JP3370277B2 - プラズマアドレス表示装置 - Google Patents
プラズマアドレス表示装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶セルとプラズ
マセルとを中間基板を介して積層したプラズマアドレス
表示装置の製造方法に関する。
マセルとを中間基板を介して積層したプラズマアドレス
表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶セルを用いたマトリクスタイ
プの液晶表示装置を高解像度化、高コントラスト化する
為の手段としては、各画素毎に薄膜トランジスタ等のス
イッチング素子を設け、これを線順次で駆動する方式が
一般に知られている。しかしながら、この場合、薄膜ト
ランジスタの様な半導体素子を基板上に多数設ける必要
があり、特に大面積化した時に製造歩留りが悪くなると
いう短所がある。そこで、この短所を解決する手段とし
て、特開平１−２１７３９６号公報において、薄膜トラ
ンジスタ等からなるスイッチング素子に代えてプラズマ
スイッチを利用するプラズマアドレス表示装置を提案し
ている。
プの液晶表示装置を高解像度化、高コントラスト化する
為の手段としては、各画素毎に薄膜トランジスタ等のス
イッチング素子を設け、これを線順次で駆動する方式が
一般に知られている。しかしながら、この場合、薄膜ト
ランジスタの様な半導体素子を基板上に多数設ける必要
があり、特に大面積化した時に製造歩留りが悪くなると
いう短所がある。そこで、この短所を解決する手段とし
て、特開平１−２１７３９６号公報において、薄膜トラ
ンジスタ等からなるスイッチング素子に代えてプラズマ
スイッチを利用するプラズマアドレス表示装置を提案し
ている。
【０００３】プラズマアドレス表示装置の一例を図６に
示す。これは、電気光学材料層である液晶層１と、プラ
ズマの放電がなされるプラズマ室２とが、ガラス等から
なる薄い誘電体の中間基板３を介して隣接配置されてな
るものである。
示す。これは、電気光学材料層である液晶層１と、プラ
ズマの放電がなされるプラズマ室２とが、ガラス等から
なる薄い誘電体の中間基板３を介して隣接配置されてな
るものである。
【０００４】プラズマ室２においては、ガラス等からな
るプラズマ基板４上に互いにほぼ平行な帯状の導電ペー
ストよりなる一対の放電電極５ａ、５ｂが複数本等間隔
をもって配され、一対の放電電極５ａ、５ｂの各一端部
にはこれら放電電極５ａ、５ｂに電圧を印加するための
端子（図示せず）が設けられている。さらに、各一対の
放電電極５ａ、５ｂ毎に隔絶するように絶縁ペーストよ
りなるバリアリブ６が互いに平行に形成され、各放電電
極５ａ、５ｂ毎にプラズマ室２とされている。このプラ
ズマ室２内にはイオン化可能なガスが封入され、各プラ
ズマ室２内では、各放電電極５ａ、５ｂがそれぞれアノ
ード及びカソードとして機能する。そして、プラズマ基
板４の周縁部に設けられたフリットシール７により中間
基板３の下部が支持固定されている。
るプラズマ基板４上に互いにほぼ平行な帯状の導電ペー
ストよりなる一対の放電電極５ａ、５ｂが複数本等間隔
をもって配され、一対の放電電極５ａ、５ｂの各一端部
にはこれら放電電極５ａ、５ｂに電圧を印加するための
端子（図示せず）が設けられている。さらに、各一対の
放電電極５ａ、５ｂ毎に隔絶するように絶縁ペーストよ
りなるバリアリブ６が互いに平行に形成され、各放電電
極５ａ、５ｂ毎にプラズマ室２とされている。このプラ
ズマ室２内にはイオン化可能なガスが封入され、各プラ
ズマ室２内では、各放電電極５ａ、５ｂがそれぞれアノ
ード及びカソードとして機能する。そして、プラズマ基
板４の周縁部に設けられたフリットシール７により中間
基板３の下部が支持固定されている。
【０００５】中間基板３上には、液晶の配向を整えるた
めの配向層８ａ及び配向層８ｂに挟持されたネマティッ
ク液晶等からなる液晶層１がその周囲を液晶シール９に
より支持されて設けられている。対向基板１１の下部、
即ち液晶層１側には複数のデータ電極１０が形成されて
いる。データ電極１０は、各放電電極５と直交してお
り、各放電電極５との各交差領域が各画素に対応してい
る。データ電極１０の下部にはカラーフィルタ１０が形
成されている。
めの配向層８ａ及び配向層８ｂに挟持されたネマティッ
ク液晶等からなる液晶層１がその周囲を液晶シール９に
より支持されて設けられている。対向基板１１の下部、
即ち液晶層１側には複数のデータ電極１０が形成されて
いる。データ電極１０は、各放電電極５と直交してお
り、各放電電極５との各交差領域が各画素に対応してい
る。データ電極１０の下部にはカラーフィルタ１０が形
成されている。
【０００６】上記プラズマアドレス表示装置において
は、放電電極５により、プラズマ放電が行われるプラズ
マ室２を順次切り替え走査すると共に、液晶層１側のデ
ータ電極１０にこれと同期して信号電圧を印加すること
によって、信号電圧が各画素に保持され、液晶層１が駆
動される。従って、各プラズマ室２がそれぞれ１走査ラ
インに相当し、走査単位毎に放電領域が分割されてい
る。
は、放電電極５により、プラズマ放電が行われるプラズ
マ室２を順次切り替え走査すると共に、液晶層１側のデ
ータ電極１０にこれと同期して信号電圧を印加すること
によって、信号電圧が各画素に保持され、液晶層１が駆
動される。従って、各プラズマ室２がそれぞれ１走査ラ
インに相当し、走査単位毎に放電領域が分割されてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図６に示すプラズマア
ドレス表示装置を対向基板１１側からみた平面図を図７
に示す。図７は、３画素分の平面図であって、プラズマ
基板４上にはバリアリブ６と放電電極５ａ、５ｂがそれ
ぞれ平行に形成されている。対向基板１１には、遮光膜
１５が形成されている。遮光膜１５は、データ電極１０
間からの不要光を遮断するためにデータ電極１０間に形
成され、またバリアリブ６からの不要光を遮断するため
にバリアリブ６と同様の形状で形成されている。
ドレス表示装置を対向基板１１側からみた平面図を図７
に示す。図７は、３画素分の平面図であって、プラズマ
基板４上にはバリアリブ６と放電電極５ａ、５ｂがそれ
ぞれ平行に形成されている。対向基板１１には、遮光膜
１５が形成されている。遮光膜１５は、データ電極１０
間からの不要光を遮断するためにデータ電極１０間に形
成され、またバリアリブ６からの不要光を遮断するため
にバリアリブ６と同様の形状で形成されている。
【０００８】遮光膜１５の形成時に位置ずれ等があると
光漏れが発生するので、遮光膜の幅をデータ電極１０間
の間隔及びバリアリブ６の幅よりも大きく形成してお
り、バリアリブ６からはみ出す遮光膜１５の幅をｄ１と
し、遮光膜１５とオーバーラップするとデータ電極１０
の幅をｄ２とし、ｄ１＝ｄ２≦５μｍとして形成されて
いる。
光漏れが発生するので、遮光膜の幅をデータ電極１０間
の間隔及びバリアリブ６の幅よりも大きく形成してお
り、バリアリブ６からはみ出す遮光膜１５の幅をｄ１と
し、遮光膜１５とオーバーラップするとデータ電極１０
の幅をｄ２とし、ｄ１＝ｄ２≦５μｍとして形成されて
いる。
【０００９】また、このプラズマアドレス表示装置にお
いては一方の側にバックライトが配置される。ここでバ
リアリブ６は例えばガラスペーストをスクリーン印刷法
によって複数回積層印刷することにより、約２００μｍ
の厚さで形成される。また、ガラスをエッチングするこ
とによりプラズマ室を形成した場合にはガラス自体がバ
リアリブ６の役割を果たすことになる。
いては一方の側にバックライトが配置される。ここでバ
リアリブ６は例えばガラスペーストをスクリーン印刷法
によって複数回積層印刷することにより、約２００μｍ
の厚さで形成される。また、ガラスをエッチングするこ
とによりプラズマ室を形成した場合にはガラス自体がバ
リアリブ６の役割を果たすことになる。
【００１０】バリアリブ６は通常このようなガラス材料
で形成されており、プラズマ基板側に配置されたバック
ライトから照射された光はバリアリブ６により散乱をお
こしやすい。これはプラズマアドレス表示装置のコント
ラスト低下の一因となる。
で形成されており、プラズマ基板側に配置されたバック
ライトから照射された光はバリアリブ６により散乱をお
こしやすい。これはプラズマアドレス表示装置のコント
ラスト低下の一因となる。
【００１１】本発明は、このような問題点を解決するた
めのものであり、コントラスト低下を防止したプラズマ
アドレス表示装置に関するものである。
めのものであり、コントラスト低下を防止したプラズマ
アドレス表示装置に関するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向基板と中
間基板との間に液晶材料が封入され、複数のデータ電極
が平行に形成された液晶セルと、前記中間基板とプラズ
マ基板の間に前記データ電極と直交する方向に平行に形
成されたバリアリブによりプラズマ室が形成され、前記
プラズマ室内に形成された放電電極によるプラズマ放電
により前記液晶セル内の液晶のスイッチングが行われる
プラズマアドレス表示装置おいて、前記データ電極間の
領域及びバリアリブが形成された領域の非表示領域を遮
光する遮光膜を有し、前記バリアリブが形成された領域
からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、前記データ電極とオー
バーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１＞Ｄ２であ
るとともに、前記遮光膜は前記中間基板に形成されてい
ることを特徴とする。
間基板との間に液晶材料が封入され、複数のデータ電極
が平行に形成された液晶セルと、前記中間基板とプラズ
マ基板の間に前記データ電極と直交する方向に平行に形
成されたバリアリブによりプラズマ室が形成され、前記
プラズマ室内に形成された放電電極によるプラズマ放電
により前記液晶セル内の液晶のスイッチングが行われる
プラズマアドレス表示装置おいて、前記データ電極間の
領域及びバリアリブが形成された領域の非表示領域を遮
光する遮光膜を有し、前記バリアリブが形成された領域
からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、前記データ電極とオー
バーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１＞Ｄ２であ
るとともに、前記遮光膜は前記中間基板に形成されてい
ることを特徴とする。
【００１３】本発明は、対向基板と中間基板との間に液
晶材料が封入され、複数のデータ電極が平行に形成され
た液晶セルと、前記中間基板とプラズマ基板の間に前記
データ電極と直交する方向に平行に形成されたバリアリ
ブによりプラズマ室が形成され、前記プラズマ室内に形
成された放電電極によるプラズマ放電により前記液晶セ
ル内の液晶のスイッチングが行われるプラズマアドレス
表示装置おいて、前記データ電極間の領域及びバリアリ
ブが形成された領域の非表示領域を遮光する遮光膜を有
し、前記バリアリブが形成された領域からはみ出す遮光
膜の幅Ｄ１と、前記データ電極とオーバーラップする遮
光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１≧Ｄ２＋５μｍであるととも
に、前記遮光膜は前記中間基板に形成されていることを
特徴とする。
晶材料が封入され、複数のデータ電極が平行に形成され
た液晶セルと、前記中間基板とプラズマ基板の間に前記
データ電極と直交する方向に平行に形成されたバリアリ
ブによりプラズマ室が形成され、前記プラズマ室内に形
成された放電電極によるプラズマ放電により前記液晶セ
ル内の液晶のスイッチングが行われるプラズマアドレス
表示装置おいて、前記データ電極間の領域及びバリアリ
ブが形成された領域の非表示領域を遮光する遮光膜を有
し、前記バリアリブが形成された領域からはみ出す遮光
膜の幅Ｄ１と、前記データ電極とオーバーラップする遮
光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１≧Ｄ２＋５μｍであるととも
に、前記遮光膜は前記中間基板に形成されていることを
特徴とする。
【００１４】本発明は、前記遮光膜が有機材料により形
成されたことを特徴とする。本発明は、前記放電電極が
前記バリアリブと接するように形成されていることを特
徴とする。本発明は、前記バリアリブがプラズマ基板ガ
ラスに密着して形成されていることを特徴とする。
成されたことを特徴とする。本発明は、前記放電電極が
前記バリアリブと接するように形成されていることを特
徴とする。本発明は、前記バリアリブがプラズマ基板ガ
ラスに密着して形成されていることを特徴とする。
【００１５】以下、作用について説明を行う。本発明の
請求項１記載のプラズマアドレス表示装置は、バリアリ
ブが形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、デ
ータ電極とオーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係が
Ｄ１＞Ｄ２であるので、バリアリブによる散乱光をほぼ
遮断することができ、コントラストの高いプラズマアド
レス表示装置を得ることができる。また、本発明の請求
項２記載のプラズマアドレス表示装置は、バリアリブが
形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、データ
電極とオーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１
≧Ｄ２＋５μｍであるので、バリアリブによる散乱光を
遮断することができ、コントラストの高いプラズマアド
レス表示装置を得ることができる。
請求項１記載のプラズマアドレス表示装置は、バリアリ
ブが形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、デ
ータ電極とオーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係が
Ｄ１＞Ｄ２であるので、バリアリブによる散乱光をほぼ
遮断することができ、コントラストの高いプラズマアド
レス表示装置を得ることができる。また、本発明の請求
項２記載のプラズマアドレス表示装置は、バリアリブが
形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、データ
電極とオーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１
≧Ｄ２＋５μｍであるので、バリアリブによる散乱光を
遮断することができ、コントラストの高いプラズマアド
レス表示装置を得ることができる。
【００１６】そして、本発明の請求項１および請求項２
記載のプラズマアドレス表示装置は、遮光膜が中間基板
に形成されているので、遮光膜がバリアリブに近い位置
に形成されることになり、効果的にバリアリブによる散
乱光を遮断することができる。
記載のプラズマアドレス表示装置は、遮光膜が中間基板
に形成されているので、遮光膜がバリアリブに近い位置
に形成されることになり、効果的にバリアリブによる散
乱光を遮断することができる。
【００１７】なお、本発明の請求項３記載のプラズマア
ドレス表示装置は、遮光膜は有機材料により形成された
ことを特徴とするので、遮光膜を金属材料で作成した場
合のようにバックライトから照射された光がこの遮光膜
に当たって反射し散乱光となりこの散乱光によりコント
ラストが低下することはない。また、本発明の請求項４
記載のプラズマアドレス表示装置は、放電電極はバリア
リブと接するように形成されているので、遮光膜をバリ
アリブから大きくオーバーラップさせたとしても遮光膜
は通常放電電極の中途の位置までしか来ないのでこの遮
光膜による開口率の低下は起こらない。従って、明るい
プラズマアドレス表示装置が実現する。さらに、本発明
の請求項５記載のプラズマアドレス表示装置は、バリア
リブはプラズマ基板ガラスに密着して形成されているの
で、バリアリブを放電電極上部に形成した場合のように
密着性が悪くバリアリブがはがれるといった問題が生じ
ない。
ドレス表示装置は、遮光膜は有機材料により形成された
ことを特徴とするので、遮光膜を金属材料で作成した場
合のようにバックライトから照射された光がこの遮光膜
に当たって反射し散乱光となりこの散乱光によりコント
ラストが低下することはない。また、本発明の請求項４
記載のプラズマアドレス表示装置は、放電電極はバリア
リブと接するように形成されているので、遮光膜をバリ
アリブから大きくオーバーラップさせたとしても遮光膜
は通常放電電極の中途の位置までしか来ないのでこの遮
光膜による開口率の低下は起こらない。従って、明るい
プラズマアドレス表示装置が実現する。さらに、本発明
の請求項５記載のプラズマアドレス表示装置は、バリア
リブはプラズマ基板ガラスに密着して形成されているの
で、バリアリブを放電電極上部に形成した場合のように
密着性が悪くバリアリブがはがれるといった問題が生じ
ない。
【００１８】
【００１９】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、実施の形
態１について図面を参照しながら説明する。図１は、図
６のプラズマアドレス表示装置を対向基板１１側からみ
た３画素分の平面図であり、図２は図１における対向基
板のＡ−Ａ断面の断面図である。プラズマ基板４にはバ
リアリブ６が形成されており、バリアリブ６間に一対の
放電電極５ａ、５ｂが形成されている。対向基板１１に
は、遮光膜１５、カラーフィルタ１７、保護膜２０、デ
ータ電極１０が形成されている。対向基板１１の作成方
法としては、まず対向基板１１上に非透光性の金属や黒
色の有機材料を用いて遮光膜１５を形成し、遮光膜１５
の間の画素に対応する位置にＲＧＢのカラーフィルタを
カラーレジスト等を用いて順次形成する。遮光膜１５を
反射率が低い黒色の有機材料を用いて形成すれば、遮光
膜を金属で形成した場合のようにバックライトからの光
が遮光膜１５で反射し、その反射光が散乱光となりこの
散乱光によりプラズマアドレス表示装置のコントラスト
を低下させるといったことはおこらない。
態１について図面を参照しながら説明する。図１は、図
６のプラズマアドレス表示装置を対向基板１１側からみ
た３画素分の平面図であり、図２は図１における対向基
板のＡ−Ａ断面の断面図である。プラズマ基板４にはバ
リアリブ６が形成されており、バリアリブ６間に一対の
放電電極５ａ、５ｂが形成されている。対向基板１１に
は、遮光膜１５、カラーフィルタ１７、保護膜２０、デ
ータ電極１０が形成されている。対向基板１１の作成方
法としては、まず対向基板１１上に非透光性の金属や黒
色の有機材料を用いて遮光膜１５を形成し、遮光膜１５
の間の画素に対応する位置にＲＧＢのカラーフィルタを
カラーレジスト等を用いて順次形成する。遮光膜１５を
反射率が低い黒色の有機材料を用いて形成すれば、遮光
膜を金属で形成した場合のようにバックライトからの光
が遮光膜１５で反射し、その反射光が散乱光となりこの
散乱光によりプラズマアドレス表示装置のコントラスト
を低下させるといったことはおこらない。
【００２０】次に、カラーフィルタ１７の段差を低減す
るための保護膜２０を形成し、保護膜２０上にＩＴＯ等
の透明導電膜を用いてデータ電極１０を形成した。ここ
で、遮光膜１５は、データ電極１０間の領域及びデータ
電極１０に対して５μｍ以下の幅Ｄ２オーバーラップを
させた領域に形成されている。また、遮光膜１５は、バ
リアリブ６の領域及びバリアリブ６の幅よりもはみ出し
た幅Ｄ１の領域に形成されている。
るための保護膜２０を形成し、保護膜２０上にＩＴＯ等
の透明導電膜を用いてデータ電極１０を形成した。ここ
で、遮光膜１５は、データ電極１０間の領域及びデータ
電極１０に対して５μｍ以下の幅Ｄ２オーバーラップを
させた領域に形成されている。また、遮光膜１５は、バ
リアリブ６の領域及びバリアリブ６の幅よりもはみ出し
た幅Ｄ１の領域に形成されている。
【００２１】従来では幅Ｄ１と幅Ｄ２は、Ｄ１＝Ｄ２と
して形成していたが、実施の形態１においてはＤ１＞Ｄ
２とすることにより、バックライトからの光がバリアリ
ブ６により散乱する不要光を遮光することができる。こ
こで、Ｄ１≧Ｄ２＋５μｍとすれば不要光の遮断効果が
大きい。
して形成していたが、実施の形態１においてはＤ１＞Ｄ
２とすることにより、バックライトからの光がバリアリ
ブ６により散乱する不要光を遮光することができる。こ
こで、Ｄ１≧Ｄ２＋５μｍとすれば不要光の遮断効果が
大きい。
【００２２】また、通常のプラズマアドレス表示装置に
おいてバリアリブ６のピッチは１００μｍから５００μ
ｍであるので幅Ｄ１を大きくしてしまうと開口率が低く
なり画面が暗くなってしまうため幅Ｄ１は３０μｍ以下
とすることが好ましい。よって、幅Ｄ１の最適範囲は、
Ｄ２＋５μｍ≦Ｄ１≦３０μｍである。
おいてバリアリブ６のピッチは１００μｍから５００μ
ｍであるので幅Ｄ１を大きくしてしまうと開口率が低く
なり画面が暗くなってしまうため幅Ｄ１は３０μｍ以下
とすることが好ましい。よって、幅Ｄ１の最適範囲は、
Ｄ２＋５μｍ≦Ｄ１≦３０μｍである。
【００２３】実施の形態１によるプラズマアドレス表示
装置においては、対向基板１１に形成する遮光膜１５の
パターンを変更するだけであり、製造プロセスの増加も
コスト増もなくコントラストの高いプラズマアドレス表
示装置を実現することができる。
装置においては、対向基板１１に形成する遮光膜１５の
パターンを変更するだけであり、製造プロセスの増加も
コスト増もなくコントラストの高いプラズマアドレス表
示装置を実現することができる。
【００２４】（実施の形態２）図３は、実施の形態２の
プラズマアドレス表示装置を示したものであり、プラズ
マアドレス表示装置を対向基板側からみた３画素分の平
面図である。実施の形態２のプラズマアドレス表示装置
では、放電電極５はプラズマ基板とバリアリブ６の間で
あってバリアリブ６の下部領域とプラズマ室に露出する
バリアリブ６近傍の領域に形成されている。放電電極５
ａ、５ｂのプラズマ室に露出するバリアリブ６近傍の領
域においてプラズマ室に放電が行なわれる。
プラズマアドレス表示装置を示したものであり、プラズ
マアドレス表示装置を対向基板側からみた３画素分の平
面図である。実施の形態２のプラズマアドレス表示装置
では、放電電極５はプラズマ基板とバリアリブ６の間で
あってバリアリブ６の下部領域とプラズマ室に露出する
バリアリブ６近傍の領域に形成されている。放電電極５
ａ、５ｂのプラズマ室に露出するバリアリブ６近傍の領
域においてプラズマ室に放電が行なわれる。
【００２５】実施の形態２においても、実施の形態１と
同様に遮光膜１５がバリアリブ６の幅よりもはみ出した
幅Ｄ１と、遮光膜１５がデータ電極１０とオーバーラッ
プしている幅Ｄ２とを、Ｄ１＞Ｄ２とすることによりプ
ラズマアドレス表示装置のコントラストを向上させるこ
とができた。ここで、Ｄ１≧Ｄ２＋５μｍとすれば不要
光の遮断効果が大きい。実施の形態２において、放電電
極５はバックライトに近いプラズマ基板に形成されてい
るため、光の回り込みが発生し、放電電極５が形成され
た領域でも遮光膜１５を形成することによる遮光効果が
ある。
同様に遮光膜１５がバリアリブ６の幅よりもはみ出した
幅Ｄ１と、遮光膜１５がデータ電極１０とオーバーラッ
プしている幅Ｄ２とを、Ｄ１＞Ｄ２とすることによりプ
ラズマアドレス表示装置のコントラストを向上させるこ
とができた。ここで、Ｄ１≧Ｄ２＋５μｍとすれば不要
光の遮断効果が大きい。実施の形態２において、放電電
極５はバックライトに近いプラズマ基板に形成されてい
るため、光の回り込みが発生し、放電電極５が形成され
た領域でも遮光膜１５を形成することによる遮光効果が
ある。
【００２６】また、実施の形態２の放電電極５のパター
ンであれば、実施の形態１と同様に遮光膜１５がバリア
リブ６の領域からはみ出すように形成したとしても、遮
光膜１５が放電電極５ａ、５ｂからはみ出さないように
形成することができる。その場合、遮光膜１５と放電電
極５ｂとの間に幅Ｄ３で規定されるスペースが存在す
る。従って、遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅
Ｄ１を大きくしても、遮光膜１５が放電電極５ａ、５ｂ
からはみ出さないように形成すれば、遮光膜１５による
開口率の低下はおこらない。仮に、遮光膜１５が放電電
極５にオーバーラップして形成されたとしてもオーバー
ラップした部分のみが開口率の低下となるため、実施形
態１のようにＤ１を大きくした分開口率が小さくなると
いうことはない。即ち、バリアリブ６の散乱光に対する
遮光効果を遮光膜１５が放電電極５よりはみ出さない場
合は、バリアリブ６の散乱光に対する遮光効果を備えな
がら、開口率の低下がない。従って、本実施の形態にお
いてはさらに明るいプラズマアドレス表示装置が実現で
きる。この遮光膜による開口率の低下は起こらない。
ンであれば、実施の形態１と同様に遮光膜１５がバリア
リブ６の領域からはみ出すように形成したとしても、遮
光膜１５が放電電極５ａ、５ｂからはみ出さないように
形成することができる。その場合、遮光膜１５と放電電
極５ｂとの間に幅Ｄ３で規定されるスペースが存在す
る。従って、遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅
Ｄ１を大きくしても、遮光膜１５が放電電極５ａ、５ｂ
からはみ出さないように形成すれば、遮光膜１５による
開口率の低下はおこらない。仮に、遮光膜１５が放電電
極５にオーバーラップして形成されたとしてもオーバー
ラップした部分のみが開口率の低下となるため、実施形
態１のようにＤ１を大きくした分開口率が小さくなると
いうことはない。即ち、バリアリブ６の散乱光に対する
遮光効果を遮光膜１５が放電電極５よりはみ出さない場
合は、バリアリブ６の散乱光に対する遮光効果を備えな
がら、開口率の低下がない。従って、本実施の形態にお
いてはさらに明るいプラズマアドレス表示装置が実現で
きる。この遮光膜による開口率の低下は起こらない。
【００２７】（実施の形態３）図４は、実施の形態３の
プラズマアドレス表示装置を示したものである。実施の
形態３は、実施形態１の放電電極５ａ、５ｂをバリアリ
ブ６に接するように形成したものであり、放電電極５
ａ、５ｂとバリアリブ６との間に隙間が無い。実施の形
態３の放電電極５の形状とすれば、実施の形態２に示す
ようにバリアリブ６の下部に放電電極パターンが存在し
ないので、バリアリブ６のプラズマ基板４に対する密着
性がよくなる。従って、バリアリブ６のはがれによる表
示不良の問題はおこらない。
プラズマアドレス表示装置を示したものである。実施の
形態３は、実施形態１の放電電極５ａ、５ｂをバリアリ
ブ６に接するように形成したものであり、放電電極５
ａ、５ｂとバリアリブ６との間に隙間が無い。実施の形
態３の放電電極５の形状とすれば、実施の形態２に示す
ようにバリアリブ６の下部に放電電極パターンが存在し
ないので、バリアリブ６のプラズマ基板４に対する密着
性がよくなる。従って、バリアリブ６のはがれによる表
示不良の問題はおこらない。
【００２８】本実施の形態においても、実施の形態１と
同様に遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅Ｄ１
と、遮光膜１５がデータ電極１０とオーバーラップして
いる幅Ｄ２とを、Ｄ１＞Ｄ２とすることによりプラズマ
アドレス表示装置のコントラストを向上させることがで
きた。ここで、Ｄ１≧Ｄ２＋５（μｍ）とすれば不要光
の遮断効果が大きい。
同様に遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅Ｄ１
と、遮光膜１５がデータ電極１０とオーバーラップして
いる幅Ｄ２とを、Ｄ１＞Ｄ２とすることによりプラズマ
アドレス表示装置のコントラストを向上させることがで
きた。ここで、Ｄ１≧Ｄ２＋５（μｍ）とすれば不要光
の遮断効果が大きい。
【００２９】また、実施の形態２の放電電極５のパター
ンであれば、実施の形態１と同様に遮光膜１５がバリア
リブ６の領域からはみ出すように形成したとしても、遮
光膜１５が放電電極５ａ、５ｂからはみ出さないように
形成することができる。その場合、遮光膜１５と放電電
極５ｂとの間に幅Ｄ３で規定されるスペースが存在す
る。従って、遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅
Ｄ１を大きくしても、遮光膜１５が放電電極５ａ、５ｂ
からはみ出さないように形成すれば、遮光膜１５による
開口率の低下はおこらない。仮に、遮光膜１５が放電電
極６にオーバーラップして形成されたとしてもオーバー
ラップした部分のみが開口率の低下となるため、実施形
態１のようにＤ１を大きくした分開口率が小さくなると
いうことはない。従って、本実施形態においてはさらに
明るいプラズマアドレス表示装置が実現する。
ンであれば、実施の形態１と同様に遮光膜１５がバリア
リブ６の領域からはみ出すように形成したとしても、遮
光膜１５が放電電極５ａ、５ｂからはみ出さないように
形成することができる。その場合、遮光膜１５と放電電
極５ｂとの間に幅Ｄ３で規定されるスペースが存在す
る。従って、遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅
Ｄ１を大きくしても、遮光膜１５が放電電極５ａ、５ｂ
からはみ出さないように形成すれば、遮光膜１５による
開口率の低下はおこらない。仮に、遮光膜１５が放電電
極６にオーバーラップして形成されたとしてもオーバー
ラップした部分のみが開口率の低下となるため、実施形
態１のようにＤ１を大きくした分開口率が小さくなると
いうことはない。従って、本実施形態においてはさらに
明るいプラズマアドレス表示装置が実現する。
【００３０】（実施の形態４）実施の形態４のプラズマ
アドレス表示装置は、実施の形態１から３の中間基板と
して図５に示すものを使用したものである。この中間基
板は薄板ガラス３０に遮光膜３１が形成されており、画
素に対応する部分には遮光膜３１が形成されない。遮光
膜のパターンとしては、実施形態１〜３に示すものと同
様である。本実施形態においても、実施の形態１と同様
に遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅Ｄ１と、遮
光膜１５がデータ電極１０とオーバーラップしている幅
Ｄ２とを、Ｄ１＞Ｄ２とすることによりプラズマアドレ
ス表示装置のコントラストを向上させることができた。
ここで、Ｄ１≧Ｄ２＋５（μｍ）とすれば不要光の遮断
効果が大きい。
アドレス表示装置は、実施の形態１から３の中間基板と
して図５に示すものを使用したものである。この中間基
板は薄板ガラス３０に遮光膜３１が形成されており、画
素に対応する部分には遮光膜３１が形成されない。遮光
膜のパターンとしては、実施形態１〜３に示すものと同
様である。本実施形態においても、実施の形態１と同様
に遮光膜１５がバリアリブ６よりはみ出す幅Ｄ１と、遮
光膜１５がデータ電極１０とオーバーラップしている幅
Ｄ２とを、Ｄ１＞Ｄ２とすることによりプラズマアドレ
ス表示装置のコントラストを向上させることができた。
ここで、Ｄ１≧Ｄ２＋５（μｍ）とすれば不要光の遮断
効果が大きい。
【００３１】また、遮光膜を反射率が低い黒色の有機材
料を用いて形成すれば、バックライトからの光がこの遮
光膜で反射して散乱光となりこの散乱光によりプラズマ
アドレス表示装置のコントラストを低下させることがな
い。また、放電電極５をバリアリブ６と接するように形
成することにより、遮光膜をバリアリブから大きくオー
バーラップさせたとしても遮光膜は通常放電電極の中途
の位置までしか来ないのでこの遮光膜による開口率の低
下は起こらない。従って、明るいプラズマアドレス表示
装置が実現できる。また、バリアリブ６をプラズマ基板
に密着して形成することにより、バリアリブ６を放電電
極５上部に形成した場合のように密着性が悪くバリアリ
ブ６がはがれるといった問題が生じない。
料を用いて形成すれば、バックライトからの光がこの遮
光膜で反射して散乱光となりこの散乱光によりプラズマ
アドレス表示装置のコントラストを低下させることがな
い。また、放電電極５をバリアリブ６と接するように形
成することにより、遮光膜をバリアリブから大きくオー
バーラップさせたとしても遮光膜は通常放電電極の中途
の位置までしか来ないのでこの遮光膜による開口率の低
下は起こらない。従って、明るいプラズマアドレス表示
装置が実現できる。また、バリアリブ６をプラズマ基板
に密着して形成することにより、バリアリブ６を放電電
極５上部に形成した場合のように密着性が悪くバリアリ
ブ６がはがれるといった問題が生じない。
【００３２】また、本実施形態においては、実施形態１
〜３よりもバリアリブ６に近い位置に遮光膜３１が形成
されているのでより効果的にバリアリブ６による散乱光
を遮断することができる。従って、遮光膜３１は薄板ガ
ラス３０のバリアリブ６側に形成すれば散乱光を遮断す
る効果が高い。
〜３よりもバリアリブ６に近い位置に遮光膜３１が形成
されているのでより効果的にバリアリブ６による散乱光
を遮断することができる。従って、遮光膜３１は薄板ガ
ラス３０のバリアリブ６側に形成すれば散乱光を遮断す
る効果が高い。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、バリアリブが形成され
た領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、データ電極とオ
ーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１＞Ｄ２で
あるので、バリアリブによる散乱光をほぼ遮断すること
ができ、コントラストの高いプラズマアドレス表示装置
を得ることができる。また、本発明によれば、バリアリ
ブが形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、デ
ータ電極とオーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係が
Ｄ１≧Ｄ２＋５μｍであるので、バリアリブによる散乱
光を遮断することができ、コントラストの高いプラズマ
アドレス表示装置を得ることができる。
た領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、データ電極とオ
ーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係がＤ１＞Ｄ２で
あるので、バリアリブによる散乱光をほぼ遮断すること
ができ、コントラストの高いプラズマアドレス表示装置
を得ることができる。また、本発明によれば、バリアリ
ブが形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ１と、デ
ータ電極とオーバーラップする遮光膜の幅Ｄ２の関係が
Ｄ１≧Ｄ２＋５μｍであるので、バリアリブによる散乱
光を遮断することができ、コントラストの高いプラズマ
アドレス表示装置を得ることができる。
【００３４】そして、本発明によれば、遮光膜が中間基
板に形成されているので、遮光膜がバリアリブに近い位
置に形成されることになり、効果的にバリアリブによる
散乱光を遮断することができる。
板に形成されているので、遮光膜がバリアリブに近い位
置に形成されることになり、効果的にバリアリブによる
散乱光を遮断することができる。
【００３５】なお、本発明によれば、遮光膜は有機材料
により形成されたことを特徴とするので、遮光膜を金属
材料で作成した場合のようにバックライトから照射され
た光がこの遮光膜に当たって反射し散乱光となりこの散
乱光によりコントラストが低下することはない。また、
本発明によれば、放電電極はバリアリブと接するように
形成されているので、遮光膜をバリアリブから大きくオ
ーバーラップさせたとしても遮光膜は通常放電電極の中
途の位置までしか来ないのでこの遮光膜による開口率の
低下は起こらない。従って、明るいプラズマアドレス表
示装置が実現する。さらに、本発明によれば、バリアリ
ブはプラズマ基板ガラスに密着して形成されているの
で、バリアリブを放電電極上部に形成した場合のように
密着性が悪くバリアリブがはがれるといった問題が生じ
ない。
により形成されたことを特徴とするので、遮光膜を金属
材料で作成した場合のようにバックライトから照射され
た光がこの遮光膜に当たって反射し散乱光となりこの散
乱光によりコントラストが低下することはない。また、
本発明によれば、放電電極はバリアリブと接するように
形成されているので、遮光膜をバリアリブから大きくオ
ーバーラップさせたとしても遮光膜は通常放電電極の中
途の位置までしか来ないのでこの遮光膜による開口率の
低下は起こらない。従って、明るいプラズマアドレス表
示装置が実現する。さらに、本発明によれば、バリアリ
ブはプラズマ基板ガラスに密着して形成されているの
で、バリアリブを放電電極上部に形成した場合のように
密着性が悪くバリアリブがはがれるといった問題が生じ
ない。
【図１】実施の形態１のプラズマアドレス表示装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】プラズマアドレス表示装置の対向基板を示す断
面図である。
面図である。
【図３】実施の形態２のプラズマアドレス表示装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】実施の形態３のプラズマアドレス表示装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】実施の形態４のプラズマアドレス表示装置の中
間基板を示す断面図である。
間基板を示す断面図である。
【図６】プラズマアドレス表示装置を示す断面図であ
る。
る。
【図７】従来のプラズマアドレス表示装置を示す平面図
である。
である。
１ 液晶層
２ プラズマ室
３ 中間基板
４ プラズマ基板
５ 放電電極
６ バリヤリブ
７ フリットシール
８ 配向層
９ 液晶シール
１０ データ電極
１１ 対向基板
１５ 遮光膜
１７ カラーフィルタ
２０ 保護膜
Claims (5)
- 【請求項１】 対向基板と中間基板との間に液晶材料が
封入され、複数のデータ電極が平行に形成された液晶セ
ルと、前記中間基板とプラズマ基板の間に前記データ電
極と直交する方向に平行に形成されたバリアリブにより
プラズマ室が形成され、前記プラズマ室内に形成された
放電電極によるプラズマ放電により前記液晶セル内の液
晶のスイッチングが行われるプラズマアドレス表示装置
おいて、前記データ電極間の領域及びバリアリブが形成
された領域の非表示領域を遮光する遮光膜を有し、前記
バリアリブが形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ
１と、前記データ電極とオーバーラップする遮光膜の幅
Ｄ２の関係がＤ１＞Ｄ２であるとともに、 前記遮光膜は前記中間基板に形成されている ことを特徴
とするプラズマアドレス表示装置。 - 【請求項２】 対向基板と中間基板との間に液晶材料が
封入され、複数のデータ電極が平行に形成された液晶セ
ルと、前記中間基板とプラズマ基板の間に前記データ電
極と直交する方向に平行に形成されたバリアリブにより
プラズマ室が形成され、前記プラズマ室内に形成された
放電電極によるプラズマ放電により前記液晶セル内の液
晶のスイッチングが行われるプラズマアドレス表示装置
おいて、前記データ電極間の領域及びバリアリブが形成
された領域の非表示領域を遮光する遮光膜を有し、前記
バリアリブが形成された領域からはみ出す遮光膜の幅Ｄ
１と、前記データ電極とオーバーラップする遮光膜の幅
Ｄ２の関係がＤ１≧Ｄ２＋５μｍであるとともに、 前記遮光膜は前記中間基板に形成されている ことを特徴
とするプラズマアドレス表示装置。 - 【請求項３】 前記遮光膜は有機材料により形成された
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラ
ズマアドレス表示装置。 - 【請求項４】 前記放電電極は前記バリアリブと接する
ように形成されていることを特徴とする請求項１乃至請
求項３に記載のプラズマアドレス表示装置。 - 【請求項５】 前記バリアリブはプラズマ基板ガラスに
密着して形成されていることを特徴とする請求項４に記
載のプラズマアドレス表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18346798A JP3370277B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | プラズマアドレス表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18346798A JP3370277B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | プラズマアドレス表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000019492A JP2000019492A (ja) | 2000-01-21 |
| JP3370277B2 true JP3370277B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=16136311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18346798A Expired - Fee Related JP3370277B2 (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | プラズマアドレス表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3370277B2 (ja) |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP18346798A patent/JP3370277B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000019492A (ja) | 2000-01-21 |
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Legal Events
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