JP3435092B2 - Resin sealing mold for semiconductor element and resin sealing method for semiconductor element - Google Patents

Resin sealing mold for semiconductor element and resin sealing method for semiconductor element

Info

Publication number
JP3435092B2
JP3435092B2 JP9513999A JP9513999A JP3435092B2 JP 3435092 B2 JP3435092 B2 JP 3435092B2 JP 9513999 A JP9513999 A JP 9513999A JP 9513999 A JP9513999 A JP 9513999A JP 3435092 B2 JP3435092 B2 JP 3435092B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
resin
die
thin plate
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP9513999A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000280298A (en
Inventor
俊一 小野
Original Assignee
株式会社サイネックス
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社サイネックス filed Critical 株式会社サイネックス
Priority to JP9513999A priority Critical patent/JP3435092B2/en
Publication of JP2000280298A publication Critical patent/JP2000280298A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3435092B2 publication Critical patent/JP3435092B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を合成
樹脂で封止する半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素
子の樹脂封止方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor element resin encapsulation mold for encapsulating a semiconductor element with a synthetic resin and a method for encapsulating a semiconductor element with a resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、従来の半導体素子用樹脂封止金
型は、例えば図3(A)に示すように、金型1のキャビ
ティ17内に配置された半導体素子10が下金型2内の
インタポーザ4の上に載っており、ここに溶融した樹脂
を射出させる。図3(B)に示すように、溶融した樹脂
が硬化すると、半導体パッケージのモールド部分3が形
成される。
2. Description of the Related Art Generally, in a conventional resin-sealed mold for a semiconductor element, as shown in FIG. 3A, for example, a semiconductor element 10 placed in a cavity 17 of a mold 1 is placed in a lower mold 2. It is mounted on the interposer 4 of No. 3, and the molten resin is injected there. As shown in FIG. 3B, when the molten resin is cured, the mold portion 3 of the semiconductor package is formed.

【0003】このモールド部3は、その特性上金型に密
着する性質を有するため、金型1からモールド3部を外
す離型機構を特別に設ける必要である。従来、離型機構
として、図3及び特開平7−214600号等に示すよ
うに上金型1に設けた複数のイジェクトピン5による方
式と図4及び特開平9−117931号等に示す離型用
フィルム6による方式が用いられてきた。図3を参照し
てイジェクトピン5による離型方式を説明する。まず、
キャビティ17の形成された上金型1に複数のイジェク
トピン5を配設する。イジェクトピン5は、図3(A)
(B)に示すように、樹脂の射出成形時には、キャビテ
ィ17から後退しており、樹脂硬化後に図3(C)に示
す様に金型内で成形されたモールド3部を、複数のイジ
ェクトピン5で下向きに押さえながら上金型1を矢印A
方向に上昇させると、モールド3部が上金型1から外
れ、離型が完了する(図3(D)参照)。
Since the mold part 3 has a property of closely adhering to the mold due to its characteristic, it is necessary to specially provide a releasing mechanism for removing the mold part 3 from the mold 1. Conventionally, as a mold release mechanism, a system using a plurality of eject pins 5 provided in the upper mold 1 as shown in FIG. 3 and Japanese Patent Laid-Open No. 7-214600, and a mold release shown in FIG. 4 and Japanese Patent Laid-Open No. 9-117931. The method using the film 6 has been used. A mold releasing method using the eject pin 5 will be described with reference to FIG. First,
A plurality of eject pins 5 are arranged in the upper mold 1 having the cavity 17 formed therein. The eject pin 5 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3B, when the resin is injection-molded, it is retracted from the cavity 17, and after the resin is cured, the mold 3 part molded in the mold as shown in FIG. While pressing downward with 5, press the upper mold 1 with arrow A
When the mold is lifted in the direction, the mold 3 part comes off the upper mold 1, and the mold release is completed (see FIG. 3D).

【0004】次に、図4を参照して離型用フィルム6を
使用した半導体素子の樹脂封止方法を説明する。キャビ
ティ17の形成された上金型1には、真空吸着穴9が形
成され図外の吸着装置に接続されている。また、金型の
一端には、フィルム供給リール7が、他端にはフィルム
巻取りリール8が配設されている。フィルム供給リール
7により供給された離型用フィルム6は、上金型1に設
けられている真空吸着穴9により上金型1のキャビティ
17に沿って吸い付けられ固定される(図3(A)参
照)。この状態で金型1,2を閉じた後、キャビティ1
7内に溶融樹脂を充填させる(図3B)。この方式で
は、離型用フィルム6が成形されたモールド3部と上金
型1の間に入り、モールド3部が上金型1に直接接触す
るのを防止する。離型用フィルム6は、その特性上、モ
ールド3部と密着しないため、金型が開く時にモールド
3部は離型用フィルム6から外れ、離型が完了する(図
3(C)参照)。一度使用された離型用フィルム6は、
フィルム巻取りリール8により巻き取られ、フィルム供
給リール7から順次新しい離型用フィルム6が供給され
る。また、下金型2と半導体素子10とは、インタポー
ザ4を介して配置されているので、密着する事はない。
また、特開平3−193427号に示すようにエアーの
みによって金型から離型する方式のものが提案されてい
た。
Next, with reference to FIG. 4, a method of resin-sealing a semiconductor element using the release film 6 will be described. A vacuum suction hole 9 is formed in the upper mold 1 in which the cavity 17 is formed, and is connected to a suction device (not shown). A film supply reel 7 is provided at one end of the mold, and a film take-up reel 8 is provided at the other end. The release film 6 supplied by the film supply reel 7 is sucked and fixed along the cavity 17 of the upper mold 1 by the vacuum suction hole 9 provided in the upper mold 1 (see FIG. )reference). After closing the molds 1 and 2 in this state, the cavity 1
The molten resin is filled in 7 (FIG. 3B). In this method, the mold release film 6 is inserted between the mold 3 and the upper mold 1 to prevent the mold 3 from directly contacting the upper mold 1. Since the release film 6 does not adhere to the mold 3 part due to its characteristics, the mold 3 part is detached from the release film 6 when the mold is opened, and the release is completed (see FIG. 3C). The release film 6 used once is
The film is taken up by the film take-up reel 8 and new release film 6 is sequentially supplied from the film supply reel 7. Further, since the lower mold 2 and the semiconductor element 10 are arranged via the interposer 4, they do not come into close contact with each other.
Further, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-193427, there has been proposed a method of releasing the mold from the mold only by air.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】然しながら、上述のよ
うな従来の半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の
樹脂封止方法では、それぞれ以下の問題点を有してい
る。例えば、イジェクトピン5により離型する方式で
は、複数のイジェクトピン5を金型1内に内蔵するた
め、金型の構造が複雑になると云う欠点が存在する。ま
た、モールド3とイジェクトピン5の接触部分で応力が
集中するため、イジェクトピン付近にある半導体素子1
0にクラックが発生する場合があった。更に、複数の半
導体素子を一度に樹脂封止した後に、個々のチップに切
断する方式にあっては、モールド3にイジェクトピン5
が当接してピン痕が発生したチップとイジェクトピンが
当たらない部分のチップとの外形が異なり製造工程上で
問題となる。また、モールド3の表面にイジェクトピン
5の痕が残ると、ピン痕のない捺印可能な領域が少なく
なる問題があった。
However, the conventional resin encapsulation mold for semiconductor elements and the conventional resin encapsulation method for semiconductor elements as described above have the following problems, respectively. For example, in the method of releasing from the mold with the eject pins 5, there is a drawback that the structure of the mold becomes complicated because a plurality of eject pins 5 are built in the mold 1. Further, since stress concentrates at the contact portion between the mold 3 and the eject pin 5, the semiconductor element 1 near the eject pin 1
There were cases where cracks occurred at 0. Further, in a method in which a plurality of semiconductor elements are sealed with resin at one time and then cut into individual chips, the eject pin 5 is attached to the mold 3.
Are abutted with each other to generate a pin mark, and the tip of the chip not hit by the eject pin has a different outer shape, which causes a problem in the manufacturing process. Further, when the marks of the eject pins 5 are left on the surface of the mold 3, there is a problem that a printable region without pin marks is reduced.

【0006】一方、離型用フィルム6を使用する方式で
は、離型用フィルム6をその都度消費する為に、ランニ
ングコストが高くなる欠点が存在した。また、離型用フ
ィルム6にしわが発生し、このしわによりモールド3の
表面に外観不良が発生する。更に、離型用フィルム6を
供給、巻き取りする機構が必要となるため、装置が複雑
になると云う欠点が存在した。また、離型用フィルム6
を真空吸着で上金型1に貼り付けているため、金型内の
エアー圧力を制御する脱気成形等の封入方式を採用でき
なかった。
On the other hand, the method using the release film 6 has a drawback that the running cost becomes high because the release film 6 is consumed each time. Further, the release film 6 is wrinkled, and the wrinkles cause a defective appearance on the surface of the mold 3. Further, there is a drawback that the apparatus becomes complicated because a mechanism for supplying and winding the release film 6 is required. Also, the release film 6
Since it was attached to the upper mold 1 by vacuum adsorption, it was not possible to adopt an encapsulation method such as deaeration molding for controlling the air pressure in the mold.

【0007】また、モールド部が薄く大型の場合、エア
ーのみによって金型から離型しようとすると、モールド
が変形しながら離型するため、封止した半導体素子にク
ラックが発生する欠点が存在した。更に、エアーの導入
口としてイジェクトピンが必要であり、エアーのみでは
効果的な離型が困難であった。
Further, when the mold portion is thin and large, when the mold is released from the mold only by air, the mold is deformed and released, so that a crack occurs in the sealed semiconductor element. Further, an eject pin is required as an air inlet, and it is difficult to effectively release the mold only with air.

【0008】本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を改良し、複数のイジェクトピンを金型内に必要とする
事なく、また、イジェクトピンの痕やフィルムのしわが
残らない半導体素子用樹脂封止金型及び半導体素子の樹
脂封止方法を提供することである。
An object of the present invention is to improve the above-mentioned drawbacks of the prior art, and for a semiconductor device which does not require a plurality of eject pins in a mold and does not leave a mark of eject pins or a wrinkle of a film. A resin-sealing die and a method for resin-sealing a semiconductor element.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成する為、以下に示す様な基本的な技術構成を採用す
るものである。即ち、本発明に係る半導体素子用樹脂封
止金型の第1の態様としては、金型内部に溶融樹脂を導
入して、前記金型内部に載置した半導体素子を樹脂封止
する半導体素子用樹脂封止金型において、前記金型内部
に圧縮エアーを導入する第2のエアー導入口を備えた上
金型と、前記第2のエアー導入口からの圧縮エアーを前
記金型内部に吐出せしめる前記上金型に設けた吐出口
と、前記金型内部に圧縮エアーを導入する第1のエアー
導入口を備え、前記上金型の下側に設けられた下金型
と、前記第1のエアー導入口からの圧縮エアーを前記金
型内部に吐出せしめる前記下金型に設けた吐出口と、前
記上金型と下金型との間に配設され、キャビティを有す
る中間型と、前記下金型の吐出口からの圧縮エアーを金
型内部に導く為に、前記中間型に設けた通路と、前記
からの圧縮エアーを前記金型内部に導入する前記中間
型に設けた隙間と、前記上金型と前記中間型との間に配
設された薄板と、前記第2のエアー導入口から導入され
た圧縮エアーを前記上金型と前記薄板で挟まれた領域に
閉じこめる為に、前記上金型と前記薄板との間に設けた
第1のシール部材と、前記第1のエアー導入口から導入
された圧縮エアーを前記中間型と前記薄板で挟まれた領
域に閉じこめる為に、前記中間型と前記薄板との間に設
けた第2のシール部材と、前記上金型と前記中間型との
間に配設され、前記上金型と前記中間型とを互いに離隔
する方向に付勢する付勢手段とを備えたことを特徴とす
るものであり、叉、第2態様は、前記付勢手段は、バネ
部材であることを特徴とするものであり、叉、第3態様
は、前記薄板は、弾性変形することを特徴とするもので
あり、叉、第4態様は、前記上金型にイジェクトピンを
設けたことを特徴とするものである。また、本発明に係
る半導体素子の樹脂封止方法の第1の態様としては、金
型内部に溶融樹脂を導入して、前記金型内部に載置した
半導体素子を樹脂封止する半導体素子の樹脂封止方法で
あって、前記金型内部に圧縮エアーを導入する第2のエ
アー導入口を備えた上金型と、前記第2のエアー導入口
からの圧縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記上
金型に設けた吐出口と、前記金型内部に圧縮エアーを導
入する第1のエアー導入口を備え、前記上金型の下側に
設けられた下金型と、前記第1のエアー導入口からの圧
縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記下金型に設
けた吐出口と、前記上金型と下金型との間に配設され、
キャビティを有する中間型と、前記下金型の吐出口から
の圧縮エアーを金型内部に導く為に、前記中間型に設け
通路と、前記通路からの圧縮エアーを前記金型内部に
導入する前記中間型に設けた隙間と、前記上金型と前記
中間型との間に配設された薄板と、前記第2のエアー導
入口から導入された圧縮エアーを前記上金型と前記薄板
で挟まれた領域に閉じこめる為に、前記上金型と前記薄
板との間に設けた第1のシール部材と、前記第1のエア
ー導入口から導入された圧縮エアーを前記中間型と前記
薄板で挟まれた領域に閉じこめる為に、前記中間型と前
記薄板との間に設けた第2のシール部材と、前記上金型
と前記中間型との間に配設され、前記上金型と前記中間
型とを互いに離隔する方向に付勢するバネ部材とを備え
た半導体素子の樹脂封止方法において、前記キャビティ
内のインタポーザの上に載置された半導体素子の周囲に
溶融樹脂を射出する射出工程と、前記溶融樹脂の硬化後
に上金型を僅かに上昇させ、前記薄板と上金型との間に
隙間を作る工程と、前記下金型の第1のエアー導入口
ら圧縮エアーを導入し、前記第1のエアー導入口と連通
した前記中間型の隙間から噴出する圧縮エアーにより前
記薄板と樹脂とを順次引き剥がす第1の剥離工程と、前
記上金型に形成された第2のエアー導入口から圧縮エア
ーを供給し、前記薄板を湾曲させて前記中間型から樹脂
を剥離せしめる第2の剥離工程とからなることを特徴と
するものであり、叉、第2態様は、前記薄板と上金型と
の間に隙間を作る工程は、前記バネ部材によって行われ
ることを特徴とするものであり、叉、第3態様は、前記
中間型から樹脂を剥離する第2の剥離工程では、エアー
圧をパルス状に複数回連続して付加することによって行
われるものであることを特徴とするものであり、叉、第
4態様は、離型機構を備えた上金型及び下金型と、上下
金型の間に配設され、キャビティを有する中間型と、上
金型と中間型の間に配設された薄板を備えた金型を使用
する半導体素子の樹脂封止方法であって、キャビティ内
でインタポーザの上に載った半導体素子の周囲に溶融樹
脂を射出する射出工程と、樹脂の硬化後に上金型を僅か
に上昇させ、薄板と上金型との間に隙間を作る工程と、
下金型の第1エアー導入口から圧縮エアーを導入し、該
第1エアー導入口と連通した中間型の隙間から噴出する
圧縮エアーによって前記薄板と樹脂とを順次引き剥がす
第1の剥離工程と、上金型に配設されたイジェクトピン
を突出する事により、薄板を湾曲させて中間型から樹脂
を剥離する第2の剥離工程とから成ることを特徴とする
ものである。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention adopts the following basic technical constitution. That is, as a first mode of the resin-sealed mold for a semiconductor element according to the present invention, a semiconductor element in which a molten resin is introduced into the mold and the semiconductor element mounted inside the mold is resin-sealed. in use the resin-sealing mold, the upper mold having a second air inlet for introducing the compressed air inside the mold, discharging the compressed air from the second air inlet inside the mold A discharge port provided in the upper mold for tightening, and a first air for introducing compressed air into the mold.
With the introduction port, a lower mold provided on the lower side of the upper mold, the first discharge ports compressed air from the air inlet provided on the lower mold allowed to discharge within said mold and , An intermediate mold provided between the upper mold and the lower mold and having a cavity, and a middle mold for guiding compressed air from the discharge port of the lower mold into the mold. and passage, said passage
A gap provided in the intermediate mold for introducing compressed air from the passage into the mold, a thin plate disposed between the upper mold and the intermediate mold, and introduced through the second air introduction port. A first sealing member provided between the upper mold and the thin plate for confining the compressed air that has been compressed into a region sandwiched between the upper mold and the thin plate, and from the first air inlet port. A second seal member provided between the intermediate mold and the thin plate for confining the introduced compressed air in a region sandwiched between the intermediate mold and the thin plate, the upper mold and the intermediate mold. And an urging means for urging the upper die and the intermediate die in a direction in which the upper die and the intermediate die are separated from each other. The biasing means is a spring member, and in the third aspect, the thin plate is And characterized in that sex deformed, or, a fourth aspect is characterized in the provision of the ejector pin on said mold. As a first aspect of the resin sealing method for a semiconductor element according to the present invention, a semiconductor element in which a molten resin is introduced into a mold and the semiconductor element mounted inside the mold is resin-sealed. A second method, which is a resin sealing method, in which compressed air is introduced into the mold.
An upper die provided with an arc introduction port , a discharge port provided in the upper die for discharging compressed air from the second air introduction port into the die, and an inside of the die. comprising a first air inlet for introducing compressed air, allowed to discharge and the lower mold provided on the lower side of the upper mold, the compressed air from the first air inlet inside the mold the A discharge port provided in the lower mold, and arranged between the upper mold and the lower mold,
An intermediate die having a cavity, to guide the compressed air from the lower mold of the discharge port inside the mold, the passage provided in said intermediate form, introducing compressed air from said passageway inside the mold The gap provided in the intermediate mold, the thin plate disposed between the upper mold and the intermediate mold, and the second air guide.
A first sealing member provided between the upper mold and the thin plate for confining compressed air introduced from an inlet into a region sandwiched between the upper mold and the thin plate, and the first air.
-A second sealing member provided between the intermediate mold and the thin plate for confining the compressed air introduced from the introduction port in the region sandwiched between the intermediate mold and the thin plate, and the upper mold. In a resin sealing method for a semiconductor element, which is provided between the intermediate mold and a spring member for urging the upper mold and the intermediate mold in a direction separating from each other, a method of resin sealing a semiconductor element, comprising: An injection step of injecting a molten resin around the semiconductor element placed on it, and a step of slightly raising the upper mold after curing the molten resin to form a gap between the thin plate and the upper mold. , introducing a first air inlet port or <br/> et compressed air of the lower mold, and the thin resin by compressed air ejected from the first gap of the intermediate mold in communication with the air inlet First peeling step of peeling off the The second supply compressed air from the air inlet was, which is characterized by comprising a second separation step which allowed to peel the resin from the intermediate mold by bending the sheet, or, second In the aspect, the step of forming a gap between the thin plate and the upper die is performed by the spring member, and the third aspect is that the resin is peeled from the intermediate die. The peeling step of 2 is characterized in that it is carried out by continuously applying air pressure in a pulsed manner a plurality of times.
4 aspects, an upper mold and a lower mold having a releasing mechanism, an intermediate mold having a cavity, which is arranged between the upper and lower molds, and a thin plate arranged between the upper mold and the intermediate mold. A resin encapsulation method for a semiconductor element using a die including: an injection step of injecting a molten resin around a semiconductor element placed on an interposer in a cavity; and an upper die after curing the resin. A process of slightly raising it to create a gap between the thin plate and the upper mold,
Compressed air is introduced from the first air inlet of the lower mold,
By projecting the first peeling step of peeling sequentially draw said thin plate and a resin by compressed air ejected from the gap of the intermediate mold which communicates with the first air inlet, the eject pin disposed in the upper die, A second peeling step of bending the thin plate and peeling the resin from the intermediate mold is performed.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明の半導体素子用樹脂封止金
型は、上記した様な従来技術における問題点を解決する
為に、圧縮エアーの吐出口を備えた上金型と、圧縮エア
ーの吐出口を備えた下金型と、上下金型の間に配設さ
れ、キャビティを有する中間型と、上金型と中間型の間
にシール部材を介して配設された薄板と、上金型と中間
型との間に配設され両者を離隔する方向に付勢する付勢
手段とを備えたので、モールド部分にイジェクトピン痕
やクラックを発生させる事なく金型から離型する事が出
来る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In order to solve the problems in the prior art as described above, a resin-sealed mold for a semiconductor element of the present invention comprises an upper mold having a compressed air discharge port, and a compressed air mold. A lower mold having a discharge port, a middle mold having a cavity and arranged between the upper and lower molds, a thin plate arranged between the upper mold and the middle mold via a seal member, Since the urging means is provided between the mold and the intermediate mold to urge the mold and the intermediate mold away from each other, the mold can be removed from the mold without generating eject pin marks or cracks in the mold part. Can be released.

【0011】[0011]

【実施例】以下に、本発明に係る半導体素子用樹脂封止
金型の具体的構成を図面を用いながら説明する。図1
(A)〜(D)は、本発明の一実施例である半導体素子
用樹脂封止金型による半導体装置の製造順序を示す説明
図である。ここで半導体素子用樹脂封止金型は、圧縮エ
アーを供給する第2エア導入口14と吐出口18を備え
た上金型1と、圧縮エアーを供給する第1エア導入口1
2と吐出口19を備えた下金型2と、上下金型の間に配
設されキャビティ17と、隙間20を有する中間型2
1と、上金型1と中間型21の間にシール部材22a〜
dを介して配設された薄板16と、上金型1と中間型2
との間に配設され両者を離隔する方向に付勢するバネ部
材15とを備えている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A concrete structure of a resin element mold for a semiconductor device according to the present invention will be described below with reference to the drawings. Figure 1
(A)-(D) is explanatory drawing which shows the manufacturing order of the semiconductor device by the resin element mold for semiconductor elements which is one Example of this invention. The semiconductor element resin-sealed mold includes an upper mold 1 having a second air introduction port 14 for supplying compressed air and a discharge port 18, and a first air introduction port 1 for supplying compressed air.
A lower mold 2 with two and the discharge port 19, a cavity 17 that will be disposed between the upper and lower molds, the intermediate die 2 having a gap 20
1 and the seal member 22a between the upper die 1 and the intermediate die 21.
a thin plate 16 disposed via d, an upper mold 1 and an intermediate mold 2
And a spring member 15 that is disposed between the spring and the spring to urge the two in a direction to separate them.

【0012】上金型1に形成された吐出口18は、或る
程度広い面積で薄板16に面している。また、バネ15
は、上金型1の両端に形成された凹部1b内に配設さ
れ、上金型1と下金型2を離隔する方向に付勢してい
る。
The discharge port 18 formed in the upper mold 1 faces the thin plate 16 in a relatively wide area. Also, the spring 15
Are disposed in the recesses 1b formed at both ends of the upper mold 1, and urge the upper mold 1 and the lower mold 2 in a direction to separate them.

【0013】薄板16は、中間型21と共にキャビティ
17を形成し、モールド3の上面と接触する。バネ15
は、上金型1が上昇した時に中間型21を押し下げ、上
金型1との間に薄板16が動く隙間を作る。下金型2に
形成された第1エア導入口12は、吐出口19を通じて
中間型21の通路21aに連通し、薄板16の下側の隙
間20につながっている。そして、金型外部からこの隙
間へ高圧エアーを供給する事ができる。
The thin plate 16 forms a cavity 17 together with the intermediate mold 21, and contacts the upper surface of the mold 3. Spring 15
When the upper mold 1 rises, the intermediate mold 21 is pushed down to form a gap between the upper mold 1 and the thin plate 16 to move. The first air introduction port 12 formed in the lower mold 2 communicates with the passage 21a of the intermediate mold 21 through the discharge port 19 and is connected to the gap 20 below the thin plate 16. Then, high pressure air can be supplied to the gap from the outside of the mold.

【0014】第2エア導入口14は、薄板16の上側の
吐出口18につながっていて、金型外部からこの吐出口
18へ高圧エアーを供給する。シール部材11a〜11
は、薄板16上下の隙間のエアー圧13が低下するの
を防止する。
The second air introduction port 14 is connected to the ejection port 18 on the upper side of the thin plate 16 and supplies high pressure air to the ejection port 18 from the outside of the mold. Seal members 11a-11
d prevents the air pressure 13 in the gap above and below the thin plate 16 from decreasing.

【0015】次に、図1,2を参照して、本発明の半導
体素子用樹脂封止金型を使用した樹脂封止方法について
説明する。上金型1、下金型2及び中間型21は、夫々
閉じられており、内部に形成されたキャビティ17に
は、半導体素子がインタポーザ4の上に載っている。図
1(A)は、半導体素子の周囲に溶融樹脂を射出し、硬
化したモールド3取り出す手順を示す。先ず、第1エア
導入口12から圧縮エアーを供給し、薄板16の一部に
エアー圧13を加えながら、図1(B)に示す様に、上
金型1を僅かに上昇させる。
Next, with reference to FIGS. 1 and 2, a resin encapsulating method using the resin encapsulating mold for semiconductor elements of the present invention will be described. The upper die 1, the lower die 2 and the intermediate die 21 are closed, and a semiconductor element is placed on the interposer 4 in a cavity 17 formed inside. FIG. 1A shows a procedure of injecting a molten resin around the semiconductor element and taking out the cured mold 3. First, compressed air is supplied from the first air introduction port 12 and the air pressure 13 is applied to a part of the thin plate 16 to slightly raise the upper mold 1 as shown in FIG. 1 (B).

【0016】上金型1を上昇させると、バネ15の付勢
力により薄板16と上金型1の間に隙間ができる。この
際、シール部材22a〜22dにより薄板16と上金型
1及び中間型21との密封性が保持されている。この状
態で、第1エア導入口12より圧縮エアーを注入する
と、図1(C)に示すように隙間20の在る図中右側よ
り、除々に薄板16が上向きの力を受け弾性変形する。
薄板16の弾性変形により生じた隙間に高圧エアが回り
込み、エアー圧13によってモールド3から剥離する。
図1(D)で薄板16は、完全にモールド3の上面から
剥離する。
When the upper die 1 is raised, a gap is formed between the thin plate 16 and the upper die 1 by the urging force of the spring 15. At this time, the sealing properties of the thin plate 16 and the upper mold 1 and the intermediate mold 21 are maintained by the seal members 22a to 22d. In this state, when compressed air is injected from the first air inlet 12, the thin plate 16 gradually receives an upward force and elastically deforms from the right side in the figure in which the gap 20 exists as shown in FIG. 1 (C).
The high-pressure air flows into the gap created by the elastic deformation of the thin plate 16 and is separated from the mold 3 by the air pressure 13.
In FIG. 1D, the thin plate 16 is completely separated from the upper surface of the mold 3.

【0017】次に、図2(F)に示すように上金型1の
第2エア導入口14から圧縮エアーを供給する。する
と、エアー圧13により薄板16は、下向きの力を受け
弾性変形する。弾性変形した薄板16は、モールド3の
上面を下向きに押圧する。
Next, as shown in FIG. 2 (F), compressed air is supplied from the second air introduction port 14 of the upper mold 1. Then, the thin plate 16 is elastically deformed by the downward force by the air pressure 13. The elastically deformed thin plate 16 presses the upper surface of the mold 3 downward.

【0018】この状態で、上金型1を僅かに上昇させる
と、薄板16が弾性変形しながらモールド3とインタポ
ーザ4を中間型21の開口部から下へ押し付けるため、
モールド3側面が中間型21から外れ離型が完了する。
この時、エアー圧13をパルス状に付加すると、より効
果的に離型することができる。
In this state, when the upper die 1 is slightly raised, the thin plate 16 is elastically deformed and the mold 3 and the interposer 4 are pressed downward from the opening of the intermediate die 21.
The side surface of the mold 3 is separated from the intermediate mold 21, and the mold release is completed.
At this time, if the air pressure 13 is applied in a pulse shape, the mold release can be more effectively performed.

【0019】尚、上金型1に剥離機構として、イジェク
トピンを配設した場合、上金型1を上昇させ、第1エア
導入口12より圧縮エアーを注入し、薄板16の弾性変
形によりモールド3から剥離した後、上金型1のイジェ
クトピンを突出する事により薄板16を第1の剥離工程
と逆方向に湾曲させる。薄板16を第1の剥離工程と逆
方向に湾曲する事により、モールド3の側面が中間型2
1から外れ離型が完了する。
When the upper die 1 is provided with an eject pin as a peeling mechanism, the upper die 1 is raised, compressed air is injected from the first air inlet 12, and the thin plate 16 is elastically deformed to mold. After peeling from 3, the thin plate 16 is curved in the direction opposite to the first peeling step by projecting the eject pin of the upper mold 1. By curving the thin plate 16 in the direction opposite to that of the first peeling step, the side surface of the mold 3 has the intermediate mold 2
The mold release from 1 is completed.

【0020】次に、本発明の半導体素子の樹脂封止方法
について説明する。先ず、圧縮エアーの吐出口を備えた
上金型1及び下金型2と、上下金型の間に配設され、キ
ャビティを有する中間型21と、上金型1と中間型2の
間にシール部材22を介して配設された薄板16を備え
た金型を使用する半導体素子用樹脂封止方法であって、
射出工程において、キャビティ17内でインタポーザ4
の上に載った半導体素子の周囲に溶融した樹脂を射出す
る。
Next, a method for sealing the semiconductor element with resin according to the present invention will be described. First, an upper die 1 and a lower die 2 having a discharge port for compressed air, an intermediate die 21 having a cavity and arranged between the upper and lower dies, and an upper die 1 and an intermediate die 2 are provided. A resin encapsulation method for a semiconductor element, which uses a mold including a thin plate 16 arranged via a seal member 22,
In the injection process, the interposer 4 inside the cavity 17
The melted resin is injected around the semiconductor element placed on.

【0021】次に隙間を作る工程において、樹脂の硬化
後に上金型1を僅かに上昇させ、薄板16と上金型1と
の間に隙間を作る(図1(B)参照)。また、第1の剥
離工程で下金型2の第1エア導入口12から圧縮エアー
を導入し、該第1エア導入口12と連通した中間型21
の隙間20から噴出する圧縮エアーによって薄板16と
モールド3とを順次引き剥がす。特に、大きな半導体素
子については、片側より捲るように剥離するので、効果
的に剥離する事が出来る。
Next, in the step of forming a gap, the upper mold 1 is slightly lifted after the resin is cured to form a gap between the thin plate 16 and the upper mold 1 (see FIG. 1B). In addition, the compressed air is introduced from the first air introduction port 12 of the lower mold 2 in the first peeling step, and the intermediate mold 21 communicating with the first air introduction port 12 is introduced.
The thin plate 16 and the mold 3 are sequentially peeled off by the compressed air ejected from the gap 20. In particular, since a large semiconductor element is peeled off so that it is rolled from one side, it can be effectively peeled off.

【0022】第2の剥離工程では、上金型1に形成され
た第2エア導入口14から圧縮エアーを供給し、薄板1
6を湾曲させて中間型21のキャビティ17部分からモ
ールド3を剥離する。この様に本発明の半導体素子の樹
脂封止方法のよれば、イジェクトピンを必要としないの
で、半導体素子を封止した樹脂にピン痕やピンの当たる
衝撃による亀裂等が生じる虞がない。
In the second peeling step, compressed air is supplied from the second air introduction port 14 formed in the upper mold 1 to produce the thin plate 1.
6 is curved and the mold 3 is separated from the cavity 17 of the intermediate mold 21. As described above, according to the resin sealing method for a semiconductor element of the present invention, since the eject pin is not necessary, there is no possibility that a pin mark or a crack due to an impact of the pin hitting the resin sealing the semiconductor element occurs.

【0023】次に、上金型の離型機構としてイジェクト
ピンを備え、下金型に圧縮エアーによる離型機構と、上
下金型の間に配設され、キャビティを有する中間型と、
上金型と中間型の間に配設された薄板を備えた金型を使
用する半導体素子用樹脂封止方法について説明する。
Next, an eject pin is provided as a releasing mechanism for the upper die, a releasing mechanism using compressed air is provided for the lower die, and an intermediate die having a cavity is provided between the upper and lower die.
A resin sealing method for a semiconductor element using a mold provided with a thin plate arranged between an upper mold and an intermediate mold will be described.

【0024】先ず、射出工程によってキャビティ17内
でインタポーザ4の上に載った半導体素子の周囲に溶融
した樹脂を射出する。
First, a molten resin is injected around the semiconductor element mounted on the interposer 4 in the cavity 17 by an injection process.

【0025】次に隙間を作る工程において、樹脂の硬化
後に上金型1を僅かに上昇させ、薄板16と上金型1と
の間に隙間を作る。また、第1の剥離工程で下金型2の
第1エア導入口12から圧縮エアーを導入し、該第1エ
ア導入口12と連通した中間型21の隙間20から噴出
する圧縮エアーによって薄板16とモールド3とを順次
引き剥がす。特に、大きな半導体素子については、片側
より捲るように剥離するので、効果的に剥離する事が出
来る。
Next, in the step of forming a gap, the upper mold 1 is slightly lifted after the resin is cured to form a gap between the thin plate 16 and the upper mold 1. Further, in the first peeling step, compressed air is introduced from the first air introduction port 12 of the lower mold 2, and the thin plate 16 is ejected from the gap 20 of the intermediate mold 21 communicating with the first air introduction port 12. And mold 3 are peeled off one after another. In particular, since a large semiconductor element is peeled off so that it is rolled from one side, it can be effectively peeled off.

【0026】第2の剥離工程では、上金型1に配設した
イジェクトピンを突出させ、薄板16を第1の剥離工程
と逆方向に湾曲させて中間型21のキャビティ17部分
からモールド3を剥離する。この様に本発明の半導体素
子の樹脂封止方法では、イジェクトピンが薄板16介し
てモールドに当たるので、半導体素子を封止した樹脂に
ピン痕が生じる事がない。
In the second peeling step, the eject pin disposed on the upper mold 1 is projected to bend the thin plate 16 in the direction opposite to that of the first peeling step, so that the mold 3 is removed from the cavity 17 of the intermediate mold 21. Peel off. As described above, in the method for sealing a semiconductor element with resin according to the present invention, since the eject pin hits the mold through the thin plate 16, there is no pin mark on the resin for sealing the semiconductor element.

【0027】尚、本発明は以上の実施例に限ることなく
本発明の技術思想に基づいて種々の設計変更が可能であ
る。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various design changes can be made based on the technical idea of the present invention.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上詳細に示したように、本発明によれ
ば、第1の効果は、吐出エアーの圧力と弾性体である薄
板の変形によりモールドを金型から外すため、複数のイ
ジェクトピンを金型に内臓する必要がなく、金型の構造
を簡単にする事が出来る。また、モールド内部の半導体
素子に近い部位にイジェクトピンを設ける必要が無いた
め、モールド内部の半導体素子にクラックが発生しな
い。更に、モールドの表面にイジェクトピンの痕が残ら
ないため、捺印エリアを拡大する事が出来る。
As described above in detail, according to the present invention, the first effect is that the mold is removed from the mold by the pressure of the discharge air and the deformation of the thin plate which is the elastic body. The structure of the mold can be simplified because there is no need to integrate the mold into the mold. Further, since it is not necessary to provide the eject pin at a portion near the semiconductor element inside the mold, the semiconductor element inside the mold is not cracked. Further, since the mark of the eject pin does not remain on the surface of the mold, the marking area can be enlarged.

【0029】また、離型用フィルムを使用しないため、
ランニングコストの低減及び、装置の製造コストの低減
が図れる。更に、金型内のエアー圧力を制御する脱気成
形等の封入方式を採用する事が出来る。また、離型用フ
ィルムを使用しない為に、フィルムのしわによるモール
ドの表面の外観不良も発生しない。
Since no release film is used,
The running cost and the manufacturing cost of the device can be reduced. Further, an encapsulation method such as deaeration molding which controls the air pressure in the mold can be adopted. Further, since the release film is not used, the appearance of the mold surface due to the wrinkling of the film does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1(A)〜(D)は、本発明の一実施例であ
る半導体素子用樹脂封止金型による半導体装置の製造順
序を示す説明図である。
1A to 1D are explanatory views showing a manufacturing sequence of a semiconductor device using a resin element mold for a semiconductor element, which is an embodiment of the present invention.

【図2】図2(E)〜(H)は、図1に示す半導体装置
の製造順序の続きを示す説明図である。
2 (E) to 2 (H) are explanatory views showing a continuation of the manufacturing sequence of the semiconductor device shown in FIG.

【図3】図3(A)〜(D)は、従来の半導体素子用樹
脂封止金型による半導体装置の製造順序を示す説明図で
ある。
3A to 3D are explanatory views showing a manufacturing sequence of a semiconductor device by a conventional resin-sealing mold for a semiconductor element.

【図4】図4(A)〜(C)は、従来の離型フィルムを
使用した半導体素子用樹脂封止金型による半導体装置の
製造順序を示す説明図である。
4A to 4C are explanatory views showing a manufacturing sequence of a semiconductor device by a resin element mold for a semiconductor element using a conventional release film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 上金型 2 下金型 3 モールド 4 インタポーザ 5 イジェクトピン 6 離型用フィルム 7 フィルム供給リール 8 フィルム巻取りリール 9 真空吸着穴 10 半導体素子 11 シール 12 第1エア導入口 13 エアー圧 14 第2エア導入口 15 バネ 16 薄板 17 キャビティ 18,19 吐出口 20 隙間 21 中間型 21a 通路 22a〜d シール部材 1 Upper mold 2 Lower mold 3 mold 4 Interposer 5 eject pins 6 Release film 7 Film supply reel 8 film take-up reel 9 Vacuum suction hole 10 Semiconductor element 11 seal 12 First air inlet 13 Air pressure 14 Second air inlet 15 spring 16 thin plates 17 cavities 18, 19 outlet 20 gaps 21 Intermediate type 21a passage 22a-d seal member

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI B29L 31:34 B29L 31:34 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B29C 45/00 - 45/84 H01L 21/56 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI B29L 31:34 B29L 31:34 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) B29C 45/00-45/84 H01L 21/56

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 金型内部に溶融樹脂を導入して、前記金
型内部に載置した半導体素子を樹脂封止する半導体素子
用樹脂封止金型において、 前記金型内部に圧縮エアーを導入する第2のエアー導入
を備えた上金型と、前記第2のエアー導入口からの圧
縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記上金型に設
けた吐出口と、前記金型内部に圧縮エアーを導入する
1のエアー導入口を備え、前記上金型の下側に設けられ
た下金型と、前記第1のエアー導入口からの圧縮エアー
を前記金型内部に吐出せしめる前記下金型に設けた吐出
口と、前記上金型と下金型との間に配設され、キャビテ
ィを有する中間型と、前記下金型の吐出口からの圧縮エ
アーを金型内部に導く為に、前記中間型に設けた通路
と、前記通路からの圧縮エアーを前記金型内部に導入す
る前記中間型に設けた隙間と、前記上金型と前記中間型
との間に配設された薄板と、前記第2のエアー導入口
ら導入された圧縮エアーを前記上金型と前記薄板で挟ま
れた領域に閉じこめる為に、前記上金型と前記薄板との
間に設けた第1のシール部材と、前記第1のエアー導入
から導入された圧縮エアーを前記中間型と前記薄板で
挟まれた領域に閉じこめる為に、前記中間型と前記薄板
との間に設けた第2のシール部材と、前記上金型と前記
中間型との間に配設され、前記上金型と前記中間型とを
互いに離隔する方向に付勢する付勢手段とを備えたこと
を特徴とする半導体素子用樹脂封止金型。
1. A method in which a molten resin is introduced into a die to form the die
A semiconductor element in which a semiconductor element mounted inside a mold is resin-sealed
Resin mold for Introduce compressed air into the moldSecond air introduction
mouthAn upper die havingSecond air inletPressure from
Installed in the upper mold that discharges compressed air into the mold.
Introduce compressed air into the injection outlet and inside the mold.First
1 air inletIs provided below the upper mold
Lower mold and aboveFirst air inletCompressed air from
Discharge provided in the lower mold for discharging the inside of the mold
A cavity is provided between the mouth and the upper die and the lower die.
And a compression die from the discharge port of the lower die.
Provided in the intermediate mold to guide the arch into the moldaisle
And the aboveaisleIntroduce compressed air from the inside of the mold
Provided in the intermediate moldGapAnd the upper die and the intermediate die
A thin plate disposed between and,Second air inletOr
The compressed air introduced from above is sandwiched between the upper mold and the thin plate.
Between the upper mold and the thin plate in order to confine it in a closed area.
A first seal member provided betweenFirst air introduction
mouthCompressed air introduced from
The intermediate mold and the thin plate for confining in the sandwiched area.
A second seal member provided between the upper mold and the second mold;
It is arranged between the intermediate mold and the upper mold and the intermediate mold.
Urging means for urging in a direction separating from each other
A resin encapsulating mold for a semiconductor element, which is characterized by:
【請求項2】 前記付勢手段は、バネ部材であることを
特徴とする請求項1記載の半導体素子用樹脂封止金型。
2. The resin-sealed mold for a semiconductor element according to claim 1, wherein the biasing means is a spring member.
【請求項3】 前記薄板は、弾性変形することを特徴と
する請求項1記載の半導体素子用樹脂封止金型。
3. The resin-sealed mold for a semiconductor element according to claim 1, wherein the thin plate is elastically deformed.
【請求項4】 前記上金型にイジェクトピンを設けたこ
とを特徴とする請求項1記載の半導体素子用樹脂封止金
型。
4. The resin-molded mold for a semiconductor element according to claim 1, wherein an eject pin is provided on the upper mold.
【請求項5】 金型内部に溶融樹脂を導入して、前記金
型内部に載置した半導体素子を樹脂封止する半導体素子
の樹脂封止方法であって、 前記金型内部に圧縮エアーを導入する第2のエアー導入
を備えた上金型と、前記第2のエアー導入口からの圧
縮エアーを前記金型内部に吐出せしめる前記上金型に設
けた吐出口と、前記金型内部に圧縮エアーを導入する
1のエアー導入口を備え、前記上金型の下側に設けられ
た下金型と、前記第1のエアー導入口からの圧縮エアー
を前記金型内部に吐出せしめる前記下金型に設けた吐出
口と、前記上金型と下金型との間に配設され、キャビテ
ィを有する中間型と、前記下金型の吐出口からの圧縮エ
アーを金型内部に導く為に、前記中間型に設けた通路
と、前記通路からの圧縮エアーを前記金型内部に導入す
る前記中間型に設けた隙間と、前記上金型と前記中間型
との間に配設された薄板と、前記第2のエアー導入口
ら導入された圧縮エアーを前記上金型と前記薄板で挟ま
れた領域に閉じこめる為に、前記上金型と前記薄板との
間に設けた第1のシール部材と、前記第1のエアー導入
から導入された圧縮エアーを前記中間型と前記薄板で
挟まれた領域に閉じこめる為に、前記中間型と前記薄板
との間に設けた第2のシール部材と、前記上金型と前記
中間型との間に配設され、前記上金型と前記中間型とを
互いに離隔する方向に付勢するバネ部材とを備えた半導
体素子の樹脂封止方法において、 前記キャビティ内のインタポーザの上に載置された半導
体素子の周囲に溶融樹脂を射出する射出工程と、 前記溶融樹脂の硬化後に上金型を僅かに上昇させ、前記
薄板と上金型との間に隙間を作る工程と、 前記下金型の第1のエアー導入口から圧縮エアーを導入
し、前記第1のエアー導入口と連通した前記中間型の
から噴出する圧縮エアーにより前記薄板と樹脂とを順
次引き剥がす第1の剥離工程と、 前記上金型に形成された第2のエアー導入口から圧縮エ
アーを供給し、前記薄板を湾曲させて前記中間型から樹
脂を剥離せしめる第2の剥離工程とからなることを特徴
とする半導体素子の樹脂封止方法。
5. The molten resin is introduced into the mold to form the metal mold.
A semiconductor element in which a semiconductor element mounted inside a mold is resin-sealed
The resin sealing method of Introduce compressed air into the moldSecond air introduction
mouthAn upper die havingSecond air inletPressure from
Installed in the upper mold that discharges compressed air into the mold.
Introduce compressed air into the injection outlet and inside the mold.First
1 air inletIs provided below the upper mold
Lower mold and aboveFirst air inletCompressed air from
Discharge provided in the lower mold for discharging the inside of the mold
A cavity is provided between the mouth and the upper die and the lower die.
And a compression die from the discharge port of the lower die.
Provided in the intermediate mold to guide the arch into the moldaisle
And the aboveaisleIntroduce compressed air from the inside of the mold
Provided in the intermediate moldGapAnd the upper die and the intermediate die
A thin plate disposed between and,Second air inletOr
The compressed air introduced from above is sandwiched between the upper mold and the thin plate.
Between the upper mold and the thin plate in order to confine it in a closed area.
A first seal member provided betweenFirst air introduction
mouthCompressed air introduced from
The intermediate mold and the thin plate for confining in the sandwiched area.
A second seal member provided between the upper mold and the second mold;
It is arranged between the intermediate mold and the upper mold and the intermediate mold.
A semi-conductor having a spring member for urging the spring members in directions away from each other.
In the resin sealing method of the body element, A semi-conductor mounted on the interposer in the cavity
An injection step of injecting molten resin around the body element, After curing the molten resin, slightly raise the upper mold,
The process of making a gap between the thin plate and the upper mold, Of the lower moldFirst air inletIntroduce compressed air from
The aboveFirst air inletOf the intermediate type in communication withGap
whileCompressed air ejected from the thin plate and the resin in order
The first peeling step of peeling off next, Formed on the upper moldSecond air inletFrom compression d
Is supplied to the thin plate to bend the thin plate from the intermediate mold.
It is characterized by comprising a second peeling step for peeling off the fat.
A method for sealing a semiconductor element with a resin.
【請求項6】 前記薄板と上金型との間に隙間を作る工
程は、前記バネ部材によって行われることを特徴とする
請求項5記載の半導体素子の樹脂封止方法。
6. The resin encapsulation method for a semiconductor element according to claim 5, wherein the step of forming a gap between the thin plate and the upper die is performed by the spring member.
【請求項7】 前記中間型から樹脂を剥離する第2の剥
離工程では、エアー圧をパルス状に複数回連続して付加
することによって行われるものであることを特徴とする
請求項5記載の半導体素子の樹脂封止方法。
7. The second peeling step of peeling the resin from the intermediate mold is performed by continuously applying air pressure in a pulsed manner a plurality of times. Resin encapsulation method for semiconductor element.
【請求項8】 離型機構を備えた上金型及び下金型と、
上下金型の間に配設され、キャビティを有する中間型
と、上金型と中間型の間に配設された薄板を備えた金型
を使用する半導体素子の樹脂封止方法であって、キャビ
ティ内でインタポーザの上に載った半導体素子の周囲に
溶融樹脂を射出する射出工程と、樹脂の硬化後に上金型
を僅かに上昇させ、薄板と上金型との間に隙間を作る工
程と、下金型の第1エアー導入口から圧縮エアーを導入
し、該第1エアー導入口と連通した中間型の隙間から噴
出する圧縮エアーによって前記薄板と樹脂とを順次引き
剥がす第1の剥離工程と、上金型に配設されたイジェク
トピンを突出する事により、薄板を湾曲させて中間型か
ら樹脂を剥離する第2の剥離工程とから成ることを特徴
とする半導体素子の樹脂封止方法。
8. An upper die and a lower die having a releasing mechanism,
A method of resin sealing a semiconductor element using an intermediate die having a cavity disposed between upper and lower dies, and a die having a thin plate disposed between an upper die and an intermediate die, An injection step of injecting a molten resin around the semiconductor element placed on the interposer in the cavity, and a step of slightly raising the upper mold after curing the resin to form a gap between the thin plate and the upper mold. and introducing compressed air from the first air inlet of the lower mold, the first peeling step of peeling sequentially draw said thin plate and a resin by compressed air ejected from the gap of the intermediate mold in communication with said first air inlet And a second peeling step of bending the thin plate to peel the resin from the intermediate die by projecting the eject pin arranged on the upper die, the resin encapsulating method for a semiconductor element. .
JP9513999A 1999-04-01 1999-04-01 Resin sealing mold for semiconductor element and resin sealing method for semiconductor element Expired - Fee Related JP3435092B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9513999A JP3435092B2 (en) 1999-04-01 1999-04-01 Resin sealing mold for semiconductor element and resin sealing method for semiconductor element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9513999A JP3435092B2 (en) 1999-04-01 1999-04-01 Resin sealing mold for semiconductor element and resin sealing method for semiconductor element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000280298A JP2000280298A (en) 2000-10-10
JP3435092B2 true JP3435092B2 (en) 2003-08-11

Family

ID=14129486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9513999A Expired - Fee Related JP3435092B2 (en) 1999-04-01 1999-04-01 Resin sealing mold for semiconductor element and resin sealing method for semiconductor element

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3435092B2 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002347088A (en) * 2001-05-22 2002-12-04 Yoshida Industry Co Ltd Metal component insert molding using ionomer resin
JP4731058B2 (en) * 2001-07-03 2011-07-20 Towa株式会社 Resin sealing device and resin sealing method
JP4373237B2 (en) 2004-02-13 2009-11-25 Towa株式会社 Semiconductor chip resin sealing molding method and resin sealing molding die
NL1026670C2 (en) 2004-07-16 2006-01-17 Fico Bv Encapsulation of electronic components, e.g. semiconductors, in mold by introducing part of conditioning gas into mold cavity during release of encapsulating material such that releasing gas pressure is exerted on encapsulating material
JP5307521B2 (en) * 2008-11-25 2013-10-02 株式会社脇坂エンジニアリング Resin sheet thermoforming equipment
JP5234971B2 (en) * 2009-02-04 2013-07-10 住友重機械工業株式会社 Resin sealing device and resin sealing method
TWI565105B (en) * 2012-07-09 2017-01-01 山田尖端科技股份有限公司 Resin molding apparatus and method for resin molding
JP6019471B2 (en) * 2012-10-25 2016-11-02 アピックヤマダ株式会社 Resin molding apparatus and resin molding method
JP5953602B2 (en) * 2012-07-11 2016-07-20 アピックヤマダ株式会社 Resin molding apparatus and resin molding method
JP6416996B1 (en) * 2017-07-24 2018-10-31 アサヒ・エンジニアリング株式会社 Sealing type for resin sealing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000280298A (en) 2000-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3435092B2 (en) Resin sealing mold for semiconductor element and resin sealing method for semiconductor element
EP0730937A1 (en) A resin molding machine with release film
JP3450223B2 (en) Semiconductor device sealing mold and semiconductor device sealing method
KR960700875A (en) Resin encapsulation method of semiconductor device
KR100392264B1 (en) Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2004230707A (en) Method and apparatus for sealing and molding electronic component with resin
JPH09117931A (en) Resin encapsulating method and device of electronic part
WO2008041431A1 (en) Method for resin seal molding, and resin seal molding apparatus for use in the method
KR0158784B1 (en) Resin sealing method for semiconductor device
JP3581816B2 (en) Flip chip resin injection method
JP2003145594A (en) Ejection mechanism and ejection method
JPH0948041A (en) Resin molding machine
JP3005552B1 (en) Resin sealing method for work
JP3195840B2 (en) Resin molding device and control method therefor
JP3844195B2 (en) Wafer resin sealing device
JP2778332B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP4104711B2 (en) Mold for molding card base material and IC card manufacturing method
JPH06344389A (en) Mold
JPH0574827A (en) Manufacturing apparatus for semiconductor device
JPH09262876A (en) Molding method, molding method of package for semiconductor integrated circuit device and molding device
JPH08108455A (en) Mold for sealing semiconductor resin
JPH08294919A (en) Method and apparatus for molding
JPH05237864A (en) Production of resin sealing-type semiconductor device and jig used therefor
JPH058253A (en) Resin sealing molding device of electronic parts
JP2002187175A (en) Method for taking out semiconductor resin sealed molded article

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 5

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080530

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080530

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 6

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090530

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees