JP3400495B2 - 電気コネクタ保護装置及び方法 - Google Patents

電気コネクタ保護装置及び方法

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JP3400495B2
JP3400495B2 JP18338293A JP18338293A JP3400495B2 JP 3400495 B2 JP3400495 B2 JP 3400495B2 JP 18338293 A JP18338293 A JP 18338293A JP 18338293 A JP18338293 A JP 18338293A JP 3400495 B2 JP3400495 B2 JP 3400495B2
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/66Structural association with built-in electrical component
    • H01R13/665Structural association with built-in electrical component with built-in electronic circuit
    • H01R13/6666Structural association with built-in electrical component with built-in electronic circuit with built-in overvoltage protection

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気コネクタをサージ電
圧または電流から保護する電気コネクタ保護装置及びそ
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路のような電子部品のパッケージ
には、これまでは、抵抗、キャパシタ、インダクタのよ
うな単一素子によって占有されていた部分内に数百の回
路機能を有する。その結果、素子間の物理的間隔は非常
に狭くなり、素子自体が脆くなるだけでなく、実用環境
で遭遇する多くの現象に起因する過渡的な信号(トラン
ジエント信号)により損傷を受け易い。個々に、または
装置に生起される短絡回路落雷、静電電荷からの誘起電
圧のすべては、それぞれの経路で部品内に生じ、内部素
子を破壊し、機能欠陥を引き起こすことになる。電気的
オーバーストレス(EOS)に起因するこの欠陥を解決
するため、部品が保持されている同一回路基板上に通
常、搭載されている多くの回路保護デバイスが提案され
ている。これらのデバイスは、通常、バリスタやツェナ
ーダイオードと同様に、動作が比較的遅く、ジュール熱
に応答して開放する電気ヒューズを有する。また、スパ
ークギャップデバイス、薄膜デバイス、LCフィルター
を含む他の多くのデバイスが採用されている。米国特許
第4,729,752号には、電気コネクタ(以下、単にコネク
タという場合もある)内に適合する基板上に搭載された
背中合せ接続のダイオードの形で構成されたトランジエ
ント抑圧デバイスが開示されている。このデバイスは、
特定レベル以外の電圧がコネクタの信号導体を通して伝
達するとき当該電圧を抑圧し、コネクタと一体化して貴
重な基板スペースを節約する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述のすべての保護デ
バイスは、EOSデバイスに適合させるためには、特別
な取り付けや取り扱い、または既存のコネクタ設計の変
更が必要である。多くの従来のEOSデバイスは、大型
で、応答が遅く、基板上の部品保護のための搭載の面で
高価である。
【0004】そこで、本発明の目的は、過大なトランジ
エントに抗して基板搭載部品保護を得るため、電気コネ
クタ上に適合されたEOSデバイスを提供することにあ
る。本発明の他の目的は、かかるコネクタの大幅な変更
を伴うことなく、既存のコネクタ設計技術が利用できる
EOSデバイスを提供することにある。本発明の更に他
の目的は、コスト効率が良く、容易に採用可能な部品保
護用のEOSデバイスとコネクタを提供することにあ
る。本発明の更に他の目的は、改良された特徴を有する
EOSデバイスと電気コネクタの組合わせを提供するこ
とにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明による電気コネク
保護装置は、少なくとも一部分がシールド部材で覆
われた絶縁ハウジング内に少なくとも1個の信号コンタ
クトを有する電気コネクタの保護装置であって、前記
信号コンタクトに接続され第1コンタクトと、前記シ
ールド部材に接続され第2コンタクトと、前記第1及
び第2コンタクトを保持するハウジングとにより前記信
号コンタクトを高電圧から保護する電気コネクタ用保護
装置において、前記保護装置の前記ハウジングは有底の
キャビティを有し、前記第1及び第2コンタクトは、前
記キャビティ内で所定のギャップをおいて対向配置さ
れ、前記キャビティ及び前記ギャップは、導体又は半導
体粒子と絶縁材料とからなるマトリクス材料で充填され
ている構成を有する。本発明による電気コネクタ保護
装置の製造方法は、信号コンタクトへの接続部を途中に
有し、一端がキャリアに連結され、他端が所定位置に配
列された第1コンタクトを金属板から形成することと、
一端がキャリアに連結され、他端に前記第1コンタクト
の他端の対向部を有する第2コンタクトを金属板から
形成することと、前記第1コンタクトの他端と前記第2
コンタクトの前記対向部とを所定のギャップをおいて
向配置し、プラスチック材料でモールドして有底のキャ
ビティを有するハウジングを形成することと、前記ギャ
ップ及び前記キャビティを、導体又は半導体粒子と絶縁
材料とからなるマトリクス材料で充填することと、より
成る
【0006】
【作用】本発明では、電気コネクタに適合する形状のE
OSデバイスによって上述目的を達成している。このデ
バイスは、第1と第2のコンタクトが内部にインサート
モールドされ、温度に対して安定なプラスチックハウジ
ングを有する。各コンタクトは、ハウジングの内部に、
正確な空間ギャップを規定する端部をもつ。このギャッ
プは、ハウジング体内に流入される極小サイズの絶縁、
導電または半導電粒子のマトリックス材料で充填されて
いる。この材料は、空間ギャップに関連して、抵抗変化
により、過大なトランジエントをコネクタ内の信号通路
からコネクタの接地回路に流れさせるようにしたEOS
保護を与える特性をもっている。デバイスのコンタクト
は、コネクタの信号コンタクトに取り付けられる第1の
コンタクトと、コネクタの接地回路に取り付けられるも
う一つのコンタクトを有する。デバイスの種々のコンタ
クトは、曲げ可能な薄い導電性金属から成り、デバイス
のコネクタの幾何形状部、コネクタ部上のネスト及び残
部への適合性を実現している。こうすることによって、
与えられたデバイスを異なるコネクタの形状に適応させ
ることができ、与えられたデバイス部品番号の利用性を
拡大している。
【0007】その製造方法としては、打ち抜きまたはエ
ッチングにより、デバイスの導電素子を規定する薄い導
電シートストックを形成し、ストック内の穴のような保
持手段を含むようにデバイスの導電素子を形成し、コン
タクト間の空間ギャップを規定する正確な固定を可能と
する。また、ばね荷重されたシムを正確なギャップを規
定するために用いることもできる。次に、固定コンタク
ト部が、シートストック上へのモールドクランプによっ
てインサートモールドされ、シムにより清浄に保たれた
コンタクトの端部間の空間ギャップとともにコンタクト
を規定する部分の表面回りをモールドする。インサート
モールド処理の後、シートストックのキャリヤ部が除去
され、ハウジング内に形成された内側部が、圧力のも
と、絶縁、導体または半導体材料の適当な混合マトリク
ス材料で充填され、ギャップを充填し、マトリクスに対
して正確な寸法を確立し、デバイスに対する正確な電圧
抑圧、クランプ電圧を実現する。デバイスのコンタクト
は、容易に曲げ加工でき、種々の標準コネクタフォーマ
ットに適応し、コネクタの信号コンタクトと、接地回路
間に適用される。
【0008】
【実施例】以下、本発明の電気コネクタ保護装置及びそ
の製造方法の実施例を添付図を参照して詳述する。さ
て、図1を参照すると、電気コネクタアセンブリ10
は、コネクタ12と組み立て前のEOSデバイス24を
含んでいる。コネクタ12は、基板に対する入出力機能
を有し、コンピュータ、通信及びビジネス機械の機能を
規定する種々の部品を有する基板搭載コネクタである。
通常、かかる基板は集積回路を有する。この集積回路列
は、基板内の導電トレースを介して相互接続され、かか
るコネクタに取り付けられるコネクタ、ケーブル及び他
のコネクタを介して回路を駆動、または、これらの回路
により駆動される。コネクタ12は、通常、プラスチッ
ク絶縁ハウジング14と、これを印刷回路基板に取り付
ける固定具16と、適合スルーホールとを有する。信号
コンタクト18は、ハウジング14の後面から延びてお
り、前方端は、コネクタ12と係合する相手コネクタ
(図示せず)のポストまたはリセプタクルと嵌合するよ
うにハウジング内に設けられている。また、代表的なコ
ネクタ12には、ハウジング14の周囲に延び、前方に
突出している一体金属シェル22と結合する金属製接地
シールド20が設けられている。シェルは図2と図3に
も示されている。信号コンタクト18は、通常、基板内
のスルーホールや開口部と適合するポスト部19を有す
る。ポスト部19は、はんだ付けされて上記基板のトレ
ースと接合され、基板上の部品と相互接続される。
【0009】これら部品への及びこれら部品からの信号
は、コンタクト18を通り、時にEOSの問題を生じさ
せる。例えば、コネクタにより機能する装置やコネクタ
が搭載された基板上の部品の近傍以外での落雷は、電圧
を誘起し、トランジエント電流のサージを、コネクタが
接続されたケーブルを結合して流すこととなる。したが
って、コネクタを通して導通されているケーブル上及び
部品内にもトランジエントが生じ、破壊してしまう。静
電電荷は、それぞれ別に生じ、15,000ボルトを簡
単に越えてしまい、装置、ケーブル、キーボード、ケー
ブルやコネクタにより相互接続された他の目的物の一つ
に接触することにより、基板や部品に放電される。これ
らトランジエントは、しばしば短持続時間幅であり、ナ
ノ秒程度の立ち上がり時間とミリ秒以下の持続時間をも
っている。これらは、集積回路のような電子部品内の脆
く、密接離隔トレースを破壊するに充分なエネルギーレ
ベルをもっている。この問題は、高速データ伝送、一般
には、デジタルパルスが通常、高速立ち上がりパルス波
形をもち、部品を破壊または破損するレベル以下の有限
な電圧レベルであるので、より複雑化される。
【0010】図10には、図示の立ち上がり時間をもつ
電圧スパイクTVと、点線で示されている実際のレベル
とが示されている。TVの包絡線内に含まれているエネ
ルギーは、電子部品を損傷または破壊するに充分なもの
である。図10に関連して、時間と電圧のスケールは、
適用毎に大幅に変化し、縦軸単位は数百〜数千ボルトに
わたり、時間単位は目盛毎にピコ秒から数百ナノ秒にわ
たる。EOSデバイスは、実線曲線に従う機能をもたな
ければならず、高速立ち上がり時間及び過大電圧を検出
し、接地回路へのトランジエントが存在する信号通路間
を導通させ、クランプ電圧用のCVで示すカーブ部分で
示されるように電圧をクランプしている。こうして、回
路部品は、より高電圧TVと、更にトランジエント電圧
のジュールエネルギーに関連した一連の高電界も経験な
しで保存され、図10のTVとCV間の相違に関連したエ
ネルギーを低減している。
【0011】電気的EOS保護材料については、米国特
許第4,331,948号と第4,726,991号に開示されており、ま
たEOS保護デバイス及び材料については、米国特許第
4,977,357号に開示されている。これら3つの米国特許
をEOS保護に有用な材料マトリクスについて引用して
おく。これらの米国特許では、マトリクス状に絶縁材料
でコーティングされた導体や半導体粒子と結合された絶
縁材料を含む材料が示されており、高エネルギー電気的
トランジエントに対する高速応答性が得られるととも
に、接地と信号回路間の抵抗を制御してトランジエント
保護が得られることが示されている。以下の説明では、
マトリクス材料は、図1に示すようなEOS材料やコネ
クタに関連する製造方法や用途で用いられている。上述
特許の材料は、高速立ち上がり応答であるため、特定用
途で望ましいが、トランジエント保護の広範囲への利用
では、他の特性のトランジエントの異なる電圧に適合す
べく変化するマトリクス構成をもつ他の材料が充分に考
慮される。上述の特許でも述べているように、粒子サイ
ズ、絶縁フィルムや絶縁材料の選択、半導体材料の選択
は、かかるマトリクスを利用するデバイスの応答特性に
対して効果を有する。
【0012】電圧トランジエント応答を調整する更なる
パラメータは、信号及び接地回路に取り付けられた電極
間のギャップであり、電圧トランジエント応答を調整す
る。このギャップは、マトリクス材料が存在する間隔を
規定し、このマトリクス内に存在する一連の導体や半導
体粒子を規定するとともに、電圧トランジェントに対す
る応答特性を規定する。このギャップの間隔は応答特性
の決定を助長する。満足できる特性が、0.024mm
〜0.24mmの範囲、好ましくは0.048mm〜0.
096mmの範囲で確認されている。
【0013】図1に戻ると、EOSデバイス24は、プ
ラスチックハウジング26を備え、プラスチックハウジ
ング26は、共通バー76により互いに結合され、その
一側から延びる一連の第1コンタクト50と56と、他
側から延びる一連のもう一つの、つまり第2コンタクト
68を有する。デバイス24は、コネクタ12に適用さ
れるような形状とされており、ハウジング26の本体
が、図2に示す方法でコネクタのハウジング14の表面
上に設けられている。図から明らかなように、部分76
は、接地シールド20上に置かれ、公知のはんだ付けや
他の手段によって、そこに接合される。第1コンタクト
50と56は、コンタクト18上で適合する部分で終端
する。コンタクト50は、こうしてコンタクト18のポ
スト部上にスリップする開口54をもつ丸められた部分
52を含んでおり、はんだ付けまたは他の手段により、
そこに相互接続される。このとき、コンタクト56は、
コンタクト18に適合する開口60をもつ丸められた部
分58を有し、はんだ付けや他の手段によりそこに相互
接続される。図2に示すように、EOSデバイス24
は、コネクタ12に緊密適合して、その表面上に載せら
れ、種々のコンタクトがコネクタ12の幾何形状に適合
させられる。
【0014】図3において、他の実施例のコネクタ1
2′は、ハウジング14′,19′で終端する信号コン
タクト18′,22′で前方に延びる接地シールド2
0′を含んでいる。コネクタ12′と12間の本質的な
違いは、コネクタ12′が信号コンタクト18′の一部
として直角ポスト19を有する点である。これら直角ポ
スト19は、印刷回路基板の穴を通して延び、そこに、
はんだ付けされる。このとき、デバイス24′は、図3
に示すように、コネクタ12′の下方において、コネク
タと、信号と接地シールドに接合される回路基板(図示
せず)との間に入れ子にされる。
【0015】図1〜図3から理解されるように、本発明
は、異なるコネクタプロファイルと外形内部に適応する
EOSデバイスパッケージを想定している。
【0016】EOSデバイスの構造について図4〜図9
を参照して説明する。図4において、平板導電金属ブラ
ンク40と62を含むプロファイルが、エッジ55と
で、それぞれ分離されている。ブランク40は、キャ
リア穴44をもつキャリアエッジ部42を有し、ブラン
ク62はキャリア穴64をもつ外側キャリア63を有す
る。更に、ブランクの内側には、他の穴46と66があ
り、ブランクの分離端表面55と65がある。また、ブ
ランク40は、端子部を通してキャリア42と接合する
一連の第1コンタクト50と56を有する。例えば、端
子部52は、第1コンタクト50と結合された開口54
をもち、短い第1コンタクト56が開口60をもつ端子
部58を有する。ブランク40の第1コンタクト50と
56及び残る対応する第1コンタクトは、開口54と6
0がコネクタのコンタクト中心、信号コンタクト18の
ポスト部の相補的中心上にあるようなパターン状に配設
されている。ブランク40と62は、好ましくは、簡単
に曲げることができる銅シート材料から打ち抜き形成さ
れる。ブランクは、ひな型目的のため、エッチングによ
り形成されるが、この技術が利用されているときには、
端表面55と65は好ましくは、電解研磨され、一定の
表面寸法で正確に仕上げる。EOSデバイス24の形状
は、図1、図2、図7及び図8に示されており、第1コ
ンタクト50と56が、デバイス本体に対して略直角に
曲げられ、部分76が反対側に曲げられてデバイスのコ
ネクタ12への相互接続を容易にする。図3に示す実施
例では、第1コンタクト50′と56′は曲げられずに
真っ直ぐであり、部分76′が図示の如く接地シールド
20′に取り付けられるように曲げられている。
【0017】図4に示すようにブランキングに引き続い
て、ブランク40と62が分離され、ブランクが内側形
状をもつモールド内に正確に位置付けられ、図6、図7
及び図9に示すような断面形状のモールドを与えて、更
なる工程が実行される。図示のごとく、内側チャンネル
28をもつプラスチック材料30のハウジング26は、
平板ベース32を有し、ブランク62から形成された第
1コンタクト50と56及び第2コンタクトの回りにモ
ールドされる。図5と図9からわかるように、ハウジン
グ26のプラスチック材料は、開口46と66を通して
流れ、コンタクトをハウジングに固定する。ハウジング
26は、好ましくは、適当な長さのブランク40と62
上にモールドされ、コネクタ内で用いられる通常よりも
多くのコンタクトを有し、引き続いて必要なコンタクト
数を規定するため適当な長さに切断される。
【0018】好適な製造方法では、ハウジング26を形
成するために利用されているモールドは、図6に示され
ている断面形状の2つの部分を有する。上方部分80
は、ハウジングの壁30を形成する一対のキャビティ8
2を有し、下方部86はハウジングの底半部を形成する
キャビティ88を有する。モールドの上方部80には、
キャビティ内に延下しているシムストック84の一部が
中心付けられており、それに抗してブランクの端表面5
5と65がシムストック厚さを通して、その間の正確な
ギャップ71を規定するようになされる。ハウジング2
6をモールドするために利用されるモールドは、図5に
示すように、コンタクト50と56間に延下し、ストッ
ク62の表面に延下している種々の突起をもつ平坦プロ
ファイルを有する。ハウジングを形成する材料は、図示
の如く、開口46と66を通して流れる。熱的に安定な
特性をもつ熱硬化材料は、使用されるデバイスのギャッ
プ間隔を維持し、デバイスがコンタクトと接地シールド
にはんだ付けされるとき、はんだ付け温度に耐えるため
に好ましい。液晶ポリマーや高温度熱可塑性物質のよう
な高温はんだ付けに耐え得る他のプラスチックも用いる
ことができる。本発明の方法の一部として、シムストッ
クの使用によりギャップの正確な寸法付けを可能とす
る。つまり、シムストックがきわめて密接厚さの許容誤
差に利用可能であり、微小仕上げにおいて、端部表面5
5と65の密接配設による必要なギャップ制御を規定す
ることを可能とする。
【0019】図5に示す方法でモールドされたストック
長をもち、本発明は、図9に示す方法で、所定の圧力の
下、マトリクス材料72をギャップ1内に流してハウジ
ング26内のキャビティ28を充填するという次のステ
ップを有する。多くのマトリクス材料は、比較的練り状
の硬度を有し、ギャップ71の狭い境界内に流すために
スクリュー圧力が必要である。しかし、経験上、容易に
なし遂げることができる。
【0020】図9に示す動作及びマトリクス材料72に
よるギャップ71の充填に引き続いて、ブランクとハウ
ジングが、与えられたコネクタ利用に適合する長さに切
断され、図3に示す方法の利用のために直線とされたま
か、又は図2に示す方法で曲げられ、図1〜図8に示
すように、コネクタの幾何形状に適合させられる。図1
1は、チャンネル128をもつハウジング126を有す
るデバイスの他の実施例124を開示している。この実
施例では、第1と第2コンタクト150,168は、互
いに重畳し、横たわるコンタクトの表面間のギャップ1
71を形成するように、チャンネル128内に延び、そ
の中にマトリクス材料が配設されている。ハウジング1
26は、以後の動作でそれぞれのコンタクトをオーバー
モールドすることにより製造される。
【0021】本発明は、異なるギャップ方法を選択した
り、異なるマトリクス材料を選択することによって、電
圧トランジェント抑制についての広範囲の動作特性を実
現する。前述米国特許で開示されるものと類似のマトリ
クス材料と、0.048mmと0.072mm程度のギャ
ップ方法を利用するプロトタイプの応用の中では、1
5,000ボルト程度のトランジェントパルスの電圧抑
圧が5ナノ秒の周期内で18ボルトのレベルに縮小され
た。
【0022】本発明では、電気コネクタが搭載される回
路基板上の電気回路を保護する既存の電気コネクタに付
加できるEOSデバイスが得られる。本発明の電気コネ
クタは、電気コネクタのシールド部材に電気的に接続さ
れたEOSデバイスの第2コンタクトを有するEOSデ
バイスの第1のコンタクトが接続された電気コンタクト
を有する。こうして、第1と第2コンタクトの表面は、
マトリクス材料が配設されたギャップにより分離され
る。これは、マトリクス材料の特性が所定レベル以上の
電圧をコネクタの信号コンタクトからEOSデバイスの
コンタクトを通してシールド部材に通過させる所定レベ
ルより高い電圧を許容するように選択されている。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
簡易な構造で、応答性が良く、搭載が容易な電気コネク
タの保護装置及びその製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す複数コンタクト電気コ
ネクタの後方の斜視図である。
【図2】図1に示すコネクタの左側面図であり、取り外
された後方突出固定部とEOSデバイスを示し、点線が
適用前の位置にあるEOSを示す。
【図3】本発明の他の実施例の図2と同様なコネクタへ
の適用時の側面図である。
【図4】デバイスを形成するためにハウジングへの適用
前のシート金属板を示す平面図である。
【図5】ハウジングの素子への適用後の図4に示す素子
の平面図である。
【図6】図5の線6ー6の端部、垂直断面図を示す図で
ある。
【図7】キャリアを除去して一つの構造を形成した後の
図6に示すデバイスを示す図である。
【図8】図7に示すデバイスの部分断面を有する斜視図
である。
【図9】ハウジング内のマトリクス材料のインサートモ
ールド及びモールドに引き続くEOSデバイスの側面の
垂直断面図である。
【図10】本発明によるEOSデバイスの応答特性を示
す電圧と経過時間との関係を示す図である。
【図11】本発明によるEOSデバイスの他の実施例の
断面図である。
【符号の説明】
12 電気コネクタ 14 ハウジング 18 信号コンタクト 20 シールド部材 42,63 キャリア 50,56 第1コンタクト 68 第2コンタクト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 トーマス ジョン リンチ アメリカ合衆国 ペンシルバニア州 17035 メカニクスバーグ イースト パウダーホーン ロード 1110 (72)発明者 クリストファー ジェー. コリンズ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94536 フレモント クェンカウエイ 643 (72)発明者 ジェイムズ マーシュ イングリッシュ アメリカ合衆国 ペンシルバニア州 17003 アンビル ウエストメインスト リート 219 (72)発明者 ジョン チャールズ ファーラー アメリカ合衆国 ペンシルバニア州 17112 ハリスバーグ ウインブルドン ドライブ 4096 (56)参考文献 特表 平1−501983(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01R 13/66 H01R 13/533

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】少なくとも一部分がシールド部材で覆われ
    た絶縁ハウジング内に少なくとも1個の信号コンタクト
    を有する電気コネクタの保護装置であって、前記信号
    コンタクトに接続され第1コンタクトと、前記シール
    ド部材に接続され第2コンタクトと、前記第1及び第
    2コンタクトを保持するハウジングとにより前記信号コ
    ンタクトを高電圧から保護する電気コネクタ用保護装置
    において、 前記保護装置の前記ハウジングは有底のキャビティを有
    し、 前記第1及び第2コンタクトは、前記キャビティ内で所
    定のギャップをおいて対向配置され、 前記キャビティ及び前記ギャップは、導体又は半導体粒
    子と絶縁材料とからなるマトリクス材料で充填されてい
    ことを特徴とする電気コネクタ保護装置。
  2. 【請求項2】信号コンタクトへの接続部を途中に有し、
    一端がキャリアに連結され、他端が所定位置に配列され
    た第1コンタクトを金属板から形成することと、 一端がキャリアに連結され、他端に前記第1コンタクト
    の他端の対向部を有する第2コンタクトを金属板から
    形成することと、 前記第1コンタクトの他端と前記第2コンタクトの前記
    対向部とを所定のギャップをおいて対向配置し、プラス
    チック材料でモールドして有底のキャビティを有するハ
    ウジングを形成することと、 前記ギャップ及び前記キャビティを、導体又は半導体粒
    子と絶縁材料とからなるマトリクス材料で充填 すること
    と、より成ることを特徴とする電気コネクタ保護装置
    の製造方法。
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