JP3417952B2 - 熱伝達面に対する浮遊固体粒子の有害成分による攻撃を減少させる方法および装置 - Google Patents
熱伝達面に対する浮遊固体粒子の有害成分による攻撃を減少させる方法および装置Info
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Description
伝達面に対する浮遊固体粒子(solid particle suspens
ion)の有害成分による攻撃を減少させる方法と装置に
関するものである。
からの熱の回収に適用されるが、他の流動床反応装置に
適用することもできる。このような循環流動床反応装置
は、固体粒子から成る流動床を内部に有する燃焼室のよ
うな反応室すなわち処理室と、この処理室との間で固体
粒子が流通し、内部に熱伝達面を有する熱伝達室(HT
C)とを含む。熱伝達室は各種方法と位置で処理室に連
結され、両室間で固体粒子の交換が行われる。熱伝達室
は、或る特別な場合には処理室自体の内部に形成するこ
ともできる。
処理、熱伝達処理、化学処理および冶金的処理のような
各種の異なる処理で使用される。典型的に燃焼処理また
は他の発熱処理で発生した熱は、熱伝達面を使用するこ
とで流動床の固体粒子から回収される。熱伝達面は回収
した熱を水または蒸気のような媒体に伝え、この媒体が
反応装置から熱を運ぶ。
後のガス通路内に構成された対流部の内部、または循環
流動床反応装置の場合は粒子分離装置の内部に配置され
る。付加的な熱伝達面が、処理室の一部であってもよい
独立熱伝達室(HTC)の内部か、処理室に隣接した分離
室の内部、または循環流動床反応装置の場合は固体粒子
再循環装置系の一部分の内部に配置されることが多い。
ち状)流動床であり、処理室から熱伝達室へ高温固体粒
子の連続した流れを導く入口手段と、熱伝達室から排出
された固体粒子を処理室へ連続して再循環させる出口手
段とを含む。
ばならない要因である。腐食性物質を使用したり発生す
るような処理に使用される流動床反応装置に熱伝達面が
使用されるときは、特に重要である。この例は、例えば
塩化物のような腐食性の非常に強い不純物を含有するス
トロー油(straw)またはRDFのような難燃性燃料であ
る。さらに腐食性不純物は流動床材料中にも存在してお
り、したがって熱伝達室の熱伝達面と接触することにな
って、その熱伝達面の急速な腐食をもたらす。例えば、
流動床材料中の塩素は熱伝達面に塩化物腐食を引き起こ
す。
よって熱伝達室内の温度が高いときに特に激しくなり、
後燃えは、熱伝達室が処理室に直接連結されている場合
に容易に生じ得る。熱伝達室内での後燃えや他の化学処
理は還元環境をもたらすことにもなり、この場合、CO腐
食が容易に発生する。塩化物の付着と共に還元状態は強
い腐食作用の影響を特に与え易い。
床全体の問題であり、これを最小限に抑えるために多く
の努力が払われている。腐食に対する通常の対処法は、
金属表面およびその温度を変化させることである。或る
種の例では、クロマイジング、窒化、または炭化タング
ステンの被覆のような表面処理が有効である。あらゆる
腐食のメカニズムは温度に依存するので、熱伝達面の腐
食は該表面を装置系における適当位置に配置することで
或る程度避けられる。
で状態および温度は変化するので、表面温度は必ずしも
利用できるとは限らない。また作動温度を選ぶとき、特
定の装置系の各々に存在する腐食性不純物を考慮しなけ
ればならない。処理において別の燃料のように異なるパ
ラメータを使用すると、それらの不純物が変化すること
になり得る。それ故に、実際の腐食性不純物の濃度を低
下させることで腐食の危険性を最低限に止める方法が非
常に望まれている。
の有害成分による、熱伝達面に対する攻撃のための前記
欠点が最小限に抑えられた流動床反応装置の方法と装置
を提供することである。 特に本発明の目的は、不純物に起因する腐食が最小限
に抑えられた流動床反応装置から熱を回収する方法と装
置を提供することである。
に対して浮遊固体粒子の有害成分による腐食を減少させ
る改良された方法および装置を提供する。本発明は、特
に、 内部に配置された固体粒子から成る(流動)床、該固
体粒子の(流動)床を流動化させる手段、反応室出口お
よび反応室入口を有する処理室すなわち燃焼室のような
反応室と、 内部に熱伝達面を有しておらず、反応室出口と連通す
るとともに、内部に固体粒子から成る床を有する希釈室
(第1室)と、 内部に配置された固体粒子から成る床、該固体粒子か
ら成る床を流動化させる手段、前記固体粒子から成る床
と少なくとも部分的に接触する熱伝達面、熱伝達室入
口、および反応室入口に連結された熱伝達室出口を有し
て成る熱伝達室とを含む流動床反応装置に適用できる。
て、希釈室へ導入され、 希釈室から熱伝達室へ固体粒子が導入され、 熱伝達室から反応室入口を通して反応室へ固体粒子が
再循環せしめられるようになっている流動床反応装置に
おける熱伝達面に対する浮遊固体粒子の有害成分による
攻撃を減少させる方法であり、 希釈室の上部に配置されている入口を通して、反応室
から希釈室内の前記床の頂部へ向けて固体粒子を導くと
ともに、該床の頂部から希釈室の下部に向けて固体粒子
を下降させ、希釈室の下部に配置されている出口を通し
て希釈室から熱伝達室へ向けて固体粒子を排出する段階
と、 希釈室内の固体粒子から成る床に含まれる、熱伝達面
に対して有害な不純物を不活性化するために、および
(または)(and/orを意味する)該不純物を固体粒子か
ら成る床から分離するために、希釈室の下部から該希釈
室の少なくとも一部へフラッシングガスを導入する段階
と、 前記第1室から反応室出口を通して反応室へフラッシ
ングガスを排出する段階とを含む。
を通って前進する浮遊固体粒子から分離され、および
(または)希釈室内を流動する間に不活性化される。有
害なガスまたは微細固体粒子の成分はフラッシングガス
(払拭ガス)により払拭することで容易に分離でき、フ
ラッシングガスはそれと同時に希釈室内の固体粒子から
成る床を流動化させることに使用できる。フラッシング
ガスは、不活性ガス、または固体粒子から成る床内で化
学反応物質を含むガスであってよい。このようにして空
気または他の酸素含有ガスは酸化反応を引き起こすため
に使用できる。希釈室内の掃除または化学反応に必要な
遅滞時間は、最適結果を得るように制御できる。この遅
滞時間は、例えば流動床の密度、固体粒子の流動速度、
または希釈室内の流動床の体積を制御することによって
調整される。
ら成る床を活性化させる手段、反応室出口および反応室
入口を有する処理室すなわち燃焼室のような反応室と、 内部に熱伝達面を有しておらず、前記反応室出口と連
通するとともに、内部に固体粒子から成る床を有する希
釈室と、 内部に配置された固体粒子から成る床、該床を活性化
させる手段、該床と少なくとも部分的に接触する熱伝達
面、希釈室と連通する熱伝達室入口、および反応室入口
に連結された熱伝達室出口を有する熱伝達室とを含んで
成る流動床反応装置であって、 希釈室が、 その上部に配置され、反応室から希釈室内の前記床の
頂部に向けて固体粒子を導くための希釈室入口と、 その下部に配置され、希釈室内の前記床の頂部から下
降してきた固体粒子を熱伝達室へ向けて排出するための
希釈室出口と、 希釈室内の前記床の、熱伝達面に有害な不純物を不活
性化するために、および(または)固体粒子流動床から
前記不純物を分離するために、希釈室の少なくとも一部
にフラッシングガスを導入する手段と、 希釈室から反応室へフラッシングガスを排出するため
の開口とを有する、流動床反応装置が提供される。
ウジング内に配置されるとしても、熱伝達室に隣接して
水平に配置できる。 また、希釈室は、熱伝達室の直上に配置できる。この
場合、固体粒子は希釈室出口を通って熱伝達室内へ流下
する。希釈室と熱伝達室は、これによって実質的に小さ
な水平断面をもって共通のハウジング内に配置できる。
へ送られ、希釈室によって固体粒子の移動の遅滞が行わ
れる。 この望ましい遅滞は熱伝達室内の特別な構造によって
与えることもでき、この構造は全体的に固体粒子を減速
し、熱伝達面領域へ流入する固体粒に実質的に均一な流
れを与える。例えば、熱伝達室は水平または垂直な有孔
プレートによって第1部分および第2部分に分割され、
この有孔プレートは熱伝達面が第2部分に位置するよう
に配置される。第1部分は本明細書で希釈室または希釈
ゾーンと称する中間収容部分として機能し、固体粒子は
実熱伝達ゾーンへ進入する前に希釈室に数秒間滞留す
る。希釈室および希釈ゾーンは共通語の「希釈空間」と
呼ばれることもある。
わち腐食誘発成分の除去を促進することである。それ
故、希釈空間は、不純物の化学反応を高めるため、およ
び(または)不純物およびその反応生成物を払拭すなわ
ち除去するために、流動化ガスによって払拭するのが好
ましい。希釈は大半の例では温度の低下作用を有する
が、後燃えのような発熱反応が希釈室で行なわれるなら
ば、温度が上昇するだろう。
しい実施態様によれば、空気または他のいずれかの酸素
含有ガスになされる。何故なら、例えば一酸化炭素およ
び硫黄元素が酸化されて、それぞれ二酸化炭素および亜
硫酸ガスになり、これらをガス体として流動床材料から
除去できるからである。必要に応じて、フラッシングガ
スとして不活性ガスを用いてもよい。
物、およびアルカリ物質は、フラッシングガスによって
床材料から除去できる。十分な遅滞時間によって、望ま
しい化学反応および払拭作用をほぼ完遂できる。
希釈空間は、遅滞時間が十分な時間、例えば2〜15秒と
なるように寸法設定される。定常状態において、希釈空
間内の固体粒子の体積がVで、固体粒子が密度rおよび
粒子群流速(mass flow rate)Qmを有するとすれば、希
釈空間内の固体粒子の(平均)遅滞時間Tは、 T=V*r/Qm で表される。希釈空間内の固体粒子の密度は、或る程度
流動化ガスの流速に依存する。流動化ガス流速を低下す
ることで、固体粒子の密度は増大し、またこれにより遅
滞時間Tは前記式によって長くなる。しかしながら、同
時に流動化ガスの作用は有害不純物の化学反応を向上さ
せ、固体粒子からの反応生成物の払拭は低減する。それ
故に、フラッシングガスの流速の低下は、希釈空間の作
動を制御するために有効手段とならない。
る粒子から成る床の掃除状態を保持する一方、粒子から
成る床の密度を増大することで、流動化は床の下部だけ
で減少され、その上部では正常速度に保持される。上部
の流動化は壁部の高い垂直位置に配置したノズル、また
はグリッド上方の高さに達したノズルによって達成でき
る。
ば、遅滞時間は粒子群流速Qmおよび内部の固体粒子の定
常状態の体積Vに依存するだけである。定常状態におい
ては、希釈空間へ流入する粒子群流速はそこから流出す
る粒子群流速に等しい。前記体積Vが一定であるように
希釈空間が構成されているならば、希釈空間へ流入する
粒子群流速Qmは単独で遅滞時間Tを決定する。
出される希釈空間は、一定体積Vの構造の一例である。
例えばこのような希釈空間を備えた熱伝達室が循環流動
床の再循環装置系の一部であるなら、その装置系の循環
量は粒子群流速Qmおよび遅滞時間Tを決定する。このよ
うな構造は、最高の流速Qmのときに遅滞時間Tが依然と
して十分な値であるように寸法を定められる場合に満足
できる。低い粒子群流速Qmの状態では、遅滞時間Tは長
くなり、したがって有害不純物の一層良好な希釈が行わ
れる。
が一定であるならば、希釈空間内での遅滞時間Tは一定
である。希釈空間内の固体粒子の体積をその最大値にす
る1つの方法は、利用できる入口粒子群流量よりも出口
粒子群流量を小さくして、過剰固体粒子を直接に反応室
へ戻すことである。
および出口流量を一定に保持して与えることができる。
同様に、出口流量を制御できるならば、遅滞時間の調整
を行い得る希釈空間が提供される。
きには、制御可能な遅滞時間は有用である。欠点とし
て、この形式の装置系は遅滞時間と熱伝達室における熱
伝達率との間に相関がある。
ーンへ導入するという分別室の機能も希釈室に付加する
ことができる。この分別は機械的分離装置または流動化
ガスによって行い得る。分別装置として使用される室は
粗い材料のための排出通路を別途備えていなければなら
ない。
点は、添付図面を参照する以下の説明から明らかになる
だろう。
している。しかしながら、図2の符号は数字の前に
「2」を付加し、また図3および図4の符号はそれぞれ
「3」または「4」が数字の前に付加されている。 以下、図1および図4に示した本発明の参考例と共
に、図2および図3に示した本発明例について説明す
る。なお、各例に共通する特徴については、重複を避け
るために適宜説明を省略した。
置は、反応室12と、粒子分離装置14と、希釈室16と、熱
伝達室18とを有する。希釈室16および熱伝達室18は共通
のハウジング19内に形成されている。
る。固体粒子20を急速に流動させるために、流動化ガス
を導くためのグリッド(格子)22および風箱24のような
手段が反応室の底部に備えられている。煙道ガスに乗っ
て固体粒子が反応室から排出されるように反応ガス出口
26が反応室12の上部に備えられている。固体粒子は粒子
分離装置14内でガスから分離され、ガスはガス出口28お
よび対流部30を通って排出される。ガスから分離された
固体粒子は戻りダクト32を通り、また希釈室入口34を通
って希釈室16の下部へ流入する。固体粒子は戻りダクト
32の最下部内に、下方へ向かって流動する粒子から成る
床32'として集められる。希釈室16内の固体粒子から成
る床16'に導かれた粒子は、希釈室底部のグリッド36を
通して導入された流動化ガスによって固体粒子から成る
床を経て上方へ送られる。この流動化ガスは同時に、固
体粒子から成る床から有害化合物を除去するためのフラ
ッシングガスの作用をなす。この流動化ガスは固体粒子
から成る床の密度を制御するのにも使用できる。密度が
高まるにつれて希釈室での固体粒子の遅滞時間は長くな
る。
一方の室から他方の室へ固体粒子が自由流動することは
防止されている。希釈室出口を形成している自由通路40
は、固体粒子が希釈室16からオーバーフローして排出さ
れるように隔壁上方に備えられている。ガスも通路40を
通って希釈室から排出される。 定常状態において、材料は、希釈室に流入する材料と
同じ流量で希釈室16から通路40を通って排出される。材
料は希釈室に滞留する間、グリッド36を通って供給され
るガスによって掃除される。希釈室16内、および戻りダ
クト32の底部内の固体粒子は、粒子分離装置の下部と反
応室との間のガスシールとして作用する。
く、または低くして、これによって通路40の高さおよび
希釈室16内の床体積を制御することができる。大きな床
体積は小さな床体積よりも長い遅滞時間を与える。
で有害化合物が「存在し無い」状態とされており、また
恐らく活性有害化合物の不活性化が行われている。した
がって、きれいな粒子が希釈室16と熱伝達室18との間に
配置された中間移動室42に流入する。固体粒子は中間移
動室42内をその下部に備えられて熱伝達室18と連通され
ている開口44へ向かって降下する。開口44は熱伝達室18
の下部へ至る入口を形成している。
の床18'に導入された固体粒子は、グリッド48を通して
導入された流動化ガスによって流動化され、熱伝達室出
口50を通ってオーバーフローすることで流出され、この
出口は同時に反応室入口を形成していて、反応室の下部
に開口している。熱伝達室から排出されたガスは、排出
と同時に反応室内へ導入される。希釈室からのガスが別
の導管を通して排出されないのであれば、そのガスもま
た同じ出口を通して排出される。定常状態では、熱伝達
室に導入された材料は同じ流量で熱伝達室出口50を通し
て排出される。
は、隔壁38の上端によって定められるように、実質的に
一定している。したがって、遅滞時間すなわち希釈空間
を通過するために要する時間は反応装置の循環速度によ
って強く決定される。有害不純物の希釈に関しては、本
発明によれば流動化ガスの流速を変化させ、これにより
希釈室の床における粒子の遅滞時間に影響する床の密度
を変化させることにより、ある程度の制御可能性が与え
られる。
を停止させ、これにより固体粒子が希釈室16から床18'
の頂部において開口すなわち熱伝達室出口50へ直接に流
動できるようにすることが可能である。
下部における内部固体粒子循環系に連結された共通ハウ
ジング219内の希釈室216および熱伝達室218を示してい
る。固体粒子は反応室出口226を通して希釈室216へ直接
導かれる。図2に示す例では、希釈室に流入する固体粒
子の流速は反応室内の固体床材料の流体力学に依存す
る。
に備えられた開口234を通して希釈室から排出される。
排出された固体粒子は、熱伝達室218に隣接した固体粒
子から成る床の頂部へ直接に導かれる。出口開口250は
熱伝達室218からオーバーフローさせることで固体粒子
を反応室212の下部へ導く。
共通のハウジング319内に形成されている。ハウジング3
19は、流量均衡装置(すなわち水平有孔プレート352)
によって上部と下部に分割されている。熱伝達面346
は、ハウジングの下部318で固体粒子から成る床18'内に
配置されている。上部は希釈ゾーンを形成している。流
量均衡装置352は上部と下部との間、すなわち希釈ゾー
ンおよび熱伝達ゾーンの間での粒子の実質的な混合を防
止する。流量均衡装置352は希釈ゾーン316から熱伝達ゾ
ーン318への固体粒子の定常流れも防止し、また熱伝達
室内にデッドゾーンが形成されるのを防止する。固体材
料は隔壁356の下部に設けた開口354を通して熱伝達室か
ら隣接する垂直移動通路358へ排出され、この通路は入
口350によって反応室の下部に連通している。熱伝達通
路358内の床を流動化させる手段360'は固体粒子を上方
へ持ち上げ、固体粒子が熱伝達室から反応室へ移動する
ように保証する。熱伝達室318に導入された流動化ガス
は流量均衡装置352の開口を通って上側の希釈室316へ流
入し、そこでフラッシングガスとして作用する。
の出口開口326を通して希釈室316へ導入され、そこから
有孔プレート352を通って熱伝達室へ流入する。有孔プ
レート352の目的は、粒子の乱流の最大振幅を弱め、ま
た熱伝達室へ至る実質的に一様な固体粒子の流れを形成
することである。
と、手段360と360'で与えられる流動化ガスの流速によ
って決定される。通路358内の固体粒子の高さは常に開
口350の縁までであるが、通路358内の流動速度を低下さ
せることで、内部の固体粒子密度が増大する。したがっ
て、希釈室316内の固体の体積およびそこにおける遅滞
時間は増大する。この理由は、熱伝達室318および希釈
室316内の固体粒子の静圧が常に通路358内の固体粒子の
静圧と釣り合っているからである。希釈室316内の流動
化率を増大させることで、その内部の固体粒子の高さが
対応して増すが、遅滞時間は増大しない。何故なら、希
釈室内の固体粒子密度が同時に低下するからである。し
かしながら、流動速度の増大は、有害不純物の払拭を増
大させて希釈室の作動に積極的な影響を与える。
によって減少する。しかしながら、摩擦作用によって希
釈室内の固体粒子の高さは均衡状態よりも高くなって、
遅滞時間Tの減少を或る程度釣り合わせる。最終的に通
路358を通る最大流速となり、最大流入流速によって希
釈室は充満される。したがって、図3に示された構造
は、下限によって遅滞時間の自己釣り合いを図る。
ジングが2つの水平方向に隣接した室、すなわち希釈室
および熱伝達室に分割されて実現されることができる。
室416およびそれに隣接して連結されてた熱伝達室418を
有している循環流動床反応装置の反応室412の下部のさ
らに他の概略図である。希釈室416は共通のハウジング4
19内で熱伝達室418の上側に配置されている。固体粒子
は、下部にガスシール462を有する戻りダクト432から希
釈室416内に流入する。
部にある開口464の縁まで充填された状態で運転され、
該開口を通じて反応室412内に固体粒子が流入する。希
釈室416の底部にはフラッシングガスを供給する手段436
が配置され、フラッシングガスは希釈室内の固体粒子か
ら成る床を通り、また開口464を通って反応室へ流れ
る。希釈室には出口通路468へ流動化ガスを供給する手
段466が配置され、固体粒子を制御された速度で希釈室
から排出させ、前記粒子を熱伝達室418へ至る入口444へ
向けて導くようにする。
可能な量の固体粒子が出口通路468を通り、堰470を越え
て第2通路472へ排出され、この第2通路は固体粒子を
熱伝達室418へ導く。堰470の高さは、流動化ガスによら
なければ固体粒子が第1通路468から第2通路472へ排出
されることがないようにするのが好ましい。熱伝達室
は、熱伝達面446と、熱伝達室から開口450を通して反応
室へ至る固体粒子の排出を保証するために流動化ガスを
与えるための手段448とを備えている。
子排出流量は、流速Qmを決定する。Qmはしたがって制御
可能であり、希釈空間内の固体体積は一定しており、図
4は遅滞時間が制御可能な装置系を示している。
が本発明の範囲内で可能であることを理解すべきであ
る。したがって、上述で示された実施例を組み合わせ、
固体粒子を外部の固体粒子循環系から戻りダクトを経
て、および(または)処理室から直接に、内部の固体粒
子循環系から希釈室へ導くことが可能である。高負荷
(high load)の状態では、固体粒子は、もっぱら、ま
たは主として、戻りダクトを通して導入され、また反応
室内の低い位置に設けた出口開口はオーバーフローして
余分に排出された固体粒子を反応室へ戻すように逆向き
に再循環させる開口として機能できる。低負荷(low lo
ad)の状態では、固体粒子は、もっぱら、または主とし
て、内部循環系から、反応室壁の低い位置にある出口開
口を通じて導入される。 [図面の簡単な説明]
応装置の概略横断面図。
の下部の概略横断面図。
反応装置の概略断面図。
応装置の概略断面図。
Claims (21)
- 【請求項1】内部に配置された固体粒子から成る床、該
床を流動化させる手段、反応室出口(226,326)および
反応室入口(250,350)を有して成る処理室すなわち燃
焼室のような反応室(212,312)と、 内部に熱伝達面を有しておらず、前記反応室出口と連通
するとともに、内部に固体粒子から成る床を有する第1
室(216,316)と、 内部に配置された固体粒子から成る床、該床を流動化さ
せる手段、該床と少なくとも部分的に接触する熱伝達面
(246,346)、熱伝達室入口、および前記反応室入口に
連結された熱伝達室出口を有する熱伝達室(218,318)
を含んで成り、 このことにより、固体粒子が、前記反応室から前記反応
室出口(226,326)を通して排出されて、前記第1室へ
導入され、 該第1室から前記熱伝達室へ固体粒子が導入され、 前記熱伝達室から前記反応室入口(250,350)を通して
前記反応室へ固体粒子が再循環せしめられるようになっ
ている流動床反応装置における前記熱伝達面に対する浮
遊固体粒子の有害成分による攻撃を減少させる方法であ
って、 前記第1室の上部に配置されている入口を通して、前記
反応室から前記第1室内の前記床の頂部へ向けて固体粒
子を導くとともに、該床の頂部から前記第1室の下部に
向けて固体粒子を下降させ、前記第1室の下部に配置さ
れている出口を通して前記第1室から前記熱伝達室へ向
けて固体粒子を排出する段階と、 前記第1室内の固体粒子から成る床に含まれる、熱伝達
面に対して有害な不純物を不活性化するために、および
(または)該不純物を固体粒子から成る床から分離する
ために、前記第1室の下部から該第1室の少なくとも一
部へフラッシングガスを導入する段階と、 前記第1室から前記反応室出口(226,326)を通して前
記反応室へフラッシングガスを排出する段階とを含むこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項2】請求項1に記載された方法であって、フラ
ッシングガスが第1室内で酸化反応を起こす空気のよう
な酸素含有ガスであることを特徴とする方法。 - 【請求項3】請求項1に記載された方法であって、フラ
ッシングガスが第1室内の固体粒子から成る床を流動化
させる流動化ガスであることを特徴とする方法。 - 【請求項4】請求項1に記載された方法であって、反応
室から熱伝達室へ流れる固体粒子から不純物を分離し、
および(または)不純物を不活性化するために十分な時
間を与えるべく、第1室内の固体粒子の遅延時間を制御
することで、反応室出口から第1室を通って熱伝達室入
口へ流れる固体粒子の遅滞時間が制御されることを特徴
とする方法。 - 【請求項5】請求項4に記載された方法であって、第1
室内の固体粒子から成る床の密度を制御することで遅滞
時間が制御されることを特徴とする方法。 - 【請求項6】請求項4に記載された方法であって、第1
室内の固体粒子から成る床の体積を制御することで遅滞
時間が制御されることを特徴とする方法。 - 【請求項7】請求項1に記載された方法であって、反応
室出口から熱伝達室入口へ至る固体粒子の流れの中の腐
食性化合物を不活性化するフラッシングガスが第1室へ
導入されることを特徴とする方法。 - 【請求項8】請求項1に記載された方法であって、反応
室から排出された固体粒子が、有孔プレート(352)に
より第1室を形成する第1ゾーン(316)と熱伝達室を
形成する第2ゾーン(318)とに分割されたハウジング
(319)の第1ゾーンにおける粒子から成る床の頂部に
導かれることを特徴とする方法。 - 【請求項9】請求項1に記載された方法であって、第1
室内の固体粒子の遅滞時間が2秒より長く、2〜15秒で
あるのが好ましいことを特徴とする方法。 - 【請求項10】請求項1に記載された方法であって、第
1室(216,316)内の固体粒子の流動方向がその頂部か
ら底部へ向かうことを特徴とする方法。 - 【請求項11】請求項1に記載された方法であって、熱
伝達室(218)内の固体粒子の流動方向がその底部から
頂部へ向かうことを特徴とする方法。 - 【請求項12】請求項1に記載された方法であって、熱
伝達室(318)内の固体粒子の流動方向がその頂部から
底部へ向かうことを特徴とする方法。 - 【請求項13】内部に配置された固体粒子から成る床、
前記固体粒子から成る床を活性化させる手段、反応室出
口(226,326)および反応室入口(250,350)を有する処
理室すなわち燃焼室のような反応室(212,312)と、 内部に熱伝達面を有しておらず、前記反応室出口と連通
するとともに、内部に固体粒子から成る床を有する第1
室と、 内部に配置された固体粒子から成る床、該床を活性化さ
せる手段、該床と少なくとも部分的に接触する熱伝達面
(246,346)、前記第1室と連通する熱伝達室入口、お
よび前記反応室入口に連結された熱伝達室出口を有する
熱伝達室(218,318)とを含んで成る流動床反応装置で
あって、 前記第1室(216,316)が、 その上部に配置され、前記反応室から前記第1室内の前
記床の頂部に向けて固体粒子を導くための第1室入口
と、 その下部に配置され、前記第1室内の前記床の頂部から
下降してきた固体粒子を前記熱伝達室へ向けて排出する
ための第1室出口と、 前記第1室内の前記床の、熱伝達面に有害な不純物を不
活性化するために、および(または)固体粒子流動床か
ら前記不純物を分離するために、前記第1室の少なくと
も一部にフラッシングガスを導入する手段と、 第1室から前記反応室へフラッシングガスを排出するた
めの開口(226,326)とを有することを特徴とする流動
床反応装置。 - 【請求項14】請求項13に記載された流動床反応装置で
あって、反応室から熱伝達室へ流れる固体粒子から不純
物を分離し、および(または)不純物を不活性化するた
めに十分な時間を与えるべく、第1室内の固体粒子の遅
延時間を制御することで、反応室出口から第1室を通っ
て熱伝達室入口へ流れる固体粒子の遅滞時間を制御する
手段を含むことを特徴とする流動床反応装置。 - 【請求項15】請求項14に記載された流動床反応装置で
あって、第1室内の遅滞時間を制御する手段が、第1室
内の固体粒子から成る床の固体粒子の密度を制御するた
めに、前記床の流動を制御する手段を含んでいることを
特徴とする流動床反応装置。 - 【請求項16】請求項14に記載された流動床反応装置で
あって、第1室内の遅滞時間を制御する手段が、第1室
内の固体粒子から成る床の体積を制御するための手段を
含んでいることを特徴とする流動床反応装置。 - 【請求項17】請求項13に記載された流動床反応装置で
あって、第1室および熱伝達室が共通のハウジング内に
備えられ、このハウジングは前記第1室を前記熱伝達室
から隔離する隔壁(238,352)を有していることを特徴
とする流動床反応装置。 - 【請求項18】請求項13に記載された流動床反応装置で
あって、第1室(316)と熱伝達室(318)が、水平有孔
プレート(352)により2つの室に分割された共通のハ
ウジング(319)内で上下位置関係をもって配置されて
いることを特徴とする流動床反応装置。 - 【請求項19】請求項13に記載された流動床反応装置で
あって、熱伝達室(218)は反応室の下部に隣接して配
置されるとともに、反応室と共通の壁部を有し、 前記共通壁部が、熱伝達室出口および反応室入口を形成
する開口(250)を有し、前記熱伝達室から反応室へ固
体粒子が流れ得るようになっていることを特徴とする流
動床反応装置。 - 【請求項20】請求項19に記載された流動床反応装置で
あって、前記共通壁部の前記開口(250)は、固体粒子
が熱伝達室の固体粒子から成る床の頂部から反応室へと
オーバーフローして流れるような高さに配置されている
ことを特徴とする流動床反応装置。 - 【請求項21】請求項13に記載された流動床反応装置で
あって、垂直移送導管(358)が熱伝達室出口(354)と
下部に位置した反応室入口(350)との間に配置され、
熱伝達室から反応室へ固体粒子を移送するようになって
いることを特徴とする流動床反応装置。
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