JP3440992B2 - シリコンと窒素を主成分とする発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子 - Google Patents
シリコンと窒素を主成分とする発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子Info
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Description
インターコネクション、光通信及び可視光源の分野で使
用されるシリコンベースの発光材料及びその製造方法並
びにこれを用いた発光素子に関するものである。
ン基板上の発光素子としては、ガリウムヒ素等の化合物
半導体の応用が候補となる。しかしそれらの化合物半導
体は、シリコン基板上で欠陥の少ない構造を作製するこ
とが困難であり、熱安定性が乏しい。またその製造にお
いては、既存のシリコン集積回路の製造プロセスのみで
は対応できず、新たな製造プロセスの付加が必要とな
り、製造コストが高くなる。そのため、既存のシリコン
集積回路の製造プロセスのみで製造可能なシリコンベー
スの発光構造の作製技術が望まれる。シリコンベースの
発光材料としては、陽極酸化により作製するポーラスシ
リコンが知られている(L.T.Canham,"Appl.Phys.Lett.Vo
l.57,No.10,3 September,1990,pp.1046-1048)。
法で製造されたポーラスシリコンは、発光効率が低く、
発光減衰速度がマイクロ秒(μsec)オーダーと遅い
問題がある。また、その製造工程は電気化学的な処理を
伴うウエットプロセスを有するため複雑であり、シリコ
ン集積回路の製造プロセスには適用できない。またこの
ようにしてして製造されたポーラスシリコンは脆弱で壊
れやすい問題がある。本発明の目的は、シリコン集積回
路の製造プロセスを用いて基板上に作製可能であって、
発光効率が高く、発光減衰速度がナノ秒(nsec)オ
ーダーと速い発光材料を提供することにある。本発明の
別の目的は、上記発光材料を簡便にかつ安価に製造する
方法を提供することにある。本発明の別の目的は、上記
発光材料を用いた可視光源として利用できる発光素子を
提供することにある。
シリコンと窒素を主成分とし、アモルファス構造を有す
る発光材料であって、Si3N4を構成するシリコンの化
学量論的理論量よりもシリコンの組成比が大きく、発光
強度が2.2eV近傍でピークを持つことを特徴とする
シリコンと窒素を主成分とする発光材料である。シリコ
ンリッチなアモルファス構造を有することにより2.2
eV近傍での発光に寄与する微細な構造が密にでき、発
光効率が高く、発光減衰速度の速い発光材料が得られ
る。
明であって、シリコンが微結晶粒子又はアモルファスの
状態で分散している発光材料である。
ラン(SiH4)とアンモニア(NH3)を使用し、Si
H4/(SiH4+NH3)のガス流量比が0.1以上に
なるように減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法によ
り基板上に600〜1400℃でシリコンと窒素を主成
分としシリコンリッチなアモルファス構造を有する発光
材料を堆積する発光材料の製造方法である。請求項4に
係る発明は、請求項3に係る発明であって、ガス流量比
が0.2〜0.7であって、成膜温度が700〜120
0℃である製造方法である。
クロルシラン(SiH2Cl2)とアンモニア(NH3)
を使用し、SiH2Cl2/(SiH2Cl2+NH3)の
ガス流量比が0.1以上になるように減圧化学気相堆積
法又は化学気相堆積法により基板上に600〜1400
℃でシリコンと窒素を主成分としシリコンリッチなアモ
ルファス構造を有する発光材料を堆積する発光材料の製
造方法である。請求項6に係る発明は、請求項5に係る
発明であって、ガス流量比が0.2〜0.7であって、
成膜温度が700〜1200℃である製造方法である。
リクロルシラン(SiHCl3)とアンモニア(NH3)
を使用し、SiHCl3/(SiHCl3+NH3)のガ
ス流量比が0.1以上になるように減圧化学気相堆積法
又は化学気相堆積法により基板上に600〜1400℃
でシリコンと窒素を主成分としシリコンリッチなアモル
ファス構造を有する発光材料を堆積する発光材料の製造
方法である。請求項8に係る発明は、請求項7に係る発
明であって、ガス流量比が0.2〜0.7であって、成
膜温度が700〜1200℃である製造方法である。
シリコンと窒素を主成分とし、アモルファス構造を有す
る発光材料であって、Si3N4を構成するシリコンの化
学量論的理論量よりもシリコンの組成比が大きく、発光
強度が2.2eV近傍でピークを持つ発光材料が基板1
1上に発光層12として形成された発光素子10であ
る。
法は請求項3に係る方法であって、原料ガスとしてシラ
ン(SiH4)とアンモニア(NH3)を使用し、SiH
4/(SiH4+NH3)のガス流量比が0.1以上にな
るように減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法により
基板上に600〜1400℃でシリコンと窒素を主成分
としシリコンリッチなアモルファス構造を有する発光材
料を堆積する。
項5に係る方法であって、原料ガスとしてジクロルシラ
ン(SiH2Cl2)とアンモニア(NH3)を使用し、
SiH2Cl2/(SiH2Cl2+NH3)のガス流量比
が0.1以上になるように減圧化学気相堆積法又は化学
気相堆積法により基板上に600〜1400℃でシリコ
ンと窒素を主成分としシリコンリッチなアモルファス構
造を有する発光材料を堆積する。
項7に係る方法であって、原料ガスとしてトリクロルシ
ラン(SiHCl3)とアンモニア(NH3)を使用し、
SiHCl3/(SiHCl3+NH3)のガス流量比が
0.1以上になるように減圧化学気相堆積法又は化学気
相堆積法により基板上に600〜1400℃でシリコン
と窒素を主成分としシリコンリッチなアモルファス構造
を有する発光材料を堆積する。
ガス流量比が0.1未満の場合には成膜物がシリコンリ
ッチにならないため、2.2eV近傍での発光が得られ
ず、好ましくない。また成膜温度が600℃に満たない
場合には成膜物がシリコンリッチにならないため、2.
2eV近傍での発光効率が低く、しかも膜成長速度が遅
くなる不都合があり、1400℃を超えると成膜物の構
造が変化して2.2eV近傍での発光が得られなくなり
好ましくない。第1〜第3の製造方法により製造された
発光材料は2.2eV近傍に発光ピークを有し、発光効
率が高く、発光減衰速度の速い発光材料である。請求項
4,7及び8に係る方法では、ガス流量比は0.2〜
0.7であって、成膜温度は700〜1200℃であ
る。このような条件下では光エネルギーが2.2eV近
傍で発光ピークが顕著に強く発現するため、更に発光効
率が高くなり、発光減衰速度が極めて速い発光材料が得
られる。
に基板11上に請求項1又は請求項2に係る発光材料が
発光層12として形成される。この基板としてはシリコ
ン基板が好ましい。請求項1又は請求項2に係る発光材
料を発光層12とすることにより、発光効率が高く、発
光減衰速度の速い発光素子10が得られる。
型のシリコン基板である場合には、発光層12上にクラ
ッド層となるn型のシリコン層13を形成する。基板1
1がn型のシリコン基板である場合には、発光層12上
にp型のシリコン層13を形成する。このシリコン層1
3は発光層12に続いて同一の減圧化学気相堆積装置又
は化学気相堆積装置で行うと効率的である。シリコン層
13を形成した後、シリコン層13の上面及び基板11
の下面にそれぞれ電極15及び14を形成することによ
り、LED発光素子10が得られる。
3を成膜せずに、MIS構造を作製してもよい。また発
光材料成膜時に、p型基板の場合にはn型のドーパント
をドーピングし、n型基板の場合にはp型のドーパント
をドーピングすることによりLEDを作製してもよい。
その他に請求項1又は請求項2に係る発光材料を発光層
として用いる発光素子は全て請求項9に係る発光素子と
なる。また本発明の発光素子をIC(集積回路)中に作
り込むこともできる。
ピタキシー(MBE)法や有機金属気相成長(MOCV
D)法を用いずに、既存のシリコン電子デバイス製造に
広く用いられる減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法
により安価にかつ簡便に行うことができる。
る。 <実施例1>減圧化学気相堆積装置を用いて下記の条件
でシリコン基板上にシリコンと窒素を主成分としアモル
ファス構造を有する発光材料を堆積した。即ち、通常の
RCA洗浄を施した結晶方位が(001)面であるシリ
コンウェーハをシリコン基板として、この基板上に77
5℃の成膜温度でSiH2Cl2ガスとNH3ガスをそれ
ぞれガス流量200cc/minでガス圧0.3Tor
rの条件で30分間流して、膜厚が200nmの発光層
を形成した。即ち、SiH2Cl2/(SiH2Cl2+N
H3)のガス流量比が0.5とした。この発光層にHe
−Cdレーザ(325nm)で光励起した時の発光特性
を図1の曲線Aに示す。曲線Aから明らかなように2.
2eVにピークを持つ発光が肉眼で確認された。
発光の時間依存性を時間分解フォトルミネッセンス法に
より測定した結果を図4に示す。図4から明らかなよう
に約1nsecで発光(PL)強度が1/eとなり、発
光減衰速度がnsecオーダーであることが分る。
cc/minで流したこと、即ち、SiH2Cl2/(S
iH2Cl2+NH3)のガス流量比が0.66としたこ
とを除いては実施例1と同様にしてシリコン基板上に膜
厚が150nmの発光層を形成した。この発光層にHe
−Cdレーザ(325nm)で光励起した時の発光特性
を図1の曲線Bに示す。曲線Bから明らかなように発光
スペクトルの形状はガウス型関数により説明できること
が分った。また曲線の半値幅は1eV前後であることが
確認された。
cc/minで流したこと、即ち、SiH2Cl2/(S
iH2Cl2+NH3)のガス流量比が0.33としたこ
とを除いては実施例1と同様にしてシリコン基板上に膜
厚が300nmの発光層を形成した。この発光層にHe
−Cdレーザ(325nm)で光励起した時の発光特性
を図1の曲線Cに示す。曲線Cから明らかなように発光
スペクトルの形状はガウス型関数により説明できること
が分った。また曲線の半値幅は1eV前後であることが
確認された。
とを除いては実施例1と同様にしてシリコン基板上に膜
厚が100nmの発光層を形成した。この発光層にHe
−Cdレーザ(325nm)で光励起した時の発光特性
を図2の曲線Dに示す。曲線Dから明らかなように2.
2eVにピークを持つ発光が確認された。
とを除いては実施例1と同様にしてシリコン基板上に膜
厚が400nmの発光層を形成した。この発光層にHe
−Cdレーザ(325nm)で光励起した時の発光特性
を図2の曲線Eに示す。曲線Eから明らかなように2.
2eVにピークを持つ発光が確認された。なお、図2に
は実施例4の曲線Dと実施例5の曲線Eとの各ピークを
実施例1のピークと比較するために、実施例1の曲線A
も示した。
て下記の条件でシリコン基板上にシリコンと窒素を主成
分としアモルファス構造を有する発光材料を堆積した。
即ち、図3に示すように通常のRCA洗浄を施した結晶
方位が(001)面である高ドープp型シリコンウェー
ハ1をシリコン基板として、この基板上に775℃の成
膜温度でSiH2Cl2ガスとNH3ガスをそれぞれガス
流量200cc/min(SiH2Cl2/(SiH2C
l2+NH3)のガス流量比が0.5)でガス圧0.3T
orrの条件で90秒間流して膜厚が10nmの発光層
12を形成した。この発光層12上にシラン(Si
H4)とアルシン(AsH3)を原料ガスとして用いて高
ドープn型シリコン層13を100nmの厚さで成膜し
た。次いで蒸着装置を用いてp型シリコン基板1の下面
にAl電極14を形成し、n型シリコン層3の上面にA
u−Sb合金電極15を形成して、pIn(p-Insulator
-n)型発光素子10を作製した。このようにして作製さ
れた発光素子10に3Vの順バイアスを印加したとこ
ろ、2.2eVにピークを持つ強い発光が肉眼で確認さ
れた。
シリコン集積回路の製造プロセスを用いてシリコン基板
のような基板上に直接作製することができる。また、シ
リコンと窒素を主成分とし、アモルファス構造を有する
発光材料であって、Si3N4を構成するシリコンの化学
量論的理論量よりもシリコンの組成比が大きい本発明の
発光材料は2.2eV近傍での発光に寄与する微細な構
造が密にできるため、発光効率が高く、発光減衰速度が
速い。また減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法とい
う従来の簡便な工程を利用して安価に発光材料を製造で
きる利点もある。また2.2eV近傍に強い発光ピーク
を有するため、光インターコネクションの分野で使用さ
れる各種の光ファイバに適合した波長を発光する発光素
子を作り出すことができる。
数との関係を示す図。
数との関係を示す図。
関係を示す図。
Claims (9)
- 【請求項1】 シリコンと窒素を主成分とし、アモルフ
ァス構造を有する発光材料であって、Si3N4を構成す
るシリコンの化学量論的理論量よりもシリコンの組成比
が大きく、発光強度が2.2eV近傍でピークを持つこ
とを特徴とするシリコンと窒素を主成分とする発光材
料。 - 【請求項2】 シリコンが微結晶粒子又はアモルファス
の状態で分散している請求項1記載の発光材料。 - 【請求項3】 原料ガスとしてシラン(SiH4)とア
ンモニア(NH3)を使用し、SiH4/(SiH4+N
H3)のガス流量比が0.1以上になるように減圧化学
気相堆積法又は化学気相堆積法により基板上に600〜
1400℃でシリコンと窒素を主成分とし、シリコンリ
ッチなアモルファス構造を有し、発光強度が2.2eV
近傍でピークを持つ発光材料を堆積する発光材料の製造
方法。 - 【請求項4】 ガス流量比が0.2〜0.7であって、
成膜温度が700〜1200℃である請求項3記載の製
造方法。 - 【請求項5】 原料ガスとしてジクロルシラン(SiH
2Cl2)とアンモニア(NH3)を使用し、SiH2Cl
2/(SiH2Cl2+NH3)のガス流量比が0.1以上
になるように減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法に
より基板上に600〜1400℃でシリコンと窒素を主
成分とし、シリコンリッチなアモルファス構造を有し、
発光強度が2.2eV近傍でピークを持つ発光材料を堆
積する発光材料の製造方法。 - 【請求項6】 ガス流量比が0.2〜0.7であって、
成膜温度が700〜1200℃である請求項5記載の製
造方法。 - 【請求項7】 原料ガスとしてトリクロルシラン(Si
HCl3)とアンモニア(NH3)を使用し、SiHCl
3/(SiHCl3+NH3)のガス流量比が0.1以上
になるように減圧化学気相堆積法又は化学気相堆積法に
より基板上に600〜1400℃でシリコンと窒素を主
成分とし、シリコンリッチなアモルファス構造を有し、
発光強度が2.2eV近傍でピークを持つ発光材料を堆
積する発光材料の製造方法。 - 【請求項8】 ガス流量比が0.2〜0.7であって、
成膜温度が700〜1200℃である請求項7記載の製
造方法。 - 【請求項9】 シリコンと窒素を主成分とし、アモルフ
ァス構造を有する発光材料であって、Si3N4を構成す
るシリコンの化学量論的理論量よりもシリコンの組成比
が大きく、発光強度が2.2eV近傍でピークを持つ発
光材料が基板(11)上に発光層(12)として形成された発光
素子。
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