
が、前記絶縁基板側からこの順に積層されてなることを
特徴とする請求項４記載の放射線画像撮影装置。 - 【請求項６】 前記２次元画像読取装置により読み取ら
れた画像信号の内、グリッドピッチの空間周波数を担持
する信号成分を減衰させる第１の画像処理手段を備えた
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の放
射線画像撮影装置。 - 【請求項７】 前記２次元画像読取装置により読み取ら
れた画像信号の内、グリッドにより生じるモアレ周波数
を担持する信号成分を減衰させる第２の画像処理手段を
備えたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載
の放射線画像撮影装置。 - 【請求項８】 前記２次元画像読取装置により読み取ら
れた画像信号をデジタル化するＡ／Ｄ変換器をさらに備
えたものであり、前記画像処理手段手段が、該デジタル
化された画像信号に基づいて、前記信号成分を減衰させ
るものであることを特徴とする請求項６または７記載の
放射線画像撮影装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23129498A JP3447223B2 (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 放射線画像撮影装置 |
| US09/376,349 US6229877B1 (en) | 1998-08-18 | 1999-08-18 | Radiation image recording and read-out method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23129498A JP3447223B2 (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 放射線画像撮影装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000060843A JP2000060843A (ja) | 2000-02-29 |
| JP3447223B2 true JP3447223B2 (ja) | 2003-09-16 |
Family
ID=16921365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23129498A Expired - Fee Related JP3447223B2 (ja) | 1998-08-18 | 1998-08-18 | 放射線画像撮影装置 |
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|---|---|
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| JP (1) | JP3447223B2 (ja) |
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| KR101408138B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2014-06-17 | 한국원자력연구원 | 인쇄형 방사선 영상 센서, 이를 구비하는 방사선 영상 장치 및 이의 제조 방법 |
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| US6690767B2 (en) | 1998-10-29 | 2004-02-10 | Direct Radiography Corp. | Prototile motif for anti-scatter grids |
| JP3827876B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2006-09-27 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像データ取得方法および装置並びに放射線固体検出器 |
| FR2793954B1 (fr) * | 1999-05-19 | 2003-06-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de detection de rayonnement a forte dynamique |
| EP1081508A3 (en) * | 1999-08-30 | 2002-01-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for recording and reading out images |
| JP2001211289A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像取得方法および装置 |
| JP2001296363A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線検出装置 |
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| JP4505949B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2010-07-21 | 株式会社島津製作所 | 放射線画像撮影装置 |
| JP3987676B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2007-10-10 | 株式会社日立メディコ | Ｘ線計測装置 |
| EP1202555A3 (en) * | 2000-08-28 | 2004-12-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image signal generating method, apparatus and program |
| JP3793139B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2006-07-05 | キヤノン株式会社 | Ｘ線撮像装置 |
| JP4067055B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2008-03-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその製造方法、放射線撮像装置、放射線撮像システム |
| GB0409572D0 (en) * | 2004-04-29 | 2004-06-02 | Univ Sheffield | High resolution imaging |
| EP2223306B1 (en) * | 2007-11-19 | 2011-08-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A radiation detector comprising an imaging radiation-collimating structure |
| WO2018139228A1 (ja) * | 2017-01-30 | 2018-08-02 | 富士フイルム株式会社 | 画像処理装置、画像形成装置、画像処理方法、及び画像処理プログラム |
| JP6593853B1 (ja) * | 2018-09-19 | 2019-10-23 | 株式会社三田屋製作所 | グリッドおよびグリッド付きｘ線検出器 |
Family Cites Families (6)
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|---|---|---|---|---|
| US4803359A (en) | 1983-05-16 | 1989-02-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for detecting radiation image |
| JP2717654B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1998-02-18 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像情報記録読取装置 |
| JPH01216290A (ja) | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Shimadzu Corp | 半導体放射線位置検出器とその製造方法 |
| JPH02164067A (ja) | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Fujitsu Ltd | Ｘ線画像センサ |
| US5028784A (en) * | 1989-04-11 | 1991-07-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for generating radiation image signals, image processing method, and radiation image read-out apparatus |
| US5187369A (en) | 1990-10-01 | 1993-02-16 | General Electric Company | High sensitivity, high resolution, solid state x-ray imaging device with barrier layer |
-
1998
- 1998-08-18 JP JP23129498A patent/JP3447223B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-08-18 US US09/376,349 patent/US6229877B1/en not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101408138B1 (ko) * | 2013-03-14 | 2014-06-17 | 한국원자력연구원 | 인쇄형 방사선 영상 센서, 이를 구비하는 방사선 영상 장치 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000060843A (ja) | 2000-02-29 |
| US6229877B1 (en) | 2001-05-08 |
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