JP3403875B2 - 三次元計測方法および表示方法、ならびに三次元計測装置 - Google Patents

三次元計測方法および表示方法、ならびに三次元計測装置

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JP3403875B2
JP3403875B2 JP26720195A JP26720195A JP3403875B2 JP 3403875 B2 JP3403875 B2 JP 3403875B2 JP 26720195 A JP26720195 A JP 26720195A JP 26720195 A JP26720195 A JP 26720195A JP 3403875 B2 JP3403875 B2 JP 3403875B2
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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    • G01B11/24Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures

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  • Image Analysis (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、試料の高さ方向
において互いに異なる複数の高さ位置で複数の画素より
なる水平面の共焦点画像をそれぞれ撮像し、これら複数
の共焦点画像に基づき前記試料の表面情報を求める三次
元計測方法および装置に関する。また、この発明は、上
記三次元計測方法により求められた表面情報に基づき試
料の表面形状を表示する三次元表示方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置や液晶装置の製造に関
する技術分野では、デバイス(装置)の微細化や製造工
程の複雑化に伴い、基板表面の三次元構造を観察した
り、測定したいというニーズが高まっている。これは、
三次元的にデバイス観察を行うことで、製造プロセスの
把握がより容易になるとともに、デバイスに生じる欠陥
の種類や発生原因を突き止めることができる等の理由か
らである。また、バイオテクノロジに関する技術分野に
おいても、細胞や分子の三次元構造に対する関心の高ま
りにつれて、当該三次元構造を観察したり、測定したい
というニーズが高くなっている。
【0003】このようなニーズに対応するべく、従来よ
り、共焦点の原理を利用した共焦点顕微鏡が提案されて
いる。例えば、特開平6−308390号公報に記載さ
れた共焦点顕微鏡は、試料を高さ方向に移動させなが
ら、その高さ方向において互いに異なる複数の高さ位置
で水平面の共焦点画像をそれぞれ撮像する構成を有して
いる。そして、画素ごとに光量が最大となる光軸位置、
つまり高さ方向における高さ位置を求め、これを試料表
面を表す表面情報としている。
【0004】また、このようにして試料の三次元計測を
行うとともに、この計測により求められた表面情報に基
づき、CRTなどの表示モニタに当該試料の表面形状を
表示し、オペレータなどの観察に供している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記三次元
計測においては、試料表面により反射され光軸に沿って
戻ってきた光の反射光量を求め、この反射光量が最大と
なる高さ位置を試料の表面としているが、試料表面に急
峻な傾斜部が存在したり、試料表面に光を吸収しやすい
領域(例えば、黒色領域)が存在すると、試料表面とは
異なる高さ位置で光量が最大となり、計測結果が誤った
ものとなってしまう。というのも、前者の場合(傾斜部
の存在)、傾斜部により反射された光は光軸からずれた
方向に導かれるため、光軸に沿って戻る光量が低下する
からであり、後者の場合(光吸収領域の存在)、試料表
面での反射光量自体が低下するからである。このように
従来より知られている共焦点顕微鏡を用いた試料の三次
元計測では、試料表面における傾斜部の存在などにより
計測結果が異なり、正確な試料表面の計測を行うことが
できない。そして、これらの検出結果に基づき試料の三
次元画像を表示モニタなどに表示した場合、誤って計測
した箇所がノイズ成分となって表示モニタ上の画像の品
質低下を招く。
【0006】ここで、ノイズ成分を排除する手段とし
て、例えば上記公報(特開平6−308390号公報)
に記載されたように、予め光量の指定値を設定してお
き、最大光量が指定値以下の時には試料表面の高さ位置
を「ゼロ」に設定する方法がある。しかしながら、この
方法によれば、実際の計測に先立って例えば種々のサン
プル試料を用いた実験を行う等により指定値をどのよう
に設定するかを決定し、しかも入力する必要があり、計
測前処理が煩雑となるという問題がある。また、表面高
さ位置を「ゼロ」と設定した場合、表示モニタ上の画像
において対応する箇所は空白となる。この表示は貫通孔
を示すことに他ならず、根本的に正確な試料形状を示し
ていないこととなるので好ましくない。
【0007】また、上記のように従来の三次元計測方法
では、試料の表面情報を正確に求めることができないた
め、試料の表面形状を正確に表示することができなかっ
た。
【0008】そこで、この発明は、上記課題を解決する
ためになされたもので、試料の表面形状を正確に計測す
ることができる三次元計測方法および装置を提供するこ
とを第1の目的とする。
【0009】また、この発明は、試料の表面形状を正確
に表示することができる三次元表示方法を提供すること
を第2の目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、試料
の高さ方向において互いに異なる複数の高さ位置で複数
の画素よりなる水平面の共焦点画像をそれぞれ撮像し、
これら複数の共焦点画像に基づき前記試料の表面情報を
求める三次元計測方法であって、上記第1の目的を達成
するため、前記複数の共焦点画像に基づき、各画素ごと
に前記高さ方向において光量が最大となる高さ位置を表
面高さ位置として求める工程と、各画素ごとに、前記表
面高さ位置での光量を最大光量として求める工程と、各
画素ごとに、当該画素の周辺画素における表面高さ位置
および最大光量に基づき当該画素に対応する表面高さ位
置を補正して当該画素に対応する試料の表面情報とする
工程と、を備えている。
【0011】請求項2の発明は、上記第2の目的を達成
するため、請求項1の三次元計測方法により求められた
表面情報に基づき、各画素に対応して試料表面を示す印
を付して試料の表面形状を表示する。
【0012】請求項3の発明は、上記第1の目的を達成
するため、試料の高さ方向において互いに異なる複数の
高さ位置で複数の画素よりなる水平面の共焦点画像をそ
れぞれ撮像する撮像手段と、前記複数の共焦点画像に基
づき、各画素ごとに前記高さ方向において光量が最大と
なる高さ位置を表面高さ位置として求める表面位置検出
手段と、各画素ごとに、前記表面高さ位置での光量を最
大光量として求める最大光量検出手段と、各画素ごと
に、当該画素の周辺画素における表面高さ位置および最
大光量に基づき当該画素に対応する表面高さ位置を補正
することで当該画素に対応する試料の表面情報を求める
表面情報決定手段と、を備えている。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は、この発明にかかる三次元
計測装置の一実施形態を示す図である。この三次元計測
装置では、顕微鏡ステージ11が高さ方向Zに移動自在
に設けられるとともに、装置全体を制御する制御部20
からの信号に応じて駆動するモータ12と連結されてい
る。したがって、顕微鏡ステージ11の上面に試料OB
を載置した後モータ12を適当に制御することで、試料
OBを高さ方向Zの任意の高さ位置に位置決めすること
ができる。このように、この実施形態では、顕微鏡ステ
ージ11とモータ12とで、試料OBを高さ方向Zにお
いて互いに異なる複数の高さ位置に位置決めする移動手
段が構成されている。
【0014】また、顕微鏡ステージ11の上方位置にお
いて、試料OBの共焦点画像を撮像するための撮像ユニ
ット30が配置されている。この撮像ユニット30は、
キセノンランプなどの光源31と、共焦点用光スキャナ
32と、対物レンズ33と、CCDカメラ34とで備え
ており、上記のようにして所定の高さ位置に位置決めさ
れた試料OBの水平面XYの共焦点画像をCCDカメラ
34で撮像し、当該画像に関連するアナログ画像信号を
制御部20のビデオキャプチャ21に与える。
【0015】制御部20では、ビデオキャプチャ21に
与えられたアナログ画像信号がディジタル信号に変換さ
れ、後で詳述する三次元計測処理のためにCPU22に
与える。このCPU22は図示を省略する入出力ポート
を介してモータ12と接続されており、モータ12を制
御して試料OBを高さ方向Zに互いに異なる高さ位置に
位置決めしながら各高さ位置での水平面XYの共焦点画
像を得るとともに、これら複数の共焦点画像に基づき後
で詳説する三次元計測処理を実行して試料OBの表面を
表す表面情報を求める。このように本実施形態では、制
御部20が試料OBの表面情報を決定する表面位置検出
手段、最大光量検出手段および表面情報決定手段として
機能する。また、CPU22は入出力ポートを介して表
示モニタ40と接続されており、求められた表面情報や
内部情報に基づき試料OBの表面形状や断面形状を表示
モニタ40上に表示する。なお、同図における符号23
は画像データ等を一時的に記憶したり、後述の三次元計
測処理を実行するためのプログラムなどを記憶するメモ
リである。
【0016】なお、この実施形態では、撮像ユニット3
0を固定し、顕微鏡ステージ11を高さ方向Zに移動さ
せているが、顕微鏡ステージ11を固定しておき、撮像
ユニット30、あるいは対物レンズ33を高さ方向Zに
移動させる形態であっても、試料OBの共焦点画像を異
なる位置で複数得ることができる。
【0017】図2および図3は上記のように構成された
三次元計測装置の動作を示すフローチャートである。
【0018】まず、オペレータが制御部20に設けられ
たキーボード(図示省略)を介して顕微鏡ステージ11
の下限高さZl、上限高さZhおよび取り込み画像枚数n
(n>2)を入力する(ステップS1)。ここで、「取
り込み画像枚数n」とは、顕微鏡ステージ11を何段階
に位置決めしながら各高さ位置で試料OBの共焦点画像
を撮像するかを示す値である。
【0019】そして、ステップS1で与えられた値を次
式、 ΔZ=(Zh−Zl)/(n−1) に代入してステージ移動ピッチΔZを演算し、メモリ2
3に記憶する(ステップS2)。
【0020】それに続いて、制御部20からモータ12
に駆動指令信号を与えて、顕微鏡ステージ11を下限高
さZl(高さ位置D(1))に位置決めする(図4
(a))とともに、カウント値jを「1」に初期化する
(ステップS3)。このカウント値jは顕微鏡ステージ
11の高さ位置に関連するものであり、「1」から
「n」までの整数値をとる。
【0021】次に、ステップS4〜S7をn回実行して
顕微鏡ステージ11を下限高さZlから上限高さZhの範
囲内で互いに異なる高さ位置に位置決めしながら、各高
さ位置で水平面XYの共焦点画像Fjを撮像し、メモリ
23に記憶する。すなわち、ステップS4で試料OBの
相対高さ位置D(j)を次式、 D(j)=Zh−Zl−ΔZ×(j−1) にしたがって演算する。また、ステップS5で、その高
さ位置D(j)での共焦点画像Fjを撮像し、メモリ2
3に格納する。このことを概念的に示したのが、図5で
あり、例えば下限高さ位置D(1)では共焦点画像F1
が、また高さ位置D(2)では共焦点画像F2が、さら
に図4(b)に示す上限高さ位置D(n)では共焦点画
像Fnがそれぞれ撮像され、メモリ23に格納される。
そして、ステップS6で画像取り込みをn回実行したか
どうかを判別する。このステップS6で「No」と判断
される間、ステップS7で顕微鏡ステージ11をステー
ジ移動ピッチΔZだけ上昇させるとともに、カウント値
jを「1」だけインクリメントする。一方、ステップS
6で「Yes」と判別されると、ステップS4〜S7の
処理ループを抜け出し、ステップS8に進む。
【0022】ステップS8では、共焦点画像を構成する
画素のX,Y座標をそれぞれ示すカウンタ値x,yを
「1」,「1」に初期化する。
【0023】また、ステップS9では、カウント値j,
mをそれぞれ「2」、「1」に初期化するとともに、比
較値Vとして共焦点画像F1の画素(x,y)での光量
F1(x,y)を与える。なお、カウンタ値mは当該画
素(x,y)で光量が最大となる高さ位置を示す値であ
り、次に説明するように求められ、このカウンタ値mで
の高さ位置D(m)が当該画素(x,y)に対応する表
面高さデータH(x,y)となり、その位置での光量が
当該画素(x,y)に対応する最大光量I(x,y)と
なる。
【0024】ステップS10では、共焦点画像Fjの画
素(x,y)での光量Fj(x,y)が比較値Vよりも
大きいかどうかを判別する。ここで、「Yes」と判別
されると、比較値VをFj(x、y)に更新し、カウン
ト値mをカウント値jと一致させた(ステップS11)
後、次のステップS12に進む。一方、ステップS10
で「No」と判別されると、ステップS11の処理を実
行することなく、直ちに次のステップS12に進む。
【0025】次のステップS12では、カウント値jが
ステップS1で入力された取り込み画像枚数nよりも小
さいかどうかを判別し、「Yes」と判別される間、ス
テップS13でカウント値jを「1」だけインクリメン
トした後、上記ステップS10,S11の処理を繰り返
す。このように、ステップS10〜S13を繰り返すこ
とにより当該画素(x,y)で最大光量をとる高さ位
置、つまり表面高さ位置を求める(表面高さ位置決定処
理)。一方、ステップS12で「No」と判別される
と、この表面高さ位置決定処理から抜け出し、ステップ
S14を実行する。
【0026】このステップS14では、上記のようにし
て求められたカウンタ値mでの高さ位置D(m)を表面
高さ位置を示す表面高さデータH(x,y)に与える。
さらに、ステップS15でこの高さ位置D(m)での光
量Fm(x,y)を最大光量I(x,y)に与える。こ
れにより、当該画素(x,y)に対する表面高さデータ
H(x,y)および最大光量I(x,y)がそれぞれ求
まる。
【0027】そして、ステップS16で、x=xmaxか
つy=ymaxが満足されているかどうか、つまりすべて
の画素(x,y)について上記ステップS9〜S15の
一連の処理(画素(x,y)に対する表面高さデータH
(x,y)および最大光量I(x,y)を求める処理)
を実行したかどうかを判別し、このステップS16での
判別の結果が「No」の間、ステップS17でカウンタ
値(座標値)x,yを適当に設定することで対象画素を
ずらした後、上記処理(ステップS9〜S15)を繰り
返す。こうして、すべての画素画素(x,y)について
試料OBの表面高さ位置を表す表面高さデータH(x,
y)および最大光量I(x,y)を求め、図6に示すよ
うに画素に関連付けながら画素ごとに H(1,1),I(1,1)、 H(1,2),I(1,2)、 … H(xmax,ymax),I(xmax,ymax)、 の形でメモリ23に記憶される。なお、図6のデータ領
域DRは図7に拡大して示している。
【0028】次に、上記のようにして求めた表面高さデ
ータH(x,y)に対してノイズ処理を実行する(ステ
ップS20)。このノイズ処理は、各画素ごとに、当該
画素(以下「ノイズ処理対象画素」)の周辺画素を少な
くとも1点以上選択し、このノイズ処理対象画素での表
面高さデータを選択された周辺画素での表面高さデータ
および最大光量とに基づき補正する処理であり、その詳
細について図8を参照しつつ説明する。
【0029】図8は表面高さデータH(x,y)に対す
るノイズ処理を示すフローチャートである。この実施形
態では、まずステップS21で、オペレータが選択すべ
き周辺画素点数n、例えば「1」を入力する。これによ
り、図7に示すように、8つの周辺画素(x−1,y−
1)、(x,y−1)、(x+1,y−1)、(x−
1,y)、(x+1,y)、(x−1,y+1)、
(x,y+1)、(x+1,y+1)が選択され、これ
らの周辺画素での表面高さデータおよび最大光量、つま
り、 H(x-1,y-1),I(x-1,y-1)、 H(x ,y-1),I(x ,y-1)、 H(x+1,y-1),I(x+1,y-1)、 H(x-1,y ),I(x-1,y )、 H(x+1,y ),I(x+1,y )、 H(x-1,y+1),I(x-1,y+1)、 H(x ,y+1),I(x ,y+1)、 H(x+1,y+1),I(x+1,y+1)、 がメモリ23から読み出されることとなる。
【0030】また、このステップS21で、オペレータ
は上記周辺画素点数nのみならず、重みつけ処理の選択
を行う。ここで、「重みつけ処理」とは、ノイズ処理対
象画素(x,y)から各周辺画素までの距離に基づいて
ノイズ処理対象画素(x,y)への周辺画素の寄与の度
合を考慮に入れてノイズ処理対象画素(x,y)での表
面高さデータH(x,y)を補正する処理のことであ
り、この実施形態では、a)重みつけ処理を行わない、b)
〜d)第1ないし第3重みつけ処理、の4つの選択枝を用
意しておき、それらの中から1つを選択することができ
るように構成されている。なお、各重みつけ処理の内容
については、後で詳説する。
【0031】この重みつけ処理の種類選択を受けて、ス
テップS22で重みつけ係数k(i,j)を計算し、重
みつけ係数k(i,j)を示すテーブルを作成し、メモ
リ23に記憶する。
【0032】次に、ノイズ処理対象画素のX,Y座標を
それぞれ示すカウンタ値x,yを「n+1」,「n+
1」に初期化する(ステップS23)。そして、ノイズ
処理データの演算を行う(ステップS24)。
【0033】図9は、ノイズ処理データの演算を示すフ
ローチャートである。ここでは、まずカウント値i,j
をともに「−n」に初期化するとともに、ノイズ処理デ
ータZ(x,y)を「0」に初期化する(ステップS2
41)。
【0034】そして、ステップS242〜S247を実
行することで次式
【0035】
【数1】
【0036】に基づくデータ演算を実行する。ただし、
数1から明らかなように、ステップS243における右
辺の加算処理は、分数形式で書いた被加算値Z(x,
y)の分子分母に、加算値の分子分母をそれぞれ個別に
加算する処理を示している。後記の数5においても同様
である。なお、重みつけ係数k(i,j)は上記のよう
に予め次の4種類、a)重みつけ処理を行わない、 k(i,j)=1、 b)第1重みつけ処理;対象となるノイズ処理対象画素か
らの距離の二乗の逆数を重みつけ係数とする、
【0037】
【数2】
【0038】c)第2重みつけ処理;対象となるノイズ処
理対象画素からの距離の絶対値の逆数を重みつけ係数と
する、
【0039】
【数3】
【0040】d)第3重みつけ処理;対象となるノイズ処
理対象画素からの距離の最大値の逆数を重みつけ係数と
する、
【0041】
【数4】
【0042】を用意しておき、ステップS21での選択
結果に応じて適当な重みつけ係数k(i,j)を適用す
る。
【0043】すなわち、上記データ演算処理は以下のよ
うにして実行される。
【0044】ステップS242で、ノイズ処理対象画素
および周辺画素のX,Y座標をそれぞれ示すカウント値
a,bとして「x+i」、「y+j」をそれぞれ与え
る。そして、ステップS243で、当該画素(a,b)
に対応する表面高さデータH(a,b)、最大光量I
(a,b)および重みつけ係数k(i,j)をそれぞれ
メモリ23から読み出し、次式
【0045】
【数5】
【0046】に基づきノイズ処理データZ(x,y)を
求める。この式の右辺において、第1項はステップS2
43の演算処理の実行直前までのノイズ処理データZ
(x,y)の値であり、第2項は当該周辺画素(a,
b)がノイズ処理対象画素(x,y)での表面高さデー
タH(x,y)に与える影響を示す値である。
【0047】それに続いて、ステップS244でカウン
ト値iが周辺画素点数nと一致するかどうかを判別し、
「No」と判別される間、次のステップS245でカウ
ント値iを「1」だけインクリメントし、ステップS2
42に戻る。
【0048】一方、このステップS244で「Yes」
と判別されると、ステップS246に進み、カウント値
jが周辺画素点数nと一致するかどうかを判別し、「N
o」と判別される間、ステップS247でカウント値j
を「1」だけインクリメントし、ステップS242に戻
る。
【0049】このようにカウント値i、jがともに周辺
画素点数nとなるまでステップS242からステップS
247の処理ループを繰り返すことで、ノイズ処理対象
画素(x,y)での表面高さデータH(x,y)への周
辺画素の影響が加わり、当該表面高さデータH(x,
y)が補正される。
【0050】例えば、上記のように周辺画素点数nとし
て「1」を入力した場合、周辺画素(a,b)として、
次の8つの画素 (x−1,y−1)、 (x ,y−1)、 (x+1,y−1)、 (x−1,y )、 (x+1,y )、 (x−1,y+1)、 (x ,y+1)、 (x+1,y+1)、 が選択され、ステップS243の演算処理が実行される
ごとに、 H(x-1,y-1),I(x-1,y-1),k(−1,−1)、 H(x ,y-1),I(x ,y-1),k( 0,−1)、 H(x+1,y-1),I(x+1,y-1),k( 1,−1)、 H(x-1,y ),I(x-1,y ),k(−1, 0)、 H(x ,y ),I(x ,y ),k( 0, 0)、 H(x+1,y ),I(x+1,y ),k( 1, 0)、 H(x-1,y+1),I(x-1,y+1),k(−1, 1)、 H(x ,y+1),I(x ,y+1),k( 0, 1)、 H(x+1,y+1),I(x+1,y+1),k( 1, 1)、 のデータの組み合わせがそれぞれメモリ23から読み出
され、H(a,b),I(a,b),k(i,j)とし
て数5に代入されてノイズ処理データZ(x,y)が求
められる。こうして、ノイズ処理データの演算が完了す
ると、ノイズ処理データZ(x,y)をメモリ23に記
憶し、ステップS25に進む。
【0051】図8に戻って、ノイズ処理の説明を続け
る。このステップS25でカウンタ値xがxmax-nであ
るかどうかを判別し、「No」と判別される間、ステッ
プS26でカウンタ値xを「1」だけインクリメント
し、ステップS24に戻り、上記したデータ演算処理を
実行する。
【0052】一方、ステップS25で「Yes」と判別
されると、ステップS27に進み、カウンタ値yがyma
x-nであるかどうかを判別し、「No」と判別される
間、ステップS28でカウンタ値yを「1」だけインク
リメントし、ステップS24に戻り、上記したデータ演
算処理を実行する。
【0053】そして、ステップS27で「Yes」と判
別されると、上記のようにして演算したノイズ処理デー
タZ(x,y)を補正された表面高さデータH(x,
y)と書き換える。
【0054】このように、この実施形態によれば、各画
素ごとに、当該ノイズ処理対象画素(x,y)の周辺画
素(a,b)における表面高さデータH(a,b)およ
び最大光量I(a,b)に基づきノイズ処理対象画素
(x,y)の表面高さデータH(x,y)を補正してい
るので、ノイズの影響を排除して試料OBの表面形状を
正確に計測することができる。
【0055】試料OBの表面高さデータH(x,y)が
求まると、図3のステップS18に進み、上記のように
して得られた表面高さデータH(x,y)に基づき各画
素に対応して試料表面を表す印を付すことで表示モニタ
40上に試料OBの表面形状を表示する。こうして表示
モニタ40の描かれた表面形状の一例を図10に参考例
として示す。
【0056】このように、この実施形態では、単に試料
OBの表面情報、つまり表面高さデータH(x,y)を
求めて試料OBの三次元計測を行うのみならず、その表
面情報に基づき試料OBの表面形状を表示モニタ40上
に表示しているので、オペレータなどが試料OBの表面
形状を視覚的に、しかも容易に把握することができる。
【0057】なお、上記実施形態では、周辺画素点数n
として「1」を入力し、周辺画素として図7に示すよう
にノイズ処理対象画素(x,y)と隣接する8個を選択
しているが、周辺画素の選択はこれに限定されるもので
はなく、任意であり、ノイズ処理対象画素(x,y)の
周辺の少なくとも1つ以上の画素を選択することができ
る。
【0058】また、上記実施形態では、周辺画素として
ノイズ処理対象画素(x,y)と隣接する8個を選択す
るように設定しているため、隣接画素が8個存在しない
ノイズ処理対象画素、例えば(1,1)、(1,2)な
どについては、周辺画素によるノイズ処理を行っていな
いが、周辺画素を1つ以上選択し、その選択周辺画素を
利用してノイズ処理を行ってもよいことは言うまでもな
い。
【0059】
【発明の効果】請求項1および3の発明によれば、試料
の高さ方向において互いに異なる複数の高さ位置で共焦
点画像をそれぞれ撮像し、これらの共焦点画像に基づ
き、各画素ごとに高さ方向において光量が最大となる高
さ位置を表面高さ位置として求めるとともに、表面高さ
位置での光量を最大光量として求めた後、各画素ごと
に、当該画素の周辺画素における表面高さ位置および最
大光量に基づき当該画素に対応する表面高さ位置を補正
して当該画素に対応する試料の表面情報としているの
で、試料の傾斜部の存在などの影響を受けずに、試料の
表面形状を正確に計測することができる。
【0060】請求項2の発明によれば、上記のようにし
て求められた正確な表面情報に基づき、各画素に対応し
て試料表面を示す印を付して試料の表面形状を表示して
いるので、試料の表面形状を正確に表示することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる三次元計測装置の一実施形態
を示す図である。
【図2】図1の三次元計測装置の動作を示すフローチャ
ートである。
【図3】図1の三次元計測装置の動作を示すフローチャ
ートである。
【図4】図1の三次元計測装置の動作を示す模式図であ
る。
【図5】高さ位置D(j)と、各高さ位置D(j)での
共焦点画像Fjとの関係を示す概念図である。
【図6】メモリに記憶された表面高さデータH(x,
y)および最大光量I(x,y)を示す概念図である。
【図7】図6の部分拡図である。
【図8】表面高さデータH(x,y)に対するノイズ処
理を示すフローチャートである。
【図9】ノイズ処理データの演算を示すフローチャート
である。
【図10】図1の表示モニタに表示された試料の表面形
状の一例を示す図である。
【符号の説明】
11 顕微鏡ステージ 12 モータ 20 制御部 30 撮像ユニット 40 表示モニタ F1,F2,…,Fj,…,Fn 共焦点画像 H(x,y) 表面高さデータ(表面情報) I(x,y) 最大光量 OB 試料 Z 高さ方向 Z(x,y) ノイズ処理データ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01B 11/02 G02B 21/00

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料の高さ方向において互いに異なる複
    数の高さ位置で複数の画素よりなる水平面の共焦点画像
    をそれぞれ撮像し、これら複数の共焦点画像に基づき前
    記試料の表面情報を求める三次元計測方法において、 前記複数の共焦点画像に基づき、各画素ごとに前記高さ
    方向において光量が最大となる高さ位置を表面高さ位置
    として求める工程と、 各画素ごとに、前記表面高さ位置での光量を最大光量と
    して求める工程と、 各画素ごとに、当該画素の周辺画素における表面高さ位
    置および最大光量に基づき当該画素に対応する表面高さ
    位置を補正して当該画素に対応する試料の表面情報とす
    る工程と、を備えたことを特徴とする三次元計測方法。
  2. 【請求項2】 請求項1の三次元計測方法により求めら
    れた表面情報に基づき、各画素に対応して試料表面を示
    す印を付して試料の表面形状を表示することを特徴とす
    る三次元表示方法。
  3. 【請求項3】 試料の高さ方向において互いに異なる複
    数の高さ位置で複数の画素よりなる水平面の共焦点画像
    をそれぞれ撮像する撮像手段と、 前記複数の共焦点画像に基づき、各画素ごとに前記高さ
    方向において光量が最大となる高さ位置を表面高さ位置
    として求める表面位置検出手段と、 各画素ごとに、前記表面高さ位置での光量を最大光量と
    して求める最大光量検出手段と、 各画素ごとに、当該画素の周辺画素における表面高さ位
    置および最大光量に基づき当該画素に対応する表面高さ
    位置を補正することで当該画素に対応する試料の表面情
    報を求める表面情報決定手段と、を備えたことを特徴と
    する三次元計測装置。
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