JP3417327B2 - El表示装置の駆動方法およびel表示装置 - Google Patents
El表示装置の駆動方法およびel表示装置Info
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- JP3417327B2 JP3417327B2 JP02387399A JP2387399A JP3417327B2 JP 3417327 B2 JP3417327 B2 JP 3417327B2 JP 02387399 A JP02387399 A JP 02387399A JP 2387399 A JP2387399 A JP 2387399A JP 3417327 B2 JP3417327 B2 JP 3417327B2
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Description
inescence )パネルに画像を表示した際に発生する輝度
むらを低減可能なEL表示装置の駆動方法およびEL表
示装置に関する。
れた複数の走査側電極とパネルの縦方向に配列された複
数のデータ側電極との各交差位置にEL素子(以下、画
素と称す)が形成された構造を有する。そして、このE
Lパネルを駆動するために、従来の単純マトリクス駆動
方式のEL表示装置は、前記走査側電極に順に一定幅の
パルス状の走査電圧を出力する走査側電極駆動回路と、
前記データ側電極に表示データに応じて一定幅のパルス
状のデータ電圧を出力するデータ側電極駆動回路とを備
えていた。
は、ELパネルに画像を表示した場合、図9に示すよう
に、各走査側電極に沿って形成された画素(以下、走査
側電極上の画素と称す)の発光画素数に依存して、その
発光輝度が異なるという現象が見られた。すなわち、走
査側電極上の全画素数(例えば100個)の全てが発光
した時の発光輝度を100%とすれば、発光画素数が2
0の時の発光輝度は150%、発光画素数が1の時の発
光輝度は200%と大きく変化してしまう。
ネルに表示された横方向に帯状に延びる画像(破線を除
く)を示しており、黒く塗り潰した領域が非発光画素を
示し、塗り潰していない領域が発光画素を示している。
ここで、走査側電極上の発光画素数が最も少ないAで示
す走査側電極上の発光画素がELパネル全体で最も高い
発光輝度を有する。また、走査側電極上の画素が全て発
光するB、D、F、およびHで示す走査側電極上の発光
画素が最も低い発光輝度を有する。その結果、A〜Hの
走査側電極上の発光画素相互間に発光輝度差が生じ、発
光画素領域において破線を境界線とする帯状のパターン
が現れてしまう。
す)は、走査側電極上の発光画素数に応じて走査側電極
駆動回路の負荷が異なり、その影響でパルス状の走査電
圧波形が変化することにより生じる。図11(a)は発
光画素数が多い走査側電極に印加された走査電圧波形を
示し、同図(b)は発光画素数が少ない走査側電極に印
加された走査電圧波形を示している。画素であるEL素
子は、その構造上容量性負荷と見なせるので、発光画素
数が多いほど走査側電極駆動回路の駆動能力が不足し、
走査電圧波形の立上りがなまるなど波形の歪みが大きく
なる。その結果、発光画素に対して発光しきい値(図中
一点鎖線で示す)以上の電圧が印加される実質的な発光
時間に差が生じ、発光輝度に差が現れる。なお、この発
光輝度差(図9参照)は、走査側電極駆動回路の駆動能
力、走査電圧波形のパルス幅、駆動電圧値、ELパネル
の画素数、画素の持つ静電容量などにより異なる。
側電極上の発光画素数に応じて走査側電極駆動回路が出
力する走査電圧のパルス幅を変化させるシャドーイング
対策が採られたEL表示装置がある。このシャドーイン
グ対策について図12(a)、(b)を参照して説明す
る。
輝度との関係が示されている。図に示された5本の細実
線は、それぞれ走査側電極に16μsecから24μs
ecまでの間の特定のパルス幅を有する走査電圧を印加
した場合の輝度特性を表している。パルス幅が広いほど
発光輝度が高く、また発光画素数が多いほど発光輝度が
低いことが分かる。
マップに従って、発光画素数に応じて走査側電極駆動回
路が出力する走査電圧のパルス幅を変化させる。その結
果、発光画素数と相対輝度との関係は、図12(a)に
太実線で示すように補正され、発光画素数の差による発
光輝度差が小さくなる。
たシャドーイング対策を施したEL表示装置であって
も、パルス幅設定マップにおいて区分された発光画素数
の区切り値前後の発光画素を有する走査側電極が近接し
ている場合、逆にこれら走査側電極上の発光画素相互間
の発光輝度差が増大し、ELパネル上に輝度むらとして
現れる場合がある。例えば、図12(a)において、発
光画素が36個の走査側電極と37個の走査側電極とが
隣接している場合、前者の走査側電極上の発光画素が後
者の走査側電極上の発光画素に対して相対的に暗くな
り、2つの走査側電極上の発光画素部分に横筋が見えて
しまう。
2(b)に示すパルス幅設定マップの区分数を増やし、
その発光画素数の区分に応じてパルス幅をより細かく切
り換えることが考えられる。しかし、ディジタル処理を
前提とした上記パルス幅の設定制御においては、走査側
電極駆動回路を制御する制御回路に供給されるシステム
クロック周波数の制限などにより、パルス幅の分解能に
は限界がある。
ナログ回路で構成し、発光画素数に対してパルス幅を連
続的に可変設定可能に構成することも考えられる。しか
し、この場合、製造上のばらつきを有するELパネルや
当該アナログ回路に対して、当該アナログ回路を調整し
EL表示装置全体として最適な輝度特性を持たせること
は難しく、また当該アナログ回路も複雑で高価なものに
なってしまう。
であり、その目的は、ELパネルに定められた画像を表
示するものにおいて、パネル全体としての輝度むらとと
もに近接した走査側電極相互間の発光輝度差による輝度
むらを低減することができるEL表示装置の駆動方法お
よびEL表示装置を提供することにある。
装置の駆動方法によれば、EL表示装置は、走査側電極
による走査時に各走査側電極に沿って形成された発光画
素数をカウントし、そのカウント値とパルス幅設定マッ
プとに基づいてその走査側電極上の発光画素に与える駆
動電圧のパルス幅を設定する。そして、EL表示装置
は、走査電圧およびデータ電圧を制御することにより、
設定されたパルス幅を有する駆動電圧を生成する。
上の発光画素数が多い場合にはその駆動電圧のパルス幅
を広く設定し、走査側電極上の発光画素数が少ない場合
にはその駆動電圧のパルス幅を狭く設定する。一方、駆
動電圧は、容量性素子としての画素に印加されると、発
光画素数が多いほどそのパルス波形がなまり、発光画素
に発光しきい値以上の電圧が印加される実質的な発光時
間が短くなる特性を有する。これらの結果、実質的な発
光時間は、走査側電極上の発光画素数によらずほぼ一定
となり、ELパネル全体として見た場合に走査側電極上
の発光画素数の差により生じる発光輝度差(輝度むら)
が減少する。
ルに表示する個々の画像について予めその画像に適した
パルス幅設定マップが作成され、EL表示装置は、その
画像の表示を開始する前に、その表示対象画像について
作成されたパルス幅設定マップを有効化して参照可能と
するステップを有する。これによれば、EL表示装置
は、各表示対象画像に適したパルス幅設定マップを使用
してパルス幅を設定するので、画像毎に適した表示状態
が得られる。
よれば、表示する画像毎に作成される各パルス幅設定マ
ップは、その表示対象画像について、発光輝度差が所定
値よりも小さくなるように作成される。この場合の所定
値は、例えば使用者がELパネルを見た場合にELパネ
ル全体としての輝度むらを視覚的に認識できない程度に
設定されている。この場合、画像毎にパルス幅設定マッ
プが作成されるので、全表示画像について画一的なパル
ス幅設定マップを用いた場合に比べ、それぞれの画像に
ついてのパルス幅設定マップの作成が容易となる。
よれば、表示する画像毎に作成される各パルス幅設定マ
ップは、その表示対象画像について、近接した走査側電
極相互間の発光輝度差が所定値よりも小さくなるように
作成されるので、ELパネル全体としての輝度むらの
他、特に細筋状に現れる輝度むらも所定量以下に低減す
ることができる。
よれば、パルス幅設定マップは駆動電圧のパルス幅に対
応して区分された発光画素数の区切り値を調整すること
により発光輝度差が小さくなるように作成される。ま
た、請求項5記載のEL表示装置の駆動方法によれば、
パルス幅設定マップは区分された発光画素数の各区分に
対応する駆動電圧のパルス幅を調整することにより作成
される。これらにより、EL表示装置は、必要最小限の
数に区分されるとともに必要最小限のパルス幅分解能を
有するパルス幅設定マップを用いて発光輝度差を低減す
ることができる。その結果、パルス幅の設定を行う制御
回路およびその処理が簡単化され、コストの低減や処理
速度の向上が図られる。
ルス幅設定マップ変更回路はELパネルに表示する個々
の画像毎に予め作成されているパルス幅設定マップをパ
ルス幅設定マップ記憶回路に記憶することにより有効化
し、パルス幅制御回路は走査側電極上の発光画素数と前
記記憶されたパルス幅設定マップとに基づいて発光画素
の駆動電圧のパルス幅を設定する。そして、パルス幅制
御回路は、走査側電極駆動回路およびデータ側電極駆動
回路を制御することにより前記設定パルス幅を有する駆
動電圧を生成する。
上の発光画素数によらず、発光画素への印加電圧が発光
しきい値以上となる実質的な発光時間をほぼ一定とする
ことができ、輝度むらを低減することができる。さら
に、この場合、パルス幅制御回路は表示対象画像に応じ
たパルス幅設定マップを用いるので、ELパネル全体と
しての輝度むらに限らず、表示画像に依存してELパネ
ルの一部例えば近接する走査側電極間に現れる輝度むら
も十分に低減することが可能となる。
びその駆動方法により定められた画像をELパネルに表
示する一実施形態について図1ないし図8を参照しなが
ら説明する。図3にはEL素子の断面構造が模式的に示
されている。画素としてのEL素子1は、まずガラス基
板2の上に透明電極3を設け、その上に順に第1絶縁層
4、発光層5、および第2絶縁層6の各薄膜を形成し、
さらにその上に背面電極7を設けることにより形成され
ている。このような構造を有するEL素子1は、電気的
に見て容量性を有している。
い値以上のパルス状の駆動電圧(例えば200V)を印
加すると、EL素子1が発光し、その光はガラス基板2
を通して取り出せるようになっている。この場合、駆動
電圧の極性による発光強度のばらつきを低減する目的か
ら、後述するように駆動電圧の極性を所定タイミング毎
に反転する交流電圧駆動が行われる。また、背面電極7
を透明電極とすれば、発光した光を背面電極7側からも
取り出すことが可能となる。
略的に示されている。この図2において、EL表示装置
8は、ELパネル9、走査側電極駆動回路10、データ
側電極駆動回路11、および制御回路12から構成され
ている。
査側電極201、202、…としてパネルの横方向に沿
って一定間隔で配列されており、また、複数の背面電極
7がデータ側電極301、302、…としてパネルの縦
方向に沿って一定間隔で配列されている。そして、これ
ら走査側電極201、202、…とデータ側電極30
1、302、…との各交差位置には、図3に示した構造
を有する画素としてのEL素子111、112、…、1
21、122、…がマトリクス状に形成されている。な
お、図2において、EL素子111、112、…はコン
デンサの記号を用いて表している。
01、202、…にパルス状の正極性または負極性の走
査電圧を出力する回路で、走査側ドライバIC13と走
査電圧供給回路14、15とから構成されている。
回路14から電圧が供給される電源線L1 と走査電圧供
給回路15から電圧が供給される電源線L2 との間に、
Pチャネル型のMOSFET21aおよびNチャネル型
のMOSFET21b、同様のMOSFET22aおよ
びMOSFET22b、…がそれぞれコンプリメンタリ
接続された状態として構成されている。そして、各コン
プリメンタリ接続におけるMOSFET相互の共通接続
点には、それぞれ走査側電極201、202、…が接続
され、以てMOSFET21a、21b、MOSFET
22a、22b、…がプッシュプル構成をなしている。
FET21a、21b、22a、22b、…の各ゲート
を駆動するためのゲート駆動回路20を備えている。制
御回路12から入力された制御信号は、このゲート駆動
回路20を介してMOSFET21a、21b、22
a、22b、…をオンオフさせるようになっている。な
お、MOSFET21a、21b、22a、22b、…
には、それぞれ製造上付加的に形成された寄生ダイオー
ド21c、21d、22c、22d、…が逆方向となる
状態で並列に接続されている。
えばスイッチング素子14aと14bとを備えて構成さ
れている。これらスイッチング素子14a、14bは、
制御回路12からの制御信号に従って何れか一方のみが
選択的にオンするようになっている。そして、走査電圧
供給回路14は、スイッチング素子14aがオンした時
には前記電源線L1 に対して例えば200Vの直流電圧
Vr (書き込み電圧Vr )を出力し、スイッチング素子
14bがオンした時には前記電源線L1 に対して接地電
圧(0V)を出力する。
えばスイッチング素子15aと15bとを備えて構成さ
れている。これらスイッチング素子15a、15bは、
制御回路12からの制御信号に従って何れか一方のみが
選択的にオンするようになっている。そして、走査電圧
供給回路15は、スイッチング素子15bがオンした時
には前記電源線L2 に対して例えば45Vの直流電圧V
m (オフセット電圧Vm )を出力し、スイッチング素子
15aがオンした時には前記電源線L2 に対して負の直
流電圧(−Vr +Vm )を出力する。
タ側電極301、302、…にパルス状のデータ電圧を
出力する回路で、データ側ドライバIC16およびデー
タ電圧供給回路17から構成されている。
査側ドライバIC13と同様の構成を備えている。すな
わち、データ電圧供給回路17から電圧が供給される電
源線L3 とL4 との間には、データ側電極301、30
2、…に対してそれぞれプッシュプル構成をなすMOS
FET31a、31b,MOSFET32a、32b、
…が接続されている。また、データ側ドライバIC16
には、これらMOSFET31a、31b,32a、3
2b、…の各ゲートを駆動するためのゲート駆動回路3
0が設けられている。一方、データ電圧供給回路17
は、電源線L3 に対して直流電圧Vm (オフセット電圧
Vm )を出力し、電源線L4 に対して接地電圧(0V)
を出力するようになっている。
主体として構成されており、不揮発性メモリ(図示せ
ず)に予め格納された制御プログラムに従って後述する
パルス幅の設定処理などを実行するようになっている。
図1には、この制御回路12の構成が概略的な機能ブロ
ック図として示されている。この図1において、制御回
路12は、パルス幅設定マップ記憶回路41、パルス幅
設定マップ変更回路42、パルス幅制御回路43、およ
び駆動信号発生回路44から構成されている。
装置(図示せず)から転送された表示画像のパルス幅設
定マップデータを入力し、そのデータを揮発性メモリ例
えばRAMにより構成されたパルス幅設定マップ記憶回
路41に書き込むようになってる。また、パルス幅制御
回路43は、前記外部装置から転送された表示対象画像
の表示データを入力し、駆動電圧のパルス幅を制御する
ための制御信号を出力するようになっている。その制御
信号は、駆動信号発生回路44を介して、走査側ドライ
バIC13、走査電圧供給回路14、15、データ側ド
ライバIC16、およびデータ電圧供給回路17に与え
られる。
る。まず、図4に示すタイミングチャートを用いて、E
L表示装置8の駆動方法について説明する。EL素子1
11、112、…を安定して発光させるためには、走査
側電極201、202、…とデータ側電極301、30
2、…との間に交流電圧を印加する必要がある。そこ
で、EL表示装置8は、ELパネル9の全走査側電極に
ついての走査期間(以下、フィールドと称す)毎に、走
査電圧供給回路14のスイッチング素子14a、14b
および走査電圧供給回路15のスイッチング素子15
a、15bをそれぞれ切り換えることにより、EL素子
111、112、…に正極性の駆動電圧を印加する正フ
ィールド駆動と負極性の駆動電圧を印加する負フィール
ド駆動とを交互に繰り返し行っている(フィールド反転
駆動)。なお、1回の正フィールド駆動と1回の負フィ
ールド駆動とにより1サイクルの表示動作が終了する。
以下、正フィールド駆動と負フィールド駆動とを分けて
説明する。
フィールド駆動の期間中スイッチング素子14a、15
bをオン状態とし、スイッチング素子14b、15aを
オフ状態とする。この時、走査側ドライバIC13の電
源線L1 は書き込み電圧Vr となり、電源線L2 はオフ
セット電圧Vm となっている。また、制御回路12は、
データ側ドライバIC16におけるPチャネル側のMO
SFET31a、32a、…をオンにする。その結果、
走査側電極201、202、…は寄生ダイオード21
d、22d、…の作用によってオフセット電圧Vm とな
り、データ側電極301、302、…もMOSFET3
1a、32a、…を通してオフセット電圧Vm となる。
従って、この状態では全てのEL素子111、112、
…の駆動電圧は0Vとなり発光しない。
IC13のMOSFET21aをオンにし、第1行目の
走査側電極201の電圧を書き込み電圧Vr にする(時
刻t1 )。この時、他の走査側電極202、203、…
は、MOSFET22a、22b、23a、23b、…
を全てオフ状態に保持することによりフローティング状
態とされている。
は、表示データに基づいて、走査側電極201上のEL
素子111、112、…のうち発光させるEL素子(例
えばEL素子111)のデータ側電極に接続されたPチ
ャネル側のMOSFET(MOSFET31a)をオフ
とし、Nチャネル側のMOSFET(MOSFET31
b)をオンとする(時刻t1 )。また、発光させないE
L素子のデータ側電極に接続されたPチャネル側のMO
SFETはオン状態のまま保持し、Nチャネル側のMO
SFETはオフ状態のまま保持する。
ータ側電極の電圧が接地電圧となり、電極間に発光しき
い電圧Vthより高い電圧Vr が印加されて発光する。ま
た、発光させないEL素子は、そのデータ側電極の電圧
がオフセット電圧Vm となり、電極間に発光しきい電圧
Vthより低い電圧(Vr −Vm )が印加されるので発光
しない。
1aをオフして走査側電極201を一旦フローティング
状態とした後、時刻t2 においてMOSFET21bを
オンすることにより、EL素子111、112、…の電
極間に蓄積された電荷を放電し、走査側電極201上の
全EL素子111、112、…を非発光とする。この場
合、発光させるEL素子のデータ側電極に接続されたP
チャネル側のMOSFET(MOSFET31a)およ
びNチャネル側のMOSFET(MOSFET31b)
は、時刻t1 からデータ側電極について設定されたパル
ス幅例えば24μsecの間それぞれオフ状態およびオ
ン状態を維持する。
いてMOSFET21aがオンした時(時刻t1 )、走
査側電極201の電圧は、ある立上り時間を持って徐々
に上昇し、やがて書き込み電圧Vr に至る。この立上り
時間は、MOSFET21aが容量性を有するEL素子
111、112、…を駆動するために発生するもので、
その走査側電極201上において発光するEL素子数
(以下、発光画素数と称す)が多いほど長くなる。そし
て、この立上り時間の増加に伴って、走査側電極201
の電圧が発光しきい電圧Vthを越えるタイミングが遅延
する。また、MOSFET21bがオンした時の走査側
電極201の電圧も、ある立下り時間を持って徐々に下
降する。
は、MOSFET21aがオンしてからMOSFET2
1bがオンするまでの時間すなわち走査電圧のパルス幅
を、発光画素数およびパルス幅設定マップに基づいて変
化させる。これにより、走査側電極201の電圧が発光
しきい電圧Vthを越えた状態にある実質的な発光時間が
ほぼ一定となる。
極の走査に要する時間(例えば時刻t1 から時刻t3 ま
での時間)は例えば30μsecとされ、MOSFET
21a、21bをオンするためのパルスの幅は上記立上
り時間、立下り時間よりも長い時間とされている。
2行目の走査側電極202の走査を開始する。図4に
は、EL素子121を非発光とする場合が示されてい
る。すなわち、EL素子121のデータ側電極301に
接続されたMOSFET31aをオン状態のまま保持
し、MOSFET31bをオフ状態のまま保持する。こ
の場合、EL素子121の走査側電極202の電圧が書
き込み電圧Vr となり、データ側電極301の電圧がオ
フセット電圧Vm となる。その結果、EL素子121
は、その電極間電圧(Vr −Vm )が発光しきい電圧V
thより小さくなるので発光しない。
フィールド駆動の期間中スイッチング素子14a、15
bをオフ状態とし、スイッチング素子14b、15aを
オン状態とする。この時、走査側ドライバIC13の電
源線L1 は接地電圧となり、電源線L2 はオフセット電
圧(−Vr +Vm )となっている。また、制御回路12
は、データ側ドライバIC16におけるNチャネル側の
MOSFET31b、32b、…をオンとする。その結
果、走査側電極201、202、…およびデータ側電極
301、302、…はともに接地電圧となる。従って、
この状態では全てのEL素子111、112、…の駆動
電圧が0Vとなり発光しない。
動と同様にして線順次走査を行う。この場合、制御回路
12は、順次選択した行の走査側電極に接続されたNチ
ャネル側のMOSFETをオンとし、その走査側電極に
(−Vr +Vm )の電圧を印加する。一方、制御回路1
2は、発光させるEL素子のデータ側電極に接続された
Pチャネル側およびNチャネル側のMOSFETをそれ
ぞれオンおよびオフとし、そのデータ側電極の電圧をオ
フセット電圧Vm にする。また、制御回路12は、発光
させないEL素子のデータ側電極に接続されたPチャネ
ル側およびNチャネル側のMOSFETをそれぞれオフ
およびオンのまま保持し、そのデータ側電極の電圧を接
地電圧に保つ。
L素子111)は、その電極間に絶対値が発光しきい電
圧Vthを越える電圧−Vr が印加されて発光する。ま
た、発光させないEL素子(例えばEL素子121)
は、その電極間に絶対値が発光しきい電圧Vthより低い
電圧(−Vr +Vm )が印加されるので発光しない。
ド駆動において、駆動電圧のパルス幅を可変設定する方
法について図5および図6も参照しながら説明する。パ
ルス幅設定マップ変更回路42は、ELパネル9に表示
する画像が変化する毎に、その表示開始に先立って、外
部装置から外部インターフェース(ともに図示せず)を
通してパルス幅設定マップデータを入力し、パルス幅設
定マップ記憶回路41に記憶されているパルス幅設定マ
ップをその入力したパルス幅設定マップで書き換える。
後述するが、当該画像に対して輝度むらが小さくなるよ
うに予め作成されたものである。パルス幅設定マップ
は、図6に例示するように、走査側電極201、20
2、…上に形成されたEL素子111、112、…、1
21、122、…の発光画素数と走査側ドライバIC1
3を介して走査側電極201、202、…に出力する走
査電圧のパルス幅との関係、あるいは前記発光画素数と
データ側ドライバIC16を介してデータ側電極30
1、302、…に出力するデータ電圧のパルス幅との関
係を示すものである。ここで、図6に示すパルス幅設定
マップは、走査側電極201、202、…に印加する走
査電圧のパルス幅のみを可変するようになっているが、
データ側電極301、302、…に印加する走査電圧の
パルス幅のみを可変しても良く、また、走査電圧のパル
ス幅とデータ電圧のパルス幅とを可変するようにしても
良い。
画像を表示するために、上述したフィールド駆動を行う
ための制御信号を生成する。この場合、パルス幅制御回
路43は、図5に示すフローチャートに従って走査側ド
ライバIC13が出力する走査電圧のパルス幅、および
データ側ドライバIC16が出力するデータ電圧のパル
ス幅を設定する。
御回路43は、各走査側電極に走査電圧を出力する前に
表示データに基づいてその走査側電極上の発光画素数を
カウントし(ステップS1)、そのカウント値をパルス
幅設定マップ記憶回路41に記憶されたパルス幅設定マ
ップと照らし合わせる(ステップS2)。そして、パル
ス幅制御回路43は、その照合結果に基づいて走査電圧
およびデータ電圧のパルス幅を設定する(ステップS
3)。
行われると、発光画素数が多いためにその走査電圧の立
上り時間が長い走査側電極に対してはパルス幅が広い走
査電圧が印加され、発光画素数が少なくその走査電圧の
立上り時間が短い走査側電極に対してはパルス幅が狭い
走査電圧が印加される。その結果、各走査側電極の発光
画素数によらず、走査電圧が発光しきい電圧Vthを越え
た状態にある実質的な発光時間がほぼ一定に制御され、
ELパネル9の輝度むらが低減する。
に低減するためのパルス幅設定マップの作成方法につい
て図7および図8も参照して説明する。まず、図7に示
す輝度マップを作成する。この輝度マップは、走査側電
極に所定のパルス幅を有する走査電圧を印加した場合に
おいて、その走査側電極上の発光画素数と発光輝度との
関係を輝度測定により求めたものである。この輝度マッ
プにおいて離散的に決められているパルス幅の値は、制
御回路12がマイクロコンピュータのシステムクロック
を用いて実際にパルス幅制御することができる分解能に
基づいて決められている。
(b)に示すような基準のパルス幅設定マップを作成す
る。この場合、パルス幅設定マップは、走査側電極上の
発光画素数によらず、EL素子の発光輝度分布が目標輝
度を中心として上下それぞれ10%以内の範囲内となる
ように作成される。
プと基準のパルス幅設定マップ(図12(b)参照)と
に基づいて、ELパネル9に表示する各画像毎に、輝度
むらがより小さくなるように最適化したパルス幅設定マ
ップ(図6参照)を作成する。図8には、そのパルス幅
設定マップを作成するためのフローチャートが示されて
いる。なお、この作成処理は、作業者の手作業として行
われたり、あるいはコンピュータを用いて自動的に行わ
れる。また、走査電圧のパルス幅を一定とし、データ電
圧のパルス幅を可変するように作成することもできる。
基づいて各走査側電極の発光画素数を算出する(ステッ
プT1)。続いて、算出した各走査側電極の発光画素数
と基準のパルス幅設定マップ(図12参照)とからその
走査側電極に印加すべき走査電圧のパルス幅を求め、さ
らに、輝度マップ(図7参照)を参照してそのパルス幅
と発光画素数における発光輝度を求める(ステップT
2)。そして、全ての走査側電極について求めた発光輝
度を比較し、最高輝度と最低輝度との差(最大輝度差)
が目標輝度の20%以内(第1の条件)であって、かつ
隣接する走査側電極間の発光輝度差が目標輝度の10%
以内(第2の条件)であるかどうかを判断する(ステッ
プT3)。これら2条件が共に満されている場合には、
基準のパルス幅設定マップをそのまま当該画像に対する
パルス幅設定マップとして採用し処理を終了する。一例
として示した当該画像に対する走査電圧パルス幅のパル
ス幅設定マップ(図6)が、基準のパルス幅設定マップ
(図12(b))と同じであるのは、上記2条件が共に
満されていたため変更の必要がなかったことによる。
合には、基準のパルス幅設定マップに変更を加え、それ
を新たに当該画像に対するパルス幅設定マップとする
(ステップT4)。この変更に際しては、最も発光輝度
差が大きい隣接する2つの走査側電極に着目し、これら
の発光輝度差が10%以内となるようにパルス幅設定マ
ップを変更する。この変更方法としては、パルス幅に対
する発光画素数の区切値(図6においては22、36、
52、…)を変更する方法と、区切りはそのままとしパ
ルス幅を変更する方法とが考えられる。また、変更に際
しては、上記第1の条件が満されるように留意する必要
がある。
有する走査側電極の発光輝度のみが上記条件を満足しな
い場合などに有効な方法である。また、後者の方法は、
同じ発光画素数の走査側電極が2つ以上ある場合におい
て、そのうちの1つだけが上記第2の条件を満足しない
場合などに有効な方法である。
より変更した後、再度ステップT2に戻り、ステップT
3において第1および第2の条件が共に満足されたかど
うかを判断する。そして、表示画像について、これら2
つの条件を満足するパルス幅設定マップが得られるま
で、ステップT2ないしT4の処理を繰り返す。
許容値は一例として20%および10%に設定したが、
輝度むらをより低減するためにはこれら許容値をより小
さく設定することが好ましい。また、画像によってこれ
ら2条件を満足することが難しい場合には、パルス幅設
定マップの区分数を増やすか、または可能な範囲内で発
光輝度差を最小としたものを当該画像に対するパルス幅
設定マップとして採用すれば良い。
Lパネル9に表示する各画像について、最大輝度差と隣
接する走査側電極間の発光輝度差とがそれぞれ所定値以
下となるように最適化されたパルス幅設定マップが作成
され、パルス幅設定マップ変更回路42は、各画像の表
示開始前にその作成されたパルス幅設定マップによりパ
ルス幅設定マップ記憶回路41を書き換える。そして、
パルス幅制御回路43は、表示画像に対して最適化され
たパルス幅設定マップを用いて走査電圧のパルス幅を設
定する。
ネル9全体として見たときの輝度むらのみならず、隣接
する走査側電極間などELパネル9の部分的な領域内に
おける輝度むらも十分に減少させることができ、パネル
の横方向に延びる筋状(または帯状)のパターンが現れ
にくくなるという効果を奏する。
適なパルス幅設定マップを用いるので、全ての表示画像
について同一のパルス幅設定マップを用いる場合に比
べ、パルス幅設定マップ内の区分数を少なくできるとと
もにパルス幅の分解能を下げることができる。その結
果、パルス幅制御回路43の構成を簡単化することがで
き、その設計・製作コストを低減することができる。ま
た、パルス幅制御回路43の処理が軽減されるので、そ
の処理速度が向上する。
した実施形態に限定されるものではなく、次のような変
形または拡張が可能である。上記実施形態では駆動電圧
のパルス幅を変化させるために、発光画素数に基づいた
パルス幅設定マップを用いたが、非発光画素数に基づい
たパルス幅設定マップを用いても良い。また、パルス幅
設定マップを作成する際の第2の条件において、隣接す
る走査側電極間の発光輝度差を用いたが、近接する走査
側電極間の発光輝度差を用いても良い。
制御回路12は、走査側ドライバIC13のPチャネル
側のMOSFETがオンするタイミングを一定(30μ
sec毎)とし、Nチャネル側のMOSFETがオンす
るタイミングを変化させることにより所定のパルス幅を
有する走査電圧を生成した。これに対し、制御回路12
は、Nチャネル側のMOSFETをオンするタイミング
を一定とし、Pチャネル側のMOSFETがオンするタ
イミングを変化させることにより所定のパルス幅を有す
る走査電圧を生成しても良い(負フィールド駆動におい
ても同様)。また、EL表示装置8は、一走査側電極毎
にEL素子111、112、…に印加する駆動電圧の極
性を反転するライン反転駆動を採用しても良い。
ック図
を示す図
対する輝度特性を示す図(a)およびパルス幅設定マッ
プを示す図(b)
表示装置、9はELパネル、10は走査側電極駆動回
路、11はデータ側電極駆動回路、41はパルス幅設定
マップ記憶回路、42はパルス幅設定マップ変更回路、
43はパルス幅制御回路、201、202、…は走査側
電極、301、302、…はデータ側電極である。
Claims (6)
- 【請求項1】 ELパネルに配列された複数の走査側電
極に順にパルス状の走査電圧を印加するとともに、その
走査側電極の走査に同期して前記ELパネルに配列され
た複数のデータ側電極にパルス状のデータ電圧を印加す
ることにより前記ELパネルの画素を駆動して画像を表
示するEL表示装置の駆動方法において、 前記ELパネルに表示する個々の画像毎に、前記走査側
電極に沿って形成された前記画素の発光画素数と前記走
査電圧および前記データ電圧により生成される当該発光
画素への駆動電圧のパルス幅との関係を示したパルス幅
設定マップを予め作成して記憶しておき、前記ELパネ
ルに画像を表示する前にその表示する画像について予め
作成された前記パルス幅設定マップを有効化するステッ
プと、 前記各走査側電極に走査電圧を印加する前に当該走査側
電極に沿って形成された画素の発光画素数をカウントす
るステップと、 そのカウント値と前記有効化されたパルス幅設定マップ
とに基づいて、前記発光画素数に対応したパルス幅の駆
動電圧を生成するように前記走査電圧および前記データ
電圧を制御するステップとを備えたことを特徴とするE
L表示装置の駆動方法。 - 【請求項2】 表示する画像毎に作成される各パルス幅
設定マップは、その表示対象画像について、最高輝度を
有する発光画素と最低輝度を有する発光画素との発光輝
度差が所定値よりも小さくなるように作成されることを
特徴とする請求項1記載のEL表示装置の駆動方法。 - 【請求項3】 表示する画像毎に作成される各パルス幅
設定マップは、その表示対象画像について、前記走査側
電極に沿って形成された発光画素と当該走査側電極に近
接した走査側電極に沿って形成された発光画素との発光
輝度差が所定値よりも小さくなるように作成されること
を特徴とする請求項1または2記載のEL表示装置の駆
動方法。 - 【請求項4】 前記パルス幅設定マップは、前記駆動電
圧のパルス幅に対応して区分された発光画素数の区切り
値を調整することにより作成されることを特徴とする請
求項2または3記載のEL表示装置の駆動方法。 - 【請求項5】 前記パルス幅設定マップは、区分された
発光画素数の各区分に対応する前記駆動電圧のパルス幅
を調整することにより作成されることを特徴とする請求
項2ないし4の何れかに記載のEL表示装置の駆動方
法。 - 【請求項6】 複数の走査側電極およびデータ側電極を
配列することにより複数の画素が形成されたELパネル
と、 前記走査側電極にパルス状の走査電圧を出力する走査側
電極駆動回路と、 前記データ側電極にパルス状のデータ電圧を出力するデ
ータ側電極駆動回路と、 前記ELパネルに表示する画像について前記走査側電極
に沿って形成された前記画素の発光画素数と前記走査電
圧および前記データ電圧により生成される当該発光画素
への駆動電圧のパルス幅との関係を示したパルス幅設定
マップが記憶されるパルス幅設定マップ記憶回路と、 このパルス幅設定マップ記憶回路に記憶されたパルス幅
設定マップを個々の表示画像毎に予め作成されて記憶さ
れているパルス幅設定マップに変更するパルス幅設定マ
ップ変更回路と、 前記走査側電極による走査時に、前記パルス幅設定マッ
プ記憶回路に記憶されたパルス幅設定マップに基づい
て、前記発光画素数に対応したパルス幅の駆動電圧を生
成するように前記走査側電極駆動回路および前記データ
側電極駆動回路を制御するパルス幅制御回路とを備えて
構成されていることを特徴とするEL表示装置。
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