JP3413407B2 - メモリカード結合構造 - Google Patents

メモリカード結合構造

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【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は一種のメモリカード
結合構造に係り、特に、上蓋に接合凸縁と係合溝が設け
られ、フレームに設置された接合溝が上蓋の接合凸縁に
組み合わされて接合され、下蓋にフックが設けられて上
蓋の係合溝に係合し、これによりメモリカードケース全
体が、金属部品を交互に重ねた緊密な接合を形成する
か、或いはフレームと上蓋が一体成形の構造とされ、有
効に有効に電磁波の漏出による電磁干 渉の形成を防止
し、且つ設計に合わせて適宜延伸可能な構造に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のメモリカード結合構造には多種の
方式があるが、一般に採用されているのは、ホットメル
ト接着剤による接合、超音波接合、レーザー溶接或いは
機械式係合である。しかし、それは使用時に以下のよう
な欠点を有していた。1.ホットメルト接着剤による接
合は、その加工時間が比較的長く、コストが高く、また
その製品に隙間があり、電磁波が漏出して電磁干渉を形
成し、且つ受熱時に撓んだり反り返ったりしやすかっ
た。2.超音波接合は、その加工時に損壊を形成しやす
く、且つ製品に隙間があり、電磁波が漏出して電磁干渉
を形成しやすかった。3.レーザー溶接は、加工時間が
比較的長く、コストが高く、且つ設備費用が相当に高か
った。4.機械係合式は、図1に示されるように、上蓋
100の側辺に係止部1001が延設されて、フレーム
200側辺の凸縁2001に係合し、下蓋300の側端
の折り曲げ部3001がフレーム200底部の接合溝2
002中に嵌入し、こうして結合されて全体を形成し、
加工に便利で、コストが低いが、結合強度に劣り、脱落
を形成しやすかった。このように従来のメモリカード結
合構造にはそれぞれ欠点があり、ゆえに改良が求められ
ていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は一種のメモリ
カード結合構造を提供することを課題とし、それは、上
蓋の適宜位置に複数の接合凸縁が設けられてフレームに
設けられた接合溝に接合され、さらに上蓋に複数の係合
溝が設けられて、下蓋のフックと結合され、組立時に各
部品が整合、係合させられることにより、緊密強固に結
合され、且つ組立に便利で簡単な構造を形成する構造で
あるものとする。
【0004】本発明はまた、一種のメモリカード結合構
造を提供することを課題とし、それは、その上蓋と下蓋
重畳式の接合が採用されることにより、周辺全体がい
ずれも有効に隔離、被覆され、確実に電磁波の外部への
漏出を防止し、干渉を防止する構造であるものとする。
【0005】本発明はさらに、一種のメモリカード結合
構造を提供することを課題とし、それは、上蓋が先に金
型内に置かれ、オーバーモールディングにより、プラス
チック射出一体成形により上蓋より延伸され逆に折れた
側辺が被覆され、機械強度が良好で、電磁干渉防止効果
が良好な構造であるものとする。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、金属
製の上蓋と金属製の下蓋、及びフレームで組成され、該
上蓋の適宜位置に複数の接合凸縁と係合溝が設けられ、
フレームにおいて接合凸縁に対応する位置に複数の接合
溝が設けられ、下蓋において係合溝に対応する位置に複
数のフックが設けられ、組合せ時に、上蓋の接合凸縁が
フレームの接合溝中に挿入されることにより上蓋とフレ
ームが結合され、フックが係合溝に係合することにより
下蓋と上蓋が結合され、全体の強固な結合が形成される
と共に、上蓋と下蓋の周辺が重畳状を呈して有効に電磁
波の漏出による電磁干渉の形成を防止することを特徴と
する、メモリカード結合構造としている。請求項2の発
明は、前記上蓋が金属板を一体プレス成形してなり、接
合凸縁は上蓋の辺側の内側に向けて折った部分の端部が
さらに内向きに折り曲げられ延伸されて形成され、この
延伸部分の端部近くの適宜位置が、連続部分を残し一部
分が上蓋の内底に向けて突出するよう打ち抜かれ、且つ
打ち抜かれた部分がフック状を形成することを特徴とす
る、請求項1に記載のメモリカード結合構造としている
としている。請求項3の発明は、前記上蓋の係合溝が、
上蓋辺縁の適宜位置に予め切欠きが形成され、さらに折
り曲げプレス加工され一体成形されたことを特徴とす
る、請求項1に記載のメモリカード結合構造としてい
る。請求項4の発明は、前記フレームが上蓋の折り曲げ
部分の内側に設けられ、その接合溝が矩形を呈して上蓋
の接合凸縁と相互に組み合わされ結合されて、フレーム
が強固に上蓋に結合させられたことを特徴とする、請求
項1に記載のメモリカード結合構造としている。請求項
5の発明は、前記上蓋とフレームの結合後に、底部に一
つの適当な間隙が形成され、且つ上蓋の係合溝部分に、
該間隙と連通する比較的深い間隙が形成され、間隙の内
側のフレーム部分の底部に斜辺が設けられて、下蓋組み
付け時に導入嵌入が容易で、下蓋の折り辺及び突出する
フックが容易に前述の間隙に収容されて、上蓋と下蓋が
しっかりと重畳状に結合することを特徴とする、請求項
1に記載のメモリカード結合構造としている。請求項6
の発明は、左右二側のフレームにそれぞれ一つの導電片
が設けられ、該導電片に二つの接触片が設けられ、その
一つと下蓋金属が接触し、もう一つとメモリカード内に
置かれた基板が接触することにより、回路を形成して上
蓋がシールド体とされて、電磁波漏出を減少することを
特徴とする、請求項1に記載のメモリカード結合構造と
している。請求項7の発明は、前記メモリカード結合構
造において、導電片に設置された接触片が左側と右側に
それぞれ一片設けられ、バタフライ状を呈するよう中間
の固定部より延伸されて形成されたことを特徴とする、
請求項1又は請求項5に記載のメモリカード結合構造と
している。請求項8の発明は、前記上蓋の両側辺が延伸
されて対向するように180°折り曲げられて二層側辺
が形成され、また上蓋の側辺が折られた後、延伸され折
り曲げられて適宜角度が形成され、フレームが、プレス
成形した上蓋と共にプラスチック射出成形されて、直接
上蓋中に嵌入係止されたことを特徴とする、請求項1又
は請求項5に記載のメモリカード結合構造としている。
請求項9の発明は、前記上蓋の内側の係合溝の四周と最
外側の側辺が閉口溝を形成し、フレームのプラスチック
射出成形加工時に、プラスチック材料の該係合溝内への
流入を防止し、上蓋係合溝と下蓋のフックの結合に影響
を与えないことを特徴とする、請求項1又は請求項5に
記載のメモリカード結合構造としている。請求項10の
発明は、前記上蓋と下蓋が結合する時、下蓋とフレーム
の結合面部分に樹脂膜が加えられて、メモリカード全体
の結合強度が増加されたことを特徴とする、請求項1又
は請求項5に記載のメモリカード結合構造としている。
【0007】
【発明の実施の形態】図1は周知の機械式メモリカード
結合構造の断面図であり、その構造及びその欠点につい
てはすでに説明したので、重複した説明は省略する。
【0008】図2は本発明の好ましい実施例の斜視図、
図3は本発明の分解斜視図であり、各部分の拡大図を共
に示している。これらの図に示されるように、本発明の
メモリカード結合構造は、少なくとも、上蓋1、フレー
ム2及び下蓋3で組成されている。そのうち、上蓋1の
適宜位置に、複数の接合凸縁11と係合溝12が設けら
れている。フレーム2において該接合凸縁11に対応す
る位置に複数の接合溝21が設けられている。下蓋3に
おいて係合溝12に対応する位置に複数のフック31が
設けられている。組合せ時には、フレーム2が上蓋1の
中間より側辺に向けて嵌合され、接合凸縁11が接合溝
21中に挿入され、接合凸縁11の係止縁111が接合
溝21の係止縁211部分に係合し(図5、6参照)、
緊密な接合を形成する。さらに下蓋3周辺の折り辺が、
前述の既に接合された上蓋1とフレーム2の間隙中に、
フレーム2底部に設けられた斜辺22の形成する導入口
を通り、嵌め込まれ、並びにフック31が上蓋1の係合
溝12部分に係合し、係止縁311が係合溝12の辺縁
に係合し(図6参照)、こうして簡単に迅速且つ強固に
組み合わされ、並びに各方向がいずれも強固に結合され
た構造を形成する。
【0009】図4は本発明の好ましい実施例の正面図で
あり、図5は図4のA−A部分の断面図であり、図6は
図4のB−B部分の断面図であり、これらの図より本発
明の構成要件間の相対関係位置を知ることができる。そ
のうち、接合凸縁11の係止縁111、フック31の係
止縁311は、蓋体の適宜位置にパンチ加工を施し並び
に一部分を一側に向けて突出させてフック状として形成
され、組合せ後のメモリカードの周辺の上蓋1、下蓋3
部分が、いずれも重畳を呈するように組み合わされ、有
効な被覆を形成し、確実に電磁波の漏洩を遮断し、電磁
干渉を防止する。
【0010】図7は本発明のもう一つの好ましい実施例
の分解斜視図であり、そのうち6A部分は接地導電片の
拡大図である。この図より分かるように、二側のフレー
ム2にはそれぞれ一つの導電片4が設けられ、該導電片
4に二つの接触片41、42が設けられその一つが下蓋
金属と接触し、もう一つがメモリカード内に置かれた
基板と接触し、こうして回路を形成して上蓋がシールド
とされて電磁波漏洩を防止し、該接触片41は左側、右
側にそれぞれ一片設けられて、バタフライ状を呈して中
間の固定部より延伸されて形成されている。
【0011】図8は本発明のもう一つの好ましい実施例
の組合せ構造断面図であり、そのうち、上蓋1の側辺が
180°折り曲げられて二層側辺が形成され、製造時に
は、上蓋1が先ず金型内に置かれ、さらにプラスチック
射出成形によりフレーム2が形成され、一体成形の構造
が形成され、このとき、オーバーモールディングで製造
された上蓋1とフレーム2を利用し、上蓋1の側辺に係
合溝12aが保留され(図7中の6B参照)、プラスチ
ック射出成形により上蓋1が結合された後に、該係合溝
12aが五面封閉状態を呈し、僅かに一面が保留されて
下蓋3のフック31との係合に供される。また、下蓋3
とフレーム2の結合面に樹脂膜32が加えられ、これに
より、全体組合せ時の構造の機械強度が増加され、一体
射出成形の組合せ構造が形成される。
【0012】
【発明の効果】総合すると、本発明のメモリカード結合
構造は、確実に、結合が緊密で、組立が簡単便利で、製
造コストを下げることができ、且つ有効に電磁波の漏洩
を防止し、電磁干渉を防止する効果を達成する。これら
の効果は確実に周知の技術における、組立に時間がかか
り、製造コストが高く、且つギャップにより電磁波が漏
洩して電磁干渉を形成する欠点を解消し、且つ本発明は
公開使用されておらず、特許の要件に符合する。なお、
以上の説明は、本発明の望ましい実施例に係るものであ
り、本発明の構想に基づきなしうる細部の改変或いは修
飾は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】周知の機械式メモリカード結合構造の断面図で
ある。
【図2】本発明の好ましい実施例の斜視図である。
【図3】本発明の好ましい実施例の分解斜視図であり、
そのうち3A部分は下蓋のフックの拡大図、3B部分は
フレームの接合溝の拡大図、3C部分は接合凸縁の拡大
図、3D部分は係合溝の拡大図である。
【図4】本発明の好ましい実施例の正面図である。
【図5】本発明の好ましい実施例の上蓋とフレームの接
合状況表示断面図である。
【図6】本発明の好ましい実施例の上蓋と下蓋の接合位
置表示断面図である。
【図7】本発明のもう一つの好ましい実施例の分解斜視
図であり、そのうち6A部分は接地導電片の拡大図、6
B部分は辺係合溝の拡大図である。
【図8】本発明のもう一つの好ましい実施例の結合構造
断面図である。
【符号の説明】
1、100 上蓋 11 接合凸縁 111、311 係止縁 12、12a 係合溝 1001 係止部 2、200 フレーム 21 接合溝 211 係止縁 22 斜辺 2001 凸縁 2002 接合溝 3、300 下蓋 31 フック 32 樹脂膜 3001 折り曲げ部 4 導電片 41、42 接触片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06K 19/00 - 19/077

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属製の上蓋と金属製の下蓋、及びフレ
    ームで組成され、該上蓋の適宜位置に複数の接合凸縁と
    係合溝が設けられ、フレームにおいて接合凸縁に対応す
    る位置に複数の接合溝が設けられ、下蓋において係合溝
    に対応する位置に複数のフックが設けられ、組合せ時
    に、上蓋の接合凸縁がフレームの接合溝中に挿入される
    ことにより上蓋とフレームが結合され、フックが係合溝
    に係合することにより下蓋と上蓋が結合され、全体の強
    固な結合が形成されると共に、上蓋と下蓋の周辺が重畳
    状を呈して有効に電磁波の漏出による電磁干渉の形成を
    防止することを特徴とする、メモリカード結合構造。
  2. 【請求項2】 前記上蓋が金属板を一体プレス成形して
    なり、接合凸縁は上蓋の辺側の内側に向けて折った部分
    の端部がさらに内向きに折り曲げられ延伸されて形成さ
    れ、この延伸部分の端部近くの適宜位置が、連続部分を
    残し一部分が上蓋の内底に向けて突出するよう打ち抜か
    れ、且つ打ち抜かれた部分がフック状を形成することを
    特徴とする、請求項1に記載のメモリカード結合構造。
  3. 【請求項3】 前記上蓋の係合溝が、上蓋辺縁の適宜位
    置に予め切欠きが形成され、さらに折り曲げプレス加工
    され一体成形されたことを特徴とする、請求項1に記載
    のメモリカード結合構造。
  4. 【請求項4】 前記フレームが上蓋の折り曲げ部分の内
    側に設けられ、その接合溝が矩形を呈して上蓋の接合凸
    縁と相互に組み合わされ結合されて、フレームが強固に
    上蓋に結合させられたことを特徴とする、請求項1に記
    載のメモリカード結合構造。
  5. 【請求項5】 前記上蓋とフレームの結合後に、底部に
    一つの適当な間隙が形成され、且つ上蓋の係合溝部分
    に、該間隙と連通する比較的深い間隙が形成され、間隙
    の内側のフレーム部分の底部に斜辺が設けられて、下蓋
    組み付け時に導入嵌入が容易で、下蓋の折り辺及び突出
    するフックが容易に前述の間隙に収容されて、上蓋と下
    蓋がしっかりと重畳状に結合することを特徴とする、請
    求項1に記載のメモリカード結合構造。
  6. 【請求項6】 左右二側のフレームにそれぞれ一つの導
    電片が設けられ、該導電片に二つの接触片が設けられ、
    その一つと下蓋金属が接触し、もう一つとメモリカード
    内に置かれた基板が接触することにより、回路を形成し
    て上蓋がシールド体とされて、電磁波漏出を減少するこ
    とを特徴とする、請求項1に記載のメモリカード結合構
    造。
  7. 【請求項7】 前記メモリカード結合構造において、導
    電片に設置された接触片が左側と右側にそれぞれ一片設
    けられ、バタフライ状を呈するよう中間の固定部より延
    伸されて形成されたことを特徴とする、請求項1又は請
    求項5に記載のメモリカード結合構造。
  8. 【請求項8】 前記上蓋の両側辺が延伸されて対向する
    ように180°折り曲げられて二層側辺が形成され、ま
    た上蓋の側辺が折られた後、延伸され折り曲げられて適
    宜角度が形成され、フレームが、プレス成形した上蓋と
    共にプラスチック射出成形されて、直接上蓋中に嵌入係
    止されたことを特徴とする、請求項1又は請求項5に記
    載のメモリカード結合構造。
  9. 【請求項9】 前記上蓋の内側の係合溝の四周と最外側
    の側辺が閉口溝を形成し、フレームのプラスチック射出
    成形加工時に、プラスチック材料の該係合溝内への流入
    を防止し、上蓋係合溝と下蓋のフックの結合に影響を与
    えないことを特徴とする、請求項1又は請求項5に記載
    のメモリカード結合構造。
  10. 【請求項10】 前記上蓋と下蓋が結合する時、下蓋と
    フレームの結合面部分に樹脂膜が加えられて、メモリカ
    ード全体の結合強度が増加されたことを特徴とする、請
    求項1又は請求項5に記載のメモリカード結合構造。
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