JP3412712B2 - 固体レーザ用結晶材料 - Google Patents
固体レーザ用結晶材料Info
- Publication number
- JP3412712B2 JP3412712B2 JP13503494A JP13503494A JP3412712B2 JP 3412712 B2 JP3412712 B2 JP 3412712B2 JP 13503494 A JP13503494 A JP 13503494A JP 13503494 A JP13503494 A JP 13503494A JP 3412712 B2 JP3412712 B2 JP 3412712B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- solid
- wavelength
- elements
- crystal material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信分野で使用され
る光増幅器の励起光源に用いられる固体レーザ用結晶材
料に関するものである。
る光増幅器の励起光源に用いられる固体レーザ用結晶材
料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光通信分野では光通信用の信号光とし
て、波長１．３μｍ帯の光と波長１．５５μｍ帯の光が
用いられている。信号光は、光ファイバを用いて伝送さ
れるが、５０ｋｍ程度以上も信号光が伝搬すると、その
あいだの損失が無視できずに徐々に強度が減少していく
ことが避けられない。従って、伝送の途中で、光信号を
増幅する必要があるが、超高速での情報伝達を行なうに
は、光信号を直接増幅することが望ましい。その際に必
要とされるのが光増幅器である。
て、波長１．３μｍ帯の光と波長１．５５μｍ帯の光が
用いられている。信号光は、光ファイバを用いて伝送さ
れるが、５０ｋｍ程度以上も信号光が伝搬すると、その
あいだの損失が無視できずに徐々に強度が減少していく
ことが避けられない。従って、伝送の途中で、光信号を
増幅する必要があるが、超高速での情報伝達を行なうに
は、光信号を直接増幅することが望ましい。その際に必
要とされるのが光増幅器である。
【０００３】光増幅器の中でも、加入者向けの波長領域
である１．３μｍ帯で必要とされているのが１．３μｍ
帯用光増幅器であり、フッ化物光ファイバ中に希土類元
素である３価のプラセオジムイオンを分散させて、その
誘導放出を利用して光の増幅を行なうものが有望であ
り、開発が進められている。
である１．３μｍ帯で必要とされているのが１．３μｍ
帯用光増幅器であり、フッ化物光ファイバ中に希土類元
素である３価のプラセオジムイオンを分散させて、その
誘導放出を利用して光の増幅を行なうものが有望であ
り、開発が進められている。
【０００４】図１１はプラセオジムのエネルギーダイア
グラムを示したものである。図中ａは励起光、ｂはレー
ザ光、ｃは準位3Ｈ4、ｄは準位3Ｈ5、ｅは準位3Ｈ6、ｆ
は準位3Ｆ2、ｇは準位3Ｆ3、ｈは準位3Ｆ4、ｉは準位1
Ｇ4を示す。
グラムを示したものである。図中ａは励起光、ｂはレー
ザ光、ｃは準位3Ｈ4、ｄは準位3Ｈ5、ｅは準位3Ｈ6、ｆ
は準位3Ｆ2、ｇは準位3Ｆ3、ｈは準位3Ｆ4、ｉは準位1
Ｇ4を示す。
【０００５】該１．３μｍ帯用光増幅器では、中心波長
がおよそ１．０２μｍである3Ｈ4→1Ｇ4の遷移を利用し
て光を吸収し、中心波長がおよそ１．３０μｍである1
Ｇ4→3Ｈ5の誘導放出を利用して１．３μｍ帯の信号光
の増幅を行なうことを特徴としている。
がおよそ１．０２μｍである3Ｈ4→1Ｇ4の遷移を利用し
て光を吸収し、中心波長がおよそ１．３０μｍである1
Ｇ4→3Ｈ5の誘導放出を利用して１．３μｍ帯の信号光
の増幅を行なうことを特徴としている。
【０００６】該１．３μｍ帯光増幅器においては、プラ
セオジムイオンを励起するための１．０２μｍ波長の外
部光源が不可欠である。外部励起光源としては、高出力
で発振波長が安定でなおかつ長寿命で低価格・小型の素
子が望ましい。また、１．５５μｍ帯光増幅器において
は、石英光ファイバ中に分散したエルビウムイオンの誘
導放出による光増幅を行なっているが、エルビウムイオ
ンの光吸収のための０．９８μｍ波長の外部励起光源を
用いている。外部励起光源として、高出力で発振波長が
安定でなおかつ長寿命で低価格・小型の素子が望ましい
ことは全く同様である。
セオジムイオンを励起するための１．０２μｍ波長の外
部光源が不可欠である。外部励起光源としては、高出力
で発振波長が安定でなおかつ長寿命で低価格・小型の素
子が望ましい。また、１．５５μｍ帯光増幅器において
は、石英光ファイバ中に分散したエルビウムイオンの誘
導放出による光増幅を行なっているが、エルビウムイオ
ンの光吸収のための０．９８μｍ波長の外部励起光源を
用いている。外部励起光源として、高出力で発振波長が
安定でなおかつ長寿命で低価格・小型の素子が望ましい
ことは全く同様である。
【０００７】それらを満足するよう開発が進められてい
るのがＩｎＧａＡｓ半導体歪み超格子レーザダイオード
である。しかしながら、ＩｎＧａＡｓ半導体レーザダイ
オードは、１．０２μｍおよび０．９８μｍの波長に関
して発振波長の安定性になお課題があり、しかも量産体
制の整備が進んでおらず、単価が高くなっている。ま
た、光出力も高々１００ｍＷ程度で動作寿命も短いなど
実用に供するには問題が残っている。もう一つの問題点
を挙げると、発振波長を安定させるのに、光アイソレー
タを必要とすることである。
るのがＩｎＧａＡｓ半導体歪み超格子レーザダイオード
である。しかしながら、ＩｎＧａＡｓ半導体レーザダイ
オードは、１．０２μｍおよび０．９８μｍの波長に関
して発振波長の安定性になお課題があり、しかも量産体
制の整備が進んでおらず、単価が高くなっている。ま
た、光出力も高々１００ｍＷ程度で動作寿命も短いなど
実用に供するには問題が残っている。もう一つの問題点
を挙げると、発振波長を安定させるのに、光アイソレー
タを必要とすることである。
【０００８】光アイソレータは、半導体レーザから出射
した光の反射戻り光を遮断するために用いられる。これ
は、反射戻り光が半導体レーザの共振器内で再び増幅さ
れることにより、位相の異なった光の影響で発振波長が
不安定になること等を防止するためである。しかしなが
ら、１μｍ近辺の光に対するアイソレータは、通信波長
（１．３μｍあるいは１．５５μｍ）用のアイソレータ
に用いられている磁性ガーネット材料を用いようとする
と、鉄イオンによる吸収損失が大きくなることから、低
挿入損失のアイソレータを作製できないため、ＨｇＣｄ
ＭｎＴｅのような特殊な半導体材料を用いて作製されて
いる。この材料は大型の結晶育成が困難であり、なおか
つ組成が少しでもずれるとファラデー回転角等の特性が
極端に変化するため作製が難しく、非常に高価なものと
なっている。高い順逆比と低い損失とを同時に満足する
光アイソレータは、非常に高価なものであるため、外部
励起用の半導体レーザモジュールの価格は、レーザその
ものよりもさらに高価となり、ますます実用的でなくな
る。また、１．３μｍ帯光増幅器においては、励起光の
単位入力当たりの増幅率が比較的小さいため、通常１Ｗ
級の励起光入力を必要とするが、増幅媒体であるファイ
バに双方向から励起光を入れる場合でも最大４個のレー
ザダイオードを用いることしかできない。ところが、歪
み超格子レーザダイオードにおいては、１個当たりの最
大出力は高々１００ｍＷ程度であり、４個でも４００ｍ
Ｗである。このため、必要にして十分な増幅を得るのは
困難な状況にある。
した光の反射戻り光を遮断するために用いられる。これ
は、反射戻り光が半導体レーザの共振器内で再び増幅さ
れることにより、位相の異なった光の影響で発振波長が
不安定になること等を防止するためである。しかしなが
ら、１μｍ近辺の光に対するアイソレータは、通信波長
（１．３μｍあるいは１．５５μｍ）用のアイソレータ
に用いられている磁性ガーネット材料を用いようとする
と、鉄イオンによる吸収損失が大きくなることから、低
挿入損失のアイソレータを作製できないため、ＨｇＣｄ
ＭｎＴｅのような特殊な半導体材料を用いて作製されて
いる。この材料は大型の結晶育成が困難であり、なおか
つ組成が少しでもずれるとファラデー回転角等の特性が
極端に変化するため作製が難しく、非常に高価なものと
なっている。高い順逆比と低い損失とを同時に満足する
光アイソレータは、非常に高価なものであるため、外部
励起用の半導体レーザモジュールの価格は、レーザその
ものよりもさらに高価となり、ますます実用的でなくな
る。また、１．３μｍ帯光増幅器においては、励起光の
単位入力当たりの増幅率が比較的小さいため、通常１Ｗ
級の励起光入力を必要とするが、増幅媒体であるファイ
バに双方向から励起光を入れる場合でも最大４個のレー
ザダイオードを用いることしかできない。ところが、歪
み超格子レーザダイオードにおいては、１個当たりの最
大出力は高々１００ｍＷ程度であり、４個でも４００ｍ
Ｗである。このため、必要にして十分な増幅を得るのは
困難な状況にある。
【０００９】一方、波長安定性に優れ、長寿命でかつ高
出力な励起用光源の候補として固体レーザがある。例え
ば、チタンサファイアレーザは、０．７〜１．１μｍの
領域で波長を可変できる固体レーザとして知られてお
り、実験室レベルでは盛んに用いられている。実験段階
において、光増幅起用の光ファイバの特性を調べるのに
チタンサファイアレーザを用いることはあるが、実用的
な増幅器に用いるには以下のように課題がある。
出力な励起用光源の候補として固体レーザがある。例え
ば、チタンサファイアレーザは、０．７〜１．１μｍの
領域で波長を可変できる固体レーザとして知られてお
り、実験室レベルでは盛んに用いられている。実験段階
において、光増幅起用の光ファイバの特性を調べるのに
チタンサファイアレーザを用いることはあるが、実用的
な増幅器に用いるには以下のように課題がある。
【００１０】まず、チタンサファイアレーザを励起する
のに、通常アルゴンガスレーザを用いることである。こ
のため、レーザ全体が極めて大型になる。そして非常に
高価なものになることも挙げられる。これらの問題点を
解決しうる候補として、既存の安価で安定・高出力・長
寿命の半導体レーザで励起できる固体レーザが考えられ
る。現在のところ、その候補の一つと目されているの
が、Ｙｂ：ＹＡＧレーザである。Ｙｂ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ
12（Ｙｂ：ＹＡＧ）レーザは、最近１．０３μｍでの室
温連続発振が確認された有望なレーザであるが、発振さ
せるには、イッテルビウムイオンの光吸収を満足する
０．９４１μｍあるいは０．９６８μｍの外部励起光が
必要である。このような外部励起光は、前述の波長可変
固体レーザを用いるか、ＩｎＧａＡｓ歪み超格子半導体
レーザを用いるかの２者択一である。波長可変固体レー
ザには、前述の問題があり、小型・安価の要求に耐えな
い。また、励起に特殊な波長の半導体レーザを用いるの
であれば、最初から所望の波長域の半導体レーザを用い
る方が利点が多く、問題にならない。また、Ｙｂ：ＹＡ
Ｇレーザは、今のところ発振しきい値が８０ｍＷと大き
く、実用に供するところまで到達していない。
のに、通常アルゴンガスレーザを用いることである。こ
のため、レーザ全体が極めて大型になる。そして非常に
高価なものになることも挙げられる。これらの問題点を
解決しうる候補として、既存の安価で安定・高出力・長
寿命の半導体レーザで励起できる固体レーザが考えられ
る。現在のところ、その候補の一つと目されているの
が、Ｙｂ：ＹＡＧレーザである。Ｙｂ：Ｙ3Ａｌ5Ｏ
12（Ｙｂ：ＹＡＧ）レーザは、最近１．０３μｍでの室
温連続発振が確認された有望なレーザであるが、発振さ
せるには、イッテルビウムイオンの光吸収を満足する
０．９４１μｍあるいは０．９６８μｍの外部励起光が
必要である。このような外部励起光は、前述の波長可変
固体レーザを用いるか、ＩｎＧａＡｓ歪み超格子半導体
レーザを用いるかの２者択一である。波長可変固体レー
ザには、前述の問題があり、小型・安価の要求に耐えな
い。また、励起に特殊な波長の半導体レーザを用いるの
であれば、最初から所望の波長域の半導体レーザを用い
る方が利点が多く、問題にならない。また、Ｙｂ：ＹＡ
Ｇレーザは、今のところ発振しきい値が８０ｍＷと大き
く、実用に供するところまで到達していない。
【００１１】Ｙｂ：ＹＡＧレーザにおける問題点は、発
振しきい値の高さにとどまらない。それは、母体材料で
あるＹＡＧの性質による。ＹＡＧは、モース硬度８．２
５と極めて硬い材料であり、融点も１９７０℃と高い。
このため、それらのパラメータと密接に関係する結晶場
は非常に強いものとなり、強い濃度消光の効果が大きい
ということは、活性イオンをわずかしかドープできない
ということであり、励起光の強度に対して、光出力が飽
和しやすいことを意味する。すなわち、光出力のレーザ
を実現することが困難であることになる。
振しきい値の高さにとどまらない。それは、母体材料で
あるＹＡＧの性質による。ＹＡＧは、モース硬度８．２
５と極めて硬い材料であり、融点も１９７０℃と高い。
このため、それらのパラメータと密接に関係する結晶場
は非常に強いものとなり、強い濃度消光の効果が大きい
ということは、活性イオンをわずかしかドープできない
ということであり、励起光の強度に対して、光出力が飽
和しやすいことを意味する。すなわち、光出力のレーザ
を実現することが困難であることになる。
【００１２】このように、従来型のレーザにおいては、
光増幅起用の外部励起光源として実用的に用いるには、
なお課題が多かった。
光増幅起用の外部励起光源として実用的に用いるには、
なお課題が多かった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明による固体レーザ用結晶材料は、一般式Ｌ
ｎＡＦ4（Ｌｎはイットリウム、ランタン、セリウム、
プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、
ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウ
ム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウ
ム、ビスマスの中から選ばれた１種以上の元素を任意に
組み合わせたものを表わし、Ａはリチウム、ナトリウ
ム、カリウムのうち１種以上の元素を任意に組み合わせ
たものを表わす。Ｆはフッ素を表わす。）で示される置
換型フッ化物結晶において、必ずネオジム、イッテルビ
ウムをその構成元素として含有し、０．９８μｍから
１．０５μｍの波長領域に発振波長を持つことを特徴と
する。
めに、本発明による固体レーザ用結晶材料は、一般式Ｌ
ｎＡＦ4（Ｌｎはイットリウム、ランタン、セリウム、
プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユーロピウム、
ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウ
ム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウ
ム、ビスマスの中から選ばれた１種以上の元素を任意に
組み合わせたものを表わし、Ａはリチウム、ナトリウ
ム、カリウムのうち１種以上の元素を任意に組み合わせ
たものを表わす。Ｆはフッ素を表わす。）で示される置
換型フッ化物結晶において、必ずネオジム、イッテルビ
ウムをその構成元素として含有し、０．９８μｍから
１．０５μｍの波長領域に発振波長を持つことを特徴と
する。
【００１４】また、本発明による第二の固体レーザ用結
晶材料は、一般式ＬｎＤＯ3（Ｌｎはイットリウム、ラ
ンタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウ
ム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプ
ロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウム、ビスマスの中から選ばれた１種
以上の元素を任意に組み合わせたものを表わし、Ｄはア
ルミニウム、ガリウム、インジウムのうち１種以上の元
素を任意に組み合わせたものを表わす。Ｏは酸素を表わ
す。）で示される置換型酸化物結晶において、必ずネオ
ジム、イッテルビウムをその構成元素として含有し、
０．９８μｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を
持つことを特徴とする。
晶材料は、一般式ＬｎＤＯ3（Ｌｎはイットリウム、ラ
ンタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウ
ム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプ
ロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウム、ビスマスの中から選ばれた１種
以上の元素を任意に組み合わせたものを表わし、Ｄはア
ルミニウム、ガリウム、インジウムのうち１種以上の元
素を任意に組み合わせたものを表わす。Ｏは酸素を表わ
す。）で示される置換型酸化物結晶において、必ずネオ
ジム、イッテルビウムをその構成元素として含有し、
０．９８μｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を
持つことを特徴とする。
【００１５】さらに本発明による第三の固体レーザ用結
晶材料は、一般式ＬｎＥＯ4（Ｌｎはイットリウム、ラ
ンタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウ
ム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプ
ロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウム、ビスマスの中から選ばれた１種
以上の元素を任意に組み合わせたものを表わし、Ｅはバ
ナジウム、ニオブ、タンタルのうち１種以上の元素を任
意に組み合わせたものを表わす。Ｏは酸素を表わす。）
で示される置換型酸化物結晶において、必ずネオジム、
イッテルビウムをその構成元素として含有し、０．９８
μｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を持つこと
を特徴とする。
晶材料は、一般式ＬｎＥＯ4（Ｌｎはイットリウム、ラ
ンタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウ
ム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプ
ロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテ
ルビウム、ルテチウム、ビスマスの中から選ばれた１種
以上の元素を任意に組み合わせたものを表わし、Ｅはバ
ナジウム、ニオブ、タンタルのうち１種以上の元素を任
意に組み合わせたものを表わす。Ｏは酸素を表わす。）
で示される置換型酸化物結晶において、必ずネオジム、
イッテルビウムをその構成元素として含有し、０．９８
μｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を持つこと
を特徴とする。
【００１６】本発明では、固体レーザ用結晶を構成する
希土類元素の一部をネオジムおよびイッテルビウムに置
換することにより得られる置換型結晶材料により固体レ
ーザを作製することにより、０．９８μｍから１．０５
μｍにかけての波長領域での実用的な励起用光源を実現
する。
希土類元素の一部をネオジムおよびイッテルビウムに置
換することにより得られる置換型結晶材料により固体レ
ーザを作製することにより、０．９８μｍから１．０５
μｍにかけての波長領域での実用的な励起用光源を実現
する。
【００１７】
【作用】本発明に関する固体レーザ用結晶は、一般式Ｌ
ｎＡＦ4、ＬｎＤＯ3あるいはＬｎＥＯ4で表わされ、Ｌ
ｎの部分をほとんどの希土類元素、イットリウムあるい
はビスマスで、Ａの部分をリチウム、ナトリウム、カリ
ウムで、Ｄの部分をアルミニウム、ガリウム、インジウ
ムで、Ｅの部分をバナジウム、ニオブ、タンタルでそれ
ぞれ置換することが可能である。本発明ではそのような
置換を行なった様々な置換型結晶の組成のうち特にＬｎ
の部分にネオジムとイッテルビウムを必須の条件として
含む置換型結晶材料を用いる。
ｎＡＦ4、ＬｎＤＯ3あるいはＬｎＥＯ4で表わされ、Ｌ
ｎの部分をほとんどの希土類元素、イットリウムあるい
はビスマスで、Ａの部分をリチウム、ナトリウム、カリ
ウムで、Ｄの部分をアルミニウム、ガリウム、インジウ
ムで、Ｅの部分をバナジウム、ニオブ、タンタルでそれ
ぞれ置換することが可能である。本発明ではそのような
置換を行なった様々な置換型結晶の組成のうち特にＬｎ
の部分にネオジムとイッテルビウムを必須の条件として
含む置換型結晶材料を用いる。
【００１８】置換元素のエネルギー準位は、近隣の原子
または原子団がつくりだす場を感じることによって、分
裂を起こす。該場のことを配位子場というが、ホストの
結晶系を変えることによって配位子場が変化し、置換元
素のエネルギー準位が該エネルギー準位が持つ性質に応
じた分だけシフトする。従って、ホストの結晶系を適当
に選ぶことにより、発振波長をある程度の範囲でシフト
させることができる。例えば、ＬｎＡＦ4結晶において
は、Ａの大分がリチウムである場合とカリウムである場
合で配位子場が大幅に変化するため、１μｍ近辺の光に
ついては、十分に０．９８μｍ〜１．０５μｍの範囲内
で発振波長を選択することが可能である。同様に、Ｌｎ
ＤＯ3あるいはＬｎＥＯ4結晶においてもＤあるいはＥの
部分を占有する元素により波長選択性を持たせることが
できる。
または原子団がつくりだす場を感じることによって、分
裂を起こす。該場のことを配位子場というが、ホストの
結晶系を変えることによって配位子場が変化し、置換元
素のエネルギー準位が該エネルギー準位が持つ性質に応
じた分だけシフトする。従って、ホストの結晶系を適当
に選ぶことにより、発振波長をある程度の範囲でシフト
させることができる。例えば、ＬｎＡＦ4結晶において
は、Ａの大分がリチウムである場合とカリウムである場
合で配位子場が大幅に変化するため、１μｍ近辺の光に
ついては、十分に０．９８μｍ〜１．０５μｍの範囲内
で発振波長を選択することが可能である。同様に、Ｌｎ
ＤＯ3あるいはＬｎＥＯ4結晶においてもＤあるいはＥの
部分を占有する元素により波長選択性を持たせることが
できる。
【００１９】またさらに、複数の置換元素に基づく吸収
によって、励起の波長をある程度自由に設定でき、さら
に吸収したエネルギーを同原子間で起こる内部転換や、
異原子間で起こる項間交差などの量子力学的相互作用を
利用することによって、うまく発光原子の発振上準位に
分布させることができ、発振準位間の反転分布を作るこ
とができる。
によって、励起の波長をある程度自由に設定でき、さら
に吸収したエネルギーを同原子間で起こる内部転換や、
異原子間で起こる項間交差などの量子力学的相互作用を
利用することによって、うまく発光原子の発振上準位に
分布させることができ、発振準位間の反転分布を作るこ
とができる。
【００２０】本発明による固体レーザ用結晶材料におい
ては、希土類元素としてネオジムを含有することから、
基底準位から4Ｆ5/2への吸収遷移により、安価な０．８
１μｍ波長のＡｌＧａＡｓ半導体レーザによる励起が可
能であり、4Ｆ3/2準位へ非発光で遷移したネオジムイオ
ンから双極子間相互作用により自動的に３価のイッテル
ビウムイオンへの非発光でのエネルギー伝達があり、イ
ッテルビウムの2Ｆ5/2準位における１μｍ近辺の誘導放
出を行なうべく反転分布の形成が可能であり、Ａ、Ｄあ
るいはＥの部分を占有する構成元素の構成比に従って
０．９８μｍ〜１．０５μｍの範囲内で所望の波長で選
択的に発振させることが可能である。
ては、希土類元素としてネオジムを含有することから、
基底準位から4Ｆ5/2への吸収遷移により、安価な０．８
１μｍ波長のＡｌＧａＡｓ半導体レーザによる励起が可
能であり、4Ｆ3/2準位へ非発光で遷移したネオジムイオ
ンから双極子間相互作用により自動的に３価のイッテル
ビウムイオンへの非発光でのエネルギー伝達があり、イ
ッテルビウムの2Ｆ5/2準位における１μｍ近辺の誘導放
出を行なうべく反転分布の形成が可能であり、Ａ、Ｄあ
るいはＥの部分を占有する構成元素の構成比に従って
０．９８μｍ〜１．０５μｍの範囲内で所望の波長で選
択的に発振させることが可能である。
【００２１】ネオジムを活性イオンとして用いる固体レ
ーザ用ガーネット結晶においては、吸収・発光の効率を
考慮して、ネオジムイオンの含有量を増大することによ
り生ずる濃度消光を回避すべくネオジムの含有量を希土
類全体のおよそ１％前後に選択している。しかし、本発
明に関する結晶材料系においては、モース硬度および融
点等から導出しうる結晶場パラメータによると濃度消光
の影響は小さく、置換量を多く選択できる。最もネオジ
ムイオンの果たす役割は、それ自体が発光することでは
なく、０．８１μｍの励起光を効率良く吸収し、近傍の
イッテルビウムイオンにエネルギーを伝達することであ
る。すなわち、含有量としては、むしろそれ自体の発光
が生じにくい程度以上が望ましく、希土類元素全体の５
％以上に選ぶべきであろう。一方、結晶成長がしにくく
なることから、１５％以下であることが望ましい。
ーザ用ガーネット結晶においては、吸収・発光の効率を
考慮して、ネオジムイオンの含有量を増大することによ
り生ずる濃度消光を回避すべくネオジムの含有量を希土
類全体のおよそ１％前後に選択している。しかし、本発
明に関する結晶材料系においては、モース硬度および融
点等から導出しうる結晶場パラメータによると濃度消光
の影響は小さく、置換量を多く選択できる。最もネオジ
ムイオンの果たす役割は、それ自体が発光することでは
なく、０．８１μｍの励起光を効率良く吸収し、近傍の
イッテルビウムイオンにエネルギーを伝達することであ
る。すなわち、含有量としては、むしろそれ自体の発光
が生じにくい程度以上が望ましく、希土類元素全体の５
％以上に選ぶべきであろう。一方、結晶成長がしにくく
なることから、１５％以下であることが望ましい。
【００２２】本発明は、以上のことにより、０．９８μ
ｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を持つことを
特徴とする固体レーザ用結晶材料を提供することが可能
である。
ｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を持つことを
特徴とする固体レーザ用結晶材料を提供することが可能
である。
【００２３】なお、それぞれの置換する元素の占有率と
しては、ネオジムは、希土類元素全体の５％以上が望ま
しい。一方、結晶成長がしにくくなることから、１５％
以下であることが望ましい。また、イッテルビウムイオ
ンはもともと濃度消光の影響を受けにくい活性イオンで
はあるが、本発明に関する結晶材料系においては、ネオ
ジム以外の希土類元素をすべて占有しても濃度消光の影
響は小さい。このため、励起光の強度を増大していけ
ば、十分に１Ｗ以上の出力は得られる。
しては、ネオジムは、希土類元素全体の５％以上が望ま
しい。一方、結晶成長がしにくくなることから、１５％
以下であることが望ましい。また、イッテルビウムイオ
ンはもともと濃度消光の影響を受けにくい活性イオンで
はあるが、本発明に関する結晶材料系においては、ネオ
ジム以外の希土類元素をすべて占有しても濃度消光の影
響は小さい。このため、励起光の強度を増大していけ
ば、十分に１Ｗ以上の出力は得られる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例に限定されない。
本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００２５】
【実施例１】以下に示す実施例１−１〜５ではチョコラ
ススキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により一般式Ｌ
ｎＡＦ4で示される本発明固体レーザ用置換型フッ化物
結晶材料のバルク単結晶を作製した。さらに前記バルク
単結晶は、レーザ材料としての特性を評価するために、
片面が平坦面、片面が半径５ｃｍの球面、厚さ１．５ｍ
ｍの円盤に加工し、波長０．９８〜１．０５μｍにおい
て平坦面には約９９％、球面には約９７％の反射率のコ
ーティングを施した。図１に本発明による実施例１−１
〜実施例３−５の固体レーザ用結晶材料のレーザ材料と
しての特性を評価した測定系を示す。図中、１はＡｌＧ
ａＡｓ半導体レーザ、２、２’、２”はレンズ、３は励
起光、４は固体レーザ用結晶円盤、５は出射光、６は光
スペクトラムアナライザを示す。
ススキー（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により一般式Ｌ
ｎＡＦ4で示される本発明固体レーザ用置換型フッ化物
結晶材料のバルク単結晶を作製した。さらに前記バルク
単結晶は、レーザ材料としての特性を評価するために、
片面が平坦面、片面が半径５ｃｍの球面、厚さ１．５ｍ
ｍの円盤に加工し、波長０．９８〜１．０５μｍにおい
て平坦面には約９９％、球面には約９７％の反射率のコ
ーティングを施した。図１に本発明による実施例１−１
〜実施例３−５の固体レーザ用結晶材料のレーザ材料と
しての特性を評価した測定系を示す。図中、１はＡｌＧ
ａＡｓ半導体レーザ、２、２’、２”はレンズ、３は励
起光、４は固体レーザ用結晶円盤、５は出射光、６は光
スペクトラムアナライザを示す。
【００２６】励起用光源には波長０．８０８μｍのＡｌ
ＧａＡｓ半導体レーザ１を用いた。半導体レーザ１から
出射した励起光３をレンズ２、２’、２”を通して集光
しながら実施例１−１〜３−５の固体レーザ用結晶材料
の円盤４に入射し、円盤４からの出射光５を光スペクト
ラムアナライザ６で観測することにより、レーザ発振特
性を評価した。
ＧａＡｓ半導体レーザ１を用いた。半導体レーザ１から
出射した励起光３をレンズ２、２’、２”を通して集光
しながら実施例１−１〜３−５の固体レーザ用結晶材料
の円盤４に入射し、円盤４からの出射光５を光スペクト
ラムアナライザ６で観測することにより、レーザ発振特
性を評価した。
【００２７】
【実施例１−１】本実施例は、組成式Ｌｎ0.55Ｎｄ0.05
Ｙｂ0.4ＬｉＦ4およびＬｎ0.55Ｎｄ0.05Ｙｂ0.4Ｌｉ0.5
Ｎａ0.2Ｋ0.3Ｆ4（ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一つの元素）で表わされる本発明固体レ
ーザ用結晶材料を作製し、図１に示す測定系を用いてレ
ーザの発振特性を調査したものである。表１にＬｎを適
宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発
振波長とレーザ発振に最低必要な励起用光源の光強度で
表わされるしきい値を選択した元素について示す。いず
れの本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．
０５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれ
の本実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３
０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し、出力１Ｗ以上にお
いても飽和は見られなかった。
Ｙｂ0.4ＬｉＦ4およびＬｎ0.55Ｎｄ0.05Ｙｂ0.4Ｌｉ0.5
Ｎａ0.2Ｋ0.3Ｆ4（ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一つの元素）で表わされる本発明固体レ
ーザ用結晶材料を作製し、図１に示す測定系を用いてレ
ーザの発振特性を調査したものである。表１にＬｎを適
宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発
振波長とレーザ発振に最低必要な励起用光源の光強度で
表わされるしきい値を選択した元素について示す。いず
れの本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．
０５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれ
の本実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３
０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し、出力１Ｗ以上にお
いても飽和は見られなかった。
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【実施例１−２】本実施例は、実施例１−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.7-XＮｄXＹｂ0.3ＬｉＦ4で表わされる本
発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定
系を用いてレーザ発振特性を調査したものである。表２
にＸの値を適宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長としきい値を選択した元素について
示す。実施例１−１と同様にしていずれの本実施例の固
体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の
波長でレーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料
も従来材料では実現が困難であった３０ｍＷ以下の低い
しきい値で発振した。また、励起光に対する出力の飽和
現象は、少なくとも１Ｗの出力においては見られなかっ
た。
て、組成式Ｙ0.7-XＮｄXＹｂ0.3ＬｉＦ4で表わされる本
発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定
系を用いてレーザ発振特性を調査したものである。表２
にＸの値を適宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長としきい値を選択した元素について
示す。実施例１−１と同様にしていずれの本実施例の固
体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の
波長でレーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料
も従来材料では実現が困難であった３０ｍＷ以下の低い
しきい値で発振した。また、励起光に対する出力の飽和
現象は、少なくとも１Ｗの出力においては見られなかっ
た。
【００３２】
【００３３】
【００３４】
【実施例１−３】本実施例は、実施例１−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＬｉＦ4で表わされる
本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測
定系を用いてレーザ発振特性とＹｂ濃度Ｘの関係を調査
したものである。図２に本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長および発振しきい値とＹｂ濃度Ｘの
関係を示す。いずれの本実施例の固体レーザ用結晶材料
も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ発振し
た。また、いずれの本実施例の材料も従来材料では実現
が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＬｉＦ4で表わされる
本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測
定系を用いてレーザ発振特性とＹｂ濃度Ｘの関係を調査
したものである。図２に本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長および発振しきい値とＹｂ濃度Ｘの
関係を示す。いずれの本実施例の固体レーザ用結晶材料
も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ発振し
た。また、いずれの本実施例の材料も従来材料では実現
が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
【００３５】
【実施例１−４】本実施例は、実施例１−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｌｉ1 -XＦ4で表わさ
れる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示し
た測定系を用いてレーザ発振特性とＮａ濃度Ｘの関係を
調査したものである。図３に本実施例の固体レーザ用結
晶材料のレーザ発振波長としきい値とＮａ濃度Ｘの関係
を示す。レーザ発振波長は、Ｎａ濃度Ｘが大きくなるほ
ど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例のレーザ用
結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレー
ザ発振した。また、いずれの本実施例の材料もＮａ濃度
Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実現が困難
であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。ま
た、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗ
の出力においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｌｉ1 -XＦ4で表わさ
れる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示し
た測定系を用いてレーザ発振特性とＮａ濃度Ｘの関係を
調査したものである。図３に本実施例の固体レーザ用結
晶材料のレーザ発振波長としきい値とＮａ濃度Ｘの関係
を示す。レーザ発振波長は、Ｎａ濃度Ｘが大きくなるほ
ど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例のレーザ用
結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレー
ザ発振した。また、いずれの本実施例の材料もＮａ濃度
Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実現が困難
であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。ま
た、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗ
の出力においては見られなかった。
【００３６】
【実施例１−５】本実施例は、実施例１−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｌｉ1 -XＦ4で表わさ
れる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示し
た測定系を用いてレーザ発振特性とＫ濃度Ｘの関係を調
査したものである。図４に本実施例の固体レーザ用結晶
材料のレーザ発振波長としきい値とＫ濃度Ｘの関係を示
す。レーザ発振波長は、Ｋ濃度Ｘが大きくなるほど短く
なる傾向にあるが、いずれの本実施例の固体レーザ用結
晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ
発振した。また、いずれの本実施例の材料もＫ濃度Ｘに
よりばらつきはあるものの従来材料では実現が困難であ
った３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。また、励
起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗの出力
においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｌｉ1 -XＦ4で表わさ
れる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示し
た測定系を用いてレーザ発振特性とＫ濃度Ｘの関係を調
査したものである。図４に本実施例の固体レーザ用結晶
材料のレーザ発振波長としきい値とＫ濃度Ｘの関係を示
す。レーザ発振波長は、Ｋ濃度Ｘが大きくなるほど短く
なる傾向にあるが、いずれの本実施例の固体レーザ用結
晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ
発振した。また、いずれの本実施例の材料もＫ濃度Ｘに
よりばらつきはあるものの従来材料では実現が困難であ
った３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。また、励
起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗの出力
においては見られなかった。
【００３７】なお、ＬｎがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一種類以上の元素であっても、本実施例
の材料と同様に０．８μｍ帯半導体レーザの励起により
３０ｍＷ以下の低いしきい値で０．９８〜１．０５μｍ
の範囲の波長でレーザ発振することは言うまでもない。
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一種類以上の元素であっても、本実施例
の材料と同様に０．８μｍ帯半導体レーザの励起により
３０ｍＷ以下の低いしきい値で０．９８〜１．０５μｍ
の範囲の波長でレーザ発振することは言うまでもない。
【００３８】
【実施例２】以下に示す実施例２−１〜実施例２−５で
は実施例１と同様の手法を用いて一般式ＬｎＤＯ3で示
される本発明固体レーザ用置換型酸化物結晶材料のバル
ク単結晶を作製し、レーザ発振特性を評価した。
は実施例１と同様の手法を用いて一般式ＬｎＤＯ3で示
される本発明固体レーザ用置換型酸化物結晶材料のバル
ク単結晶を作製し、レーザ発振特性を評価した。
【００３９】
【実施例２−１】本実施例は、組成式Ｌｎ0.55Ｎｄ0.05
Ｙｂ0.4ＡｌＯ3およびＬｎ0.55Ｎｄ0.05Ｙｂ0.4Ａｌ0.5
Ｇａ0.2Ｉｎ0.3Ｏ3（ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｌｕのいずれか一つの元素）で表わされる本発明レ
ーザ用結晶材料を作製し、図１に示す測定系を用いてレ
ーザの発振特性を調査したものである。表３にＬｎを適
宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発
振波長とレーザ発振に最低必要な励起用光源の光強度で
表わされるしきい値を選択した元素について示す。いず
れの本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．
０５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれ
の本実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３
０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し、出力１Ｗ以上にお
いても飽和は見られなかった。
Ｙｂ0.4ＡｌＯ3およびＬｎ0.55Ｎｄ0.05Ｙｂ0.4Ａｌ0.5
Ｇａ0.2Ｉｎ0.3Ｏ3（ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔ
ｍ、Ｌｕのいずれか一つの元素）で表わされる本発明レ
ーザ用結晶材料を作製し、図１に示す測定系を用いてレ
ーザの発振特性を調査したものである。表３にＬｎを適
宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発
振波長とレーザ発振に最低必要な励起用光源の光強度で
表わされるしきい値を選択した元素について示す。いず
れの本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．
０５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれ
の本実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３
０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し、出力１Ｗ以上にお
いても飽和は見られなかった。
【００４０】
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【実施例２−２】本実施例は、実施例２−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.7-XＮｄXＹｂ0.3ＡｌＯ3で表わされる本
発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定
系を用いてレーザ発振特性を調査したものである。表４
にＸの値を適宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長としきい値を選択した元素について
示す。実施例２−１と同様にしていずれの本実施例の固
体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の
波長でレーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料
も従来材料では実現が困難であった３０ｍＷ以下の低い
しきい値で発振した。また、励起光に対する出力の飽和
現象は、少なくとも１Ｗの出力においては見られなかっ
た。
て、組成式Ｙ0.7-XＮｄXＹｂ0.3ＡｌＯ3で表わされる本
発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定
系を用いてレーザ発振特性を調査したものである。表４
にＸの値を適宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長としきい値を選択した元素について
示す。実施例２−１と同様にしていずれの本実施例の固
体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の
波長でレーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料
も従来材料では実現が困難であった３０ｍＷ以下の低い
しきい値で発振した。また、励起光に対する出力の飽和
現象は、少なくとも１Ｗの出力においては見られなかっ
た。
【００４４】
【００４５】
【００４６】
【実施例２−３】本実施例は、実施例２−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＡｌＯ3で表わされる
本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測
定系を用いてレーザ発振特性とＹｂ濃度Ｘの関係を調査
したものである。図５に本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長および発振しきい値とＹｂ濃度Ｘの
関係を示す。いずれの本実施例の固体レーザ用結晶材料
も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ発振し
た。また、いずれの本実施例の材料も従来材料では実現
が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＡｌＯ3で表わされる
本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測
定系を用いてレーザ発振特性とＹｂ濃度Ｘの関係を調査
したものである。図５に本実施例の固体レーザ用結晶材
料のレーザ発振波長および発振しきい値とＹｂ濃度Ｘの
関係を示す。いずれの本実施例の固体レーザ用結晶材料
も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ発振し
た。また、いずれの本実施例の材料も従来材料では実現
が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
【００４７】
【実施例２−４】本実施例は、実施例２−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ａｌ1 -XＧａXＯ3で表
わされる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に
示した測定系を用いてレーザ発振特性とＧａ濃度Ｘの関
係を調査したものである。図６に本実施例の固体レーザ
用結晶材料のレーザ発振波長としきい値とＮａ濃度Ｘの
関係を示す。レーザ発振波長は、Ｇａ濃度Ｘが大きくな
るほど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例のレー
ザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長で
レーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料もＧａ
濃度Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実現が
困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。
また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１
Ｗの出力においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ａｌ1 -XＧａXＯ3で表
わされる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に
示した測定系を用いてレーザ発振特性とＧａ濃度Ｘの関
係を調査したものである。図６に本実施例の固体レーザ
用結晶材料のレーザ発振波長としきい値とＮａ濃度Ｘの
関係を示す。レーザ発振波長は、Ｇａ濃度Ｘが大きくな
るほど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例のレー
ザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長で
レーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料もＧａ
濃度Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実現が
困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。
また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１
Ｗの出力においては見られなかった。
【００４８】
【実施例２−５】本実施例は、実施例２−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ａｌ1 -XＩｎXＯ3で表
わされる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に
示した測定系を用いてレーザ発振特性とＩｎ濃度Ｘの関
係を調査したものである。図７に本実施例の固体レーザ
用結晶材料のレーザ発振波長としきい値とＩｎ濃度Ｘの
関係を示す。レーザ発振波長は、Ｉｎ濃度Ｘが大きくな
るほど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例の固体
レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波
長でレーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料も
Ｉｎ濃度Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実
現が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ａｌ1 -XＩｎXＯ3で表
わされる本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に
示した測定系を用いてレーザ発振特性とＩｎ濃度Ｘの関
係を調査したものである。図７に本実施例の固体レーザ
用結晶材料のレーザ発振波長としきい値とＩｎ濃度Ｘの
関係を示す。レーザ発振波長は、Ｉｎ濃度Ｘが大きくな
るほど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例の固体
レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波
長でレーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料も
Ｉｎ濃度Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実
現が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
【００４９】なお、ＬｎがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一種類以上の元素であっても、本実施例
の材料と同様に０．８μｍ帯半導体レーザの励起により
３０ｍＷ以下の低いしきい値で０．９８〜１．０５μｍ
の範囲の波長でレーザ発振することは言うまでもない。
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一種類以上の元素であっても、本実施例
の材料と同様に０．８μｍ帯半導体レーザの励起により
３０ｍＷ以下の低いしきい値で０．９８〜１．０５μｍ
の範囲の波長でレーザ発振することは言うまでもない。
【００５０】
【実施例３】以下に示す実施例３−１〜５では実施例１
および実施例２と同様の手法を用いて一般式ＬｎＥＯ4
で示される本発明固体レーザ用置換型酸化物結晶材料の
バルク単結晶を作製し、レーザ発振特性を評価した。
および実施例２と同様の手法を用いて一般式ＬｎＥＯ4
で示される本発明固体レーザ用置換型酸化物結晶材料の
バルク単結晶を作製し、レーザ発振特性を評価した。
【００５１】
【実施例３−１】本実施例は、組成式Ｌｎ0.55Ｎｄ0.05
Ｙｂ0.4ＶＯ4およびＬｎ0.55Ｎｄ0.05Ｙｂ0.4Ｖ0.5Ｎｄ
0.2Ｔａ0.3Ｏ4（ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一つの元素）で表わされる本発明レーザ
用結晶材料を作製し、図１に示す測定系を用いてレーザ
の発振特性を調査したものである。表５にＬｎを適宜選
択した本実施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発振波
長とレーザ発振に最低必要な励起用光源の光強度で表わ
されるしきい値を選択した元素について示す。いずれの
本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５
μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれの本
実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３０ｍ
Ｗ以下の低いしきい値で発振し、出力１Ｗ以上において
も飽和は見られなかった。
Ｙｂ0.4ＶＯ4およびＬｎ0.55Ｎｄ0.05Ｙｂ0.4Ｖ0.5Ｎｄ
0.2Ｔａ0.3Ｏ4（ＬｎはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一つの元素）で表わされる本発明レーザ
用結晶材料を作製し、図１に示す測定系を用いてレーザ
の発振特性を調査したものである。表５にＬｎを適宜選
択した本実施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発振波
長とレーザ発振に最低必要な励起用光源の光強度で表わ
されるしきい値を選択した元素について示す。いずれの
本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０５
μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれの本
実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３０ｍ
Ｗ以下の低いしきい値で発振し、出力１Ｗ以上において
も飽和は見られなかった。
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】
【実施例３−２】本実施例は、実施例３−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.7-XＮｄXＹｂ0.3ＶＯ4で表わされる本発
明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定系
を用いてレーザ発振特性を調査したものである。表６に
Ｘの値を適宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材料
のレーザ発振波長としきい値を選択した元素について示
す。実施例３−１と同様にしていずれの本実施例の固体
レーザ用置換型ガーネット結晶材料も０．９８〜１．０
５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれの
本実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３０
ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。また、励起光に対
する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗの出力において
は見られなかった。
て、組成式Ｙ0.7-XＮｄXＹｂ0.3ＶＯ4で表わされる本発
明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定系
を用いてレーザ発振特性を調査したものである。表６に
Ｘの値を適宜選択した本実施例の固体レーザ用結晶材料
のレーザ発振波長としきい値を選択した元素について示
す。実施例３−１と同様にしていずれの本実施例の固体
レーザ用置換型ガーネット結晶材料も０．９８〜１．０
５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれの
本実施例の材料も従来材料では実現が困難であった３０
ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。また、励起光に対
する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗの出力において
は見られなかった。
【００５６】
【００５７】
【００５８】
【実施例３−３】本実施例は、実施例３−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＶＯ4で表わされる本
発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定
系を用いてレーザ発振特性とＹｂ濃度Ｘの関係を調査し
たものである。図８に本実施例の固体レーザ用結晶材料
のレーザ発振波長および発振しきい値とＹｂ濃度Ｘの関
係を示す。いずれの本実施例の固体レーザ用結晶材料も
０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ発振し
た。また、いずれの本実施例の材料も従来材料では実現
が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＶＯ4で表わされる本
発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示した測定
系を用いてレーザ発振特性とＹｂ濃度Ｘの関係を調査し
たものである。図８に本実施例の固体レーザ用結晶材料
のレーザ発振波長および発振しきい値とＹｂ濃度Ｘの関
係を示す。いずれの本実施例の固体レーザ用結晶材料も
０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレーザ発振し
た。また、いずれの本実施例の材料も従来材料では実現
が困難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し
た。また、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくと
も１Ｗの出力においては見られなかった。
【００５９】
【実施例３−４】本実施例は、実施例３−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｖ1-XＮｄXＯ4で表わ
される本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示
した測定系を用いてレーザ発振特性とＮｄ濃度Ｘの関係
を調査したものである。図９に本実施例の固体レーザ用
結晶材料のレーザ発振波長としきい値とＮｄ濃度Ｘの関
係を示す。レーザ発振波長は、Ｎｄ濃度Ｘが大きくなる
ほど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例のレーザ
用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレ
ーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料もＮｄ濃
度Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実現が困
難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。ま
た、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗ
の出力においては見られなかった。
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｖ1-XＮｄXＯ4で表わ
される本発明固体レーザ用結晶材料を作製し、図１に示
した測定系を用いてレーザ発振特性とＮｄ濃度Ｘの関係
を調査したものである。図９に本実施例の固体レーザ用
結晶材料のレーザ発振波長としきい値とＮｄ濃度Ｘの関
係を示す。レーザ発振波長は、Ｎｄ濃度Ｘが大きくなる
ほど短くなる傾向にあるが、いずれの本実施例のレーザ
用結晶材料も０．９８〜１．０５μｍの範囲の波長でレ
ーザ発振した。また、いずれの本実施例の材料もＮｄ濃
度Ｘによりばらつきはあるものの従来材料では実現が困
難であった３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振した。ま
た、励起光に対する出力の飽和現象は、少なくとも１Ｗ
の出力においては見られなかった。
【００６０】
【実施例３−５】本実施例は、実施例３−１と同様にし
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｖ1-XＴａXＯ4で表わ
される本発明固体レーザ用置換型ガーネット結晶材料を
作製し、図１に示した測定系を用いてレーザ発振特性と
Ｔａ濃度Ｘの関係を調査したものである。図１０に本実
施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発振波長としきい
値とＴａ濃度Ｘの関係を示す。レーザ発振波長は、Ｔａ
濃度Ｘが大きくなるほど短くなる傾向にあるが、いずれ
の本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０
５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれの
本実施例の材料もＴａ濃度Ｘによりばらつきはあるもの
の従来材料では実現が困難であった３０ｍＷ以下の低い
しきい値で発振した。また、励起光に対する出力の飽和
現象は、少なくとも１Ｗの出力においては見られなかっ
た。
て、組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｖ1-XＴａXＯ4で表わ
される本発明固体レーザ用置換型ガーネット結晶材料を
作製し、図１に示した測定系を用いてレーザ発振特性と
Ｔａ濃度Ｘの関係を調査したものである。図１０に本実
施例の固体レーザ用結晶材料のレーザ発振波長としきい
値とＴａ濃度Ｘの関係を示す。レーザ発振波長は、Ｔａ
濃度Ｘが大きくなるほど短くなる傾向にあるが、いずれ
の本実施例の固体レーザ用結晶材料も０．９８〜１．０
５μｍの範囲の波長でレーザ発振した。また、いずれの
本実施例の材料もＴａ濃度Ｘによりばらつきはあるもの
の従来材料では実現が困難であった３０ｍＷ以下の低い
しきい値で発振した。また、励起光に対する出力の飽和
現象は、少なくとも１Ｗの出力においては見られなかっ
た。
【００６１】なお、ＬｎがＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｂｉ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一種類以上の元素であっても、本実施例
の材料と同様に０．８μｍ帯半導体レーザの励起により
３０ｍＷ以下の低いしきい値で０．９８〜１．０５μｍ
の範囲の波長でレーザ発振することは言うまでもない。
ｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、
Ｌｕのいずれか一種類以上の元素であっても、本実施例
の材料と同様に０．８μｍ帯半導体レーザの励起により
３０ｍＷ以下の低いしきい値で０．９８〜１．０５μｍ
の範囲の波長でレーザ発振することは言うまでもない。
【００６２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による固体
レーザ用結晶材料は、０．９８〜１．０５μｍ波長帯に
おいて３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し、出力が１
Ｗ以上得られるため、実用に供することができるという
利点がある。また、従来材料と異なり励起光源に安価で
高出力な０．８μｍ帯で発振する半導体レーザを使用で
きるため、経済的および性能的に利点が大きい。
レーザ用結晶材料は、０．９８〜１．０５μｍ波長帯に
おいて３０ｍＷ以下の低いしきい値で発振し、出力が１
Ｗ以上得られるため、実用に供することができるという
利点がある。また、従来材料と異なり励起光源に安価で
高出力な０．８μｍ帯で発振する半導体レーザを使用で
きるため、経済的および性能的に利点が大きい。
【００６３】なお、本発明の具体的実施例においては、
実験上のまた時間的制約から、材料の組成に関して大幅
な制約を設けたが、これらの組成から大幅に変化するこ
とがなく、かつ結晶成長に問題が生じないものであれ
ば、本発明による効果を生ずる材料については、当然に
それらは本発明の領域に含まれる。
実験上のまた時間的制約から、材料の組成に関して大幅
な制約を設けたが、これらの組成から大幅に変化するこ
とがなく、かつ結晶成長に問題が生じないものであれ
ば、本発明による効果を生ずる材料については、当然に
それらは本発明の領域に含まれる。
【００６４】また、結晶成長を行なう場合、坩堝材料で
ある白金をはじめとして、積極的には意図しない元素の
混入は、ある程度避けられないため、それら混入元素が
本質的に本発明の効果に作用しないかぎり、それら混入
元素を含む材料に関しても、同様に本発明の領域に含ま
れる。
ある白金をはじめとして、積極的には意図しない元素の
混入は、ある程度避けられないため、それら混入元素が
本質的に本発明の効果に作用しないかぎり、それら混入
元素を含む材料に関しても、同様に本発明の領域に含ま
れる。
【図１】すべての実施例の固体レーザ用結晶材料として
の特性を評価した測定系を示す説明図。
の特性を評価した測定系を示す説明図。
【図２】組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＬｉＦ4で表わさ
れる実施例１−３の固体レーザ用結晶材料のレーザ発振
波長としきい値とＹｂ濃度Ｘの関係を示す図。
れる実施例１−３の固体レーザ用結晶材料のレーザ発振
波長としきい値とＹｂ濃度Ｘの関係を示す図。
【図３】組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｌｉ1-XＮａXＦ4
で表わされる実施例１−４の固体レーザ用結晶材料のレ
ーザ発振波長としきい値とＮａ濃度Ｘの関係を示す図。
で表わされる実施例１−４の固体レーザ用結晶材料のレ
ーザ発振波長としきい値とＮａ濃度Ｘの関係を示す図。
【図４】組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｌｉ1-XＫXＦ4で
表わされる実施例１−５の固体レーザ用結晶材料のレー
ザ発振波長としきい値とＫ濃度Ｘの関係を示す図。
表わされる実施例１−５の固体レーザ用結晶材料のレー
ザ発振波長としきい値とＫ濃度Ｘの関係を示す図。
【図５】組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＡｌＯ3で示され
る実施例２−３のレーザ用結晶材料のレーザ発振波長と
しきい値とＹｂ濃度Ｘの関係を示す図。
る実施例２−３のレーザ用結晶材料のレーザ発振波長と
しきい値とＹｂ濃度Ｘの関係を示す図。
【図６】組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ａｌ1-XＧａXＯ3
で示される実施例２−４のレーザ用結晶材料のレーザ発
振波長としきい値とＧａ濃度Ｘの関係を示す図。
で示される実施例２−４のレーザ用結晶材料のレーザ発
振波長としきい値とＧａ濃度Ｘの関係を示す図。
【図７】組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ａｌ1-XＩｎXＯ3
で示される実施例２−５のレーザ用結晶材料のレーザ発
振波長としきい値とＩｎ濃度Ｘの関係を示す図。
で示される実施例２−５のレーザ用結晶材料のレーザ発
振波長としきい値とＩｎ濃度Ｘの関係を示す図。
【図８】組成式Ｙ0.95-XＮｄ0.05ＹｂXＶＯ4で示される
実施例３−３のレーザ用結晶材料のレーザ発振波長とし
きい値とＹｂ濃度Ｘの関係を示す図。
実施例３−３のレーザ用結晶材料のレーザ発振波長とし
きい値とＹｂ濃度Ｘの関係を示す図。
【図９】組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｖ1-XＮｄXＯ4で
示される実施例３−４のレーザ用結晶材料のレーザ発振
波長としきい値とＮｄ濃度Ｘの関係を示す図。
示される実施例３−４のレーザ用結晶材料のレーザ発振
波長としきい値とＮｄ濃度Ｘの関係を示す図。
【図１０】組成式Ｙ0.65Ｎｄ0.05Ｙｂ0.3Ｖ1-XＴａXＯ4
で示される実施例５−４のレーザ用結晶材料のレーザ発
振波長としきい値とＴａ濃度Ｘの関係を示す図。
で示される実施例５−４のレーザ用結晶材料のレーザ発
振波長としきい値とＴａ濃度Ｘの関係を示す図。
【図１１】プラセオジムのエネルギーダイアグラムを示
した図。
した図。
１ ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ
２ レンズ
２’ レンズ
２” レンズ
３ 励起光
４ 固体レーザ用結晶円盤
５ 出射光
６ 光スペクトラムアナライザ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−37371（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−120606（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−209135（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−326394（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−350171（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−183608（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C30B 1/00 - 35/00
H01S 3/00 - 3/30
ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】一般式ＬｎＡＦ4（Ｌｎはイットリウム、
ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリ
ウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジス
プロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッ
テルビウム、ルテチウム、ビスマスの中から選ばれた１
種以上の元素を任意に組み合わせたものを表わし、Ａは
リチウム、ナトリウム、カリウムのうち１種以上の元素
を任意に組み合わせたものを表わす。Ｆはフッ素を表わ
す。）で示される置換型フッ化物結晶において、必ずネ
オジム、イッテルビウムをその構成元素として含有し、
０．９８μｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を
持つことを特徴とする固体レーザ用結晶材料。 - 【請求項２】一般式ＬｎＤＯ3（Ｌｎはイットリウム、
ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリ
ウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジス
プロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッ
テルビウム、ルテチウム、ビスマスの中から選ばれた１
種以上の元素を任意に組み合わせたものを表わし、Ｄは
アルミニウム、ガリウム、インジウムのうち１種以上の
元素を任意に組み合わせたものを表わす。Ｏは酸素を表
わす。）で示される置換型酸化物結晶において、必ずネ
オジム、イッテルビウムをその構成元素として含有し、
０．９８μｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を
持つことを特徴とする固体レーザ用結晶材料。 - 【請求項３】一般式ＬｎＥＯ4（Ｌｎはイットリウム、
ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリ
ウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジス
プロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッ
テルビウム、ルテチウム、ビスマスの中から選ばれた１
種以上の元素を任意に組み合わせたものを表わし、Ｅは
バナジウム、ニオブ、タンタルのうち１種以上の元素を
任意に組み合わせたものを表わす。Ｏは酸素を表わ
す。）で示される置換型酸化物結晶において、必ずネオ
ジム、イッテルビウムをその構成元素として含有し、
０．９８μｍから１．０５μｍの波長領域に発振波長を
持つことを特徴とする固体レーザ用結晶材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13503494A JP3412712B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 固体レーザ用結晶材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13503494A JP3412712B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 固体レーザ用結晶材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07315992A JPH07315992A (ja) | 1995-12-05 |
| JP3412712B2 true JP3412712B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=15142403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13503494A Expired - Fee Related JP3412712B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 固体レーザ用結晶材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3412712B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09326129A (ja) * | 1996-06-04 | 1997-12-16 | Minebea Co Ltd | 高密度記録再生装置 |
| US7270773B2 (en) * | 2005-01-10 | 2007-09-18 | General Electric Company | Quantum-splitting fluoride-based phosphors, method of producing, and radiation sources incorporating same |
| JP2006282447A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 透光性材料およびその製造方法 |
| CN102586871A (zh) * | 2012-03-29 | 2012-07-18 | 华南理工大学 | 一种具有1-3微米超宽带发光的含铋晶体及其制备方法 |
| CN102676172B (zh) * | 2012-04-24 | 2016-09-14 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 稀土掺杂氟镧化钾纳米荧光标记材料及其制备方法 |
| CN112941630B (zh) * | 2021-01-18 | 2022-10-14 | 枣庄学院 | 一种镝镥铝三掺的镓酸镧钙中红外激光晶体及其制备方法和应用 |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP13503494A patent/JP3412712B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07315992A (ja) | 1995-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tanaka et al. | Visible solid-state lasers based on Pr3+ and Tb3+ | |
| Elder et al. | YAP versus YAG as a diode-pumped host for thulium | |
| JPH06508961A (ja) | 光増幅器およびレーザ | |
| JP2008177484A (ja) | 可視光発光材料および可視光発光装置 | |
| Payne et al. | Diode arrays, crystals, and thermal management for solid-state lasers | |
| Shimokozono et al. | Room‐temperature operation of an Yb‐doped Gd3Ga5O12 buried channel waveguide laser at 1.025 μm wavelength | |
| JP3412712B2 (ja) | 固体レーザ用結晶材料 | |
| US3731226A (en) | Laser using phosphate base laser glass | |
| JP3436286B2 (ja) | 固体レーザ用置換型ガーネット結晶材料 | |
| KR100406527B1 (ko) | 홀뮴이 첨가된 유리 광섬유 조성물, 유리 광섬유 및광증폭기 | |
| Koechner et al. | Properties of solid-state laser materials | |
| Bowman | High-power diode-pumped solid-state lasers | |
| US6404785B1 (en) | Solid state modulated ultraviolet laser | |
| JP3412714B2 (ja) | 固体レーザ用結晶材料 | |
| US5388112A (en) | Diode-pumped, continuously tunable, 2.3 micron CW laser | |
| JP2908680B2 (ja) | アップコンバージョンレーザ材料 | |
| US3715683A (en) | Coupled ion eye-safe laser | |
| JPH07281039A (ja) | 増幅作用を有する光導波路 | |
| US3956170A (en) | Coupled ion eye-safe laser material | |
| JP4663111B2 (ja) | 光増幅器および光利得媒質 | |
| Clare | Rare earths in glasses for laser applications | |
| Song et al. | Spectra characteristics of novel Er: Yb phosphate glass | |
| JP3424698B2 (ja) | 増幅作用を有するガーネット結晶導波路 | |
| US12046867B2 (en) | Laser crystal with at least two co-dopants | |
| KR100345313B1 (ko) | 툴륨 및 디스프로슘 공동 첨가 유리 및 그를 이용한 광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090328 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |