JP3428266B2 - 単結晶引上装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、二重構造のルツボ
を用いて貯留された半導体融液より半導体単結晶を引き
上げる単結晶引上装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ素
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を成長する方法の一つと
して、ＣＺ法が知られている。このＣＺ法は、大口径、
高純度の単結晶が無転位あるいは格子欠陥の極めて少な
い状態で容易に得られること等の特徴を有することか
ら、様々な半導体結晶の成長に用いられている方法であ
る。

【０００３】近年、単結晶の大口径化、高純度化、酸素
濃度および不純物濃度等の均一化の要求に伴いこのＣＺ
法も様々に改良され実用に供されている。上記ＣＺ法の
改良型の一つにいわゆる二重ルツボを用いた連続チャー
ジ型磁界印加ＣＺ法（以下、ＣＭＣＺ法と略称する）が
提案されている。この方法は、外部からルツボ内の半導
体融液に磁界を印加することにより、前記半導体融液内
の対流を抑制し極めて酸素濃度の制御性が良く単結晶化
率が良い単結晶を成長することができ、外側のルツボと
内側のルツボとの間に原料を連続供給し長尺の半導体単
結晶を容易に得ることができる等の特徴を有する。した
がって、大口径かつ長尺の半導体単結晶を得るには最も
優れた方法の一つであると言われている。

【０００４】図６は、特開平４−３０５０９１号公報に
記載されている上記のＣＭＣＺ法を用いたシリコンの単
結晶引上装置の一例である。この単結晶引上装置１は、
中空の気密容器であるチャンバ２内に、二重ルツボ３、
ヒーター４、原料供給装置５がそれぞれ配置され、該チ
ャンバ２の外部にマグネット６が配置されている。

【０００５】二重ルツボ３は、略半球状の石英（ＳｉＯ
₂）製の外ルツボ１１と、図７の（ａ）に示すように、
該外ルツボ１１内に設けられた円筒状の仕切り体である
石英（ＳｉＯ₂）製の内ルツボ１２とから形成され、該
内ルツボ１２の側壁には、内ルツボ１２と外ルツボ１１
との間（原料融解領域）と内ルツボ１２の内側（結晶成
長領域）とを連通する連通孔１３が複数個形成されてい
る。

【０００６】この二重ルツボ３は、チャンバ２の中央下
部に垂直に立設されたシャフト１４上のサセプタ１５に
載置されており、前記シャフト１４の軸線を中心として
水平面上で所定の角速度で回転する構成になっている。
そして、この二重ルツボ３内には半導体融液（加熱融解
された半導体単結晶の原料）２１が貯留されている。

【０００７】ヒーター４は、半導体の原料をルツボ内で
加熱・融解するとともに生じた半導体融液２１を保温す
るもので、通常、抵抗加熱が用いられる。原料供給装置
５は、所定量の半導体の原料２２を外ルツボ１１と内ル
ツボ１２との間の半導体融液２１面上に連続的に投入す
るものである。

【０００８】マグネット６は、二重ルツボ３の外方から
二重ルツボ３内の半導体融液２１に磁界を印加すること
で、半導体融液２１内で発生するローレンツ力により該
半導体融液２１の対流の制御および酸素濃度の制御、液
面振動の抑制等を行うものである。

【０００９】上記原料供給装置５から供給される原料２
２としては、例えば、多結晶シリコンのインゴットを破
砕機等で破砕してフレーク状にしたもの、あるいは、気
体原料から熱分解法により粒状に析出させた多結晶シリ
コンの顆粒が好適に用いられ、必要に応じてホウ素
（Ｂ）（ｐ型シリコン単結晶を作る場合）やリン（Ｐ）
（ｎ型シリコン単結晶を作る場合）等のドーパントと呼
ばれる添加元素がさらに供給される。また、ガリウムヒ
素（ＧａＡｓ）の場合も同様で、この場合、添加元素は
亜鉛（Ｚｎ）もしくはシリコン（Ｓｉ）等となる。

【００１０】上記の単結晶引上装置１により、内ルツボ
１２の上方かつ軸線上に配された引上軸２４に種結晶２
５を吊り下げ、半導体融液２１上部において種結晶２５
を核として半導体単結晶２６を成長させる。

【００１１】ところで、上記の単結晶引上装置では、特
開昭６３−３０３８９４号公報に記載されているよう
に、単結晶を成長する前工程において、外ルツボ１１に
予め多結晶シリコン塊等の多結晶原料を融解させて半導
体融液２１を貯留し、外ルツボ１１の上方に配された内
ルツボ１２を、外ルツボ１１内に載置して、二重ルツボ
３を形成している。このように多結晶原料の融解後に二
重ルツボ３を形成するのは、多結晶原料を完全に融解し
て半導体融液２１を得るために、ヒーター４によって外
ルツボ１１内の原料を単結晶成長温度以上の温度まで高
温加熱する必要があり、この際に、予め内ルツボ１２を
外ルツボ１１内に載置させていると、内ルツボ１２に大
きな熱変形が生じてしまうからである。

【００１２】したがって、原料を完全に融解した後、ヒ
ーター４による加熱をある程度弱めてから内ルツボ１２
を外ルツボ１１に載置させることによって、初期原料融
解時の高温加熱を避け、内ルツボ１２の変形を抑制して
いる。

【００１３】また、内ルツボ１２に形成された連通孔１
３は、原料供給時に半導体融液２１を内ルツボ１２の外
側から内ルツボ１２の内側にのみ流入させるように一定
の開口径以下に設定されている。すなわち、この理由は
連通孔１３の開口面積が大きすぎると、結晶成長領域か
ら半導体融液２１が対流により原料融解領域に戻る現象
が生じると単結晶成長における不純物濃度および融液温
度等の制御が困難になってしまうためである。

【００１４】しかしながら、連通孔１３の開口径が小さ
すぎる場合は、内ルツボ１２の外側から内ルツボ１２の
内側へ半導体融液２１が流入し難くなり、内ルツボ１２
の外側と内ルツボ１２の内側における半導体融液２１の
液位に差が生じ易くなるとともに、この差を相殺させよ
うとする力で液面が揺れてしまい単結晶成長に悪影響を
及ぼしてしまう。このため、前記連通孔１３は、内ルツ
ボ１２の内側から内ルツボ１２の外側に半導体融液２１
が逆流しないとともに、内ルツボ１２の内側と内ルツボ
１２の外側の半導体融液２１の液位差が生じない範囲の
開口径に設定されている。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
単結晶引上装置には、以下のような課題が残されてい
る。すなわち、外ルツボ１１内に半導体融液２１を貯留
した後に、内ルツボ１２を載置し二重ルツボを形成する
ため、内ルツボ１２に形成されている複数の連通孔１３
には、図７の（ｂ）に示すように、雰囲気ガスとして用
いられる不活性ガス、例えばアルゴン等の気泡Ａが付着
してしまう場合がある。このように気泡Ａが付着した状
態の連通孔１３では、実質的な開口径が狭まってしまう
とともに、半導体融液２１が外ルツボ１１から連通孔１
３を通して内ルツボ１２内に流入する際に、融液流抵抗
が増大してその流れが阻害されてしまう。すなわち、連
通孔１３の開口径が前述した好適な範囲より小さくなっ
てしまい、単結晶成長が困難となってしまう。また、連
通孔１３の開口径を大きく設定すれば、付着した気泡Ａ
の影響が低減されると考えられるが、上述したように連
通孔１３の開口径には上限があり、開口径の拡大化も制
限される。

【００１６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、内ルツボを設置する際に生じる気泡の付着を抑制
し、長尺大口径の単結晶を安定して引き上げる装置を提
供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
１記載の単結晶引上装置では、気密容器の内部に設けら
れた外ルツボに半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に
筒状仕切り体である内ルツボを載置して二重ルツボを形
成し、前記内ルツボ内の半導体融液より半導体単結晶を
引き上げる単結晶引上装置において、前記内ルツボの下
端には、切欠部が形成され、該切欠部は、前記二重ルツ
ボを形成した状態で半導体融液を内ルツボの内部に流入
させる連通部となり、前記内ルツボは、少なくとも切欠
部の下部周辺が他の部分より厚肉に設定された厚肉部と
されている。

【００１８】この単結晶引上装置では、内ルツボに連通
孔ではなく切欠部を形成しているので、内ルツボの下端
を半導体融液に接触させた段階で既に切欠部の下部に半
導体融液が浸入するとともに、内ルツボの下端が半導体
融液内に挿入されて行くに従って、その半導体融液が切
欠部に徐々に浸入して切欠部の気泡を押し出すことか
ら、切欠部への気泡の付着が防止される。また、二重ル
ツボを形成した状態の切欠部は、熱変形しやすいが、こ
の単結晶引上装置では、外ルツボに近接する切欠部の下
部周辺が他の部分より厚肉とされた厚肉部であるので、
該厚肉部が他の部分より強度が高い。したがって、熱に
より切欠部が軟化しても変形し難く、その形状が保持さ
れる。なお、切欠部全体の強度を向上させるために、切
欠部の下部周辺のみならず、切欠部の全周辺が厚肉部と
されることが望ましい。

【００１９】請求項２記載の単結晶引上装置では、請求
項１記載の単結晶引上装置において、前記切欠部は、上
方に向かって幅が漸次狭められた頂部を有する。

【００２０】この単結晶引上装置では、切欠部に頂部が
形成されているので、切欠部の開口面積が同一である場
合に、例えば、頂部が形成されていない単なる矩形状の
切欠部等に比べて下端幅を広く設定することができる。
すなわち、二重ルツボを形成する際に、半導体融液に最
初に接触し浸入する部分である切欠部の下端部分が広く
設定できることから、半導体融液が切欠部内部に浸入し
易くなり、付着していた気泡が押し出され易くなる。

【００２１】請求項３記載の単結晶引上装置では、請求
項１または２記載の単結晶引上装置において、前記切欠
部は、下端幅が最大幅に設定する。

【００２２】この単結晶引上装置では、切欠部の下端幅
が最大幅に設定されているので、二重ルツボを形成する
際に、半導体融液に最初に接触し浸入する部分である切
欠部の下端部分が最も広いことから、半導体融液が切欠
部内部に浸入し易くなり、付着していた気泡がさらに押
し出され易くなる。

【００２３】請求項４記載の単結晶引上装置では、請求
項１から３のいずれかに記載の単結晶引上装置におい
て、前記切欠部は、下部に垂直に立ち上がる立ち上がり
部を形成する。

【００２４】二重ルツボを形成した状態の切欠部は、高
温状態の半導体融液および外ルツボに直接当接するた
め、熱変形が生じ易いが、この単結晶引上装置では、切
欠部の下部に立ち上がり部を形成しているので、切欠部
周辺において垂直方向に対する強度が高い。したがっ
て、熱により切欠部が軟化しても特に垂直方向に変形し
難く、その形状が保持される。

【００２５】

【００２６】

【００２７】請求項５記載の単結晶引上装置では、請求
項１から４のいずれかに記載の単結晶引上装置におい
て、前記内ルツボは、前記外ルツボ内側の傾斜面に下端
が当接して配置されるとともに、下端外周面が下端内方
に向かって傾斜したテーパ面とする。

【００２８】上述したように、二重ルツボを形成した状
態の切欠部は、熱変形しやすいが、この単結晶引上装置
では、内ルツボの下端外周面がテーパ面とされているの
で、外ルツボの内側における傾斜面に前記下端外周面が
面接触して内ルツボを支持する。したがって、内ルツボ
の下端に加わる自重を面接触により分散させて該下端の
熱変形が低減されるとともに、下端に形成される切欠部
の形状も保持される。さらに、内ルツボの下端外周面が
外ルツボの内側と面接触しているので、外ルツボとの密
着性が向上する。したがって、たとえ内ルツボを載置す
る際に位置ずれが生じても、内ルツボの下端と外ルツボ
との間に隙間が生じ難くなる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の第１形態を
図１および図２を参照しながら説明する。これらの図に
あって、符号３１はシリコンの単結晶引上装置、３２は
切欠部、３３は内ルツボを示している。

【００３０】第１形態の単結晶引上装置３１は、図１に
示すように、従来例で説明した単結晶引上装置１におい
て連通孔１３が形成された内ルツボ１２の代わりに、切
欠部３２が形成された内ルツボ３３を用いたものであ
り、図１において図６に示す構成要素と同一の要素には
同一符号を付してあり、この同一要素については説明を
省略する。

【００３１】単結晶引上装置３１は、図２の（ａ）に示
すように、円筒状の仕切り体である石英製の内ルツボ３
３を半導体融液２１が貯留された外ルツボ１１内に載置
した二重ルツボ構造を有するものである。前記内ルツボ
３３は、その下端の２カ所に互いに軸線に対して対称な
位置に切欠部３２が形成されている。これらの切欠部３
２は、二重ルツボを形成した状態で半導体融液２１を内
ルツボ３３の外側から内ルツボ３３の内部に流入させる
連通部を形成するものである。

【００３２】前記切欠部３２は、図２の（ｂ）に示すよ
うに、下部に垂直に立ち上がる立ち上がり部３２Ａが形
成されているとともに、その上部には上方に向かって幅
が漸次狭められた９０度の角度を有する頂部３２Ｂが形
成されている。また、切欠部３２は、下端幅Ｗが最大幅
に設定されている。

【００３３】切欠部３２の下端幅Ｗは、５ｍｍ以上とな
るように設定されている。すなわち、下端幅Ｗが５ｍｍ
未満の範囲では、外ルツボ１１側から内ルツボ３３内へ
半導体融液２１が流入し難くなり内ルツボ３３内外の液
位に差が生じてしまうためである。また、内ルツボ３３
内から外ルツボ１１側へ半導体融液２１が戻る逆流現象
等を考慮して、特に、下端部Ｗの好適な範囲としては、
内ルツボ３３の内径をφとすると、０．０５０＜Ｗ／φ
＜０．０５５の範囲に設定することが望ましい。

【００３４】さらに、両切欠部３２の開口総面積Ｓは、
Ｗ²／２≦Ｓ≦２Ｗ²となる範囲に設定されている。上記
範囲の下限未満であると、切欠部３２からの半導体融液
２１の流入が、単結晶成長に対して不足するとともに、
内ルツボ３３の内外での液位に差が生じてしまう不都合
が生じるためである。したがって、切欠部３２の個数お
よび切欠部３２一つの開口面積は、設定された開口総面
積Ｓおよび下端幅Ｗにより決定される。

【００３５】次に、本発明に係る単結晶引上装置の一形
態におけるシリコン等の半導体単結晶を成長させる方法
について説明する。

【００３６】〔初期原料融解工程〕まず、多結晶シリコ
ン塊等の多結晶原料を所定量だけ外ルツボ１１内に入
れ、チャンバ２内を真空ポンプ等で排気し真空状態とす
る。また、該チャンバ２内にアルゴン（Ａｒ）等の不活
性ガスを導入し、シャフト１４を軸線を中心として所定
の角速度で水平面上で回転させることで外ルツボ１１を
所定の角速度で回転させながら、ヒーター４に通電し外
ルツボ１１内の多結晶原料を単結晶成長温度以上の温度
まで加熱し、この原料を完全に融解する。

【００３７】〔二重ルツボ形成工程〕原料が完全に融解
した後、ヒーター４による加熱を若干弱めるとともに、
外ルツボ１１の上方に軸線を同じくして配される内ルツ
ボ３３を半導体融液２１内に載置し、形成する。

【００３８】このとき、内ルツボ３３に連通孔ではなく
切欠部３２を形成しているので、内ルツボ３３の下端を
半導体融液２１に接触させた段階で既に切欠部３２の下
部に半導体融液２１が浸入するとともに、その半導体融
液２１が切欠部３２に徐々に浸入して切欠部３２の気泡
を押し出すことから、切欠部３２への気泡の付着が防止
される。そして、内ルツボ３３が外ルツボ１１内に載置
されて二重ルツボを形成した状態では、前記切欠部３２
は、半導体融液２１を内部に流入させる連通部となる。

【００３９】また、切欠部３２に頂部３２Ｂが形成され
ているので、切欠部３２の開口面積が同一である場合
に、例えば、頂部３２Ｂが形成されていない単なる矩形
状の切欠部に比べて下端幅Ｗを広く設定することができ
る。すなわち、半導体融液２１に最初に接触し浸入する
部分である切欠部３２の下端部分が広く設定できること
から、半導体融液２１が切欠部３２内部に浸入し易くな
り、付着していた気泡が押し出され易くなる。

【００４０】さらに、切欠部３２の下端幅Ｗが最大幅に
設定されているので、半導体融液２１に最初に接触し浸
入する部分である切欠部３２の下端部分が最も広いこと
から、付着していた気泡がさらに押し出され易くなる。

【００４１】〔単結晶成長工程〕二重ルツボ３を形成し
た後、マグネット６に通電し所定の磁界を印加し、ヒー
ター４の電力を調整して半導体融液２１の中央液面２３
付近を単結晶成長温度に保ち、引上軸２４により吊り下
げられた種結晶２５を半導体融液２１になじませた後、
この種結晶２５を核として半導体単結晶２６を成長させ
る。ここでは、種結晶を無転位化した後にこの単結晶の
径を徐々に大口径化し所定の径の半導体単結晶２６とす
る。

【００４２】この結晶成長過程においては、半導体単結
晶２６の成長量（引上量）に応じてシリコンの粒状の原
料２２が連続的に投入され（必要に応じてドーパントを
入れる。）、この投入された原料２２は外ルツボ１１内
の内ルツボ３３の外側で融解し、連通部である切欠部３
２を通って内ルツボ３３内に連続的に供給される。以上
により、半導体単結晶２６を成長させることができる。

【００４３】上記二重ルツボ状態において、切欠部３２
は、下部に立ち上がり部３２Ａを形成しているので、高
温状態の外ルツボ１１に直接当接して熱の影響が強くて
も、垂直方向に対して高強度を有することにより、熱で
切欠部が軟化しても垂直方向に変形し難く、その形状が
保持される。

【００４４】次に、本発明の実施の第２形態を図３およ
び図４を参照しながら説明する。これらの図にあって、
符号４１は内ルツボ、４２は切欠部を示している。

【００４５】第２形態と第１形態との異なる点は、第２
形態における内ルツボ４１は下端外周面４１Ａが下端内
方に向かって傾斜したテーパ面とされている点である。
すなわち、内ルツボ４１は、外ルツボ１１内側の傾斜面
に下端が当接して配置されるとともに、前記傾斜面に沿
ってテーパ面とされた下端外周面４１Ａが前記傾斜面に
面接触して内ルツボ４１を支持する。したがって、内ル
ツボ４１の下端に加わる自重を面接触により分散させて
該下端の熱変形が低減されるとともに、下端に形成され
る切欠部４２の形状を保持することができる。なお、切
欠部４２は、第１形態における切欠部３２と同様に、立
ち上がり部４２Ａおよび頂部４２Ｂを有しており、前記
立ち上がり部４２Ａの周辺がテーパ面とされる。

【００４６】また、内ルツボ４１の下端外周面４１Ａが
外ルツボ１１の内側と面接触しているので、外ルツボ１
１との密着性が向上する。したがって、たとえ内ルツボ
４１を載置する際に位置ずれが生じても、内ルツボ４１
の下端と外ルツボ１１との間に隙間が生じ難くなる。

【００４７】次に、本発明の実施の第３形態を図５を参
照しながら説明する。これらの図にあって、符号５１は
内ルツボ、５２は切欠部を示している。

【００４８】第３形態と第１形態との異なる点は、第３
形態における内ルツボ５１は、切欠部５２の下部周辺が
他の部分より厚肉に設定された厚肉部５１Ａとされてい
る点である。すなわち、外ルツボ１１に近接する切欠部
５２の下部周辺が厚肉部５１Ａとされているので、該厚
肉部５１Ａは他の部分より強度が高くなる。したがっ
て、熱により切欠部５２が軟化しても変形し難く、その
形状が保持される。なお、切欠部５２は、第１形態にお
ける切欠部３２と同様に、立ち上がり部５２Ａおよび頂
部５２Ｂを有しており、前記立ち上がり部５２Ａの周辺
が厚肉部５１Ａとされる。

【００４９】なお、本発明は、次のような実施形態をも
含むものである。 （１）内ルツボ３３、４１、５１は円筒状に形成された
仕切り体であるが、筒状であれば他の形状でも構わな
い。例えば、有底円筒状の仕切り体としてもよい。 （２）切欠部３２、４２、５２の上部には９０度の頂部
３２Ｂ、４２Ｂ、５２Ｂを形成したが、他の頂部形状を
有していても構わない。例えば、切欠部上部が円弧状と
されていてもよい。

【００５０】（３）内ルツボ３３、４１、５１に切欠部
３２、４２、５２をそれぞれ２個設けたが、単数または
３ヶ以上設けても構わない。特に、成長する単結晶の大
口径化にともなってルツボを大口径化する場合は、内ル
ツボの周方向に多数箇所設けることが望ましい。 （４）単結晶引上装置としてＣＭＣＺ法を採用したが、
二重ルツボ構造であるなら、他の単結晶製造方法を適用
しても構わない。例えば、磁場印加を行わない連続チャ
ージ型ＣＺ法（ＣＣＺ法）を採用してもよい。

【００５１】（５）第３形態において内ルツボ５１の両
側に凸状の厚肉部５１Ａを形成したが、内ルツボのいず
れか一側に凸状となる厚肉部でも構わない。また、切欠
部５２全体の強度を向上させるために、切欠部５２の下
部周辺のみならず、切欠部５２の全周辺を厚肉部とする
ことが望ましい。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 （１）請求項１記載の単結晶引上装置によれば、内ルツ
ボに切欠部を形成しているので、二重ルツボを形成する
際に、半導体融液が切欠部の気泡を押し出すことから、
切欠部への気泡の付着が防止され、半導体融液の流入時
における抵抗の増加を抑制することができる。したがっ
て、設定通りの連通部の開口面積が得られ、良好な単結
晶成長を行うことができる。また、外ルツボに近接する
切欠部の下部周辺が他の部分より厚肉とされた厚肉部で
あるので、該厚肉部の強度が他の部分より高く、熱によ
り切欠部が軟化しても変形し難いことから、その形状を
保持することができる。したがって、請求項４記載の単
結晶引上装置と同様に、切欠部の熱変形による連通部の
開口面積変化等を抑制することができる。

【００５３】（２）請求項２記載の単結晶引上装置によ
れば、切欠部に頂部が形成されているので、例えば、頂
部を有しない単なる矩形状の切欠部に比べてその下端幅
を広く設定することができ、二重ルツボを形成する際
に、半導体融液が切欠部内部に浸入し易くなり、付着し
ていた気泡をより押し出し易くすることができる。

【００５４】（３）請求項３記載の単結晶引上装置によ
れば、切欠部の下端幅が最大幅に設定されているので、
二重ルツボを形成する際に、半導体融液が切欠部内部に
浸入し易くなり、付着していた気泡をさらに押し出し易
くすることができる。

【００５５】（４）請求項４記載の単結晶引上装置によ
れば、切欠部の下部に立ち上がり部を形成しているの
で、切欠部下部周辺における垂直方向に対する強度が高
く、熱により切欠部が軟化しても変形し難いため、その
形状を保持することができる。したがって、切欠部の熱
変形による連通部の開口面積変化等を抑制することがで
きる。

【００５６】

【００５７】（５）請求項５記載の単結晶引上装置によ
れば、内ルツボの下端外周面がテーパ面とされているの
で、外ルツボ内側の傾斜面に前記下端外周面が面接触し
て内ルツボを支持することから、下端の熱変形が低減さ
れるとともに、下端に形成された切欠部の形状を保持す
ることができる。さらに、内ルツボの下端外周面が外ル
ツボ内面と面接触しているので、外ルツボとの密着性が
向上し、たとえ内ルツボを載置する際に位置ずれが生じ
ても、内ルツボの下端と外ルツボとの間に隙間が生じ難
くなるとともに、該隙間による連通部の開口面積の増大
を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る単結晶引上装置の第１形態を示す
断面図である。

【図２】本発明に係る単結晶引上装置の第１形態におけ
る内ルツボを示す斜視図および要部を拡大した正面図で
ある。

【図３】本発明に係る単結晶引上装置の第２形態におけ
る内ルツボを示す正面図である。

【図４】本発明に係る単結晶引上装置の第２形態におけ
る外ルツボおよび内ルツボを示す要部を拡大した断面図
である。

【図５】本発明に係る単結晶引上装置の第３形態におけ
る内ルツボを示す要部を拡大した断面図である。

【図６】本発明に係る単結晶引上装置の従来例を示す断
面図である。

【図７】本発明に係る単結晶引上装置の従来例における
内ルツボを示す斜視図および要部を拡大した正面図であ
る。

【符号の説明】

１１ 外ルツボ ２１ 半導体融液 ２２ 原料 ３１ 単結晶引上装置 ３２、４２、５２ 切欠部 ３２Ａ、４２Ａ、５２Ａ 立ち上がり部 ３２Ｂ、４２Ｂ、５２Ｂ 頂部 ３３、４１、５１ 内ルツボ ４１Ａ 下端外周面 ５１Ａ 厚肉部 Ｗ 下端幅

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−183392（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−5393（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12086（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−300281（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−310495（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−150560（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 気密容器の内部に設けられた外ルツボに
   半導体融液を貯留し、この外ルツボ内に筒状仕切り体で
   ある内ルツボを載置して二重ルツボを形成し、前記内ル
   ツボ内の半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結
   晶引上装置において、 前記内ルツボの下端には、切欠部が形成され、 該切欠部は、前記二重ルツボを形成した状態で半導体融
   液を内ルツボの内部に流入させる連通部となり、 前記内ルツボは、少なくとも切欠部の下部周辺が他の部
   分より厚肉に設定された厚肉部とされている ことを特徴
   とする単結晶引上装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の単結晶引上装置におい
   て、 前記切欠部は、上方に向かって幅が漸次狭められた頂部
   を有することを特徴とする単結晶引上装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の単結晶引上装置
   において、 前記切欠部は、下端幅が最大幅に設定されていることを
   特徴とする単結晶引上装置。
4. 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の単結
   晶引上装置において、 前記切欠部は、下部に垂直に立ち上がる立ち上がり部が
   形成されていることを特徴とする単結晶引上装置。
5. 【請求項５】 請求項１から４のいずれかに記載の単結
   晶引上装置において、前記内ルツボは、前記外ルツボ内側の傾斜面に下端が当
   接して配置されるとともに、下端外周面が下端内方に向
   かって傾斜したテーパ面とされている ことを特徴とする
   単結晶引上装置。