JP3405690B2 - プラズマアドレス表示装置 - Google Patents
プラズマアドレス表示装置Info
- Publication number
- JP3405690B2 JP3405690B2 JP36347898A JP36347898A JP3405690B2 JP 3405690 B2 JP3405690 B2 JP 3405690B2 JP 36347898 A JP36347898 A JP 36347898A JP 36347898 A JP36347898 A JP 36347898A JP 3405690 B2 JP3405690 B2 JP 3405690B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- light
- shielding film
- display device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマアドレス
表示装置に関するものである。
表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶セルを用いたマトリクスタイ
プの電気光学装置（例えば液晶表示装置）において、高
解像度化及び高コントラスト化を図るための手段として
は、各画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子
を設けてこれを線順次で駆動する方法が一般に知られて
いる。しかしながら、この方法では、薄膜トランジスタ
のような半導体素子を基板上に多数設ける必要があるた
め、特に、大面積化した場合に製造歩留りが悪くなると
いう問題がある。
プの電気光学装置（例えば液晶表示装置）において、高
解像度化及び高コントラスト化を図るための手段として
は、各画素毎に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子
を設けてこれを線順次で駆動する方法が一般に知られて
いる。しかしながら、この方法では、薄膜トランジスタ
のような半導体素子を基板上に多数設ける必要があるた
め、特に、大面積化した場合に製造歩留りが悪くなると
いう問題がある。
【０００３】そこで、これを解決する手段として、ブザ
ク等は特開平１−２１７３９６号公報において、薄膜ト
ランジスタ等からなるスイッチング素子に代えてプラズ
マスイッチを利用するプラズマアドレス表示装置を提案
している。
ク等は特開平１−２１７３９６号公報において、薄膜ト
ランジスタ等からなるスイッチング素子に代えてプラズ
マスイッチを利用するプラズマアドレス表示装置を提案
している。
【０００４】図７に、このプラズマアドレス表示装置の
一例を示す。
一例を示す。
【０００５】このプラズマアドレス表示装置は、電気光
学材料層として液晶層１０１を有する液晶セル１２１と
プラズマ放電がなされるプラズマ室１０２を有するプラ
ズマセル１２２とが積層形成され、液晶層１０１とプラ
ズマ室１０２とがガラス等の誘電体からなる薄い中間基
板１０３を介して隣接配置されている。
学材料層として液晶層１０１を有する液晶セル１２１と
プラズマ放電がなされるプラズマ室１０２を有するプラ
ズマセル１２２とが積層形成され、液晶層１０１とプラ
ズマ室１０２とがガラス等の誘電体からなる薄い中間基
板１０３を介して隣接配置されている。
【０００６】プラズマセル１２２は、ガラス等からなる
プラズマ基板１０４上に帯状の導電ペーストからなる一
対のプラズマ電極１０５ａ、１０５ｂの複数本が、互い
にほぼ平行に等間隔で配置されている。一対のプラズマ
電極１０５ａ、１０５ｂの各一端部には、これらのプラ
ズマ電極１０５ａ、１０５ｂに電圧を印加するための端
子（図示せず）が交互に設けられている。さらに、プラ
ズマ電極１０５ａ、１０５ｂを各一対毎に隔絶するよう
にガラスペーストからなるバリアリブ１０６が互いに平
行に設けられている。このバリアリブ１０６により、プ
ラズマ基板１０４と中間基板１０３との間の空間が区切
られて、各プラズマ電極１０５ａ、１０５ｂ毎にプラズ
マ室（放電領域）１０２が設けられる。このプラズマ室
１０２内にはイオン化可能なガスが封入され、各プラズ
マ室１０２内では各プラズマ電極１０５ａ、１０５ｂが
各々アノード及びカソードとして機能する。そして、こ
れらバリアリブ１０６の上端部及びプラズマ基板１０４
の周縁部に設けられたフリットシール１０７により中間
基板１０３の下部が支持固定されている。
プラズマ基板１０４上に帯状の導電ペーストからなる一
対のプラズマ電極１０５ａ、１０５ｂの複数本が、互い
にほぼ平行に等間隔で配置されている。一対のプラズマ
電極１０５ａ、１０５ｂの各一端部には、これらのプラ
ズマ電極１０５ａ、１０５ｂに電圧を印加するための端
子（図示せず）が交互に設けられている。さらに、プラ
ズマ電極１０５ａ、１０５ｂを各一対毎に隔絶するよう
にガラスペーストからなるバリアリブ１０６が互いに平
行に設けられている。このバリアリブ１０６により、プ
ラズマ基板１０４と中間基板１０３との間の空間が区切
られて、各プラズマ電極１０５ａ、１０５ｂ毎にプラズ
マ室（放電領域）１０２が設けられる。このプラズマ室
１０２内にはイオン化可能なガスが封入され、各プラズ
マ室１０２内では各プラズマ電極１０５ａ、１０５ｂが
各々アノード及びカソードとして機能する。そして、こ
れらバリアリブ１０６の上端部及びプラズマ基板１０４
の周縁部に設けられたフリットシール１０７により中間
基板１０３の下部が支持固定されている。
【０００７】液晶セル１２１は、中間基板１０３上に液
晶の配向を整えるための配向層１０８ａが形成され、こ
の中間基板１０３との間に間隔を開けて、カラーフィル
タ層１１２、複数のデータ電極１１０及び配向層１０８
ｂが形成された対向基板１１１が配置されている。中間
基板１０３と対向基板１１１との間には、ネマティック
液晶等からなる液晶層１０１が、その周囲を液晶シール
１０９により支持されて設けられている。データ電極１
１０は、上記各プラズマ電極１０５ａ、１０５ｂと交差
（ここでは直交）しており、各プラズマ室１０２とデー
タ電極１１２との交差領域が各画素に対応している。
晶の配向を整えるための配向層１０８ａが形成され、こ
の中間基板１０３との間に間隔を開けて、カラーフィル
タ層１１２、複数のデータ電極１１０及び配向層１０８
ｂが形成された対向基板１１１が配置されている。中間
基板１０３と対向基板１１１との間には、ネマティック
液晶等からなる液晶層１０１が、その周囲を液晶シール
１０９により支持されて設けられている。データ電極１
１０は、上記各プラズマ電極１０５ａ、１０５ｂと交差
（ここでは直交）しており、各プラズマ室１０２とデー
タ電極１１２との交差領域が各画素に対応している。
【０００８】上記プラズマアドレス表示装置において
は、プラズマ放電が行われるプラズマ室１０２を上記プ
ラズマ電極１０５ａ、１０５ｂの各一端部に設けられた
端子により順次切り替え走査すると共に、これと同期し
て液晶層１０１側のデータ電極１１０に信号電圧を印加
する。これにより、その信号電圧が各画素に保持され、
液晶層１０１が駆動される。従って、各プラズマ室１０
２が各々１走査ラインに相当し、走査単位毎に放電領域
が分割されている。
は、プラズマ放電が行われるプラズマ室１０２を上記プ
ラズマ電極１０５ａ、１０５ｂの各一端部に設けられた
端子により順次切り替え走査すると共に、これと同期し
て液晶層１０１側のデータ電極１１０に信号電圧を印加
する。これにより、その信号電圧が各画素に保持され、
液晶層１０１が駆動される。従って、各プラズマ室１０
２が各々１走査ラインに相当し、走査単位毎に放電領域
が分割されている。
【０００９】図８に、図７に示したプラズマアドレス表
示装置を対向基板側から見た場合について、１つのプラ
ズマ室における３画素分（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の平面図を示
す。
示装置を対向基板側から見た場合について、１つのプラ
ズマ室における３画素分（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の平面図を示
す。
【００１０】図８に示すように、プラズマ基板上にバリ
アリブ１０６とプラズマ電極１０５ａ、１０５ｂが各々
平行に形成されている。対向基板上にはデータ電極１１
０がバリアリブ１０６と直交するように形成され、さら
に、遮光膜１１５が形成されている。この遮光膜１１５
は、隣り合うデータ電極１１０間からの不要光を遮断す
るためにデータ電極１１０間に形成され、バリアリブ１
０６に対向する位置にも形成されている。
アリブ１０６とプラズマ電極１０５ａ、１０５ｂが各々
平行に形成されている。対向基板上にはデータ電極１１
０がバリアリブ１０６と直交するように形成され、さら
に、遮光膜１１５が形成されている。この遮光膜１１５
は、隣り合うデータ電極１１０間からの不要光を遮断す
るためにデータ電極１１０間に形成され、バリアリブ１
０６に対向する位置にも形成されている。
【００１１】この遮光膜１１５は、バリアリブ１０６の
両側のはみ出し幅ｄ１を５μｍ以下にして形成されてい
る。さらに、遮光膜１１５とデータ電極１１０とのオー
バーラップ幅ｄ２を大きくすると開口率が低下するた
め、ｄ２はできるだけ小さく形成されている。
両側のはみ出し幅ｄ１を５μｍ以下にして形成されてい
る。さらに、遮光膜１１５とデータ電極１１０とのオー
バーラップ幅ｄ２を大きくすると開口率が低下するた
め、ｄ２はできるだけ小さく形成されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記プラズ
マアドレス表示装置においては、一方側にバックライト
が配置される。そして、バリアリブは例えばガラスペー
ストをスクリーン印刷法により複数回積層して印刷する
ことにより約２００μｍの厚みで形成される。又は、ガ
ラス基板をエッチングしてプラズマ室を形成する場合に
は、ガラス基板自体がバリアリブの役割を果たすことに
なる。
マアドレス表示装置においては、一方側にバックライト
が配置される。そして、バリアリブは例えばガラスペー
ストをスクリーン印刷法により複数回積層して印刷する
ことにより約２００μｍの厚みで形成される。又は、ガ
ラス基板をエッチングしてプラズマ室を形成する場合に
は、ガラス基板自体がバリアリブの役割を果たすことに
なる。
【００１３】このように、バリアリブは通常ガラス材料
で形成されているので、バックライトから照射された光
がこのバリアリブによって散乱を起こし易く、これはプ
ラズマアドレス表示装置のコントラスト低下の一因とな
る。
で形成されているので、バックライトから照射された光
がこのバリアリブによって散乱を起こし易く、これはプ
ラズマアドレス表示装置のコントラスト低下の一因とな
る。
【００１４】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、バリアリブによるバック
ライト光の散乱を防いでコントラストが高い表示を得る
ことができるプラズマアドレス表示装置を提供すること
を目的とする。
決すべくなされたものであり、バリアリブによるバック
ライト光の散乱を防いでコントラストが高い表示を得る
ことができるプラズマアドレス表示装置を提供すること
を目的とする。
【００１５】
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマアドレ
ス表示装置は、対向配置された第１の基板と第２の基板
との間に該第１の基板上に設けられたバリアリブにより
区切られた複数のプラズマ室を有するプラズマセルと、
該第２の基板の該プラズマ室とは反対側に対向配置され
た第３の基板との間に液晶層を有する液晶セルとを備
え、該プラズマ室内に設けられたプラズマ電極により該
プラズマ室内の放電可能な気体がプラズマ放電し、その
プラズマ放電により該液晶セルが選択的に駆動されるプ
ラズマアドレス表示装置であって、該第２の基板には、
少なくとも該バリアリブと重なる位置に形成され、該バ
リアリブ両側のはみ出し幅が５μｍを超える遮光膜が設
けられ、そのことにより上記目的が達成される。
ス表示装置は、対向配置された第１の基板と第２の基板
との間に該第１の基板上に設けられたバリアリブにより
区切られた複数のプラズマ室を有するプラズマセルと、
該第２の基板の該プラズマ室とは反対側に対向配置され
た第３の基板との間に液晶層を有する液晶セルとを備
え、該プラズマ室内に設けられたプラズマ電極により該
プラズマ室内の放電可能な気体がプラズマ放電し、その
プラズマ放電により該液晶セルが選択的に駆動されるプ
ラズマアドレス表示装置であって、該第２の基板には、
少なくとも該バリアリブと重なる位置に形成され、該バ
リアリブ両側のはみ出し幅が５μｍを超える遮光膜が設
けられ、そのことにより上記目的が達成される。
【００１７】前記遮光膜の前記バリアリブ両側のはみ出
し幅が８μｍ以上であるのが好ましい。
し幅が８μｍ以上であるのが好ましい。
【００１８】前記遮光膜の前記バリアリブ両側のはみ出
し幅が１６μｍ以上であるのが好ましい。
し幅が１６μｍ以上であるのが好ましい。
【００１９】前記遮光膜が有機材料からなるのが好まし
い。
い。
【００２０】前記プラズマ電極は前記バリアリブに接し
て形成されているのが好ましい。
て形成されているのが好ましい。
【００２１】前記バリアリブは前記第１の基板に密着し
て形成されているのが好ましい。
て形成されているのが好ましい。
【００２２】以下、本発明の作用について説明する。
【００２３】請求項１に記載の本発明にあっては、第３
の基板（対向基板）に、バリアリブと対向し、バリアリ
ブ両側のはみ出し幅が５μｍを超える遮光膜が形成され
ている。この遮光膜によってバリアリブによる散乱光を
遮断することができるので、遮光膜のバリアリブ両側の
はみ出し幅が５μｍ以下である従来のプラズマアドレス
表示装置に比べてコントラストの高い表示が得られる。
の基板（対向基板）に、バリアリブと対向し、バリアリ
ブ両側のはみ出し幅が５μｍを超える遮光膜が形成され
ている。この遮光膜によってバリアリブによる散乱光を
遮断することができるので、遮光膜のバリアリブ両側の
はみ出し幅が５μｍ以下である従来のプラズマアドレス
表示装置に比べてコントラストの高い表示が得られる。
【００２４】請求項２に記載の本発明にあっては、第２
の基板（中間基板）に、バリアリブと重なり、バリアリ
ブ両側のはみ出し幅が５μｍを超える遮光膜が形成され
ている。この遮光膜によってバリアリブによる散乱光を
遮断することができるので、遮光膜のバリアリブ両側の
はみ出し幅が５μｍ以下である従来のプラズマアドレス
表示装置に比べてコントラストの高い表示が得られる。
さらに、遮光膜がバリアリブに近い位置に形成されてい
るので、より効果的にバリアリブによる散乱光を遮断す
ることができる。
の基板（中間基板）に、バリアリブと重なり、バリアリ
ブ両側のはみ出し幅が５μｍを超える遮光膜が形成され
ている。この遮光膜によってバリアリブによる散乱光を
遮断することができるので、遮光膜のバリアリブ両側の
はみ出し幅が５μｍ以下である従来のプラズマアドレス
表示装置に比べてコントラストの高い表示が得られる。
さらに、遮光膜がバリアリブに近い位置に形成されてい
るので、より効果的にバリアリブによる散乱光を遮断す
ることができる。
【００２５】請求項３に記載の本発明にあっては、対向
基板又は中間基板に形成される遮光膜のバリアリブ両側
のはみ出し幅を８μｍ以上とすることにより、バリアリ
ブによる散乱光がほぼ遮断されるので、よりコントラス
トの高い表示が得られる。
基板又は中間基板に形成される遮光膜のバリアリブ両側
のはみ出し幅を８μｍ以上とすることにより、バリアリ
ブによる散乱光がほぼ遮断されるので、よりコントラス
トの高い表示が得られる。
【００２６】請求項４に記載の本発明にあっては、対向
基板又は中間基板に形成される遮光膜のバリアリブ両側
のはみ出し幅を１６μｍ以上とすることにより、バリア
リブによる散乱光の影響がほとんど生じない。
基板又は中間基板に形成される遮光膜のバリアリブ両側
のはみ出し幅を１６μｍ以上とすることにより、バリア
リブによる散乱光の影響がほとんど生じない。
【００２７】請求項５に記載の本発明にあっては、遮光
膜が有機材料からなるので、遮光膜が金属材料からなる
場合のように、バックライトから照射された光が遮光膜
に当たって反射して散乱光となり、この散乱光によりコ
ントラストが低下するという問題は生じない。
膜が有機材料からなるので、遮光膜が金属材料からなる
場合のように、バックライトから照射された光が遮光膜
に当たって反射して散乱光となり、この散乱光によりコ
ントラストが低下するという問題は生じない。
【００２８】請求項６に記載の本発明にあっては、プラ
ズマ電極がバリアリブに接しているので、遮光膜をバリ
アリブから大きくはみ出させても、通常、遮光膜はプラ
ズマ電極の途中の位置までしか形成されない。よって、
この遮光膜による開口率の低下は生じず、明るい表示が
実現される。
ズマ電極がバリアリブに接しているので、遮光膜をバリ
アリブから大きくはみ出させても、通常、遮光膜はプラ
ズマ電極の途中の位置までしか形成されない。よって、
この遮光膜による開口率の低下は生じず、明るい表示が
実現される。
【００２９】請求項７に記載の本発明にあっては、バリ
アリブが第１の基板（プラズマ基板）に密着して形成さ
れているので、バリアリブをプラズマ電極上に形成した
場合のように、密着性が悪くてバリアリブが剥がれると
いう問題は生じない。
アリブが第１の基板（プラズマ基板）に密着して形成さ
れているので、バリアリブをプラズマ電極上に形成した
場合のように、密着性が悪くてバリアリブが剥がれると
いう問題は生じない。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照しながら本発
明の実施形態について説明する。
明の実施形態について説明する。
【００３１】（実施形態１）図１は本実施形態のプラズ
マアドレス表示装置の平面図であり、１つのプラズマ室
における３画素分（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を示している。図２は
図１のＡ−Ａ’線部分の対向基板の断面図である。
マアドレス表示装置の平面図であり、１つのプラズマ室
における３画素分（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を示している。図２は
図１のＡ−Ａ’線部分の対向基板の断面図である。
【００３２】このプラズマアドレス表示装置において、
プラズマ基板には一定間隔でバリアリブ６が形成され、
隣り合うバリアリブ６間に一対のプラズマ電極５ａ、５
ｂが形成されている。このバリアリブ６により、プラズ
マ基板とその上に配置された中間基板との間の空間が一
対のプラズマ電極５ａ、５ｂ毎に区切られ、区切られた
各プラズマ室内にイオン化可能なガスが封入されてい
る。
プラズマ基板には一定間隔でバリアリブ６が形成され、
隣り合うバリアリブ６間に一対のプラズマ電極５ａ、５
ｂが形成されている。このバリアリブ６により、プラズ
マ基板とその上に配置された中間基板との間の空間が一
対のプラズマ電極５ａ、５ｂ毎に区切られ、区切られた
各プラズマ室内にイオン化可能なガスが封入されてい
る。
【００３３】対向基板は、ガラス等からなる基板１１上
にＲ、Ｇ、Ｂの各カラーフィルタ層１７、１８、１９及
び遮光層１５が形成され、その上を覆うように保護膜２
０が形成されている。この遮光膜１５は、隣り合うデー
タ電極１０間からの不要光を遮断するためにデータ電極
１０間に形成され、さらに、バリアリブ６に対向する位
置にも形成されてバリアリブ６の両側にはみ出してい
る。その上にプラズマ電極と交差（ここでは直交）する
方向にデータ電極１０が形成されている。この対向基板
は中間基板との間に間隔を開けて配置され、両基板の間
に液晶層が挟持されている。
にＲ、Ｇ、Ｂの各カラーフィルタ層１７、１８、１９及
び遮光層１５が形成され、その上を覆うように保護膜２
０が形成されている。この遮光膜１５は、隣り合うデー
タ電極１０間からの不要光を遮断するためにデータ電極
１０間に形成され、さらに、バリアリブ６に対向する位
置にも形成されてバリアリブ６の両側にはみ出してい
る。その上にプラズマ電極と交差（ここでは直交）する
方向にデータ電極１０が形成されている。この対向基板
は中間基板との間に間隔を開けて配置され、両基板の間
に液晶層が挟持されている。
【００３４】このプラズマアドレス表示装置において、
対向基板は例えば以下のようにして作製することができ
る。
対向基板は例えば以下のようにして作製することができ
る。
【００３５】まず、基板１１上に非透光性の金属や黒色
の有機材料を用いて遮光膜１５を形成し、遮光膜１５間
の画素となる部分にＲ、Ｇ、Ｂの各カラーフィルタ層１
７、１８、１９をカラーレジスト等を用いて順次形成す
る。このとき、反射率が低い黒色の有機材料を用いて遮
光膜１５を形成すれば、バックライトからの光がこの遮
光膜で反射することはなく、この反射による散乱光によ
ってプラズマアドレス表示装置のコントラストが低下す
ることはない。
の有機材料を用いて遮光膜１５を形成し、遮光膜１５間
の画素となる部分にＲ、Ｇ、Ｂの各カラーフィルタ層１
７、１８、１９をカラーレジスト等を用いて順次形成す
る。このとき、反射率が低い黒色の有機材料を用いて遮
光膜１５を形成すれば、バックライトからの光がこの遮
光膜で反射することはなく、この反射による散乱光によ
ってプラズマアドレス表示装置のコントラストが低下す
ることはない。
【００３６】次に、カラーフィルタ層の段差を低減する
ための保護膜２０を形成し、その上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を用いてデ
ータ電極１０を形成する。
ための保護膜２０を形成し、その上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電膜を用いてデ
ータ電極１０を形成する。
【００３７】本実施形態のプラズマアドレス表示装置に
おいて、遮光膜１５はデータ電極１０間、及び５μｍ以
下のオーバーラップ幅Ｄ２でデータ電極１０と重なる領
域に形成されている。さらに、遮光膜１５はバリアリブ
６と対向する位置、及びバリアリブ６の両側にはみ出し
幅Ｄ１ではみ出した領域にも形成されている。
おいて、遮光膜１５はデータ電極１０間、及び５μｍ以
下のオーバーラップ幅Ｄ２でデータ電極１０と重なる領
域に形成されている。さらに、遮光膜１５はバリアリブ
６と対向する位置、及びバリアリブ６の両側にはみ出し
幅Ｄ１ではみ出した領域にも形成されている。
【００３８】従来のプラズマアドレス表示装置において
は、遮光膜のバリアリブ両側のはみ出し幅ｄ１は５μｍ
以下であったが、本実施形態では遮光膜１５のバリアリ
ブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を大きくすることにより、バ
ックライトからの光がバリアリブ６により散乱して不要
光となるのを防いでいる。
は、遮光膜のバリアリブ両側のはみ出し幅ｄ１は５μｍ
以下であったが、本実施形態では遮光膜１５のバリアリ
ブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を大きくすることにより、バ
ックライトからの光がバリアリブ６により散乱して不要
光となるのを防いでいる。
【００３９】図３に、この遮光膜のはみ出し幅Ｄ１とコ
ントラストＣとの関係を示す。ここでは、バリアリブ６
のピッチを２００μｍとして実験を行った。バックライ
トはプラズマ基板下部に配置し、プラズマ基板側からバ
ックライトの光を照射した。遮光膜とデータ電極とのオ
ーバーラップ幅Ｄ２は５μｍとした。
ントラストＣとの関係を示す。ここでは、バリアリブ６
のピッチを２００μｍとして実験を行った。バックライ
トはプラズマ基板下部に配置し、プラズマ基板側からバ
ックライトの光を照射した。遮光膜とデータ電極とのオ
ーバーラップ幅Ｄ２は５μｍとした。
【００４０】この図３に示すように、Ｄ１が大きくなる
に従ってコントラストが高くなり、８μｍ以上とするこ
とによりコントラスト１００：１が達成されている。よ
って、高コントラストの表示を得るためには、Ｄ１を８
μｍ以上とするのが好ましい。さらに、Ｄ１を１６μｍ
以上とすれば、コントラストがほぼ一定となり、バリア
リブからの散乱光による影響をほとんど無くすることが
できる。
に従ってコントラストが高くなり、８μｍ以上とするこ
とによりコントラスト１００：１が達成されている。よ
って、高コントラストの表示を得るためには、Ｄ１を８
μｍ以上とするのが好ましい。さらに、Ｄ１を１６μｍ
以上とすれば、コントラストがほぼ一定となり、バリア
リブからの散乱光による影響をほとんど無くすることが
できる。
【００４１】なお、通常のプラズマアドレス表示装置に
おいて、バリアリブのピッチは１００μｍから５００μ
ｍであるので、はみ出し幅Ｄ１をあまり大きくすると開
口率が低下して画面が暗くなるため、はみ出し幅Ｄ１は
２４μｍ以下にするのが好ましい。
おいて、バリアリブのピッチは１００μｍから５００μ
ｍであるので、はみ出し幅Ｄ１をあまり大きくすると開
口率が低下して画面が暗くなるため、はみ出し幅Ｄ１は
２４μｍ以下にするのが好ましい。
【００４２】従って、好ましいＤ１の範囲は８μｍ〜２
４μｍであり、さらに好ましくは１６μｍ〜２４μｍで
あると言える。
４μｍであり、さらに好ましくは１６μｍ〜２４μｍで
あると言える。
【００４３】本実施形態によれば、対向基板に形成する
遮光膜のパターンを形成するだけで、製造プロセスの増
加やコストの増加もなく、コントラストの高いプラズマ
アドレス表示装置を実現することができる。
遮光膜のパターンを形成するだけで、製造プロセスの増
加やコストの増加もなく、コントラストの高いプラズマ
アドレス表示装置を実現することができる。
【００４４】（実施形態２）図４は本実施形態のプラズ
マアドレス表示装置の平面図であり、１つのプラズマ室
における３画素分を示している。
マアドレス表示装置の平面図であり、１つのプラズマ室
における３画素分を示している。
【００４５】このプラズマアドレス表示装置において、
対向基板は図１及び図２に示したものと同様である。そ
して、プラズマ基板は、プラズマ電極５ａ、５ｂをバリ
アリブ６の下部領域及びプラズマ室に露出させるための
バリアリブ近傍の領域に形成した。このプラズマ電極５
ａ、５ｂによりプラズマ室に放電を生じさせる。
対向基板は図１及び図２に示したものと同様である。そ
して、プラズマ基板は、プラズマ電極５ａ、５ｂをバリ
アリブ６の下部領域及びプラズマ室に露出させるための
バリアリブ近傍の領域に形成した。このプラズマ電極５
ａ、５ｂによりプラズマ室に放電を生じさせる。
【００４６】本実施形態においても、実施形態１と同様
に、遮光膜１５のバリアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を
５μｍを超え、好ましくは８μｍ以上、さらに好ましく
は１６μｍ以上とすることにより、プラズマアドレス表
示装置のコントラストを向上させることができた。
に、遮光膜１５のバリアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を
５μｍを超え、好ましくは８μｍ以上、さらに好ましく
は１６μｍ以上とすることにより、プラズマアドレス表
示装置のコントラストを向上させることができた。
【００４７】さらに、本実施形態のようなプラズマ電極
のパターンでは、実施形態１と同様に遮光膜１５のバリ
アリブ６両側のはみ出し幅をＤ１としても、プラズマ電
極５ａ、５ｂの端よりもバリアリブ６側に形成すること
ができる。例えば、遮光膜１５とプラズマ電極５ｂの端
との間にはＤ３のスペースがあるため、遮光膜１５のバ
リアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を従来に比べて大きく
しても、遮光膜１５による開口率低下は生じない。仮
に、遮光膜１５がプラズマ電極５ａ、５ｂからはみ出し
て形成されても、はみ出した部分のみが開口率の低下に
影響するので、実施形態１のようにＤ１を大きくした分
がそのまま開口率の低下に影響することはない。従っ
て、本実施形態によれば、さらに明るいプラズマアドレ
ス表示装置を実現することができる。
のパターンでは、実施形態１と同様に遮光膜１５のバリ
アリブ６両側のはみ出し幅をＤ１としても、プラズマ電
極５ａ、５ｂの端よりもバリアリブ６側に形成すること
ができる。例えば、遮光膜１５とプラズマ電極５ｂの端
との間にはＤ３のスペースがあるため、遮光膜１５のバ
リアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を従来に比べて大きく
しても、遮光膜１５による開口率低下は生じない。仮
に、遮光膜１５がプラズマ電極５ａ、５ｂからはみ出し
て形成されても、はみ出した部分のみが開口率の低下に
影響するので、実施形態１のようにＤ１を大きくした分
がそのまま開口率の低下に影響することはない。従っ
て、本実施形態によれば、さらに明るいプラズマアドレ
ス表示装置を実現することができる。
【００４８】（実施形態３）図５は本実施形態のプラズ
マアドレス表示装置の平面図であり、１つのプラズマ室
における３画素分を示している。
マアドレス表示装置の平面図であり、１つのプラズマ室
における３画素分を示している。
【００４９】このプラズマアドレス表示装置において、
対向基板は図１及び図２に示したものと同様である。そ
して、プラズマ基板は、プラズマ電極５ａ、５ｂとバリ
アリブ６とが隙間無く接するように形成され、バリアリ
ブ６はプラズマ電極５ａ、５ｂの上ではなく基板１１に
密着して形成されている。
対向基板は図１及び図２に示したものと同様である。そ
して、プラズマ基板は、プラズマ電極５ａ、５ｂとバリ
アリブ６とが隙間無く接するように形成され、バリアリ
ブ６はプラズマ電極５ａ、５ｂの上ではなく基板１１に
密着して形成されている。
【００５０】本実施形態においても、実施形態１と同様
に、遮光膜１５のバリアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を
５μｍを超え、好ましくは８μｍ以上、さらに好ましく
は１６μｍ以上とすることにより、プラズマアドレス表
示装置のコントラストを向上させることができた。
に、遮光膜１５のバリアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を
５μｍを超え、好ましくは８μｍ以上、さらに好ましく
は１６μｍ以上とすることにより、プラズマアドレス表
示装置のコントラストを向上させることができた。
【００５１】また、本実施形態のようなプラズマ電極の
パターンでは、実施形態２と同様に遮光膜１５のバリア
リブ６両側のはみ出し幅をＤ１としても、プラズマ電極
５ａ、５ｂの端よりもバリアリブ６側に形成することが
できる。例えば、遮光膜１５とプラズマ電極５ｂの端と
の間にはＤ３のスペースがあるため、遮光膜１５のバリ
アリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を従来に比べて大きくし
ても、遮光膜１５による開口率低下は生じない。仮に、
遮光膜１５がプラズマ電極５ａ、５ｂからはみ出して形
成されても、はみ出した部分のみが開口率の低下に影響
するので、実施形態１のようにＤ１を大きくした分がそ
のまま開口率の低下に影響することはない。従って、本
実施形態によれば、さらに明るいプラズマアドレス表示
装置を実現することができる。
パターンでは、実施形態２と同様に遮光膜１５のバリア
リブ６両側のはみ出し幅をＤ１としても、プラズマ電極
５ａ、５ｂの端よりもバリアリブ６側に形成することが
できる。例えば、遮光膜１５とプラズマ電極５ｂの端と
の間にはＤ３のスペースがあるため、遮光膜１５のバリ
アリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を従来に比べて大きくし
ても、遮光膜１５による開口率低下は生じない。仮に、
遮光膜１５がプラズマ電極５ａ、５ｂからはみ出して形
成されても、はみ出した部分のみが開口率の低下に影響
するので、実施形態１のようにＤ１を大きくした分がそ
のまま開口率の低下に影響することはない。従って、本
実施形態によれば、さらに明るいプラズマアドレス表示
装置を実現することができる。
【００５２】さらに、本実施形態のようなプラズマ電極
のパターンでは、実施形態２のようにバリアリブ６の下
部にプラズマ電極のパターンが存在しない。よって、バ
リアリブ６の基板に対する密着性が良くなり、バリアリ
ブ６の剥がれによる表示不良の問題が起こらない。
のパターンでは、実施形態２のようにバリアリブ６の下
部にプラズマ電極のパターンが存在しない。よって、バ
リアリブ６の基板に対する密着性が良くなり、バリアリ
ブ６の剥がれによる表示不良の問題が起こらない。
【００５３】（実施形態４）本実施形態では、プラズマ
アドレス表示装置の中間基板として、図６に示すような
ものを用いた。
アドレス表示装置の中間基板として、図６に示すような
ものを用いた。
【００５４】この中間基板は、ガラスからなる薄板３０
に遮光膜３１が形成され、画素に対応する部分には遮光
膜３１が形成されていない。遮光膜のパターンは、実施
形態１〜３において対向基板に形成された遮光膜１５の
パターンと同様であり、データ電極間の遮光膜のパター
ンも中間基板上に形成されている。
に遮光膜３１が形成され、画素に対応する部分には遮光
膜３１が形成されていない。遮光膜のパターンは、実施
形態１〜３において対向基板に形成された遮光膜１５の
パターンと同様であり、データ電極間の遮光膜のパター
ンも中間基板上に形成されている。
【００５５】本実施形態においても、実施形態１と同様
に、遮光膜３１のバリアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を
５μｍを超え、好ましくは８μｍ以上、さらに好ましく
は１６μｍ以上とすることにより、プラズマアドレス表
示装置のコントラストを向上させることができた。
に、遮光膜３１のバリアリブ６両側のはみ出し幅Ｄ１を
５μｍを超え、好ましくは８μｍ以上、さらに好ましく
は１６μｍ以上とすることにより、プラズマアドレス表
示装置のコントラストを向上させることができた。
【００５６】また、反射率が低い黒色の有機材料を用い
て遮光膜３１を形成すれば、バックライトからの光がこ
の遮光膜で反射することはなく、この反射による散乱光
によってプラズマアドレス表示装置のコントラストが低
下することはない。
て遮光膜３１を形成すれば、バックライトからの光がこ
の遮光膜で反射することはなく、この反射による散乱光
によってプラズマアドレス表示装置のコントラストが低
下することはない。
【００５７】また、プラズマ電極をバリアリブと接する
ように形成すれば、遮光膜のバリアリブ両側のはみ出し
幅Ｄ１を従来に比べて大きくしても、遮光膜による開口
率低下は生じない。従って、さらに明るいプラズマアド
レス表示装置を実現することができる。
ように形成すれば、遮光膜のバリアリブ両側のはみ出し
幅Ｄ１を従来に比べて大きくしても、遮光膜による開口
率低下は生じない。従って、さらに明るいプラズマアド
レス表示装置を実現することができる。
【００５８】また、バリアリブの下部にプラズマ電極を
設けずにバリアリブを基板に密着して形成することによ
り、バリアリブの基板に対する密着性が良くなり、バリ
アリブの剥がれによる表示不良の問題が起こらない。
設けずにバリアリブを基板に密着して形成することによ
り、バリアリブの基板に対する密着性が良くなり、バリ
アリブの剥がれによる表示不良の問題が起こらない。
【００５９】さらに、本実施形態によれば、実施形態１
〜３よりもバリアリブに近い位置に遮光膜３１が形成さ
れているので、バリアリブによる散乱光をより効果的に
遮断することができる。
〜３よりもバリアリブに近い位置に遮光膜３１が形成さ
れているので、バリアリブによる散乱光をより効果的に
遮断することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
対向基板に設けられた遮光膜によってバリアリブによる
散乱光を遮断して、コントラストの高いプラズマアドレ
ス表示装置を得ることができる。
対向基板に設けられた遮光膜によってバリアリブによる
散乱光を遮断して、コントラストの高いプラズマアドレ
ス表示装置を得ることができる。
【００６１】請求項２に記載の本発明によれば、中間基
板に設けられた遮光膜によってバリアリブによる散乱光
を遮断して、コントラストの高いプラズマアドレス表示
装置を得ることができる。さらに、遮光膜がバリアリブ
により近い位置に形成されているので、より効果的にバ
リアリブによる散乱光を遮断することができる。
板に設けられた遮光膜によってバリアリブによる散乱光
を遮断して、コントラストの高いプラズマアドレス表示
装置を得ることができる。さらに、遮光膜がバリアリブ
により近い位置に形成されているので、より効果的にバ
リアリブによる散乱光を遮断することができる。
【００６２】請求項３及び請求項４に記載の本発明によ
れば、対向基板又は中間基板に設けられる遮光膜によっ
て、バリアリブによる散乱光をほぼ遮断してその影響が
ほとんど生じないようにすることができるので、さらに
コントラストの高いプラズマアドレス表示装置を得るこ
とができる。
れば、対向基板又は中間基板に設けられる遮光膜によっ
て、バリアリブによる散乱光をほぼ遮断してその影響が
ほとんど生じないようにすることができるので、さらに
コントラストの高いプラズマアドレス表示装置を得るこ
とができる。
【００６３】請求項５に記載の本発明によれば、遮光膜
が有機材料からなるので、遮光膜が金属材料からなる場
合のように、バックライトから照射された光が遮光膜に
当たって反射し、散乱光となることはない。よって、コ
ントラストの高いプラズマアドレス表示装置を得ること
ができる。
が有機材料からなるので、遮光膜が金属材料からなる場
合のように、バックライトから照射された光が遮光膜に
当たって反射し、散乱光となることはない。よって、コ
ントラストの高いプラズマアドレス表示装置を得ること
ができる。
【００６４】請求項６に記載の本発明によれば、遮光膜
をバリアリブから大きくはみ出させても、遮光膜による
開口率の低下は生じず、明るい表示のプラズマアドレス
表示装置が得られる。
をバリアリブから大きくはみ出させても、遮光膜による
開口率の低下は生じず、明るい表示のプラズマアドレス
表示装置が得られる。
【００６５】請求項７に記載の本発明によれば、バリア
リブがプラズマ基板に密着して形成されているので、バ
リアリブをプラズマ電極上に形成した場合のように、密
着性が悪くてバリアリブが剥がれるという問題は生じ
ず、製造歩留りを向上することができる。
リブがプラズマ基板に密着して形成されているので、バ
リアリブをプラズマ電極上に形成した場合のように、密
着性が悪くてバリアリブが剥がれるという問題は生じ
ず、製造歩留りを向上することができる。
【図１】実施形態１のプラズマアドレス表示装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】実施形態１のプラズマアドレス表示装置におけ
る対向基板の断面図である。
る対向基板の断面図である。
【図３】本発明のプラズマアドレス表示装置について、
遮光膜のバリアリブ両側のはみ出し幅とコントラストと
の関係を示すグラフである。
遮光膜のバリアリブ両側のはみ出し幅とコントラストと
の関係を示すグラフである。
【図４】実施形態２のプラズマアドレス表示装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図５】実施形態３のプラズマアドレス表示装置を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】実施形態４のプラズマアドレス表示装置におけ
る中間基板の断面図である。
る中間基板の断面図である。
【図７】従来のプラズマアドレス表示装置を示す断面図
である。
である。
【図８】従来のプラズマアドレス表示装置を示す平面図
である。
である。
５ａ、５ｂ プラズマ電極
６ バリアリブ
１０ データ電極
１１ 基板（対向基板）
１５、３１ 遮光膜
１７、１８、１９ カラーフィルタ層
２０ 保護膜
３０ 薄板（中間基板）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1333
H01J 17/04
Claims (6)
- 【請求項１】 対向配置された第１の基板と第２の基板
との間に該第１の基板上に設けられたバリアリブにより
区切られた複数のプラズマ室を有するプラズマセルと、
該第２の基板の該プラズマ室とは反対側に対向配置され
た第３の基板との間に液晶層を有する液晶セルとを備
え、該プラズマ室内に設けられたプラズマ電極により該
プラズマ室内の放電可能な気体がプラズマ放電し、その
プラズマ放電により該液晶セルが選択的に駆動されるプ
ラズマアドレス表示装置であって、 該第２の基板には、少なくとも該バリアリブと重なる位
置に形成され、該バリアリブ両側のはみ出し幅が５μｍ
を超える遮光膜が設けられているプラズマアドレス表示
装置。 - 【請求項２】 前記遮光膜の前記バリアリブ両側のはみ
出し幅が８μｍ以上である請求項１に記載のプラズマア
ドレス表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光膜の前記バリアリブ両側のはみ
出し幅が１６μｍ以上である請求項１に記載のプラズマ
アドレス表示装置。 - 【請求項４】 前記遮光膜が有機材料からなる請求項１
乃至請求項３のいずれかに記載のプラズマアドレス表示
装置。 - 【請求項５】 前記プラズマ電極は前記バリアリブに接
して形成されている請求項１乃至請求項４のいずれかに
記載のプラズマアドレス表示装置。 - 【請求項６】 前記バリアリブは前記第１の基板に密着
して形成されている請求項１乃至請求項５のいずれかに
記載のプラズマアドレス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36347898A JP3405690B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | プラズマアドレス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36347898A JP3405690B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | プラズマアドレス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000187199A JP2000187199A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3405690B2 true JP3405690B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=18479418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36347898A Expired - Lifetime JP3405690B2 (ja) | 1998-12-21 | 1998-12-21 | プラズマアドレス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3405690B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100838599B1 (ko) | 2007-07-24 | 2008-06-20 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치 |
-
1998
- 1998-12-21 JP JP36347898A patent/JP3405690B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000187199A (ja) | 2000-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7289188B2 (en) | Defect correction of pixel electrode by connection to gate line | |
| EP0369621B1 (en) | Liquid crystal display device | |
| EP0555100B1 (en) | An active matrix liquid crystal display | |
| KR100250093B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
| US5892563A (en) | Reflective type liquid crystal display device | |
| KR20030078795A (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 | |
| KR20010056590A (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| EP1025461B1 (en) | method of making a colour filter structure | |
| US20040105063A1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating the same | |
| EP1429175B1 (en) | Color filter substrate | |
| JP3405690B2 (ja) | プラズマアドレス表示装置 | |
| US20040263753A1 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| US7619702B2 (en) | Liquid crystal display panel with light leakage prevention at peripheral region and method for manufacturing the same | |
| JP3370277B2 (ja) | プラズマアドレス表示装置 | |
| JPH11326929A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JP2000122089A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR19980063952A (ko) | 플라즈마 어드레스 전기 광학 표시 장치 | |
| JP3218308B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3473894B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3044805B2 (ja) | 画像表示装置 | |
| JP2002006328A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3452499B2 (ja) | プラズマアドレス表示装置及びその製造方法 | |
| JPH0372324A (ja) | アクティブマトリクス表示装置 | |
| JP3405519B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3506209B2 (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080307 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090307 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 10 |