JP3397928B2 - 半導体デバイス - Google Patents
半導体デバイスInfo
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、欠陥密度が少ない非
晶質半導体及びこれを用いた半導体デバイスに関する。 【０００２】 【従来の技術】非晶質半導体、特に非晶質シリコンは、
安価な半導体材料として太陽電池、ＴＦＴ等様々な半導
体デバイスに用いられている。ところが非晶質半導体
は、その膜中の欠陥密度が結晶シリコンや多結晶シリコ
ンよりも多く、このためこれを用いた半導体デバイスの
特性も劣悪なものとなるという問題がある。 【０００３】非晶質半導体の欠陥密度が多い原因の一つ
として、その作製時に膜中に混入するＯ，Ｎ，或いはＣ
等の不純物に起因する欠陥準位の生成がある。この不純
物の混入による欠陥準位の生成を防止するために、従来
用いられていた装置よりも高真空まで排気可能な製造装
置を用いて、膜中の不純物を低減する試みがなされてい
る（S.Tsuda et al., Proceedings of 18th IEEE PVSC,
Las Vegas, 1985）。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上記の製造装置を用い
ることにより、膜中の不純物濃度が従来よりも約１桁低
減された非晶質半導体を形成することができ、またその
膜中の欠陥密度も従来の約１／５まで低減することが可
能となった。然し乍ら、結晶シリコンや多結晶シリコン
と比べると、未だ非晶質半導体中の欠陥密度を充分に低
減できるまでには至っていない。 【０００５】 【０００６】本発明は、太陽電池のｉ層或いはＴＦＴの
チャネル部等、半導体デバイスの主たる半導体層に欠陥
密度の低い非晶質シリコンを用いることにより、良好な
デバイス特性を有する半導体デバイスを提供することを
目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の半導体デバイス
は、膜中に含ませたボロン及び酸素の濃度が夫々１×１
０ 17 〜１×１０ 19 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 3 及び１×１０ 20 〜
１×１０ 22 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 3 の範囲である非晶質シリ
コンを主たる半導体層として用いたことを特徴とする。 【０００８】 【０００９】 【００１０】 【００１１】【作用】 本 発明の半導体デバイスは、欠陥密度の少ない
非晶質シリコンを主たる半導体層に用いているので、良
好なデバイス特性を有する。 【００１２】 【実施例】ここでは、代表的な非晶質半導体である非晶
質シリコンを形成した。表１は、本発明及び比較例の非
晶質シリコンの形成条件である。本実施例では、反応ガ
スとしてＳｉＨ4，ＣＯ2及びＢ2Ｈ6の混合ガスを用いて
プラズマＣＶＤ法で形成することによって、ノンドープ
の非晶質シリコン中に酸素及びボロンを含ませた。これ
に対し比較例１の非晶質シリコンは、原料ガスとしてＳ
ｉＨ4のみを用いてプラズマＣＶＤ法で形成した、ノン
ドープの膜である。加えて比較例２として、反応ガスに
ＳｉＨ4１００ｓｃｃｍと水素で１００ｐｐｍに希釈し
たＢ2Ｈ6０．１ｓｃｃｍの混合ガスを用いて、膜中にボ
ロンをドープした非晶質シリコンも形成した。これらの
非晶質シリコン中の酸素及びボロン濃度を表２に示す。 【００１３】 【表１】 【００１４】 【表２】 【００１５】表２から、ノンドープの非晶質シリコンで
ある比較例１に対し、比較例２の非晶質シリコンはボロ
ン濃度が増加しており、本実施例の非晶質シリコンは酸
素濃度、ボロン濃度ともに増加していることがわかる。 【００１６】これらの非晶質シリコンの欠陥密度を一定
光電流法（ＣＰＭ：Constant Photocurrent Method）を
用いて評価した。膜中の欠陥が増加すると、これに伴い
欠陥による光の吸収量が増加する。本測定法は、低エネ
ルギー領域での光吸収スペクトルを測定することによ
り、膜中の欠陥を評価する方法である。 【００１７】図１は、ＣＰＭ法を用いて測定したこれら
の非晶質シリコンの光吸収スペクトルである。 【００１８】図１から、本発明の非晶質シリコンでは、
１．４ｅＶ以下の低エネルギー領域での光吸収係数が、
比較例１よりも小さく、欠陥密度が低減されていること
がわかる。また比較例２に於いては、比較例１よりも光
吸収係数が大きくなっていることから、単に膜中にボロ
ンのみを添加しただけでは欠陥密度が増大することがわ
かる。さらに、図示はしないが、酸素のみを添加した非
晶質シリコンも、その膜中の欠陥密度は比較例１よりも
大きくなる。これらの結果から、膜中にボロンと同時に
酸素を加えることによって、欠陥密度を低減できること
がわかる。 【００１９】次に、反応ガス中のＣＯ2流量及びＢ2Ｈ6
流量を変化させて非晶質シリコンを形成し、膜中の欠陥
密度を測定した。表３はこれらの非晶質シリコンの形成
条件である。 【００２０】 【表３】 【００２１】表３の条件で形成した非晶質シリコンの欠
陥密度を、前述の実施例と同様にＣＰＭを用いて評価し
た。図２は、横軸が酸素濃度、縦軸がボロン濃度であ
る。同図に於いて、丸印で示した酸素濃度とボロン濃度
の組み合わせは、これらの組み合わせを有する非晶質シ
リコンの低エネルギー領域での光吸収係数が、前述の比
較例１よりも小さいことを表している。 【００２２】同図から、酸素濃度を１×１０20〜１×１
０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、ボロン濃度を１×１０17〜１
×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の範囲となる本発明の非晶
質シリコンは、比較例１よりも欠陥密度が少ないことが
わかる。 【００２３】また同図に示した２本の破線は、酸素濃度
に対してボロン濃度が０．０１％及び１％の線である。
同図の丸印がこの２本の破線に挟まれた領域にあること
から、酸素濃度及びボロン濃度を上記の濃度範囲とし、
さらに酸素濃度に対するボロン濃度の割合を０．０１〜
１％の範囲とすることにより、非晶質シリコン中の欠陥
密度を有効に低減できることがわかる。 【００２４】尚、本実施例では反応ガスとしてＣＯ2を
添加しているが、劣悪な製造装置では、内壁からの脱ガ
スやリーク等の影響により、ＣＯ2を添加しなくとも酸
素濃度が多い非晶質シリコンが形成される場合がある。
その場合には、反応ガスとしてＢ2Ｈ6を用いてボロンの
みを添加すれば本発明非晶質半導体が得られることは言
うまでもない。 【００２５】また、酸素やボロンを含ませるための反応
ガスとして、本実施例に於いてはＣＯ2或いはＢ2Ｈ6を
用いているが、これに限るものではなく、Ｏ2、Ｈ2Ｏ或
いはＢ（ＣＨ3）3等の、他の酸素源或いはボロン源とな
るガスを用いることもできる。 【００２６】次に、本発明の非晶質シリコンを用いて、
半導体デバイスである太陽電池を形成した。図３は、本
実施例の太陽電池の素子構造断面図である。本実施例の
太陽電池に於いては、主たる半導体層であるｉ層４に本
発明の非晶質シリコンを用いている。 【００２７】同図に於いて、１はガラス基板であり、２
はＳｎＯ2から成る透明電極である。透明電極２は熱Ｃ
ＶＤ法で形成した。３はｐ型の非晶質シリコンカーバイ
ドから成るｐ層であり、原料ガスとしてＳｉＨ4，ＣＨ4
及びＢ2Ｈ6の混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で形成
した。４は本発明の非晶質シリコンを用いたｉ層であ
り、表１と同じ条件で形成した。また５はｎ型の非晶質
シリコンから成るｎ層であり、原料ガスとしてＳｉＨ4
及びＰＨ3の混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で形成
した。６はＡｇから成る裏面電極であり、蒸着法で形成
した。また、ｉ層４に前述の比較例１の非晶質シリコン
を用いた太陽電池も形成した。ｉ層４の膜厚は約２００
０Åである。これらの太陽電池の光電変換効率を測定し
たところ、本発明の太陽電池では１１．２％と、比較例
１の太陽電池の１１．０％よりも高い値が得られた。こ
のことから、本発明の、欠陥密度が低減された非晶質シ
リコンを主たる半導体層に用いることにより、デバイス
特性を向上できることがわかる。 【００２８】 【００２９】 【００３０】尚、半導体デバイスとしては実施例の太陽
電池に限らず、ＴＦＴのような他の半導体デバイスにつ
いてもデバイス特性を向上させることができる。 【００３１】 【００３２】【発明の効果】 本発明の半導体デバイスは、 欠陥密度の
少ない非晶質シリコンを主たる半導体層に用いるので、
良好なデバイス特性を有する。
晶質半導体及びこれを用いた半導体デバイスに関する。 【０００２】 【従来の技術】非晶質半導体、特に非晶質シリコンは、
安価な半導体材料として太陽電池、ＴＦＴ等様々な半導
体デバイスに用いられている。ところが非晶質半導体
は、その膜中の欠陥密度が結晶シリコンや多結晶シリコ
ンよりも多く、このためこれを用いた半導体デバイスの
特性も劣悪なものとなるという問題がある。 【０００３】非晶質半導体の欠陥密度が多い原因の一つ
として、その作製時に膜中に混入するＯ，Ｎ，或いはＣ
等の不純物に起因する欠陥準位の生成がある。この不純
物の混入による欠陥準位の生成を防止するために、従来
用いられていた装置よりも高真空まで排気可能な製造装
置を用いて、膜中の不純物を低減する試みがなされてい
る（S.Tsuda et al., Proceedings of 18th IEEE PVSC,
Las Vegas, 1985）。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】上記の製造装置を用い
ることにより、膜中の不純物濃度が従来よりも約１桁低
減された非晶質半導体を形成することができ、またその
膜中の欠陥密度も従来の約１／５まで低減することが可
能となった。然し乍ら、結晶シリコンや多結晶シリコン
と比べると、未だ非晶質半導体中の欠陥密度を充分に低
減できるまでには至っていない。 【０００５】 【０００６】本発明は、太陽電池のｉ層或いはＴＦＴの
チャネル部等、半導体デバイスの主たる半導体層に欠陥
密度の低い非晶質シリコンを用いることにより、良好な
デバイス特性を有する半導体デバイスを提供することを
目的とする。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明の半導体デバイス
は、膜中に含ませたボロン及び酸素の濃度が夫々１×１
０ 17 〜１×１０ 19 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 3 及び１×１０ 20 〜
１×１０ 22 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 3 の範囲である非晶質シリ
コンを主たる半導体層として用いたことを特徴とする。 【０００８】 【０００９】 【００１０】 【００１１】【作用】 本 発明の半導体デバイスは、欠陥密度の少ない
非晶質シリコンを主たる半導体層に用いているので、良
好なデバイス特性を有する。 【００１２】 【実施例】ここでは、代表的な非晶質半導体である非晶
質シリコンを形成した。表１は、本発明及び比較例の非
晶質シリコンの形成条件である。本実施例では、反応ガ
スとしてＳｉＨ4，ＣＯ2及びＢ2Ｈ6の混合ガスを用いて
プラズマＣＶＤ法で形成することによって、ノンドープ
の非晶質シリコン中に酸素及びボロンを含ませた。これ
に対し比較例１の非晶質シリコンは、原料ガスとしてＳ
ｉＨ4のみを用いてプラズマＣＶＤ法で形成した、ノン
ドープの膜である。加えて比較例２として、反応ガスに
ＳｉＨ4１００ｓｃｃｍと水素で１００ｐｐｍに希釈し
たＢ2Ｈ6０．１ｓｃｃｍの混合ガスを用いて、膜中にボ
ロンをドープした非晶質シリコンも形成した。これらの
非晶質シリコン中の酸素及びボロン濃度を表２に示す。 【００１３】 【表１】 【００１４】 【表２】 【００１５】表２から、ノンドープの非晶質シリコンで
ある比較例１に対し、比較例２の非晶質シリコンはボロ
ン濃度が増加しており、本実施例の非晶質シリコンは酸
素濃度、ボロン濃度ともに増加していることがわかる。 【００１６】これらの非晶質シリコンの欠陥密度を一定
光電流法（ＣＰＭ：Constant Photocurrent Method）を
用いて評価した。膜中の欠陥が増加すると、これに伴い
欠陥による光の吸収量が増加する。本測定法は、低エネ
ルギー領域での光吸収スペクトルを測定することによ
り、膜中の欠陥を評価する方法である。 【００１７】図１は、ＣＰＭ法を用いて測定したこれら
の非晶質シリコンの光吸収スペクトルである。 【００１８】図１から、本発明の非晶質シリコンでは、
１．４ｅＶ以下の低エネルギー領域での光吸収係数が、
比較例１よりも小さく、欠陥密度が低減されていること
がわかる。また比較例２に於いては、比較例１よりも光
吸収係数が大きくなっていることから、単に膜中にボロ
ンのみを添加しただけでは欠陥密度が増大することがわ
かる。さらに、図示はしないが、酸素のみを添加した非
晶質シリコンも、その膜中の欠陥密度は比較例１よりも
大きくなる。これらの結果から、膜中にボロンと同時に
酸素を加えることによって、欠陥密度を低減できること
がわかる。 【００１９】次に、反応ガス中のＣＯ2流量及びＢ2Ｈ6
流量を変化させて非晶質シリコンを形成し、膜中の欠陥
密度を測定した。表３はこれらの非晶質シリコンの形成
条件である。 【００２０】 【表３】 【００２１】表３の条件で形成した非晶質シリコンの欠
陥密度を、前述の実施例と同様にＣＰＭを用いて評価し
た。図２は、横軸が酸素濃度、縦軸がボロン濃度であ
る。同図に於いて、丸印で示した酸素濃度とボロン濃度
の組み合わせは、これらの組み合わせを有する非晶質シ
リコンの低エネルギー領域での光吸収係数が、前述の比
較例１よりも小さいことを表している。 【００２２】同図から、酸素濃度を１×１０20〜１×１
０22ａｔｏｍｓ／ｃｍ3、ボロン濃度を１×１０17〜１
×１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の範囲となる本発明の非晶
質シリコンは、比較例１よりも欠陥密度が少ないことが
わかる。 【００２３】また同図に示した２本の破線は、酸素濃度
に対してボロン濃度が０．０１％及び１％の線である。
同図の丸印がこの２本の破線に挟まれた領域にあること
から、酸素濃度及びボロン濃度を上記の濃度範囲とし、
さらに酸素濃度に対するボロン濃度の割合を０．０１〜
１％の範囲とすることにより、非晶質シリコン中の欠陥
密度を有効に低減できることがわかる。 【００２４】尚、本実施例では反応ガスとしてＣＯ2を
添加しているが、劣悪な製造装置では、内壁からの脱ガ
スやリーク等の影響により、ＣＯ2を添加しなくとも酸
素濃度が多い非晶質シリコンが形成される場合がある。
その場合には、反応ガスとしてＢ2Ｈ6を用いてボロンの
みを添加すれば本発明非晶質半導体が得られることは言
うまでもない。 【００２５】また、酸素やボロンを含ませるための反応
ガスとして、本実施例に於いてはＣＯ2或いはＢ2Ｈ6を
用いているが、これに限るものではなく、Ｏ2、Ｈ2Ｏ或
いはＢ（ＣＨ3）3等の、他の酸素源或いはボロン源とな
るガスを用いることもできる。 【００２６】次に、本発明の非晶質シリコンを用いて、
半導体デバイスである太陽電池を形成した。図３は、本
実施例の太陽電池の素子構造断面図である。本実施例の
太陽電池に於いては、主たる半導体層であるｉ層４に本
発明の非晶質シリコンを用いている。 【００２７】同図に於いて、１はガラス基板であり、２
はＳｎＯ2から成る透明電極である。透明電極２は熱Ｃ
ＶＤ法で形成した。３はｐ型の非晶質シリコンカーバイ
ドから成るｐ層であり、原料ガスとしてＳｉＨ4，ＣＨ4
及びＢ2Ｈ6の混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で形成
した。４は本発明の非晶質シリコンを用いたｉ層であ
り、表１と同じ条件で形成した。また５はｎ型の非晶質
シリコンから成るｎ層であり、原料ガスとしてＳｉＨ4
及びＰＨ3の混合ガスを用いてプラズマＣＶＤ法で形成
した。６はＡｇから成る裏面電極であり、蒸着法で形成
した。また、ｉ層４に前述の比較例１の非晶質シリコン
を用いた太陽電池も形成した。ｉ層４の膜厚は約２００
０Åである。これらの太陽電池の光電変換効率を測定し
たところ、本発明の太陽電池では１１．２％と、比較例
１の太陽電池の１１．０％よりも高い値が得られた。こ
のことから、本発明の、欠陥密度が低減された非晶質シ
リコンを主たる半導体層に用いることにより、デバイス
特性を向上できることがわかる。 【００２８】 【００２９】 【００３０】尚、半導体デバイスとしては実施例の太陽
電池に限らず、ＴＦＴのような他の半導体デバイスにつ
いてもデバイス特性を向上させることができる。 【００３１】 【００３２】【発明の効果】 本発明の半導体デバイスは、 欠陥密度の
少ない非晶質シリコンを主たる半導体層に用いるので、
良好なデバイス特性を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の非晶質シリコンの光吸収スペクトルを
示す特性図である。 【図２】欠陥密度と、酸素及ボロンの濃度との関係を表
した図である。 【図３】本発明の太陽電池の素子構造断面図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板、２…透明電極、３…ｐ層、４…ｉ層、
５…ｎ層、６…裏面電極
示す特性図である。 【図２】欠陥密度と、酸素及ボロンの濃度との関係を表
した図である。 【図３】本発明の太陽電池の素子構造断面図である。 【符号の説明】 １…ガラス基板、２…透明電極、３…ｐ層、４…ｉ層、
５…ｎ層、６…裏面電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−283739（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−199710（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−296710（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−218879（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−119876（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−236171（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−94768（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 膜中に含ませたボロン及び酸素の濃度が
夫々１×１０ 17 〜１×１０ 19 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 3 及び１
×１０ 20 〜１×１０ 22 ａｔｏｍｓ／ｃｍ 3 の範囲である
非晶質シリコンを主たる半導体層として用いたことを特
徴とする半導体デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04864895A JP3397928B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04864895A JP3397928B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250754A JPH08250754A (ja) | 1996-09-27 |
| JP3397928B2 true JP3397928B2 (ja) | 2003-04-21 |
Family
ID=12809188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04864895A Expired - Fee Related JP3397928B2 (ja) | 1995-03-08 | 1995-03-08 | 半導体デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3397928B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5526461B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2014-06-18 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
| IN2015DN01663A (ja) * | 2012-08-03 | 2015-07-03 | Semiconductor Energy Lab |
-
1995
- 1995-03-08 JP JP04864895A patent/JP3397928B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH08250754A (ja) | 1996-09-27 |
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