JP3432164B2 - 部分メッキ方法及びこれを施した物品 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】 本発明は，プラスティックス材
料などからなる物品の一部分にメッキを施す部分メッキ
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】 従来の技術として、例えば電磁波シー
ルドを目的としたプラスティックス成型品の部分メッキ
方法の場合には、特公昭62-500344 号にみられるように
メッキ膜の形成を必要とするプラスティックス物品部分
にニッケル、銅、鉄、コバルト、金、銀、パラジウムな
どの単独、若しくは組み合わせたグループからなる活性
金属粒子を含有する有機バインダーを塗布した後、しか
るべき化学メッキ処理を行う方法が開示されている。

【０００３】 また、装飾メッキを目的とした方法で
は、特公昭49-29959号にみられるようなメッキ処理が施
されるプラスティックス材料よりも耐食性が高く、かつ
メッキ付着性の悪い、例えばフッ素樹脂や塩化ビニリデ
ン樹脂などからなる塗料組成物をメッキ膜を必要としな
い表面部分に塗布して塗膜を形成した後、一般に強酸性
の液体を使用して粗面化処理を行って、その塗膜で覆わ
れていない表面を粗面化し、続いて化学メッキや電気メ
ッキを行う浴槽中に浸漬して化学メッキ処理及び電気メ
ッキ処理を行う方法が開示されている。この方法では、
塗膜が完全に除去できないので、塗膜は残される。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、従来
の技術にあっては、例えば、特公昭62-500344 号に開示
されている電磁波シールドを目的としたプラスティック
ス成型品の部分メッキ方法の場合、十分なメッキ付着性
を有する塗料組成物を得るには、塗料組成物中に含まれ
る活性金属粒子は少なくとも50％以上であることが必要
であり、そのためその塗膜の機械的強度は硬く脆い特性
を有する傾向があった。

【０００５】 その結果、この方法によりメッキを施し
たプラスティックス成型品を組み立てた際には、特に組
み立て接合部が接触するときに塗膜の一部が破壊し剥が
れ落ちる欠損が見られ、この欠損が起因して十分な電磁
波シールド効果が得られないばかりか、前記欠損によっ
て剥がれ落ちた細かなメッキ膜片が、電子製品内部の電
子基板に付着することによって電子回路の短絡などが発
生するという問題があった。

【０００６】 また、特公昭49-29959号に開示されてい
るような装飾を目的とした部分メッキ方法では、メッキ
膜を必要としない部分に耐食性の高い合成樹脂からなる
塗料組成物で塗装を行って塗膜を形成した後、一般に強
酸性の液体を使用して粗面化処理を行って、その塗膜で
覆われていない表面を粗面化し、続いて化学メッキや電
気メッキを行う浴槽中に耐食性塗膜が浸漬するため、物
品表面の耐食性塗膜中に含まれる着色料などの溶解や脱
離などが起こり、メッキ液の汚染が生じる。その結果、
最終的なメッキ製品が汚染されたり、メッキ液の組成変
化に起因するメッキ不良が発生するといった問題がある
だけでなく、塗膜の色が退色したり、変化することもあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】 このような従来の問題
点を解決するするため、請求項１の発明は、物品の一部
分にメッキ膜を形成する部分メッキ方法において、メッ
キ膜を形成しない前記物品の表面部分にアルカリ可溶性
の樹脂からなるレジスト膜を形成する工程と、 粗面化
液を用いて前記レジスト膜で覆われていない前記物品の
表面部分を粗面化する工程と、前記レジスト膜を除去し
た後に、前記物品にメッキ処理を行うことにより前記物
品の粗面化された面だけにメッキ膜を形成する工程と、
からなることを特徴とする部分メッキ方法であって、前
記レジスト膜を形成する樹脂は酸性基を有し、その酸価
が120mgKOH/g以上、かつ50℃〜110 ℃の範囲のガラス転
移温度を有するアクリル系樹脂であり、その組成の一部
にメタクリル酸及びアクリル酸の一方又は双方が共重合
されているアクリル樹脂であることを特徴とする部分メ
ッキ方法を提供する。

【０００８】 請求項２の発明は、請求項１において、
前記レジスト膜を形成する樹脂は、樹脂組成物としての
溶剤成分中の20％〜98％が水であることを特徴とする部
分メッキ方法を提供する。

【０００９】 請求項３の発明は、請求項２において、
前記レジスト膜を形成する樹脂は酸性基を有し、該酸性
基は少なくとも１種類以上のアミン系化合物により中和
されていることを特徴とする部分メッキ方法を提供す
る。

【００１０】 請求項４の発明は、請求項１ないし請求
項３のいずれかの部分メッキ方法を施してなる物品にお
いて、該物品の表面に電磁波シールドとを目的としてメ
ッキ膜を形成したことを特徴とする物品を提供する。

【００１１】 請求項５の発明は、請求項１ないし請求
項３のいずれかの部分メッキ方法を施してなる物品にお
いて、該物品の表面に装飾を目的としてメッキ膜を形成
したことを特徴とする物品を提供する。

【００１２】

【発明を実施するための形態】 本発明の基本的な考え
方は、メッキを施さない部位に好ましくはアルカリ性水
溶液に可溶な合成樹脂（以下レジスト樹脂と呼ぶ）組成
物を塗装し、乾燥した後、その物品全体を、例えば強酸
性のプラスティックス表面粗化液などに浸漬することに
よって、メッキを施す合成樹脂面のみを侵食させ、続い
てアルカリ性水溶液を用いてレジスト塗膜を溶解して除
去し、その後に通常の化学メッキ、又は電気メッキで行
われている工法でメッキ処理を行う部分メッキ方法を提
案するものである。

【００１３】 本発明による部分メッキ方法は、プラス
ティックス物品、あるいは表面がメッキ液に侵されにく
い合成樹脂で被覆されたプラスティックス物品、金属製
物品、木製物品又はこれらの組み合わせた物品の合成樹
脂面に適用することができることから、通常のプラステ
ィックス物品の化学メッキ、電気メッキが行われている
工法でメッキ処理を行うことが可能である。

【００１４】 そのためメッキ膜は直接合成樹脂面に形
成されるから、前記活性金属粒子を含有する有機バイン
ダーにより得られる化学メッキ製品で問題となった電磁
シールド特性の低下や電子回路へのメッキ片の付着によ
る電子回路の短絡などの問題の解決が可能であるばかり
か、化学メッキ浴及び電気メッキ浴中にレジスト樹脂層
を除去した後の物品だけを浸漬する方法ため、メッキ液
の汚染による物品の汚染やメッキ不良の発生も回避でき
る。

【００１５】 本発明の部分メッキ方法は、合成樹脂面
をもつ物品のメッキ膜を形成しない表面部分にアルカリ
水溶液に可溶な樹脂組成物を用いて被覆するが、本発明
で述べるアルカリ可溶性とは、塗装、乾燥した樹脂組成
物をアルカリ性水溶液、例えば2 ％〜5 ％程度の水酸化
ナトリウム水溶液などに数分間浸漬することによって塗
膜が溶解し、容易に除去できる程度の特性を意味する。
このような特性をもつアルカリ性水溶液は、粗面化され
た面に実質的に影響を与えないことが好都合である。

【００１６】 このアルカリ可溶性樹脂（レジスト樹
脂）は、ポリエステル系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポ
リスチレン系樹脂、アクリル系樹脂など既存の合成樹脂
のうちから選ばれ、例えばＡＢＳ樹脂の物品などの表面
を粗面化液の中に浸漬して粗面化を行う場合では、一般
に濃硫酸とクロム酸の混合液などのような非常に酸性度
の高い溶液が粗面化液として用いることから、レジスト
樹脂は耐酸性に優れた樹脂であることが望ましい。

【００１７】 この点、アクリル系樹脂やポリスチレン
系樹脂は適切な組成を選ぶことにより耐酸性に優れた樹
脂が得られることに加えて、種々の共重合組成を選ぶこ
とができる利点があり、したがって本発明に用いられる
レジスト樹脂はアクリル酸エステル、メタクリル酸エス
テル、スチレンなどに代表されるラジカル重合性モノマ
ーから得られる樹脂であることが好ましい。

【００１８】 このラジカル重合が可能なモノマーとし
ては、例えば、アクリル酸またはメタクリル酸のエステ
ル、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、ア
クリル酸プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル
酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、
アクリル酸ラウリル、メタクリル酸メチル、メタクリル
酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸イソプ
ロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ヘキシル、
メタクリル酸オクチル、メタクリル酸ラウリル等のアク
リル酸またはメタクリル酸の炭素数1 〜18のアルキルエ
ステル、アクリル酸メトキシブチル、メタクリル酸メト
キシブチル、アクリル酸メトキシエチル、メタクリル酸
メトキシエチル、アクリル酸エトキシブチル、メタクリ
ル酸エトキシブチル等のアクリル酸またはメタクリル酸
の炭素数2 〜18のアルコキシアルキルエステル、アリル
アクリレート、アリルメタクリレート等のアクリル酸ま
たはメタクリル酸の炭素数2 〜8 のアルケニルエステ
ル、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチル
メタクリレート、ヒドロキシブチルアクリレート、ヒド
ロキシブチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアク
リレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート等のアク
リル酸またはメタクリル酸の炭素数2 〜8 のヒドロキシ
アルキルエステル、アリルオキシエチルアクリレート、
アリルオキシエチルメタクリレートなどのアクリル酸ま
たはメタクリル酸の炭素数3〜18のアルケニルオキシア
ルキルエステルが例示される。

【００１９】 ビニル芳香族化合物としては、例えば、
スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−
クロルスチレンが例示される。

【００２０】 ポリオレフィン系化合物としては、例え
ば、ブタジエン、イソプレン、クロロプレンが挙げられ
る。

【００２１】 その他、カプロラクトン変性アクリル酸
エステル化合物、カプロラクトン変性メタクリル酸エス
テル、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、メチル
イソプロペニルケトン、酢酸ビニル、ビニルプロピオネ
ート、ビニルピバレート、アクリルアミド、Ｎ−メチロ
ールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミ
ド、Ｎ−メチロールアクリルアミドブチルエーテル、ジ
メチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエ
チルメタクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、イタ
コン酸、クロトン酸、アリルアルコール、マレイン酸な
どを例示できる。

【００２２】 このラジカル重合性モノマーから得られ
るレジスト樹脂は、通常のアクリル樹脂やビニル樹脂な
どのラジカル重合反応と同様の方法、条件でラジカル重
合を行うことにより得ることができる。このような合成
反応の一例として、各単量体成分を有機溶剤に溶解し、
ラジカル重合開始剤の存在下に窒素雰囲気下で60〜180
℃程度の温度で撹拌しながら加熱する方法を示すことが
できる。反応時間は、通常1 〜10時間程度とすれば良
い。また、有機溶剤としてはアルコール系溶媒、エーテ
ル系溶媒、エステル系溶媒、炭化水素系溶媒などが使用
可能である。

【００２３】 ラジカル重合開始剤としては、通常用い
られているものを用いることができ、その一例として
は、過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エ
チルヘキサノエートなどの過酸化物、アゾビスイソブチ
ロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリルなどのア
ゾ化合物などを示すことができる。

【００２４】 本発明に用いるレジスト樹脂は、カルボ
ン酸などの酸性基を有することが好ましい。この理由と
しては、レジスト樹脂を形成する合成樹脂が酸性基を有
することにより、メッキ工程前に行われるレジスト樹脂
膜の溶解除去工程においてアルカリ性水溶液によるレジ
スト樹脂の溶解性が向上するからである。これは、アル
カリ水溶液による洗浄過程で、レジスト樹脂が有する酸
性基の塩が形成されることに起因して溶解が助長される
ためと考えられる。

【００２５】 本発明のレジスト樹脂成分にカルボン酸
などの酸性基の塩を有するラジカル重合性モノマーを用
いることによっても、アルカリ性水溶液による良好な除
去性を呈するレジスト樹脂が得られる。

【００２６】 本発明に用いるレジスト樹脂の有する酸
性基の量は、酸価として120mgKOH/g以上であることが好
ましい。さらに好ましくは、150mgKOH/g〜500mgKOH/gで
ある。本発明に用いるレジスト樹脂の有する酸基の量が
120mgKOH/g以下では、本発明のメッキ工程の洗浄過程に
おけるアルカリ性水溶液による塗膜除去性が悪くなるた
めに好ましくない。また、500mgKOH/g以上では、樹脂組
成物の粘度が異常に高くなったり、塗膜を形成したとき
の強度が低下する傾向があるため好ましくない。

【００２７】 次に、本発明のレジスト樹脂のガラス転
移温度について述べる。一般に、高分子化合物のガラス
転移点温度は分子量やその分布状態により影響を受ける
ため、明確な値の記述は困難である。そこで本発明にお
いては、例えば2種類のモノマーからなる重合体のガラ
ス転移温度は、両性分のガラス転移温度（Tg1 、Tg2 ）
及び重量分率（W1、W2）で示すと、Tg＝W1×Tg1 ＋W2×
Tg2 となる。

【００２８】 本発明のレジスト樹脂のガラス転移温度
は、上式から得られるガラス転移温度の値として50℃〜
110 ℃であることが好ましい。さらに好ましくは70℃〜
100 ℃である。この理由として一般のプラスチックス物
品のメッキ工程において、例えばＡＢＳ樹脂物品の粗面
化を行う場合では、通常濃硫酸とクロム酸の混合液を50
℃以上に加熱した粗面化液が用いられる。このことから
ガラス転移温度が50℃以下のレジスト樹脂を用いた場合
では、粗面化過程においてレジスト樹脂の劣化が顕著に
現れるために好ましくない。

【００２９】 また、ガラス転移温度が110 ℃以上の場
合では、塗膜の機械的強度特性の脆弱化によりクラック
が生じるなどの不具合が発生するために好ましくない。

【００３０】 本発明に用いるレジスト樹脂は、組成物
として有機溶剤を含んだ状態で物品に用いることもでき
るが、溶媒の一部に水を含んでも良い。この水は有機系
溶媒中でレジスト樹脂を合成した後に、レジスト樹脂が
有する酸性基をアンモニア水などで中和する場合に介在
してくる水も含んでおり、水を溶媒として用いることに
限定するものではない。また、施工時における作業性の
面や危険物としての取扱いの安全面から、意図的に溶媒
の一部あるいは全部に水を用いる場合をも含む。

【００３１】 本発明に用いるレジスト樹脂組成物の溶
剤成分の一部に水を使用する場合には、全溶媒中の20％
〜98％が水であることが好ましい。より好ましくは50％
〜98％である。20％以下では、施工時における作業性の
面や危険物としての取扱い安全面から有機溶剤のみの場
合と比較して大差が見られないために好ましくない。ま
た、98％以上を水にするには、合成時に用いた溶剤のほ
ぼ100 ％を取り除き、水と置換する必要が有るために実
際の操作上で困難がある。

【００３２】 本発明に用いるレジスト樹脂は、アンモ
ニア水やトリエチルアミンなどの塩基性化合物による中
和を行うことにより、貯蔵時の腐食性が減少し、また本
発明の部分メッキ工程におけるアルカリ性水溶液による
洗浄性が向上する効果がある。

【００３３】 本発明のプラスティックス物品の部分メ
ッキ方法に用いるレジスト樹脂組成物には、必要に応じ
て公知の塗面調整剤、流動性調整剤、体質顔料、着色顔
料、染料等を加えて塗料組成物とすることができる。

【００３４】 また、本発明に用いるレジスト樹脂組成
物は、例えば、トルエン、キシレンなどの炭化水素系溶
剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど
のケトン系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステ
ル系溶剤、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエ
ーテルなどのエーテル系溶剤、メタノール、エタノー
ル、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶剤の
単独若しくは混合溶剤あるいは水溶液で希釈して、スプ
レー塗装、ロール塗装、ハケ塗りなどの塗装方法によっ
て塗装することができる。塗装処理後は常温乾燥若しく
は強制乾燥を行う。

【００３５】 本発明の部分メッキ方法は、合成樹脂面
に前記レジスト樹脂組成物を部分的に塗布し、乾燥した
後、表面粗化液に浸漬し、その後化学メッキ工程までの
間に塗布したレジスト塗料をアルカリ性水溶液によって
溶解除去することを特徴とする物品の部分メッキ方法で
あり、メッキ工程における粗面化工程、化学メッキ工
程、電気メッキ工程については特に限定するものではな
く、プラスティックスにメッキを行う際に通常用いられ
るメッキ方法が採用できる。

【００３６】 本発明の部分メッキ方法によって部分メ
ッキが可能な合成樹脂としては、粗面化液によって粗面
化されるものであれば使用可能であり、例えばＡＢＳ樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂などを例
示することができる。

【００３７】

【実施例】 以下この発明を実施例を用いて説明する
が、これによって本発明限定するものではない。

【００３８】 実施例１：〔レジスト樹脂の合成〕窒素
導入管、温度計、冷却管、滴下ロート、撹拌装置を備え
た1 リットルの丸底四つ口フラスコにイソプロピルアル
コール350gを仕込み、ウォーターバスを用いて80℃に加
熱した。別に調整したスチレン82.5g 、メタクリル酸ブ
チル45.0g、アクリル酸22.5g 、ＡＢＮ−Ｅ（日本ヒド
ラジン（株）製アゾ化合物系ラジカル重合開始剤）4.5g
からなる混合物を滴下ロートを用いて1 時間にわたって
フラスコ内に添加した。

【００３９】 添加終了後60分毎に120 分間にわたって
ＡＢＮ−Ｅの20％イソプロピルアルコール溶液10g を合
計2 回添加し、さらに240 分にわたってフラスコ内の温
度を80℃に保って反応を終了し、実施例１のレジスト樹
脂を得た。実施例１のレジスト樹脂は、前記のガラス転
移温度算出式からガラス転移温度は80℃である。また、
実施例１のレジスト樹脂の酸価は117mgKOH/gである。

【００４０】 〔レジスト樹脂組成物の調整〕実施例１
のレジスト樹脂80g とブチルセルソルブ20g を混合し
て、実施例１のレジスト樹脂組成物を得た。

【００４１】 〔レジスト樹脂組成物の塗装及び乾燥工
程〕実施例１で得たレジスト樹脂組成物をフォードカッ
プ＃４での粘度が11秒程度になるようにイソプロピルア
ルコールで希釈した後、スプレー塗装にて6cm ×20cmの
ＡＢＳ樹脂板の半分に（6cm ×10cm）塗装した。塗装後
5 分間常温放置した後にボックス型乾燥炉でそれぞれ60
℃、30分間の強制乾燥を行った。塗装は、乾燥後の塗膜
厚が15μm となるように調整した。

【００４２】 〔表面粗化工程、洗浄工程〕 前工程で
得た部分的にレジスト塗膜の形成されたＡＢＳ成型板
を、濃硫酸420gとクロム酸380gの混合物の全量が1リッ
トルになるまで水を加え、60℃の温度に加熱した粗面化
液の中に10分間浸漬してＡＢＳ成型板の粗面化を行っ
た。

【００４３】 〔触媒処理とレジスト塗膜の溶解洗浄工
程〕前工程で粗面化を行ったＡＢＳ成型板に化学メッキ
触媒処理を行った後、5 ％の苛性ソーダ水溶液中に5 分
間浸漬することによって、ＡＢＳ成型板に塗装されたレ
ジスト塗膜の溶解除去処理を行った。

【００４４】 〔メッキ工程〕前工程で得たＡＢＳ成型
板に通常の各メッキ処理を施し4 層のメッキ層を形成し
た。ＡＢＳ成型板に35℃の温度で2 分の間アクセレータ
処理を行い、先ず無電解ニッケルメッキを行って、 0.3
μm の厚さのニッケルメッキ層を形成した。さらに、硫
酸銅メッキを行って 3μm の厚さの銅メッキ層を形成
し、続いて5 μmの厚みの光沢メッキ層、最後に0.02μm
の厚さのクロムメッキ層を形成した。

【００４５】 実施例２：〔レジスト樹脂の合成〕実施
例１と同様の装置を用いて、フラスコ内にイソプロピル
アルコール350gを仕込み、ウォーターバスを用いて80℃
の温度に加熱した。別に調整したスチレン82.5g 、メタ
クリル酸ブチル45.0g 、アクリル酸22.5g 、ＡＢＮ−Ｅ
（日本ヒドラジン（株）製のアゾ化合物系ラジカル重合
開始剤）4.5gからなる混合物を滴下ロートを用いて1 時
間にわたってフラスコ内に添加した。

【００４６】 添加終了後60分毎に120 分間にわたって
ＡＢＮ−Ｅの20％イソプロピルアルコール溶液10g を合
計2 回添加し、さらに240 分にわたってフラスコ内温度
を80℃に保って反応を終了し、実施例２のレジスト樹脂
を得た。実施例２のレジスト樹脂は、前記のガラス転移
温度算出式からガラス転移温度は80℃である。また、実
施例２のレジスト樹脂の酸価は117mgKOH/gである。

【００４７】〔レジスト樹脂組成物の調整〕実施例２の
レジスト樹脂100gに水30g を加えた後、28％のアンモニ
ア水を用いて水素イオン濃度（PH）を7.5 に調整し、実
施例２のレジスト樹脂組成物を得た。実施例２のレジス
ト樹脂組成物の溶剤成分の30％以上は水である。以下、
レジスト樹脂組成物の塗装工程からメッキ工程までは実
施例１と同様の方法で行った。

【００４８】実施例３〜実施例６及び比較例１〜比較例
４：〔レジスト樹脂の合成〕 実施例１と同様の装置を
用いて、フラスコ内にイソプロピルアルコール350gを仕
込み、ウォオーターバスを用いて80℃に加熱した。表１
に示す組成からなる実施例３〜実施例６及び比較例１〜
比較例４の混合物を滴下ロートを用いて1 時間にわたっ
てフラスコ内に添加した。その後の合成過程は実施例１
と同様の処方で、実施例３〜実施例６及び比較例１〜比
較例４のレジスト樹脂を得た。

【００４９】 〔レジスト樹脂組成物の調整〕実施例１
のレジスト樹脂組成物の調整と同様にして実施例３〜実
施例６及び比較例１〜比較例４のレジスト樹脂組成物を
得た。以下、レジスト樹脂組成物の塗装工程からメッキ
工程までは実施例１と同様の方法で行った。

【００５０】 〔評価項目と評価方法〕本発明の部分メ
ッキ方法で用いるレジスト樹脂特性で必要とされる性能
について、実施例１〜実施例６及び比較例１〜比較例４
のレジスト樹脂で評価を行った。評価項目及び評価方法
は以下の通りである。

【００５１】 （イ）試験項目と評価方法 密着性試験：ＡＢＳ成型板に標準塗装乾燥した試験片に
1mm ×1mm ×100 個の碁盤目カットを行い、セロハンテ
ープ剥離試験後の残存碁盤目数から相対的に評価を行
う。 外観変化：ＡＢＳ成型板に標準塗装乾燥した試験片の経
時的な塗膜外観の変化を相対的に評価を行う。 耐酸腐食性：ＡＢＳ成型板に標準塗装乾燥した試験片
を、濃硫酸420gとクロム酸380gの混合物の全量が1 リッ
トルになるまで水を加え、60℃の温度に加熱した粗面化
液中に10分間浸漬した後の塗膜変化を相対的に評価す
る。 アルカリ溶解性：ＡＢＳ成型板に標準塗装乾燥した試験
片を、5 ％の苛性ソーダ水溶液中に5 分間浸漬した後の
レジスト樹脂塗膜の溶解性を相対的に評価する。 メッキ仕上がり状態：部分メッキの仕上がり状態及びメ
ッキ表面、非メッキ部分の仕上がり状態を相対的に評価
する。

【００５２】 （ロ）評価基準 ◎：極めて良好 ○：良好 △：やや劣るが使用可能範囲 ×：不良

【００５３】 （ハ）試験結果 評価結果を表１に示す。

【００５４】

【発明の効果】 以上説明したようにこの発明は、メッ
キ膜を形成したい表面部分だけにアルカリ性水溶液に可
溶な樹脂組成物を用いて塗装、乾燥を行ってレジスト塗
膜を形成した後、その物品全体を粗面化液に浸漬するこ
とによってレジスト塗膜に覆われていない表面部分のみ
が侵食されて粗面化された物品を得、続いてアルカリ性
水溶液を用いてレジスト塗膜を溶解、除去し、その後に
通常の化学メッキ、電気メッキを行う部分メッキ方法で
あるので、メッキ液の汚染などが起こらず、メッキ液の
汚染により発生する不良の発生も解決し得る。また、従
来のように残された塗膜がメッキ処理時に悪影響を受け
ることもない。

【００５５】 さらにまた、本発明による部分メッキ方
法により、部分メッキ層は通常のメッキ処方と同様に物
品上に直接形成されることから、活性金属粒子を含有す
る有機バインダーで問題となる電磁シールド特性の不良
や、電子回路の短絡などの問題を解決できる。

【表１】

フロントページの続き (56)参考文献 特開2000−80480（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−6280（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−286026（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−283950（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−3023936（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−106056（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C23C 18/22 C25D 5/02

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 物品の一部分にメッキ膜を形成する部分
   メッキ方法において、 メッキ膜を形成しない前記物品の表面部分にアルカリ可
   溶性の樹脂からなるレジスト膜を形成する工程と、 粗面化液を用いて前記レジスト膜で覆われていない前記
   物品の表面部分を粗面化する工程と、 前記レジスト膜を除去した後に、前記物品にメッキ処理
   を行うことにより前記物品の粗面化された面だけにメッ
   キ膜を形成する工程と、からなることを特徴とする部分
   メッキ方法であって、前記レジスト膜を形成する樹脂は酸性基を有し、その酸
   価が120mgKOH/g以上、かつ50℃〜110 ℃の範囲のガラス
   転移温度を有するアクリル系樹脂であり、その組成の一
   部にメタクリル酸及びアクリル酸の一方又は双方が共重
   合されているアクリル樹脂であることを特徴とする部分
   メッキ方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、前記レジスト膜を形
   成する樹脂は、樹脂組成物としての溶剤成分中の20％〜
   98％が水であることを特徴とする部分メッキ方法。
3. 【請求項３】 請求項２において、前記レジスト膜を形
   成する樹脂は酸性基を有し、該酸性基は少なくとも１種
   類以上のアミン系化合物により中和されていることを特
   徴とする部分メッキ方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかの部
   分メッキ方法を施してなる物品において、該物品の表面
   に電磁波シールドとを目的としてメッキ膜を形成したこ
   とを特徴とする物品。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項３のいずれかの部
   分メッキ方法を施してなる物品において、該物品の表面
   に装飾を目的としてメッキ膜を形成したことを特徴とす
   る物品。